El transistor

Estructura fsica y aplicaciones

Asier Ibeas Hernndez

PID_00170129
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ndice

Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1. El transistor bipolar de unin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

1.1. Estructura de un transistor BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2. Mecanismos internos de funcionamiento de un BJT . . . . . . . . . . 12
1.2.1. El BJT con fuentes de tensin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2.2. La influencia de la base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.3. Configuraciones del BJT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.4. Caractersticas intensidad-voltaje de un BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.4.1. Caractersticas I-V en base comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.4.2. Ecuaciones en emisor comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.4.3. Representacin grfica de las caractersticas I-V . . . . . . . 26
1.5. Anlisis de las regiones de operacin del BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1.5.1. Regin activa directa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.5.2. Regin de corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
1.5.3. Regin de saturacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
1.5.4. Conclusin sobre las regiones de operacin . . . . . . . . . . 40
1.6. Efectos trmicos en los transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.7. Recapitulacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

2. El transistor a frecuencias intermedias

y pequea seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.1. Polarizacin y punto de trabajo del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.1.1. Punto de trabajo del BJT y recta de carga . . . . . . . . . . . . . 45
2.1.2. Topologas de circuitos de polarizacin . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.1.3. Diseo de redes de polarizacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
2.2. Qu significa pequea seal y frecuencia intermedia? . . . . . . . 63
2.3. Modelos lineales del transistor BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.3.1. Modelo de parmetros hbridos del BJT . . . . . . . . . . . . . . . 65
2.3.2. Modelo de parmetros r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
2.4. Anlisis de un circuito amplificador lineal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
2.4.1. Configuracin del emisor comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.4.2. Configuracin de base comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
2.4.3. Configuracin de colector comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
2.4.4. Resumen de los tipos de amplificadores . . . . . . . . . . . . . . 91
2.5. Recapitulacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92

3. El transistor de efecto de campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93

3.1. Diferencias y parecidos del FET con el BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
CC-BY-SA PID_00170129 El transistor

3.2. El FET de unin, JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96

3.2.1. Terminales del JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
3.2.2. Smbolos circuitales y configuraciones del JFET . . . . . . . 99
3.3. Caractersticas de intensidad-voltaje del JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.3.1. Influencia de la tensin de drenador en ausencia de
tensin de puerta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.3.2. Influencia de la tensin de drenador con tensiones de
puerta negativas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
3.3.3. Zonas de trabajo de un JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3.4. Circuitos de polarizacin para el JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3.4.1. Circuito de polarizacin elemental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3.5. El FET en pequea seal y a frecuencias intermedias . . . . . . . . . . 121
3.5.1. Modelo lineal del JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
3.5.2. Topologa de amplificacin con JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
3.6. El FET de metal-xido-semiconductor (MOSFET) . . . . . . . . . . . . . 128
3.6.1. El MOSFET de acumulacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
3.6.2. El transistor MOSFET de deplexin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
3.7. Circuitos MOSFET digitales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
3.7.1. Conceptos de electrnica digital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
3.7.2. Puerta NOT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
3.7.3. Puerta NOT real . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
3.7.4. Puerta NAND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
3.8. Recapitulacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153

4. Problemas resueltos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155

4.1. Enunciados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
4.2. Resolucin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159

Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175

Ejercicios de autoevaluacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177

Solucionario . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179

Glosario . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179

Bibliografa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
CC-BY-SA PID_00170129 5 El transistor

Introduccin

En el mdulo El diodo. Funcionamiento y aplicaciones, habis estudiado el Dispositivos de estado

slido
comportamiento de la unin PN y su utilizacin en el diseo de un dispositi-
vo semiconductor llamado diodo. La principal aportacin de ese dispositivo al Los dispositivos de estado
slido son aquellos
diseo de circuitos elctricos era que permita implementar de un modo sen- dispositivos construidos
cillo funciones que no podan desempearse con los componentes elctricos enteramente de materiales
slidos donde los portadores
de la poca, que en la dcada de 1950 consistan en resistencias, condensa- de carga se encuentran
dores y bobinas. En concreto, se trataba de su utilizacin como interruptor confinados por completo en
su interior. Hoy por hoy, esta
elctrico. En este sentido, el diodo permita disear circuitos para nuevas apli- denominacin suena extraa,
caciones y estimul enormemente la investigacin en dispositivos de estado pero histricamente este
trmino se ide en
slido basados en semiconductores. contraposicin a las
tecnologas electrnicas
anteriores basadas en tubos
El mdulo que ahora comenzis tiene por objetivo conocer uno de los dis- de vaco o dispositivos de
descarga de gases y a los
positivos semiconductores de estado slido ms importantes, el transistor. dispositivos electromecnicos
Adems, despus de presentar sus fundamentos, profundizaremos en sus apli- (como interruptores o
conmutadores) con partes
caciones en el diseo de circuitos elctricos. mviles.

El transistor es un elemento de tres terminales, es decir, que dispone de tres Amplificador

conexiones externas, y puede cumplir un amplio abanico de funciones. Sin
Un circuito trabaja como
embargo, las ms extendidas son la funcin de interruptor elctrico y la fun- amplificador cuando a la
cin de amplificador. Ambas funciones desempean papeles fundamentales salida proporciona un valor
de tensin o corriente
en la electrnica actual. En este sentido, es interesante resaltar que podemos superior al que hay en la
disear puertas lgicas para circuitos digitales gracias a un transistor que opera entrada.

como interruptor elctrico.

Por otro lado, los circuitos de amplificacin tambin desempean un papel

fundamental en la electrnica moderna al formar parte de multitud de dispo-
sitivos tanto profesionales como de consumo. A modo de ejemplo, podemos
citar los aparatos de reproduccin de audio y vdeo. La clave del proceso de
amplificacin que lleva a cabo el transistor proviene del hecho de que la co-
rriente que circula por dos de sus terminales es proporcional a la corriente que
circula por el tercero. sta es la idea fundamental del concepto de transistor y
que deberis tener en mente a lo largo del mdulo.

En este mdulo, vamos a trabajar en la regin de baja frecuencia.

Entendemos por baja frecuencia aquella regin de frecuencias de la

seal de entrada cuya longitud de onda es mucho ms grande que las
dimensiones del circuito. Tambin se consideran seales de baja fre-
cuencia las seales constantes o de continua.
CC-BY-SA PID_00170129 6 El transistor

En esta situacin, los efectos de propagacin de ondas (de tensin y de co-

rriente) de una parte a otra del circuito se pueden despreciar.

Existen dos tipos fundamentales de transistores utilizados en electrnica de

baja frecuencia:

El transistor bipolar de unin, BJT (por sus siglas en ingls, Bipolar Junction
Transistor).

El transistor de efecto de campo, FET (por su siglas en ingls, Field Effect

Transistor).

El objetivo de este mdulo es que conozcis la estructura fsica de estos dis-

positivos y que utilicis sus propiedades, fundamentalmente, en el diseo de
circuitos de amplificacin. As, el estudio de ambos transistores est articulado
en dos partes diferenciadas: una para el BJT, que se recoge en los apartados 1
y 2, y otra para el FET contenida en el apartado 3. Cada una est organizada
siguiendo la misma estructura:

1) En primer lugar, conoceremos la estructura fsica del dispositivo, veremos

de qu partes est compuesto y fijaremos la nomenclatura y notacin para
ellas.

2) A continuacin, obtendremos el modelo que define su comportamiento

elctrico desde el punto de vista de sus terminales. Esto nos permitir dispo-
ner de ecuaciones matemticas que describen el dispositivo y que se pueden
utilizar posteriormente para establecer el anlisis de los circuitos de los que
forma parte.

3) Por ltimo, estudiaremos algunas aplicaciones tpicas (fundamentalmente

de amplificacin) junto con sus procedimientos de anlisis y diseo.

Podris encontrar junto a la teora varios ejemplos de aplicacin que aclaran

los conceptos expuestos. Es conveniente que los reproduzcis vosotros mis-
mos para entender bien cmo se utiliza el modelo elctrico del transistor al
ejecutar el anlisis del circuito.

Tambin utilizaremos con bastante frecuencia ciertos mtodos de anlisis co-

mo las leyes de Kirchhoff y el teorema de Thvenin, que son las herramientas
fundamentales de la teora de circuitos, para analizar circuitos con transistores.
Es conveniente que repasis estos mtodos antes de comenzar con la lectura
del mdulo. Para ello, se han reunido los ms importantes en el anexo con el
objeto de que los tengis muy a mano. De esta forma, ya podris comenzar
estudiando el transistor BJT en el primer apartado.
CC-BY-SA PID_00170129 7 El transistor

Objetivos

Los objetivos de este mdulo son los siguientes:

1. Conocer la estructura fsica de los transistores ms utilizados en baja fre-

cuencia.

2. Conocer los modelos elctricos utilizados para la descripcin de su funcio-

namiento.

3. Calcular el punto y regin de trabajo de un transistor.

4. Aprender a disear redes de polarizacin de transistores.

5. Conocer configuraciones tpicas de circuitos amplificadores.

6. Analizar el funcionamiento de circuitos de amplificacin basados en tran-

sistores.

7. Conocer cmo sintetizar puertas lgicas utilizando transistores.

CC-BY-SA PID_00170129 9 El transistor

1. El transistor bipolar de unin

.

En este apartado, vais a conocer la estructura fsica y el principio de funciona-

miento del transistor bipolar de unin (BJT). Para ello, vamos a estudiar en el
subapartado 1.1 qu tipo de materiales semiconductores conforman un BJT y
cmo estn dispuestos. A continuacin, en el subapartado 1.2, veremos cules
son los mecanismos bsicos de funcionamiento del transistor.

El transistor, al ser un componente de tres terminales, puede trabajar en dife-

rentes configuraciones en funcin del papel que cada terminal desempee en
relacin con el resto del circuito. El concepto de configuracin y las posibles
configuraciones del BJT sern introducidas en el subapartado 1.3. Despus, en
el subapartado 1.4, os mostraremos las ecuaciones que describen el compor-
tamiento elctrico del transistor desde el punto de vista de sus terminales. Es
decir, formularemos matemticamente su comportamiento con respecto a las
variables elctricas externas existentes entre ellos. Una vez tengamos disponi-
ble el modelo elctrico, podremos sustituir el transistor por este conjunto de
ecuaciones y ser capaces de analizar el comportamiento de los circuitos ba-
sados en l como haremos en el apartado 2 de este mdulo para analizar los
circuitos de amplificacin.

Las ecuaciones que describen elctricamente el BJT son ecuaciones no linea-

les que, como veris, exhiben un abanico muy grande de comportamientos.
Lo que haremos entonces en el subapartado 1.5 es presentar estos diferentes
comportamientos que definen las llamadas regiones de operacin del BJT.

Por ltimo, trataremos brevemente cmo es la dependencia del comporta-

miento del transistor BJT con la temperatura en el subapartado 1.6. En gene-
ral, prcticamente todos los dispositivos electrnicos se ven afectadas de una
manera u otra por la temperatura y el BJT no es ninguna excepcin.

Hasta este punto, habremos introducido la fsica y el funcionamiento bsico

del BJT. La pregunta que podrais plantearos ahora es qu podemos hacer con
el BJT en un circuito? En el apartado 2, daremos una respuesta a esta pregunta
y utilizaremos el BJT en el diseo de circuitos de amplificacin.

Qu vamos a aprender? En este apartado, aprenderis:

La estructura fsica de un transistor BJT.

El mecanismo bsico de funcionamiento del BJT.
Los diferentes modos de operacin que puede tener un BJT.
Un modelo matemtico del comportamiento elctrico del transistor.
CC-BY-SA PID_00170129 10 El transistor

Qu vamos a suponer? Supondremos que tenis conocimientos de anlisis

de circuitos y de la unin PN alcanzados en el mdulo El diodo. Funciona-
miento y aplicaciones. En particular:

Que conocis las leyes de Kirchhoff.

Que conocis la caracterstica intensidad-corriente de un diodo.
Que conocis el comportamiento de la unin PN en equilibrio.
Que conocis la funcin exponencial y sus principales caractersticas.

Ahora, vamos a empezar el mdulo con la estructura fsica del transistor BJT.

1.1. Estructura de un transistor BJT

El transistor bipolar de unin (BJT) fue descubierto casi por casualidad en los Huecos
Laboratorios Bell en 1947 por Bardeen, Brattain y Shockley y constituye el
El hueco representa una
primer tipo de transistor inventado. El nombre bipolar hace referencia a que, partcula con carga positiva
igual en valor absoluto a la de
en l, el transporte de corriente lo realizan tanto electrones como huecos.
un electrn.

Descubridores del BJT

Los descubridores del BJT fueron galardonados con el premio Nobel de Fsica por este
motivo en el ao 1956. Posteriormente, en 1972, Bardeen fue premiado otra vez junto a
Cooper y Schrieffer con el Nobel por su teora de la superconductividad. As se convirti
en la primera persona de la historia en recibir dos premios Nobel de Fsica.

El BJT se construye a partir de un bloque de semiconductor en el que podemos

distinguir tres partes, como muestra la figura 1. Cada una de ellas est dopada
de forma alternativa.
Figura 1

Bloque de un material
Figura 1. Bloque semiconductor monocristalino
semiconductor al que se ha
con tres partes diferenciadas
dividido en tres partes. Cada
una de estas partes estar
dopada de una forma
determinada.

Tipos de dopaje

Una impureza de tipo N es

aquella que proporciona
As, se podra empezar con un dopaje tipo N para continuar con uno de tipo exceso de electrones y una
de tipo P, la que proporciona
P y finalizar con otro de tipo N como muestra la figura 2. exceso de huecos.

Figura 2. Dopaje NPN

Figuras 2 y 3

E N P N C Representacin de los
posibles tipos de dopaje de la
barra de semiconductor
dividida en tres partes, con
dopaje N en los extremos y P
al centro y viceversa: P en los
B extremos y N al centro.
CC-BY-SA PID_00170129 11 El transistor

Alternativamente, se podra dopar inicialmente tipo P, luego N y por ltimo P

de nuevo como muestra la figura 3.

Figura 3. Dopaje PNP

E P N P C

De esta forma, hemos obtenido los dos tipos de transistor BJT que hay
el NPN y el PNP segn los tipos de dopaje empleados. Como veis,
poseen tres partes bien definidas que hacen que el BJT sea un elemento
de tres terminales:

La parte central del dispositivo se denomina base, B.

Un extremo se denomina emisor, E.
El otro extremo se denomina colector, C.

Esta nomenclatura ya se ha utilizado en las figuras 2 y 3, donde podis ob-

servar los tres terminales identificados por sus siglas, emisor (E), base (B) y
colector (C).

Con objeto de simplificar su representacin circuital, se han elegido interna-

cionalmente los smbolos mostrados en las figuras 4 y 5 para indicar el tran-
sistor NPN y el PNP respectivamente. Notad que es el sentido de la flecha el
que diferencia a un tipo de transistor de otro.

Figura 4. Smbolo circuital Figura 4

del transistor NPN
Smbolo circuital
internacional del BJT de tipo
C NPN.

Terminales del BJT

B
Normalmente, no se escriben
las letras que representan
cada terminal del transistor
E en los circuitos elctricos. Por
eso, es importante saber
identificar bien cul es cada
uno a partir nicamente de
su smbolo circuital.
CC-BY-SA PID_00170129 12 El transistor

Figura 5. Smbolo circuital

del transistor PNP

Figura 5

C
Smbolo circuital
internacional del BJT de tipo
PNP.
B

Smbolos de los transistores

Una regla que permite recordar el smbolo de ambos tipos de transistores es que la flecha
siempre est en uno de los terminales (en concreto en el emisor) apuntando desde el
dopaje P hacia el N. Otra forma de recordar el smbolo de los transistores es que el de
tipo PNP PiNcha porque la flecha est dirigida (pincha) al transistor, mientras que el NPN
No PiNcha al tener la flecha hacia fuera.

Como podis observar en las figuras 2 y 3, el BJT consiste bsicamente en

dos uniones PN dispuestas de forma opuesta. De hecho, buena parte del com-
portamiento del transistor depende de esta configuracin. No obstante, no se
trata de dos uniones aisladas, debido a que ambas forman parte de un mismo
bloque semiconductor. Por lo tanto, hay efectos de acoplamiento entre ellas
que se debern tener en cuenta para explicar su funcionamiento. Intentemos
conocer los mecanismos internos de funcionamiento de un BJT. De este mo-
do, podremos llegar a deducir un modelo elctrico del dispositivo.

1.2. Mecanismos internos de funcionamiento de un BJT

En este subapartado, introduciremos los mecanismos internos fundamentales

de funcionamiento de un BJT. Para ello, nos centraremos en los NPN, que son
los que se utilizan en la mayora de aplicaciones. Este hecho no representa un
problema importante porque podrais obtener los mismos resultados para los
de tipo PNP simplemente intercambiando las palabras electrn y hueco en los
desarrollos tericos y cambiando el signo de las corrientes en las ecuaciones.

Fijaos, en primer lugar, en la unin PN entre el emisor y la base mostrada Ved tambin
en la figura 2. A travs de esta unin, pasarn electrones del emisor a la base
En el mdulo El diodo.
y huecos de la base al emisor debido a los procesos de difusin. Como ilus- Funcionamiento y
aplicaciones, ya estudiasteis
tra la figura 6, esta difusin de portadores crear una zona de carga espacial
la zona de carga espacial
(ZCE), que es una regin del material donde, en situacin de equilibrio del (ZCE) en relacin con la
unin PN.
semiconductor, no hay portadores libres (electrones y huecos).

Semiconductores en equilibrio

Un semiconductor se dice que alcanza el equilibrio cuando no dispone de fuentes de

tensin externas conectadas a l y llega a una situacin estable en la que no se producen
movimientos de cargas en su interior.
CC-BY-SA PID_00170129 13 El transistor

Figura 6. Generacin de las zonas de carga espacial

ZCE ZCE
Figura 6

+ +
Formacin de zonas de carga
E N + P + N C espacial (ZCE) en las dos
uniones PN que forman el
+ +
transistor.
r r
EEB ECB

Al no haber portadores libres, las nicas cargas que permanecen en la zona Red cristalina

espacial de carga son las de los iones de la red cristalina, positivos en el lado La red cristalina est formada
del emisor y negativos en el lado de la base. Estas cargas fijas generan un por los tomos fijos del
material que forman una
campo elctrico tal como muestra la figura 6. En la unin entre la base (B) estructura peridica en el
y el colector (C), ocurre un proceso de difusin semejante que da lugar al espacio.

correspondiente campo elctrico como representa tambin la figura 6.

El campo elctrico generado acta como una barrera de potencial para los Energa cintica
electrones que quieren pasar del emisor (E) a la base (B) de tal forma que
La energa cintica de un
slo aqullos con suficiente energa cintica pueden saltarla y pasar a la zona objeto es la energa que
de la base. Sin embargo, en el equilibrio, no hay flujo de corriente dentro del posee debido a su estado de
movimiento. En concreto, su
dispositivo, ya que los electrones internos no tienen la suficiente energa como valor depende de la
para atravesar la barrera. Ser necesario proporcionarles de alguna manera una velocidad y de la masa del
objeto a travs de la ecuacin
energa cintica mayor. Veamos cmo podemos hacerlo. Ec = 21 mv 2 .

1.2.1. El BJT con fuentes de tensin

Una forma de dotar a los electrones de suficiente energa para atravesar la ba- Tensiones de las fuentes
rrera es conectar el dispositivo a unas fuentes de tensin externas como mues-
Notad que la fuente de
tra la figura 7. En ella, se han colocado dos fuentes de tensin, denominadas tensin VCC se corresponde
con el potencial existente
VEE y VCC , conectadas a los terminales de emisor y de colector respectivamente
entre la base y el colector y el
y que comparten la tierra junto con la base. potencial de fuente VEE se
corresponde con el potencial
existente entre la base y el
emisor.
Figura 7. Aplicacin de fuentes de tensin al transistor

ZCE ZCE

Figura 7
IE ++ IC
E N P ++ N C Representacin de un BJT al
++ que se le han colocado dos
fuentes externas de tensin
+ continua. Como
VEE IB VCC consecuencia, el tamao de
+
las zonas de carga espacial ha
B cambiado. La ZCE de la unin
emisor-base se ha reducido,
mientras que la de la unin
base-colector ha aumentado.
CC-BY-SA PID_00170129 14 El transistor

El efecto de estas fuentes de tensin colocadas en esta configuracin en con-

Movimiento de
creto es disminuir el potencial de la barrera entre el emisor y la base y aumen- electrones
tar el potencial de la base al colector como muestra la figura 7. Esto es posible
Recordad que el sentido de la
ya que el polo negativo de la fuente VEE proporciona electrones al emisor y, corriente elctrica es, por
por lo tanto, la acumulacin de cargas se reduce en la zona de esa unin. convenio, el contrario al flujo
de electrones.
Como resultado, el potencial de la barrera disminuye.

Entonces, la energa cintica de los electrones es ahora suficiente para atra- Fuerza elctrica
vesar la unin con un potencial menor y el emisor puede inyectar electrones
Recordad que la fuerza
a la base. Estos electrones la atraviesan y discurren hacia el colector, que los elctrica est dada por
~F = q~E, donde ~E representa el
colecta, ya que la unin base-colector puede ser atravesada gracias a la accin
campo elctrico y q, la carga
del campo elctrico (muy grande) que aparece en ella. Este campo elctrico que sufre el efecto del
campo. Entonces, si q < 0,
aparece debido a la existencia de una zona espacial de carga en la unin base-
como les pasa a los
colector que se incrementa por la conexin de una fuente externa. electrones, la fuerza elctrica
posee sentido contrario al
campo.
Es conveniente destacar que todo el proceso acaba creando una corriente elc-
trica a travs del dispositivo. La fuente externa tiene por misin proporcionar
al emisor los electrones que inyecta hacia la base. Segn el valor de las tensio-
nes VEE y VCC aplicadas, las barreras disminuirn o aumentarn ms o menos
y, por lo tanto, la colocacin de estas fuentes permite controlar el flujo de
electrones a travs del dispositivo.

Merece la pena detenerse un poco ms en dos puntos:

Qu hubiera pasado si las fuentes se hubieran conectado de forma inver-

sa? En este caso, se habra hecho ms grande la barrera de potencial entre
el emisor y la base, lo que habra hecho ms difcil el paso de electrones
a travs de la unin. Esto se debe a que la tensin proporcionada por la
fuente se habra sumado a la que crea la distribucin de cargas inicial y ha-
bra atrado ms electrones al otro lado de la unin. Como consecuencia, la
intensidad del campo elctrico y del potencial asociado habra aumentado.

Por otro lado, los electrones que pudieran llegar a la base no se precipita-
ran hacia el colector debido a que el campo elctrico en la unin base-
colector se habra debilitado. Por lo tanto, si se conectaran las fuentes de
forma inversa, se estara favoreciendo que el dispositivo funcione como un
aislante. De estas consideraciones, podis deducir el papel tan importan-
te que desempean las fuentes y, en general, los circuitos exteriores en el
comportamiento del transistor.

A los circuitos externos que permiten configurar el comportamiento del

transistor se les llama circuitos o redes de polarizacin.
CC-BY-SA PID_00170129 15 El transistor

La fuente de tensin conectada al emisor, la conectada al colector y la base

estn unidas entre s como se puede ver en la figura 7, es decir, ambas
fuentes tienen la base en comn.

Hechos estos comentarios, podemos seguir con los mecanismos de funciona-

miento del dispositivo. Nos habamos quedado en que los electrones pueden
atravesar la barrera entre el emisor y la base y continuar empujados por el
campo elctrico de la otra unin en su camino hacia el colector, lo que crea
as una corriente elctrica. Sin embargo, ste no es el nico fenmeno que
ocurre, ya que los electrones deben atravesar la base y sta influye en el com-
portamiento de la corriente generada. Y, qu pasa con la corriente de base?
De dnde sale? Lo vamos a ver a continuacin.

1.2.2. La influencia de la base

En este subapartado, vamos a ver cmo afecta la base al flujo de cargas dentro
del dispositivo. Cuando, en su camino hacia el colector, los electrones entran
en la base, pueden empezar a recombinarse con los huecos que hay en sta. Es
decir, pueden ir ocupando el espacio que han dejado vaco los huecos que han
migrado al emisor. De esta forma, no todos los electrones que han atravesado
la primera unin llegan a la segunda, sino slo una parte de ellos. Podis ver
este fenmeno representado en la figura 8. En ella, podis ver que, de todo
el flujo de electrones, una parte se recombina y otra llega al colector. A la
F se lee alfa sub efe.
proporcin de electrones que llega al colector se le llama F .

Figura 8. Recombinacin de los electrones en la base

Figura 8

IE P ++ IC Algunos de los electrones que

entran en la base se
E N ++ N C
recombinan con los huecos
++ que hay en sta y no
contribuyen al flujo de
corriente a travs del
Huecos Recombinacin dispositivo.
+
VEE IB VCC
+

A la proporcin de electrones que llegan al colector se le denota por F

y se le llama transferencia de electrones.

El valor de F est comprendido en el intervalo 0 F 1. Lo que interesa

es que este valor sea lo ms grande posible para que se pierdan en la base los
menos electrones posibles. En dispositivos reales, toma valores que pueden
ir desde 0,990 hasta 0,997. Para conseguir este valor de F tan cercano a la
unidad, es necesario hacer la base muy estrecha, as los electrones llegan al
CC-BY-SA PID_00170129 16 El transistor

colector ms fcilmente sin recombinarse. sta es, de hecho, una de las carac-
tersticas de la estructura bsica del BJT.

Por otro lado, al rebajarse la barrera de potencial entre el emisor y la base, es

decir al estar en la situacin mostrada en la figura 7, tambin existe un flujo de
huecos desde sta hacia el emisor, ya que ahora tambin es ms fcil para ellos
atravesar la barrera. El flujo de huecos reduce la corriente neta que atraviesa
la unin y, por lo tanto, nos interesa minimizarlo. Para ello, lo que se hace es
Ved tambin
dopar con mucha ms fuerza la parte del emisor que la de la base. Entonces,
el flujo de huecos hacia el emisor no disminuye, pero tan slo representa una En el mdulo El diodo.
Funcionamiento y
parte muy pequea del flujo total de carga. aplicaciones, se estudian los
tipos de dopaje y el concepto
de dopaje fuerte.
Podrais haber pensado que el BJT es un dispositivo simtrico en el sentido
en el que el papel del emisor y el colector son intercambiables. Sin embargo,
este dopaje mucho ms fuerte del emisor obliga a que los terminales estn
etiquetados adecuadamente, ya que su estructura fsica es diferente y, por lo
tanto, rompemos la simetra del dispositivo.

A modo de conclusin, el BJT est compuesto por tres zonas con dopa-
jes alternativos, emisor, base y colector, de tal forma que:

La base es muy estrecha en comparacin con el emisor y el colector.

El emisor est ms fuertemente dopado que la base y el colector.

Como hemos visto, el BJT posee tres terminales y las caractersticas de los do-
pajes en cada zona hacen que no sean intercambiables entre s. Por lo tanto, la
forma en la que el BJT est incluido en un circuito desempea un papel crucial
de cara a su comportamiento. A continuacin, veremos de qu formas pode-
mos incluir el BJT en circuitos elctricos o, dicho con otras palabras, cules
pueden ser las configuraciones del BJT.

1.3. Configuraciones del BJT

En general, en todos los circuitos de los que formen parte transistores BJT, los Circuitos de polarizacin
circuitos de polarizacin introducidos en el subapartado 1.2.1 compartirn un
Recordad que a los circuitos
terminal del transistor. Segn cul sea este terminal comn, se dice que el BJT externos que permiten
trabaja en una configuracin diferente. configurar el modo de
funcionamiento del transistor
. se les llama circuitos de
polarizacin.
El BJT se puede encontrar entonces en una de las siguientes configura-
ciones:

Base comn, si el terminal comn es la base.

Emisor comn, si el terminal comn es el emisor.
Colector comn, si el terminal comn es el colector.
CC-BY-SA PID_00170129 17 El transistor

Los transistores mostrados en el subapartado 1.2 para introducir la estructura

del BJT estaban en base comn, ya que las fuentes de tensin compartan la
tierra con la base, es decir tenan ese terminal comn. Para enfatizar el he-
cho de que uno de los terminales es comn y representarlo adecuadamente
en los esquemticos, lo que se hace habitualmente es duplicar el terminal co-
mn para que se vea explcitamente cmo se comparte entre los dos circuitos.
Entonces, pasamos de tener un elemento de tres terminales a tener uno de
cuatro, donde uno de los terminales est duplicado, es decir, es el mismo.

En la figura 9, podis ver un transistor BJT en configuracin de emisor comn

donde ya hemos usado la representacin circuital del BJT de tipo NPN intro-
ducida en la figura 4. Como podis ver en la figura 9, el terminal de emisor
est duplicado, por lo que dos terminales estn etiquetados como E en la fi-
gura 9. Adems, tambin se pueden apreciar los otros dos terminales que no
se comparten. Habitualmente, el terminal que est situado a la izquierda del
dibujo recibe el nombre de entrada del transistor y el que est situado a la
derecha recibe el nombre de salida.

Figura 9. Representacin de un BJT en Figura 9

emisor comn
Representacin de un BJT en
emisor comn. La entrada
C sera la base y la salida, el
colector.
B

E E

De la misma forma, las figuras 10 y 11 muestran la interpretacin de las con-

figuraciones de base y colector comn donde puede apreciarse el terminal
comn duplicado en cada caso.

Figura 10. Representacin de un BJT Figura 10

en base comn
Representacin de un BJT en
base comn. La entrada sera
el colector y la salida, el
C E emisor.

B B

Figura 11. Representacin de un BJT Figura 11

en colector comn
Representacin de un BJT en
colector comn. La entrada
E sera la base y la salida, el
emisor.
B

C C
CC-BY-SA PID_00170129 18 El transistor

La representacin del transistor como un elemento de cuatro termina-

les recibe con frecuencia el nombre de representacin en forma de
bipuerta. Una bipuerta es un elemento circuital que posee cuatro ter-
minales (dos por cada puerta) de modo que las intensidades y corrientes
en cada uno se pueden relacionar por medio de ecuaciones algebraicas.

Ahora que ya conocis la estructura fsica de un transistor BJT y las diferentes

configuraciones en las que se puede utilizar, vamos a ver un modelo elctrico
que nos permita analizar los circuitos donde aparezca el transistor. Esto se
consigue gracias a las caractersticas intensidad-voltaje del transistor.

1.4. Caractersticas intensidad-voltaje de un BJT

Hasta ahora, nos hemos fijado fundamentalmente en los procesos internos

que tienen lugar dentro del transistor y que definen las corrientes y voltajes
que aparecen entre sus terminales. Sin embargo, no hemos llegado a cuanti-
ficar estas variables de una forma que sea til despus para su integracin en
circuitos elctricos.

En este subapartado, vamos a introducir un modelo elctrico para el BJT. El

objetivo ltimo es obtener las ecuaciones que representan la caracterstica de
intensidad-voltaje (I-V) del dispositivo, es decir, las ecuaciones que ligan las
corrientes que entran por sus terminales con las tensiones a las que se encuen-
tra cada uno.

Dado que vamos a manejar tensiones, resulta necesario definir el convenio

para su descripcin.

Cuando escribamos un voltaje, ste dispondr de dos subndices:

el primero indica el terminal del que medimos el voltaje y

el segundo indica el terminal que acta como referencia para su me-
dida.

As, vCE indica que estamos midiendo el potencial del terminal colector
(C) con respecto al emisor (E).

Fijaos en que, de acuerdo con el criterio que acabamos de definir, se tiene que
vEC = vCE .
CC-BY-SA PID_00170129 19 El transistor

Las caractersticas I-V relacionarn las corrientes y voltajes entre s, pero antes
debemos tener claro de qu variables elctricas disponemos:

Las intensidades de base, de colector y de emisor IB , IC y IE mostradas en la

figura 12.
Los voltajes entre los terminales vCE , vEB y vBC .
Voltajes entre terminales

Figura 12. Corrientes en un transistor NPN vCE indica el potencial del

colector con respecto al
emisor, vEB indica el
vCE potencial del emisor con
respecto a la base y vBC
representa el potencial de la
base con respecto al colector.
IE IC
E N P N C

Figura 12
IB
vEB vBC Representacin del criterio
habitual de corrientes en un
B transistor BJT de tipo NPN.

Sin embargo, no todas las variables de corriente que acabamos de mencionar Ley de Kirchhoff de las
corrientes
son independientes entre s, ya que se debe satisfacer la ley de Kirchhoff de
las corrientes aplicada al BJT. Esta ley implica que la suma de intensidades que La ley de Kirchhoff de las
corrientes dice que la suma
entran debe ser igual a la suma de intensidades que salen del dispositivo y, por de las corrientes que entran
lo tanto, segn la figura 12 se tiene que: en un nodo es igual a la suma
de las corrientes que salen de
l. Es decir, para cualquier
nodo:
IC + IB = IE (1) X X
Ientrada = Isalida

De la misma forma, todos los potenciales son dependientes entre s debido a Ved tambin
que la segunda ley de Kirchhoff o ley de las tensiones implica que la suma de
La ley de Kirchhoff de las
cadas de potencial en un camino cerrado debe ser cero. Por lo tanto,
corrientes se estudia con ms
detalle en el anexo de la
asignatura.
vCE + vEB + vBC = 0 (2)

Ley de Kirchhoff de las

tensiones
De las ecuaciones 1 y 2, podis deducir que, conocidas dos intensidades, po-
dis despejar la tercera y lo mismo para los voltajes. As pues, tenemos di- La ley de Kirchhoff de las
tensiones dice que, si
ferentes opciones para elegir cmo vamos a construir las caractersticas I-V seguimos un camino cerrado
buscadas en funcin de qu intensidad y qu voltaje elijamos para despejar de en un circuito, la suma de
todas las tensiones vale 0 V.
las ecuaciones 1 y 2, respectivamente.

Normalmente, se despeja de la ecuacin 1 aquella intensidad correspondiente

al terminal comn. Si por ejemplo el terminal comn es la base, entonces:
CC-BY-SA PID_00170129 20 El transistor

En un inicio, determinamos el valor de las corrientes de los otros termina-

les IE e IC .
Luego, despejamos el valor de IB a partir de la ecuacin 1.

De forma anloga, se elige el terminal comn como punto desde el cual me-
dir voltajes. As, si trabajamos en base comn, los voltajes que debemos medir
sern el del colector con respecto a la base, vCB , y el del emisor con respecto a
la base, vEB . Entonces se despeja de la ecuacin 2 el que falta.

Actividad

Si trabajsemos en emisor comn, cul sera el terminal de referencia para los voltajes?
Por lo tanto, qu voltajes tendramos que conocer y cul calcularamos despus? Cules
seran las intensidades conocidas y cul la calculada?

Dado que disponemos de diferentes alternativas para la eleccin de las varia-

bles elctricas, tambin existirn diferentes ecuaciones caractersticas intensi-
dad-voltaje del dispositivo en funcin de qu variables elijamos para despejar
de las ecuaciones 1 y 2 o, dicho de otra forma, del terminal que escojamos co-
mo comn. Para encontrar las diferentes alternativas a las caractersticas I-V
del dispositivo, seguiremos los siguientes pasos:

1) En primer lugar, elegiremos una alternativa concreta y obtendremos las

ecuaciones caractersticas correspondientes.

2) A partir de stas, seremos capaces de obtener las ecuaciones correspondien-

tes al resto de posibilidades a partir de las ecuaciones 1 y 2.

Comenzaremos con el primer punto obteniendo las caractersticas I-V para el

transistor en base comn. Despus, mostraremos a modo de ejemplo cmo
encontrar las caractersticas con respecto a otro terminal comn, que ser el
de emisor.

1.4.1. Caractersticas I-V en base comn

Supongamos que trabajamos con el BJT en la configuracin de base comn.

En este subapartado, vamos a hallar la caracterstica I-V del dispositivo, que
consiste en conocer la ecuacin que relaciona las intensidades que es necesario
conocer, IE e IC , en trminos de los potenciales que se miden, vCB y vEB . Es decir,
buscamos una relacin de la forma:

(IE ,IC ) = f (vEB ,vCB ) (3)

Notacin de funciones

La notacin y = f (x) indica que la variable y es una funcin de la variable x y se dice que
y es funcin de x. En ocasiones, se utiliza la propia variable y para denotar a la funcin y
CC-BY-SA PID_00170129 21 El transistor

se escribe y = y(x). Del mismo modo, (IE ,IC ) = f (vEB ,vCB ) indica que las variables IE e IC
sern, cada una, dependientes de ambas tensiones, (vEB ,vCB ).

La ecuacin 3 se puede representar de una manera ms prctica por medio de

las dos ecuaciones siguientes:

IE = IE (vEB ,vCB ) (4)

IC = IC (vEB ,vCB ) (5)

Las ecuaciones 4 y 5 se interpretan de la siguiente forma. Si fijamos un valor

para vEB y otro para vCB , entonces la ecuacin 4 devuelve el valor que corres-
ponde a IE y la ecuacin 5, el que corresponde a IC . Una forma de entender
mejor el significado de estas ecuaciones es realizar su representacin grfica,
que est mostrada en la figura 13.

Figura 13. Representacin de las superficies de las caractersticas I-V Figura 13

IC IE Representacin grfica de las

intensidades de colector y de
Valor de IC Valor de IE
Punto emisor como dos superficies
que permiten calcular el valor
Punto
de las corrientes a partir del
de las tensiones.

vEB vEB

vCB vCB

Como veis, disponemos de dos ecuaciones y cada una depende de dos va- Definicin de superficie
riables, vEB y vCB . Esto significa que su representacin grfica consiste en dos
Las ecuaciones 4 y 5 definen
superficies, una por cada ecuacin. dos superficies, ya que, para
cada par de valores de
tensin, existe un punto del
En la figura 13, podis ver representadas estas superficies. En dos ejes, vemos espacio correspondiente al
valor de intensidad. La unin
los voltajes y en cada uno de los ejes verticales vemos las intensidades. De esta
de estos puntos define una
forma, a cada par ordenado (vEB ,vCB ) le corresponde un nico valor de IC y IE . superficie en el espacio.
Lo que intentaremos lograr en este subapartado es encontrar las ecuaciones
que definen estas superficies, es decir, dar una expresin concreta para las
ecuaciones 4 y 5.

Para obtener la forma concreta de las ecuaciones 4 y 5, partiremos del hecho

expuesto en el subapartado 1.1 por el que el transistor BJT no es ms que
dos uniones PN opuestas ms un fenmeno de interaccin entre ellas que se
llam transferencia de electrones en el subapartado 1.2.2. Esta transferen-
CC-BY-SA PID_00170129 22 El transistor

cia de electrones da cuenta del acoplamiento entre las uniones debido a los
electrones que salen del emisor, pasan por la base y llegan hasta el colector.

Bajo esta concepcin, Ebers y Moll presentaron en 1954 un modelo del com-
portamiento elctrico del BJT que result ser especialmente bueno para la des-
cripcin del funcionamiento del dispositivo. De esta forma, obtuvieron un
esquema elctrico que representaba al transistor en los circuitos donde apare-
ca y permita realizar su anlisis circuital.

