Disipadores de calor

Siempre que por un elemento conductor circula una corriente

eléctrica, se generan unas pérdidas de potencia (efecto Joule)
Joule que
elevan la temperatura poniendo en peligro la vida del dispositivo.
El calor que se produce en el interior del semiconductor debe ser
disipado rápida-mente, con el fin de evitar que la temperatura
interna llegue al límite máximo permitido.

La capacidad de disipacion de calor en los semiconductores de

potencia es demasiado pequeña, por lo que es necesario facilitar la
transferencia de calor generado. Se consigue mediante un radiador o
disipador de calor, el cual hace de puente para evacuar el calor de la
cápsula al medio ambiente.
Formas de transmisión del calor:

 CONDUCCIÓN:
Principal medio de transferencia de calor en un cuerpo sólido. Se realiza por
la transferencia de energía cinética entre moléculas contiguas. En este tipo de
transmisión se debe tener en cuenta la conductividad térmica de las sustancias.

 CONVECCIÓN:

Transferencia de calor mediante la circula-ción de un fluido. Puede ser Natural o

Forzada.
Forzada

 RADIACIÓN:

Transferencia de calor mediante radiaciones electromagnéticas emitidas por

cualquier cuerpo cuya temperatura sea mayor a cero grados Kelvin.
Equivalente elecctrico

Para que se produzca flujo de energía calorífica de un punto a otro, debe existir una diferencia de
temperatura. El calor pasará del punto más caliente al más frío, pero aparecen factores que dificultan
este paso, llamados resistencias térmicas y expresan el grado de dificultad para evacuar el calor de un
dispositivo (ºC/W).
Inicialmente, cuando no se tiene elemento
refrigerador, la resistencia es:

R jc  R ca = R ja

que nos dará la máxima potencia que es

capaz de disipar el dispositivo cuando no
se coloca ningún elemento refrigerador.
Como Rca es elevada, introducimos un
elemento disipador que reducirá la
resistencia final (Rca >> Rcd + Rd).
Ley de Ohm térmica:

T j−T a= P⋅R ja
Tj = temperatura de la unión semiconductora
Ta = temperatura ambiente
P = potencia que disipa el dispositivo
Rja = resistencia térmica entre la unión y el ambiente

Semiconductor sin elemento disipador:

T j−T a
P=
R jc  R ca
Semiconductor con elemento disipador:

T j −T a
P=
R jc  R cd  R d
Parámetros

Tjmáx = Temperatura máxima que puede soportar la unión del transistor sin fundirse.
Tj = Temperatura alcanzada por la unión del transistor durante su funcionamiento.
Rjc = Rθ JC = Rth j-c = Rth j-mb = Resistencia térmica unión - contenedor.
Rcd = Rθ CHS = Rth mb-h = Resistencia térmica contenedor - disipador.
Rd = Resistencia térmica disipador - ambiente.
Rja = Rθ JA = Rth j-a = Resistencia térmica unión - ambiente.
Rca = Resistencia térmica contenedor -ambiente.
Rdv = Resistencia térmica del disipador, con ventilador.
PD = Potencia que queremos hacer disipar al transistor.
Wat = Potencia máxima que el elemento puede disipar con una temperatura del contenedor de 25ºC
Tc = Temperatura del contenedor.
Td = Temperatura del disipador.

Ta = Temperatura ambiente.
F = Factor de corrección cuando se utiliza ventilador.
K = Factor de corrección para fijar el valor de la Tj, conociendo la Tjmáx.
Cθ C = Capacidad térmica del contenedor.

El origen de estos datos es muy diverso. Algunos vendrán dados en tablas y manuales; otros,
deberemos establecerlos nosotros y otros, representan las incognitas de nuestro problema y deberán
resultar de los cálculos efectuados.
Resistencias térmicas:

Resistencia Unión - Contenedor (Rjc)

El foco calorífico se genera en la unión del cristal semiconductor. El calor debe pasar desde este punto
al exterior del encapsulado.
Generalmente este dato lo suministra el fabricante, y dependerá del tipo de cápsula del
dispositivo. Puede venir dado bien directamente o en forma de curva de reducción de potencia:
potencia
potencia máxima capaz de disipar (pérdidas) en función de la temperatura del contenedor.
La inversa de la pendiente de la recta dada es la resistencia unión
contenedor.
T jmax −T c
R jc =
Normalmente Tc vale 25 ºC
P
d

Ejemplo 3.1:
Dados los datos correspondientes a un transistor 2N3055, determinar la
resistencia unión contenedor del mismo.

Pdmáx =115W Tjmáx =200ºC

 Desarrollo

Sustituyendo estos valores en la siguiente ecuación, se obtiene el valor de la R jc:

T jmax −25 200 −25
R jc = = =1 . 52ºC/W
P dmax 115

y ésta es, precisamente, la Rjc indicada en los manuales para el 2N3055.

