86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat.
2015 Clase 2-1
1
Clase 2 - Fsica de semiconductores (I)
Marzo de 2015
Indice de temas:
1. Modelo de enlace del Silicio: electrones y huecos
2. Generacion y recombinacion
3. Equilibrio termico
4. Semiconductor intrnseco
5. Semiconductor extrnseco
Lectura recomendada:
Julian, Cap 2. 2.1-2.3 Muller-Kamins, Cap 1. 1.1
1
Esta clase es una traduccion,realizada por los docentes del curso 86.03/66.25 - Dispositivos Semicon-
ductores - de la FIUBA, de la correspondiente hecha por el prof. Jesus A. de Alamo para el curso 6.012 -
Microelectronic Devices and Circuits del MIT. Cualquier error debe adjudicarse a la traduccion.
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-2
Preguntas clave
Como conducen electricidad los semiconductores?
Que es un hueco ?
Cuantos electrones y huecos hay en un semiconduc-
tor en equilibrio termico a una cierta temperatura?
Como se puede manipular la conductividad de un
semiconductor?
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-3
1. Modelo de enlace del Silicio: electrones y
huecos
El Si se ubica en la Columna IV de la tabla periodica:
Estructura electronica del atomo de Si:
10 electrones interiores (fuertemente ligados)
4 electrones (debilmente ligados, responsables de la
mayora de las propiedades qumicas
Otros semiconductores:
Ge, C (forma del diamante), SiGe
GaAs, InP, InGaAs, InGaAsP, ZnSe, CdTe
(en promedio, 4 electrones de valencia por atomo)
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-4
Estructura cristalina del Silicio:
El silicio es un material cristalino:
ordenamiento atomico de largo rango
Red del Diamante:
los atomos forman un tetraedro, ligados por com-
partir un electron de valencia (enlace covalente)
Cada atomo comparte 8 electrones:
situacion estable de baja energa
Densidad atomica del Si: 5 1022 cm3
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-5
Modelo simple aplanado del cristal de Si:
A 0K (cero absoluto):
todas las ligaduras estan ocupadas todos los elec-
trones de valencia comprometidos en formar enlaces
covalentes
no hay electrones libres
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-6
A temperatura > 0K:
se rompen algunas ligaduras
electrones libres (carga negativa en movimiento,
1.6 1019 C)
huecos libres (carga positiva en movimiento, 1.6
1019 C)
Los electrones y huecos libres se denominan porta-
dores:
particulas cargadas en movimiento
Cuidado: el diagrama es incorrecto!
los electrones y huecos en un semiconductor son di-
fusos: abarcan varios radios atomicos.
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-7
Algunas definiciones:
en 86.03/66.25, electron significa electron libre
no nos interesan los electrones internos ni los electrones
de valencia (que los contabilizaremos con los huecos)
se definen:
n concentracion de electrones [cm3]
p concentracion de huecos [cm3]
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-8
2. Generacion y Recombinacion
Generacion = ruptura de un enlace covalente que da
lugar a un electron y un hueco.
requiere energa de una fuente termica u optica (u otra
fuente externa).
tasa de generacion: G = Gterm +Gopt +...[cm3 s1]
en general, la densidad atomica es n, p
G 6= f (n, p)
Es decir, las fuentes de enlaces a romper son virtual-
mente inagotables.
Recombinacion = formacion de un enlace al unirse un
electron y un hueco
libera energa de forma termica u optica
tasa de recombinacion: R [cm3 s1]
un evento de recombinacion requiere de 1 electron +
1 hueco
Rnp
Los eventos de generacion y recombinacion son mas factibles
en las superficies, donde se interrumpe la estructura.