En este punto, debis tener en cuenta que la visin que ofrecemos del com-
portamiento interno del BJT es realmente simplificada y que, como en to-
do dispositivo de estado slido, los fenmenos en su interior son mltiples.
Sin embargo, esta concepcin del transistor representa un buen modelo para
su caracterizacin elctrica. Ahora, vamos a introducir el modelo elctrico de
Ebers-Moll y dispondremos as de las ecuaciones que ligan las variables elc-
tricas entre s.

Modelo elctrico de Ebers-Moll

El modelo elctrico de Ebers-Moll consiste en un circuito equivalente del tran-

sistor formado por elementos ms sencillos y que representa desde el punto
de vista de los terminales su comportamiento elctrico. Este modelo est re-
presentado por el circuito de la figura 14 y consta de dos partes, una por cada
unin PN entre emisor-base (parte 1) y base-colector (parte 2).

Figura 14. Circuito correspondiente al modelo de Ebers-Moll Figura 14

Circuito elctrico que

aRIDC aFIDE representa el modelo de
Ebers-Moll del
IE IC comportamiento del BJT.
Vemos que hay dos diodos: el
E C diodo de emisor por el que
D1 D2 circula una corriente IDE y el
diodo de colector con una
corriente IDC . Los subndices
IDE IB IDC hacen referencia a que se
trata de una corriente que
pasa por el diodo respectivo,
B
Parte 1 Parte 2 diodo emisor y diodo
colector.

Podemos identificar los siguientes elementos:

Dos diodos opuestos, D1 y D2 , que hacen referencia a las dos uniones PN Ved tambin
de las que consta el dispositivo.
Los diodos y la unin PN se
estudian en el mdulo El
Una fuente de corriente de valor F IDC que representa el efecto de acopla- diodo. Funcionamiento y
aplicaciones.
miento entre uniones expuesto en el subapartado 1.1.
CC-BY-SA PID_00170129 23 El transistor

Una fuente de corriente de valor R IDE que representa los efectos de aco- F se lee alfa sub efe.
plamiento entre uniones cuando la polarizacin de las fuentes de continua R se lee alfa sub erre.

(tambin llamadas bateras) de la figura 7 se invierte. En este caso, el flu-

jo de electrones cambia de sentido y, por este motivo, el parmetro R se
llama coeficiente de transferencia inverso.

El parmetro R recibe el nombre de coeficiente de transferencia in-

verso.

La geometra del dispositivo est optimizada para una transferencia directa

grande, como mencionamos en el subapartado 1.1 y, por lo tanto, el valor de
R suele ser pequeo, del orden de 0,05.

A partir de la figura 14, podremos deducir el modelo elctrico del BJT a partir
de la ley de Kirchhoff de corrientes aplicada al emisor (parte 1) y al colector
(parte 2). As, para el colector tenemos:

IC = F IDE IDC (6)

A continuacin, sustituimos en 6 las expresiones para IDE e IDC para la carac- Ved tambin
terstica I-V del diodo:
Las expresiones para IDE e
IDC se estudian en el
mdulo 1.
I = I0 (ev/VT 1) (7)

donde I es la intensidad que circula por el diodo y v representa la diferencia Voltaje trmico

de potencial entre sus extremos. Asimismo, VT es el llamado voltaje trmico e

El voltaje trmico est dado
I0 es la corriente inversa de saturacin. El resultado es el siguiente: por VT = kT q
donde T es la
temperatura en kelvin, k es la
constante de Boltzmann de
valor 1,38 1023 julios/kelvin
IC = F IES (evEB /VT 1) ICS (evCB /VT 1) (8)
y q es la carga del electrn en
valor absoluto.
donde:
Corriente inversa de
saturacin
F es la transferencia directa a travs de la base.
La corriente inversa de
saturacin es la corriente
IES e ICS son las corrientes de saturacin inversa de las respectivas unio-
constante y pequea que
nes PN. Como ambas uniones forman parte del mismo bloque de material circula a travs del diodo
cuando ste se encuentra
semiconductor, existe una relacin entre ellas y los coeficientes de transfe-
polarizado en inversa.
rencia de tal forma que

Ved tambin
F IES = R ICS = IS (9)
La corriente inversa de
saturacin se estudia en el
mdulo El diodo.
Esta relacin se dice que es una relacin de reciprocidad. Funcionamiento y
aplicaciones de esta
asignatura.
CC-BY-SA PID_00170129 24 El transistor

vEB y vCB son los potenciales del emisor y del colector medidos desde la
base. Es decir, la cada de potencial entre emisor-base y colector-base res-
pectivamente.

VT es el voltaje trmico de la unin PN y que a 25 C toma un valor apro- Ved tambin

ximado de 26 mV.
La unin PN se estudia en el
mdulo El diodo.
Funcionamiento y
De esta forma, hemos obtenido la ecuacin 5 y una primera aproximacin
aplicaciones.
al modelo elctrico del BJT. Para obtener la ecuacin 4, que corresponde al
valor de IE , podemos partir, de nuevo, de la ley de Kirchhoff de corrientes
aplicada al emisor (parte 1) y sustituir las expresiones de la caracterstica de
los diodos dadas por la ecuacin 7 de la misma forma que acabamos de hacer.
El resultado final es el siguiente:

IE = IES (evEB /VT 1) R ICS (evCB /VT 1) (10)

donde R representa el coeficiente de transferencia inversa a travs de la base

y el resto de parmetros tiene el mismo significado que en la ecuacin 8. Esta
ecuacin completa junto a 8 las ecuaciones que definen la caracterstica I-V
del BJT en base comn.

La caracterstica I-V del BJT en base comn est definida por las ecua-
ciones:

IC = F IES (evEB /VT 1) ICS (evCB /VT 1) (11)

IE = IES (evEB /VT 1) R ICS (evCB /VT 1) (12)

donde:

vEB y vCB son las tensiones respectivas del emisor y colector medidas
desde la base.
IES e ICS son los valores de la corriente inversa de saturacin de un
diodo.
VT es el voltaje trmico de la unin PN que ya visteis en el mdulo
El diodo. Funcionamiento y aplicaciones y que a 25 C toma un
valor aproximado de 26 mV.
F y R representan la transferencia directa e inversa de electrones
respectivamente.

Actividad

Obtened la ecuacin 10 a partir de la caracterstica del diodo y de la ley de Kirchhoff de

corrientes como hemos hecho para la ecuacin 8.
CC-BY-SA PID_00170129 25 El transistor

A pesar de obtenerse a partir de un modelo simplificado, las ecuaciones de

Ebers-Moll 8 y 10 capturan tan bien el comportamiento del transistor que
pueden utilizarse tambin cuando las polarizaciones de las fuentes externas
son arbitrarias. Es decir, cuando los polos positivo y negativo de ambas fuentes
estn situados de un modo totalmente diferente con respecto al indicado en
la figura 7.

Una vez que ya tenemos las ecuaciones que describen el comportamiento del
transistor con un terminal comn, podemos obtener las ecuaciones corres-
pondientes al resto de terminales comunes de un modo sencillo. A modo de
ejemplo, veamos cmo quedan las ecuaciones en modo emisor comn.

1.4.2. Ecuaciones en emisor comn

Las ecuaciones del BJT en modo emisor comn se pueden obtener a partir de
las ecuaciones 8 y 10 mediante el uso de las ecuaciones 1 y 2.

Las ecuaciones que describen el comportamiento del transistor BJT en

emisor comn son:

IB = (1 F )IES (evBE /VT 1) + (1 R )ICS (e(vBE vCE )/VT 1) (13)

IC = F IES (evBE /VT 1) ICS (e(vBE vCE )/VT 1) (14)

donde:

vBE y vCE son las tensiones respectivas de la base y colector medidas

desde el emisor.
IES e ICS son los valores de la corriente inversa de saturacin de un
diodo.
VT es el voltaje trmico de la unin PN que ya visteis en el mdulo
El diodo. Funcionamiento y aplicaciones y que a 25 C toma un
valor aproximado de 26 mV.
F y R representan la transferencia directa e inversa de electrones
respectivamente.

Actividad

Como ejercicio, podis deducir vosotros mismos las ecuaciones 13 y 14. Las ecuacio-
nes 13 y 14 se pueden obtener despejando IB de la ecuacin 1 y sustituyendo las tensiones
por las nuevas variables de tensin mediante la ecuacin 2.

A pesar de que disponemos de las ecuaciones matemticas que describen el

comportamiento del BJT, suele ser habitualmente mucho ms intuitivo reali-
zar su representacin grfica. De esta forma, se puede apreciar en un vistazo
CC-BY-SA PID_00170129 26 El transistor

el comportamiento del BJT. En el siguiente subapartado, vamos a abordar la

representacin grfica de las caractersticas del BJT.

1.4.3. Representacin grfica de las caractersticas I-V

Como hemos mencionado en el subapartado 1.4.1 al hablar de las ecuacio-

nes 4 y 5, stas representan superficies. En lugar de dibujar estas superficies
en un espacio tridimensional, se recurre a una representacin bidimensional
que permite manejar las caractersticas de un modo ms sencillo y da lugar a
resultados intuitivos ms claros. A modo de ejemplo, consideremos ahora las
ecuaciones del BJT en modo de emisor comn presentadas en el subaparta-
do 1.4.2.

Para obtener la representacin bidimensional de las caractersticas, se dibuja

IC e IB frente a vCE para diferentes valores constantes de vBE . De esta forma, se
tienen dos familias de grficas bidimensionales que indican el comportamien-
to de estas ecuaciones de un modo ms intuitivo que una superficie.

En la figura 15, podis ver cmo quedara esta representacin grfica. Vemos
que en el eje horizontal estn dispuestos los valores de vCE , mientras que en el
eje vertical estn los de las corrientes IC e IB .

Figura 15. Caractersticas I-V bidimensionales del BJT. Figura 15

IC IB Representacin de las
caractersticas del transistor
vBE1 en dos grficos
bidimensionales en lugar de
vBE2 mediante dos superficies.
vBE3
vBE3
vBE2
vBE1 < vBE2 < vBE3 vBE1 < vBE2 < vBE3
vBE1
vCE vCE

En el cuerpo de cada grfica, vemos un conjunto de lneas. Cada una de estas

lneas est asociada a un valor constante diferente de vBE . Para obtener cada
una de las curvas, lo que se hace es considerar el valor constante de vBE elegido
y sustituirlo en las ecuaciones 13 y 14. Entonces, vBE deja de ser una variable
y las ecuaciones 13 y 14 pasan a ser ecuaciones con una nica variable in-
dependiente, vCE . Cada una de estas ecuaciones se puede dibujar en un plano
bidimensional. Cuando se repite este procedimiento para diferentes valores de
vBE , se obtienen las diferentes curvas como las que podis ver en la figura 15.
En esta figura, los valores de vBE son tales que vBE1 < vBE2 < vBE3 . Estas grficas
son ahora ms fcilmente manejables que las superficies.
CC-BY-SA PID_00170129 27 El transistor

Aun as, en lugar de recurrirse a dos grficas, muchas veces se representa el

comportamiento del BJT en slo una. Es decir, lo que se hace es representar
IC frente a vCE para diferentes valores de IB . As, en una sola grfica podemos
ver simultneamente cunto vale IB , vCE y la corriente IC . Para ello, se elige un
conjunto de valores de IB . Para cada uno de ellos, se lleva a cabo el siguiente
procedimiento:

1) Eleccin de vCE . Se toma un conjunto de valores para vCE .

2) Obtencin de vBE . Para cada valor de vCE , se despeja el de vBE de la ecua-

cin 13.

3) Clculo de IC . El valor de vBE se sustituye en la ecuacin 14 para calcular IC .

4) Representacin de IC . Finalmente, se representa el valor de IC frente a vCE

para el correspondiente valor de IB .

Hagamos este procedimiento con un poco ms de detalle.

1) Eleccin de vCE . En primer lugar, seleccionamos un conjunto de valores

de vCE a nuestra eleccin.

2) Obtencin de vBE . A continuacin, debemos despejar vBE de la ecuacin 13

suponiendo que conocemos IB y vCE . Para ello, partimos de la ecuacin 13:

IB = (1 F )IES (evBE /VT 1) + (1 R )ICS (e(vBE vCE )/VT 1) (15)

Despus, agrupamos en un nico trmino la variable que queremos despejar,

que es vBE . En primer lugar, quitamos parntesis:

IB = (1 F )IES evBE /VT (1 F )IES +

+(1 R )ICS e(vBE vCE )/VT (1 R )ICS (16)

En segundo lugar, separamos la exponencial en producto de exponenciales:

Propiedades de la
exponencial
IB = (1 F )IES evBE /VT (1 F )IES +
Recordad que la funcin
exponencial satisface
+(1 R )ICS evBE /VT evCE /VT (1 R )ICS (17) ex+y = ex ey , para cualesquiera
nmeros reales x e y.

Para finalizar, agrupamos los trminos que contienen la exponencial buscada:

IB = (1 F )IES + (1 R )ICS evCE /VT evBE /VT

(1 F )IES (1 R )ICS (18)

CC-BY-SA PID_00170129 28 El transistor

Ahora que ya tenemos la variable vBE en una nica posicin, procedemos a

despejarla de la ecuacin 18. Comenzamos por despejar la exponencial:

IB + (1 F )IES + (1 R )ICS
evBE /VT = (19)
(1 F )IES + (1 R )ICS evCE /VT

y finalmente, si tomamos logaritmos, tenemos:

IB + (1 F )IES + (1 R )ICS
vBE = VT ln (20)
(1 F )IES + (1 R )ICS evCE /VT

De donde hemos despejado el valor de vBE .

3) Clculo de IC . Para cada valor prefijado de IB , se calcula el valor de vBE por

medio de la ecuacin 20. Una vez se conocen vBE y vCE , se sustituyen en 14 y
se calcula IC .

4) Representacin de IC . Finalmente, se representa el valor en una grfica de

IC frente a vCE .

Un ejemplo de esta grfica est en la figura 16.

Figura 16. Caracterstica I-V de un BJT Ejemplo numrico

A modo de ejemplo, podis

IB1 < IB2 < IB3 < IB4 < IB5
seguir vosotros mismos este
IC proceso de forma numrica
en una hoja de clculo con
IB5 objeto de que podis
representar vosotros mismos
IB4
estas curvas.
IB3
IB2
IB1 IB1
Figura 16
vCE
Representacin de la
caracterstica del BJT en una
IB5 sola grfica. De hecho, sta
es la forma habitual de
presentar las caractersticas
de un BJT.

En la figura 16, podis ver cmo aparece la relacin entre IC y vCE para dife-
rentes valores de la corriente de base IB con IB1 < IB2 < IB3 ... De esta forma,
ambas corrientes se pueden leer de la misma grfica y disponemos de una
representacin de las caractersticas del BJT mucho ms sencilla de manejar.

En muchas ocasiones, se aproxima el comportamiento real del transistor, aso- Lineal a tramos
ciado a las ecuaciones no lineales del diodo, para obtener un modelo ms sen-
Un modelo se dice que es
cillo que sea lineal a tramos. En este caso, la grfica de la figura 16 se convierte lineal a tramos cuando est
compuesto por diferentes
en la de la figura 17.
tramos rectos unidos entre s.
CC-BY-SA PID_00170129 29 El transistor

Figura 17. Caracterstica aproximada I-V de un BJT

Zona lineal
Figura 17
IC

Activa directa Modelo simplificado de la

caracterstica del BJT en el
Corte IB = 0 que se han sustituido las
curvas por tramos rectos
vCE,sat vCE unidos entre s y que dan
Activa lugar a un modelo lineal a
inversa tramos. En l, se pueden ver
Saturacin
las cuatro regiones de
operacin del BJT: activa
directa, activa inversa,
saturacin y corte.

En la figura 17, se puede apreciar cmo el tramo de subida del primer cuadran-
te se ha sustituido por una lnea recta que recoge el hecho de que la corriente
es pequea para valores pequeos de la tensin vCE . Adems, se ha unificado
la tensin a partir de la cual la caracterstica de transistor es plana. Es decir, se
ha dibujado una lnea vertical de donde salen todas las dems lneas horizon-
tales que aparecen en el primer cuadrante. Al valor de la tensin vCE a partir
del cual ocurre esto se le llama tensin de saturacin, vCE,sat , y para transistores
de silicio tiene un valor aproximado de vCE,sat 0,2 V.

En la figura 17, tambin podis apreciar la gran variedad de comportamientos

que puede exhibir el BJT: desde un comportamiento lineal para valores peque-
os de vCE hasta una saturacin para valores vCE > vCE,sat . Esto se debe a la no
linealidad de las ecuaciones que describen su caracterstica I-V. En concreto,
podemos distinguir los siguientes comportamientos para el BJT:

Por un lado, el eje de las abscisas (el eje horizontal) representa la caracte-
rstica del transistor cuando IB = 0 e indica que IC = 0 independientemente
del valor de la tensin vCE ; entonces no hay corriente a travs el dispositivo
y se dice que el transistor est en corte.

Las rectas horizontales del primer cuadrante representan un valor de IC , re-

lacionado con un valor de IB , que no cambia con vCE ; decimos que el tran-
sistor est en activa directa. Fijaos en que ste es precisamente el principal
inters del transistor, que el valor de IC est controlado por el valor de IB .

Las rectas horizontales del tercer cuadrante representan un comportamien-

to que bsicamente es el mismo que en activa directa, pero con las corrien-
tes cambiadas de signo. Por eso, se dice entonces que el transistor est en
activa inversa.

La recta vertical corresponde al valor de vCE,sat 0,2 V. Sobre esta recta,

para ese valor constante de tensin, se consiguen diferentes valores de IC
en funcin de la corriente IB . Se dice entonces que el transistor est en
saturacin.

Como veis, las figuras 16 y 17 capturan el abanico de modos de operacin del

transistor y proporcionan el marco intuitivo para entender el comportamiento
CC-BY-SA PID_00170129 30 El transistor

del BJT. Cada uno de estos comportamientos recibe comnmente el nombre

de regin de operacin, ya que cada comportamiento slo se produce en un
cierto rango de valores de sus variables elctricas.

Se denomina regin de operacin a cada uno de los modos de com-

portamiento que puede tener el BJT.

En conclusin, el transistor se puede comportar de maneras muy diferentes y,

para poder entender bien sus aplicaciones en circuitos electrnicos, es necesa-
rio que nos detengamos con un poco ms de detalle en sus diferentes formas
de operacin. Esto es lo que vamos a hacer a continuacin con el anlisis de
sus regiones de operacin.

1.5. Anlisis de las regiones de operacin del BJT

Como hemos visto en el subapartado 1.4.3, el BJT exhibe comportamientos

muy diferentes que definen diferentes regiones de operacin. En este subapar-
tado, vamos a analizar con un poco ms de detalle cmo es su comportamien-
to en cada una de ellas.

De hecho, cada regin de operacin est caracterizada por la forma en la que Polarizar

estn conectadas las fuentes de continua exteriores que definan los circuitos Polarizar un circuito significa
de polarizacin introducidos en el subapartado 1.2.1. Dado que tenemos dos aadir fuentes de tensin en
determinados puntos de un
fuentes de tensin externas, tenemos cuatro posibles tipos de polarizaciones circuito para que elementos
en funcin de la orientacin de cada una de ellas. De esta forma, se distinguen circuitales cercanos a ellos
dispongan en sus terminales
las cuatro regiones diferentes de funcionamiento del BJT. de un determinado nivel de
tensin.

Podis apreciar en la figura 18 que la polarizacin de las fuentes exteriores

determina el signo de las diferencias de potencial vEB y vCB . A partir de ellas,
podrais construir la tabla 1, que recoge las cuatro diferentes posibilidades en
funcin del signo de cada una de ellas.

Figura 18. Fuentes de tensin externas Figura 18

ZCE ZCE BJT con unas fuentes de

tensin externas conectadas.
++ La forma en la que estn
IE IC
conectadas estas fuentes es la
E N P ++ N C que determina el signo de las
tensiones vEB y vCB .
++

+
VEE IB VCC
+

B
CC-BY-SA PID_00170129 31 El transistor

Tabla 1. Regiones del funcionamiento del BJT

Caso Nombre del modo de
Tensin base-emisor Tensin base-colector funcionamiento
I vBE V vBC V activo directo
II vBE V vBC V activo inverso
III vBE V vBC V corte
IV vBE V vBC V saturado

Como podis observar en la tabla 1, el parmetro que distingue entre los di- Tensin umbral

ferentes tipos de polarizacin no es cero sino la tensin V , que representa la La tensin umbral de un
tensin umbral de la curva caracterstica del diodo. La tensin umbral diferen- diodo es el valor de potencial
a partir del cual empieza a
cia la situacin de conduccin y de corte de cada una de las dos uniones PN circular una corriente
que conforman el transistor. Esta tensin depende del tipo de material semi- apreciable por el diodo. Es la
tensin que aparece en los
conductor con el que se ha fabricado el diodo y que para el silicio suele estar modelos lineales estudiados
en torno a V 0,7 V. en el mdulo El diodo.
Funcionamiento y
aplicaciones.
En este subapartado 1.5, vamos a estudiar con detalle qu comportamiento
tiene el transistor en cada uno de estos modos de funcionamiento. Sin em- El smbolo a b indica que a
tiene un valor muy parecido a b.
bargo, es interesante resaltar aqu el hecho de que el comportamiento del
transistor es cualitativamente muy diferente en cada una de las regiones. Por
lo tanto, en los circuitos basados en transistores deberemos tener muy presen-
te en qu regin est actuando el dispositivo para comprender intuitivamente
el funcionamiento del circuito completo. De ah que en este subapartado nos
vayamos a detener con detalle en ellas.

Las regiones de inters de la tabla 1 de cara al diseo de circuitos son bsi-

camente las que se corresponden a activa directa, corte y saturacin. El fun-
cionamiento del transistor en la regin de activa inversa es similar (aunque
con alguna diferencia debido a que el emisor est ms fuertemente dopado
que el colector) al de activa directa pero haciendo que el emisor y colector
intercambien sus papeles. As que nos vamos a restringir a estas tres regiones.

Para cada una de las regiones podremos simplificar las ecuaciones no lineales
del transistor y obtener una versin reducida de las mismas aplicable en su
regin que nos permitan entender intuitivamente qu hace el BJT en cada una
de ellas. Comenzaremos el estudio por la regin activa directa y proseguiremos
por las regiones de corte y saturacin.

1.5.1. Regin activa directa

El BJT se encuentra en la regin activa directa cuando vBE V y vBC V . Para Relacin de reciprocidad
simplificar las ecuaciones 8 y 10, podis empezar escribindolas nicamente
Recordad que la relacin de
en trminos de IS y F a travs de la relacin de reciprocidad introducida en la reciprocidad viene dada por
ecuacin 8. As, el nmero de constantes independientes en las ecuaciones 8 la ecuacin F IES = R ICS = IS
donde ICS e IES son las
y 10 disminuye y son ms fciles de manejar. As, las ecuaciones 8 y 10 se corrientes inversas de
convierten en: saturacin de los diodos que
componen el modelo de
Eberss-Moll.
CC-BY-SA PID_00170129 32 El transistor

IS vCB /VT
IC = IS (evEB /VT 1) (e 1) (21)
R

IS vEB /VT
IE = (e 1) IS (evCB /VT 1) (22)
F

En la regin activa directa evEB /VT es habitualmente mucho mayor que la uni-
dad y por lo tanto podemos simplificar (evEB /VT 1) a nicamente evEB /VT ,
mientras que evCB /VT es mucho ms pequeo que la unidad y, por lo tanto,
(evCB /VT 1) es aproximadamente 1. Es decir, haremos que:

Exponenciales
(evEB /VT 1) evEB /VT (23)

Recordemos el
(evCB /VT 1) 1 (24) comportamiento de las
exponenciales. Cuando
x se tiene que:
ex
Con estas aproximaciones, podemos reescribir las ecuaciones 21 y 22 en la ex 0.
siguiente forma ms simplificada:

IS
IC IS evEB /VT + (25)
R

IS vEB /VT
IE e + IS (26)
F

De hecho, los sumandos de la derecha de ambas ecuaciones son mucho ms

pequeos que los primeros debido a que las corrientes de saturacin inversa
de los diodos suelen ser muy pequeas:

IS
<< IS evEB /VT (27)
R

IS vEB /VT
IS << e (28)
F

Por lo tanto, estas corrientes se pueden despreciar para obtener el modelo

simplificado del BJT en la regin activa directa:

IC IS evEB /VT (29)

IS vEB /VT
IE e (30)
F

que implica que

IC = F IE (31)

Ahora que ya tenemos las corrientes de colector y emisor, podemos hallar el

valor de la corriente que falta, IB , aplicando la ecuacin 31 y la ley de Kirchhoff
de corrientes, IE = IB + IC segn la figura 2:
CC-BY-SA PID_00170129 33 El transistor

IB = IE IC = IE F IE = (1 F )IE (32)

Si utilizamos ahora la ecuacin 30 para IE , llegaremos finalmente a:

(1 F )IS vEB /VT

IB = e (33)
F

que junto con las ecuaciones 29 y 30 completa el modelo elctrico del BJT en
la regin activa directa.

El modelo simplificado del BJT vlido para la regin activa directa est
definido por:

IC = IS evEB /VT (34)

IS vEB /VT
IE = e (35)
F

(1 F ) vEB /VT
IB = IS e (36)
F

donde:

IS = F IES = R ICS
IES e ICS son corrientes de saturacin inversa de los diodos del modelo
de Ebers-Moll.
F y R son los coeficientes de transferencia inversa y directa.
kT
VT = q es el potencial trmico donde k es la constante de Boltz-
mann, T es la temperatura y q es la carga del electrn en valor abso-
luto.

En este punto, es importante que os deis cuenta de que las ecuaciones 34-
Ecuaciones lineales
36 son ecuaciones no lineales y que, por lo tanto, el comportamiento del
BJT en esta regin no es lineal. Para muchas aplicaciones, sin embargo, es Una ecuacin es lineal
cuando la relacin entre sus
suficiente con utilizar una aproximacin lineal de las ecuaciones 34-36. Una variables es de la forma
y = ax, donde a es una
de estas aplicaciones es la amplificacin de pequea seal, que ser tratada
constante.
en el apartado 2, donde estudiaremos el modelo lineal aproximado en esta
regin.

De esta forma, ya hemos obtenido las ecuaciones que describen el BJT en

la regin de activa directa. En esta regin, el BJT presenta dos aspectos muy
importantes que vamos a estudiar a continuacin y que sern muy tiles a
la hora de resolver circuitos elctricos en los que el BJT est en su regin de
activa directa:
CC-BY-SA PID_00170129 34 El transistor

Un valor prcticamente constante de vBE .

Una relacin sencilla entre todas las corrientes del dispositivo.

Comenzaremos estudiando el valor de vBE y, despus, la relacin entre las

corrientes.

Valor constante de vBE en activa directa

En este subapartado, vamos a calcular cunto vale vBE cuando el BJT est fun-
cionando en la regin de activa directa. Para obtener su valor, partiremos de
la ecuacin 20 repetida aqu por comodidad:

IB + (1 F )IES + (1 R )ICS
vBE = VT ln (37)
(1 F )IES + (1 R )ICS evCE /VT

La ecuacin 37 permite calcular el valor de vBE a partir de los valores de vCE

e IB . Esta ecuacin define a una funcin de dos variables y su representacin
grfica es, por lo tanto, una superficie.

No obstante, lo que haremos ser calcular vBE en funcin de vCE para diferentes
valores constantes de IB y realizar su representacin grfica. De esta forma,
podremos representar la ecuacin 37 en un grfico bidimensional.

El rango de valores de vCE que usaremos es vCE > 0,2 V puesto que, como
vimos al analizar la figura 17, ese rango es el que caracteriza la regin activa
directa. Al realizar la representacin grfica de 37 para diferentes valores de
la corriente de base, se obtiene la figura 19. Cada una de las lneas que veis
dibujadas se corresponde con un valor diferente de IB .

Figura 19. Valor de vBE en activa directa Figura 19

0,75 IB Representacin del valor de

5
vBE en funcin de vCE para
vBE ..
. diferentes valores constantes
0,7 de IB . Por lo tanto, cada una
IB
2 de las lneas que veis
representa un valor diferente
de la corriente de base. Todas
0,65
ellas estn en torno al valor
IB1 de 0,7 V.

0,6

0,55

0,5
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
vCE
CC-BY-SA PID_00170129 35 El transistor

En la figura 19, podis ver que el voltaje vBE :

1) Es constante en todo el rango de valores de vCE .

2) Tiene un valor diferente segn cul sea el valor de la corriente de base IB

pero que no es una diferencia importante, ya que todas estn en torno a los
0,7 V.

El valor en torno al cual estn las grficas depende del dispositivo, ya que est
relacionado con las corrientes inversas de saturacin y con los coeficientes
de transferencia directa e inversa (F y R ). En este caso, ha salido de 0,7 V
debido a que se estaban utilizando los datos para el silicio en la ecuacin 37.
Para otros materiales, este valor ser diferente. Por ejemplo, para el germanio,
que es otro material semiconductor tpico, es de 0,2 V. Dado que la variacin
de vBE con IB es pequea, podemos suponer en una primera aproximacin que
vBE tiene el mismo valor de 0,7 V independientemente de IB .

Estas caractersticas de vBE en la regin de activa directa son muy importantes

ya que, en lugar de tener que calcular vBE al llevar a cabo el anlisis del circuito,
podemos suponerla conocida de antemano y utilizarla como tal para resolver
el circuito.

El valor de vBE en un BJT operando en la regin de activa directa es

constante con vCE . Adems, supondremos que vBE no depende de IB y
que para el silicio toma el valor de vBE = 0,7 V y para el germanio de
vBE = 0,2 V.

Una vez que hemos analizado el comportamiento de vBE , pasemos a estudiar

la relacin entre las corrientes del BJT en la regin de activa directa.

Relacin entre las corrientes del BJT en la regin de activa directa

En este subapartado, vamos a encontrar la relacin entre las corrientes del

BJT cuando ste opera en la regin de activa directa. Para ello, fijaos en las
ecuaciones 29, 30 y 33 repetidas aqu:

IC = IS evEB /VT (38)

IS vEB /VT
IE = e (39)
F

(1 F )IS vEB /VT

IB = e (40)
F
CC-BY-SA PID_00170129 36 El transistor

Todas parecen tener la misma estructura basada en la exponencial. De hecho,

sugieren que se podran poner unas en trminos de otras de un modo relativa-
mente sencillo. Si partimos, por ejemplo, de las ecuaciones 38 y 39 podemos
deducir que

F vEB /VT
IC = IS evEB /VT = Ie =
F S

IS vEB /VT
= F e = F IE (41)
F

donde hemos multiplicado y dividido por F . Es decir,

IC = F IE (42)

que muestra que la corriente de colector es proporcional (de hecho, es F

veces) a la corriente que circula por el emisor. Este resultado coincide con la
interpretacin intuitiva que hicimos en el subapartado 1.1 de que F represen-
taba el coeficiente de transferencia de electrones entre emisor y colector que
daba cuenta de los electrones que, saliendo del emisor, llegaban al colector sin
recombinarse en la base.

De la misma forma, tambin podrais obtener IC en trminos de IB :

F
IC = I (43)
1 F B

F
El cociente 1F que relaciona ambas corrientes en la ecuacin 43 recibe un
nombre especial, ya que va a desempear un papel importante en el uso de los
BJT en aplicaciones de amplificacin; se le denomina ganancia de corriente
y se representa con la letra griega beta, , que por lo tanto toma la siguiente
definicin.

. Parmetro

El parmetro recibe el nombre de ganancia de corriente y est defi- El parmetro es un

nido por: parmetro del dispositivo y
suele ser proporcionado por
el fabricante en sus hojas de
caractersticas (datasheets).
F
= (44)
1 F

de tal forma que:

IC = IB (45)
CC-BY-SA PID_00170129 37 El transistor

Adems, a partir de la ley de las corrientes de Kirchhoff se puede obtener la

ecuacin

IE = (1 + )IB (46)

que muestra cmo se pueden poner unas corrientes en trminos de otras por
medio de ecuaciones sencillas ligadas mediante F y . Fijaos en que en el
denominador de la ecuacin 44 aparece la diferencia (1 F ). Detengmonos
un poco ms en ella.

Si recordis, en el subapartado 1.1 se mencion que el valor de F era muy cer-

cano a la unidad. Esto implica que (1 F ) tendr un valor pequeo y positivo
y que, por lo tanto, en la ecuacin 44 ser un nmero grande. Tpicamen-
te, los valores de se encuentran entre 100 y 300. Si tenemos en cuenta este
hecho, podemos volver de nuevo a la ecuacin 45 y observar que, cuando el Amplificador de corriente

transistor est trabajando en la regin de activa directa, la corriente de colec-

El transistor amplifica la
tor, IC , se convierte en veces ms grande que la corriente de base. Es decir, corriente, ya que se obtiene
el transistor proporciona una corriente de colector con la misma dependencia una corriente de colector que
es varias veces la corriente de
temporal que la corriente de base, pero con una amplitud mucho mayor; el base. ste es el significado de
amplificador.
transistor est amplificando la corriente.

sta, la amplificacin de corriente, ser la caracterstica que ms nos interese Ved tambin
del BJT, ya que le va a permitir formar parte de circuitos de amplificacin.
Estudiaremos ms
detenidamente cmo disear
circuitos de amplificacin
Para finalizar, es importante recalcar que, como toma valores mucho mayo- basados en el BJT en el
res que uno, >> 1, entonces en muchas ocasiones es vlida la aproximacin: apartado 2 de este mdulo.

1+ (47)

Usaremos esta aproximacin varias veces a lo largo del mdulo como en el

siguiente resumen de las relaciones entre las corrientes del BJT.

En la regin activa directa, las corrientes en los terminales de un BJT

estn dadas por:

IC = IB (48)

IE = (1 + )IB IB (49)

IC = F IE (50)

donde

F
= 1F es la ganancia de corriente.
F es la transferencia directa de electrones.
CC-BY-SA PID_00170129 38 El transistor

En el siguiente ejemplo, mostraremos el uso de estas relaciones.

Ejemplo 1

Disponemos de un BJT de silicio con un valor de = 125 que opera en su regin de activa
directa con IB = 2 105 A. Calculad las corrientes IC e IE y la diferencia de potencial vBE .

Solucin

La variable ms sencilla de calcular es la diferencia de potencial vBE . El motivo es que nos

dicen en el enunciado que el transistor opera en su regin de activa directa, lo que signi-
fica, segn el subapartado 1.5.1, que vBE tiene un valor aproximadamente constante en
esa regin que depende nicamente del tipo de dispositivo. Como se trata de un BJT de
silicio, entonces vBE 0,7 V. Fijaos en cmo hemos utilizado esta propiedad estudiada
en el subapartado 1.5.1 para poner directamente el valor de vBE sin necesidad de efectuar
ningn clculo.

A continuacin, calcularemos las intensidades IC e IE a partir de las ecuaciones 49 y 50

respectivamente. Por lo tanto, la corriente IC se calcula como:

IC = IB = 125 2 105 = 2,50 mA (51)

y la corriente IE como:

IE = (1 + )IB = (1 + 125) 2 105 = 2,52 mA (52)

Ahora podramos comprobar el error que comentemos en el clculo de IE si en lugar de

utilizar el valor de (1 + ) en la ecuacin 52 utilizamos la aproximacin 1 + . Con
esta aproximacin, tendramos que IE,aprox = IC y entonces el error que hay entre ambos
clculos, exacto y aproximado es:

|IE IE,aprox | |IE IC | 0,02

100 = 100 = 100 = 0,79 % (53)
IE IE 2,52

Es decir, la aproximacin comete un error menor que el 0,8 % del valor de la corriente
de emisor que es un error pequeo. Por este motivo, usaremos con frecuencia la aproxi-
macin (1 + ) en los clculos realizados a lo largo del mdulo.

Veamos ahora cmo se comporta el BJT cuando est en la regin de corte.

1.5.2. Regin de corte

La regin de corte est caracterizada porque los dos diodos que describen el
modelo de Ebers-Moll en la figura 14 se encuentran en inversa. Para ello, es
necesario que:

vBE V ; vBC V (54)

Ved tambin

Si ambos estn en inversa, no circula corriente por ellos y por lo tanto se El diodo en inversa se estudia
en el mdulo El diodo.
comportan como circuitos abiertos. Fijaos en que este comportamiento es el Funcionamiento y
que se corresponde al del diodo en inversa. aplicaciones de esta
asignatura.
CC-BY-SA PID_00170129 39 El transistor

De la figura 14, que representa el circuito equivalente de Ebers-Moll, tambin

podis deducir que, si por los diodos no pasa corriente, las fuentes controladas
de corriente tampoco generarn nada y de esta forma el transistor se comporta
como un circuito abierto entre cada par de terminales. Este comportamiento
se puede representar por medio de la figura 20 donde, como veis, no hay cone-
xin elctrica entre sus terminales a travs del transistor. Es decir, disponemos
de los tres terminales del transistor como muestra la figura 20, pero entre ellos
no hay ningn tipo de conexin elctrica.

Figura 20. BJT en estado Figura 20

de corte
Esquema elctrico del BJT
cuando est en la regin de
C corte. Entonces, no hay
conexin elctrica entre sus
tres terminales.

Cuando tengis un BJT en un circuito que est en modo de corte, podis

sustituirlo directamente por el circuito de la figura 20.

1.5.3. Regin de saturacin

Finalmente, el ltimo de los tres modos es el de saturacin. En la regin de

saturacin, la tensin vCE es constante y de un valor aproximado de 0,2 V para
el silicio. De esta forma, podremos sustituir la parte del transistor correspon-
diente a la rama del emisor al colector por una fuente de voltaje constante de
ese valor. Si el transistor fuera de otro material, el valor de la fuente de tensin
sera el del correspondiente al voltaje de saturacin respectivo.

Por otro lado, en la regin de saturacin, la unin base-emisor est polarizada

en directa. Al estar polarizada en directa, esa unin se puede considerar que
tiene una diferencia de potencial que corresponde a la de su unin PN que,
para el caso del silicio, es de en torno a 0,7 V. De esta forma, la rama de la base
al emisor se puede modelar como una fuente de tensin constante de valor
0,7 V, lo que da lugar a la representacin de la figura 21.
CC-BY-SA PID_00170129 40 El transistor

Figura 21. BJT en estado de saturacin

B C Figura 21

Esquema elctrico que

+ + representa un BJT de silicio
0,7 V 0,2 V cuando est en la regin de
saturacin. En este caso, el
BJT se puede sustituir por dos
fuentes de continua entre los
E terminales del dispositivo.

El modelo elctrico del BJT cuando su estado de funcionamiento es el

de saturacin es el descrito en la figura 21.

1.5.4. Conclusin sobre las regiones de operacin

Finalmente, es importante que tengis presente un hecho importante sobre

las regiones de operacin y los modelos particulares que hemos derivado en
los subapartados 1.5.1-1.5.3 para cada una de ellas.

