Circuitos

Amplificadores
Sintonizados de FI
para modulación
AM y FM
INFORME PREVIO

BERROCAL QUISPE, EDER 20100233A

MARCELINO ALARCÓN, JULIO GARY 20102041B
PERALES CÁCERES, PAUL RENZO 20100330G
SALAZAR REQUE, ITAMAR FRANCO 20100070E
 1

Circuitos Amplificadores Sintonizados de FI

para Modulación AM Y FM
1. Explique las diferencias de operación y construcción entre circuitos que
operan a frecuencias bajas y los que operan a frecuencias de radiofrecuencia.

A medida que se amplía el estudio de los circuitos electrónicos a frecuencias más

altas, debe tenerse más cuidado de incluir efectos reactivos, no sólo los que se incluyen
de forma deliberada como elementos del circuito, sino también las reactancias
“parasitas” en los componentes e incluso dentro de y entre los alambres y pistas de
circuitos impresos. A frecuencias mucho más altas, en UHF, se encuentra que los
dispositivos y métodos de construcción comúnmente usados resultan poco eficaces y se
vuelven importantes los métodos innovadores de diseño de circuitos. A las frecuencias
de microondas, muchos circuitos aparentemente mantienen muy poca semejanza física
con los que se emplean en bajas frecuencias.

Un capacitor, por ejemplo, tendrá inductancia y resistencia además de capacitancia.

A medida que se aumenta la frecuencia, también lo hace la reactancia inductiva,
mientras tanto, disminuye la reactancia capacitiva. En el punto donde las dos reactancias
son iguales se le llama frecuencia autorresonante o de autorresonancia.

En los transistores tenemos que en las junturas se tienen capacitancias que dependen
de las características del transistor. Al igual que el capacitor, las reactancias capacitivas
disminuirán a medida que aumente la frecuencia causando que se degrade el
funcionamiento del transistor. La capacitancia de base a colector, por ejemplo, causará
realimentación de la salida a la entrada en un circuito amplificador ordinario de emisor
común. La realimentación puede disminuir la ganancia del amplificador o hacer que se
vuelva inestable.

Los efectos de tránsito (tiempo que toma un portador de carga para cruzar un
dispositivo) son importantes en el rango de frecuencias de los gigahertz. Como los
electrones libres se mueven con más rapidez que los huecos se da preferencia a los
transistores NPN para la operación a alta frecuencia.

En una pista de circuito impreso tenemos que, en el intervalo de UHF, es necesario

analizarla como si fuera una línea de transmisión. Es decir incluyendo las constantes
distribuidas que se ignoran a bajas frecuencias.

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 1

 2

2. ¿Por qué no es posible suponer que una fuente de alimentación es un

cortocircuito a altas frecuencias?

Se esperaría que la fuente de alimentación pareciera un cortocircuito a frecuencias

altas. Desafortunadamente, con esta suposición se ignora la inductancia en los cables
conductores que van del circuito a la fuente de alimentación y en los mismos
capacitores electrolíticos.
Las fuentes de alimentación contienen capacitores electrolíticos grandes que deben
tener muy poca reactancia a radiofrecuencias, lo que podría suponer un comportamiento
como un cortocircuito, pero debemos tener en cuenta la inductancia en los cables
conductores que van del circuito a la fuente de alimentación y en los mismos
capacitores electrolíticos. Para evitar que la energía de RF viaje por esta ruta es
necesario un desvío o desacoplamiento colocando pequeños capacitores a tierra justo en
la conexión de potencia o alimentación para cada etapa. En este caso es mejor usar
capacitores pequeños ya que tienen menos inductancias que los electrolíticos. También
se puede añadir una inductancia o resistencia en el cable conductor desde la fuente de
alimentación.

3. Investigue sobre los amplificadores de radiofrecuencia de banda estrecha y

angosta

Son circuitos formados por elementos reactivos, inductancias, condensadores, líneas de

energía, etc. y se utilizan en los receptores y trasmisores. Una aplicación típica es en las
etapas de radiofrecuencia de amplificación donde se quiere que el circuito amplifique
solamente una banda de frecuencias.

