Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica
LABORATORIO Nª 6
RESONANCIA EN CIRCUITOS R-L-C EN SERIE
ALUMNOS:
Palacios Angeles Giancarlo 14190180
Apaza Vargas Jeancarlos 12190174
Chávez Cossio Andrea 14190032
PROFESOR: Renato Paredes
CURSO: Laboratorio de Circuitos Eléctricos II
HORARIO: Jueves (6:00 pm – 10:00 pm)
LIMA – PERU
Resonancia en un circuito RLC serie
Resonancia en un circuito RLC serie
Cuando se conecta un circuito RLC en serie, alimentado por una señal alterna (fuente de
tensión de corriente alterna), hay un efecto de ésta en cada uno de los componentes.
En el condensador aparecerá una reactancia capacitiva, y en la bobina una reactancia
inductiva, dadas por las siguientes fórmulas: XL = 2 x π x f x L y XC = 1 / (2 x π
x f x C), donde:
π = 3.14159
f = frecuencia en Hertz
L = Valor de la bobina en henrios
C = Valor del condensador en faradios
Como se puede ver los valores de estas reactancias depende de la frecuencia de la
fuente. A mayor frecuencia, XL es mayor, pero XC es menor y viceversa. Hay una
frecuencia para la cual el valor de la XC y XL son iguales. Esta frecuencia se
llama frecuencia de resonancia y se obtiene de la siguiente fórmula: FR = 1 / (2 x π x
(L x C)1/2)
En resonancia como los valores de XC y XL son iguales, se cancelan y en un circuito
RLC en serie la impedancia que ve la fuente es el valor de la resistencia. A frecuencias
menores a la de resonancia, el valor de la reactancia capacitiva es grande y la
impedancia es capacitiva. A frecuencias superiores a la de resonancia, el valor de la
reactancia inductiva crece y la impedancia es inductiva.
Nota: es importante visualizar que los efectos de la reactancia capacitiva y la inductiva
son opuestos, es por eso que se cancelan y causan la oscilación (resonancia).
El Ancho de banda (BW) y el Factor de calidad (Q)
Los circuitos resonantes son utilizados para seleccionar bandas de frecuencias y para
rechazar otras. Cuando se está en la frecuencia de resonancia la corriente por el
circuito es máxima.
En la figura: A una corriente menor (70.7% de la máxima), la frecuencia F1 se llama
frecuencia baja de corte o frecuencia baja de potencia media. La frecuencia alta de
corte o alta de potencia media es F2.
El ancho de banda de este circuito está entre estas dos frecuencias y se obtiene con la
siguiente fórmula:
Ancho Banda = BW = F2 – F1
El factor de calidad (Q) o factor Q es: Q = XL/R o XC/R
También la relacionándolo con el Ancho Banda: Resonancia en un circuito RLC
serie. Q = frecuencia resonancia / Ancho banda = FR/BW
Ejemplos:
Si F1 = 50 Khz y F2 = 80 Khz, FR = 65 Khz, el factor de calidad es: Q = FR
/ BW = 65 / (80-50) = 2.17
Si F1 = 60 Khz y F2 = 70 Khz, FR = 65 Khz, el factor de calidad es: Q = FR
/ BW = 65 / (70-60) = 6.5
Se puede observar que el factor de calidad es mejor a menor ancho de banda. (el
circuito es más selectivo)
OBJETIVOS:
Estudiar en forma experimental las características de resonancia en circuitos R-L-C
en serie.
EQUIPOS Y MATERIALES:
Generador de señales
Multímetro
Osciloscopio
Resistores de 3KΩ y 330Ω.
Bobina de 2.8H
Protoboard
Condensadores de 0.01uF y 470pF
Cables de conexión diversos.