Lo que hemos hecho en los subapartados 1.5.1, 1.5.2 y 1.5.3 es obtener

expresiones ms sencillas de las ecuaciones 8 y 10 a costa de que slo
sean vlidas cuando el transistor se encuentre en su respectiva regin
de funcionamiento. Por lo tanto, para aplicarlas, deberemos conocer de
antemano en qu regin est funcionando.

Como conclusin de todo lo expuesto en los subapartados 1.5.1, 1.5.2 y 1.5.3,

podemos observar que, segn como sea el voltaje aplicado a los terminales del
BJT, su funcionamiento es cualitativamente muy diferente.

Para finalizar este apartado sobre la estructura fsica y principio de funciona-

miento del BJT, en el siguiente subapartado se considera el efecto de la tempe-
ratura sobre l.

1.6. Efectos trmicos en los transistores

La temperatura es un parmetro que afecta notablemente al comportamiento

del transistor y de forma genrica a todos los dispositivos basados en semicon-
ductores. De hecho, puede influir tanto en el comportamiento del transistor
que puede llegar a inestabilizar su funcionamiento.
CC-BY-SA PID_00170129 41 El transistor

En concreto, la temperatura afecta a los siguientes parmetros de un BJT:

Inestabilidad del
Al valor de las corrientes de saturacin inversa que son las corrientes ICS transistor

e IES mencionadas al deducir la curva caracterstica del BJT en las ecuacio- Podra ocurrir que, debido a
nes 8 y 14. la variacin de , el punto de
operacin est tan alejado
del inicialmente planteado
Este efecto se puede despreciar debido a que ese valor suele ser muy pe- que el valor de los
potenciales y corrientes en el
queo como para que d lugar a un efecto apreciable en los circuitos. La resto del circuito sean muy
diferentes a las deseadas por
temperatura acta aumentando ligeramente ese valor.
diseo y que no se encuentre
siquiera en la regin de
inters. Entonces, se dice que
Al valor del potencial trmico, que tiene como expresin VT = kT/q, donde
el comportamiento del
k representa la constante de Boltzmann, T es la temperatura en kelvin y q transistor es inestable.
es la carga del electrn en valor absoluto.

Este efecto hace que el valor del potencial vBE se reduzca con el aumento
de la temperatura. Por ejemplo, para el silicio (cuyo valor de vBE es habi-
tualmente de 0,7 V) se reduce aproximadamente 2 mV por cada kelvin de
aumento de la temperatura. Esto se debe a que el potencial trmico VT est
situado en la exponencial y, por lo tanto, la variacin de su valor influye
en el potencial al que el diodo pasa de conduccin a corte. A medida que la
temperatura es mayor, los electrones poseen una energa cintica mayor y
es ms fcil que puedan atravesar por ellos mismos la barrera de potencial
entre las uniones, por eso se reduce la tensin umbral.

Al valor de la transferencia directa de electrones F , definido en el subapar- Fenmenos microscpicos

tado 1.2, que da cuenta de los efectos microscpicos de movimiento y re-
Se denominan fenmenos
combinacin de electrones en la base.
microscpicos a los que
acontecen a escala atmica
dentro del semiconductor.
Esta dependencia de con la temperatura es la que puede cambiar el com-
portamiento del transistor y, por lo tanto, del circuito del que forma parte.
Esto se debe a que un aumento de la temperatura causa que los electrones
tengan una vida media mayor en la base antes de la recombinacin, de ah
que el parmetro F aumenta con la temperatura y se hace ms cercano a la
unidad. Esta variacin tiene como consecuencia que , que es la ganancia
de corriente del transistor, definida por la ecuacin 44, aumente su valor y,
por lo tanto, segn la ecuacin 43:

F
IC = I = IB (55)
1 F B

aumenta la corriente de colector sin aumentar la de la base. Como conse-

cuencia, las variables elctricas que inicialmente estaban previstas para el
circuito cambian su valor y este efecto puede hacer que deje de funcionar
de forma correcta. Por lo tanto:
.

La variacin de temperatura causa una variacin en la ganancia en co-

rriente, , del transistor que puede comprometer el funcionamiento del
circuito.
CC-BY-SA PID_00170129 42 El transistor

Ejemplo 2

Disponemos de un BJT de silicio que opera en su regin de activa directa con un valor de
IB = 2 105 A. Calculad la corriente de colector para los valores de 1 = 120 y 2 = 200 y
su variacin relativa.

Solucin

La corriente de colector, IC , se puede calcular a partir del valor de y de IB por medio de

la ecuacin 49 del subapartado 1.5.1. As, para los dos valores de que nos proporcionan
en el enunciado tendremos:

IC1 = 1 IB = 120 2 105 = 2,4 mA (56)

IC2 = 2 IB = 200 2 105 = 4 mA (57)

Su variacin relativa se puede calcular como:

|IC2 IC1 | 4 2,4

100 = 100 = 66,7 % (58)
IC1 2,4

es decir, que la corriente de colector para el caso 2 es un 66,7 % ms grande que para el
caso de 1 , lo que demuestra la influencia que tiene el parmetro en las corrientes del
transistor.

De esta forma, concluimos el apartado dedicado al conocimiento del transistor

BJT y en el apartado 2 vamos a ver cmo utilizarlo en circuitos reales dedicados
a tareas de amplificacin.

1.7. Recapitulacin

Qu hemos aprendido? En este apartado,

Habis conocido la estructura fsica de un transistor BJT.

Habis conocido el mecanismo interno de funcionamiento de un BJT.
Tambin habis obtenido un modelo elctrico sencillo de su comporta-
miento, pero a la vez suficientemente representativo.
Habis conocido las diferentes regiones de funcionamiento de un BJT.

Con todo esto, ya disponis de los conocimientos sobre el BJT necesarios para
que podis enfrentar en el siguiente apartado el diseo de circuitos de ampli-
ficacin basados en BJT.
CC-BY-SA PID_00170129 43 El transistor

2. El transistor a frecuencias intermedias

y pequea seal
.

En el apartado 1, habis conocido la estructura fsica del transistor y su prin-

cipio bsico de funcionamiento. Una de sus caractersticas fundamentales es
que, en la regin activa directa, el BJT se comporta como un amplificador de
corriente: la corriente de colector es veces la corriente de base tal como indi-
ca la ecuacin 49. ste es el fundamento de la amplificacin basada en BJT y la
base del denominado efecto transistor. En este apartado, os vamos a mostrar
cmo utilizar este hecho para disear circuitos de amplificacin basados en el
transistor BJT.

En las aplicaciones de amplificacin, el BJT trabaja en su regin acti-

va directa. sta va a ser la regin en la que trabajaremos en todo este
apartado.

Sin embargo, en muchas ocasiones no vamos a estar interesados en la am-

plificacin de corriente, sino en la amplificacin de tensin. As que podran
surgir de un modo natural las preguntas, qu podemos decir de las tensio-
nes? Podemos conseguir tambin ganancia en tensin si utilizamos un BJT
en activa directa? Por otro lado, ya vimos en el subapartado 1.3 que el BJT pue-
de trabajar en tres configuraciones diferentes (emisor, base o colector comn).
Podramos plantearnos si se pueden disear amplificadores basados en BJT pa-
ra cada configuracin o slo para algunas. Responderemos a estas preguntas a
lo largo de este apartado.

Imaginad ahora que queremos amplificar una seal de tensin que vara con Polaridad de la seal
el tiempo y que, por ejemplo, toma valores positivos y negativos. No podra-
Se llama polaridad de la seal
mos aplicar directamente esta seal al BJT, ya que al ser variable su polaridad a su signo, positivo o
negativo.
estaramos cambiando el modo de funcionamiento del BJT en cada ciclo de
la seal y pasar de amplificar en unas situaciones a que funcione en corte o
en saturacin en otras, lo que implica que el BJT no tiene el comportamiento
deseado en todo instante de tiempo.

Qu podemos hacer ante esta circunstancia? Una solucin podra ser aadir
a la seal oscilante que queremos amplificar una componente de continua
de amplitud suficientemente grande de tal forma que, aunque la seal por
amplificar cambiara con el tiempo, la polaridad que sienten los terminales
no cambiara. As, el BJT siempre trabajara en la misma regin de funciona-
miento, que en este caso queremos que sea la de activa directa, que es la que
conviene para amplificacin.
CC-BY-SA PID_00170129 44 El transistor

El circuito o red de polarizacin es el encargado de proporcionar la

tensin de continua que se superpone a la seal de inters con objeto de
que el BJT no cambie de regin de operacin a pesar de las variaciones
temporales de la seal.

Por lo tanto, lo primero que veremos en el subapartado 2.1 es cmo son y c-

Ved tambin
mo disear estos circuitos de polarizacin. De esta forma, podremos garantizar
que el BJT siempre se encuentra en su regin de activa directa. Recordad que el circuito de
polarizacin ya fue definido
en el subapartado 1.2 de este
mdulo.
Como acabamos de mencionar, la amplitud de la seal continua debe ser ms
grande que la amplitud de la seal oscilante para que la polaridad no cambie
o, dicho con otras palabras, la amplitud de la seal por amplificar debe ser
ms pequea que la amplitud de la seal de continua. En este sentido, dire-
mos que el amplificador funciona en pequea seal: slo amplifica una seal
ms pequea que la componente de continua. Estos conceptos de pequea
seal y de frecuencia intermedia (a los que hace referencia el ttulo del apar-
tado) sern tratados en el subapartado 2.2. De esta forma, estableceremos las
limitaciones de aplicacin de los amplificadores que vamos a presentar.

Por otro lado, una de las dificultades en el diseo de circuitos electrnicos

basados en BJT es la no linealidad de las ecuaciones que lo describen, como
vimos en el subapartado 1.4. Por suerte, si la amplitud de la seal por am-
plificar es pequea, todas las corrientes y voltajes se movern en torno a los
valores de continua y el comportamiento del BJT ser prcticamente lineal.
Si aproximamos el BJT por un modelo lineal, el anlisis del circuito ser mu-
cho ms sencillo. Por lo tanto, en el subapartado 2.3 vamos a presentar los
modelos lineales del BJT ms utilizados en el anlisis de circuitos. Tras estas
preparaciones preliminares, en el subapartado 2.4 por fin presentamos y ana-
lizamos topologas concretas de circuitos de amplificacin.

Qu vamos a aprender? En este apartado, aprenderis:

A analizar un circuito de polarizacin.

A disear un circuito de polarizacin basado en divisor de tensin para la
regin activa directa.
Los modelos de parmetros h y r del transistor BJT.
A cmo analizar un circuito de amplificacin basado en BJT.
Las topologas bsicas de circuitos de amplificacin en emisor, base y co-
lector comn con sus caractersticas principales.

Qu vamos a suponer? Supondremos que tenis conocimientos de anlisis

de circuitos y de las ecuaciones bsicas del BJT alcanzados en el apartado 1 de
este mdulo. En particular:
CC-BY-SA PID_00170129 45 El transistor

Que conocis las leyes de Kirchhoff.

Que conocis el principio del divisor de tensin.
Que conocis el teorema de Thvenin.
Que conocis las ecuaciones que ligan las corrientes en un BJT que opera
en la regin activa directa.
Que conocis el concepto de frecuencia intermedia.

Comenzamos con la presentacin de los circuitos de polarizacin del BJT.

2.1. Polarizacin y punto de trabajo del transistor

Segn lo indicado en la introduccin a este apartado, debemos acoplar al tran-

sistor un circuito externo (circuito de polarizacin) que fije en sus terminales
unas tensiones en continua que obliguen al BJT a trabajar en su regin de ac-
tiva directa. As, la superposicin de estas tensiones continuas con una seal
de amplitud suficientemente pequea que vare con el tiempo no sacar al
BJT de esta regin de funcionamiento. En definitiva, lo que queremos es fijar
unas corrientes y unos voltajes de continua determinados en los terminales
del transistor.

Los valores de las corrientes y voltajes en continua en los terminales del

transistor definen lo que se llama un punto de trabajo o punto Q.

Surgen dos preguntas importantes que debemos responder:

Dado un circuito de polarizacin, cmo calculamos el punto de trabajo?

Es decir, cmo calculamos los valores de corrientes y voltajes de continua
que siente el transistor?

Si elegimos un punto de trabajo, cmo diseamos el circuito de polariza-

cin adecuado?

Vamos a intentar responder ahora a estas preguntas, comenzando por la pri-

mera. Para ello, introduciremos una herramienta, denominada recta de carga,
que ser la encargada de determinar el punto de trabajo del transistor.

2.1.1. Punto de trabajo del BJT y recta de carga

En este subapartado, vamos a ver cmo determinar el punto de operacin de Terminales del transistor
un BJT conocido el circuito de polarizacin utilizado. Para ello, seguiremos los
Recordad que los terminales
pasos que debemos dar en un ejemplo concreto pero suficientemente repre- del transistor reciben los
nombres de colector (C),
sentativo del procedimiento. Consideremos el circuito de la figura 22.
emisor (E) y base (B).
CC-BY-SA PID_00170129 46 El transistor

Figura 22. Circuito ejemplo para la determinacin del punto de trabajo

IC Figura 22
C RC
B
Circuito elctrico que sirve de
VCC
ejemplo para el clculo del
RB IB E IE
VBB punto de trabajo del BJT. En
Malla concreto, el circuito se llama
salida de polarizacin de base. El
Malla punto de trabajo est
entrada determinado por las
tensiones y corrientes de
continua en sus terminales.

En l, podemos ver:

El transistor BJT, de tipo NPN que se encuentra en modo de emisor comn.

Dos fuentes de tensin continua, VBB y VCC . BJT en emisor comn
Dos resistencias RB y RC .
El BJT del circuito de la
figura 22 est en emisor
Es razonable e intuitiva la presencia del BJT y de las fuentes de tensin, que comn porque es el emisor el
que comparte la masa con los
son las que deben proporcionar la polaridad a cada unin PN que conforma circuitos de entrada y salida,
el BJT, en la figura 22. Sin embargo, cul es el papel que desempean las como vimos en el
subapartado 1.3. Adems, la
resistencias? salida est tomada en el
colector.

El circuito de polarizacin no tiene como nica misin establecer las corrien-

Dispersin de valores de
tes y tensiones del transistor en continua. Entre transistores fabricados en la
misma partida puede haber una dispersin de los valores de muy grande y La dispersin en los valores
el circuito de polarizacin tiene tambin como misin hacer que el punto de de significa que transistores
con la misma denominacin
trabajo sea lo ms insensible posible a esa dispersin de valores, de ah que comercial pueden tener
valores muy diferentes del
aparezcan una serie de resistencias colocadas de una forma determinada para
parmetro .
intentar lograr este objetivo. De hecho, al disear circuitos de polarizacin en
el subapartado 2.1.2 prestaremos atencin a cmo se comporta el punto de
operacin frente a cambios en el valor de .

Las variaciones en el valor de no slo provienen de la dispersin de fabri-

cacin sino tambin de las variaciones de temperatura, ya que sta influye
directamente en su valor como vimos en el subapartado 1.6. Por lo tanto, ser
importante conseguir un circuito de polarizacin que mantenga el punto de
trabajo lo ms estable posible, ya que estas variaciones son tpicas.

Para determinar las corrientes y tensiones que circulan por el transistor, vamos
a seguir los siguientes pasos:

1) Escribir la ecuacin de malla cerrada en el circuito conectado a la base. Para

ello, hacemos uso de la ley de Kirchhoff de tensiones aplicada a la malla de
entrada indicada en la figura 22 y obtenemos

VBB = IB RB + vBE (59)

CC-BY-SA PID_00170129 47 El transistor

donde vBE es el potencial de la base medido desde el emisor.

Potencial vBE

2) Despejar de la ecuacin 59 el valor de IB (puesto que vBE es conocido):

Recordad que en la regin de
activa directa ese valor es
prcticamente constante e
VBB vBE
IB = (60) igual a 0,7 V para los
RB transistores de silicio.

De esta forma, la corriente IB del transistor es ahora conocida, puesto que

todos los elementos del lado derecho de la ecuacin 60 son conocidos.

3) Utilizar la ecuacin 45, IC = IB , para encontrar el valor de IC . De esta

forma, dando valores a la resistencia RB se puede determinar el valor deseado
para IB e IC , ya que es la resistencia RB la que determina el valor de IB a travs
de la ecuacin 60.

4) Escribir la ecuacin de malla cerrada al circuito conectado al colector. Para

ello, hacemos uso de la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de salida
indicada en la figura 22 y obtenemos:

VCC = IC RC + vCE (61)

de donde podemos determinar el valor de vCE despejndolo de la anterior

ecuacin 61:

vCE = VCC IC RC (62)

Mediante estos pasos, podemos determinar todas las corrientes y voltajes del
BJT en la regin activa. Bsicamente, vemos que la determinacin del punto
de operacin viene dada si fijamos los valores de (IC ,vCE ) de tal forma que nos
referiremos al punto de trabajo nicamente mediante estos valores.

El punto de operacin est definido mediante el par Q = (vCE ,IC ).

Una alternativa muy extendida a este mtodo consiste en encontrar el punto

de trabajo de una forma grfica. Para ello, despejamos IC de la ecuacin 61 y
lo representamos frente a vCE . Esta representacin grfica resulta ser una recta
en el plano (vCE ,IC ), que recibe el nombre de recta de carga.

Se llama recta de carga a la recta resultante de representar IC frente a

vCE .
CC-BY-SA PID_00170129 48 El transistor

En la figura 23, podis ver dibujada la recta de carga.

Figura 23. Obtencin del punto de operacin mediante la recta de carga Figura 23

La recta de carga est

IC
Recta de carga superpuesta con las
caractersticas del transistor.
El punto de cruce entre
ambas para un valor
determinado de la corriente
Punto de operacin de base proporciona el punto
de trabajo del transistor.

IC,Q IB,Q

vCE,Q vCE

A continuacin, se superponen las caractersticas del BJT en la regin de activa

directa y se busca el punto de interseccin entre stas y la recta de carga para
el valor deseado de IB . Esta interseccin es el punto de operacin. A partir de
las coordenadas del punto de interseccin, podemos calcular los valores de ICQ
y de vCEQ (que son los valores que corresponden al punto de operacin) como
las proyecciones de ese punto sobre los ejes de coordenadas. Se trata, por lo
tanto, de un mtodo grfico para su determinacin.

En particular, la recta de carga calculada de esta forma se denomina recta de

carga esttica debido a que el punto de trabajo permanece inamovible una
vez fijado. La razn es que, como las tensiones no cambian con el tiempo, to-
dos los parmetros de la ecuacin 61 son estticos y siempre definen la misma
recta. Si las caractersticas del BJT no cambian, el transistor permanecer con
los valores de corriente y tensin especificados.

No obstante, hay dos motivos que pueden hacer variar el punto de trabajo:

1) El primero es si tenemos a la entrada una tensin variable en el tiempo.

Entonces, IB cambiar con el tiempo, lo que implica que IC tambin lo haga
puesto que estn relacionadas a travs de la ecuacin 43. De aqu podis de-
ducir que la recta de carga cambiar su posicin con el tiempo y, por lo tanto,
interceptar en diferentes posiciones las caractersticas del BJT. Como conse-
cuencia, la posicin del punto de trabajo cambiar. En la figura 24, podis
apreciar grficamente lo que est ocurriendo.
CC-BY-SA PID_00170129 49 El transistor

Figura 24. Superposicin de una seal variable a un punto de

trabajo en continua

Figura 24
Recta de carga 1
Se muestra cmo el punto de
Recta de carga 2
trabajo cambia su posicin
Recta de carga 3 debido a que hay una seal
IC peridica a la entrada que
cambia el valor de la
Punto de operacin corriente de base. Entonces,
en continua la recta de carga intercepta
iC (t) en diferentes posiciones las
IC,Q caractersticas del transistor,
lo que da lugar a un punto
de trabajo que vara en el
tiempo.
vCE,Q

vCE
Movimiento
punto de operacin
vC (t)

Tenemos un punto de operacin en continua, pero debido a la presencia de

seales oscilatorias que se superponen con los valores de continua, la recta
de carga cambia de posicin. En la figura 24, tenis la recta de carga en tres
instantes de tiempo diferentes que dan lugar a tres rectas de carga etiquetadas
con 1, 2 y 3. El punto de operacin cambia en el tiempo movindose entre
ellos. La recta de carga cambiante con el tiempo se denomina recta de carga
dinmica.

.
La recta de carga dinmica es la recta de carga que cambia con el
tiempo debido al cambio con el tiempo de la corriente de base IB .

Ahora podemos expresar el objetivo de este subapartado de una manera ms

tcnica: lo que pretendemos es disear un circuito de polarizacin que haga
que la recta de carga dinmica mantenga el punto de trabajo del BJT en la
misma regin de funcionamiento.

2) El otro motivo que puede hacer variar el punto de trabajo es la variacin

de las caractersticas del transistor debido a que sus parmetros, en concreto
el valor de , pueden cambiar con el tiempo.

Estas variaciones son inevitables, pero lo que s podremos hacer es intentar

minimizarlas mediante el uso de los circuitos de polarizacin. Veamos algunos
ejemplos de circuitos de polarizacin.

2.1.2. Topologas de circuitos de polarizacin

En el subapartado anterior, hemos visto cmo determinar el punto de trabajo

de un BJT conocido el circuito de polarizacin utilizado. En este subapartado,
CC-BY-SA PID_00170129 50 El transistor

vamos a ver diferentes configuraciones de circuitos de polarizacin y vamos

a aplicar el procedimiento general presentado en el subapartado 2.1.1 para el
clculo de su punto de trabajo.

Existen diferentes topologas de circuitos que permiten lograr los objetivos Objetivos de los circuitos
de polarizacin
planteados en el subapartado 2.1.1. No analizaremos todas con detalle sino
que nos centraremos, a modo de ejemplo, en dos de ellas: la polarizacin Recordad que los objetivos de
de base y la de divisin de tensin en emisor comn. El resto de topologas los circuitos de polarizacin
son bsicamente dos:
se pueden analizar de un modo equivalente a como lo vamos a hacer con 1) Fijar el modo de
estas dos. funcionamiento del BJT.
2) Conseguir que el punto de
operacin sea lo ms
insensible posible a las
Polarizacin de base variaciones de .

El circuito de polarizacin de base est dado por la figura 25.

Figura 25. Circuito de polarizacin de base Figura 25

IC Circuito elctrico que

C RC muestra la topologa de
B polarizacin del BJT que
VCC recibe el nombre de
RB IB E IE polarizacin de base.
VBB
Malla
salida
Malla
entrada

Como veis, es el mismo circuito que hemos tomado de ejemplo al comienzo Valor de vBE
del subapartado 2.1. Por lo tanto, para calcular el punto de operacin, no
Recordad que en la regin de
tenemos ms que seguir los pasos mostrados en el subapartado 2.1.2. Veamos activa directa, para el silicio,
con un ejemplo cmo se calcula. vBE tiene un valor tpico de
0,7 V.

Ejemplo 3

Calculad el punto de operacin de un circuito de polarizacin de base definido por los

siguientes parmetros:

RB = 560 k, RC = 1,8 k
VCC = VBB = 12 V
= 120 y vBE = 0,7 V

Solucin

Para calcular el punto de operacin, seguimos los pasos indicados en el subapartado 2.1.1:

1) En primer lugar, escribimos la ecuacin de malla en la entrada dada por la ecua-

cin 63:

VBB = IB RB + vBE 12 = IB 560 103 + 0,7 (63)

2) A continuacin, despejamos IB a partir de la ecuacin 63:

CC-BY-SA PID_00170129 51 El transistor

12 0,7
IB = = 2 105 A (64)
560 103
Unidades

De esta forma, ya hemos calculado el valor de la corriente de base. Todas las unidades deben
estar en el Sistema
3) El paso siguiente es calcular IC segn la ecuacin 49: Internacional de Unidades,
por lo tanto los kiloohmios de
RB se han pasado a ohmios.
IC = IB = 120 2 105 = 2,4 103 A = 2,4 mA (65)

De donde ya tenemos calculada la corriente de colector. Fijaos en que la corriente de

colector es bastante mayor que la corriente de base.
4) El ltimo paso es escribir la ley de Kirchhoff de tensiones para la malla de salida y
calcular vCE :

vCE = VCC IC RC = 12 2,4 103 1.800 = 7,64 V (66)

El punto de operacin es, por lo tanto:

Q = (IC = 2,4 mA,vCE = 7,64 V) (67)

Comprobemos ahora cmo responde esta topologa de polarizacin ante po-

sibles variaciones en los parmetros internos del transistor, es decir, ante va-
riaciones en el valor de .

Inicialmente, se ha fijado el punto de trabajo para una corriente establecida

de entrada IB que dar lugar a un valor de la corriente IC . Si ahora el valor de
cambia, entonces el punto de trabajo se traslada a una nueva posicin. Podis
comprobar este hecho si parts de la ecuacin 63 combinada con la 49:

IC = (V v ) (68)
RB CC BE

De esta ecuacin, podis deducir directamente que la corriente de colector

cambia sin cambiar la de base. Veamos cunto es ese cambio en un ejemplo.

Ejemplo 4

Supongamos que estamos ante el mismo circuito que en el ejemplo 3, pero que ahora
= 240. Calculemos el nuevo punto de operacin.

Solucin

1) En primer lugar, escribimos la ecuacin de malla cerrada a la entrada, que es exacta-

mente la ecuacin 63.
2) A continuacin, calculamos IB segn la ecuacin 64:

12 0,7
IB = = 2 105 A (69)
560 103

que, como no depende de , no altera su valor.

CC-BY-SA PID_00170129 52 El transistor

3) El paso siguiente es calcular IC segn la ecuacin 49:

IC = IB = 240 2 105 = 4,8 103 A = 4,8 mA (70)

Vemos en esta ecuacin que, al doblarse el valor de , se ha doblado el valor de la

corriente de colector sin haber cambiado el valor de la corriente de base.
4) El ltimo paso es calcular vCE mediante la ecuacin 66:

vCE = VCC IC RC = 12 4,8 103 1.800 = 3,28 V (71)

El punto de operacin es, por lo tanto, Q = (IC = 4,8 mA,vCE = 3,28 V). Si se compara
este punto de operacin con el obtenido en el ejemplo 3 se observa que es un punto de
operacin muy diferente!

A pesar del circuito de polarizacin, la variacin del punto de polarizacin

sigue siendo importante. Se podra mejorar la estabilidad del punto de ope-
racin? En el siguiente subapartado, vamos a ver una topologa que permite
conseguirlo y vamos a analizar la fuente de esa mejora.

Polarizacin por divisin de tensin

Uno de los circuitos de polarizacin ms empleados en amplificacin es el que

utiliza el principio del divisor de tensin y que podis ver en la figura 26.

Figura 26. Circuito de polarizacin por divisin Figura 26

de tensin
Topologa de polarizacin del
BJT llamada de divisin de
tensin. Es una de las
R1 RC topologas ms usadas en el
diseo de circuitos de
amplificacin.

IC
C
B
VCC
IB E IE

R2 RE

En ella, el punto de operacin del BJT est determinado por el valor de las Valor de IB
resistencias R1 y R2 como vamos a ver. El motivo de su utilizacin es la me-
El valor de IB es muy
jora que se obtiene en la estabilidad del punto de operacin en comparacin pequeo frente al resto de
con la polarizacin de base que hemos estudiado en el subapartado 2.1.2. La corrientes y por eso, cuando
est sumada a otras
razn fsica de esta mejora se encuentra en la utilizacin de una resistencia de corrientes, se despreciar.
emisor RE . Esto es, IB + IC IC .
CC-BY-SA PID_00170129 53 El transistor

Estabilidad de punto de operacin

La estabilidad del punto de operacin se refiere a la variacin del punto de operacin con
respecto a las variaciones en ocasionadas por la temperatura o bien por la dispersin
de valores entre transistores con la misma denominacin.

Esta resistencia desempea un papel de realimentacin negativa al punto de Ved tambin

operacin del transistor de tal forma que, si hay factores externos que tienden El concepto de
a mover su posicin, la accin de RE tiende a oponerse. Analicemos primero el realimentacin se estudia en
el mdulo Realimentacin y
punto de operacin del circuito de la figura 26 y luego su dependencia con . osciladores y consiste en
comparar la salida deseada
con la salida obtenida para
Este circuito es diferente del utilizado como ejemplo en el subapartado 2.1.2. disminuir la desviacin entre
ellas.
Sin embargo, podremos seguir unos pasos completamente anlogos para el
clculo del punto de operacin. Veamos en qu se traducen esos pasos para
este circuito.

Seguiremos el mismo orden que en el subapartado 2.1.2. En primer lugar, cal-

cularemos el valor de la corriente de base, IB , despus el valor de la corriente de
colector, IC , y despus la tensin, vCE . Para facilitar los clculos que se deben
completar, es conveniente, en primer lugar, simplificar el circuito de partida.
Para ello, obtendremos el equivalente Thvenin del circuito de entrada. Po-
dis verlo en la figura 27, donde aparecen recuadrados los elementos que se
emplearn para obtener el equivalente.

Figura 27. Clculo del equivalente Thvenin del circuito de entrada Figura 27

Modificacin en la posicin
de los elementos R1 y R2 de
RC la figura 26 para poder
calcular ms fcilmente el
equivalente Thvenin del
IC circuito de entrada.
C
B
VCC
R1 IB E IE

VCC
R2 RE

Equivalente
Thvenin

A la vista de esta configuracin, podemos explicar tambin por qu se le de-

nomina polarizacin por divisin de tensin. Dado que IB es mucho ms
pequeo que IR1 , podemos suponer que casi toda la corriente IR1 pasa por R2
y por lo tanto que la cada de tensin que siente el terminal de base se corres-
ponde con la de un divisor de tensin formado por las resistencias R1 y R2 .
CC-BY-SA PID_00170129 54 El transistor

La resistencia equivalente est dada por la asociacin de R1 y R2 en paralelo.

Por lo tanto, Ved tambin

En el anexo de la asignatura,
R1 R2 tenis el procedimiento de
RTh = (72) clculo del equivalente
R1 + R2
Thvenin.

mientras que el voltaje equivalente se puede calcular como la cada de poten-

cial en el terminal de base, B, del BJT de la figura 27:

R2
VTh = VCC (73)
R1 + R2

El circuito simplificado de esta forma se puede ver en la figura 28.

Figura 28. Circuito equivalente del circuito de polarizacin por Figura 28

divisin de tensin
Circuito de polarizacin por
divisin de tensin en el que
se ha sustituido el circuito de
RC entrada por su equivalente
Thvenin con objeto de que
IC sea ms sencillo su anlisis.
C
B
VCC
RTh IB E IE

VTh Malla
Malla RE salida
entrada

Despus de haber hecho esta simplificacin, resulta mucho ms sencillo seguir

los pasos mencionados en el subapartado 2.1.2:

1) Escribir la ley de Kirchhoff de tensiones para la malla de entrada,

VTh = IB RTh + vBE + IE RE (74)

Si ahora hacemos uso de la ecuacin 50 y escribimos IE en trminos de IB , la

ecuacin 74 se convierte en:

VTh = IB RTh + vBE + IB RE = vBE + (RE + RTh )IB (75)

2) Despejar de esta ecuacin IB :

VTh vBE
IB = (76) Recordad que el valor de vBE es
RTh + RE aproximadamente 0,7 V.
CC-BY-SA PID_00170129 55 El transistor

3) Calcular el valor de IC a partir de la ecuacin 43,

VTh vBE
IC = IB = (77)
RTh + RE

4) Escribir la ley de Kirchhoff de tensiones para la malla de salida,

VCC = IC RC + vCE + IC RE (78)

de donde podemos despejar vCE para obtener el punto de trabajo del BJT.

Veamos con un ejemplo cmo calcular el punto de trabajo de un BJT polari-

zado por divisor de tensin.

Ejemplo 5

Calculad el punto de operacin de un BJT polarizado mediante divisin de tensin para

el circuito definido por los parmetros:

R1 = 22 k, R2 = 11 k
RE = 1 k, RC = 1,2 k
VCC = 9 V
= 120 y vBE = 0,7 V

Solucin

Seguimos los pasos indicados para el clculo del punto de operacin. En primer lugar,
calculamos los equivalentes Thvenin del circuito de entrada mediante las ecuaciones 72
y 73:

R1 R2
RTh = = 7.333 (79)
R1 + R2

R2
VTh = VCC =3V (80)
R1 + R2

Una vez que ya tenemos los equivalentes Thvenin, continuamos con los siguientes
pasos:

1) Escribimos la ley de Kirchhoff de tensiones en la malla de entrada, dada por la ecua-

cin 74:

VTh = IB RTh + vBE + IE RE (81)

3 = 7.333IB + 0,7 + 1.000IE (82)

Ahora hacemos uso de la ecuacin 50, IE IB , y convertimos la ecuacin 82 en:

3 7.333IB + 0,7 + 1.000IB (83)

CC-BY-SA PID_00170129 56 El transistor

2) De la ecuacin 83 podemos despejar IB (como indica la ecuacin 76):

3 0,7
IB = = 1,81 105 A (84)
7.333 + 120 1.000

y as ya tenemos calculada IB .
3) Ahora podemos calcular IC mediante la ecuacin 77:

IC = IB = 120 1,81 105 = 2,17 mA (85)

4) Finalmente, si aplicamos la ley de Kirchhoff de tensiones en la malla de salida dada

por la ecuacin 78 obtenemos:

VCC = IC RC + vCE + IC RE (86)

de donde despejamos vCE :

vCE = VCC IC RC IC RE = 4,2 V (87)

Y ya tenemos calculado el punto de operacin que viene dado por:

Q = (vCE = 4,2 V,IC = 2,17 mA) (88)

Comprobemos si el circuito planteado ofrece una insensibilidad mayor a la

dispersin en el valor de que la polarizacin de base mostrada en el subapar-
tado 2.1.2. Fijaos en la ecuacin 77. Tambin se puede escribir como:

VTh vBE
IC = RTh
(89)
+ RE

A partir de la ecuacin 89, podemos deducir que si es un nmero mucho

RTh
mayor que RTh (que habitualmente lo es) entonces RE y as:

VTh vBE
IC (90)
RE

es decir, prcticamente insensible a la variacin de (puesto que no aparece

explcitamente en la ecuacin) con lo que hemos conseguido uno de los ob-
jetivos del circuito de polarizacin. Realmente este objetivo se ha conseguido
gracias a la introduccin de la resistencia de emisor RE . Veamos por qu.

Si aumenta, la corriente de colector aumenta, pero tambin la corriente de Ley de Ohm

emisor. Entonces, si la corriente de emisor se incrementa, la cada de potencial
La ley de Ohm establece que
en la resistencia RE tambin aumenta, ya que se satisface la ley de Ohm. Ahora la cada de potencial V en
bien, si VRE aumenta, la cada de potencial en la resistencia equivalente RTh una resistencia R por la que
circula una corriente I est
disminuye y, por lo tanto, IB debe disminuir, lo que implica que la corriente dada por V = IR.
CC-BY-SA PID_00170129 57 El transistor

IC disminuya; as, por lo tanto, acta como una realimentacin negativa, tal
como estudiasteis en el mdulo Realimentacin y osciladores.

Ejemplo 6

Para comprobar el efecto de la variacin de en el punto de operacin en un esquema

de polarizacin por divisor de tensin, consideremos el caso del ejemplo 5 en el que
= 240. Calculemos el punto de operacin en este caso y comparmoslo con el obtenido
entonces.

Solucin

Los equivalentes Thvenin de la malla de entrada son los mismos que en el ejemplo 5,
as que podemos pasar directamente al clculo de IB , IC y vCE . Para ello:

1) Escribimos la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de entrada:

3 = 7.333IB + 0,7 + 1.000IE (91)

Ahora volvemos a usar la ecuacin 50, IE IB , y convertimos la ecuacin ante-

rior en:

3 = 7.333IB + 0,7 + 1.000IB (92)

2) De esta ecuacin, podemos despejar IB en la forma:

3 0,7
IB = = 9,3 106 A (93)
7.333 + 240 1.000

3) Ahora podemos calcular IC como:

IC = IB = 240 9,58 106 = 2,23 mA (94)

4) Finalmente, aplicando la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de salida, obte-

nemos:

VCC = IC RC + vCE + IC RE (95)

de donde despejamos vCE :

vCE = VCC IC RC IC RE = 4,1 V (96)

Y ya tenemos calculado el punto de operacin que viene dado por:

Q = (vCE = 4,1 V,IC = 2,3 mA) (97)

Como podis observar, la variacin del punto de operacin hasta un primer decimal es
inapreciable, con lo que se consigue uno de los objetivos que queramos con la red de
polarizacin, que es que presenta insensibilidad frente a variaciones de . La razn de
esta insensibilidad radica en el hecho de que la corriente de base ahora cambia con el
valor de y, mediante esta forma, el producto IB se mantiene prcticamente constante.
CC-BY-SA PID_00170129 58 El transistor

Tened en cuenta que esta insensibilidad a los valores de se consigue si

RTh
RE . Es decir, deberemos elegir R1 y R2 para que se satisfaga esa desigual-
dad. Podemos fijar el siguiente criterio, a efectos de diseo, para satisfacer esa
condicin:

RTh
RE = 10 (98)
min

donde min representa el valor de ms pequeo que puede tener el BJT de

la familia que se est usando. A modo de ejemplo, podis ver en la tabla 2
algunos valores caractersticos de de algunas familias de transistores donde
podis observar la enorme dispersin de sus parmetros y, por lo tanto, la
importancia de un buen circuito de polarizacin.

Tabla 2. Valores tpicos de en algunas familias de transistores

min max
BC108 110 800
2N2222 100 300

Finalmente, notad que la clave para lograr la estabilidad del punto de opera-
cin ha sido incluir una resistencia de emisor RE debido a que desempea un
papel de realimentacin negativa. Este hecho podra haberse extendido tam-
bin a la polarizacin de base que vimos en el subapartado 2.1.2 incluyendo
en el diagrama una resistencia en el emisor. Sin embargo, uno de los tipos de
polarizacin ms usados es el de divisin de tensin que hemos visto en este
subapartado.

Ahora ya conocis dos posibles topologas de polarizacin y cmo llevar a

cabo su anlisis. El siguiente paso ser ver cmo se pueden disear.

2.1.3. Diseo de redes de polarizacin

El objetivo de este subapartado es proporcionaros una tcnica para el diseo

de redes de polarizacin basadas en la topologa de divisor de tensin que
acabamos de estudiar en el subapartado 2.1.2. La idea es fijar el punto de
operacin y, a partir de l, fijar los valores de las resistencias que aparecen
en la red de polarizacin. ste no es un proceso trivial ya que, por ejemplo,
como muestra la ecuacin 98, no hemos obtenido el valor directamente de las
resistencias, sino de su equivalente Thvenin. Adems, la solucin no es nica,
es decir, existen diferentes conjuntos de valores de resistencias (R1 ,R2 ,RE ,RC )
que permiten obtener el mismo punto de operacin.