A las inductancias y condensadores están asociadas, resistencias que se deben a la

resistencia óhmicas en las bobinas y pérdidas dieléctricas en los condensadores que se
hacen más evidentes a altas frecuencias. Podemos modelarlos suponiendo que son
elementos ideales, reactivos puros, con una resistencia que podemos asociar en paralelo,
en serie o en ambos. Por ejemplo:

Rs Lp
a) Ls c)

Rs Rp
Cs Cp
b) d)

Rp
Es interesante relacionar las pérdidas óhmicas y la energía que almacena como elemento
reactivo, lo que nos permite medir la bondad del componente. El factor de mérito o Q se
define como:

Energía almacenada
Q  2
Energía disipada por ciclo

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 2

 3

En el caso:

LS 1 RP
a) b) c) d) R P CP 
RS CS R S LP

Por ejemplo en el caso a) y de forma similar en los otros casos.

Q  2
 1 LI 
2 
L m
2

12 RI 2  R
m
2

Si trabajamos a una frecuencia fija podemos hallar una relación entre los valores de los
ejemplos vistos. Llamamos X a la reactancia de una inductancia o condensador,
R X  jX P R P
2 2
R P jX P
R S  jX S   P P2
R P  jX P R P  XP
2

Podemos definir también entonces:

X S  LS XP  LP
ó XS ó RP
QS  QP 
1 RS 1 XP
XS   XP  
CS CP

Separando parte real e imaginaria tenemos:

2
XP XPQP
RP XS  
RS  1 1  QP
2
1  QP
2
1 2
QP

QS  Q P
2
XS X P Q P
QS    QP
RS RP
De las ecuaciones obtenemos:


R P  R S 1  QS
2
  1 
X P  X S 1  2 
 QS 

Vemos que si la componente es de buena calidad, o sea que Q es mayor que 10 (en el
caso de condensadores suele ser mucho mayor), entonces

X P  XS y R P  R S QS ,
2

Vemos que la componente reactiva no cambia casi su valor al cambiar la configuración

(de serie a paralelo o viceversa) y el valor de la resistencia de pérdidas paralelo es
mucho mayor que la resistencia serie, Q2 veces.

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 3

 4

EL CIRCUITO RESONANTE

1) Circuito L, C y R resonante Paralelo:

Suponemos que L y C son ideales (sus pérdidas podemos transferirlas a R)

1
Z Z
1 1
 Cj 
R Lj
R L
C
1
Si introduzco LC0  1
2
C0  y entonces Z = R, se dice que el circuito está
L0

0
En resonancia en la frecuencia f  f 0  2
Z

1 C0 R  Q
R 1  C Rj   R j   
 R 
0 L0 0  L  Q 
0
 0 
Donde Q es el factor de mérito del circuito relativo a R a la frecuencia 0.

Z 1 1
 
R   0  1  j Q
1  j  Q
 0  
 0
 
0 

Si los apartamientos de la frecuencia de resonancia son pequeños, o sea

entonces
  

  0 0     2 
  0
0 0
 0 
β recibe el nombre de “Ancho de Banda Relativo”

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 4

 5

Si alimentamos con una fuente de corriente y variamos la frecuencia, el voltaje en

función de (o sea de la frecuencia relativa) responde a la siguiente figura. V

Z
R 1
I

V
Q
creciente

0 
Fig. 1
2
V
Si analizamos el valor de potencia que consume el circuito P V  ZI
R
RI 2 RI 2
P 
1  jQ
2
1  2Q2
La potencia cae a la mitad respecto a la frecuencia = 0 ( = 0) para cuando Q=
1
Si suponemos apartamientos pequeños.

P
P0
 1 B
2  
P 0 Q 0
1

2  B
0

0 

B es el “ancho de banda de potencia mitad”.