PROCEDIMIENTO:
1. Realice la simulación del circuito de la figura 6.1 y complete lo campos
correspondientes de las tablas.
f(Hz) V(V) VR1(V) VL1(V) VC1(V) I=VR1/R1
100 3.54V 67.6mV 39.8mV 3.58V 22.5uA
1000 3.54V 3.038V 17.87 16.06V 1.013mA
f(Hz) XC1=VC1/I XL1=VL1/I Z=V1/I Z=(R12(XL1-XC1)2)1/2
100 159.11K 1.8KΩ 158.33KΩ 471.93 x 106
1000 15.87K 17.6KΩ 3.51K 3.45 x 103
2. Mida la resistencia interna de L1
RL1 = 2.1 Ω
3. Coloque ahora el condensador de 470 pF en el circuito y determinar la frecuencia de
resonancia:
W0 = √1/𝐿1 𝐶1 = 27565
4. Ajuste el generador a una frecuencia 100 veces menor que W0 y llene los valores
experimentales de la tabla. Variar paulatinamente la frecuencia para 2, 5, 10, 20 y 50
veces W0/100.
f V(V) VR1(V) VL1(V) VC1(V) I=VR1/R1
2W0/100 3.54 17.6mV 56.8mV 3.6V 5.8uA
5W0/100 3.54 48.08mV 340mV 3.9V 16.03uA
10W0/100 3.54 143.7mV 2.33V 5.9V 48.94uA
20W0/100 3.54 293mV 9.5V 6V 97.6uA
50W0/100 3.54 48.5mV 3.9V 395.5mV 16.2uA
5. Colocar ahora la resistencia de 330Ω y llenar la tabla. Esto se hace para observar los
diferentes Q de los circuitos.
f V(V) VR1(V) VL1(V) VC1(V) I=VR1/R1
2W0/100 3.54 2mV 57.2mV 3.5V 5.9uA
5W0/100 3.54 5.3mV 390mV 3.9V 16.1uA
10W0/100 3.54 25.9mV 2.33V 5.8V 48uA
20W0/100 3.54 32.3mV 9.5V 6V 98uA
50W0/100 3.54 5.2mV 3.9V 395.5mV 16.2uA
CUESTIONARIO FINAL:
1. ¿Por qué en un circuito resonante la tensión en el condensador o en la bobina
puede ser mayor que la tensión en los bornes de todo el circuito?
La propiedad de producir una tensión mayor que la tensión aplicada es una de las más
notables características de un circuito resonante serie. Esto es posible a causa de la
facultad de la bobina y del condensador de almacenar energías la inductancia
almacena energía en su campo magnético y el condensador en su dieléctrico en forma de
campo electrostático.
Este almacenamiento ocurre a resonancia cada vez que el valor de R es menor que el de
XC o XL. Cuanto más pequeño es el valor de la resistencia comparado con el de la
reactancia, mayor será la tensión desarrollada a través de la reactancia. Si toda la
resistencia en serie pudiera ser eliminada enteramente, la corriente en el circuito
aumentaría teóricamente hasta un valor infinito. El voltaje a través de la bobina y el
condensador podría también ser infinitamente altos.
2. Presentar las mediciones experimentales y los cálculos efectuados en forma
tabulada y con sus correspondientes diagramas de circuitos utilizados.
