1.1. INTRODUCCIÓN.

1.2. CARACTERÍSTICAS DEL DIODO.

1.3. PARÁMETROS DE OPERACIÓN Y PROPIOS DEL
DIODO.
1.4. ESPECIFICACIONES DEL DIODO.
1.5. CARACTERÍSTICAS V – I DE ALGUNOS DIODOS
ESPECIALES.
1.6. CIRCUITOS CON DIODOS.
1.1. INTRODUCCION
DIODO: Es un dispositivo electrónico que tiene la propiedad I de
conducir I en un sentido y bloquear en el otro.

Su estructura interna esta conformada por una unión PN:

P: Semiconductor con portadores mayoritarios tipo P o “huecos”.

N: Portadores minoritarios tipo N o “electrones”.
La polarización positiva o directa del diodo permite la conducción
de la corriente a través del diodo.

La polarización negativa o inversa del diodo “bloquea” el paso de

la corriente.
 1.2. CARACTERISTICAS DEL DIODO
1.2.1. CARACTERISTICAS DEL DIODO IDEAL
Un diodo ideal tiene las siguientes características:
 En polarización inversa, la corriente es cero en ambos sentidos.
 No presenta resistencia interna 𝑟𝑖 = 0
 No presenta tensión umbral 𝑣𝑟 = 0
 El tiempo de conmutación es cero 𝑡𝑐 = 0
 En polarización inversa 𝑉𝐼𝑃 → ∞ (tensión inversa pico)

Graficando su funcionamiento: Modelo circuital:

Io: corriente inversa de

Polarización inversa Polarización directa saturación
“bloqueo” “conducción”
1.2.2. CARACTERISTICAS DEL DIODO REAL
 En polarización inversa, el diodo presenta una corriente.
 Presenta resistencia interna (ri ˃ 0)
 Presenta una tensión umbral (vr ˃ 0) o caída de tensión del diodo (vd ˃ 0)
 El tiempo de conmutación es cero (tc ˃ 0)
Grafica V - I:
Con pendiente (ri ˃ 0)

Zona de Polarización Zona de Polarización

inversa directa
Tensión
zener

Corriente zener Tensión 𝑉𝑟 = 0.7𝑣 𝑆𝑖

o avalancha umbral 𝑉𝑟 = 0.3𝑣 𝐺𝑒

Ecuación del 𝑉𝑑 Ecuación de

Diodo: 𝐼𝑑 = 𝐼0 𝑒 𝑛𝑉𝑇 −1 Shokley
𝐼𝑑 : Corriente del diodo
𝐼0 : Corriente inversa del diodo o de saturación.
𝑉𝑑 : Tensión del diodo (caída).
n: 2 Si
1 Ge
𝑉𝑇 : Temperatura expresada en tensión

𝑇 ∘.𝐾 Para 300°K ≈ 25°C

𝑉𝑇 =
11600 𝑉𝑇 ≈ 26mV

Para: 𝑉𝑑 = -1V −1
𝐼𝑑 = 𝐼0 𝑒 2∗26∗10−3 − 1
T = 25°C
Diodo: Si 𝐼0
𝐼𝑑 = 103
− 𝐼0 µA
𝑒 52 Mas pequeño
=0

𝐼𝑑 = −𝐼0
Ejemplo: Determinar el valor de Id para un diodo d Silicio si Vd=0.8V, T=50°C y Io=10µA
𝑉𝑑
𝐼𝑑 = 𝐼0 𝑒 𝑛𝑉𝑇 −1
0.8
𝑇(°𝐾 𝐼𝑑 = 10 ∗ 10−6 𝑒 2∗28∗10−3 −1
𝑉𝑇 =
11600 𝐼𝑑 = 10 ∗ 10−6 𝑒14.28 − 10 ∗ 10−6
323 𝐼𝑑 = 15.91 − 10 ∗ 10−6
𝑉𝑇 =
11600
𝑉𝑇 = 27.8𝑚𝑉 𝐼𝑑 = 15.91𝐴
𝑉𝑇 ≈ 28m𝑉