El punto de partida ser el conocimiento de vCE e IC , que determinan el pun-

to de operacin, y el voltaje de la alimentacin VCC . En este punto, aparece el
problema de cmo elegir estos valores para una cierta aplicacin. En aplicacio-
nes de amplificacin, estos valores se eligen normalmente de tal forma que la
salida pueda ser lo ms grande posible sin que cambie la regin de operacin
del BJT. Este criterio se puede ver grficamente en la figura 29.
CC-BY-SA PID_00170129 59 El transistor

Figura 29. Superposicin de una seal variable a un punto de trabajo en continua

IC Punto de operacin
en continua Figura 29
iC (t)
Representacin de un punto
de operacin en continua al
que se le ha superpuesto una
IC,Q
seal externa peridica
descrita por la seal
sinusoidal IC , dibujada en la
parte derecha del dibujo.
Entonces, el punto de
vCE operacin tambin se mueve
peridicamente. En
Excursin simtrica consecuencia, los valores de
mxima
las corrientes y tensiones en
los terminales lo hacen. En la
figura, podis ver la tensin
vCE como una seal sinusoidal
vCE en la parte inferior del dibujo.

En ella podemos observar, superpuestos, el punto de operacin en continua y Regiones de polarizacin

su movimiento debido a las seales variables en el tiempo. Lo que se desea es

La polarizacin que
que el movimiento del punto de operacin pueda ser de la mayor amplitud presentamos en este
subapartado no es la nica
posible sin que se salga de la regin de trabajo. Es decir, que se pueda mover
posible para el transistor. En
con la mayor amplitud posible hacia ambos lados y que, por lo tanto, tenga ocasiones, puede ser
necesario sacrificar excursin
una excursin simtrica mxima. As, podremos amplificar seales de una
simtrica y linealidad para
mayor amplitud. Para ello, el punto de operacin se suele situar en un lugar conseguir mejorar otros
parmetros como la eficiencia
central en la regin de activa directa. del circuito y su consumo
energtico. No obstante, en
este mdulo no vamos a
Para calcular un punto central, miremos la figura 30. Podis ver que la recta de profundizar en estos
carga intercepta el eje horizontal en un valor de tensin dado por vCE = VCC . aspectos.

Figura 30. Lugar central en las caractersticas

Figura 30
IC
Recta de carga Recta de carga y situacin del
punto de operacin sobre
ella para que permita un
Punto de operacin movimiento mximo a
en la mitad de la recta ambos lados. La solucin es
situarlo en una parte central
de las caractersticas del BJT.

IC,Q IB,Q

vCE,Q VCC vCE

VCC /2
CC-BY-SA PID_00170129 60 El transistor

Si ahora tenemos en cuenta que vCE,sat VCC , entonces el punto central se

situar aproximadamente en la mitad de la recta de carga, que ser cuando
el potencial vCE sea la mitad de la tensin en continua VCC . Por lo tanto, un
lugar central en las caractersticas se podr obtener por medio de la ecuacin:

vCE 0,5 VCC (99)

La ecuacin 99 se puede interpretar como un criterio de diseo para colocar el

punto de operacin. Esto significa que es tan slo una recomendacin, no es
necesario que siempre elijamos este punto; el diseador puede elegir el valor
de vCE que decida. En cualquier caso, una vez tenemos los datos de entrada, ya
podemos proceder al diseo del circuito de polarizacin. Sin embargo, antes
de pasar a describir los pasos del diseo hagamos un breve resumen de los
datos y criterios que debemos utilizar:

Punto de trabajo deseado, (ICQ ,vCEQ ). Recordatorio de smbolos

Los smbolos que utilizamos

Voltaje de alimentacin deseado, VCC . tienen los siguientes
significados:
RE es la resistencia de
Condicin para que el circuito presente insensibilidad con respecto a va- emisor.
vCE es la tensin de
riaciones de , RE = 10 Rmin
Th
colector medida desde el
emisor.
RTh es el equivalente
Finalmente, imponemos que vRE 0,1VCC . Esta condicin hay que impo- Thvenin de las
nerla para obtener una solucin concreta al problema de diseo, ya que resistencias R1 y R2 .
vRE es la cada de tensin
hay diferentes combinaciones de valores de resistencias que podran con- en la resistencia RE .
seguir el punto de operacin deseado. Por lo tanto, es una forma de obtener
una solucin nica al problema.

Los pasos que hemos de seguir con objeto de disear una red de polari-
zacin son los siguientes:

1) Conocer IC y vCE , que sitan el punto de trabajo deseado para el

transistor.

2) Conocer el valor de VCC , que es la fuente de alimentacin del circui-

to y normalmente dato del problema.

3) Conocer el valor de min , que da cuenta del valor ms pequeo de

que se puede presentar en la familia de transistores utilizados y que
proporciona el fabricante del dispositivo.

4) Hacer que vRE = 0,1VCC y obtener el valor de la resistencia RE , me-

diante la ley de Ohm:

vRE
RE = (100)
IC
CC-BY-SA PID_00170129 61 El transistor

.
Ecuacin 101
5) Dimensionar la fuente Thvenin en la forma
El valor de 0,7 V que aparece
en la ecuacin 101 es debido
VTh = 0,7 + vRE (101) a que vBE 0,7 V para
transistores de silicio.

Esta ecuacin surge de la malla de entrada en la que se ha supues-

to que IB es suficientemente pequea como para que no caiga una
tensin apreciable en RTh .

6) Elegir la resistencia Thvenin con el criterio mostrado en la ecua-

cin 98:

RTh = 0,1min RE (102)

7) A partir de los puntos 5 y 6, calcular R1 y R2 utilizando las ecuacio-

nes 101 y 102:

VCC RTh
R1 = (103)
VTh

VCC RTh
R2 = (104)
VCC VTh

8) Finalmente, despejar RC de la ecuacin 78:

VCC vCE IC RE
RC = (105)
IC

puesto que ahora el resto de variables son conocidas.

De esta forma, podris disear un circuito de polarizacin con una adecuada

insensibilidad con respecto a las variaciones de en funcin del dispositivo y
en el punto de operacin que queris.

Ejemplo 7

Disead un circuito de polarizacin por divisin de tensin como el representado en la

figura 26 para situar un BJT de min = 100 y vBE = 0,7 V en el punto de operacin dado
por Q = (vCE = 4 V,IC = 2,5 mA) si la fuente utilizada es de VCC = 10 V. (Fijaos en que en
este ejemplo el diseador ha decidido no seguir la recomendacin de vCE 0,5 VCC ).

Solucin

Seguimos los pasos mencionados en el recuadro gris. En primer lugar, debemos tener
disponibles los datos iniciales:

1) Conocer el punto de trabajo para el transistor. En este caso, es Q = (vCE = 4 V,IC =

2,5 mA).
CC-BY-SA PID_00170129 62 El transistor

2) Conocer el valor de la fuente de continua, VCC . En nuestro problema, VCC = 10 V.

3) Conocer el valor de min . En el enunciado, nos dicen que min = 100. Ahora que
ya tenemos presentes todos los datos necesarios, podemos comenzar con la fase de
diseo propiamente dicha.
4) Inicialmente, debemos calcular la resistencia RE . Primero calculamos su diferencia de
potencial segn:

VRE = 0,1VCC = 1 V (106)

y a continuacin el valor de la resistencia haciendo uso de la ley de Ohm:

vRE 1
RE = = = 400 (107)
IC 0,0025

5) Ahora dimensionamos la fuente Thvenin en la forma:

VTh = 0,7 + vRE = 0,7 + 1 = 1,7 V (108)

6) Elegimos la resistencia Thvenin, RTh como:

RTh = 0,1min RE = 0,1 100 400 = 4.000 = 4 k (109)

7) Una vez que ya tenemos los equivalentes Thvenin dados por las ecuaciones 108
y 109, calcularemos las resistencias R1 y R2 :

VCC RTh 10 4.000

R1 = = = 2,353 104 (110)
VTh 1,7

VCC RTh 10 4.000

R2 = = = 4.819 (111)
VCC VTh 10 1,7

8) Finalmente, despejamos el valor de RC :

VCC = IC RC + vCE + IC RE (112)

VCC vCE 10 5
RC = RE = 400 = 1.600 (113)
IC 0,0025

Por lo tanto, ya tenemos todos los parmetros que definen la red de polarizacin buscada.
Ahora, como ejercicio, podis analizar el circuito con los parmetros encontrados para
comprobar que el punto de operacin obtenido es prcticamente el deseado.

En este subapartado, hemos diseado y analizado circuitos de polarizacin

que fijan el punto de trabajo del BJT en la regin activa directa. Es decir, los
circuitos de polarizacin fijan en los terminales del BJT unos valores de ten-
sin y corriente de continua. Sobre estos valores de continua, superpondremos
una seal que oscile en el tiempo y que ser la seal que se quiere amplificar.
Gracias a los circuitos de polarizacin, si la amplitud de la seal que quere-
mos superponer es ms pequea que la amplitud de continua, el transistor no
cambiar su regin de funcionamiento debido a variaciones de la seal. Dire-
CC-BY-SA PID_00170129 63 El transistor

mos entonces que el transistor amplifica en pequea seal. Este concepto de

pequea seal, junto con el de frecuencia intermedia, se trata en el siguiente
subapartado.

2.2. Qu significa pequea seal y frecuencia intermedia?

El objetivo de este subapartado es establecer los conceptos de pequea seal

y de frecuencias intermedias. Los amplificadores que veremos en el subapar-
tado 2.4 slo son vlidos con estos calificativos y debemos tener claro cundo
los podremos aplicar.

Ya hemos indicado en el subapartado 2.1 que la amplitud de la seal por

amplificar debe ser ms pequea que la tensin de continua que fija el punto
de operacin del BJT. En caso contrario, podra ocurrir que el BJT cambiara su
regin de funcionamiento en algn intervalo de tiempo. Sin embargo, ste no
es el nico problema que aparece: el transistor est definido por ecuaciones
no lineales.

La no linealidad de las ecuaciones del BJT complican de una manera sustan-

cial el anlisis de circuitos basados en l. Lo ideal sera que su comportamiento
fuera lineal, puesto que as podramos utilizar las tcnicas lineales que ya co-
nocemos de la teora de circuitos. Para solucionar este problema, lo que vamos
a hacer es restringir an ms la amplitud de la seal de entrada de tal forma
que oscile poco en torno al punto de operacin. En este caso, el BJT se com-
portar de una forma prcticamente lineal en torno a su punto de operacin,
podremos aproximar las ecuaciones no lineales por ecuaciones lineales y sim-
plificar as el proceso de anlisis del circuito.

Por lo tanto, diremos que trabajamos en pequea seal cuando la am-

plitud de la seal de entrada sea suficientemente pequea como para
suponer que el BJT se comporta de un modo lineal en torno al punto
de trabajo elegido.

Este hecho ser muy importante, ya que si el resto del circuito es lineal en-
Ved tambin
tonces podremos calcular su salida mediante el principio de superposicin.
El principio de superposicin afirma que la salida de un circuito lineal ante Para saber ms sobre el
principio de superposicin
una entrada que sea una suma de tensiones se puede calcular como la suma podis consultar el anexo de
la asignatura.
de las salidas que ofrecera el circuito para cada una de las tensiones como
si estuvieran aplicadas por separado. As, el anlisis del mismo se simplifica
notablemente.

Por otro lado, el ttulo del apartado tambin establece que trabajaremos a
frecuencias intermedias, pero qu significa frecuencia intermedia? Recor-
CC-BY-SA PID_00170129 64 El transistor

dad que ya en el apartado 1 mencionamos el concepto de baja frecuencia.

Decamos que una seal era de baja frecuencia cuando su longitud de onda
era mucho ms grande que las dimensiones del circuito. Entonces, podramos
despreciar los fenmenos de transmisin y propagacin de ondas a travs del
mismo. Junto con las seales peridicas de una cierta frecuencia, la baja fre-
cuencia inclua tambin las seales de continua. Desde un punto de vista
matemtico, las seales de continua no son seales peridicas y no poseen
ni periodo ni frecuencia asociada, por eso se aadan de forma separada a las
seales peridicas. Adems, slo tenamos en cuenta la baja frecuencia para
evitar que aparecieran fenmenos complejos dentro de los materiales semi-
conductores.

Por frecuencia intermedia, entendemos la regin de baja frecuencia,

pero sin contar las seales de continua.

El motivo por el que establecemos esta distincin es que las seales de conti-
nua definen el punto de trabajo del transistor y su regin de operacin. En-
tonces, si la seal de entrada posee componente de continua, podra ocurrir
que el punto de operacin del transistor fuera cambiando de regin y que no
estuviera situado siempre en la regin de activa directa. Precisamente, esto es
lo que queremos evitar con el circuito de polarizacin y la especificacin de los
valores de continua y por eso quitamos las seales de continua del conjunto
de seales externas.

A modo de conclusin, en todo este apartado vamos a trabajar en fre-

cuencia intermedia y pequea seal. Como consecuencia, el comporta-
miento del BJT ser lineal.

El siguiente paso ser, por lo tanto, obtener modelos lineales del BJT en torno
al punto de trabajo determinado por el circuito de polarizacin. Ser lo que
hagamos en el siguiente subapartado. En este punto, merece la pena recordar
que el BJT es realmente un dispositivo complicado y por eso, antes de enten-
der sus aplicaciones como amplificador, tenemos que pasar por todos estos
pasos intermedios que son el diseo de redes de polarizacin y la obtencin
de modelos lineales. No debemos perder de vista lo que queremos: conocer y
analizar circuitos de amplificacin.

2.3. Modelos lineales del transistor BJT

En este subapartado, vamos a ver dos de los modelos lineales ms extendidos

del BJT y que son de uso habitual en el anlisis de circuitos basados en l. En
concreto se trata del:
CC-BY-SA PID_00170129 65 El transistor

Modelo de parmetros hbridos o parmetros h.

Modelo de parmetros r.

El modelo de parmetros hbridos es un modelo general vlido para muchos

dispositivos electrnicos y su uso est muy extendido en electrnica. El mode-
lo de parmetros r es un modelo particular del BJT, pero que nos da una visin
ms fsica del comportamiento del dispositivo y de su papel en los circuitos
de amplificacin.

En los prximos subapartados, establecemos una breve presentacin de ambos

modelos. Comenzaremos por el modelo de parmetros hbridos y continuare-
mos con el de parmetros r.

2.3.1. Modelo de parmetros hbridos del BJT

En este subapartado, vamos a presentar la descripcin de parmetros hbridos

de un BJT. La idea bsica subyacente es la de encontrar una ecuacin que ligue
las variables elctricas entre los terminales, pero que tenga una forma lineal.
Para ello, se eligen una serie de variables elctricas independientes y otras
dependientes y se busca una ecuacin lineal que las ligue.

En el modelo de parmetros hbridos, las variables independientes son vCE e

IB mientras que las dependientes son vBE e IC . Fijaos en que, en ambos con-
juntos de variables, hay tanto tensiones como corrientes, por eso se llaman
parmetros hbridos. La relacin lineal entre los parmetros se produce slo
alrededor del punto de trabajo, as que el primer paso es dividir cada variable
con la suma de su valor en el punto de trabajo ms una variacin pequea en
torno a l debido a la seal de entrada.

De esta forma, cada variable elctrica se puede escribir como:

vBE (t) = vBEQ + b

vBE (t) (114)

IC (t) = ICQ + bIC (t) (115)

vCE (t) = vCEQ + b

vCE (t) (116)

IB (t) = IBQ + bIB (t) (117)

donde:

vBE (t), IC (t), vCE (t) e IB (t) son las tensiones y corrientes variables en el tiem-
po que describen el comportamiento del BJT.
CC-BY-SA PID_00170129 66 El transistor

vBEQ , ICQ , vCEQ y IBQ son los valores de las variables en el punto de trabajo
del BJT.

vBE (t), bIC (t), b

b vCE (t) y bIB (t) son las variaciones de las variables elctricas del
BJT alrededor del punto de trabajo del BJT.

En el modelo lineal, tan slo nos interesa hallar una relacin entre las varia-
bles con sombrero, ya que las variables del punto de trabajo las determina el
circuito de polarizacin externo al trabajar en la regin de frecuencias inter-
medias y no poseer trmino de continua la seal de entrada. Por lo tanto, el
modelo de parmetros h slo relaciona las variables con sombrero.

El modelo de parmetros hbridos (o parmetros h) est definido por las

ecuaciones 118 y 119, que relacionan las variables alrededor del punto
de trabajo:

b
vBE = h11bIB + h12b
vCE (118)

bIC = h21bIB + h22b

vCE (119)

donde h11 , h12 , h21 y h22 son nmeros que definen los parmetros h-
bridos del BJT para el punto de trabajo seleccionado.

sta es la representacin del BJT mediante sus parmetros hbridos. En nume- Parmetros hbridos
rosas ocasiones, tambin recibe el nombre de representacin mediante par-
Los parmetros hbridos son
metros h al ser esta letra la utilizada para representarlos. datos proporcionados por el
fabricante del dispositivo en
las hojas de caractersticas,
Fijaos en un detalle importante y es que no todos los parmetros h tienen las datasheets.
mismas dimensiones:
Parmetros h
El parmetro h11 tiene dimensiones de resistencia.
Los parmetros h tambin se
El parmetro h22 tiene dimensiones de admitancia, es decir de inverso de denotan de la siguiente
forma alternativa:
resistencia.
Los parmetros h11 y h22 son adimensionales, es decir, no tienen dimensio- h11 = hie
h12 = hre
nes. h21 = hfe
h22 = hoe

De aqu que los valores grandes o pequeos de estos parmetros tengan dife-
rente significado. A modo de ejemplo, veamos qu significa que los parme-
tros h11 y h22 tengan valores pequeos:

Que el parmetro h11 tenga un valor pequeo significa que es una resisten-
cia con un valor pequeo y se puede sustituir por un cortocircuito.
CC-BY-SA PID_00170129 67 El transistor

Que el parmetro h22 tenga un valor pequeo significa que su inverso, la

resistencia, es muy grande y que se puede sustituir por un circuito abierto.

El caso de valores grandes, se resolvera de un modo similar. El modelo de

parmetros h es uno de los ms extendidos dentro del estudio de los circuitos
con dispositivos electrnicos y por lo tanto es importante que conozcis en
qu consiste.

En muchos transistores se verifica que

h12 0; h22 0 (120)

con lo que, a efectos prcticos, podemos eliminarlas y obtenemos un modelo

simplificado dado por:

b
vBE = h11bIB (121)

bIC = h21bIB (122)

Las ecuaciones 121 y 122 se pueden representar grficamente por medio de la

figura 31.

Figura 31. Modelo simplificado de parmetros h de un BJT Figura 31

IB IC Representacin esquemtica
del significado de las
ecuaciones simplificadas del
modelo de parmetros h.
vBE h11 h21IB vCE

Aunque el modelo de parmetros h es uno de los ms extendidos, no es la ni-

ca representacin lineal del BJT. Otra de las posibles representaciones lineales
del BJT est dada por el denominado modelo de parmetros r. La ventaja de
los parmetros r frente a los h es que nos ofrecen una descripcin ms fsica de
por qu es as el modelo del BJT. A continuacin, vamos a describir el modelo
de parmetros r y dispondremos de dos modelos lineales diferentes del BJT.

2.3.2. Modelo de parmetros r

En este subapartado, vamos a presentar el modelo de parmetros r del transis-

tor BJT. Este modelo est representado en la figura 32.
CC-BY-SA PID_00170129 68 El transistor

Figura 32. Modelo de parmetros r de un BJT

IB
rB
B

rE

En ella, observamos tres elementos que definen el modelo:

Una fuente dependiente de corriente que representa el comportamiento de

colector dado por la ecuacin 43, IC = IB .

Una resistencia de base, rB , que representa el comportamiento de la base.

Una resistencia de emisor, rE , que representa el comportamiento del emi-

sor.

Es importante que notis cmo estn dispuestos los terminales del transistor
en la figura 32, ya que cuando sustituyis el BJT por su modelo deberis respe-
tar cmo est conectado.

Vemos en la figura 32 que el modelo viene descrito por tres parmetros: ,

rB y rE . Veamos cul es el orden de magnitud de estos parmetros y cmo se
pueden calcular:

. Del parmetro beta ya hemos hablado en el subapartado 1.5.1. Este pa-

rmetro representa la ganancia de corriente del BJT y, en los ejemplos del
apartado 1, vimos que poda tomar valores del orden de las centenas.

rB . Este parmetro es la resistencia de base y captura la resistencia que

opone sta al paso de corriente. En las tecnologas actuales, el valor de rB
es del orden de 10 o 100 mientras que IB 1 A lo que implica que la
cada de potencial en rB es muy pequea, ya que la ley de Ohm establece
que la cada de potencial en una resistencia es el producto del valor de
esa resistencia por la corriente que la atraviesa. De esta forma, a efectos
prcticos, podemos suponer que rB 0 y suprimirla del modelo inicial
para obtener el modelo simplificado representado en la figura 33.
CC-BY-SA PID_00170129 69 El transistor

Figura 33. Modelo simplificado de parmetros r

de un BJT

C Figura 33

Modelo de parmetros r
simplificado en el que se ha
eliminado la resistencia de
IB base al caer en ella una
tensin muy pequea con
respecto a la tensin vCB .
B

rE

rE . Finalmente, la resistencia rE se denomina resistencia dinmica de emi- Ved tambin

sor y es la resistencia que corresponde a un diodo en directa en torno al
La resistencia dinmica de
punto de operacin elegido. Esta resistencia captura el efecto de la unin emisor se estudia en el
mdulo El diodo.
PN que hay entre el emisor y la base. Su valor es:
Funcionamiento y
aplicaciones de esta
asignatura.
0,026
rE = (123)
IEQ
Ved tambin

donde IEQ es el valor de la corriente de emisor en el punto de operacin. Podis consultar el mdulo
El diodo. Funcionamiento y
aplicaciones para la
Ejemplo 8 explicacin de la
ecuacin 123, en el que os
Calculad el valor de la resistencia dinmica de emisor para un BJT si su corriente de emi- explicamos la aparicin del
sor en el punto de operacin es IE = 2,5 mA. valor 0,026.

Solucin

El valor de la resistencia dinmica de emisor est dado por la ecuacin 123:

0,026 0,026
rE = = = 10,4 (124)
IEQ 0,0025

Como veis, se trata habitualmente de un valor pequeo y ms pequeo que el valor de

las resistencias que forman parte del circuito de polarizacin.

Ya tenemos definidos todos los parmetros que definen el modelo r del BJT. Fi-
jaos en cmo cada uno de estos parmetros responde a un hecho fsico concre-
to del BJT: la ganancia en corriente (), la resistencia de base(rB ) y la unin PN
(resistencia rE ). Por este motivo, el modelo de parmetros r es un modelo ms
intuitivo que el modelo de parmetros h presentado en el subapartado 2.3.1.
CC-BY-SA PID_00170129 70 El transistor

El modelo de parmetros r del BJT est representado en la figura 33,

donde:

es la ganancia en corriente del BJT.

rE es la resistencia dinmica de emisor que se calcula como:

0,026
rE = (125)
IEQ

donde IEQ es el valor de la corriente de emisor en el punto de traba-

jo Q.

Ahora que ya conocis diferentes modelos lineales del BJT, estamos en dispo-
sicin de presentar y analizar diferentes topologas utilizadas en aplicaciones
de amplificacin basadas en BJT. En primer lugar, vamos a presentar el proce-
dimiento general de anlisis y luego veremos ejemplos concretos de circuitos
amplificadores. Veamos en primer lugar cul es el mtodo general de anlisis.

2.4. Anlisis de un circuito amplificador lineal

En este subapartado, vamos a utilizar los modelos lineales desarrollados en el

subapartado 2.3 para analizar los circuitos de amplificacin. A lo largo de su
extensin, supondremos que el BJT opera en un cierto punto de operacin
en la regin de activa directa conseguido gracias a un circuito de polarizacin
adecuado.

En el subapartado 2.1.2 ya vimos cmo calcular el punto de operacin del Frecuencia intermedia

BJT y establecer los valores de continua de las tensiones y corrientes. Ahora, Recordad que entendemos
estaremos interesados nicamente en ver cmo se comporta el transistor ante por frecuencia intermedia el
rango de bajas frecuencias al
seales de entrada de frecuencia intermedia. que se le ha excluido las
componentes de continua.

Fijaos en que lo que estamos haciendo es, en definitiva, el anlisis de continua

de la polarizacin, por un lado, como hicimos en el subapartado 2.1 y ahora, Anlisis de frecuencia
intermedia
por el otro lado, el anlisis de frecuencia intermedia de la seal de entrada.
Como el circuito es lineal, podremos calcular la salida total ante una entrada El anlisis de frecuencia
intermedia tambin recibe el
mediante el principio de superposicin: mediante la suma de las salidas que nombre de anlisis en
hayamos obtenido para cada uno de los anlisis. Ahora nos centraremos en el alterna.

anlisis de alterna.

El procedimiento de anlisis para seales de alterna se puede dividir en los

siguientes pasos:

1) Sustituir las fuentes de tensin continua por cortocircuitos y las fuentes de

corriente continua por circuitos abiertos, puesto que slo estamos interesados
en las seales de alterna.
CC-BY-SA PID_00170129 71 El transistor

2) Identificar la configuracin en la que est trabajando el BJT. La configura-

cin del BJT puede ser emisor, base o colector comn.

3) Sustituir el BJT por su modelo lineal equivalente. Para ello, se debern iden-
tificar claramente los terminales del transistor y se comprobar que el modelo
lineal tiene situados los mismos terminales en el mismo sitio que el BJT inicial.
El resultado es un circuito lineal equivalente.

4) Por ltimo, resolver el circuito lineal utilizando cualquier mtodo de an-

lisis de circuitos lineales.

Ahora que ya conocis el procedimiento que seguiremos, vamos a aplicarlo a

algunas configuraciones tpicas de circuitos de amplificacin basados en BJT.
A pesar de ser ejemplos concretos, son topologas tpicas que es importante
que conozcis y adems nos servir de banco de pruebas para mostraros cmo
llevar a cabo el anlisis del circuito. En concreto, veremos cmo son las topo-
logas de amplificacin para las tres configuraciones del BJT. Comenzaremos
con una topologa de amplificacin en emisor comn y proseguiremos con
las de base y colector comn. En todo caso, recordad que la salida total ser
la suma de la componente continua de polarizacin ms la seal de alterna
obtenida de este anlisis.

2.4.1. Configuracin del emisor comn

En primer lugar, presentamos la topologa de amplificacin en emisor comn

representada en la figura 34.

Figura 34. Amplificador en emisor comn Figura 34

Topologa bsica de un
circuito amplificador en
+ emisor comn.
VCC

R1 RC Salida

C
CB vo (t)
B

vi (t)
R2 RE CE

Entrada
Polarizacin por divisin
de tensin
CC-BY-SA PID_00170129 72 El transistor

En la figura 34, podis ver la estructura del amplificador. Podemos distinguir

en ella varias partes:

Un circuito de polarizacin por divisin de tensin como el que ya vimos

en el subapartado 2.1.2.
Dos condensadores, CE y CB .
La seal de entrada, vi (t), y la de salida, vo (t), que es la tensin en el termi- Seales de entrada y de
nal de colector. salida

Los subndices i y o en las

Ahora podemos empezar con el anlisis del circuito mediante la metodologa seales de entrada y de salida
hacen referencia a input
introducida en el subapartado 2.4: (entrada) y output (salida)
respectivamente.

1) En primer lugar, deberamos resolver el punto de trabajo del BJT a travs

del anlisis del circuito en continua. Para ello, lo que hacemos es convertir Condensadores

todos los condensadores en circuitos abiertos. Si volvemos a la figura 34 y Recordad que la impedancia
convertimos todos los condensadores en circuitos abiertos, obtenemos un cir- de un condensador es

cuito que es exactamente el circuito de polarizacin por divisin de tensin 1

Z=
presentado en el subapartado 2.1.2. Entonces, mediante los mtodos presen- j C

tados en ese subapartado podemos calcular el punto de trabajo del BJT, como y, por lo tanto, cuando
0 (que es el caso de
hicimos en los ejemplos 5 y 6.
continua) se vuelve muy
En este punto, podemos interpretar la topologa del amplificador en emisor grande y el condensador se
comporta como un circuito
comn representada en la figura 34 de la siguiente forma: abierto.

a) Vemos que la topologa del amplificador es coger un circuito de polariza-

cin por divisin de tensin, acoplarle una seal de entrada y tomar como
salida la tensin en el colector.

b) Para acoplar la seal de entrada se interpone un condensador, CB . Este

condensador asla la componente de continua de la entrada del resto del
circuito y permite que el punto de trabajo del BJT est fijado nicamen-
te por el circuito de polarizacin, al margen de los valores de la seal de
entrada.

Como resultado de ejecutar el anlisis en continua, conoceramos el punto de

trabajo del transistor.

2) El siguiente paso es iniciar el anlisis en alterna del circuito a travs de los

pasos del subapartado 2.4:

a) Los condensadores se ponen en cortocircuito y las fuentes de continua, a

cero (las fuentes de voltaje se convierten en cortocircuitos y las de corrien- Condensadores en
cortocircuito
te, en circuitos abiertos). El resultado es la grfica de la figura 35.
Para que los condensadores
En la figura 35, podis observar que, al haber eliminado las fuentes de se puedan sustituir por
cortocircuitos es necesario
continua y cortocircuitado de los condensadores, ha desaparecido la resis- que tengan un valor de
tencia RE . Esto es as porque el condensador CE de la figura 34 ha cortocir- capacidad suficientemente
grande. Entonces, su
cuitado el terminal de emisor y la tierra. impedancia a la frecuencia de
trabajo de la seal sera muy
pequea y seran muy
parecidos a cortocircuitos.
CC-BY-SA PID_00170129 73 El transistor

Figura 35. Amplificador en emisor comn. Anlisis en alterna

Salida
Figura 35

C
vo (t) Circuito que representa en
B anlisis en alterna del
amplificador en emisor
E comn. Los condensadores
se han sustituido por
cortocircuitos y las fuentes de
vi (t) RC tensin continua han
R1 R2
desaparecido.

Entrada

b) Identificamos la configuracin en la que trabaja el BJT: emisor comn. La

forma de determinar la configuracin en la que trabaja el transistor con-
siste en mirar el circuito de alterna que se pretende analizar y que est
representado en la figura 35. Entonces, vemos que hay un terminal, que es
el emisor, que est conectado a masa y ste se comparte entre la entrada y
la salida. Tambin vemos que la salida se toma en el terminal de colector.
Por lo tanto, encaja con la representacin de la figura 9 en la que el termi-
nal de emisor se comparta entre los circuitos de entrada y de salida y la
salida se tomaba en el colector. Entonces, estamos ante una configuracin
de emisor comn.

c) Sustituimos el BJT por un modelo lineal. En este caso, utilizaremos a modo

de ejemplo el modelo de parmetros r representado en la figura 33. Pa-
ra ello, eliminamos el BJT del circuito original y ponemos en su lugar el
modelo lineal como muestra la figura 36.

Figura 36. Proceso de sustitucin del BJT por su modelo lineal Figura 36

Engancha Salida Proceso por el que el modelo

Parmetros r lineal del BJT de parmetros r
C C sustituye al BJT en el circuito
vo (t) de amplificacin.
Engancha
IB
B B

rE
RC
E
vi (t)
R1 R2
E

Engancha
Entrada
CC-BY-SA PID_00170129 74 El transistor

En la figura 36, podis ver cmo hemos quitado el BJT y colocado el mo-
delo lineal de tal forma que se respetan los terminales de enganche entre
el modelo y los originales del BJT. Es importante que tengis mucho cui-
dado en este punto, ya que de esto depende ejecutar el anlisis del circuito
correctamente. Para ello, podemos fijarnos en el terminal comn y as no
confundirnos al introducir el modelo. El resultado del enganche aparece
en la figura 37.

Figura 37. Sustitucin del BJT por su modelo lineal Figura 37

Salida Resultado de sustituir el BJT

Parmetros r por su modelo lineal de
C parmetros r. El resultado es
vo (t) un circuito lineal que puede
ser analizado mediante
IB cualquier tcnica de teora de
IB
B circuitos.
rE
RC
E
vi (t)
R1 R2 IC

IE

Entrada

d) Ya tenemos el circuito lineal y tan slo queda analizarlo a travs de las

tcnicas conocidas de anlisis de circuitos lineales.

El ltimo punto del anlisis del circuito lo haremos a continuacin de forma

separada para cada una de las variables que nos va a interesar conocer en un
amplificador: la ganancia en voltaje, la resistencia de entrada y la resistencia
de salida. Comenzaremos por la ganancia en voltaje.

Ganancia en voltaje

En primer lugar, calcularemos la ganancia en voltaje del amplificador. ste es

uno de los parmetros que ms nos van a interesar del circuito. La ganancia en
voltaje del amplificador est definida como el cociente de la tensin de salida
entre la de entrada, es decir:

vo
Av = (126)
vi

Podremos calcular cunto vale esa ganancia si calculemos ambas tensiones y

hacemos su divisin. Sigamos este proceso, calculemos vo y despus vi :
CC-BY-SA PID_00170129 75 El transistor

1) El voltaje vo es la cada de potencial en la resistencia RC como se puede

ver en la figura 37. Con el sentido dibujado para la intensidad IC , la cada
de potencial en la resistencia RC se puede calcular a travs de la ley de Ohm
como:

vo = IC RC (127)

donde el signo menos hace referencia a que la corriente IC circula del potencial
menor al mayor, en lugar del mayor al menor. No obstante, la corriente IC es
la misma que circula por la fuente de corriente de la figura 37 y por lo tanto
se tiene que

IC = IB (128)

Si ahora sustituimos la ecuacin 128 en 127 podemos calcular la tensin de

salida como:

vo = IB RC (129)

2) Ahora calcularemos la tensin de entrada vi . Podis observar de la figura 37

que el potencial vi se corresponde con la cada de potencial en cualquiera de
las resistencias R1 , R2 o rE , ya que se encuentran todas ellas en paralelo. En
particular, lo ms sencillo es calcular vi como la cada de potencial en rE . La
cada de potencial en rE se puede calcular mediante la ley de Ohm y da:

vi = IE rE (130)

donde la corriente de emisor se puede calcular mediante la ley de Kirchhoff

de corrientes como la suma de las corrientes que entran al terminal de emisor:

IE = IB + IB = (1 + )IB (131)

Por lo tanto, la tensin de entrada queda:

vi = (1 + )IB rE (132)

Finalmente, para obtener la ganancia en voltaje, slo tenemos que dividir la

ecuacin 129 entre la 132:

vo IB RC RC
Av = = = (133)
vi (1 + )IB rE (1 + )rE
CC-BY-SA PID_00170129 76 El transistor

que es la ganancia en voltaje del amplificador en emisor comn presentado en

la figura 34. Por lo tanto, con el transistor hemos conseguido realizar un am-
plificador en voltaje y respondemos a la primera de las preguntas formuladas
al comienzo de este apartado.

Por otro lado, vemos que aparece un signo menos en la ecuacin 133. Enton-
ces, la seal de salida tiene el signo opuesto que la seal de entrada; se trata
de un amplificador inversor, ya que cambia la polaridad de la seal.

La ecuacin 133 todava se puede simplificar un poco ms si tenemos en cuen-

ta que, como se ha mencionado en el subapartado 1.5.1:

>> 1 (134)

y, por lo tanto,

(1 + ) (135)

Si sustituimos la aproximacin 135 en la ecuacin 133, obtenemos la expre-

sin simplificada de la ganancia en voltaje.

La ganancia en voltaje del amplificador en emisor comn est dada por:

RC R R
Av = C = C (136)
(1 + )rE rE rE

Veamos en un ejemplo cmo calcular la ganancia.

Ejemplo 9

Calculad la ganancia en voltaje del circuito de la figura 34 con los siguientes valores de
los parmetros:

R1 = 22 k, R2 = 11 k
RE = 1 k, RC = 1,2 k
VCC = 9 V
= 120 y vBE = 0,7 V

Solucin

La ganancia en voltaje del circuito de la figura 34 viene dada por la ecuacin 136. Para
poder calcular esa ganancia, es necesario conocer la resistencia RC y la resistencia din-
mica del emisor rE . La resistencia RC la conocemos, puesto que es un dato del ejercicio,
pero la resistencia rE no y debemos calcularla. El valor de rE se puede calcular por medio
de la ecuacin 123:

0,026
rE = (137)
IEQ
CC-BY-SA PID_00170129 77 El transistor

Vemos que, para emplear la ecuacin 137, necesitamos conocer la corriente de emisor del
punto de trabajo. Entonces, ahora deberamos calcular el punto de trabajo del transistor
para conocer esa corriente, ya que es prcticamente igual a la corriente de colector. Por Corrientes de colector y
suerte, no es necesario que hagamos esto ahora, ya que lo hicimos en el ejemplo 5 puesto emisor
que utilizamos los mismos datos que en l. El punto de trabajo viene dado por Q = (vCE =
4,2 V,IC = 2,17 mA). Entonces, la resistencia dinmica de emisor es: Recordad que se considera
que las corrientes de colector
y emisor son prcticamente
0,026 0,026 iguales, es decir, IE IC . Por
rE = = = 11,98 (138) lo tanto, donde aparece la
IEQ 0,00217
corriente de emisor, IE ,
podemos utilizar la corriente
de colector, IC .
Por lo tanto, la ganancia en voltaje es:

1.200
Av = = 106,17 (139)
11,98

y ya tenemos calculada la ganancia en tensin.

De este ejemplo, podemos extraer dos aspectos importantes que son genera-
les:

La resistencia dinmica de emisor tiene habitualmente un valor del orden

de las decenas de ohmios.

La ganancia habitual del circuito presentado suele ser del orden de la cen-
tena.

Sin embargo, no es nicamente la ganancia del amplificador el parmetro que

nos interesa del circuito. Tambin nos interesarn sus resistencias de entrada
y de salida, ya que eso proporciona una idea de cmo acta el circuito al
acoplarlo a otro circuito externo. Calculemos cunto vale la resistencia de
entrada y de salida del circuito.

Resistencia de entrada del amplificador en emisor comn

En este subapartado, vamos a calcular la resistencia de entrada del circuito. La

resistencia de entrada, Ri , se puede calcular a partir del circuito de la figura 37,
que repetimos aqu por comodidad y que representa el concepto de resistencia
de entrada que queremos calcular ahora.

La resistencia de entrada se define como:

vi
Ri = (140)
ii

donde vi es el voltaje de entrada e ii es la corriente de entrada al circuito, tal

como se muestra en la figura 38. Para el clculo de esta corriente y voltaje de
entrada, la salida debe estar en circuito abierto. Como no hemos conectado
nada a la salida del circuito, no debemos hacer ningn cambio ms.
CC-BY-SA PID_00170129 78 El transistor

Figura 38. Circuito para el clculo de la resistencia de entrada

C
vo (t) Figura 38
Ri
IB Circuito simplificado utilizado
ii IB
B en el clculo de la resistencia
rE de entrada para el
RC amplificador en emisor
E comn. La salida debe estar
en circuito abierto, que en
vi (t) este caso se cumple al no
R1 R2 IC
haber ninguna carga
IE conectada a vo .