A)
f(Hz) V(V) VR1(V) VL1(V) VC1(V) I=VR1/R1
100 3.54V 67.6mV 39.8mV 3.58V 22.5uA
1000 3.54V 3.038V 17.87 16.06V 1.013mA
f(Hz) XC1=VC1/I XL1=VL1/I Z=V1/I Z=(R12(XL1-XC1)2)1/2
100 159.11K 1.8KΩ 158.33KΩ 471.93 x 106
1000 15.87K 17.6KΩ 3.51K 3.45 x 103
B)
f V(V) VR1(V) VL1(V) VC1(V) I=VR1/R1
2W0/100 3.54 17.6mV 56.8mV 3.6V 5.8uA
5W0/100 3.54 48.08mV 340mV 3.9V 16.03uA
10W0/100 3.54 143.7mV 2.33V 5.9V 48.94uA
20W0/100 3.54 293mV 9.5V 6V 97.6uA
50W0/100 3.54 48.5mV 3.9V 395.5mV 16.2uA
C)
f V(V) VR1(V) VL1(V) VC1(V) I=VR1/R1
2W0/100 3.54 2mV 57.2mV 3.5V 5.9uA
5W0/100 3.54 5.3mV 390mV 3.9V 16.1uA
10W0/100 3.54 25.9mV 2.33V 5.8V 48uA
20W0/100 3.54 32.3mV 9.5V 6V 98uA
50W0/100 3.54 5.2mV 3.9V 395.5mV 16.2uA
3.- Construya el diagrama fasorial de tensiones correspondientes a los casos de la
tabla 1. Explique las diferencias.
F(Hz) VR(Vp) VL(Vp) VC(Vp) I=VR/R
100 67.6mV 39.8 mV 3.58 V 22.5 μA
1000 3.038 V 17.872 mV 19.064 V 1.013 mA
F(Hz) Xc=Vc/I XL=VL/I
𝑍 = ට𝑅 2 + (𝑋𝐿 − 𝑋𝑐)2
100 159.11KΩ 1.8KΩ 156.84KΩ
1000 15.87KΩ 17.6Ω 3.45KΩ
o Para f=100Hz
𝑍 = 𝑅 + 𝑗(𝑋𝐿 − 𝑋𝐶 )
𝑍 = 3𝐾 + 𝑗(1.8𝐾 − 159.11𝐾)
𝑍 = 157.34 < −88.91 𝐾
𝐸 = 𝑍. 𝐼
𝐸 = (157.34 < −88.91 𝐾). (22.5 𝜇𝐴)
𝐸 = 3.54 < −88.91° 𝑉
VER DIAGRAMA FASORIAL EN ANEXO 3.1
o Para f=1KHz
𝑍 = 𝑅 + 𝑗(𝑋𝐿 − 𝑋𝐶 )
𝑍 = 3𝐾 + 𝑗(17.6𝐾 − 15.875𝐾)
𝑍 = 3.46 < 29.89 𝐾
𝐸 = 𝑍. 𝐼
𝐸 = (3.46 < 29.89 𝐾). (1.013 𝑚𝐴)
𝐸 = 3.51 < 29.89° 𝑉
VER DIAGRAMA FASORIAL EN ANEXO 3.2
4.- Compare las impedancias calculadas y construya el diagrama fasorial, explique
diferencias y errores.
F(Hz) Xc=Vc/I XL=VL/I Z=E/I
𝑍 = ට𝑅 2 + (𝑋𝐿 − 𝑋𝑐)2
100 159.11KΩ 1.8KΩ 158.33KΩ 156.84KΩ
1000 15.87KΩ 17.6Ω 3.51KΩ 3.45KΩ
o Para f=100Hz
𝑍 = 157.34 < −88.91° 𝐾
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟𝑍 = 158.33𝐾 − 157.34 𝐾 = 990Ω
o Para f=1KHz
𝑍 = 3.46 < 29.89 𝐾
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟𝑍 = 3.51 𝐾 − 3.46 𝐾 = 50 Ω
VER DIAGRAMA DE IMPEDANCIAS EN ANEXO 4.2
Las diferencias entre valor calculado y medido indirectamente se debe al efecto de
carga en el circuito producido por algunos dispositivos usados.
5.- Para los datos de la tabla 6.3, graficar en papel milimetrado las tensiones VR, VL,
VC e I en un mismo par de ejes coordenados para comparar las tendencias, y puntos
importantes de las mismas.
f(Hz) E(Vp) VR(Vp) VL(Vp) VC(Vp) I
100 10.1 67.6mV 39.8 mV 3.58 22.5 uA
1000 10 3.038 17.872 16.064 1.013 mA
