Resolver los ejercicios 5, 18, 21 del capítulo 5 del libro de Boylestad, mostrar el detalle de cálculos,
descripción-desarrollo, criterios, conclusiones y comprar sus resultados mediante simulación en
Multisim.
Capítulo 5. Ejercicio 5:
Modelo 𝑟𝑒 del transistor.
En la configuración en base común de la siguiente figura, se aplica una señal de ca de 10 mV, y el
resultado es una corriente de ca de 5 mA. Si α= 0.980, determine:
𝑎). 𝑍𝑖 .
𝑏). 𝑉𝑜 𝑠𝑖 𝑅𝐿 = 1.2𝑘𝛺.
𝑉𝑜
𝑐). 𝐴𝑣 = .
𝑉𝑖
𝑑). 𝑍𝑜 𝑐𝑜𝑛 𝑟𝑜 = ∞𝛺.
𝐼𝑜
𝑒). 𝐴𝑖 = .
𝐼𝑖
𝑓). 𝐼𝑏 .
Figura1.-Circuito equivalente re en base común.
Datos.
𝑉𝑖 = 10𝑚𝐴
𝐼0 = 5𝑚𝐴
α= 0.980
Desarrollo.
a) Calculamos la impedancia de entrada.
Como observamos en el circuito equivalente de base común la corriente de salida es 5 mA entonces.
𝐼𝑐 = 𝛼𝐼𝑒
𝐼𝑐
= 𝐼𝑒
𝛼
5
= 𝐼𝑒 = 5.102𝑒 −3 𝐴
0,980
𝑉𝑖
𝑍𝑖 =
𝐼𝑖
10𝑚𝑉
𝑍𝑖 =
5.102𝑒 −3 𝐴
10𝑒 −3 𝑉
𝑍𝑖 =
5.102𝑒 −3 𝐴
𝑍𝑖 = 1.9600𝛺
b) Calculamos la tensión de salida con una 𝑅𝐿 = 1.2𝑘𝛺.
𝑉𝑜 = 𝐼𝑐 𝑅𝐿
Como 𝐼𝑐 = 𝛼𝐼𝑒
𝑉𝑜 = 𝛼𝐼𝑒 𝑅𝐿
𝑉𝑜 = (0.980)(5.102𝑒 −3 𝐴)(1.2𝑘𝛺)
𝑉𝑜 = 5.999𝑉
𝑉
c) Calculamos la ganancia de tensión 𝐴𝑣 = 𝑉𝑜 .
𝑖
𝑉𝑜
𝐴𝑣 =
.
𝑉𝑖
5.999𝑉
𝐴𝑣 = .
10𝑚𝑉
5.99𝑉
𝐴𝑣 = .
10𝑒 −3 𝑉
𝐴𝑣 = 599
𝑑). 𝑍𝑜 𝑐𝑜𝑛 𝑟𝑜 = ∞𝛺.
𝐼
𝑒). 𝐶𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑙𝑎 𝑔𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐴𝑖 = 𝑜 .
𝐼𝑖
𝐼𝑜 𝛼𝐼𝑒
𝐴𝑖 = = = 0.98
𝐼𝑖 𝐼𝑒
𝑓). 𝐶𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑠𝑒 𝐼𝑏 .
Como 𝐼𝑖 = 𝐼𝑒
Como también
𝐼𝑐 = 𝛼𝐼𝑒
𝐼𝑐 = 0.980(5.102𝑒 −3 𝐴)
𝐼𝑐 = 4.999𝑒 −3 𝐴
Reemplazamos los valores en la formula.
𝐼𝑏 = 𝐼𝑒 − 𝐼𝑐
𝐼𝑏 = 5.102𝑒 −3 𝐴 − 4.999𝑒 −3 𝐴
𝐼𝑏 = 1.0206 𝐴
Obtenemos los valores de las resistencias.
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝑒
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
5.102𝑒 −3 𝐴
𝑟𝑒 = 5.096𝛺
𝑉0
𝑟0 =
𝐼0
5.99
𝑟0 =
𝐼0
𝐼𝑜
𝐴𝑖 =
𝐼𝑖
0.980(5.102𝑒 −3 𝐴) = 𝐼𝑜
4.99𝑚𝐴 = 𝐼𝑜
5.99𝑉
𝑟0 =
4.99𝑚𝐴
𝑟0 = 1198.009𝛺
A continuación, se presenta las simulaciones en el software Multisim del ejercicio 5 para así comparar
sus resultados con los calculados obtenidos.
Figura 2.- Valores simulados de voltajes y corrientes.
Tomamos los valores respectivos de entrada y salida para observar su amplificación de tensión y
observamos que las corrientes de entrada y salida no varían mucho ya que el transistor es un dispositivo
amplificador solo de tensión.
V: -9.44 mV
V(p-p): 20.0 mV
V(rms): 7.07 mV
V(dc): 443 nV
V(freq): 60.0 Hz
I: -1.85 mA
I(p-p): 3.92 mA
I(rms): 1.39 mA
I(dc): 86.9 nA
I(freq): 60.0 Hz
V
A
PR1
Valores simulados de entrada.
V: 2.08 V
V(p-p): 4.60 V
V(rms): 1.63 V
V(dc): -103 uV
V(freq ): 60.0 Hz
I: -1.73 mA
I(p-p): 3.84 mA
I(rms): 1.36 mA
I(dc): 85.6 nA
I(freq ): 60.0 Hz
V
A
PR2
Valores simulados de salida.