Sin embargo, para hacer ms sencillo el clculo de la resistencia de entrada,

ejecutaremos un paso intermedio, que es el clculo de la resistencia Ri indicada
en la figura 39.

Figura 39. Representacin de la resistencia intermedia Ri Figura 39

C Circuito auxiliar para que sea

vo (t)
Ri ms sencillo el clculo de la
resistencia de entrada del
IB amplificador en emisor
IB
B comn.

ii rE
RC
E
vi (t)
R1 R2 IC

IE

Si conocemos Ri , la resistencia de entrada se calcular entonces como la aso-

ciacin en paralelo de R1 , R2 y Ri , tal como podis ver de la figura 40.

Figura 40. Representacin de la resistencia Figura 40

intermedia Ri
Circuito final para el clculo
Ri de la resistencia de entrada.
Ahora aparece una resistencia
intermedia, Ri , que facilita el
clculo de la resistencia de
entrada.

vi (t)
R1 R2 Ri
CC-BY-SA PID_00170129 79 El transistor

La razn de introducir este cambio es que facilita el clculo, ya que podemos

calcular Ri al conocer el valor de las corrientes y voltajes que entran a esa parte
del circuito. De hecho, la resistencia Ri se define como:

vi
Ri = (141)
ii

Pero ahora tenemos ii = IB , como vemos en la figura 39. Por otro lado, el
voltaje vi se puede calcular como la cada de potencial en la resistencia rE y
que viene dada por la ecuacin 132:

vi = (1 + )IB rE (142)

Ahora podemos calcular el valor de Ri :

vi (1 + )IB rE
Ri = = = (1 + )rE rE (143)
ii IB

donde hemos usado que >> 1. Por lo tanto, la resistencia de entrada se Asociacin en paralelo

calcula como la asociacin en paralelo:

En numerosas ocasiones se
utiliza el smbolo // para
indicar la asociacin en
Ri = R1 //R2 //Ri = R1 //R2 //rE (144) paralelo de resistencias. De
esta forma, R1 //R2 significa
que ambas resistencias estn
en paralelo. Este smbolo se
que proporciona un valor de la resistencia de entrada que se calcula a travs de: utiliza especialmente cuando
hay varias resistencias en
paralelo, lo que hara que
1 1 1 1 obtener una expresin para
= + + (145) la resistencia total diera lugar
Ri R1 R2 rE
a una expresin matemtica
farragosa.

Por lo tanto, la resistencia de entrada Ri del amplificador en emisor

comn es:

R2 rE + R1 rE + R1 R2
Ri = (146)
R1 R2 rE

Ejemplo 10

Calculad el valor de la resistencia de entrada del circuito amplificador de la figura 34 con

los datos del ejemplo 9.
CC-BY-SA PID_00170129 80 El transistor

Solucin

En primer lugar, calculamos el valor de Ri mediante la ecuacin 143:

Ri rE = 120 11,3 = 1.356 (147)

Ahora hacemos la asociacin en paralelo de R1 , R2 y Ri y obtenemos:

Ri = 1.144 (148)

que es el valor que estamos buscando.

En el diseo de circuitos electrnicos, interesa disponer de circuitos con una

resistencia de entrada muy alta. De esta forma, al acoplar el circuito a otros
sistemas cargar muy poco a stos y no alterar los valores de tensiones y co-
rrientes que poseen los circuitos originales. Por este motivo, interesa calcular
el valor de la resistencia de entrada y disponer de amplificadores con una re-
sistencia de entrada muy alta. Finalmente, calculemos la resistencia de salida.

Resistencia de salida del amplificador en emisor comn

En este subapartado, vamos a calcular el ltimo parmetro que nos interesa

del amplificador: su resistencia de salida. El valor de la resistencia de salida se
define como:

vo
Ro = (149)
io

donde vo es la tensin de salida e io es la corriente de salida del amplificador

como muestra la figura 41 si ponemos la entrada en circuito abierto.

Figura 41. Representacin de la resistencia de salida Figura 41

Ro Circuito utilizado en el
C clculo de la resistencia de
vo (t) salida. En este caso, la
io entrada se deja en circuito
IB IB abierto.
B
rE
RC
E

R1 R2 IC

IE
CC-BY-SA PID_00170129 81 El transistor

La resistencia de salida es ms fcil de calcular que la de entrada, ya que el

voltaje a la salida es el que cae en la resistencia de colector y la corriente que
entra es exactamente la corriente IB .

Entonces, la resistencia de salida del amplificador en emisor comn es:

vo IB RC
Ro = = = RC (150)
io IB

Vemos que la resistencia de salida es exactamente la resistencia de colector.

Ejemplo 11

Calculad la resistencia de salida del circuito del ejemplo 9.

Solucin

La resistencia de salida es la resistencia de colector que toma el valor siguiente:

Ro = RC = 1,2 k (151)

Con este parmetro, ya tenemos todos los que queramos estudiar y tenemos
analizado el circuito amplificador en emisor comn.

Sin embargo, como hemos mencionado al comienzo de este apartado, el am-

plificador no es un circuito aislado. Sino que forma parte de un circuito ms
grande. En el siguiente subapartado, vamos a ver cmo podemos incluir este
circuito en un circuito externo para as dar lugar a aplicaciones electrnicas
ms complejas.

Integracin del amplificador en un circuito externo

En este subapartado, vamos a ver cmo incluir el amplificador en un circuito

externo. La forma de hacerlo es como muestra la figura 42.

En la figura 42, podis ver que tenemos el mismo circuito de amplificacin que
hemos venido considerando, circuitos externos de entrada y de salida y entre
el amplificador y cada circuito externo dos condensadores, CB , que reciben el
nombre de condensadores de desacoplo.

La funcin de los condensadores de desacoplo es que las seales de

continua provenientes de los circuitos externos no alteren el punto de
operacin del BJT.
CC-BY-SA PID_00170129 82 El transistor

Figura 42. Amplificador en conexin con el resto del circuito

Figura 42
+
VCC Manera como el circuito de
amplificacin en emisor
comn se podra conectar a
R1 RC un circuito ms grande. Para
ello, se disponen dos
CB condensadores de desacoplo,
C uno en la entrada y otro en la
CB B Circuito salida del mismo.
de
Circuito salida
de E
entrada

R2 RE CE

Polarizacin por divisin

de tensin

De ah el nombre de estos condensadores, porque desacoplan las componen-

tes de continua del BJT y del resto del circuito:

A la entrada, porque la seal que se quiere amplificar puede contener un

trmino de continua.

A la salida, porque la tensin de colector posee dos componentes: una ten-

sin variable asociada a la tensin variable de entrada y una componente
continua asociada al punto de operacin del BJT. El condensador impide el
paso de esta componente continua y deja pasar tan slo la seal de alterna
amplificada.

En general, la ganancia del amplificador cambiar al incluirlo en un circuito

ms grande debido a que el resto del circuito influir en las variables elctricas
del amplificador y la ganancia no ser la que hemos calculado hasta ahora.
Para que esto no ocurra, sera conveniente que el amplificador tuviera una
resistencia de entrada grande y una resistencia de salida muy baja. De esta
forma, el amplificador se comportara como un circuito abierto al acoplarlo a
otro circuito y, por lo tanto, no lo cargara. De la misma forma, se compor-
tara como un circuito cerrado frente a un circuito que se acoplara a l y no
perturbara las variables elctricas de la carga.

Como hemos visto en los ejemplos 10 y 11, se no es el caso del amplifica-

dor en emisor comn. De aqu que tengamos que seguir investigando otras
posibles topologas de circuitos para averiguar si alguna cumple con estos re-
quisitos.
CC-BY-SA PID_00170129 83 El transistor

Continuaremos presentando las topologas de amplificacin en base y en co-

lector comn y calcularemos los parmetros que las caracterizan. Empecemos
con la topologa de base comn.

2.4.2. Configuracin de base comn

En este subapartado, introduciremos la topologa de amplificador en base co-

mn que toma la forma representada en la figura 43.

Figura 43. Amplificador en base comn Figura 43

Circuito amplificador en base

+ comn.
VCC

R1 RC

CB
E C
vo (t)
B
vi (t)
RE
CB R2

Notad dos caractersticas importantes de esta configuracin:

El BJT est en configuracin de base comn, ya que la base es el terminal

que se comparte entre los circuitos de entrada y de salida en alterna cuando
sustituimos los condensadores por cortocircuitos.

Sin embargo, la polarizacin es de emisor por divisin de tensin.

Para comprobar que la polarizacin es de tipo divisin de tensin, podemos

comenzar con el anlisis del circuito en continua. Para ello, sustituimos los
condensadores por circuitos abiertos. Entonces obtenemos el esquema de la
figura 44.

Si en la figura 44 sustituimos el condensador por un circuito abierto, compro-

baris que es exactamente la polarizacin por divisin de tensin que vimos
en el subapartado 2.1.2. Por lo tanto, el procedimiento de anlisis de continua
es el mismo que vimos en ese subapartado. De esta forma, ya conocemos el
comportamiento en continua del circuito.
CC-BY-SA PID_00170129 84 El transistor

Figura 44. Anlisis en continua del amplificador en base comn

Figura 44
+
VCC

Anlisis en continua del
amplificador en base comn.
RC R1 Se observa que la
polarizacin se corresponde
con una de divisin de
tensin.
vo (t) C
B

Cb

R2
RE

Tambin podemos deducir del anlisis de continua el papel de los conden-

sadores CB . De la misma forma que para el amplificador en emisor comn,
actan desacoplando la componente continua de la fuente del circuito de po-
larizacin. De este modo, en el circuito de la figura 44 no aparece la entrada
vi debido a que los condensadores se han convertido en circuitos abiertos. En
consecuencia, la entrada no cambia el punto de polarizacin del BJT conse-
guido gracias al circuito de polarizacin.

Adems, en la figura 44, podis ver que, cuando sustituimos el condensador

por un cortocircuito, es decir, realizamos el anlisis en alterna, la fuente de
tensin Vcc se debe poner entonces a cero y las resistencias R1 y R2 aparecen
conectadas a masa. Como consecuencia, en alterna desaparecen y no tienen
ningn papel.

Ahora que hemos visto cmo queda el circuito en continua, seguimos con al
anlisis en alterna. Para ello, seguimos una vez ms el procedimiento expuesto
en el subapartado 2.4:

1) Ponemos los condensadores en cortocircuito y anulamos las fuentes de

tensin de continua. El resultado es el circuito de la figura 45.

Figura 45. Anlisis en alterna del amplificador en base comn Figura 45

E C Circuito simplificado para el

vo (t) anlisis en alterna del
amplificador en base comn.
vi (t) B
RE RC
CC-BY-SA PID_00170129 85 El transistor

Vemos que convertir los condensadores en cortocircuitos ha hecho que des-

Condensadores en
aparezcan las resistencias R1 y R2 . En este sentido, ocurre lo mismo que para alterna
el amplificador en emisor comn: desaparece la resistencia que est conectada
Recordad que consideramos
al terminal que hace de terminal comn. Aqu es la resistencia conectada a la que los condensadores son
base y en el subapartado 2.4.1 era la resistencia de emisor, RE . suficientemente grandes
como para que se comporten
Ahora que ya tenemos el circuito preparado, podemos pasar al siguiente paso. como cortocircuitos en
alterna (es decir, a
frecuencias intermedias).
2) Identificamos el terminal que acta como comn; en este caso es la base,
ya que es el terminal conectado a masa que es comn a todo el circuito y la
salida se toma en el colector.

3) Sustituimos el BJT por su modelo de pequea seal, que ser a modo de

ejemplo el modelo de parmetros r de la figura 32. En este paso, tendremos
que tener cuidado de conectar los terminales en la posicin correcta. El resul-
tado est mostrado en la figura 46.

Figura 46. Modelo lineal del amplificador en base comn Figura 46

IB Circuito lineal de
rE
E C amplificador en base comn.
vo (t) El BJT se ha sustituido por su
IC modelo de parmetros r.
vi (t) IE
RE IB R1 RC
B

Parmetros r

4) Ahora que ya tenemos el circuito lineal, podemos aplicar cualquier tcnica

de anlisis de circuitos lineales para conocer el funcionamiento del circuito.

Como hemos hecho antes, calcularemos los tres parmetros que nos interesan:
ganancia de voltaje, resistencia de entrada y resistencia de salida de forma
separada. Comenzamos con la ganancia en voltaje.

Ganancia en voltaje de un amplificador en base comn

En este subapartado, vamos a calcular la ganancia en voltaje del amplificador

en base comn presentado en la figura 46. La ganancia en voltaje se define
como:

vo
Av = (152)
vi

donde vi es el voltaje de entrada y vo es el voltaje de salida, que es el terminal

de colector. As pues, tenemos que calcular ambos voltajes y luego hacer su
divisin:
CC-BY-SA PID_00170129 86 El transistor

Comenzamos calculando el voltaje vi . En la figura 46, podis ver que el

voltaje vi es exactamente la cada de potencial en la resistencia rE , ya que la
fuente y las resistencias RE y rE estn en paralelo. Podramos haber tomado
la resistencia RE , pero no lo hemos hecho porque el clculo de la cada de
potencial en rE es ms sencillo. Entonces, la cada de potencial en rE se
puede calcular a partir de la ley de Ohm:

vi = IE rE (153)

Ahora bien, de la ley de Kirchhoff de corrientes sabemos que:

IE = IB + IB = (1 + )IB (154)

Por lo tanto, el potencial de entrada es:

vi = IE rE = (1 + )IB rE (155)

Ahora calculamos el potencial de salida vo . El potencial de salida es la cada

de potencial en la resistencia RC . La ley de Ohm nos permite escribir:

vo = IC RC (156)

Si ahora tenemos en cuenta que IC = IB , entonces:

vo = IB RC (157)

y ya tenemos calculados ambos voltajes.

Finalmente, lo nico que nos quedar por hacer para conocer la ganancia es
realizar la divisin de la ecuacin 157 entre la 155.

La ganancia del amplificador en base comn es:

vo IB RC RC
Av = = = (158)
vi (1 + )IB rE (1 + )rE

Si ahora utilizamos que >> 1 como explicamos en el subapartado 1.5.1,

entonces:

1 (159)
1+
CC-BY-SA PID_00170129 87 El transistor

y podremos obtener la versin simplificada de la ganancia:

RC
Av = (160)
rE

Vemos que, en este caso, queda con signo positivo, es decir el amplificador
no invierte la polaridad de la seal de entrada, al contrario de lo que haca
el amplificador en emisor comn en la ecuacin 136. Calculemos ahora las
resistencias de entrada y salida.

Resistencia de entrada del amplificador en base comn

En este subapartado, vamos a calcular la resistencia de entrada del amplifi-

cador en base comn. No vamos a realizar el proceso con todo detalle, ya
que hemos de seguir unos pasos completamente anlogos a los seguidos en el
subapartado 2.4.1 en el clculo de la resistencia de entrada del amplificador
en emisor comn. Nos limitaremos a indicar su valor y realizar un pequeo
comentario sobre su orden de magnitud. La resistencia de entrada del ampli-
ficador en base comn est dada por:

RE re
Rin = RE //re = (161)
RE + re

De la ecuacin 161 se puede deducir que como

re << RE (162)

debido a que la resistencia dinmica de emisor toma valores bajos como vimos
en el subapartado 2.3.2, entonces el valor de la resistencia de entrada ser del
orden de re :

Rin re (163)

y, por lo tanto, pequea. El amplificador en base comn es un amplificador

con una resistencia de entrada pequea. A modo de conclusin:

La resistencia de entrada del amplificador en base comn est dada por:

RE re
Rin = RE //re = re (164)
RE + re

Veamos qu ocurre con la resistencia de salida.

CC-BY-SA PID_00170129 88 El transistor

Resistencia de salida del amplificador en base comn

De la misma forma que hemos hecho en el subapartado anterior para el clcu-

lo de la resistencia de entrada, no vamos a realizar su clculo detallado, sino
que indicaremos su valor y daremos una idea de su orden de magnitud.

La resistencia de salida del amplificador en base comn es:

Ro = RC (165)

Como veis, la resistencia de salida es la resistencia de colector, que suele ser

Resistencias de entrada y
habitualmente del orden de unos kiloohmnios. A modo de conclusin, vemos de salida
que el transistor en base comn presenta una gran amplificacin en voltaje pe-
Recordad que el
ro que tiene unas resistencias de entrada y de salida que se alejan bastante del comportamiento ideal se
corresponde a que la
comportamiento ideal. Finalmente, analicemos la configuracin del transistor
resistencia de entrada
que falta, que es la de colector comn. sea muy grande y la de salida
muy pequea.

2.4.3. Configuracin de colector comn

En este subapartado, vamos a analizar el amplificador cuando la configuracin

del transistor es la de colector comn. La topologa del circuito est represen-
tada en la figura 47.

Figura 47. Amplificador en colector comn Figura 47

Circuito amplificador en
colector comn, tambin
+ conocido con el nombre de
VCC seguidor de tensin.

R1

CB C Salida
B

E vo (t)

vi (t)
R2 RE

Entrada
Polarizacin por divisin
de tensin
CC-BY-SA PID_00170129 89 El transistor

Como veis, ahora no se ha utilizado una resistencia de colector y la salida del

circuito se ha tomado en el emisor. Cuando cortocircuitemos las fuentes de
voltaje para ejecutar el anlisis en alterna, lo que ocurrir es que el colector
estar conectado directamente a masa, que est compartida por los circuitos
de entrada y de salida, lo que pone de manifiesto que estamos ante una con-
figuracin de amplificacin de colector comn. No obstante, la polarizacin
vuelve a ser de emisor puesto que, cuando sustituyamos los condensadores por
circuitos abiertos al realizar el anlisis de continua, estaremos ante la misma
configuracin que la presentada en el subapartado 2.1.2 para la polarizacin
de emisor, salvo porque ahora no hay resistencia de colector.

El proceso de anlisis del circuito sigue los mismos pasos que hemos dado en
los subapartados 2.4.1 y 2.4.2. En primer lugar, analizamos la componente de
continua y diseamos la red de polarizacin adecuada. A continuacin, anali-
zamos el circuito en alterna; para ello, obtenemos el circuito lineal equivalen-
te mediante el modelo de parmetros r presentado en el subapartado 2.3.2 y
mostrado en la figura 32. El resultado est representado en la figura 48.

Figura 48. Circuito lineal equivalente del amplificador en Figura 48

colector comn
Circuito lineal equivalente
utilizado para realizar el
anlisis en alterna del
amplificador en colector
comn.
R1
C Parmetros r

IB
B IB
Salida
re
E vo (t)
vi (t)
R2 RE

Entrada

Para este circuito, podemos calcular su ganancia en voltaje y sus resistencias

de entrada y de salida. En este caso, indicaremos sus expresiones sin dedu-
cirlas, ya que empleamos las mismas tcnicas que ya hemos utilizado en el
subapartado 2.4.1 para el amplificador en emisor comn.

Ganancia en voltaje del amplificador en colector comn

La ganancia en voltaje del amplificador en colector comn es la siguiente:

vo RE //Rl
Av = = (166)
vi (RE //Rl ) + re
CC-BY-SA PID_00170129 90 El transistor

Donde recordemos que los smbolos // hacen referencia a la asociacin en

paralelo de esas resistencias. Se ha preferido dejar el valor de la ganancia indi-
cado de esa forma, dado que la resolucin de las asociaciones en paralelo dara
lugar a una expresin matemtica complicada que no aportara nada que no
haga la ecuacin 166.

Como ya indicamos en el subapartado 2.3.2, el valor de la resistencia dinmica

re es pequeo y, en consecuencia, ms pequeo que la asociacin en paralelo
de RE y Rl , es decir,

re << RE //Rl (167)

Con lo que la ganancia en voltaje del amplificador en colector comn

es la siguiente:

RE //Rl
Av = 1 (168)
(RE //Rl ) + re

Es decir, la configuracin en colector comn no amplifica la seal de voltaje.

Veamos qu ocurre con las resistencias de entrada y de salida.

Resistencia de entrada del amplificador en colector comn

La resistencia de entrada de un amplificador en colector comn est

dada aproximadamente por:

Rin = (1 + )(re + RE ) (1 + )RE (169)

Este valor se corresponder con una resistencia de entrada muy alta. Por ejem-
plo, si = 150 y RE = 2,2 k entonces la resistencia de entrada es de 330 k,
que es un valor elevado. Por lo tanto, nos va a interesar, ya que en una resis-
tencia de entrada muy alta implicar que este circuito es una carga pequea
para el circuito al que se conecte. Veamos qu ocurre con la resistencia de
salida.
CC-BY-SA PID_00170129 91 El transistor

Resistencia de salida del amplificador en colector comn

. Smbolos //

La resistencia de salida del amplificador en colector comn toma el va- Recordad que los smbolos //
lor siguiente: indican la asociacin en
paralelo de resistencias.

R1 //R2
Ro = RE //( + re ) (170)

Este valor se corresponde con una resistencia de salida muy pequea que se
acerca al valor ideal de la resistencia de salida deseada para un circuito elctri-
co que sera cero. El funcionamiento de un circuito que se conecte a su salida
estar muy poco influido por el amplificador en colector comn. En conclu-
sin, tenemos un circuito con una ganancia en tensin prcticamente de uno
y buenos valores de impedancias de entrada y de salida. Se trata de un cir-
cuito adecuado para actuar de separador entre dos circuitos de tal forma que
no haya cargas entre ellos y, por lo tanto, acta de adaptador de impedancias.
Debido a estas propiedades tan buenas, esta configuracin de colector comn
recibe el nombre de seguidor de tensin o buffer.

2.4.4. Resumen de los tipos de amplificadores

Una vez conocidas las configuraciones bsicas de amplificacin, podemos lle-

gar a las siguientes conclusiones:

Se pueden construir circuitos de amplificacin de tensin basados en BJT.

Las configuraciones de emisor y de base comn causan amplificacin, pero
la de colector comn no.

De hecho, podramos reunir las principales caractersticas de los amplificado-

res que hemos visto en la tabla 3.

Tabla 3. Resumen de las caractersticas de los amplificadores

Ganancia Resistencia de entrada Resistencia de salida
Emisor comn moderada grande grande
Base comn grande pequea grande
Colector comn 1 grande pequea

En la tabla 3, hemos recogido las propiedades cualitativas de los tres tipos de

amplificadores. El amplificador ideal sera un amplificador de una ganancia
grande, una resistencia de entrada grande y una resistencia de salida pequea.
Como veis en la tabla 3, no hay ninguno que cumpla con todas estas caracte-
rsticas. Qu podemos hacer entonces?
CC-BY-SA PID_00170129 92 El transistor

Una posible solucin consistira en acoplar varios de estos amplificadores en-

tre s, uno a continuacin del otro, lo que dara lugar a un amplificador multi-
etapa. De hecho, esto es una prctica habitual en el diseo de amplificadores
y se ha hecho tan popular que los amplificadores multietapa se venden co-
mo componentes individuales en un encapsulado especial. Los amplificadores Ved tambin

multietapa que son de alta ganancia, resistencia de entrada grande y resisten-

Los amplificadores
cia de salida pequea y que se venden como un nico componente reciben el operacionales se estudian en
el mdulo El amplificador
nombre de amplificadores operacionales. operacional de esta
asignatura.

Con esto hemos llegado al final del estudio de las aplicaciones del BJT al dise-
o de circuitos de amplificacin.

2.5. Recapitulacin

Qu hemos aprendido?

En este apartado:

Habis conocido el mtodo de anlisis de un circuito de polarizacin.

Habis aprendido a disear circuitos de polarizacin.
Habis conocido modelos lineales del BJT en la regin activa directa.
Habis utilizado estos modelos para el anlisis de circuitos de amplificacin
basados en BJT en la configuracin de:
emisor comn,
base comn,
colector comn.

De esta forma, ya tenis conocimientos bsicos del transistor BJT y su uso

en circuitos de amplificacin. En nuestro camino en el conocimiento de los
transistores, el siguiente paso es el transistor de efecto de campo.
CC-BY-SA PID_00170129 93 El transistor

3. El transistor de efecto de campo

.

En este ltimo apartado, vamos a estudiar un tipo diferente de transistor que

se denomina transistor de efecto de campo o FET por su siglas en ingls Field
Effect Transistor. Bsicamente, su cometido es el mismo que el BJT, controlar
la corriente que hay entre dos terminales utilizando un tercero para ello. La
diferencia estriba en cmo se consigue este efecto de una forma tecnolgica.
En concreto, se logra mediante la accin de un campo elctrico, de ah su
nombre. De esta forma, se trata de un elemento de tres terminales tal y como
era el transistor bipolar de los apartados 1 y 2.

Dado que el cometido del dispositivo es el mismo que el del BJT, se podr usar
con los mismos objetivos que ste dentro de un circuito electrnico: como
interruptor o amplificador, por ejemplo. En particular, en el apartado 2 estu-
diamos la aplicacin del BJT como amplificador, mientras que su uso como
interruptor no se trat en detalle. Ser en este apartado donde exploraremos
cmo se comporta el FET como interruptor mientras que no nos detendre-
mos apenas en su aplicacin como amplificador al ser sta muy similar a la ya
explicada en el apartado 2 para el BJT.

Existen diferentes tecnologas para la realizacin de los dispositivos de efecto

de campo que bsicamente se agrupan en dos variantes:

Transistor de efecto de campo de unin o JFET por Junction Field Effect

Transistor.
Transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET por
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.

En primer lugar, vamos a ver en el subapartado 3.1 cules son los parecidos
y diferencias entre los transistores de efecto de campo y los BJT del apartado
1. A continuacin, pasaremos a estudiar ambos tipos de transistores, los JFET
y los MOSFET. Para estudiar los transistores de efecto de campo, seguiremos
para cada tipo los mismos pasos que se dieron en el apartado 1:

1) En primer lugar, vamos a ver la estructura fsica del transistor, lo que os

ayudar a entender sus posibles usos y forma de utilizacin en circuitos elc-
tricos prcticos.

2) A continuacin, os mostraremos un modelo elctrico de su funcionamien-

to. Disponer de un modelo elctrico nos ayudar a poder ejecutar el anlisis
de los circuitos en los que interviene de un modo mucho ms sencillo. Para
ello, describiremos la caracterstica intensidad-voltaje del dispositivo.
CC-BY-SA PID_00170129 94 El transistor

3) Finalmente, veremos algunos circuitos basados en transistores de efecto de

campo y conoceremos algunas de las aplicaciones tpicas de estos dispositivos.

Vamos a comenzar por el estudio de los JFET. En el subapartado 3.2, vamos

a presentar la estructura fsica de estos transistores y a exponer su principio
de funcionamiento. Conocer de una forma intuitiva su estructura y funciona-
miento nos ayudar a obtener un modelo elctrico del transistor, que ser lo
que hagamos despus en el subapartado 3.3. Como conclusin, veremos que
los JFET tambin necesitan de circuitos de polarizacin cuando quieren usar-
se en circuitos de amplificacin. Por lo tanto, nos detendremos en introducir
alguna topologa de circuitos de polarizacin para JFET en el subapartado 3.4.
Para finalizar este subapartado, veremos de una forma breve sus aplicaciones
como amplificador en el subapartado 3.5.

Una vez hayamos estudiado los JFET, pasaremos a estudiar el otro tipo de tran-
sistor de campo, los MOSFET. Para ellos, de nuevo no presentaremos todos los
puntos tocados en el caso del JFET, ya que son muy semejantes y contendran
un material casi idntico. Lo que haremos en el subapartado 3.6 ser centrar-
nos en exponer las diferencias fundamentales de funcionamiento con los JFET
y los modelos elctricos que los representan para que los conozcis y tengis
a mano. Donde s nos detendremos un poco ser en ver cmo se puede sacar
partido del modo de funcionamiento de los MOSFET como interruptores en
el diseo de circuitos electrnicos digitales, eso se har en el subapartado 3.7.
Con esto terminar el mdulo y habris obtenido una panormica general
de algunos tipos de transistores muy utilizados en electrnica, sus principios
bsicos de funcionamiento y algunos circuitos tpicos realizados con ellos.

Qu vamos a aprender? En este apartado, aprenderis los siguientes aspectos

de los transistores JFET y MOSFET:

Las estructuras fsicas bsicas.

Los mecanismos de funcionamiento bsico.
Las diferentes regiones de operacin.
Las caractersticas I-V en las diferentes regiones.
Los modelos de parmetros h.
La topologa de polarizacin por divisin de tensin.
Una topologa de amplificacin para el JFET.
La aplicacin de los transistores MOSFET al diseo de circuitos digitales.

Qu vamos a suponer? Supondremos que tenis conocimientos de teora

de circuitos y de los procedimientos de anlisis de circuitos de amplificacin
adquiridos en el apartado 2 de este mdulo. En particular:

Que conocis las leyes de Kirchhoff.

Que conocis el principio del divisor de tensin.
Que conocis el teorema de Thvenin.
CC-BY-SA PID_00170129 95 El transistor

Que conocis los procedimientos bsicos de anlisis de circuitos de ampli-

ficacin.
Que conocis el concepto de frecuencia intermedia.

No obstante, antes de comenzar con todos estos puntos, es interesante co-

mentar algunos parecidos y diferencias que tienen estos tipos de transistores
en comparacin a los BJT vistos en el apartado 1. Esto os dar una idea del uso
de un tipo de transistor u otro.

3.1. Diferencias y parecidos del FET con el BJT

En este subapartado, vamos a abordar inicialmente algunos parecidos y dife- Ved tambin
rencias de los FET con el transistor bipolar de unin, el BJT. Podramos resumir
El transistor bipolar de unin
los principales parecidos y diferencias en los siguientes puntos: se estudia en el apartado 1
de este mdulo.

Principales parecidos:

Son dispositivos de tres terminales de material semiconductor.

El rango de aplicaciones de los FET es muy parecido al rango de aplicacio-

nes de los BJT.

Principales diferencias:

En comparacin con los BJT, en los que la conduccin est basada en am- Portadores mayoritarios
bos tipos de portadores, mayoritarios y minoritarios, en los FET la conduc- y minoritarios

cin tan slo est basada en los mayoritarios. Por lo tanto, son dispositivos
Los portadores mayoritarios
unipolares. en un semiconductor de tipo
N son los electrones,
mientras que los minoritarios
As como los BJT son dispositivos controlados por corriente, de hecho por son los huecos. En un
semiconductor de tipo P, la
la corriente de base IB , los FET son dispositivos controlados por tensin. situacin se invierte y los
mayoritarios son los huecos,
mientras que los minoritarios
Los FET presentan en general una resistencia de entrada muy alta, mucho son los electrones.
mayor normalmente que la que presentan los BJT y por lo tanto les otorga
una posicin de ventaja con respecto a los BJT en este sentido para aplica-
ciones de amplificacin.

Los BJT disponen de una sensibilidad mayor a los cambios de la entrada.

Esto es, la variacin en la corriente de salida en un BJT ante una variacin
de la corriente de base es mucho mayor que la variacin de corriente en un Ved tambin
FET a consecuencia de una variacin de la tensin que lo controla. Por ello,
Sobre los portadores
las ganancias de amplificacin en alterna que presentan los amplificadores mayoritarios y minoritarios
basados en BJT son mayores que las presentadas en los basados en FET. ved el mdulo El diodo.
Funcionamiento y
aplicaciones.
En general, los FET son ms estables en temperatura que los BJT y, por lo
tanto, no ser necesario hacer un estudio de los efectos de la temperatura
como el realizado en el subapartado 1.6.
CC-BY-SA PID_00170129 96 El transistor

La estructura fsica de los FET permite que se puedan fabricar ms peque-

os que los BJT y por lo tanto son ms adecuados para su utilizacin en
circuitos integrados.

Los FET se pueden comportar adems como si fueran elementos pasivos

como resistencias y condensadores. De esta forma, se pueden construir cir-
cuitos electrnicos basados nicamente en ellos sin necesidad de incor-
porar otro tipo de componentes. Esto representa una importante ventaja
con respecto a los BJT en el proceso de fabricacin de circuitos integrados,
debido a que es ms fcil fabricar un transistor que una resistencia o un
condensador.

Como veis, existen bastantes diferencias entre ellos. Adems de estas consi-
deraciones, podis deducir el motivo por el que muchos circuitos integrados
(como pueden ser los microprocesadores, por ejemplo) se realizan utilizando
tecnologa de tipo FET: se pueden fabricar a un tamao muy pequeo y de
una forma relativamente sencilla.

Ahora que ya conocis las bondades de los transistores de efecto de campo y lo

interesante de su uso, podemos empezar con el estudio de su funcionamiento
fsico. Comenzaremos por los transistores de unin, los JFET, y proseguiremos
por los MOSFET.

3.2. El FET de unin, JFET

En este subapartado, vamos a describir la estructura fsica del transistor JFET

con objeto de conocer intuitivamente su funcionamiento. As, estaremos pos-
teriormente en disposicin de deducir un modelo elctrico que lo represente.
Para describir la estructura fsica, nos apoyaremos en la figura 49.

Figura 49. Estructura fsica del transistor JFET de canal N Figura 49

Zona de Estructura fsica del transistor

carga espacial D
JFET de canal N. En ella,
podemos ver los terminales
de los que dispone: drenador
(D), puerta (G) y fuente (S)
as como los dopajes de cada
N parte del dispositivo. La parte
central es de tipo N, mientras
que los laterales son de tipo P.

G P P G

Uniones Canal de
PN S tipo N
CC-BY-SA PID_00170129 97 El transistor

Como veis en la figura 49, la mayor parte del dispositivo la conforma una barra
rectangular de material semiconductor dopado de tipo N a cuyos laterales
existen dos regiones dopadas de tipo P. De esta forma, entre ambas regiones
parece que queda un canal que une los otros dos extremos del dispositivo, el
superior y el inferior.

Alternativamente, podramos haber partido de una barra de material dopada

de tipo P y haber dopado los laterales de tipo N como muestra la figura 50.

Figura 50. Estructura fsica del transistor JFET de canal P Figura 50

Zona de Dopaje de las diferentes

carga espacial D
partes del transistor JFET de
canal P. La parte central es de
tipo P, mientras que los
P laterales son de tipo N.

G N P N G

Uniones Canal de
PN S tipo P

De la misma forma que antes, parece que hay un canal entre los extremos
superior e inferior del dispositivo. De hecho, es el dopaje de este canal el que
se usa para diferenciar a las dos alternativas de JFET que hemos presentado: el
JFET de canal N y el JFET de canal P.

.
Zona espacial de carga
Existen dos tipos de JFET: los de canal N y los de canal P segn si el
dopaje del canal es de tipo N o P respectivamente. La zona espacial de carga es
una regin alrededor de la
unin, libre de portadores
debido al proceso de difusin
de los mismos que se
Como podis ver en las figuras 49 y 50, se crean dos uniones PN en los laterales produce cerca de la unin.
del dispositivo, motivo por el cual se denominan transistores de unin. Como
corresponde a las uniones PN, se forma una zona espacial de carga alrededor Ved tambin
de cada una de ellas en el equilibrio. Esta zona de carga espacial la tenis
La zona espacial de carga se
tambin representada en las figuras 49 y 50. Fijaos, adems, en la figura 51, estudia en el mdulo El
cmo se parece esta estructura a la presentada en el subapartado 1.1 para el diodo. Funcionamiento y
aplicaciones de esta
BJT. asignatura.
CC-BY-SA PID_00170129 98 El transistor

Figura 51. Comparacin entre estructuras: a. JFET. b. BJT.

a. b.
D
Figura 51

P Comparacin de las
estructuras de los dos tipos
de transistores estudiados, el
JFET en la figura a y el BJT en
la b. Se puede apreciar que
G N P N N P N ambos estn basados en el
E C
concepto de unin PN. Aqu
no se han representado las
zonas espaciales de carga,
aunque existen, con objeto
Uniones
PN de hacer ms evidente la
B semejanza entre las
estructuras.
Uniones S
PN
JFET BJT
canal P NPN

Ambos transistores tienen dos uniones PN, pero la conexin de los terminales
es diferente. Veamos qu terminales tiene el JFET y qu diferencias presenta
con respecto al BJT en el movimiento de electrones dentro del dispositivo.

3.2.1. Terminales del JFET

Sobre la barra de semiconductor, se depositan cuatro contactos: dos encima

de las uniones PN y otros dos sobre los extremos superior e inferior del dis-
positivo. Los terminales superior e inferior se denominan drenador y fuente
respectivamente y se les denota por sus siglas en ingls D de drain y S de source.
Los dos contactos sobre las uniones PN suelen estar cortocircuitados entre s y
reciben el nombre de puerta, denotado con la letra G del ingls gate. Por este
motivo, aparece la letra G a ambos lados del dispositivo en la figura 49. As, el
JFET es un dispositivo de tres terminales.

El JFET es un dispositivo de tres terminales, denominados:

puerta, gate, G
drenador, drain, D
fuente, source, S

Cuando se conecta una fuente de tensin entre el drenador y la fuente, los

portadores de carga, que en este caso son los electrones, entran al dispositivo
a travs de la fuente, S, (de ah su nombre), pasan a travs del canal y salen
por el drenador, D, (cuyo nombre proviene del hecho de que acta sacando
los portadores de dispositivo) como podis ver en la figura 52a.
CC-BY-SA PID_00170129 99 El transistor

Figura 52. Movimiento de electrones en un JFET

a. D b. D Figura 52

a. La figura representa el
movimiento de electrones
que se produce dentro de un
JFET de canal N. En l, los
electrones entran por la

fuente, atraviesan el
N dispositivo y salen por el
G P N P G P P
drenador. La facilidad con la
que los electrones pasan a
travs del canal est
controlada por medio de la
tensin de puerta.
b. La figura muestra el efecto

de aplicar una tensin de
puerta que hace que la zona
de carga espacial aumente y
S S dificulte el paso de los
electrones. Por lo tanto, la
corriente est controlada por
la tensin de puerta.

Si en ese momento se aplica una fuente de tensin a la puerta, G, entonces la

zona espacial de carga cambia su amplitud facilitando o dificultando el paso de
corriente. En la figura 52b podis ver cmo, a modo de ejemplo, la anchura de
la zona espacial de carga ha aumentado y como consecuencia de ello dificulta
el paso de electrones, lo que hace que la corriente total a travs del dispositivo
JFET de canal P
sea menor. De este modo, la corriente entre los terminales drenador y fuente
se puede controlar a travs de la tensin de la puerta. sta es la caracterstica Si en lugar de un JFET de tipo
N pusiramos un JFET de tipo
fundamental de los JFET. P, el modo de
funcionamiento sera
equivalente cambiando
En este momento, podemos deducir cul es la diferencia bsica con respecto electrones por huecos, los
sentidos de movimiento de
al funcionamiento de los BJT. En stos, la corriente atraviesa las uniones PN
stos y los nombres de los
mientras que en los JFET la corriente se mueve a lo largo del canal sin atravesar terminales correspondientes.
en ningn momento las uniones. Si queremos que sea ste el modo de funcio-
namiento del transistor, necesitaremos que las uniones PN estn polarizadas
en inversa para que no haya posibilidad de que exista un flujo de corriente a
travs de ellas. Si esto es as, por la puerta no circular corriente alguna, ya que
las uniones actuarn como circuitos abiertos y el terminal de puerta no est
en contacto directo con la corriente que circula por el dispositivo.

