Universidad Autónoma
Metropolitana
Unidad Iztapalapa
División de Ciencias Básicas e
Ingeniería
PRÁCTICA No 1
CRUZ ESCOBAR LUIS ANGEL
HERNÁNDEZ RODRÍGUEZ JOSÉ EDUARDO
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Profesor:
Donaciano Jiménez Vázquez
Caracterización de transistores BJT
En esta práctica de laboratorio utilizaremos 3 transistores BJT:
Tip41 es un transistor con configuración NPN.
Tip42 es un transistor con configuración PNP.
2N3055 es un transistor con configuración NPN.
Además de los transistores utilizaremos un transformador 12 volts-5 amperes, un puente rectificador 20
amperes, un capacitor 2200 µF y tres resistencias de 10 Ω a 10 watts.
El circuito que se armará con cada transistor es el siguiente
Fig. 1
La fuente que se armó con el transformador, el puente y el capacitor estará suministrando la
corriente al transistor en el colector, mientras que variaremos el voltaje con la fuente conectada
en la base del transistor. También se tomaron las mediciones de corriente en el colector, 5.16
amperes aproximadamente, y el voltaje que había en las resistencias conectadas en paralelo, 18
volts aproximadamente, estos datos o mediciones son entregados por el transformador.
Las primeras mediciones se realizaron con el Tip41 y esta es su tabla de mediciones.
TIP41
Vi(V) IB(A) VBE(V) VCE(V) IC(A)
0 0 0.03 36.6 0
0.5 0 0.46 34.7 0
0.7 0.02 0.43 34 2.2
1 0.04 0.53 16 3.2
1.2 0.06 0.6 12.3 3.27
1.5 0.08 0.69 8.3 3.88
1.7 0.09 0.77 5.6 4.2
2 0.12 0.84 4.1 4.56
2.5 0.15 0.92 2.3 4.9
3 0.2 1.02 1.5 5.05
3.5 0.24 1.04 1.1 5.08
4 0.29 1.06 0.9 5.11
Tabla 1.
Se puede observar que para las últimas tres mediciones la corriente de colector sobrepasa los 5
amperes que nos entrega el transformador, esto es a causa del calentamiento del mismo
transistor que provoca que su curva característica se recorra a causa de la temperatura, como se
muestra en las gráficas siguientes.
IC vs VCE
6
4
Ic (Amp)
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
-2
Vce (V)
Gráfica 1.
IC vs IB
6
5
4
Ic (Amp)
3
2
1
0
-0.05 -1 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
IB (Amp)
Gráfica 2
IB vs VBE
1.2
1
0.8
IB (Amp)
0.6
0.4
0.2
0
-0.05 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3
VBE (V)
.
Gráfica 3.
Las segundas mediciones se realizaron con el Tip42 y esta es su tabla de mediciones
correspondiente.
TIP42
Vi(V) Ib(A) Ic(A) VCE(V) VBE(V)
0 0 0 0 0
0.5 0.04 2.93 14.5 0.69
1 0.05 4.44 11.39 0.77
1.3 0.07 4.76 9.25 0.82
1.5 0.08 4.08 7.49 0.88
1.7 0.11 4.5 5.01 0.95
2 0.13 4.74 3.6 1
2.3 0.15 4.87 2.95 1.02
2.5 0.17 4.95 2.33 1.03
2.7 0.2 5.07 1.68 1.06
3 0.23 5.13 1.31 1.08
3.3 0.24 5.14 1.11 1.09
3.5 0.26 5.15 0.98 1.09
3.7 0.29 5.17 0.83 1.1
4 0.32 5.17 0.73 1.11
4.3 0.43 5.19 0.67 1.11
4.5 0.36 5.19 0.63 1.11
4.7 0.39 5.2 0.57 1.11
5 0.41 5.2 0.5 1.1
Tabla 2.
Lo siguiente fue graficar sus curvas características dando como resultado las siguientes imágenes.
IC vs. VCE
6
5
4
IC (Amp)
3
2
1
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VCE (V)
Gráfica 4.
ICvs. IB
6
5
4
IC (Amp) 3
2
1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
IB (Amp)
Gráfica 5.
