FET Y MOSFET

Angie Daniela Grisales Jaramillo

Daniel Cardona Osorio
Alejandro Múnera Velásquez
Tania Grajales Soto

Docente
Víctor Hugo Jaramillo Zuluaga
Grupo: EA054-2

Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM)

Facultad De Ciencias Exactas Y Aplicadas
Programa de Ingeniería Biomédica
Medellín
2017

1
 OBJETIVOS

 Investigar qué es un Transistor de unión de efecto de campo (FET) y un Transistor

de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET).
 Conocer los símbolos de los transistores FET y MOSFET.
 Describir el principio de funcionamiento de estos transistores.
 Identificar las curvas características de los FET y los MOSFET.
 Describir para que son utilizados este tipo de transistores.

2
 INTRODUCCIÓN

En este trabajo investigativo, estudiaremos un dispositivo de tres terminales, el cual se le

conoce como una especie de transistor. A los transistores de efecto de campo se les conoce
abreviadamente como FET y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos: Transistor de
Efecto de Campo de Unión: JFET y Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido -
Semiconductor: MOSFET.

Describiremos su funcionamiento, identificaremos el tipo de simbología de estos

transistores, analizaremos sus curvas características y por último conoceremos sus
aplicaciones en la vida cotidiana.

3
 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN (FET)

Se denominan así porque en su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico

que controla el paso de la corriente a través del dispositivo. Estos transistores también se
denominan unipolares para distinguirse de los transistores bipolares de unión y para destacar
el hecho de que el nivel de conducción dependerá únicamente de un único tipo de portadores:
de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p.

El Transistor de Efecto de Campo, es un dispositivo semiconductor cuyo funcionamiento se

basa en el control de la corriente por medio de un campo eléctrico. El FET tiene tres
terminales: Fuente (Source), Drenador (Drain) y Compuerta (Gate). Este último es el terminal
de control. El voltaje aplicado entre la compuerta y la fuente, controlará la corriente entre la
fuente y el drenador.

Una de las características más importantes de los FETS es su alta impedancia de entrada con
niveles que pueden variar desde uno hasta varios cientos de megaóhmios, muy superiores a
la que presentan los transistores bipolares que presentan impedancias de entrada del orden de
unos pocos kiloóhmios. Esto proporciona a los FET una posición de ventaja a la hora de ser
utilizados en circuitos amplificadores. Una característica importante de los FET es que se
pueden comportar como si se tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la
realización de circuitos utilizando única y exclusivamente transistores FET.

En general, en los FETS se genera una juntura PN que se mantiene en polarización inversa
para el funcionamiento del dispositivo, en consecuencia, se producen dos efectos:
• Formación de una zona de carga espacial que se extiende más en la parte menos dopada
(el canal) y que es función de la tensión inversa aplicada.
• Elevada impedancia de puerta (la de un diodo polarizado inversamente) que se traduce en
la elevada impedancia de entrada que presenta el dispositivo. El JFET nunca opera con la
puerta polarizada directamente, o sea que no hay circulación de corriente por ese terminal,
salvo la corriente de fuga.
Ventajas:

 Alta impedancia de entrada

 Ideal como etapa de entrada para todo amplificador.
 Niveles de ruido más bajo.
 Tecnología de fabricación más sencilla

4
Desventajas:
 Respuesta en frecuencia no muy aceptable, debido a su alta capacidad de entrada.
 No poseen buena linealidad.
 Muy sensibles a descargas electrostáticas.

ESTRUCTURA BÁSICA DEL FET:

SÍMBOLO:

La diferencia principal entre ambos tipos reside en el sentido de la flecha del terminal de
puerta (G). En el FET de canal n el terminal de puerta se representa con una flecha entrante
al dispositivo, mientras que en el de canal p es saliente. Hay que destacar, que el sentido de
la flecha indica el sentido de circulación de la corriente si la unión pn correspondiente
estuviera polarizada en directa.