En los BJT, la corriente atraviesa las uniones PN, mientras que en los
JFET la corriente se mueve a lo largo del canal sin atravesar en ningn
momento las uniones. Para ello, las uniones PN debern estar polariza-
das siempre en inversa.

3.2.2. Smbolos circuitales y configuraciones del JFET

De la misma forma que hicimos en el subapartado 1.1, en la figura 53 podis

ver los smbolos que representan los JFET en los circuitos elctricos.
CC-BY-SA PID_00170129 100 El transistor

Figura 53. Representacin circuital de los

transistores JFET

D D Figura 53

Smbolos circuitales
G G internacionales de los
transistores JFET.

S S
Terminales del JFET

JFET de canal N JFET de canal P

Normalmente, no se escriben
las letras que representan
cada terminal del transistor
en los circuitos elctricos. Por
eso, es importante saber
identificar bien cul es cada
Como veis, los smbolos son diferentes de los usados para el BJT. En ellos, ya uno a partir nicamente de
su smbolo circuital.
se ha indicado la notacin habitual para la puerta (G), el drenador (D) y la
fuente (S). Adems, de la misma forma que para los BJT, podemos distinguir
fcilmente entre los smbolos de ambos tipos de JFET mediante un truco: la
flecha del terminal de puerta siempre apunta desde la parte P hacia la N.

Al igual que los BJT, los JFET pueden usarse en tres configuraciones diferentes,
segn sea la fuente, el drenador o la puerta el terminal comn a los circuitos
de entrada y de salida.

Las diferentes configuraciones del JFET estn representadas en la figu-

ra 54 y son las siguientes:

El JFET en fuente comn en la figura 54a.

El JFET en drenador comn en la figura 54b.
El JFET en puerta comn en la figura 54c.

Figura 54. Configuraciones del transistor JFET Figura 54

a. Fuente comn b. Drenador comn c. Puerta comn Diferentes configuraciones

posibles de los JFET. En este
D S D caso, pueden existir distintas
S configuraciones:
G G
a. Fuente comn.
vDS vSD vDG
vGS vGD vSG b. Drenador comn.
c. Puerta comn.
S S D D G G

Una vez ya os habis hecho una idea del modo de funcionar de los JFET, sus
smbolos circuitales y sus posibles configuraciones, vamos a analizar con un
poco ms de detalle su principio de funcionamiento para obtener las caracte-
rsticas de intensidad-voltaje.
CC-BY-SA PID_00170129 101 El transistor

3.3. Caractersticas de intensidad-voltaje del JFET

En este subapartado, vamos a analizar con un poco ms de detalle el fun-

cionamiento del JFET en funcin de las tensiones aplicadas a los terminales.
Como resultado del anlisis, deduciremos las caractersticas tensin-corriente
del dispositivo que nos permitirn disponer de su modelo elctrico.

3.3.1. Influencia de la tensin de drenador en ausencia de

tensin de puerta

En primer lugar, comenzaremos el anlisis cuando vGS = 0, es decir, cuando

no hay tensin aplicada a la puerta, G, medida desde el terminal de fuente,
S, y variaremos el potencial vDS , que es el de drenador, D, con respecto a la
fuente, S. De esta forma, el terminal que acta controlando la corriente no
desempea ningn papel y analizamos el comportamiento como si se tratara
de un elemento de dos terminales.

El estudio de la influencia de vDS comienza desde un valor cero y a continua-

cin lo subiremos para ver qu ocurre:

Si vDS = 0 y vGS = 0 estamos ante un dispositivo en equilibrio. En tal caso, Equilibrio de

una representacin grfica del dispositivo es la dada en la figura 55, donde semiconductores

podis ver los contactos que definen los terminales, las uniones PN y la Recordad que un
zona espacial de carga alrededor de la unin. semiconductor llega a un
estado de equilibrio cuando
no hay fuentes externas
conectadas a l.
Figura 55. Estructura fsica del transistor JFET de canal N

Zona de
carga espacial D
Figura 55

JFET en ausencia de
excitacin externa. El
N dispositivo est en equilibrio
y existe una determinada
zona espacial de carga
alrededor de las unciones PN.

G P P G

Uniones Canal de
PN S tipo N
CC-BY-SA PID_00170129 102 El transistor

A continuacin, aumentamos el valor de la tensin vDS . Al realizar este pro-

cedimiento, la puerta y la fuente estn al mismo potencial, ya que vGS = 0
y, por lo tanto, la zona espacial de carga cerca de la fuente, S, no se dis-
torsiona. Sin embargo, ahora que la diferencia de potencial entre la fuente
y el drenador es positiva, ocurren tres fenmenos que estn representados
en la figura 56:

Las uniones PN de la puerta se encuentran polarizadas en inversa. En efec-

to, como vDS es positivo, hay ms tensin en el canal que en la puerta y,
por lo tanto, las uniones estn polarizada en inversa. Como consecuencia,
no hay flujo de corriente a travs de ellas.

Figura 56. Transistor JFET al aplicar una tensin positiva vDS Figura 56

Efecto de la aplicacin de una

Zona de tensin drenador-fuente
carga espacial positiva. No circula corriente
ID
D a travs de la base, circula
corriente por los terminales
de drenador y fuente y la
zona de carga espacial se
ensancha en el lado del
N drenador.

+
VDS
G P P

S IS

El drenador empieza a atraer electrones hacia s, ya que el polo positivo Sentido de la corriente
de la fuente al que est conectado los atrae. Como resultado, aparece una
Recordad que la corriente
corriente ID que atraviesa el canal desde la fuente. Por lo tanto, como por elctrica tiene, por convenio,
las uniones PN no pasa corriente, la corriente de puerta es cero, IG = 0 y la el sentido contrario al
movimiento de los
corriente de fuente coincide con la de drenador IS = ID . electrones.

Como se aprecia en la figura 56, la zona de carga espacial se distorsiona

alrededor del drenador y se hace ms ancha.

Cada de potencial

La cada de potencial asociada a un campo elctrico depende de la distancia recorrida

segn la ecuacin V = E d donde E es el campo elctrico y d es la distancia. Por
lo tanto, el potencial va cayendo uniformemente con la distancia.
CC-BY-SA PID_00170129 103 El transistor

Merece la pena detenerse un poco ms en este ltimo proceso. Al aplicar

una tensin vDS positiva entre los terminales, sta va cayendo desde el valor
positivo hasta cero a lo largo del canal. De esta forma el drenador, que
est ms alejado de la fuente, estar a un potencial mayor que cualquier
punto intermedio del canal. Este hecho implica que la unin PN siente
un potencial inverso ms grande en la zona del drenador que en la de la
fuente. Como consecuencia, la zona de carga espacial ser ms grande en
la parte del drenador, lo que da lugar a esa imagen abombada que podis
ver en la figura 56 y que hace que la anchura del canal sea ms pequea en
la parte del drenador.

Si la tensin vDS es pequea, el estrechamiento no ser muy grande y, para Ved tambin
incrementos pequeos de tensin, la corriente tambin se incrementar:
Podis consultar la ley de
el dispositivo se comportar como una resistencia. Por lo tanto, habr una Ohm en el anexo de la
relacin lineal entre la tensin aplicada y la intensidad que circula por el asignatura.

canal como establece la ley de Ohm. De hecho, el JFET se comportar como

una resistencia de pequeo valor.

Veamos qu ocurre ahora al aumentar indefinidamente la tensin vDS . Si la

tensin aplicada se vuelve demasiado grande, el estrechamiento del canal
se hace ms importante y dificulta cada vez ms el paso de los portadores
como est representado en las figuras 57a y 57b, donde podis ver cmo
aumenta la zona espacial de carga al aumentar la tensin vDS . De esta for-
ma, la corriente no crece tanto como antes (cuando vDS era pequea) al
aumentar la tensin y se pierde el comportamiento lineal. A medida que el
voltaje va aumentando, llega un momento en el que el canal se estrangula
debido a que la zona espacial de carga de cada unin se ha ensanchado
tanto que llegan a juntarse como muestra la figura 57c. La tensin para la
que se produce el estrangulamiento se denomina tensin de saturacin y
se denota como vDSsat .

Podrais pensar que en estas condiciones no circula corriente entre el dre-

nador y la fuente. Esto no es as, existe una corriente entre drenador y
fuente denotada como IDsat . Este resultado puede parecer sorprendente,
pero veremos que debe ser as por el siguiente argumento: si no circulara
corriente entre el drenador, D, y la fuente, S, entonces no circulara corrien-
te por todo el canal. Entre ellos, habra una cada de potencial de cero, ya
que si no fuera as existira corriente. Si la cada de potencial es cero, enton-
ces no habra deformacin de las zonas espaciales de carga y no estaramos
en la situacin de estrangulamiento, lo que es una contradiccin y, por lo
tanto, debe circular corriente entre ellos.

A modo de conclusin, en condiciones de estrangulamiento, es decir

cuando el valor de la tensin drenado fuente, vDS , llega a la tensin de
saturacin, vDS = vDSsat , debe existir necesariamente una corriente entre
fuente y drenador y se le denota por IDsat .
CC-BY-SA PID_00170129 104 El transistor

Figura 57. Incremento de la tensin vDS

Zona espacial
de carga Figura 57
D ID D ID
Proceso que ocurre dentro
del material al aumentar la
N tensin vDS . Al aumentar vDS ,
las ZCE se ensanchan hasta
+ + que llega un momento en el
vDS vDS que se produce el
G P N P G P P
estrangulamiento del canal
en la figura c. Entonces, la
corriente a travs del
dispositivo permanece
constante.

S IS S IS

a. vDS1 > 0 b. vDS2 > vDS1

D ID D ID

+ +
vDS vDS
G P N P G P P

S IS S IS

c. vDS = vDS, sat d. vDS > vDS, sat

Las tensiones vDS mayores que la tensin de saturacin provocaran que las
zonas espaciales de carga se juntaran cada vez ms como muestra la figu-
ra 57.d). Estas tensiones mayores, sin embargo, no causan un incremento
en la corriente y por lo tanto se llega tambin a la corriente de saturacin,
IDsat . Esta corriente de saturacin es la mayor corriente que podemos tener
en un transistor JFET.

La relacin entre el potencial vDS y la corriente ID en cada uno de las casos

Tensiones y corrientes
descritos est reflejada en la figura 58.
Recordad que la tensin vDS
representa la tensin de
Seguiremos el mismo procedimiento que antes. Partiremos de vDS = 0 e iremos drenador medida desde la
fuente y que ID representa la
aumentando su valor. En la figura 58a, podis ver la regin de tensiones vDS <
corriente de drenador.
vDSsat . En esta regin, hay una proporcionalidad entre la tensin y la corriente
que atraviesa el dispositivo. Por ello, recibe el nombre de regin lineal que
corresponde al comportamiento, segn la ley de Ohm, de una resistencia.

En la figura 58b podis ver que, a medida que nos vamos acercando a la ten-
sin de saturacin, se pierde ese comportamiento lineal y la relacin entre la
CC-BY-SA PID_00170129 105 El transistor

tensin y la corriente se vuelve no lineal. Cuando alcanzamos vDSsat , estamos

en la condicin de estrangulamiento. Si ahora seguimos aumentando vDS por
encima de la tensin de saturacin, entonces la corriente se mantiene cons-
tante a causa del estrangulamiento, como representa la figura 58c. Esta ltima
grfica representa el comportamiento global del JFET cuando vGS = 0.

Figura 58. Caracterstica I-V del JFET cuando vGS = 0 Figura 58

Zona lineal Caracterstica I-V del JFET que

muestra la relacin que existe
ID
D ID entre la corriente de
drenador y la tensin
drenador-fuente cuando
vGS = 0. En la figura a se
observa la regin lineal,
+
vDS cuando todava las zonas
G P N espaciales de carga no se han
P
juntado. En la figura b,
podis ver el punto de
estrangulamiento y el
comportamiento no lineal en
la corriente que se produce al
S IS
llegar. Finalmente, la c
vDS, sat vDS muestra el comportamiento
a. vDS < vDS, sat en la zona de saturacin.
Zona no lineal
ID
D ID

+
vDS
G P N P

S IS

vDS, sat vDS

b. vDS = vDS, sat

ID
D ID

ID, sat

+ Saturacin
vDS
G P P
N

S IS

vDS, sat vDS

c. vDS > vDS, sat

Si la tensin vDS continua aumentando indefinidamente, llega un momento

en el que se hace tan grande que puede provocar la ruptura del dispositivo y
entonces la corriente a travs de l se vuelve muy grande. sta es una situacin
CC-BY-SA PID_00170129 106 El transistor

que se aleja de la que buscamos durante el diseo de los circuitos electrnicos

basados en JFET y la evitaremos.

Hasta aqu habis estudiado el comportamiento del transistor cuando vGS = 0.

A continuacin, vamos a ver qu ocurre con su comportamiento al cambiar
los valores de vGS . As, ya tendremos el comportamiento del JFET en todos los
casos posibles.

3.3.2. Influencia de la tensin de drenador con tensiones de

puerta negativas

Para completar el estudio de las caractersticas del JFET, vamos a estudiar el Uniones polarizadas en
inversa
comportamiento del mismo cuando vGS < 0, es decir, cuando la tensin de la
puerta medida desde la fuente es negativa. Notad que, en este caso, las uniones Una unin PN est polarizada
en inversa cuando el
PN estn polarizadas en inversa, que es el caso que nos interesa, ya que lo que
potencial de la parte N es
se quiere es que los portadores circulen por el canal desde la fuente hasta el mayor que el de la parte P.
drenador y no que atraviesen las uniones, como veis en la figura 59. Por lo
tanto, slo estudiaremos el caso de tensiones vGS negativas.

Figura 59. Movimiento deseado de los electrones Figura 59

Comportamiento deseado
para los electrones que se
D mueven desde la fuente, S,
hasta el drenador, D, sin
poder salir por la puerta, G.

N
G P P

Comportamiento Movimiento deseado

no deseado para para los electrones
los electrones

Ved tambin

Cuando vGS < 0, las uniones PN estn polarizadas en inversa y por lo tanto la La polarizacin de las uniones
PN y la regin de carga
regin de carga espacial alrededor de ellas se hace ms grande. Por lo tanto, espacial alrededor de ellas se
en este caso el canal se vuelve ms estrecho. En la figura 60, podis ver este estudian en el mdulo El
diodo. Funcionamiento y
proceso. aplicaciones.
CC-BY-SA PID_00170129 107 El transistor

Figura 60. Zona lineal del dispositivo cuando vGS < 0

Zona espacial Zona espacial

de carga de carga Figura 60
D D
Tamao de las ZCE cuando la
tensin de puerta y fuente es
N N negativa, vGS < 0. En la
figura a podis ver el tamao
de la ZCE cuando vGS = 0. En
G P P G P P la figura b la tensin se hace
negativa y la zona de carga
espacial aumenta. Si esa
VGS tensin se hace muy
negativa, las dos zonas se
juntan como muestra la
S S
figura c.

a. vGS = 0 b. vGS < 0

Zona espacial
de carga
D

G P P

vGSoff

c. vGS = vGSoff

En la figura 60a, podemos ver las zonas espaciales de carga de las uniones
cuando vGS = 0. Si ahora aplicamos una tensin vGS < 0, vemos en la figu-
ra 60b cmo las zonas espaciales de carga se han ampliado. Si continuamos
disminuyendo vGS , llega un momento en el que las uniones se han ensanchan-
do tanto que acaban fundindose en una nica como muestra la figura 60c.
Veamos cmo afecta esta modificacin de las zonas espaciales de carga al paso
de electrones.

Mientras la tensin aplicada no sea muy grande en valor absoluto, las zonas
espaciales de carga no se ensanchan lo suficiente como para dificultar dema-
siado el paso de los electrones y stos todava pueden atravesar el canal. En
este caso, su flujo es mayor cuanto mayor sea la diferencia de potencial vDS . Por
lo tanto, el JFET se sigue comportando como una resistencia (con una depen-
dencia lineal entre voltaje y corriente), pero en este caso con una pendiente
menor que cuando vGS = 0, como ilustra la figura 61, en la que se muestran
las rectas que caracterizan el dispositivo para diferentes tensiones vGS y cmo
vara su pendiente.

A medida que vGS es menor (es decir, aumenta en valor absoluto, ya que es
negativa) la pendiente es menor, ya que los portadores encuentran ms resis-
CC-BY-SA PID_00170129 108 El transistor

tencia al paso en el canal. Esto hace que en la figura 61, las rectas correspon-
dientes a una tensin vGS menor estn por debajo de la recta correspondiente
a vGS = 0.

Figura 61. Zona de carga espacial cuando vGS < 0 Figura 61

vGS = 0 Representacin de la zona

ID
lineal del dispositivo para
diferentes valores de vGS . Se
observa que la pendiente se
vGS
hace menor a medida que la
disminuye
tensin vGS disminuye, (se
hace ms grande en valor
absoluto). Notad que se
representa la intensidad (I)
frente a la tensin (v) en
lugar de hacerlo al revs y
vDS que, por lo tanto, la
vGS < vGSoff pendiente de esa recta es la
(corte) inversa de la resistencia. En
consecuencia, si la pendiente
disminuye, la resistencia
aumenta.

Si vGS es muy negativa, igual o menor que una tensin umbral, vGSoff , entonces La tensin vGSoff es una tensin
la pendiente de la recta ha descendido tanto que se convierte en el eje hori- caracterstica de cada JFET y su
valor lo debe proporcionar el
zontal como veis en la figura 61. En consecuencia, no puede circular corriente fabricante.

por el dispositivo. Decimos entonces que el JFET est en estado de corte.

Estado de corte

Llegados a este punto, si la tensin vGS se vuelve demasiado negativa, enton- No debis confundir el
ces llega un momento en el que las uniones PN se pueden perforar. Estaremos estado de corte con la
tensin umbral. Corte
entonces en la regin de ruptura del dispositivo. Es importante destacar que, representa un estado del
una vez la tensin vGS ha descendido por debajo de vGSoff , la corriente que cir- transistor mientras que
umbral hace referencia a un
cula por el dispositivo es prcticamente nula. Por lo tanto, el hecho de dismi- valor concreto de la tensin
nuir todava ms la tensin vGS (muy por debajo de vGSoff ) no causa ninguna vGS .

variacin apreciable en la corriente, slo posibilita que las uniones PN se pue-

dan perforar.

Si fijamos un valor constante y negativo de vGS y a continuacin modifica-

mos vDS , entonces observamos el mismo comportamiento que el descrito en
el subapartado 3.3.1 para vGS = 0; la corriente se llega a saturar debido al es-
trangulamiento del canal cerca del drenador. Por lo tanto, lo que se tiene son
rplicas de las caractersticas mostradas en la figura 58c pero para valores ms
pequeos de la corriente de drenador ID . En la figura 62, podis ver dibujadas
cmo quedaran las caractersticas del JFET.

En la figura 62, podis ver las curvas caractersticas para un JFET de canal N.
En ellas, podis observar la corriente de drenador ID representada frente a la
tensin vDS para distintos valores de la tensin de puerta vGS . Como podis ver,
son curvas muy parecidas a las de la figura 58c pero desplazadas verticalmente
debido al aumento de resistencia que supone la aplicacin de una tensin de
puerta negativa que polariza inversamente las uniones PN.
CC-BY-SA PID_00170129 109 El transistor

Figura 62. Curvas caractersticas I-V del transistor JFET

Zona
ruptura

Zona Zona
lineal saturacin
ID
vGS = 0
IDss

vGS = 1V

vGS = 2V

vGS = 3V

Vp vDS

Vr
vDS,sat = vGS vGSoff Zona Vr 1
corte

Tambin podis ver en la figura 62, el valor de vDS que hace que se alcance la
saturacin cuando vGS = 0. Este valor concreto de tensin se denomina algunas
veces Vp de pinch-off porque hace referencia al momento en el que comienza
el estrangulamiento. Para muchos dispositivos, el valor de vGSoff coincide en
valor absoluto con Vp , pero es de signo opuesto de tal forma que vGSoff = Vp .

El valor de la tensin vDS a la que se produce saturacin para una tensin de

referencia vGS se puede calcular como:

vDSsat = vGS vGSoff (171)

debido a que podemos considerar que ambas tensiones vGS y vDS suman sus Tensiones en las
ecuaciones
efectos para producir el estrangulamiento. Por lo tanto, la diferencia de va-
lores en la ecuacin 171 es la responsable de la saturacin en corriente del Recordad que, en todas las
ecuaciones, las tensiones
dispositivo. deben participar con sus
respectivos signos. As, la
tensin vGSoff en la
. ecuacin 171 es negativa y
debe entrar en ella con ese
Las zonas de trabajo del transistor JFET estn representadas en la figu- signo. Como resultado, estar
sumada a vGS .
ra 62 y son las siguientes:

zona de corte, Zona hmica

zona lineal u hmica,
La zona lineal tambin recibe
zona de saturacin, el nombre de zona hmica,
zona de ruptura. ya que la ley de Ohm define
un comportamiento lineal
entre el voltaje y la corriente.
CC-BY-SA PID_00170129 110 El transistor

Estas zonas responden a comportamientos diferenciados del JFET y merece la

pena detenerse con cierto detalle en cada una de ellas, de la misma forma que
hicimos en el subapartado 1.5 para el transistor BJT.

3.3.3. Zonas de trabajo de un JFET

En este subapartado, vamos a analizar con un poco ms de detalle las zonas de

trabajo de un transistor JFET obtenidas en el subapartado 3.3.2 y representadas
en la figura 62.

Zona de corte

Comenzaremos el estudio por la zona de corte. Como podis ver en la gr-

fica 62, esta zona se corresponde con el semieje horizontal positivo hasta la
tensin de ruptura. En consecuencia, la corriente de drenador es cero, ID = 0,
independientemente del valor del voltaje vDS .

El transistor se encuentra operando en la regin de corte cuando la

tensin vGS es ms pequea que su tensin umbral:

vGS vGSoff (172)

En esta situacin, el canal se encuentra completamente cerrado y esa condi-

cin no es compatible con la existencia de corriente a travs de ella. El tran-
sistor acta, por lo tanto, como un circuito abierto. Prosigamos con la zona
hmica o lineal.

Zona hmica o lineal

El transistor opera en la zona lineal cuando, para un valor fijo de vGS , la tensin
vDS es superior a la tensin de saturacin.

El JFET est en la zona lineal cuando:

vDS vGS vGSoff (173)

donde vGSoff es la tensin umbral.

CC-BY-SA PID_00170129 111 El transistor

En esta regin, el transistor se comporta como una resistencia de valor con-

trolado por la tensin vGS sobre todo para valores pequeos de vDS . Esto es as
ya que, como podis apreciar en la figura 62, existe una relacin lineal entre
ID y vDS cuya pendiente (que es el inverso de la resistencia) cambia en funcin
de los valores de la tensin de puerta, vGS . A medida que vGS disminuye, el
canal se estrecha y la pendiente disminuye debido a que los portadores en-
cuentran ms resistencia en su recorrido a travs del canal tal como mostraba
la figura 60.

Por otro lado, al aumentar el valor de vDS y aproximarse al valor de satura-

cin, se pierde la linealidad debido a que el canal se acerca de nuevo al es-
trangulamiento. Si aumentamos demasiado la tensin vDS , se llega a la zona
de saturacin.

Zona de saturacin

El transistor se encuentra en la zona de saturacin para valores de vDS superio-

res al de saturacin.

El transistor se encuentra en saturacin cuando:

vDS vDSsat (174)

donde vDSsat es el valor de la tensin de saturacin, que depende del

valor aplicado de vGS

En esta situacin, la corriente ID es constante y no depende del valor concreto

de la tensin aplicada vDS ; tan slo depende del valor de vGS . Por lo tanto, en
esta zona de trabajo, el transistor se comporta como una fuente de corriente
de valor controlado por la tensin de puerta, vGS .

La ecuacin que relaciona en la zona de saturacin el valor constante

de la corriente ID con el valor de la tensin de puerta vGS es la siguiente:

!2
vGS
ID = IDss 1 (175)
vGSoff

donde IDss es la corriente de saturacin del dispositivo cuando vGS = 0.

CC-BY-SA PID_00170129 112 El transistor

De esta forma, ya tenemos la ecuacin que liga ambas variables, ID y vGS , entre
s. Finalmente, la ltima zona de trabajo en la que nos detendremos es la zona
de ruptura.

Zona de ruptura

Como habis visto en el subapartado 3.2, el transistor JFET est compuesto de Polaridad de vGS
dos uniones PN polarizadas en inversa. Adems, esa polarizacin inversa es
Recordad que vGS tiene que
tanto mayor cuanto menor sea el valor de vGS . ser negativo para que las
uniones estn en inversa y
por lo tanto, cuanto ms
Cuando una unin PN se encuentra polarizada en inversa entonces la zona pequeo sea ese valor, ms
en inversa estarn polarizadas
espacial de carga aumenta. Sin embargo, esta tensin inversa no se puede au-
las uniones.
mentar indefinidamente, ya que si se supera un determinado valor (tensin
de ruptura, Vz , caracterstico de cada unin y que suele proporcionar el fabri- Ved tambin
cante en sus hojas de caractersticas) la unin se perfora, lo que produce la
La unin PN se estudia en el
ruptura del dispositivo.
mdulo El diodo.
Funcionamiento y
aplicaciones de esta
Las uniones se encuentran ms fuertemente polarizadas en el lado del drena- asignatura.
dor, ya que la cada de tensin drenador-puerta es mayor que la de puerta-
fuente. Entonces, se producir la ruptura de las uniones cuando

vDG > Vz (176) Recordad que denotamos la

tensin de ruptura por Vz .

En este sentido, puesto que vDS = vDG + vGS , el transistor se encuentra en su

zona de ruptura cuando

vDS Vz + vGS (177)

Si tenemos en cuenta que la tensin vGS es negativa, el valor de la tensin

vDS de ruptura ir disminuyendo al ir disminuyendo el valor de vGS . ste es el
motivo por el que las curvas de ruptura cortan las curvas de saturacin en la
figura 62.

De esta discusin sobre las regiones de funcionamiento se puede deducir un

hecho que ocurre de forma semejante que en los BJT: si queremos que el tran-
sistor trabaje en una regin independientemente del valor de tensin variable
en el tiempo que se conecte a su puerta, es necesario un circuito de polariza-
cin. Este circuito le obligar a comportarse siempre del mismo modo aunque
la seal de entrada vare en el tiempo. La razn es que el circuito de polariza-
cin superpondr, como en el caso del BJT, una seal continua sobre la seal
variable en el tiempo que har que el valor de la tensin de puerta no oscile
demasiado como para cambiar su regin de funcionamiento.

En el siguiente subapartado, vais a conocer algunos de los circuitos de polari-

zacin ms tpicos en transistores JFET.
CC-BY-SA PID_00170129 113 El transistor

3.4. Circuitos de polarizacin para el JFET

Al igual que en los transistores BJT, el circuito de polarizacin seleccionar la

regin de funcionamiento del transistor. En particular, el circuito de polari-
zacin seleccionar el punto de trabajo alrededor del cual est trabajando. La
red de polarizacin se disear con el mismo criterio de mantener la mxima
estabilidad posible del punto de operacin frente a variaciones de parme-
tros y permitir la mxima amplitud posible en la seal de entrada (es decir,
excursin simtrica mxima).

Podramos fijarnos en este caso tambin en la aplicacin del JFET a circuitos

de amplificacin. De la misma forma que los BJT se polarizan en la regin
activa, los transistores JFET se polarizarn en la regin de saturacin para sus
aplicaciones de amplificacin. Para ello, se utilizan los circuitos que vamos a
analizar en este apartado. Comenzaremos con un circuito elemental y finali-
zaremos con una red de polarizacin por divisin de tensin muy parecida a
la que ya estudiasteis en el subapartado 2.1.3 para el transistor BJT.

3.4.1. Circuito de polarizacin elemental

En primer lugar, nos vamos a centrar en el estudio de un circuito de polariza-

cin elemental, que nos permitir situar el transistor en su zona de trabajo de
saturacin. Esto nos permitir fijar el procedimiento bsico para su anlisis,
que seguir unos pasos muy parecidos a los que seguimos en el subaparta-
do 2.1.3. Despus, seguiremos estos pasos para analizar un circuito de polari-
zacin con una topologa diferente.

El circuito que estudiamos en este subapartado est representado en la figu-

ra 63 y es uno de los circuitos ms tpicos utilizados para polarizar JFET.

Figura 63. Circuito de polarizacin elemental Figura 63

para el JFET de canal N
Topologa de polarizacin
VDD para el transistor JFET de
+ canal N que hace que la
regin de operacin del
RD ID transistor sea la de
saturacin.

Malla
RG D salida

G S
VGG IG
+

Malla
entrada
CC-BY-SA PID_00170129 114 El transistor

Para el caso de los JFET, los pasos para analizar el circuito de polarizacin son
los siguientes:

1) Aplicamos la ley de Kirchhoff de voltajes a la malla de entrada:

VGG + IG RG + vGS = 0 (178)

2) Como la impedancia de entrada del JFET vista desde la puerta, G, es muy

alta debido a que la unin PN de la puerta est polarizada en inversa, podemos Resistencia RG

suponer que la corriente que circula por la resistencia RG es muy pequea,

La resistencia RG no tiene
IG 0, y por lo tanto de la ecuacin 178 obtenemos: ningn papel al ser el valor
de la corriente IG muy
pequeo. No obstante, se
coloca en el circuito para
vGS VGG (179) representar el efecto de las
resistencias colocadas en el
terminal de puerta del
El objetivo de este paso es despejar de la ecuacin 178 el parmetro que acta transistor que siempre hay en
un circuito real.
controlando la salida: en este caso, es la tensin vGS y, en el caso del BJT, era
la corriente de base IB .

3) Escribimos la relacin entre la entrada vGS y la salida ID por medio de la

ecuacin 175, ya que la zona de trabajo del transistor es la de saturacin:

!2
v
ID = IDss 1 GS (180)
vGSoff

Esta ecuacin nos permite calcular la corriente de drenador, ID .

4) Despus, aplicamos la ley de Kirchhoff de voltajes a la malla de salida:

VDD = ID RD + vDS (181)

5) Finalmente, despejamos de la ecuacin 180 el valor de ID y sustituimos su

valor en la ecuacin 181. A continuacin, ya podemos despejar el valor de la
tensin vDS :

!2
v
vDS = VDD ID RD = VDD IDss 1 GS RD (182)
vGSoff

De esta forma, ya tenemos calculados los valores de las corrientes y tensiones

del dispositivo en su punto de trabajo o punto Q. En este caso, el punto de
trabajo est caracterizado por los valores Q = (vDS ,ID ).

El punto de trabajo de un JFET est caracterizado por los valores Q =

(vDS ,ID ) donde vDS es la tensin del drenador, D, medida desde la fuente,
S, e ID es la intensidad de drenador.
CC-BY-SA PID_00170129 115 El transistor

Veamos en un ejemplo cmo calcular el punto de operacin.

Ejemplo 12

Calculad el punto de operacin del JFET en el circuito de la figura 63 para los siguientes
datos:

El fabricante del dispositivo nos informa de que vGSoff = 3,5 V, IDss = 5 mA

VDD = 20 V, VGG = 2 V
RG = 10 k, RD = 100

Solucin

Seguimos los pasos indicados:

1) En primer lugar, aplicamos la ley de Kirchhoff de voltajes a la malla de entrada,

ecuacin 178:

VGG + IG RG + vGS = 0 (183)

3
2 + IG 10 10 + vGS = 0 (184)

2) Como IG 0, podemos despejar vGS ahora:

vGS = 2 V (185)

3) Ahora, mediante la ecuacin 180, calculamos el valor correspondiente a la corriente

de drenador, ID :

!2
vGS
ID = IDss 1 (186)
vGSoff

2 2

ID = 0,005 1 = 9,2 104 A (187)
3,5

4) Ahora que ya tenemos ID , tan slo nos queda hallar vDS . Para eso, aplicamos la ley de
Kirchhoff de voltajes a la malla de salida (ecuacin 181):

VDD = ID RD + vDS (188)

5) Finalmente, despejamos vDS de la ecuacin 188:

vDS = VDD ID RD = 20 9,2 104 100 = 19,9 V. (189)

y ya tenemos calculado el punto de trabajo del transistor, que resulta ser:

Q = (vDS = 19,9 V,ID = 9,2 104 A) (190)

Observad que vDS vDSsat = vGS vGSoff = 2 (3,5) = 1,5 V y por tanto el transistor se
encuentra en su zona de saturacin.

Como veis, ste es un mtodo de clculo del punto de trabajo directo y ana-
ltico y ser el que ms utilicis para resolver circuitos con transistores. Sin
CC-BY-SA PID_00170129 116 El transistor

embargo, de la misma forma que hicimos en el subapartado 2.1.3 para el BJT,

el punto de trabajo del transistor tambin se puede representar de una forma
grfica mediante la recta de carga esttica. La representacin grfica del punto
de trabajo proporciona una herramienta intuitiva para entender la situacin
del punto de polarizacin, aunque desde el punto de vista del clculo sea me-
nos conveniente, ya que es necesario disponer de las curvas caractersticas en
un formato editable y poder dibujar sobre ellas la recta de carga. De todas
formas, este proceso siempre se puede hacer a mano puesto que el fabricante
proporciona las curvas y podemos dibujar sobre ellas para calcular grfica-
mente en papel cuadriculado el punto de operacin. Veamos, a continuacin,
cmo queda esta representacin grfica.

La recta de carga para el JFET

En este subapartado, vamos a ver cmo determinar el punto de trabajo del

JFET a partir de la recta de carga. El proceso es muy semejante al llevado a
cabo en el subapartado 2.1.1 para el BJT. Inicialmente, vemos que la ecuacin
de la malla de salida 182 define una recta en el plano (vDS ,ID ), que se llama
recta de carga y que podis ver en la figura 64.

Figura 64. Determinacin del punto de trabajo por medio de la Figura 64

recta de carga
Clculo grfico del punto de
Recta de operacin a partir de las
carga caractersticas del JFET y de la
ID
recta de carga. El punto de
operacin est definido como
Punto de la interseccin de ambas
trabajo
curvas.

vGS = 0

ID,Q vGS = 1V

vGS = 2V
vGS = 3V

vDS

vDS,Q

Sobre la grfica de la recta de carga se superponen las caractersticas del JFET

como podis ver tambin en la figura 64. El punto de interseccin de la recta
de carga con las caractersticas es el que define el punto de trabajo del transis-
tor. El valor de vGS se lee de la caracterstica del JFET. En la figura 64, podis
ver que se trata de 1 V. Por otro lado, los valores de vDS,Q e ID,Q del punto de
CC-BY-SA PID_00170129 117 El transistor

trabajo se leen como las proyecciones en los ejes del punto de interseccin.
De esta forma, calculamos el punto de trabajo de una manera grfica.

Este circuito nos ha servido para ilustrar el procedimiento de anlisis del pun-
to de polarizacin del transistor e introducir una topologa para ello. Sin em-
bargo, el circuito no se utiliza mucho debido a que, adems de necesitar dos
fuentes, las VGG y VDD , es bastante inestable, ya que no garantiza que este-
mos trabajando siempre en la regin de saturacin. Para paliar estas desventa-
jas, disponemos de la polarizacin por divisin de tensin que veremos en el
subapartado siguiente. De este modo, dispondris de dos ejemplos de anlisis
del punto de operacin para circuitos diferentes que os ayudar a calcular el
punto de trabajo para cualquier otro tipo de circuito de polarizacin sin ms
que adaptar el mtodo propuesto en este subapartado.

Polarizacin por divisin de tensin

La polarizacin por divisin de tensin est inspirada en los mismos funda-

mentos que ya visteis en el subapartado 2.1.2 para la polarizacin del transis-
tor BJT. Como podis ver en la figura 65, se trata de situar el transistor dentro
de una configuracin circuital de un divisor de tensin.

Figura 65. Circuito de polarizacin por divisin Terminales del JFET

de tensin para el JFET de canal N
Recordad que los terminales
del JFET son puerta (G),
VDD
drenador (D) y fuente (S).
+

R1 RD
Figura 65

D Circuito de polarizacin del

JFET de canal N basado en el
G principio del divisor de
S tensin.

R2
RS

Equivalente
Thvenin

En este caso, tan slo necesitamos una fuente de alimentacin, dada por VDD ,
y las cuatro resistencias que forman parte del circuito. Para elaborar el anlisis,
podemos seguir los mismos pasos que en el subapartado 3.4.1. No obstante,
para simplificar el procedimiento, lo primero que hacemos es calcular el equi-
valente Thvenin de los componentes marcados en la figura 65. Para proceder
CC-BY-SA PID_00170129 118 El transistor

con la simplificacin, primero redibujamos el circuito de la figura 65 de una

forma ms conveniente en la figura 66.

Figura 66. Redibujo del circuito de polarizacin por divisor de tensin Figura 66

VDD Circuito de polarizacin por

+ divisin de tensin en el que
se ha redibujado el circuito
de entrada para poder
RD calcular ms fcilmente su
equivalente Thvenin.

VDD D
+ R1

G
S
R2
RS

Equivalente
Thvenin

Ahora vemos que las resistencias R1 y R2 estn colocadas en paralelo y que el

voltaje equivalente Thvenin es el que aparece en el terminal de fuente, S. El
resultado es el circuito equivalente mostrado en la figura 67 donde los valores
de los componentes equivalentes, VTh y RTh son:

R2
VTh = VDD (191)
R1 + R2

R1 R2
RTh = (192)
R1 + R2

Figura 67 Figura 67

VDD Circuito equivalente Thvenin

+ de la polarizacin por divisin
de tensin.
RD ID

RTh D
Malla
+ IG
G S salida
VTh

IS RS
Malla
entrada
CC-BY-SA PID_00170129 119 El transistor

Ahora estamos en disposicin de enumerar los pasos que hemos de seguir para
determinar el punto de operacin:

1) Escribimos la ecuacin de malla (ley de Kirchhoff de voltajes) a la entrada:

VTh = IG RTh + vGS + IS RS (193)

2) Como la impedancia de entrada del JFET vista desde la puerta es muy alta
debido a que la unin PN de la puerta est polarizada en inversa podemos
suponer que IG 0 y, por lo tanto, IS ID puesto que la ley de Kirchhoff de
corrientes establece que: IS = IG + ID . Bajo esta aproximacin, la ecuacin 193
se convierte en:

VTh vGS + ID RS (194)

El objetivo de este paso vuelve a ser despejar de la ecuacin 194 el parmetro

que acta controlando la salida: en este caso, debemos despejar la tensin
vGS . El problema que tenemos ahora es que hay dos parmetros desconocidos
en la ecuacin 194, vGS e ID . Necesitamos encontrar otra ecuacin que los
relacione para formar un sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas y as
poder despejar ambos. La otra ecuacin que los relaciona es la caracterstica
del JFET.