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-9
3. Equilibrio termico
Diremos que existe Equilibrio termico cuando se cumplen
las siguientes condiciones:
Hay estado estacionario (se ha extinguido cualquier
transitorio en la Generacion/Recombinacion)
Hay ausencia de fuentes de energa externa (sistema
aislado)
Tasa de generacion en equilibrio termico: Go = f (T )
Tasa de recombinacion en equilibrio termico: Ro
no po
En equilibrio termico:
Go = Ro nopo = f (T ) n2i (T )
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-10
Eg
n2i = Cte e kT
Consecuencias importantes: Para un dado semiconduc-
tor en equilibrio termico , el producto np es una con-
stante que depende solo de la temperatura.
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-11
4. Semiconductor intrnseco
Pregunta: Cuantos electrones y huecos hay en un
semiconductor puro, perfectamente cristalino, en equilib-
rio termico, a una cierta temperatura?
Dado que la ruptura de un enlace da lugar a un electron
y un hueco:
no = po
Ademas:
nopo = n2i
Entonces:
no = po = ni
ni concentracion intrinseca de portadores [cm3]
En Si a 300 K (temp. ambiente): ni ' 1 1010 cm3
ni es una funcion fuertemente dependiente de la temper-
atura: T ni
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-12
5. Dopaje: introduccion de atomos externos para ma-
nipular las propiedades electricas del semiconductor
A. Donores: introducen electrones en el semiconductor
(pero no huecos)
Para el Si, atomos del grupo V con 5 electrones de
valencia (As, P, Sb)
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-13
4 electrones del atomo donor participan en los enlaces
el quinto electron queda debilmente ligado
a temperatura ambiente, cada atomo donor libera
un electron que queda libre para participar de la
conduccion
el sitio donor queda cargado positivamente (carga fija)
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-14
Se define:
Nd concentracion de donores [cm3]
Si Nd ni, el dopaje es irrelevante (semiconductor
intrnseco), esto implica que: no = po = ni
Si Nd ni, el dopaje controla la concentracion de
portadores (semiconductor extrnseco), esto implica que:
n2i
no = Nd po =
Nd
En el caso que no po, se dira que el semiconductor es
tipo n.
Ejemplo numerico:
Nd = 1017 cm3 no = 1017 cm3, po = 103 cm3.
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-15
Tpicamente: Nd 1015 1020 cm3
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-16
B. Aceptores: introducen huecos en el semiconductor
(pero no electrones).
Para Si, atomos del grupo III, con 3 electrones de
valencia (B)
3 electrones se utilizan el la ligadura con los atomos
vecinos de Si
1 sitio de ligadura queda vacante:
favorable para aceptar un electron de ligadura
para completar todas las ligaduras
a temperatura ambiente, cada aceptor libera un
hueco, el cual queda libre para la conduccion
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-17
el sitio aceptor queda cargado negativamente (carga
fija)
Se define:
Na concentracion de aceptores [cm3]
Si Na ni, el dopaje es irrelevante (semiconductor
intrnseco), esto implica: no = po = ni
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-18
Si Na ni, el dopaje controla la concentracion de
portadores (semiconductor extrnseco), esto implica:
n2i
po = Na no =
Na
Notar: po no: semiconductor tipo p
Ejemplo numerico:
Na = 1016 cm3 po = 1016 cm3, no = 104 cm3.
Tpicamente: Na 1015 1020 cm3
86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat. 2015 Clase 2-19
Resumen
En un semiconductor, hay dos tipos de portadores:
electrones y huecos.
Para un dado semiconductor en equilibrio termico
nopo es una constante:
nopo = n2i
Semiconductor intrnseco: semiconductor puro
no = po = ni
Para Si a temperatura ambiente:
ni ' 1010 cm3
ni es fuertemente dependiente de la temperatura.
Semiconductor extrnseco: las concentraciones de
portadores pueden ser manipuladas mediante la in-
troduccion de atomos dopantes de otras especies:
n2i
semiconductor tipo n: no = Nd, po = Nd
n2i
semiconductor tipo p: po = Na, no = Na
Nota: En el caso que ocurra Nd = Na el semiconduc-
tor debe considerarse intrnseco (siempre que la concen-
tracion de dopantes sea < 1020).
