Universidad Nacional Mayor de San Marcos
UNMSM
Facultad de Ing. Electrnica, Elctrica y
de Telecomunicaciones
Apellidos y Nombres Matrcula
Guevara Palomino, Carlos Alexander 15190255
Saldivar Hospina Jimmy Luis 16190098
Cabrera Marquez Jordy 16190064
Aybar Velsquez Johnny Romario 16190062
Fonseca Dueas Luigi 16190257
Curso Tema
Dispositivos Electrnicos El transistor bipolar PNP
2N3906. Caractersticas bsicas
Informe Fechas Nota
FINAL Realizacin Entrega
Nmero 15/06/17 22/06/17
Grupo Profesor
G6 Jueves 2 pm- 4 pm Ing. Luis Pareto Quispe
Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 1
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EXPERIENCIA N 6
El transistor bipolar PNP 2N3906
Caractersticas bsicas
I) TEMA: EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP 2N3906.
CARACTERSTICAS BASICAS.
II) OBJETIVOS:
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.
2. Comprobar las caractersticas de funcionamiento un transistor
bipolar PNP.
III) MARCO TERICO:
Transistor
Distintos encapsulados de transistores.
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente
se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas,
lavarropas automticos, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de
cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorecentes, equipos de
rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue
inventado en los Laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen,
Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con
el Premio Nobel de Fsica en 1956.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento
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activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos
pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada
de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que
circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la
"base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice.
El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se
denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor,
de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia
de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como
corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor,
etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores
son emisor comn, colector comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin
presente en el terminal de puerta o reja de control y grada la conductancia del canal
entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenador (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre
la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la
salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja,
Placa y Ctodo.
Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran
escala que disfrutamos hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios miles de transistores interconectados por centmetro cuadrado y en varias
capas superpuestas.
Tipos de transistor:
Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia,
inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de
modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de
"transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en
su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un
golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el
transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. Hoy da ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar, BJT por sus siglas en ingls, se fabrica
bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de
Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres
zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.
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La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores o "huecos" (cargas positivas), normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al indio, Aluminio o Galio y donantes N al Arsnico o Fsforo. La
configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminacin entre ellas.
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de
dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin (difusin gaseosa, epitelial, etc.) y del comportamiento cuntico
de la unin.
Fototransistor, sensible a la radiacin electromagntica, en frecuencias
cercanas a la de la luz.
Transistor de unin unipolar.
Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en funcin
de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido
mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET,
en el que la compuerta se asla del canal mediante un
dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS
significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la
compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.
Transistor bipolar
Regiones operativas, configuraciones
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el grfico de transistor.
Transistor NPN Transistor PNP
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El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos
una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra
(emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.
Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificacin)
por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el, o viceversa.
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc. Ver figura.
En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender
que a ms corriente la curva es ms alta.
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Regiones operativas del transistor
- Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base =
0 (Ib =0)
- Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms
grande. (Recordar que Ic = * Ib)
- Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la
regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta
regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de
las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la mas
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores
con transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las hacen
mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice que el transistor no est conduciendo.
Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)
- Emisor comn
- Colector comn
- Base comn
Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero
se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y que no
afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.
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IV) MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:
1. Una Fuente de corriente continua Variable.
2. Un Multmetro.
3. Un miliampermetro y un micro ampermetro
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4. Un Voltmetro de cc.(analgico)
7. Resistencias: 510, 1K , 51K
8. Cables cocodrilo / banano
9. Capacitores/ Condensadores:
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10. Transistor PNP 2N3906
11. Osciloscopio digital
12. Potencimetro
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V) PROCEDIMIENTO:
1. Verificamos el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro.
Llenamos la tabla 1.
Resistencia () ()
Base-Emisor 782 >20 M
Base-Colector 786 >20 M
Colector-Emisor >20 M >20 M
2. Armamos el siguiente circuito.
a) Medimos las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base
(Ib). Obtener el (P1=0).
b) Medimos los voltajes entre colector-emisor (Vce), entre base-
emisor (Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
c) Colocamos los datos obtenidos en la tabla 2.
Valores (R1=56 Ic Ib Vce Vbe Ve (v.)
K) (mA.) (uA.) (v.) (v.)
Tericos
Medidos 5,7 mA 30 uA 190 4,9 V 0,9 V 2,53 V
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d) Cambiamos R1 a 68 K, repetir los pasos (a) y (b) y anotamos
los datos de la tabla 3 (por ajuste de P1).
Valores (R11=68 Ic Ib Vce Vbe Ve (v.)
K) (mA.) (uA.) (v.) (v.)
Tericos
Medidos 4,5 mA 22,5 200 7,88 V 0,9 V 1,84 V
uA
e) Aumentamos la resistencia de P1 a 100 K, 250 K, 500 K y
1M. Observamos lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con
el voltaje Vce. Llenamos la tabla 5.
P1 100 K 250 K 500 K 1 M
Ic (mA.) 0,2 0,8 0,01 0
Ib (uA.) 9 4,2 0,2 0
Vce (v.) 10,8 11,8 11,9 11,97
3. Ajustamos el generador de seales a 50 mv.pp, 1KHz, onda senoidal.
Observar la salida Vo con el osciloscopio. Completamos la tabla 4.
Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)
2(Q1) -------------- ------------- -------------- --------------- ------------------
3(Q2) 570 mA 9V 63,3.103 1,6 V 356,26.103
VI) CUESTIONARIO FINAL:
1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin
operativa con el Ohmimetro.