3) Escribimos la relacin entre la entrada vGS y la salida ID utilizando la ecua-

cin 180:

!2
v
ID = IDss 1 GS (195)
vGSoff

Las ecuaciones 194 y 195 forman un sistema de dos ecuaciones con dos in-
cgnitas que nos permiten despejar vGS e ID .

4) Despus, escribimos la ecuacin de malla a la salida utilizando la ley de

Kirchhoff de voltajes:

VDD = ID RD + vDS + IS RS (196)

5) Finalmente, usamos el hecho de que IS ID y despejamos vDS de la ecua-

cin 196:

vDS VDD ID (RD + RS ) (197)

de donde obtenemos el ltimo valor que nos faltaba.

CC-BY-SA PID_00170129 120 El transistor

De esta forma, somos capaces de calcular el punto de trabajo del transistor,

es decir de establecer los valores de las corrientes y voltajes en continua que
circulan por l. De la misma forma que pasaba con el BJT, la topologa de
polarizacin por divisin de tensin se utiliza mucho en el diseo de amplifi-
cadores basados en JFET. El motivo es que proporciona mucha ms estabilidad
del punto de operacin frente a variaciones en los parmetros del transistor
que la que no posee una resistencia de fuente. Veamos con un ejemplo cmo
se aplica.

Ejemplo 13

Calculad el punto de trabajo del transistor en el circuito de la figura 65 para los siguientes
valores de los parmetros:

VGSoff = 1,76 V, IDss = 4,8 mA

R1 = 100 k, R2 = 33 k
RD = 270 , RS = 1,5 k
VDD = 10 V

Solucin

Primero, calculamos los valores del equivalente Thvenin del circuito de entrada me-
diante las ecuaciones 191 y 192:

R2
VTh = VDD = 2,48 V (198)
R1 + R2

R1 R2
RTh = = 24,8 k (199)
R1 + R2

Una vez que ya disponemos de los valores del equivalente Thvenin proseguimos con el
resto del procedimiento:

1) Calculamos la ecuacin de la malla de entrada, ecuacin 193:

VTh = IG RTh + vGS + IS RS (200)

2) A continuacin, hacemos que IG = 0 e IS = ID y escribimos la ecuacin 200 como:

VTh = vGS + ID RS (201)

2,48 = vGS + 1.500ID (202)

Tenemos una ecuacin con dos incgnitas, vGS e ID . Para determinar ambas variables,
necesitamos una ecuacin ms, que ser la que obtengamos en el siguiente paso.
3) Escribimos la relacin entre la entrada y la salida descrita por la ecuacin 195:

!2
vGS
ID = IDss 1 (203)
vGSoff

vGS 2

ID = 0,0048 1 + (204)
1,76

Tenemos un sistema de dos ecuaciones (202 y 204) con dos incgnitas (vGS e ID ). Para
resolverlo, sustituimos la expresin para ID de la ecuacin 204 en la ecuacin 202:
CC-BY-SA PID_00170129 121 El transistor

vGS 2

2,48 = vGS + 1.500 0,0048 1 + (205)
1,76

y despejamos el valor de vGS resolviendo la ecuacin cuadrtica 205. Existen dos

soluciones:

vGS = 3,34 V (206)

vGS = 0,60 V (207)

Para que el transistor no est en corte, es necesario que vGS vGSoff que en este caso
es de vGSoff = 1,76 V. Por lo tanto, el valor que buscamos es vGS = 0,60 V. El valor
de ID se puede obtener ahora mediante la ecuacin 204:

vGS 2

ID = 0,0048 1 + = 2,1 mA (208)
1,76

4) Para finalizar, calculamos el valor de vDS de la ecuacin de malla a la salida de la

ecuacin 197:

vDS = VDD ID (RD + RS ) = 6,35 V (209)

y ya tenemos calculado el punto de trabajo del transistor:

Q = (vDS = 6,35 V,ID = 2,1 103 A) (210)

Una vez que tenemos los valores en continua de la seal, fijados por el circuito
de polarizacin, el siguiente paso ser aadir a la seal de entrada una seal
que vare en el tiempo. En el siguiente subapartado, vamos a ver cmo se
comporta el JFET ante seales de entrada que varen en el tiempo y cmo
quedan algunas topologas sencillas de circuitos de amplificacin con el JFET.

3.5. El FET en pequea seal y a frecuencias intermedias

Una de las aplicaciones de los transistores JFET es su uso en circuitos de ampli-

ficacin. Esto significa, en general, amplificar una seal que vara en el tiempo.

Ya hemos visto en el subapartado 3.4 que la conexin de una seal variable en

el tiempo directamente al transistor podra dar lugar a que cambiara su zona
de operacin a medida que pasa el tiempo y que eso era algo que debamos
evitar. Para eso disebamos circuitos de polarizacin que fijaban unas tensio-
nes y corrientes en continua a las que superponerles la seal que vara en el
tiempo.

La amplitud de la seal por amplificar debe ser lo suficientemente baja como

para que no modifique la zona de trabajo del transistor. Por ese motivo, habla-
CC-BY-SA PID_00170129 122 El transistor

mos de pequea seal. Adems, dado que el funcionamiento del dispositivo

tambin es no lineal, como pasaba con el BJT, la seal deber ser tambin su-
ficientemente baja como para que el comportamiento del JFET alrededor del
punto de trabajo sea lineal.

Por otro lado, la seal que superpongamos deber ser tambin de baja fre- Baja frecuencia
cuencia, como ya hicimos en el caso del BJT. As, podremos despreciar fen-
Recordad que por baja
menos ms complejos que ocurren dentro de los semiconductores y quedar- frecuencia entendemos el
nos con el comportamiento del transistor presentado en el subapartado 3.2. conjunto de frecuencias de la
seal de entrada cuya
Sin embargo, no incluiremos los trminos de continua al realizar el anlisis del longitud de onda es mucho
transistor como amplificador, ya que, si la seal de entrada posee trminos de ms pequea que las
dimensiones del circuito.
continua, stos movern el punto de operacin de posicin y podra pasar que Adems, tambin incluye las
se pudiera alterar su regin de trabajo, lo que no nos interesa. Por lo tanto, tra- seales continuas.

bajaremos en la regin de baja frecuencia, pero excluyendo las componentes

de continua. A esta regin se la denomina frecuencias intermedias.

Se denomina frecuencias intermedias al conjunto de frecuencias de

la seal de entrada cuya longitud de onda es mucho ms pequea que
las dimensiones del circuito sin tener en cuenta las componentes de
continua. Cuando una seal vara en el tiempo de forma tal que sus
componentes son de frecuencias intermedias, se dice que es una seal
alterna.

Como podis ver, estamos exactamente ante las mismas condiciones que ya
tratamos en el apartado 2 para el BJT en aplicaciones de amplificacin. El
anlisis del circuito con seales alternas se ejecuta de la misma forma que se
hizo para el BJT en el apartado 2. La regin que suele ser de inters en los
JFET es la de saturacin, que es la regin en la que estn utilizados los JFET en
las aplicaciones de amplificacin. En esta regin de operacin, la corriente de
drenador, ID , est gobernada por la tensin de puerta, vGS .

De las curvas caractersticas del JFET mostradas en la figura 62, podis com-
probar que el dispositivo tiene un comportamiento no lineal. Sin embargo, si
la amplitud de la seal superpuesta es lo suficientemente pequea, entonces
podemos suponer que alrededor del punto de trabajo tiene un comportamien-
to lineal. As que el primer paso es encontrar el modelo lineal que describe al
JFET en su regin de funcionamiento de saturacin. Una vez dispongamos del
modelo lineal de pequea seal, podremos sustituir el JFET por su modelo y
analizar el circuito resultante mediante las tcnicas habituales de teora de cir-
cuitos. Fijaos en que es exactamente el mismo procedimiento que el que ya
seguimos en el apartado 2 para el BJT. Por este motivo, no vamos a desarro-
llar este subapartado con todo detalle, sino que nos limitaremos a mostrar el
modelo lineal del JFET y a mostrar una topologa de amplificacin. El anlisis
de la misma lo podis hacer vosotros mismos a travs de los pasos vistos en el
apartado 2.
CC-BY-SA PID_00170129 123 El transistor

3.5.1. Modelo lineal del JFET

En este subapartado, os presentaremos un modelo lineal del JFET vlido en

la regin de saturacin, que es el utilizado en circuitos de amplificacin. Para
ello, interpretamos el JFET como la bipuerta mostrada en la figura 68. Como
veis, el JFET trabaja en este caso en fuente comn, ya que ese terminal es el
compartido por los circuitos de entrada y de salida.

Figura 68. Interpretacin de JFET como una bipuerta Figura 68

ID Representacin del transistor

JFET como una bipuerta en la
que la fuente es el terminal
IG D comn y la salida se toma en
el terminal de drenador.
G
vDS
vGS

S S

Bipuerta

Las variables elctricas del JFET sern la corriente que entra por el ter-
minal de entrada, IG , y por el terminal de salida, ID , mientras que los
voltajes sern los referidos a la fuente, vGS y vDS . El objeto del modelo
de pequea seal es el de establecer qu relacin hay entre ellas.

El modelo de pequea seal y frecuencias intermedias del JFET est represen-

tado en la figura 69, que no es ms que el modelo de parmetros hbridos (o
parmetros h) presentado en el subapartado 2.3.1 para el BJT adaptado a las
caractersticas concretas del JFET.

Figura 69. Modelo de pequea seal del JFET Figura 69

ID Modelo de pequea seal y

baja frecuencia del JFET
representado como una
D bipuerta.
IG

G gmvgs gd
vDS
vGS

S S

Entrada Salida
CC-BY-SA PID_00170129 124 El transistor

Analicemos con un poco ms de detalle este modelo. De la figura 69, podemos

deducir que la corriente de puerta es cero, IG = 0, debido a que el terminal de
puerta termina en un circuito abierto. Como ya hemos indicado en el subapar-
tado 3.4.1, este valor es razonable, ya que la polarizacin inversa de la unin
impide el paso de corriente a travs de la puerta. El valor del voltaje vGS es el
que se controla y se decide libremente desde la entrada.

Por otro lado, en la parte de la salida, que es la parte derecha de la figura 69,
aparece una fuente de corriente controlada por tensin con una ganancia gm
que recibe el nombre de transconductancia. Adems, aparece una admitan-
cia, gd , (que es el inverso de la resistencia) y que desempea el papel de la
resistencia que ofrece el canal al paso de corriente. De esta forma, la ecuacin
que describe el lado derecho de la bipuerta es la siguiente:

ID = gd vDS + gm vGS (211)

donde

1) gm es la transconductancia.

2) gd es la conductancia de salida o de canal.

As, ya tenemos el modelo que os va a permitir llevar a cabo el anlisis de un

circuito amplificador basado en JFET de un modo estndar de la misma forma
que con cualquier otro tipo de circuito pasivo.

Los valores de gm y gd vienen dados (en la regin de saturacin) por:

gd 0 (212)

2 q
gm = IDQ IDSS (213)
VT

donde el signo en la ecuacin 213 se debe tomar:

negativo para los JFET de canal N,

positivo para los JFET de canal P,

de tal forma que gm sea siempre un valor positivo.

Puede sorprender el hecho de que gd 0 en la ecuacin 212. Esto es debido

a que la resistencia que ofrece el canal al paso de portadores ya se tiene en
cuenta al ajustar el valor de la ganancia de la corriente gm y por lo tanto no
hace falta esa componente en la construccin del modelo lineal en saturacin.
Este valor est en consonancia con la pendiente prcticamente cero que tienen
las curvas caractersticas del JFET en la regin de saturacin, como podis ver
CC-BY-SA PID_00170129 125 El transistor

en la figura 62. El modelo reducido en el que se ha tenido en cuenta que gd 0

est representado en la figura 70.

Figura 70. Modelo reducido de pequea seal del JFET Figura 70

ID Representacin en forma de
bipuerta del modelo reducido
de pequea seal y baja
D frecuencia del JFET.
IG

G gmvgs
vDS
vGS

S S

Entrada Salida

Una vez que ya tenemos el modelo lineal, pasemos a mostrar un ejemplo de

su uso en un circuito de amplificacin. Para ello, vamos a presentar una to-
pologa de un circuito de amplificacin y, con el modelo lineal, calcularemos
su resistencia de entrada. Como hemos mencionado antes, no vamos a desa-
rrollar este subapartado con todo detalle, ya que sus caractersticas son muy
similares a las presentadas en el apartado 2.

3.5.2. Topologa de amplificacin con JFET

Para finalizar este apartado dedicado al JFET, presentamos en la figura 71 la

estructura de un circuito de amplificacin basado en l.

Figura 71. Circuito de amplificacin basado en JFET Figura 71

Topologa de un circuito de
VDD amplificacin basada en el
Condensadores
de desacoplo + transistor JFET de canal N.

R1 RD
C2

C1
Rg D

G S
R1
R2
vi (t)
RS C3

Polarizacin por divisin

de tensin
CC-BY-SA PID_00170129 126 El transistor

Como podis ver en la figura 71, se parte de un transistor JFET polarizado en

su zona de saturacin por medio de una red de polarizacin basada en divisin
de tensin.

A la topologa de polarizacin por divisin de tensin, se le han aadido dos

condensadores de desacoplo, para la entrada y para la salida, que hacen que
la componente de continua de la tensin aplicada vi (t) y que la componente
continua demandada por la carga no modifiquen el punto de operacin de
continua. Podis comparar esta topologa de circuito de amplificacin con
JFET con la presentada en la figura 34 del subapartado 2.4.1 para el BJT cuyo
esquema bsico est repetido a continuacin.

Figura 72. Circuito de amplificacin basado en BJT Figura 72

Circuito de amplificacin
basado en BJT. Se observa
+ que los circuitos de
VCC
amplificacin basados en BJT
y JFET tienen la misma
topologa salvo porque el
R1 RC Salida transistor utilizado es
diferente.
C
CB vo (t)
B

vi (t)
R2 RE CE

Entrada
Polarizacin por divisin
de tensin

Como veis, se trata del mismo esquema! salvo que el BJT se ha remplazado
por un JFET. Por lo tanto, todos los procedimientos que vimos en el aparta-
do 2 para el anlisis del circuitos de amplificacin siguen siendo vlidos aqu
salvo que, en lugar de utilizar el modelo del BJT, deberis utilizar el modelo
de pequea seal que acabamos de ver para el JFET en el subapartado 3.5.
Los valores de los parmetros del modelo deben ser los asociados a la zona de
saturacin, que es la zona en la que se polariza el JFET para aplicaciones de
amplificacin. As, no nos vamos a detener a analizar con detalle el funciona-
miento del amplificador. Lo que s vamos a hacer es comprobar una caracte-
rstica de los amplificadores con JFET que los diferencia de los amplificadores
basados en BJT. Se trata de su resistencia de entrada. Adems, podris ver cmo
se utiliza el modelo de pequea seal del JFET.

Resistencia de entrada de un amplificador con JFET

En este subapartado, vamos a calcular la resistencia de entrada de un ampli-

ficador basado en JFET y la compararemos con el valor obtenido para uno
CC-BY-SA PID_00170129 127 El transistor

basado en BJT. En primer lugar, calcularemos la resistencia de entrada del am-

plificador mostrado en la figura 71. Para ello:

1) Sustituimos el transistor por el modelo de pequea seal introducido en el

subapartado 3.5. El resultado est mostrado en la figura 73.

Figura 73. Circuito de amplificacin basado en JFET Figura 73

VDD Para analizar el amplificador,

+ sustituimos el JFET por su
modelo de pequea seal.

Modelo del JFET

R1 RD

C2
D
Rg C1
gmvgs
G
S
R2 R1 vo (t)
vi (t)
RS C3

2) Una vez que ya tenemos el circuito de pequea seal, realizamos su anlisis

en alterna, es decir para seales de baja frecuencia que no sean de continua.
Para llevar a cabo el anlisis en alterna: Condensadores
cortocircuitados
a) Ponemos las fuentes de continua a cero.
Es habitual en circuitos de
b) Cortocircuitamos los condensadores, ya que se han elegido de un valor tal amplificacin elegir los
condensadores con un valor
que a frecuencias intermedias su impedancia es muy baja. tal, que a la frecuencia de la
seal de entrada tenga una
Podis ver el resultado de estas operaciones en la figura 74. impedancia tan baja que se
puedan considerar como
cortocircuitos.

Figura 74. Circuito amplificador lineal del JFET

Rin Modelo del JFET

Figura 74

Rg D
Circuito amplificador basado
gmvgs
G en JFET en el que se ha
RD R1 vo (t) sustituido el transistor por su
R1 R2 modelo de pequea seal
vi (t) alrededor de un punto de
operacin. Para realizar el
anlisis en alterna ponemos
las fuentes de tensin
continua a cero y
cortocircuitamos los
transistores. El resultado es el
circuito lineal de la imagen.
CC-BY-SA PID_00170129 128 El transistor

3) Ahora calcularemos la resistencia de entrada, Rin , que vemos indicada en

la figura 74. Como veis, la resistencia de entrada es tan slo la asociacin
en paralelo de R1 y R2 , es decir:

R1 R2
Rin = (214)
R1 + R2

que no depende de ningn parmetro del dispositivo, tan slo de las resisten-
cias del circuito de polarizacin. En cambio, el circuito amplificador basado
en BJT en emisor comn considerado en el subapartado 2.4.1 ofreca una re-
sistencia de entrada dada por:

[Link] = R1 //R2 //re (215)

que depende explcitamente del tipo de dispositivo utilizado a travs del par-
metro . De esta forma, es ms sencillo lograr resistencias de entrada altas para
amplificadores basados en JFET, ya que su valor slo depende de resistencias
seleccionables por nosotros.

En estos subapartados hemos introducido la fsica del transistor JFET, su mo-

delo de pequea seal y un ejemplo de su uso en un circuito de amplificacin.
A continuacin, vamos a estudiar el otro tipo de transistor de efecto de campo,
el MOSFET.

3.6. El FET de metal-xido-semiconductor (MOSFET)

Para finalizar el mdulo de transistores, vamos a ver otro gran grupo de tran-
sistores de efecto de campo: los transistores MOSFET. Existen dos tipos de
transistores MOSFET:

los MOSFET de acumulacin o enriquecimiento y

los MOSFET de deplexin o empobrecimiento.

Ambos dispositivos poseen un modo de funcionamiento muy similar y nos

centraremos en este mdulo en el primero de ellos, el de acumulacin. Des-
cribiremos su estructura fsica y el principio de funcionamiento. As como los
transistores BJT y JFET se utilizan ampliamente en el campo de la amplifica-
cin, los transistores MOSFET se utilizan sobre todo en el diseo de circuitos
digitales. ste ser precisamente el ejemplo de aplicacin de los transistores
MOSFET que veremos despus de describir la estructura y el principio de fun-
cionamiento de los mismos.
CC-BY-SA PID_00170129 129 El transistor

3.6.1. El MOSFET de acumulacin

El modo de funcionamiento electrnico de los transistores JFET y MOSFET

es muy parecido. En ambos casos, se trata de regular el canal que se forma
entre dos terminales y por donde circula corriente mediante la aplicacin de
tensin en un tercer terminal que recibe el nombre de puerta. Este canal, en
caso de existir, permite que haya una corriente ID de portadores que entran
por la fuente y salen por el drenador. De la misma forma que el caso del JFET,
se trata de electrones para un semiconductor de tipo N y huecos para uno de
tipo P. Por lo tanto, se trata tambin de un dispositivo unipolar.

En la figura 75, podis ver la estructura bsica de un transistor de tipo MOSFET.

Figura 75. Estructura del transistor MOSFET Figura 75

Estructura fsica y de dopaje

D N de los transistores de tipo
MOSFET

P
G SS
Contactos

Contacto
S N

Capa aislante

Inicialmente, se parte de un bloque de material semiconductor dopado de

tipo N o de tipo P. En la figura 75, podis ver el caso en el que se parte de un
material de tipo P. En la parte derecha de ese bloque, se ve cmo se ha creado
un contacto y aparece una conexin que recibe el nombre de terminal de
sustrato (substrate, SS).

Adems, la figura 75 muestra cmo aparecen dos zonas de material con un

dopaje contrario al del bloque usado como soporte inicial. De esta forma, si
el bloque es de tipo P, se han generado dos islas de tipo N mientras que, si el
material es de tipo N, se generarn dos zonas de tipo P. Sobre cada una de estas
zonas se dispone un contacto que da lugar a los terminales de fuente (S, source)
y drenador (D, drain). Por lo tanto, vemos que estas dos zonas constituyen
dos uniones PN enfrentadas, como ha ocurrido en las estructura de todos los
transistores que hemos visto en estos apartados.

Ahora, como se observa en la figura 75, en la zona de separacin entre la El angstrom

fuente y el drenador se dispone de una fina capa aislante con un espesor que
El angstrom es una unidad de
oscila entre los 20 y los 200 angstroms, . Aunque se investiga el uso de otros longitud que equivale a
aislantes, en la mayora de ocasiones suele ser dixido de silicio (SiO2 ). Sobre 1010 m.
CC-BY-SA PID_00170129 130 El transistor

esta capa de aislante, se forma un contacto que se corresponde al terminal

denominado de puerta, (G, gate).

De esta construccin, se puede deducir que el terminal de puerta no toca di-

rectamente al semiconductor, ya que entre ellos hay una capa de material
aislante. Por este motivo, a los MOSFET tambin se les denomina transistores
FET de puerta aislada, IGFET, (insulated gate FET)en comparacin a los FET
vistos en el subapartado 3.2, en los que la puerta no estaba aislada y se impe-
da el paso de corriente a travs de ella debido a la polarizacin inversa en la
unin PN.

La parte formada por el metal, el aislante y el semiconductor que podis ver

en la figura 76 recibe de forma genrica el nombre de estructura MIS, Metal-
Insulator-Semiconductor, o metal-aislante-semiconductor. Como en la estruc-
tura que describimos aqu el aislante es un xido, recibe el nombre de metal-
xido-semiconductor. Y esto da el nombre MOSFET. Esta estructura ser la
responsable del modo de funcionamiento de los transistores MOSFET que ve-
remos a continuacin. En particular, podemos adelantar que, al haber un ais-
lante entre la puerta y el dispositivo, los electrones no pueden circular por el
terminal de puerta.

Figura 76. Estructura MIS Figura 76

Estructura MIS Representacin general de

una estructura de tipo MIS en
la que hay un aislante entre el
terminal de puerta y el
D N
dispositivo. En particular, en
los dispositivos de tipo MOS
ese aislante es un xido.
P
G SS

Metal
S N

Aislante Semiconductor

Los smbolos circuitales de los transistores MOSFET son los que podis ver en
la figura 77 y que se utilizan como su representante en los circuitos electr-
nicos.

Como se observa en la figura 77, el sustrato (SS) y la fuente (S) se encuentran

normalmente cortocircuitados (unidos entre s por medio de un conductor)
de tal forma que obtenemos un componente de tres terminales. ste es el
tipo de transistor ms usualmente utilizado en la prctica. Fijmonos en dos
detalles importantes de estos smbolos:
CC-BY-SA PID_00170129 131 El transistor

La flecha que aparece en el terminal de sustrato siempre tiene la orienta-

cin desde el dopaje P hacia el N. sta es una caracterstica tpica y sirve de
ayuda para recordar el smbolo de cada tipo de transistor.

Como veis en la figura 77, el terminal de puerta no est conectado al resto

de terminales en el dibujo. Con esto se quiere enfatizar el hecho de que
hay una capa aislante entre el terminal de puerta y el bloque de material
semiconductor que impide el paso de corriente a travs de este terminal.

Figura 77. Smbolos circuitales de los transistores

MOSFET

D D

SS
G G

S S
Mosfet de acumulacin
de canal N

D D

SS
G G

S S
Mosfet de acumulacin
de canal P

Una vez que ya conocis la estructura fsica bsica de los transistores de tipo
MOSFET y sus smbolos circuitales, el siguiente paso ser dar unas pinceladas
sobre su mecanismo de funcionamiento interno. A partir del conocimiento
de este funcionamiento seremos capaces de obtener sus caractersticas I-V y
su modelo de pequea seal con el que podris realizar el anlisis de circuitos
que contengan un transistor MOSFET.

Una de las aplicaciones ms tpicas de los transistores MOSFET es su uso en

circuitos digitales. Como ejemplo de aplicacin de los transistores MOSFET, al
final del apartado mostraremos cmo disear algunas puertas lgicas utilizan-
do circuitos basados en MOSFET.

Modo de funcionamiento de un MOSFET

En este subapartado, vamos a dar unas breves pinceladas del modo de fun-
cionamiento interno de un MOSFET. Cuando conozcamos de forma intuitiva
su funcionamiento interno, estaremos en condiciones de intentar deducir las
caractersticas I-V del dispositivo. A partir de estas caractersticas, podremos
obtener su modelo elctrico, lo que nos permitir ejecutar el anlisis de los
circuitos electrnicos donde aparezca.
CC-BY-SA PID_00170129 132 El transistor

Para llevar a cabo el estudio del modo de funcionamiento del transistor, repa-
semos en primer lugar a travs de la figura 78 el nmero de variables elctricas
de las que disponemos.

Figura 78. Variables elctricas de un MOSFET Figura 78

vDG D Variables elctricas que se

ID utilizan para la descripcin
del comportamiento del
MOSFET.
vDS
G
IS
IG

vGS

Comencemos con las tensiones independientes. Debido a que se tiene que Ved tambin
verificar la ley de Kirchhoff de voltajes, deber ocurrir que:
Para saber ms sobre la ley de
Kirchhoff de voltajes,
consultad del anexo de la
vGS + vDG = vDS (216) asignatura.

ya que si partimos del terminal de puerta, G, y volvemos otra vez a l estamos

siguiendo un camino cerrado y la cada de potencial total entonces es nula.
De la ecuacin 216 deducimos que slo hay dos tensiones independientes (ya
que la tercera se puede calcular a partir de la ecuacin 216). Habitualmente,
se suele tomar como terminal de referencia la fuente, de tal forma que las dos
tensiones independientes son vGS y vDS .

Las dos tensiones independientes que se utilizan para describir el com-

portamiento elctrico de los MOSFET son vGS y vDS .

Con respecto a las intensidades, como el terminal de puerta est aislado del
resto del circuito debido a la capa de aislante, en continua:

IG = 0 (217)

y la aplicacin de la ley de Kirchhoff de las corrientes conduce a que:

ID = IS (218)

de donde slo hay una corriente independiente, que se suele tomar ID .

CC-BY-SA PID_00170129 133 El transistor

La corriente independiente que se toma para describir elctricamente el

MOSFET es la corriente ID .

Dado que el MOSFET es un dispositivo controlado por tensin, estudiaremos

Dispositivo controlado
el efecto del cambio de las tensiones vGS y vDS en la corriente ID . por tensin

El MOSFET es un dispositivo
controlado por tensin, ya
que ser la tensin de puerta
Influencia de vGS
la que controle la corriente
que atraviese el dispositivo.

En este subapartado, vamos a ver cmo se comporta el transistor al variar los

valores de vGS mientras se mantiene vDS = 0. En primer lugar, consideraremos
la situacin en la que vGS = 0 y despus aumentaremos este valor:

Si inicialmente hacemos que vGS = 0, entonces estaremos en ausencia de

excitacin externa. En tal caso, no circular corriente elctrica por el dispo-
sitivo al estar ambas uniones en su situacin de equilibrio y, por lo tanto,
la unin de drenador estar polarizada en inversa. En consecuencia, ID = 0.

A continuacin, aumentemos el valor del potencial de puerta, vGS . Como

muestra la figura 79, aparece un campo elctrico entre el terminal de puerta
y el de sustrato, vGS , debido a que ambas placas se comportan como un
condensador.

Figura 79. Efecto de una tensin vGS > 0 Figura 79

Creacin de un campo
elctrico dentro del
dispositivo a consecuencia de
D aplicar una tensin vGS > 0.
N P

+
G
SS

VGS +
r
S E
N

Fuerza elctrica

Recordad que la fuerza

elctrica est dada por
~F = q~E, donde ~E representa el
campo elctrico y q la carga
que sufre el efecto del
El campo elctrico que aparece lleva a los electrones libres del bloque se- campo. Entonces, si q < 0,
miconductor a la zona de puerta mientras que aleja a los huecos hasta la como les pasa a los
electrones, la fuerza elctrica
zona del sustrato, como aparece en la figura 80. posee sentido contrario al
campo.
CC-BY-SA PID_00170129 134 El transistor

Figura 80. Desplazamiento de los portadores cuando vGS > 0

Figura 80

D Movimiento de los
N P portadores de carga, que son
r los electrones, cuando se
+ E +
+ + aplica una tensin vGS > 0.
G + +
+ + SS Los electrones se dirigen a la
+ + +
+ + + puerta y quedan acumulados
VGS all.
S
N

Electrones Huecos

Las cargas quedan detenidas en estas posiciones debido a que por la puerta
no puede circular corriente al encontrarse aislada. Para valores pequeos
de esa tensin, la acumulacin de cargas ser pequea, pero a partir de un
cierto valor umbral de tensin (threshold en ingls), vGS vGST , la acumula-
cin de electrones se har lo suficientemente importante como para que su
efecto sea semejante al de tener una zona N. Es decir, diremos que se for-
mar un canal de tipo N que unir los terminales de drenador y fuente
como ilustra la figura 81.

Figura 81. Formacin de un canal de tipo N Figura 81

Canal tipo N formado Los electrones que se

acumulan en el lado de la
puerta forman un canal que
permite la conduccin entre
los terminales de fuente y
D drenador.
N P
r
+ E +
+ +
G + +
+ + SS
+ + +
VGS + + +
S
N

Electrones Huecos

Finalmente, si utilizamos tensiones vGS < 0, entonces ocurrir el mismo

fenmeno de acumulacin de cargas, pero ahora se tratar de huecos en la
puerta y electrones en el sustrato. Por lo tanto, la unin PN del drenador
estar ms inversamente polarizada y el dispositivo se encontrar en corte
sin que exista un canal por donde circulen los portadores. En la figura 82,
podis ver reflejada esta situacin.
CC-BY-SA PID_00170129 135 El transistor

Figura 82. Localizacin de huecos y electrones cuando vGS < 0

No hay canal
Figura 82

Cuando la tensin vGS < 0,

los electrones y huecos se
D mueven de tal forma que se
N P produce acumulacin de
r huecos entre los terminales
+ E +
+ + de drenador y fuente. As, los
G + + electrones no pueden circular
+ + SS
+ + + entre ellos y no hay corriente
VGS + +
elctrica a travs del
+ S
N dispositivo. Se dice entonces
que est en corte.

Huecos Electrones

A modo de conclusin, la aplicacin de una tensin vGS positiva externa es un

elemento imprescindible para la formacin del canal y, por lo tanto, estos dis-
positivos tambin van a necesitar de un circuito de polarizacin para permitir
ese paso de corriente. Una vez que el transistor est polarizado con un valor
positivo de vGS , veamos cmo influye el valor de vDS .

Influencia de vDS

En este subapartado, vamos a estudiar la influencia de vDS para valores positi-

vos de vGS . En estos razonamientos supondremos que vGS vGST (es decir, la
tensin puerta-fuente es suficientemente alta) y, por lo tanto, se ha formado
un canal de tipo N en el transistor. Empezaremos por valores pequeos de vDS
y los aumentaremos poco a poco:

Cuando el potencial vDS es relativamente bajo, se originar una corriente

elctrica ID que atraviesa el canal. Al aumentar la tensin, vGS aumenta la
anchura del canal y puede haber una mayor corriente para un valor de ten-
sin fijado de vDS . En la figura 83, podis ver los canales generados para dos
valores de tensin vGS1 < vGS2 y cmo aumenta para valores ms grandes
de vGS . Por lo tanto, habr una relacin proporcional entre la tensin vDS
e ID y para valores bajos de vDS , lineal. Es decir, el dispositivo se comporta
como una resistencia lineal cuyo valor depender de la anchura del canal
y por lo tanto del valor de la tensin de puerta vGS .

De esta forma, hemos deducido a partir de consideraciones fsicas la rela-

cin que existe entre la tensin y la corriente aplicada. Pero la corriente
puede aumentar de forma indefinida por la aplicacin de la tensin vDS ?
CC-BY-SA PID_00170129 136 El transistor

Figura 83. Cambio en la anchura del canal con vGST

ID Figura 83

D Modificacin de la anchura
N
P del canal en funcin de los
vGD valores de vGS . A medida que
+ vGS aumenta, el canal se hace
G
SS
vDS ms grande.

vGS1 +
S
N

ID

D
N
P
vGD
+
G
SS
vDS

vGS2 +
S
N

A continuacin, aumentamos el valor de vDS y consideremos de nuevo el

comportamiento de las tensiones. La tensin vDS se puede calcular como:

vDS = vGS vGD (219)

Como vDS > 0 esto implica que vGS > vGD y, por lo tanto, la anchura del
canal ser ms pequea en el lado del drenador que en el de la fuente tal
como muestra la figura 84.

Figura 84. Diferencias de anchura en el canal debido a las Figura 84

diferentes tensiones
La aplicacin de una tensin
Ms estrecho vDS provoca que el canal sea
ms estrecho por el drenador
que por la fuente.
ID

D
N P

vGD
G +
SS v
DS
vGS+
S
N
CC-BY-SA PID_00170129 137 El transistor

Tal como vimos en el caso del JFET en el subapartado 3.3, para valores
pequeos de vDS , este estrangulamiento del canal no ser muy importante,
pero a medida que la tensin vDS aumente, el estrechamiento empezar a
ser importante como se ve en la figura 85.

Figura 85. Estrangulamiento del canal con la tensin vDS Figura 85

Al aumentar vDS , el canal se

ID
estrecha ms en la zona del
D drenador. Llega un momento
N P en el que el canal se ha
estrechado tanto que se
vGD produce un
G + estrangulamiento. En las
SS v
DS1 figuras a, b y c se aprecia
vGS+ cmo se estrecha hasta que
S se estrangula.
N

ID

D
N P
vGD
+
G SS v
DS2
vGS+
S
N

ID

D
N P
vGD
G +
SS v
DS,sat
vGS+
S
N

Cuando vDS alcance una tensin de saturacin vDSsat , el canal se habr ce-
rrado por completo. A partir de ese instante, la corriente ID permanecer
igual a un valor constante independientemente del valor de vDS , que ser
mayor que vDSsat .

Es importante recalcar que la corriente no se anula al cerrarse el canal, ya

que, si ello sucediese, el drenador y la fuente estaran al mismo potencial,
lo que implicara que vGS y vDS seran iguales y por lo tanto el canal no
CC-BY-SA PID_00170129 138 El transistor

presentara estrangulamiento, lo cual es una contradiccin. Por lo tanto,

el estrangulamiento no slo es compatible con el paso de una corriente
elctrica, sino necesario.

El valor de tensin vDSsat define la tensin a partir de la cual la corriente

ID permanece constante.

Si vDS fuera negativo, entonces la corriente ID discurrira en sentido contrario,

pero el razonamiento fsico seguira siendo vlido. Lo que ocurrira ahora es
que el estrangulamiento se producira en el lado de la fuente en lugar de en el
drenador.

Para valores ms grandes de vGS , ocurriran los mismos fenmenos que hemos
expuesto, pero con valores ms grandes de la intensidad de drenador, ya que
al aumentar vGS el canal se hace ms ancho y favorece el paso de corriente.

Relacin I-V del MOSFET de acumulacin

En el subapartado anterior, habis conocido el comportamiento bsico del

transistor MOSFET. A partir de las consideraciones hechas en ese subapartado,
ya podemos construir las curvas caractersticas del dispositivo de la misma
forma que procedimos para las del JFET en el subapartado 3.3 y que dan lugar
a la figura 86.

Figura 86. Caractersticas intensidad-tensin del MOSFET de Figura 86

acumulacin
Curvas caractersticas del
Zona MOSFET de acumulacin
ruptura
junto a sus diferentes
regiones de funcionamiento:
corte, lineal, saturacin y
ruptura.
Zona Zona
lineal saturacin
ID
vGS = 6V

vGS = 5V

vGS = 4V

vGS = 3V

p
vDS
Vr
vDS,sat = vGS VT Zona
corte
CC-BY-SA PID_00170129 139 El transistor

Como podis ver en la figura 86, las curvas para diferentes valores de vGS son
las mismas, pero desplazadas hacia arriba. Tambin aparece marcado en la
figura 86 que existen cuatro regiones de funcionamiento, de la misma forma
que para el JFET del subapartado 3.3.3.

Las regiones de operacin de un MOSFET son las siguientes:

1) zona de corte,

2) zona hmica o lineal,

3) zona de ruptura,

4) zona de saturacin o corriente constante.

Las tres primeras zonas tienen un comportamiento semejante al descrito en el

subapartado 3.3.3 para el JFET y por ello no se van a tratar aqu. Sin embargo,
merece la pena detenerse un poco ms en la regin de saturacin y conocer
la dependencia entre la tensin de puerta aplicada y la corriente que pasa a
travs del dispositivo.

Zona de saturacin

En este subapartado, vamos a plantear la relacin que existe entre la corriente

de drenador ID y la tensin vDS en la regin de saturacin. El transistor se
encuentra en la zona de saturacin cuando:

vDS > vDSsat (220)

En esta zona, el transistor se comporta como una fuente de corriente contro-

lada por tensin. Se puede demostrar que la relacin entre la tensin aplicada
y la corriente medida est dada por:

ID = K(vGS vGST )2 (221)

donde K es una constante que depende del dispositivo. Podemos utilizar esta
ecuacin para establecer el comportamiento elctrico del transistor en esta
regin. Para conseguir que el MOSFET se encuentre en una regin u otra,
es necesario recurrir a circuitos de polarizacin, como es habitual en todo
el desarrollo que hemos hecho en este mdulo. Veamos, a continuacin, un
ejemplo de circuito de polarizacin.

Circuitos de polarizacin para MOSFET

En la figura 87, podis ver la forma en la que los transistores MOSFET se deben
polarizar para trabajar en aplicaciones de amplificacin, tanto para el caso de
canal N como para el caso de canal P.
CC-BY-SA PID_00170129 140 El transistor

Figura 87. Circuitos de polarizacin para el MOSFET de acumulacin

MOSFET de canal P
a. Canal N b. Canal P
ID ID El MOSFET de canal P tiene
un funcionamiento similar al
D D de canal N y, para obtener
G vDS G vDS sus ecuaciones caractersticas,
+ tan slo habra que cambiar
V VDD
VGG + S DD VGG

S + el sentido de las corrientes y
vGS + vGS
de las tensiones.

Como podis apreciar en la figura 87, el transistor de canal N se polariza uti-

lizando una tensin positiva entre drenador y fuente, vDS > 0, y otra positiva
entre puerta y fuente, vGS > 0. De este modo, la corriente ID circular del
drenador a la fuente, como indica la corriente dibujada en la figura 87a.