Resistencia Contenedor - Disipador (Rcd)
El valor de la misma depende del sistema de fijación del disipador y del grado de contacto entre las
superficies. Para mejorar este contacto, y/o aislar electricamente las dos superficies, se suelen
interponer materiales, que pueden ser de dos tipos:
 Pastas (conductoras / no conductoras de la electricidad).
 Láminas aislantes eléctricas que se pueden emplear conjuntamente con pastas de silicona
conductoras de calor como mica, kelafilm, etc. También las hay conductoras de calor que no precisan
pasta de silicona.

Tipos de contacto contenedor - disipador:

•Directo.( A )
•Directo + pasta de silicona. ( B )
•Directo + mica aislante. ( C )
•Directo + mica aislante + pasta silicona. ( D )

R B  R A  R D R C
Resistencia del Disipador (Rd)
Representa la oposición al paso por convección,
convección del flujo calorífico al aire, a través del elemento
disipador. Este dato será, en la práctica, la incógnita principal de nuestro problema. Depende de
factores como: condiciones de la superficie, posición de montaje y en el caso de disipadores planos
factores como el grosor del material y el tipo de encapsulado.

T j −T a
R d= − R jc  R cd 
Pd

Calculada Rd elegimos la aleta refrigeradora, teniendo en cuenta: tipo de encapsulado del dispositivo,
y longitud o superficie nece-saria de disipador.

T d −T a
R d=
Pd
Resistencia Unión - Ambiente (Rja)

Resistencia existente entre la unión del semiconductor y el ambiente. Distinguimos dos casos:
resistencia unión ambiente con / sin disipador. Sin disipador: nos referimos a la resistencia unión
contenedor junto con la contenedor ambiente:

R ja = R jc + R ca
Con disipador: nos referimos a la suma de las resistencias unión contenedor (Rjc), contenedor
disipador (Rcd) y disipador ambiente (Rd):

R ja = R jc + R cd + R d

Temperaturas
A.- Temperatura de la unión (Tj)

Representa el límite superior al que no debe llegar la unión para evitar la destrucción del dispositivo.
Este dato está disponible en los manuales de los fabricantes. En su defecto podremos adoptar uno de
los valores típicos mostrados en la tabla:
 DISPOSITIVO RANGO DE Tjmáx
De unión de Germanio Entre 100 y 125ºC
de unión de Silicio Entre 150 y 200ºC
JFET Entre 150 y 175ºC
MOSFET Entre 175 y 200ºC
Tiristores Entre 100 y 125ºC
Transistores Uniunión Entre 100 y 125ºC
Diodos de Silicio Entre 150 y 200ºC
Diodos Zener Entre 150 y 175ºC

Nuestro objetivo será mantener Tj por debajo de la máxima. Para ello se utiliza un coeficiente de
seguridad (K),(K) cuyo valor dará una temperatura de la unión entre el 50% y el 70% de la máxima (K =
0.5 ... 0.7). La temperatura de la unión que se utilizará en los cálculos será:

B.- Temperatura del contenedor (TC)

Sólo podemos calcularla cuando conozcamos todos los parámetros reflejados en las expre-siones:

T j=T jmáx⋅K
 T c = Pd⋅ R cd  R d  + T a

T c =T j − P d⋅R jc 
C.- Temperatura del disipador (Td)
Se obtiene a partir de Pd, de Rd y de Ta.

T d = P d⋅Rd T a

T d = T c − P d⋅Rcd 

D.- Temperatura ambiente (Ta)

Temperatura existente en el entorno donde está ubicado el disipador.
Potencia máxima disipable. (Pdmáx )
Dato del fabricante para las mejores condicio-nes de funcionamiento del dispositivo: temperatura del
contenedor = 25ºC y disipador adecuado.
 Ejemplo 3.3:
Un transistor (2N3055) nos dice el fabricante que puede disipar un máximo de 116 vatios.
Comprobar que disipando 90 vatios no corremos riesgo de quemar el dispositivo, (no se
necesita disipador). Sabemos que la temperatura de la unión es de 200ºC y Rja de 35ºC/W.

5 vatios es la máxima potencia disipable sin disipador.

disipador Si consideramos una aleta con una
buena resistencia térmica (0.6ºC/W) y unas resistencias térmicas Rcd, Rjc de 0.12ºC/W y de
1.5ºC/W respectivamente:
 Desarrollo
T jmax −T a  200 −25  ºC
P dmax  SD = = =5W
R ja 35ºC/W

T jmax −T a 200 −25

P dmax = = =78 . 8W
R jc  R cd  R d 1 . 5 0 . 120 . 6
Es importante saber interpretar adecuadamente los datos suministrados por el fabricante, de lo contrario
pueden aparecer sorpresas desagradables. La máxima potencia que puede disipar un
semiconductor sin disipador viene dada por:

T jmax −T a
P dmax =
R ja
donde Rja es la que nos suministra el fabricante (no incluye Rd). Cuando se utiliza un disipador:

Rja sd >> Rja cd = Rjc + Rcd + Rd

T jmax −T a
P dmax =
R jc  R cd  R d