CONFIGURACIÓN DARLINGTON
1. MARCO TEÓRICO:
Transistor Darlington:
Estructura interna, configuración de patillas, ganancia de corriente.
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta
ganancia de corriente.
Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es
cascada. Ver la figura.
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del
transistor T2.
La ecuación de ganancia de un transistor típico es: IE= β x IB (Corriente de
colector es igual a beta por la corriente de base).
Entonces analizando el gráfico:
Reemplazando en la ecuación anterior el valor de IE1 (ver ecuación (1)) se
obtiene la ecuación final de ganancia del transistor Darlington.
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor
que la de un transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos
transistores. (la ganancias se multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 (β = 100) conectados como un
transistor Darlington y se utilizara la fórmula anterior, la ganancia sería, en
teoría: β2 x β1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En
la realidad la ganancia es menor.
Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeñas.
Muy importante:
La caída de tensión entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4
voltios que resulta de la suma de las caídas de tensión de base a emisor del
primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2
y E2 (0.7 voltios).
Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una
gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos
espacio que dos transistores normales en la misma configuración. La ganancia
total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales.
Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También
tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único
transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable. La tensión base-
emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y
para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par
Darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. La
intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta
total.
Si β1 y β2son suficientemente grandes, se da que:
Un inconveniente es la duplicación aproximada de la base-emisor de
tensión. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores
Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas
tensiones base-emisor:
Para la tecnología basada en silicio, en la que cada VBEi es de aproximadamente
0,65 V cuando el dispositivo está funcionando en la región activa o saturada, la
tensión base-emisor necesaria de la pareja es de 1,4 V.
Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensión de saturación.
El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unión base-colector debe
permanecer polarizada en inversa), ya que su tensión colector-emisor es ahora
igual a la suma de su propia tensión base-emisor y la tensión colector-emisor del
primer transistor, ambas positivas en condiciones de funcionamiento normal. (En
ecuaciones, , así siempre.) Por lo tanto,
la tensión de saturación de un transistor Darlington es un VBE (alrededor de 0,65
V en silicio) más alto que la tensión de saturación de un solo transistor, que es
normalmente 0,1 - 0,2 V en el silicio. Para corrientes de colector iguales, este
inconveniente se traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor
Darlington comparado con un único transistor.
Otro problema es la reducción de la velocidad de conmutación, ya que el primer
transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda,
haciendo al dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo
transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios conectada entre su
base y emisor. Esta resistencia permite una vía de descarga de baja impedancia
para la carga acumulada en la unión base-emisor, permitiendo un rápido
apagado.
Algunas aplicaciones:
En la interfase para conectar la EVM con cualquier equipo de radio, la interfase
consta de dos integrados Darlington ULN2803 que sirven para incrementar la
intensidad de las señales TTL que les llegan, y otros elementos más.
Cuando se quiere controlar un motor o un relé, necesitas emplear un dispositivo
que sea capaz de suministrar esta corriente. Este dispositivo puede ser un
circuito Darlington
Para alimentar una carga como un pequeño motor de corriente continua.
Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide impulsada y luces
intermitentes en las máquinas de pinball electromecánico. Una señal de la lógica
de unos pocos miliamperios de un microprocesador, amplificada por un
transistor de Darlington, fácilmente cambia un amperio o más a 50 V en una
escala de tiempo medido en milisegundos, según sea necesario para el
accionamiento de un solenoide o una lámpara de tungsteno
En resumen se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario
controlar cargas grandes con corrientes muy pequeñas.
Algunos códigos de circuitos integrados con configuración Darlington son:
NTE2077, NTE2078, NTE2084, NTE2079, NTE2082, NTE2083, NTE2087 y NTE2088.
El TIP120 es un ejemplo de par Darlington, tiene un encapsulado del tipo TO220
como el de la figura.
La ganancia de corriente según las especificaciones del fabricante es de 1000, y
la máxima corriente que puede circular por el colector es de 5 A.
Además de los dos transistores propios del par Darlington, este dispositivo, lleva
un diodo adicional y un par de resistencias con fines de protección.
2. MATERIALES:
- Resistencia.
- Transistor 2N2222.
- fuente DC.
- Conectores.
- Protoboard.
- Condensadores electrolíticos
- Multímetro.
3. PROCEDIMIENTO:
Implementamos el circuito en el protoboard:
Mostraremos a continuación los datos teóricos:
Hallamos V A que se nos pide que equivale a hallar el VCE1
Hallamos ahora re1 y re 2 usando β = 100 para ambos transistores
Ahora hallamos el Zi teórico
Ahora hallamos la ganancia de voltaje teórico
Ahora hallaremos la ganancia de corriente:
[Link] 2
2. 1.ib1 . 1.R 2 || R1 || R E || R L
R3
i0 R L .( R1 R 2 R E )
Ai
if 2.r 1
ib1 . 1. 2. e 2
R 3 1. 2
[Link] 2
1.R 2 || R1 || R E || R L
R3
Ai 598.7
2.r 1
R L .( R1 R 2 R E ). e 2
R3 1. 2
Ahora la impedancia Zo que viene a ser la impedancia de salida:
4. CUESTIONARIO FINAL:
DATOS V A o VCE1 Zi Ai Av
Laboratorio 6.55 V 7.25M ohm 5.0232 0.867
Teóricos 6.53 V 7.26M ohm 598.7 0.99
Estos datos son los que necesitamos comparar ya que son los más importantes, pero se
obtuvieron más datos que a continuación mostraremos:
Datos VB VC VCC VAC VO Vg If IO
9.11 V 5.42 V 15.0 V 1.15 V 3.12 V 3.60 V 4.3x105 A 2.16 x10 4 A
Luego vemos los siguientes gráficos:
En el canal 1 tenemos la señal de entrada que nos indica el voltaje de entrada en
el circuito representado por el Vg que viene a ser el grafico amarillo.
En el canal 2 tenemos la señal de salida que nos indica el voltaje de salida en el
circuito representado por el Vo que viene a ser el grafico azul.
Notamos que estamos trabajando con una frecuencia de un 1k Hz.
5. CONCLUSIONES:
Vemos que no hay una ganancia de voltaje considerable ya que el circuito se
basa en ganancia de corriente.
Notamos que los valores teóricos difieren de los experimentales debido a que
los dispositivos tienen un margen de error.
La configuración darlington es tanto para ganar voltaje como para ganar
corriente.