Figura 3.- Señal de entrada vs señal de salida.
Como podemos observar claramente la ganancia de voltaje es de 599, gracias a esta configuración del
BJT ya que de 10 mV (señal de color azul) se amplifico a 5.99V (señal de color rojo).
Nótese que la señal azul (10mV) su escala esta aumentada para una mejor visualización.
Valores calculados
Ii=Ie Ic Io Vi Vo
5.102𝑚𝐴 4.999𝑚𝐴 5mA 10mV 5.99V
Valores simulados
Ii=Ie Ic Io Vi Vo
3.94mA 3.96mA 3.86mA 7.07mV 4.62V
Tabla 1. Valores calculados y simulados.
Como pudimos observar por medio de la configuración de base común y sus respectivos cálculos y
simulaciones los valores de tensiones y corrientes varían en algo ya que las simulaciones nos dan los
valores de tensiones en RMS y en los cálculos no se tomaron todos los valores de los decimales.
Obtener las ecuaciones para un amplificador en configuración emisor común, que permitan establecer
un punto de trabajo óptimo, esto es que permita la máxima amplitud de voltaje posible, en el colector,
para lo cual, de ser necesario se deben imponer condiciones o restricciones. Luego de haber
desarrollado la formulación matemática respectiva, comprobar a través de análisis o simulación de un
circuito.
Primero aproximamos el punto de trabajo del transistor al centro encontrando los valores de Ic y Vce,
para el cual nos imponemos un valor de Vcc=20v.
Segundo calculamos la recta de carga del circuito.
Malla C.E
𝑉𝑐𝑒 + 𝐼𝑐(𝑟𝑒 + 𝑅𝑐) = 0
𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 = −
𝑟𝑒 + 𝑅𝑐
𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 = −
𝑟𝑒 + 𝑅𝑐
Si
𝐼𝑐 = 𝐼𝑐 − 𝐼𝑐𝑄
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑒 − 𝑉𝑐𝑒𝑄
Reemplazando los valores:
𝑉𝑐𝑒 − 𝑉𝑐𝑒𝑄 𝑉𝑐𝑒𝑄 − 𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 − 𝐼𝑐𝑄 = − =
𝑟𝑒 + 𝑅𝑐 𝑟𝑒 + 𝑅𝑐
𝑉𝑐𝑒𝑄 − 𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 = 𝐼𝑐𝑄 + 𝐸𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎.
𝑟𝑒 + 𝑅𝑐
Si saturamos al transistor 𝑉𝑐𝑒 = 0
𝑉𝑐𝑒𝑄 − 𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 = 𝐼𝑐𝑄 +
𝑟𝑒 + 𝑅𝑐
𝑉𝑐𝑒𝑄 − 0
𝐼𝑐 = 𝐼𝑐𝑄 +
𝑟𝑒 + 𝑅𝑐
𝑉𝑐𝑒𝑄
𝐼𝑐 = 𝐼𝑐𝑄 +
𝑟𝑒 + 𝑅𝑐
Encontramos ahora el 𝑉𝑐𝑒(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) cuando 𝐼𝑐 = 0
𝑉𝑐𝑒𝑄 − 𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 = 𝐼𝑐𝑄 +
𝑟𝑒 + 𝑅𝑐
𝑉𝑐𝑒𝑄 − 𝑉𝑐𝑒
0 = 𝐼𝑐𝑄 +
𝑟𝑒 + 𝑅𝑐
𝑉𝑐𝑒(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = 𝐼𝑐𝑄(𝑟𝑒 + 𝑅𝑐) + 𝑉𝑐𝑒𝑄 .
Como podemos observar en la gráfica de la recta de carga para que el punto de trabajo sea cercano al
optimo debe estar en la mitad y las formulas quedarían de la siguiente forma.
𝑽𝒄𝒆 𝑸 = 𝑰𝒄 𝑸(𝑹𝒄 + 𝒓𝒆)
𝑽𝒄𝒆 𝑸
𝑰𝒄 𝑸 =
𝒓𝒆 + 𝑹𝒄
𝑉𝑐𝑐
Como la 𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥 = 𝑅𝑐𝑐+𝑅𝑒
𝑉𝑐𝑐
𝐼𝑐𝑄 =
2(𝑅𝑐𝑐 + 𝑅𝑒)
𝐼𝑐𝑄 = 𝐼𝑏. 𝐵
𝑉𝑐𝑐
Si damos valores 𝑟𝑒 + 𝑅𝑐 = 𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥
20
𝑟𝑒 + 𝑅𝑐 = = 200𝑘𝛺
0.1
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 260𝛺
0.1𝑚𝐴
Como condición nos dice que la 𝑅1 > 10𝑅𝑒
𝑅1 = 10(260) = 2.6𝑘𝛺
20
260𝛺 + 𝑅𝑐 = = 200𝑘
0.1
𝑅𝑐 = 200𝑘𝛺 − 260𝛺 = 199740𝛺
Calculamos la fase de polarización la cual nos servirá para conocer los valores de las resistencias óptimas
para lograr que el transistor BJT se situé con un punto de carga en la zona activa. Para el cual verificamos
el punto de operación más cercano al centro.
El emisor común tiene altas ganancias de voltaje Av y de corriente en cortocircuito, pero la resistencia
de entrada Re es baja y la resistencia de salida Rc es relativamente alta.