5
 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Se supone que el electrodo de puerta está polarizado al potencial de tierra, VGS=0 y

lentamente se va aumentando desde cero la tensión aplicada al drenador manteniendo en la
fuente una tensión fija de cero voltios Vs=0. Para pequeños valores de VDS, la corriente que
circula entre la fuente y el drenador ID debe ser pequeña. Esta corriente es debida al
movimiento de electrones desde la fuente al drenador a través del canal. Ahí se considera que
el canal está completamente abierto comportándose del mismo modo que una resistencia.
La variación de ID en función de VD en el rango de tensiones bajas será lineal. A medida que
aumenta VDS manteniendo Vs=0, la anchura de la región de carga especial a ambos lados de
la unión P+ -N de la puerta es cada vez mayor (este efecto da una reducción en la anchura del
canal) esta anchura puede ser tan elevada que el extremo del drenador se puede cerrar, se
origina entonces un aumento en la resistencia del canal por lo que la pendiente de la curva ID
vs VD comienza a decrecer.

Se llega a un estrangulamiento del canal (pinch-off) cuando el voltaje alcanza un valor crítico
dado por VDs=VDSsat, un valor normalmente de pocos voltios aunque depende de las
dimensiones del dispositivo. La curva característica se hace entonces horizontal (resistencia
dinámica infinita); a partir de este momento al aumentar VD ya no aumenta más la corriente
que circula a través del canal, este rango de tensiones elevadas se conoce como región de
saturación.

CURVA CARATERÍSTICA:

6
ZONAS DE TRABAJO:
 Zona de corte o de no conducción: Se corresponde con el eje horizontal de la
gráfica. En esta zona la corriente ID = 0 con independencia del valor VDS. Esto se
da para valores de VGS  VGSoff, donde el canal está completamente cerrado.
 Zona óhmica o de no saturación: Se da para valores de VDS inferiores al de
saturación, es decir, cuando VDS  VGS - VGSoff . Para estos valores de tensión el
canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al
estrangulamiento completo para VDSsat. En esta zona el transistor se comporta
aproximadamente como una resistencia variable controlada por la tensión de puerta,
sobre todo para valores pequeños de VDS, ya que a medida que nos aproximamos al
valor de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad debido al
estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.
 Zona de saturación o de corriente constante: Esta zona se da para valores VDS >
VDSsat . Ahora la corriente ID permanece invariante frente a los cambios de VDS
(suponiendo la hipótesis de canal largo) y sólo depende de la tensión VGS aplicada.
En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensión de puerta VGS.
 Zona de ruptura: En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n polarizadas en
inversa, tanto más cuanto menor sea el valor de VGS. Tal y como vimos al abordar
el estudio de la unión p-n en el tema 2 cuando una unión p-n la polarizamos en inversa,
la zona de carga de espacio aumenta. Sin embargo, esta tensión inversa no se puede
aumentar indefinidamente, ya que si se supera un determinado valor (tensión de
ruptura, característico de cada unión y que suele ser proporcionado por el fabricante

7
 en sus hojas de características) la unión se perfora, produciéndose la ruptura del
dispositivo.

TRANSISTORES METAL-OXIDO SEMICONDUCTOR DE EFECTO DE CAMPO

(MOSFET)

Consiste en una estructura en la cual el electrodo metálico superior G, depositado sobre la

capa aislante actúa como terminal de puerta del transistor. Existen además dos regiones
pequeñas de la superficie dopadas fuertemente con impurezas donadoras, es decir, de tipo n+,
situadas a cada lado de la puerta; sobre cada una de estas regiones se deposita un electrodo
metálico formando el contacto de fuente S y drenador D. Al igual que en una estructura MOS
simple sobre la superficie inferior del dispositivo una capa metálica que se mantiene
conectada a tierra.

ESTRUCTURA BÁSICA DEL MOSFET :

SIMBOLO:

En el canal N la corriente va
en el sentido convencional,
en el canal P la corriente va
en sentido opuesto (flecha
invertida).