IB vs. VBE
0.5
0.4
IB (Amp)
0.3
0.2
0.1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
VBE (V)
Gráfica 6.
Posteriormente hicimos las mismas mediciones para el transistor 2N3055 obteniendo la siguiente
tabla de resultados.
2N3055
Vi(V) Ib(mA) Ic(A) VCE(V) VBE(V)
0 0 0.11 35.1 0
0.5 3 0.3 34.1 0.55
1 18 2.33 19.6 0.75
1.3 26.3 2.79 18 0.9
1.5 35.5 2.99 15.1 1.05
1.7 41.7 3.24 13.6 1.15
2 51.2 3.55 12.9 1.32
2.3 64 3.7 10.5 1.53
2.5 71.1 3.81 10 1.68
2.7 76.5 4.06 9.6 1.76
3 95 4.18 7.7 2
3.3 108 4.43 6.4 2.03
3.5 129 4.55 5.7 2.12
3.7 147 4.6 4.7 2.19
4 154 4.9 4.5 2.25
4.3 195 4.95 3.9 2.29
4.5 206 5 2.8 2.35
4.7 215 5.03 2.5 2.42
5 230 5.1 2.1 2.46
Tabla 3.
Graficamos sus curvas características dando como resultado las siguientes imágenes.
IC vs. VCE
6
5
4
IC (Amp)
3
2
1
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
VCE (V)
Gráfica 7.
IC vs. IB
6
5
4
IC (Amp)
3
2
1
0
0 50 100 150 200 250
IB (Amp)
Gráfica 8.
IBvs. VBE
250
200
IB(mAmp)
150
100
50
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
VBE (V)
Gráfica 9
Conclusiones:
Hay que señalar que existen diferencias entre cada uno de los compontes que se utilizaron en esta
práctica, desde la estructura física de cada transistor hasta sus niveles de corriente y voltaje
máximos para así aprovechar la potencia máxima de cada componente. Durante las mediciones
nos encontramos con un efecto propio de este tipo de componentes, este efecto es que se
calientan por el gran flujo de corriente que los atraviesa internamente, que incluso en las últimas
mediciones de la corriente Id de cada componente esta sobrepasa la corriente que es capaz de
suministrar la fuente, esto es debido a que al calentarse su curva característica se recorre a causa
del aumento de temperatura. Las resistencias que se conectaron en el colector de los transistores
y los propios transistores, llegaron a una temperatura tan alta que en algunos momentos tuvimos
que parar las mediciones para dejar que se enfriaran, ya que si no dejamos que se enfríen se
puede llegar a un círculo vicioso en donde el transistor “consume” más corriente de la fuente y
esto hace que se caliente más y a su vez el transistor vuelve a consumir más corriente, en fin esto
llevaría a que el transistor se quemara (y así ocurrió varias veces) y las mediciones fueran erróneas
o malas mediciones, así que tuvimos que hacer las anotaciones de los datos lo más rápido posible
para así no dejar que los componentes se sobrecalentaran.
Amplificadores tipo “B” y “AB” con fuente doble y simple
En esta práctica veremos el funcionamiento de dos tipos de amplificadores utilizando los Tip41 y
Tip42.
Amplificador tipo “B” (Fuente doble):
La configuración del amplificador clase B tiene como componentes a dos transistores, uno tipo
NPN y el otro tipo PNP. A la entrada de esta configuración se tiene una onda senoidal, generada
por el generador de funciones, la parte positiva de la señal polariza al transistor NPN mientras que
el transistor PNP se encuentra apagado, cuando llega la parte negativa de la señal está polariza al
transistor PNP manteniendo al transistor NPN apagado, entre cada cambio el transistor no se
encuentra polarizado y este efecto hace que la señal a la salida se vea deformada ligeramente.
Para la práctica se utilizó la fuente y el generador de funciones, estos deben de estar al máximo de
sus valores. La configuración del amplificador clase B se muestra en la siguiente imagen.
Figura 1.