𝑉 = 𝑉𝑑 + 𝐼𝑑 ∗ 𝑅𝐿
1.2.3. EFECTO DE LA TEMPERATURA EN CARACTERISTICAS DEL DIODO
La temperatura afecta a las características de Id, Vr e Io

T3˃T2˃T1

Ideal

A mayor temperatura
se aproxima
EFECTOS
 Se mejora la característica de conducción del diodo (Io → ideal).
 Las tensiones umbrales (Vr)disminuye (Vr → ideal).
 La corriente inversa de saturación (Io) se incrementa.
 La tensión zener disminuye.

NOTA: En los diodos de silicio (Si), la temperatura afecta muy poco el incremento
de Io.
1.3. PARAMETROS DE OPERACIÓN Y PROPIOS DEL DIODO
Los diodos presentan los siguientes parámetros:
a) La resistencia:
* Resistencia directa o estática.
* Resistencia dinámica.
*Resistencia propia.
b) La capacitancia.
1.3.1. RESISTENCIA ESTATICA O DIRECTA (RD)
Es aquella resistencia que presenta el diodo cuando trabaja en DC, y viene determinado por el
puerto de operación del diodo (Q).

𝑽𝑫
𝑹𝑫 =
𝑰𝑫

Punto de operación
del diodo
• RD es grande para
→ pequeño.
• RD es pequeño para
grande.
EJEMPLO:
 Si ID = 10mA y VD = 0.75V
0.75𝑉
𝑅𝐷 =
10𝑚𝐴

𝑅𝐷 = 75𝛺

 Si ID = 120mA y VD = 0.82V

0.82𝑉
𝑅𝐷 =
120𝑚𝐴

𝑅𝐷 = 6.83𝛺
1.3.3. RESISTENCIA DINAMICA O DE C.A. ( 𝑅𝑑 )
Es aquella resistencia cuando trabaja en C.A.

𝜟𝑽𝑫𝑸 𝛛(𝑽𝑫𝑸
𝑹𝒅 = 𝑹𝒅 =
𝜟𝑰𝑫𝑸 𝛛(𝑰𝑫𝑸

Si:
𝑽𝒅
𝑰𝒅 = 𝑰𝟎 𝒆𝒏𝑽𝑻 −𝟏
𝛛𝑰𝑫
𝛛𝑽𝑫

De donde:

𝟐𝟔𝒎𝑽 𝑻° = 𝟐𝟓°𝑪
𝑹𝒅 =
𝑰𝑫𝑸 𝒏=𝟐
EJEMPLO:
Determinar la 𝑅𝑑 de un diodo que trabaja en C.A. cuya variación de corriente y tensión
son:
a) 𝐼𝐷1 = 10𝑚𝐴 𝐼𝐷2 = 30𝑚𝐴 𝑉𝐷1 = 0.65𝑉 𝑉𝐷2 = 0.8𝑉

𝛥𝐼𝐷𝑄 = 30 − 10 = 20𝑚𝑉
𝛥𝑉𝐷𝑄 = 0.8 − 0.65 = 0.15𝑉
0.15𝑉
𝑅𝑑 = = 7.5𝛺
20𝑚𝐴
26𝑚𝐴
b) Aplicando 𝑅𝑑 = y derivando con T = 25°C
𝐼𝐷𝑄
𝐼𝐷1 + 𝐼𝐷2
𝐼𝐷𝑄 = = 20𝑚𝐴
2

26𝑚𝑉
𝑅𝑑 = = 1.3𝛺
20𝑚𝐴
1.3.3. RESISTENCIA PROPIA
Es aquella resistencia que presenta el diodo debido al material del cual están fabricados.
Esta resistencia puede ser considerada como:

