Caractersticas de los FET
Objetivos
1. Estudiar las caractersticas del FET
2. Construir la curva caracterstica del FET
Marco Terico.- Un dispositivo que posee una alta impedancia de entrada es el
transistor de efecto de campo (FET). Este es un dispositivo unipolar que contiene
solo un tipo de corriente portador, huecos o electrones. El tipo de corriente
portador (huecos o electrones) depende del material escogido.
El funcionamiento del FET unipolar como una resistencia variable depende de la
formacin de un canal de espesor variable a travs del cual fluyen los portadores.
Un canal n se forma introduciendo impurezas tipo p en los lados opuestos de la
barra de silicio.
Una carga especial se desarrolla en las regiones de la compuerta tipo p la cual
proporciona un espesor efectivo de canal a travs del cual los electrones pueden
fluir. Aplicando una polarizacin inversa entre los diodos fuente y compuerta,
incrementa la carga espacial, y disminuye el espesor eficaz del canal para el flujo
de electrones.
Cuando la tensin se aplica como se muestra en la Figura 4-8-4, el drenador
(D) se vuelve positivo con respecto a la fuente (S) y los electrones fluyen de la
fuente hacia el drenador a travs del canal. La tensin de compuerta controla
la corriente mediante el mando del espesor eficaz del canal. Existe una tensin
crtica de drenador sobre la cual no hay argumento de corriente de drenador. Esta
se llama tensin de estrangulamiento o contraccin y depende de la movilidad
de los electrones en la barra de silicio. Como se muestra en la Figura 4-8-2, una
traza de la tensin de drenador versus la corriente de drenador provee una familia
de curvas caractersticas cuando para una amplia gama de tensin de compuerta.
Procedimiento
1. Ponga el modulo KL-13007 en la unidad Kl-21001, y luego localice el
bloque e
2. De acuerdo con la figura 4-8-3 y la Figura 4-8-4, complete el circuito del
experimento con grapas de corto-circuito.
3. Aplique -15V a V- VR5 se usa para cambiar la tensin
4. Aplique +15v a V+ VR6 se usa para cambiar la tensin
5. Gire VR5 completamente a la Izquierda hasta obtener = 0
6. Mida la corriente de drenador indica por el miliampermetro y anote el
resultado en la tabla 4-8-1.
7. Para cada uno de los valores de en la tabla 4-8-1, mida y anote los
resultados.
Tabla 4-8-1
= 0
1 2 3 4 5 6 7 8
4.01 4.88 5.13 5.22 5.27 5.30 5.30 5.31
Grafico 4-8-1
2.7 2.75 2.78 2.8 2.82 2.83
3 2.61
2.5 2.26
2
ID
1.5
1
0.5
0
0 2 4 6 8 10
VDS
8. Gire VR5 hasta obtener = 0.25 indicada por el voltmetro.
9. Para cada uno de los valores de en la tabla 4-8-2 mida y anote los
resultados.
Tabla 4-8-2
= 0 .25
1 2 3 4 5 6 7 8
3.30 3.90 4.06 4.12 4.16 4.19 4.21 4.27
Grafico 4-8-2
4.12 4.16 4.19 4.21 4.27
4.5 3.9 4.06
4
3.3
3.5
3
2.5
ID 2
1.5
1
0.5
0
0 2 4 6 8 10
VDS
10. Gire VR5 hasta obtener = 0 .5 indicada por el voltmetro.
11. Para cada uno de los valores de = 0 .25 en la tabla 4-8-3, mida y
anote los resultados.
Tabla 4-8-3
= 0 .5
1 2 3 4 5 6 7 8
2.26 2.61 2.70 2.75 2.78 2.80 2.82 2.83
Grafica 4-8-3
3 2.75 2.78 2.8 2.82 2.83
2.61 2.7
2.5 2.26
2
ID
1.5
0.5
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VDS
12. Gire VR5 para obtener = 0.75 indicada por el voltmetro.
13. Para cada uno de los valores de en la tabla 4-8-4, mida y anote los
resultados.
Tabla 4-8-4
= 0 .75
1 2 3 4 5 6 7 8
1.92 2.16 2.23 2.26 2.28 2.30 2.31 2.33
Grafico 4-8-4
2.23 2.26 2.28 2.3 2.31 2.33
2.5 2.16
1.92
2
1.5
ID
0.5
0
0 2 4 6 8 10
VDS
14. Dibuje los resultados de la Tabla 4-8-1 en el cuadro de la figura 4-8-5, luego
trace una curva suave a travs de estos puntos y marque los valores de
en la curva. Esta curva ser la curva de versus del FET para = 0.
15. Repita el paso 14 para los resultados de las Tablas 4-8-2, 4-8-3 y 4-8-4.
Figura 4-8-5
6
4
ID
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VDS
Resultados y Conclusin
Usted ha construido las curvas caractersticas del FET a travs de un
mtodo largo. De las curvas en la figura 4-8-5 usted puede observar que el
FET est en corte = 0 cuando = 0.75 y en saturacin
= Cuando > .