En la siguiente imagen se muestran tanto la entrada al amplificador como la salida del mismo, se puede
observar que la ganancia en voltaje es mínima o casi nula para este tipo de amplificador, ya que la señal de
entrada que se suministró por el generador de funciones fue de Vi=13 Vpico-pico y la señal de salida es casi
idéntica en cuanto a amplitud se refiere, pero la corriente de que se obtuvo a la salida fue de Ic=0.58 A, con
un voltaje Vrms=5.8 V
Otro fenómeno que se observa en la imagen es en la salida la onda aparece con una distorsión conocida
como distorsión de cruce por cero, esta se debe a que cuando la señal pasa del semiciclo positivo al negativo
y viceversa existe un tiempo en el que ninguno de los dos transistores está conduciendo debido a que aún
no alcanza su voltaje inicial de funcionamiento, esto problema como se verá más adelante se resuelve con
un amplificador del tipo “AB”.
Imagen 1. Entrada y salida del amplificador tipo “B”
NOTA: la distorsión adicional es debido al ruido que generan los demás aparatos conectados a las líneas de
alimentación así como el ruido provocado por el disipador de calor al no estar aterrizado.
Amplificador tipo “AB” (Fuente doble):
Para evitar la distorsión de cruce por cero como la que se observa en la imagen anterior se
implementó un amplificador del tipo “AB” agregando tan solo unos componentes más al circuito
anterior y reconectando como se ve en la figura 2.
Figura 2.
En la siguiente imagen se muestra el resultado de la salida esta vez sin la distorsión de cruce debido a que
los diodos polarizan cada transistor con su voltaje inicial de funcionamiento para que este empiece a
conducir al instante que el otro se apaga.
Imagen 2. Entrada y salida de amplificador tipo “AB”.
Para este caso se utilizó una señal de entrada Vi=15 Vp-p, a la salida se registró una señal Vo=13.8 Vp-p con
un Vrms=9.76 V y una corriente de Ic=0.975 A.
Amplificador tipo “B” (Fuente simple):
Se repitieron los mismos procedimientos para este experimento pero esta vez usando como
fuente simple el transformador que se armó previamente. Tan solo hizo falta agregar al circuito
del amplificador tipo “B” un capacitor de 2200uf a la salida ya que este actuaría como fuente del
segundo transistor, es decir el TIP 42 cuando el TIP 41 dejara de funcionar en el momento en que
el semiciclo positivo terminara, la siguiente figura muestra la conexión que se realizó.
Figura 3.
Para obtener un resultado favorable fue necesario sumar un offset a la señal de entrada, esto debido a que
el capacitor se carga a un medio de Vcc y no alcanza a polarizar el segundo transistor, el offset necesario fue
justamente un medio de Vcc y se obtuvieron los resultados mostrados en la siguiente imagen. Aquí la
corriente de salida fue IC=0.71 A con un Vrms=7.03 V.
Imagen 3. Entrada y salida de amplificador tipo “B” (Fuente simple).
Amplificador tipo “AB” (Fuente doble):
Para finalizar esta actividad se realizó el mismo circuito del tipo “AB” pero esta vez con una fuente
simple como se observa en la siguiente figura.
Figura 4.
En la siguiente imagen se muestra el resultado de la medición con el osciloscopio, cabe señalar que para
esta experimento se tuvo que reducir la amplitud de la señal de entrada para que no se saturaran los
transistores en especial el que se encarga del semiciclo negativo.
Imagen 4. Entrada y salida del amplificador “AB” (Fuente simple).
Para este último experimento se obtuvo una corriente de Ic=0.22 A con un Vrms=2.2 V a una entrada de
excitación de Vi=6.20 Vp-p.
Conclusiones:
En este segundo apartado de la segunda práctica se pudo observar las ventajas y desventajas al ocupar
diferentes configuraciones del amplificadores de potencia y los parámetros que debemos tomar en cuenta
al diseñarlos para un uso en específico (Audio, Motores, etc.). Nos da la posibilidad también de ver que
tanto se puede aprovechar una u otra configuración dependiendo de las características de los transistores
y su capacidad para disipar potencia o calor. En nuestra opinión le mejor configuración es la del tipo “AB”
ya que con esta se evitó la distorsión de cruce así como también el uso de una fuente doble ayuda al
diseñador ya que una fuente simple limita o creemos que hay que agregar más cosas a considerar para
ocupar este tipo de arreglo para una aplicación en específico.