𝟎. 𝟏𝟓𝜴 ≤ 𝑹𝒊 ≤ 𝟐𝜴

Resistencia total: 𝑹𝒕 = 𝑹𝒅 + 𝑹𝒊

1.3.4. CAPACITANCIA
 La capacitancia en los diodos se presenta a frecuencias relativamente altas. Para frecuencias
pequeñas no se considera.
 En el diodo semiconductor p-n hay dos efectos capacitivos que tienen que ser considerados.
Ambos tipos de capacitancia están presentes en las regiones de polarización en directa y en
inversa, pero uno predomina sobre el otro en cada región por lo que consideramos los efectos
de sólo uno en cada región.
 En la región de polarización en inversa tenemos la capacitancia de transición o de región
de empobrecimiento (CT ) en tanto que en la región de polarización en directa tenemos la
capacitancia de almacenamiento o difusión (CD ).

Polarización Inversa
Polarización Directa
1.4. ESPECIFICACIONES DEL DIODO
El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura especificadas)
La corriente máxima en directa IF (a una temperatura especificada)
La corriente de saturación en inversa IR (a un voltaje y temperatura
especificados)
El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR
proviene del término
“breakdown” (ruptura) (a una temperatura especificada)]
El nivel de disipación de potencia máximo a una temperatura particular
Niveles de capacitancia
Tiempo de recuperación en inversa trr
Intervalo de temperatura de operación.
Según el tipo de diodo que se esté considerando, es posible que también se den más
datos, como intervalo de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de conmutación, niveles de
resistencia térmica y valores repetitivos pico. Para la aplicación pensada, la importancia
de los datos casi siempre es autoaparente. Si también se da el coeficiente de
disipación o potencia máxima, se entiende que es igual al siguiente producto:

𝑃𝐷max = 𝑉𝐷 𝐼𝐷
donde ID y VD son la corriente y el voltaje en el diodo, respectivamente, en un punto de
operación particular.
Si aplicamos el modelo simplificado para una aplicación particular (una ocurrencia
común), podemos sustituir VD = VT = 0.7V para un diodo de silicio en la ecuación (1.8) y
determinar la disipación de potencia resultante por comparación contra el coeficiente
de potencia máximo. Es decir:
𝑃𝑑𝑖𝑠𝑖𝑝𝑎𝑑𝑎 ≅ (0.7𝑉 𝐼𝐷
1.5. CARACTERISTICAS V-I DE ALGUNOS DIODOS ESPECIALES
1.5.1. DIODO SCHOTTKY
 Tiene mejores características V-I del diodo general.
 Son de alta velocidad y generalmente trabajan a altas frecuencias.
 Se utilizan en sistemas de computo, telecomunicaciones.
 Últimamente se viene utilizando en fuentes de alimentación.

No necesita mucha
tensión umbral para
conducir
1.5.2. DIODO ZENER
 Es un diodo que trabaja en la zona de polarización inversa.
 A la tensión zener VZ el diodo conduce altas corrientes y corrientes de avalancha.
 Son utilizados en reguladores de tensión.

IZ
 ANALISIS DE CIRCUITOS
CON DIODOD
Circuitos en DC
Circuitos en AC
Circuitos en DC y AC
1.6 CIRCUITOS CON DIODOS

1.6.1 Circuito serie en DC

Análisis grafico
Uso de las características V-I del diodo
Uso de la LVK
Uso de la recta de carga estática
La intersección de las dos curvas definirá la solución para la red, así
como los niveles de corriente y voltaje.
.
 CIRCUITOS EN SERIE
a) Si • PLICANDO LEYES DE TENSIONES TE
KIRCHOFF
• LVK: V=I*𝑅𝐿 +0.7+0.3
+
V E (𝑉−1.0
I 𝑅𝐿 I=
- 𝑅𝐿

Ge
1.6.2 Circuitos paralelos
 CIRCUITOS PARALELOS
a) 𝑅𝐿
𝑉0

• 𝑉0 =𝑉𝐷 =𝐼2 *𝑅𝐿

+ +
Si 𝑉𝐷 𝐼2 𝑅𝐿
V E -
-
b) 𝑅1
𝑉0 𝑅2
𝑉0

+ +
Si 𝐼2 Ge
V E V E
- -

𝑅𝐿

𝑅2

• 𝑉0 =𝑉𝐷−𝑆𝑖 =𝐼 *𝑅2 +0.7

b)