8
 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Considerando el primer caso en que el voltaje inicial aplicado a la puerta es cero V G=0. Las
dos regiones de tipo N+ de fuente y drenador forman con el resto del semiconductor del tipo
P uniones P-N+ conectadas en oposición, por lo que no existe paso de corriente entre los
electrodos de fuente y drenador, cualquiera que sea el signo de la tensión aplicada entre ellos.
Ahora considerando que se le aplica un voltaje positivo alto a la puerta para tener la condición
de inversión fuerte en la interfase del semiconductor con el óxido VG>VT, siendo VT el voltaje
umbral de la estructura. Los portadores o electrones en este caso dan lugar a un canal de tipo
N en la superficie del semiconductor entre la fuente y el drenador con una conductancia
mayor cuanto mayor sea el voltaje aplicado a la puerta.
Al aumentar VD, manteniendo VD<VG, tanto la región de carga espacial que rodea al drenador
como aquella que existe a lo largo del canal, se ensancha, ya que el contacto inferior del
dispositivo es con tierra. Debido a la progresiva caída de tensión desde la fuente a drenador,
el ensanchamiento es tanto mayor cuanto más próximo se halle del drenador.
Esta caída de tensión a lo largo del canal semiconductor hace que la diferencia de potencial
entre la puerta y el semiconductor sea más pequeña a medida que avanza hacia el drenador;
todo esto da lugar a la disminución de los electrones que están en la capa de inversión
próxima al drenador lo que equivale a una reducción de la anchura del canal.
Cuando se alcanza un voltaje tal que la anchura del canal se reduce a cero en el drenador se
dice que es un estrangulamiento del canal, esto ocurrirá en un voltaje denominado voltaje de
saturación el cual ha de cumplir la relación VDsat=VG-VT.
Para voltajes más elevados, la región del canal estrangulado aumentará la longitud en la
dirección de la fuente y la corriente se mantendrá constante, ya que el voltaje en el nuevo
punto P de estrangulamiento se mantiene igual. El mecanismo de limitación de la corriente
entre el punto P y la región de agotamiento del drenador es similar a la de un transistor FET
por lo cual las curvas características son similares.

9
ZONAS DE TRABAJO: Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se
contrae en el lado del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese
punto, más baja y la zona de transición más ancha. Es decir, siempre que exista canal
estaremos en región óhmica y el dispositivo presentará baja resistencia.

 Región de corte: El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas
condiciones el transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto,
entre los terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del
transistor, en esta región, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción
entre Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un
interruptor abierto.
 Región óhmica: Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica,
VDS(on) = ID(on) x RDS(on). En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a
una corriente de Drenaje (ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor. Así mismo, el
transistor estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS – Vt ).

El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y

Surtidor. El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la tensión
entre la Puerta y el Surtidor (VGS).
 Región de Saturación: El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento
cuando la tensión entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo
denominado tensión de saturación (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene
determinado en las hojas características proporcionadas por el fabricante. En esta
zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de Drenador (ID),
independientemente del valor de tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor
(VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de
valor ID. Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > (
VGS – Vt ). O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se interrumpe
o estrangula, lo que sucede cuando:

VDS ≥ VGS - VT → Región de saturación.

Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de
conducción, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del Drenador
y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al
campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de
potencial entre ambos terminales.

 Región de Ruptura: Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET

pierde sus propiedades semiconductoras y se puede llegar a romper el componente
físico. La palabra ruptura hace referencia a que se rompe la unión semiconductora
de la parte del terminal del drenador.

10
Los transistores unipolares están limitados en tres magnitudes eléctricas:
-En tensión: no se puede superar el valor máximo de tensión entre la puerta y el
surtidor. Este valor se
denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor máximo de tensión entre el
drenador y el surtidor denominado BVds.
-En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el drenador, conocido
como Idmax.
-En potencia: este límite viene marcado por Pdmax, y es la máxima potencia que
puede disipar el componen

11
BIBLIOGRAFÍA:

Albella, J. Electrónica, transistores efecto de campo (FET Y MOSFET). Recuperado

de:[Link]
0de%20Efecto%[Link]
Almúdever García, C., y Rubio Sola, J., (2014). Análisis de variabilidad y fiabilidad
de la tecnología de nanotubos de carbono en presencia de imperfecciones de
fabricación. Universidad Politécnica de Cataluña, España.
[Link]

12