Es un elemento que se comporta como una resistencia variable que depende
de una seal elctrica de control, entonces al cambiar el valor de la seal de
control cambia la cantidad de corriente que pasa por el transistor.
= IC / IB
Conceptualmente se dice que el transistor se comporta como una fuente de
corriente controlada por corriente, es decir, una fuente de corriente que no es
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de valor fijo, vara produciendo ms o menos corriente en la medida que hay
ms o menos corriente en la base.
Como en el transistor no se acumula carga toda la corriente que entra a l debe
salir, entonces:
IE = IC + IB = ( +1) IB
Si >> 1 IE IC
2. Representar la Recta de Carga en un Grfico Ic vs. Vce del circuito del
Experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2, 3 y 5.
(Papel milimetrado)
3. En qu regiones de trabajo se encuentran los puntos de las Tablas 2 y
3?
Q1 de la tabla 2:
Datos:
R1= 56.1K
R2= 21.77K
Re= 0.30K
Rc= 0.96K
VBE= 0. 619v
P1= 0K
= 9.6
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VHJ = 12v x 21.77k = 12v x 21.77k = 3.355 v
56.1k + 21.77k + 0k 78.77k
Req = (P1 + R1)(R2) = (56.1k)(21.77k) = 15.68 k
P1 + R1 + R2 56.1k + 21.77k
IB = 3.355v 0.619v = 2.736v = 0.1474 mA = 147.4 A
(9.6)(300) + 15.68k 18560
Ic = x IB
Ic = 9.6(147.4 A)
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ICQ = 1.415 mA
VEC = 12v (0.3K + 0.96 k)(1.415 mA)
VEC = 10.217 v
Corriente de saturacin VCE = 0v
Ic mx. = Vcc = 12v = 9.524 mA
Rc + Re 0.96k + 0.3K
VBC = VB VC
PERO: Vc + 12 = Ic
Rc
Vc = IcxRc 12v
Vc = (1.415 mA) (0.96k) 12v
Vc = - 10.614 v
VB (- VHJ) = IB
Req
VB = IB x Req VHJ
VB = (147.4 A)(15.68 k) 3.355v
VB = 2.329v 3.355v
VB= - 1.026 v
VBC = - 1.026 v ( - 10.614 v)
VBC = 9.588 v
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Q2 de la tabla 3:
Datos:
R1= 67.4K
R2= 21.77K
Re= 0.3K
Rc= 0.96K
VBE= 0.612v
P1= 0
= 10.78
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VHJ = 12v x 21.77k = 12v x 21.77k = 2.930 v
67.4k + 21.77k + 0 89.77k
Req = (P1 + R1)(R2) = (67.4k)(21.77k) = 16.455 k
P1 + R1 + R2 67.4k + 21.77k
IB = 2.93v 0.612v = 2.318v = 117.731 A
(10.78)(300) + 16.455k 19.689k
Ic = x IB
Ic = 10.78(117.731 A)
ICQ = 1.269 mA
VEC = 12v (0.3K + 0.96 k)(1.269 mA)
VEC = 10.401
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Corriente de saturacin VCE = 0v
Ic mx. = Vcc = 12v = 9.524 mA
Rc + Re 0.96k + 0.3K
VBC = VB VC
PERO
Vc + 12 = Ic
Rc
Vc = IcxRc 12v
Vc = (1.269 mA) (0.96k) 12v
Vc = - 10.782 v
VB (- VHJ) = IB
Req
VB = IB x Req VHJ
VB = (117.731 A)( 16.455k )
2.93v
VB = 1.937v 2.93v
VB= - 0.993 v
VBC = - 2.28 v ( - 10.782 v)
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VBC = 8.502 v
4. Qu sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a 120K
?
= 18.51 Vth = 1.859V = 75
+ 1.8590.6
= = 18.51 = 3.21
+ +330
75 75
= ( + ) = 12 3.21 1330 = 7.307
Se acerca ms al punto de corte.
El resultado del voltaje sale positivo ya que se tom la malla en direccin del
desplazamiento de la corriente.
5. Explicar comparativamente lo ocurrido en la tabla 4.
Tenemos los siguientes casos:
Sin carga:
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Con carga:
Como podemos ver en las imgenes la seal se amplifica cuando el circuito
esta con carga, siendo la frecuencia la misma, asi mismo de los datos
experimentales obtenemos que el voltaje de salida sin carga es de 1.8v ,
cuando es con carga tenemos 9v. Esta amplificacion lo podemos constatar
con la relacion Av obtenidos del experimento:
Sin Carga:
1.8
= = 3.1579
570 103
Con carga:
9
= = 15.78
570 103
Obteniendo asi la siguiente tabla:
Tabla 4
Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(Sin Ce)
3(Q2) 570 mv 9v 15.7895 1.8 v 3.1579
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VII) CONCLUSIONES:
Se concluye que la seal de voltaje de salida se amplifica, es decir,
aumenta cuando el circuito esta con carga.
La variacin del potencimetro genera cambios en la ganancia de
corriente y voltaje.
Aumentar el valor de la resistencia no genera mayor ganancia pero
disminuye la estabilidad en un amplificador.
Se busca tener una buena ganancia y estabilidad.
VIII) BIBLIOGRAFA:
Gua para mediciones electrnicas y prcticas de laboratorio. Stanley
Wolf y Richard Smith.
Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 10 Edicin
Robert L. Boylestad& Louis Nashelsky.
ELECTRONICA INTEGRADA (9 ED.) JACOB MILLMAN; CHRISTOS
C. HALKIAS , EDITORIAL HISPANO EUROPEA, S.A., 1991
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