V0 V0

𝑉0 = 𝑉𝐷 𝑆𝑖 = 0.7 + 𝐼𝑅2
C) 𝑅1
𝑉0 𝑅
𝑉0

+ + - +
+
D1 𝐼2 D2 𝑉𝐷
V E -
V E
- + - -

• 𝑉0 =𝑉𝐷1
1.6.3 Circuitos mixtos
 CIRCUITOS MIXTOS
a) 𝑅1 Ge
• 𝑃𝑂𝑅 𝐿𝐸𝑌𝐸𝑆 𝐷𝐸 𝑇𝐸𝑁𝑆𝐼𝑂𝑁𝐸𝑆 𝐷𝐸 𝐾𝐼𝑅𝐶𝐻𝑂𝐹𝐹
𝑉0 • 0.7=0.3 + 𝐼2 *𝑅2

𝑉0

+ + • 𝑉0 =0.7 – 0.3=0.4
Si 𝐼2 𝑅𝐿
V E -
-
B) 𝑅1 Si • 𝑃𝑂𝑅 𝐿𝐸𝑌𝐸𝑆 𝐷𝐸 𝑇𝐸𝑁𝑆𝐼𝑂𝑁𝐸𝑆 𝐷𝐸 𝐾𝐼𝑅𝐶𝐻𝑂𝐹𝐹
𝑉0 • 𝑉0 =0.3 + 𝐼2 ∗ 𝑅3

• ECUACIONES MALLA 1
• 𝑉 =𝐼1 ∗ (𝑅1 +𝑅2 ) - 𝐼2 ∗ 𝑅2
+ +
𝐼2 Ge
V E 𝑅𝐿
- - • ECUACIONES MALLA 2
(𝑅2 +𝑅3 )*𝐼2 - 𝐼2 ∗ 𝑅2 +𝑉𝑆𝐼 + 𝑉𝐺𝐸 = 0
DONDE 𝑉0 NO SE PUEDE HALLAR
1.6.4. Circuitos serie en C.C y C.A en pequeña señal.

Condiciones:

v1 es una señal pequeña (Vr>Vm)

El diodo tiene R (0.1Ω – 2.2Ω)

Para el análisis:

Vi=Vm Sen ωt

El Análisis se realiza en C.C y luego en C:A

a) Circuito en C.C.

ID

Se determina el punto de
equilibrio
b) Circuito en C.A.

26𝑚𝑉
𝑟𝑑 =
𝐼𝐷𝑄
𝑣𝑚
𝑖𝑑 = 𝑆𝑒𝑛 𝜔𝑡
𝑟𝑖 + 𝑟𝑑 + 𝑅𝐿
Considerando la curva V-I
EJEMPLO

Determinar el valor a través de la corriente que circula por el circuito mostrado

rd=1Ω En C.C.

IDQ

10 = 0.7 + 𝐼𝐷 1𝐾
10 − 0.7
𝐼𝐷 =
1𝐾
𝐼𝐷 = 9. 𝑚𝐴

26 × 10−3
𝑟𝑑 = = 2.8Ω
9.3 × 10−3
En C.A.