En decibeles, si I es constante al variar la frecuencia, cuando Q=1,

P0
10 log10  10 log10 2  3dB
P1

Es decir que cuando B  0 la potencia cae en 3dB y la tensión en 2 en los
extremos de la banda. Q

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 5

 6

Es interesante ver la variación de fase entre la corriente y tensión: en resonancia es 0,

45 grados en los puntos de potencia mitad y +/- 90 para extremos alejados de la
resonancia. A baja frecuencia predomina la baja impedancia de la inductancia y a alta
frecuencia la del condensador.

4. Explique como determinar de forma experimental:

- Frecuencia de resonancia (mínima y máxima)
- Lin y Cin de la bobina
- Rp (Resistencia de pérdidas de la bobina).

Sabemos que la frecuencia de resonancia esta dada por la siguiente expresión

1
fo 
2π LinCin
Si colocamos un Cext, la nueva frecuencia será:
1
f 
2π Lin(Cin  Cext)
Vref Vref
WoLin  Lin 
IL WoIL

1 IL
y como: Wo2   Cin 
Lin * Cin Wo*Vref
Segundo caso, colocamos un condensador CC (Conocido) en paralelo a Cin +
Cob y hallamos una nueva frecuencia de resonancia W’o
1
Wo 
Lin(Cin  Cob)
1
Wo ' 
Lin(Cin  Cob  Cc)
fo Qt
Qt   Cin 
Bw Wo(Rp/n 2 )
Wo 2 (Cin  Cob  Cc) Cc
( )   Cin   Cob
Wo ' (Cin  Cob) fo 2
( ) 1
fo'
Resistencia de pérdidas:

Vref
Vo1 
2
Rp
Rpot  2
n

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 6

 7

5. Indicar qué consideraciones se deben tener en cuenta para seleccionar los

transistores. Asimismo de los manuales obtener los datos de los transistores
BF194 y 2N2222.
- Deben operar en un rango de frecuencias altas (300 hasta 700 MHz )
- Bajo consumo de potencia (en este caso, aproximadamente 0.2 Watts).
- Ganancia de corriente alta (hfe= 75).
- Se debe tener en cuenta el punto de operación que proporciona el fabricante
en sus manuales, lo más importante será que el transistor tenga todas sus
propiedades de amplificación a frecuencia intermedia que son los de interés
en este caso.
- La potencia que el transistor pueda disipar y no produzca la saturación que
lleva consigo a la deformación de la señal de entrada.
- Los parámetros híbridos del transistor y la frecuencia máxima de trabajo del
transistor deben ser la adecuada, para esto deberemos usar un transistor de
Radio Frecuencia.
- Dentro de estas características debemos ver como influyen las capacitancias
parásitas en el valor final de la impedancia del transistor.

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 7

 8

2N2222.
Rango de máximos absolutos

Características eléctricas

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 8

 9

BF194

Rango de máximos absolutos

Características eléctricas

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 9

 10

6. Simular en computadora el Laboratorio 1.

Durante esta presentación he mostrado todas las simulaciones hechas.

R3
TX1

Cext
1k
V2 C1 1n
12Vdc
10u

0 0

1
3 Q4
BF194

C2

2
0

R1 3 1u
2 Q2
2N2222
3

2.2k V3
2 Q3 150mVac
1

2N2222
Rpot
1

100k

R2 0
0 470

12Vdc

Analizando en señal:
C2=10uF y para una frecuencia intermedia de 455KHz
→ XC=1 / 2*π*4.55 =0.0349<<<1KOhm
Luego VO1:
Rp
Vo1   gm*Vref * Vo1  (gm.Rp/n 2 )*Vref
n2
Para VO2:
gm* Rp
Vo2  nVo1 Vo2  - *Vref
n
Expresión para VO3:
N3 N3 gm* Rp
Vo3  *Vo1 Vo3  - * *Vref
N 3  N1 N 3  N1 n2
De la expresión:
Qt  Wo* (Cob  Cin)* Rp/n2
Despejando n obtenemos:

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 10

 11

Rp
n * Wo(Cob  Cin)
Qt
1
Wo 
Lin(Cin  Cob)

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 11

 12

Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones IT264N 12