0.3
𝑖𝑑 = 𝑆𝑒𝑛 𝜔𝑡
1 + 2.8 + 1000
𝑖𝑑 = 9.3 + 0.3 𝑆𝑒𝑛𝜔𝑡
𝑖𝑑 = 0.2985 𝑆𝑒𝑛 𝜔𝑡
𝑇
𝑖𝑑 ≅ 0.3𝑚𝐴 𝑆𝑒𝑛 𝜔𝑡 1
𝑖𝑑 2 𝑓 = 𝑖𝑑 2 𝑑𝑡
𝑇 ∞

𝑖𝑚 = 0.3𝑚𝐴
1.6.5. Circuitos Recortadores

a) Circuito Serie sin fuente VE

Polaridad positiva ± ciclo positivo

Polaridad negativa ∓ ciclo negativo

𝑆𝑖 𝑉𝑖 = 𝑉𝑚 𝑆𝑒𝑛 𝜔𝑡

Considerando ciclo ideal

El diodo actúa como un recortador de media onda en

el ciclo negativo, dejando pasar la señal de tipo
positivo.
b) Circuito Serie con fuente VE.

iL

𝑣𝑖 = 𝑉𝑖 𝑆𝑒𝑛 𝜔𝑡

𝑉𝐸 = 𝐹𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢𝑎

Condición Vm>Vr
determinar la tensión vL de la figura.

VL

𝑣𝑖 = 20 𝑆𝑒𝑛 𝜔𝑡
EJEMPLO

Determinar la señal de salida en el circuito mostrado.

VL

10; 0 ≤ 𝑡 ≤ 1
𝑣𝑖 =
−10; 1 ≤ 𝑡 ≤ 2

Señal vi
c) Circuito recortador paralelo sin VE

El diodo actúa como recortador paralelo que

recorta señales positivas y muestra señales
negativas
d) Circuito recortador paralelo con VE

𝑉𝑚; 0 ≤ 𝑡 ≤ 𝑡1
𝑣𝑖 =
−𝑉𝑚; 𝑡1 ≤ 𝑡 ≤ 𝑡2
1.6.5 Circuitos recortadores
1.6.6 circuitos con diodo zener
1.6.6 Circuitos con diodos Zener

Por divisor de tensión:

I
IL
IZ 𝑅𝐿
𝑉𝐿 = 𝑉𝐸
𝑅𝑆 + 𝑅𝐿

𝑉𝑍 = 𝑉𝐿

𝐼 = 𝐼𝑍 + 𝐼𝐿

También: Por L.V.K.

𝑉𝐸 = 𝐼𝑅𝑆 + 𝑉𝑍

Por otro lado:

𝑃𝑍 = 𝐼𝑍 𝑃𝑍
1.6.6 Circuitos con diodos Zener

Por divisor de tensión:

I
IL
IZ 𝑅𝐿
𝑉𝐿 = 𝑉𝐸
𝑅𝑆 + 𝑅𝐿

𝑉𝑍 = 𝑉𝐿

𝐼 = 𝐼𝑍 + 𝐼𝐿

También: Por L.V.K.

𝑉𝐸 = 𝐼𝑅𝑆 + 𝑉𝑍

Por otro lado:

𝑃𝑍 = 𝐼𝑍 𝑃𝑍
EJEMPLO

En el circuito que se muestra determinar el valor de la corriente IZ para VZ = 9V.

9
𝐼𝐿 = = 0.09𝐴
100

I 𝑉𝐸 = 10 𝐼 + 9
IL

𝐼 = 0.6𝐴
IZ

𝐼𝑧 = 𝐼 − 𝐼𝐿

𝐼𝑧 = 0.51𝐴
Si VE = 25
Luego
𝑃𝑧 = 𝑉𝑍 + 𝐼𝑍
𝑃𝑧 = 9 × 1.51 = 13.59𝑊
𝐼𝐿 = 90𝑚𝐴
En el circuito anterior determinar IZ Si VE=10V
25 = 10 𝐼 + 9
𝐼𝑧 = 𝐼 − 𝐼𝐿
𝐼 = 1.6𝐴. 𝐼 = 0.1𝐴
𝐼𝐿 = 0.09𝐴
𝐼𝑍 = 1.6𝐴 − 0.09 𝐼𝑧 = 1 − 0.09
𝐼𝑧 = 0.01𝐴
𝐼𝑍 = 1.51𝐴

Conclusión: Existe un VEmin y un VEmax . Pero

las caídas el diodo Zener regula el voltaje de
entrada.