Para el caso del transistor de canal P, tan slo deberemos cambiar las polari-
dades de las fuentes para obtener una polarizacin entre drenador y fuente
negativa, vDS < 0, al igual que entre puerta y fuente, vGS < 0. Fijaos en cmo
se ha generado el circuito de polarizacin para el transistor de canal P: a travs
de la regla de cambio de polaridades de las fuentes. ste es un procedimiento
general que sirve para extender a transistores de canal P los resultados que
hemos obtenido a lo largo de estos subapartados para el caso de canal N.

Por otro lado, como hemos visto en los subapartados 2.1.1 y 3.4.1, es conve- Punto de trabajo del
MOSFET
niente incluir resistencias que ayuden a mantener la estabilidad del punto de
trabajo frente a variaciones en los parmetros del transistor. Por este motivo, El punto de trabajo de un
MOSFET est descrito por las
una de las topologas de circuitos ms usadas vuelve a ser la del tipo divisor
variables Q = (vGS ,ID ,vDS ).
de tensin mostrada en la figura 88.

Figura 88. Circuito de polarizacin por divisin

de tensin para el MOSFET

+
VDD

R1 RD

ID

D
G

S
IS

R2 RS
CC-BY-SA PID_00170129 141 El transistor

El anlisis del punto de trabajo del transistor en este circuito se lleva a cabo de
un modo semejante al realizado en los subapartados 2.1.2 para el BJT y 3.4.1
para el JFET y por este motivo no nos detendremos con detalle en este punto.
No obstante, veremos en el siguiente ejemplo cmo realizar su clculo.

Ejemplo 14

Calculad el punto de trabajo del MOSFET de canal N del circuito de la figura 88 para los
siguientes valores de los parmetros:

VDD = 15 V
R1 = 150 k y R2 = 100 k
RD = 40 k y RS = 5 k
La constante caracterstica del MOSFET es K = 10 A/V2 y VGST = 1 V

Solucin

Como hacemos siempre que usamos una topologa por divisin de tensin, en primer
lugar calcularemos el equivalente Thvenin del circuito de entrada mostrado en la figu-
ra 89a.

Figura 89. Parte del circuito para sustituir por su equivalente Thvenin Figura 89

a. b. Como es habitual,
+ +
buscaremos el equivalente
V Thvenin del circuito de
VDD DD
entrada. En particular,
R1 RD RD buscaremos el equivalente
Thvenin de los elementos en
ID ID el recuadro discontinuo de a
que representamos de una
D R1 D manera ms conveniente en
G G
la figura b para el clculo del
S S equivalente Thvenin.
IS + IS
R2 VDD R2 RS
RS

Equivalente Equivalente
Thvenin Thvenin

El resultado es el circuito equivalente mostrado en la figura 90, con unos valores equiva-
lentes de:

R1 R2
RTh = = 60 k (222)
R1 + R2

R2
VTh = VDD =6V (223)
R1 + R2

Ahora podemos seguir con el clculo del punto de operacin a travs de los siguientes
pasos:

1) Aplicamos la segunda ley de Kirchhoff a la malla de entrada de la figura 90 y obtene-

mos:

VTh = IG RTh + vGS + IS RS (224)

CC-BY-SA PID_00170129 142 El transistor

Figura 90. Circuito equivalente Thvenin

VDD
+ Figura 90

ID Circuito de polarizacin por

RD
divisin de tensin en el que
el circuito de entrada se ha
sustituido por su equivalente
Malla Thvenin.
D salida
RTh

+ G S
VTh IG

IS RS

Malla
entrada

2) Dado que IG = 0 y, por lo tanto, IS = ID , podemos escribir la ecuacin 224 como:

VTh = vGS + ID RS (225)

6 = vGS + 5000ID (226)

La ecuacin 226 contiene dos incgnitas, vGS e ID . Para poder despejar ambas, nece-
sitamos otra ecuacin.
3) La ecuacin que utilizaremos ser la 221, que relaciona ambas variables en la regin
de saturacin:

ID = K(vGS vGST )2 (227)

Las ecuaciones 226 y 227 forman un sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas
que permite encontrar el valor de ambas. Para ello, sustituimos el valor de ID dado
por la ecuacin 227 en 226 y resolvemos la ecuacin cuadrtica correspondiente. Sus
soluciones son las siguientes:

vGS1 = 22,45 V (228)

vGS2 = 4,45 V (229)

Como vGS debe ser un valor positivo, la solucin con la que nos debemos quedar es
la segunda, vGS = 4,45 V. Con este valor podemos calcular ID :
vGS

ID = K(vGS vGST )2 (230) vGS debe ser positivo ya que,

en caso contrario, no se
formara un canal en el
ID = 105 (5,14 1)2 = 1,19 104 A (231) dispositivo entre los
terminales de fuente y
drenador.
4) Slo nos queda calcular el valor de vDS . Para ello, aplicamos la ley de Kirchhoff de
voltajes a la malla de salida:

VDD = IS RS + vDS + ID RD (232)

CC-BY-SA PID_00170129 143 El transistor

5) Si ahora hacemos en la ecuacin 232 que la corriente de fuente sea igual que la de
drenador, IS = ID , podemos despejar el valor de vDS :

vDS = VDD ID (RD + RS ) (233)

vDS = 15 1,7 104 (40.000 + 5.000) = 9,64 V (234)

Por lo tanto, el punto de operacin est dado por:

Q = (vDS = 7,28 V,ID = 1,7 104 A) (235)

Como veis, el procedimiento de clculo del punto de operacin es muy parecido en todos
los tipos de transistor.

Una vez estudiados los transistores de acumulacin, haremos un breve comen-

tario de la otra gran familia de transistores de tipo MOSFET: los de deplexin.

3.6.2. El transistor MOSFET de deplexin

En este subapartado, vamos a ver brevemente cmo es la estructura fsica de

un transistor MOSFET de deplexin. En la figura 91, podis ver que se trata
de una estructura totalmente similar a la del caso del transistor MOSFET de
acumulacin mostrado en la figura 79 salvo por una importante diferencia:
en este caso, el canal N se encuentra incorporado en el dispositivo de fa-
bricacin.

Figura 91. Estructura de un transistor MOSFET Figura 91

de deplexin
Estructura fsica y dopaje de
Canal incorporado las diferentes partes de un
transistor MOSFET de
deplexin. En este caso, el
canal N est incorporado de
fabricacin.
D N P

G SS

S N

Por lo tanto, existe una conexin de fabricacin entre los terminales de dre-
nador y fuente. En la figura 92, podis ver cules son los smbolos circuitales
ms utilizados para denotar el transistor MOSFET de deplexin.
CC-BY-SA PID_00170129 144 El transistor

Figura 92. Smbolos del transistor MOSFET

de deplexin

Figura 92
D D

Smbolos circuitales
SS internacionales para el
G G transistor MOSFET.

S S
Mosfet de deplexin
de canal N

D D

SS
G G

S S
Mosfet de deplexin
de canal P

Como podis ver en la figura 93, el smbolo de los MOSFET de deplexin

es muy parecido al de los MOSFET de acumulacin. La diferencia entre ellos
estriba en que, en lugar de haber una lnea discontinua entre los terminales
de drenador y fuente, hay una lnea continua que representa el hecho de que
en los transistores de deplexin ya existe el canal por fabricacin.

Figura 93. Comparacin de los smbolos de los MOSFET de deplexin y acumulacin Figura 93

Lnea discontinua Lnea continua Diferencia entre los smbolos

D D D D
circuitales de los MOSFET de
acumulacin y deplexin. La
diferencia estriba en la lnea
SS SS
continua o discontinua que
G G G G
une los terminales de
drenador y fuente.
S S S S
Mosfet de acumulacin Mosfet de deplexin
de canal N de canal N
D D D D

SS SS
G G G G

S S S S
Mosfet de acumulacin Mosfet de deplexin
de canal P de canal P

Como ya hemos indicado al hablar de la figura 92, la estructura fsica del

transistor MOSFET de deplexin es muy parecida a la del de acumulacin y,
en consecuencia, su principio bsico de funcionamiento tambin ser muy
similar. Por lo tanto, no lo vamos a estudiar aqu.
CC-BY-SA PID_00170129 145 El transistor

De esta forma, ya hemos terminado la introduccin al comportamiento de los

transistores y sus curvas y caractersticas de funcionamiento. A continuacin,
vamos a ver una aplicacin de la tecnologa MOSFET al diseo de circuitos
digitales, que es uno de sus mayores campos de utilizacin hoy en da.

3.7. Circuitos MOSFET digitales

La tecnologa de transistores MOSFET es la ms ampliamente utilizada en el Circuito integrado

diseo de circuitos digitales integrados, especialmente en aquellos casos en los
Un circuito integrado es un
que se exige integrar en una superficie semiconductora dada una gran canti- circuito que implementa el
dad de transistores. De este modo, la tecnologa de transistores de tipo MOS mayor nmero de
componentes electrnicos en
(metal-xido-semiconductor) ha desplazado a la tecnologa basada en BJT con el menor tamao posible.
el paso de los aos. A modo de ejemplo, a finales de la dcada de 1990 del siglo
pasado, el 88 % del mercado de circuitos integrados estaba basado en transis-
tores de tecnologa MOS, mientras que el 8 % se basaba en transistor bipolar
y el 4 % restante estaba basado en dispositivos optoelectrnicos de tecnologa
de semiconductores compuestos, como arseniuro de galio.

Si los MOSFET utilizados para construir el circuito integrado son de canal N, Semiconductores
compuestos
se dice que la tecnologa es del tipo N-MOS mientras que, si son de canal P,
hablamos de P-MOS. Si se utilizan a la vez transistores de tecnologas N-MOS Se llaman semiconductores
y P-MOS se dice que la tecnologa utilizada es CMOS (nomenclatura que vie- compuestos a aquellos
materiales compuestos que
ne de MOS complementaria). Existen diferentes motivos tanto tecnolgicos son semiconductores. El
como econmicos que hacen ms recomendable el uso de una tecnologa u arseniuro de galio es uno de
ellos ya que, para ser
otra segn la aplicacin y las condiciones. semiconductor, necesita la
composicin de ambos,
arsnico y galio, en
A modo de ejemplo, se podra decir que las tecnologas se diferencian en los contraposicin al silicio o al
germanio que son
aspectos siguientes: semiconductores en sustancia
pura.

La ventaja de la tecnologa P-MOS es que es muy sencillo el diseo y la

fabricacin de los circuitos.

La familia N-MOS permite una densidad de integracin ms grande, es

decir, se puede fabricar un nmero mayor de transistores en la misma su-
perficie que utilizando tecnologa P-MOS.

La familia tecnolgica de las CMOS es de las ms rpidas y de las que menos

energa consume, pero tiene en su contra que el diseo y la fabricacin
son ms complicados y, por lo tanto, es la familia que resulta ms cara de
fabricar y de disear. Las funciones lgicas

Las funciones lgicas ms

Nuestro objetivo en este subapartado es ver cmo se pueden sintetizar funcio- importantes son la NOT y la
nes digitales utilizando transistores MOSFET. Sin embargo, antes de empezar, NAND debido a que forman
un conjunto completo de
recordaremos unos conceptos bsicos sobre electrnica digital. A continua- funciones, es decir, un
conjunto de funciones que
cin, veremos cmo sintetizar las puertas lgicas ms importantes, NOT y
permite la descripcin de
NAND, utilizando, a modo de ejemplo, tecnologa N-MOS. cualquier funcin lgica.
CC-BY-SA PID_00170129 146 El transistor

3.7.1. Conceptos de electrnica digital

En este subapartado, vamos a resumir brevemente algunos conceptos bsicos Circuitos digitales
sobre electrnica digital antes de pasar a la realizacin de las puertas lgicas
Los circuitos digitales se
mediante transistores MOSFET. Los circuitos digitales presentan dos posibles denominan tambin circuitos
entradas. Ambas entradas reciben el nombre de 0 lgico y 1 lgico. binarios dado que slo
trabajan con entradas de dos
valores diferentes.
Estos dos valores simblicos, (0, 1), estn asociados a dos valores de tensin
concretos. En todo lo que sigue, supondremos que el 0 lgico corresponde a
una tensin de 0 V (cero voltios) y el 1 lgico corresponde a una tensin al-
ta (por ejemplo, la tensin de alimentacin del circuito digital, VDD ). Por lo
tanto, lo que procesa el circuito, y que ser la entrada al transistor MOSFET,
ser una seal de tensin que toma valores nicamente de 0 V y de VDD V.
Estos dos valores de tensin provocan que el MOSFET tenga un comporta-
miento como interruptor: el transistor cambia de modo de operacin entre
los estados de corte y de saturacin. sta es la caracterstica bsica del MOS-
FET funcionando en un circuito digital. Si la tensin de entrada tiene un valor
intermedio entre estas dos, el circuito digital interpretar o un valor de 0 o de
1 en funcin del umbral permitido para cada valor.

Los cambios en la tensin de entrada provocarn un cambio en la tensin

de salida que tambin tomar nicamente valores de 0 V y VDD V. Dado que
hemos llamado simblicamente a estas tensiones 0 y 1 respectivamente, lo
que est haciendo el circuito es poner un valor de 0 o 1 a su salida ante un
valor concreto (de 0 o 1) a su entrada. Una forma de describir cmo es la
salida del circuito ante cualquier valor de entrada es por medio de una tabla
de verdad. La tabla de verdad contiene la salida del circuito para cualquier
valor posible de la entrada.

Veamos con dos ejemplos en qu consiste una tabla de verdad. Utilizaremos

los casos de las puertas NOT y NAND:

1) Consideremos la funcin lgica NOT. Esta funcin tiene una nica variable
de entrada y la operacin que ejecuta es intercambiar su valor. De esta forma,
si a la entrada hay un 0, coloca a la salida un 1 y viceversa: si hay un 1 a la
entrada, entonces coloca a la salida un 0. En la figura 94, podis ver el smbolo
circuital de la funcin NOT y, en la tabla 4, tenis la tabla de verdad de esta
funcin.

Figura 94. Smbolo circuital de la puerta NOT Figura 94

Smbolo de la puerta lgica

NOT que se utiliza en
electrnica digital.

Entrada Salida
CC-BY-SA PID_00170129 147 El transistor

Tabla 4. Tabla de verdad de la funcin NOT

entrada salida
0 1
1 0

Como veis en la tabla 4, sta cuenta con dos columnas. En una de ellas, estn
colocadas todas las opciones de valores de entrada, que en este caso slo son
dos: 0 y 1. En la otra columna, est el valor de la salida, para cada una de las
entradas que, como veis, se invierte con respecto al de entrada. La tabla 4 es
la tabla de verdad de la funcin NOT.

2) Ahora veremos en qu consiste la puerta NAND. La puerta NAND es una

puerta que admite dos seales como entrada (que llamaremos A y B) y, en
funcin de sus valores, ofrece una seal a la salida (que llamaremos S). En la
figura 95, est su smbolo circuital mientras que podis ver su tabla de verdad
en la tabla 5.

Figura 95. Smbolo circuital de la puerta NAND Figura 95

Entrada 1 (A) Smbolo de la puerta lgica

NAND que se utiliza en
electrnica digital.

Salida (S)

Entrada 2 (B)

Tabla 5. Tabla de verdad de la funcin NAND

A B S
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0

Como veis en la tabla 5, las dos primeras columnas recogen todas las posi-
bilidades de entradas binarias que puede haber. En este caso, al haber dos Posibilidades binarias

variables, son cuatro. En la ltima columna, podis ver la salida que ofrece Si se tienen un conjunto de n
esta puerta para cada combinacin de variables de entrada. variables binarias, existe un
total de 2n combinaciones
distintas.
Debemos tener presente que los valores de 0 y 1 corresponden en realidad a los
valores de tensin de 0 y VDD voltios respectivamente y que 0 y 1 son slo sus
representaciones simblicas.

Lo que haremos a continuacin ser ver cmo se pueden sintetizar estas dos
puertas (NOT y NAND) mediante circuitos basados en MOSFET. El circuito que
planteemos deber comportarse siguiendo la tabla de verdad correspondiente.
Como se ha indicado en la introduccin del subapartado 3.7, esta eleccin
no es casual: las puertas NOT y NAND permiten sintetizar cualquier funcin
CC-BY-SA PID_00170129 148 El transistor

lgica. Por lo tanto, mediante los circuitos que describen estas puertas seremos
capaces de sintetizar cualquier otro. No obstante, no nos detendremos aqu en
ver cmo expresar cualquier funcin lgica por medio de las operaciones NOT
y NAND. Esto se reserva para la electrnica digital.

Comenzaremos por la puerta NOT y proseguiremos con la NAND.

3.7.2. Puerta NOT

En este subapartado, vamos a ver cmo implementar una puerta NOT, es decir
una negacin o inversin de la seal mediante el transistor MOSFET de acu-
mulacin de canal N. Para el caso de MOSFET de canal P, sera todo igual salvo
que la seal de alimentacin VDD sera negativa.

El circuito inversor o puerta NOT est representado en la figura 96. La seal de Seales vi y vo
entrada est dada por vi , mientras que la salida est etiquetada mediante vo .
Las seales de entrada y
salida reciben esos nombres
por input y output
Figura 96. Puerta NOT fabricada con MOSFET respectivamente.
de acumulacin de canal N

VDD
+
Figura 96

RD
Circuito construido a base de
transistores NAND que realiza
la operacin correspondiente
F a la puerta NOT.
vo

vi

Tambin se puede observar en la figura 96 cmo aparece una fuente de ali-

mentacin continua dada por VDD . Por lo tanto, para este circuito:

Una seal de tensin nula se corresponde con un 0 lgico.

Una seal de tensin de valor VDD se corresponde a un 1 lgico.

Lo que haremos ahora es analizar cmo se comporta el circuito de la figura 96

cuando a la entrada ponemos un 0 lgico y un 1 lgico y ver si realmente
sigue su tabla de verdad dada por la tabla 4:

Si en la entrada vi no le aplicamos tensin, es decir, hay un 0 lgico, enton-

ces vGS = 0 y no se formar el canal. En consecuencia, no circular corriente
CC-BY-SA PID_00170129 149 El transistor

a travs del transistor. Si no circula corriente, ID = 0, y en la resistencia RD

no caer ninguna tensin, ya que est colocada en serie con el transistor.
Por lo tanto, la tensin que se registre en vo ser de VDD . Es decir, tendre-
mos como salida un 1 lgico.

Si, por el contrario, la tensin que le aplicamos a la entrada est cercana a

VDD , es decir, se trata de un 1 lgico, entonces vGS ser positivo e igual
a VDD . Por lo tanto, vGS ser lo suficientemente grande y se formar un
canal en el transistor. En consecuencia, circular corriente por l y caer
potencial en la resistencia RD . Si esta resistencia tiene un valor lo suficien-
temente alto para que caiga mucho potencial en ella, entonces casi todos
los VDD voltios caern all y en vo se registrarn 0 V, que se corresponde a la
seal de un 0 lgico. Es decir, el circuito de la figura 96 invierte la entrada,
satisface la tabla de verdad 4 y se comporta como una puerta NOT.

La clave del funcionamiento de la puerta NOT, como podis deducir de es-

te anlisis que acabamos de llevar a cabo, es que el transistor conmuta de
un estado de corte a un estado de conduccin (en la regin de saturacin)
y viceversa. Esta conmutacin es la que permite sintetizar la puerta NOT y
representa el comportamiento general de los transistores en circuitos lgicos.

No obstante, como sucede habitualmente, no todo es perfecto. El circuito fun-

ciona, pero el valor de RD debe ser elevado y esto es un problema. Uno de los
retos de la electrnica digital de hoy en da es integrar los componentes en
tamaos cada vez menores y, por desgracia y pese a lo que podra parecer, es
mucho ms simple integrar un MOSFET entero que una resistencia. Es enor-
memente costoso hacer grandes resistencias en tamaos pequeos.

Qu solucin tenemos para este problema? Como hemos mencionado en el

subapartado 3.3.3, el MOSFET se puede comportar como una resistencia si tra-
baja en la regin lineal u hmica. Entonces, una posible solucin sera integrar
un transistor trabajando en su regin lineal en lugar de esa resistencia de valor
elevado. Veamos en el siguiente subapartado cmo quedara el circuito en ese
caso.

3.7.3. Puerta NOT real

En este subapartado, vamos a partir de la puerta NOT representada en la figu-

ra 96 y vamos a sustituir la resistencia RD que aparece en l por otro transistor
MOSFET. As, ser ms sencilla la fabricacin del circuito resultante. El resul- Carga activa

tado de esta sustitucin est en la figura 97.

Se le denomina carga activa
debido a que desempea el
papel de una resistencia (es
Como podis ver en la figura 97, tenemos ahora dos transistores N-MOS (de- decir, una carga), pero se
nominados T1 y T2). El transistor T2, que actuar como carga activa, presenta implementa por medio de un
componente activo, un
la puerta (G) conectada con el drenador (D) y los dos a su vez conectados a transistor.
la tensin de alimentacin que, segn indica la figura, es VDD . Analicemos el
CC-BY-SA PID_00170129 150 El transistor

funcionamiento del circuito para ver si se comporta como una puerta NOT,
es decir, si responde a la tabla de verdad dada por la tabla 4. Comprobaremos
cul es la salida del circuito para las dos posibles entradas de 0 y 1 lgicos:

1) Supongamos que aplicamos a la entrada la seal de un 0 lgico (0 V). El

transistor T1 estar en zona de corte, ya que vGS1 = 0, y equivale a una resisten- Subndices vGSi

cia de valor muy alto. Podemos decir que prcticamente no circular corriente
Los subndices i = 1,2 en las
por el drenador de T1, ID1 = 0,(ni tampoco por el de T2, ID2 = 0, ya que estn variables que utilicemos en
este subapartado hacen
conectados en serie).
referencia a los transistores T1
y T2 respectivamente.

Figura 97. Puerta NOT fabricada con dos MOSFET

VDD Figura 97
+
D Esquema que representa
cmo se implementara una
puerta NOT realmente en un
G T2
circuito integrado. La
resistencia se sustituye por
S otro transistor MOSFET
F
completo.
D
vo
G T1
A
S
vi

Sin embargo, esto no nos permite determinar directamente la tensin de sali-

da, ya que T2 tambin podra estar en la zona de corte y en tal caso la tensin
de salida sera un divisor de tensin entre dos resistencias de alto valor. Por
otro lado, podra estar en zona lineal y, entonces, se comportara como una
resistencia de bajo valor. En cada caso, el valor de la tensin de salida vo cam-
biara.

Para ver la situacin real de T1, supondremos tanto una opcin como la otra y
veremos cul de las dos nos lleva a un resultado incoherente. De esta manera, Un procedimiento
habitual
podremos determinar cul es la situacin real de T2.
En muchos campos de la
ingeniera, es habitual operar
Plantearemos dos suposiciones: que T2 est en la zona de corte y que T2 est como veremos en este
en la zona lineal. Y veremos entonces cul de las dos da un resultado incom- ejemplo: se entabla una
hiptesis de trabajo y se
patible con la hiptesis de que la corriente de drenador es cero en ambos verifica si es correcta. En el
transistores: caso de que no lo sea, se
hace una nueva suposicin y
se analiza. Un ejemplo de
este mtodo ya lo visteis al
a) Supongamos que T2 est en la zona de corte. Entonces, la corriente por el analizar circuitos con diodos
drenador es nula, es decir, ID1 = 0. En este caso, ambos MOSFET se compor- en el mdulo El diodo.
Funcionamiento y
tan como resistencias de alto valor y podemos afirmar lo siguiente: aplicaciones.
CC-BY-SA PID_00170129 151 El transistor

La tensin en el terminal de fuente de T2, que coincide con la ten-

sin de salida, sera aproximadamente VDD /2 (suponiendo que los dos
transistores fuesen idnticos), ya que ambos se comportaran como re-
sistencias de valor muy alto y la salida sera entonces la salida de un
divisor de tensin.

En este caso, la tensin vGS2 (la existente entre la puerta G y la fuente S

de T2) sera de VDD /2, ya que la puerta est conectada a VDD (vGS2 = vDS2 )
y acabamos de decir que la fuente est a VDD /2. Adems, la tensin vDS2
(la existente entre D y S de T2) estar tambin a VDD /2.

Sin embargo, si tanto vGS2 como vDS2 estn a VDD /2, el transistor no est
en zona de corte, sino en zona de saturacin. Basta con ver que vGS2 es
mayor que cero y, por este motivo, se crea canal, adems vDS2 es tambin
positiva, con lo que tiende a circular corriente por el canal creado. Sin
embargo, no puede estar en zona de saturacin, ya que hemos dicho
que ID2 = 0. Por lo tanto, la suposicin es incorrecta: T2 no est en zona
de corte.

b) Supongamos ahora que T2 est en la zona lineal. Si es as, se comporta

como una resistencia de bajo valor y la tensin de salida es prcticamente
VDD (es decir, un 1 lgico), ya que T1 estaba en zona de corte. Vemos que la
suposicin es correcta, ya que, cuando T2 est en zona lineal, la corriente es
prcticamente nula. En consecuencia, la tensin vDS2 es tambin prctica-
mente nula, independientemente de vGS2 , que es perfectamente coherente
con la suposicin que estamos haciendo y, por lo tanto, la suposicin es
correcta. Por lo tanto, T2 est en su zonal lineal.

A modo de conclusin, si ponemos a la entrada un 0 lgico, vemos que a la

salida hay un 1 lgico.

2) Analicemos a continuacin qu sucede cuando ponemos a la entrada un 1

lgico. El transistor T1 tiene predisposicin a conducir, ya que su tensin vGS1
(que coincide con vi ) es positiva y superior al umbral (hemos creado canal).

Ahora debemos observar en la figura 97 que la puerta y el drenador del tran-

sistor T2 estn unidos entre s. Se puede demostrar que este hecho obliga a
que el transistor T1 est en su zona lineal y que, por lo tanto, se comporte
como una resistencia de bajo valor y que la corriente que circula por l sea
pequea. Asimismo, tambin coloca al transistor T2 en su zona lineal y por
lo tanto tambin se comporta como una resistencia. Lo que interesa es que la
resistencia del transistor T2 sea muy alta. Entonces, toda la tensin VDD caera
en vDS2 y la salida es de aproximadamente cero voltios, es decir, un cero lgico.
Sin entrar en excesivo detalle, se puede conseguir una resistencia en la zona
lineal de T2 ms alta que la que ofrece T1 en su zona lineal haciendo que T2
tenga un canal ms largo y estrecho que T1. En ese caso, ante una entrada de
un 1 lgico, la salida sera de un 0 lgico.
CC-BY-SA PID_00170129 152 El transistor

A modo de conclusin, este circuito se comporta siguiendo la tabla de verdad

dada por la tabla 4 y se trata de una puerta NOT. De esta forma, ya hemos
visto cmo disear utilizando MOSFET una puerta NOT. Veamos cmo imple-
mentar una puerta NAND.

3.7.4. Puerta NAND

En este subapartado, vamos a ver cmo realizar una puerta NAND utilizando
tecnologa MOS. El circuito que implementa la puerta NAND est represen-
tado en la figura 98. Podis ver en ella cmo aparece de nuevo la fuente de
tensin constante VDD y ahora dos seales de entrada que reciben el nombre
de A y B. Tambin podis ver un transistor que se encuentra en la parte supe-
rior de la figura. Este transistor tiene el papel de una resistencia implementada
por medio de un transistor, al igual que en el subapartado 3.7.3, ya que resulta
ms fcil implementar transistores que resistencias en circuitos integrados.

Figura 98. Puerta NAND fabricada con MOSFET Figura 98

VDD Esquema elctrico que

+ representa una puerta NAND
fabricada a partir de
transistores MOSFET.
Transistor que
juega el papel
de resistencia

vo
A

Debemos tener presente, al observar la figura 98, que el smbolo del MOSFET
de acumulacin de canal N est dado por la figura 99.

Figura 99 Figura 99

D Smbolo del MOSFET de

acumulacin de canal N.

Fijaos en que el MOSFET que hace de carga activa en la figura 98 tiene ahora su
puerta conectada a su fuente, en lugar de como pasaba en la puerta NOT, que
CC-BY-SA PID_00170129 153 El transistor

estaba conectada al drenador. La tensin de alimentacin es de VDD voltios,

por lo tanto:

Una seal de tensin nula se corresponde con un 0 lgico.

Una seal de tensin de valor VDD se corresponde con un 1 lgico.

Analicemos el comportamiento del circuito de la figura 98. Para ello, en pri-

mer lugar, recordemos cmo es la tabla de verdad de una puerta NAND en la
tabla 6. La salida es siempre 1 excepto cuando ambas entradas valen 0:

Tabla 6. Tabla de verdad de la funcin NAND

A A Salida (F)
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0

Analicemos ahora las cuatro posibilidades que se pueden presentar:

Si una de las dos seales, A o B, es cero (o cercana a cero). Este caso recoge
las tres posibilidades correspondientes a que ambas entradas sean cero, que
A = 0 y B = 1 y que B = 0 pero A = 1. Entonces el transistor (o transistores)
correspondiente est en la regin de corte debido a que no hay tensin
aplicada entre su puerta y fuente y no se ha formado canal. Como todos
los elementos estn situados en serie, por ellos no circula corriente, no cae
potencial en ninguno de los elementos y por lo tanto la tensin de la salida
es vo = VDD . Es decir, a la salida hay un 1 lgico.

Si por el contrario ambas entradas estn a 1 lgico, entonces ambos tran-

sistores se encuentran en su regin de conduccin y casi todo el potencial
caer en el transistor que desempea el papel de resistencia, por lo tanto la
salida ser una tensin prcticamente nula, es decir de un cero lgico. Lectura
complementaria

De esta forma, se puede implementar una puerta NAND utilizando tecnolo- Como lectura adicional, se
ga MOS. puede consultar el libro
Fsica de los dispositivos
electrnicos de Gustavo
Lpez y Jos M.a Garca para
Con esto hemos llegado al final del mdulo y disponis de una visin general conocer la implementacin
de los transistores, de su modo de funcionamiento y de sus posibles aplica- de otras puertas lgicas y
otro tipo de tecnologas. En
ciones. particular, tambin podrais
ver cmo quedaran las
implementaciones en
3.8. Recapitulacin tecnologa P-MOS y en una
de las ms extendidas en el
diseo de circuitos digitales
Qu hemos aprendido? en la actualidad: la CMOS.

En este apartado:

Habis conocido la estructura fsica de un transistor de efecto de campo

(FET) en dos de sus versiones, JFET y MOSFET.
CC-BY-SA PID_00170129 154 El transistor

Para ellos, tambin habis obtenido un modelo elctrico sencillo de su

comportamiento.
Habis conocido las diferentes regiones de funcionamiento de un FET.
Habis conocido una topologa de polarizacin para FET.
Habis visto una topologa de amplificacin basada en FET, que es anloga
a la vista para BJT.
Habis conocido cmo realizar puertas lgicas basadas en MOSFET.
CC-BY-SA PID_00170129 155 El transistor

4. Problemas resueltos
.

En este apartado, vais a encontrar un conjunto de problemas resueltos. En

primer lugar, aparecen los enunciados de forma consecutiva y, a continuacin,
la resolucin. Es conveniente que intentis resolverlos primero vosotros sin
mirar las soluciones. Es probable que no os salgan bien o que no sepis bien
cmo enfocarlos: es normal cuando intentis hacerlos las primeras veces. Para
ver cmo se resuelven, podis ir al subapartado de soluciones.

4.1. Enunciados

Problema 1

Calculad el punto de operacin del BJT del circuito de la figura 100 para los
siguientes valores de sus parmetros:

R1 = 18 k, R2 = 12 k
RE = 1,2 k, RC = 1,5 k
VCC = 12 V
= 180 y vBE = 0,7 V

Figura 100. Circuito del problema 1

R1 RC

IC
C
B
VCC
IB E IE

R2 RE

Problema 2

Calculad el punto de operacin del circuito de la figura 101 para los siguientes
valores de sus parmetros:
CC-BY-SA PID_00170129 156 El transistor

RB = 11 k
RE = 20 k, RC = 1,1 k
VCC = 12 V
= 100 y vBE = 0,7 V

Figura 101. Circuito del problema 2

RB RC
VCC

IC
IB C

B
IE E

RE

Problema 3

Disead un circuito de polarizacin por divisin de tensin para situar un

BJT de min = 120 y vBE = 0,7 V en un punto de operacin que permita la
mxima excursin simtrica y con un valor de corriente de colector dada por
IC = 2,1 mA, si la fuente utilizada es de VCC = 12 V.

Problema 4

Un JFET de canal N tiene una tensin de corte |vGSoff | = 3,2 V y una corriente
de saturacin de IDss = 10 mA. Calculad la corriente ID que circula por el
dispositivo si le aplicamos una tensin |vGS | = 1,7 V cuando la tensin vDS es
tal que est en saturacin.

Problema 5

Un JFET de canal N tiene una tensin de corte de |vGSoff | = 3,2 V. Si aplica-

mos una tensin de |vGS | = 1,2 V, calculad el valor de vDS a partir del cual el
dispositivo est en saturacin.

Problema 6

En el circuito de la figura 102, calculad la tensin vDS . Tened en cuenta los

siguientes datos: VDD = 30 V, VGG = 1,5 V, vGSoff = 3,6 V, RG = 10 k, RD = 6 k
y IDss = 5 mA.
CC-BY-SA PID_00170129 157 El transistor

Figura 102. Circuito del problema 6

RG

+
VDD

RG D
G

S

VGG
+

Problema 7

Calculad vGS en el circuito de la figura 103.

Figura 103. Circuito del problema 7

5V
+

8k RD

2k

Problema 8

Para el circuito amplificador basado en BJT en emisor comn de la figura 104,

calculad:

a) El valor de la ganancia en voltaje.

b) La resistencia de entrada.
c) El valor de la salida si la entrada es la seal vi (t) = 0,7 sen(2t).
CC-BY-SA PID_00170129 158 El transistor

Datos:

R1 = 18 k, R2 = 12 k
RE1 = 200 , RC = 1,5 k, RE2 = 1 k
VCC = 12 V
= 180 y vBE = 0,7 V

Figura 104. Circuito del problema 8

+
VCC

R1 RC Salida

C
CB vo (t)
B

vi (t) RE1
R2

Entrada RE2 CE

Problema 9

Para el circuito amplificador basado en BJT en emisor comn de la figura 105,

calculad, mediante el modelo de parmetros h del transistor:

a) El valor de la ganancia en voltaje.

b) La resistencia de entrada.
c) El valor de la salida si la entrada es la seal vi (t) = 0,7 sen(2t)

Datos:

R1 = 300 k, R2 = 150 k
RE = 1 k, RC = 2 k
VCC = 12 V, CB = 33 nF

Los valores del modelo de pequea seal los proporciona el fabricante en el

datasheet del dispositivo. Para el punto de operacin en el que est el transis-
tor, los valores son los siguientes:

h11 = 4,5 k
h21 = 330
CC-BY-SA PID_00170129 159 El transistor

El resto de parmetros se pueden despreciar.

Figura 105. Circuito del problema 9

+
VCC

R1 RC Salida

C
CB vo (t)
B

vi (t)
R2 RE CE

Entrada

4.2. Resolucin

Problema 1

Seguimos los pasos indicados en el subapartado 2.1.2 para el clculo del pun-
to de operacin. En primer lugar, calculamos los equivalentes Thvenin del
circuito de entrada mediante las ecuaciones 72 y 73:

R1 R2
RTh = = 7.200 (236)
R1 + R2

R2
VTh = VCC = 4,8 V (237)
R1 + R2

Una vez que ya tenemos los equivalentes de Thvenin, seguimos con los si-
guientes pasos:

1) Aplicamos la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de entrada, dada por

la ecuacin 74:

VTh = IB RTh + vBE + IE RE (238)

4,8 = 7.200IB + 0,7 + 1.200IE (239)

Ahora hacemos uso de IE IB y convertimos la ecuacin 239 en:

4,8 = 7.200IB + 0,7 + 1.200IB (240)

CC-BY-SA PID_00170129 160 El transistor

2) De la ecuacin 240, podemos despejar IB :

4,8 0,7
IB = = 1,837 105 A (241)
7.200 + 180 1.200

3) Ahora podemos calcular IC mediante la ecuacin 45:

IC = IB = 180 1,837 105 = 3,3 mA (242)

4) Finalmente, aplicamos la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de salida:

VCC = IC RC + vCE + IC RE (243)

de donde despejamos vCE :

vCE = VCC IC RC IC RE = 3,07 V (244)

Y ya tenemos calculado el punto de operacin que viene dado por:

Q = (vCE = 3,07 V,IC = 3,3 mA) (245)

Problema 2

El circuito del problema 2 no se corresponde con ninguno de los circuitos

de polarizacin presentados en el subapartado 2.1.2. Sin embargo, podemos
seguir un procedimiento totalmente anlogo al presentado en el subaparta-
do 2.1.2 para calcular el punto de trabajo del transistor.

En primer lugar, redibujamos en la figura 106 el circuito de la figura 101 expli-

citando en l las mallas de entrada y salida del BJT. Para ello, tan slo hemos
tenido que duplicar la fuente de tensin VCC .

Al disponer de las mallas de entrada y de salida, ser ms fcil calcular el

punto de operacin. Ahora seguiremos un proceso anlogo al llevado a cabo
en el subapartado 2.1.2.

1) En primer lugar, aplicamos la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de

entrada:

VCC = IB RB + vBE + IE RE (246)

12 = 11.000IB + 0,7 + 20.000IE (247)

CC-BY-SA PID_00170129 161 El transistor

Ahora hacemos uso de IE IB y convertimos la ecuacin 247 en:

12 = 11.000IB + 0,7 + 20.000IB (248)

Figura 106. Circuito redibujado del problema 2

RC

IC
RB IB C

B VCC
IE E
Malla
salida
VCC
Malla RE
entrada

2) De la ecuacin 248, podemos despejar IB :

12 0,7
IB = = 5,62 106 A (249)
11.000 + 100 20.000

3) Ahora podemos calcular IC mediante la ecuacin 45:

IC = IB = 100 5,62 106 = 0,562 mA (250)

4) Finalmente, si aplicamos la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de

salida:

VCC = IC RC + vCE + IC RE (251)

de donde despejamos vCE :

vCE = VCC IC RC IC RE = 0,184 V (252)

Y ya tenemos calculado el punto de operacin que viene dado por:

Q = (vCE = 0,184 V,IC = 0,562 mA) (253)

Como veis, un circuito diferente de polarizacin se analiza a partir de los mis-

mos procedimientos que los comentados en el apartado 2.
CC-BY-SA PID_00170129 162 El transistor

Problema 3

Primero, recordemos que el circuito por divisin de tensin est dado por la
figura 107.

Figura 107. Circuito de polarizacin por divisin

de tensin

R1 RC

IC
C
B
VCC
IB E IE

R2 RE

Seguiremos los pasos mencionados en el recuadro gris del subapartado 2.1.3.

En primer lugar, debemos explicitar los datos iniciales del problema.

1) Conocer el punto de trabajo del transistor. En este caso, nos indican que
IC = 2,1 mA pero no nos dicen nada del valor de vCE . Sin embargo, s nos dicen
que la excursin simtrica ha de ser mxima. Eso implica que el punto de
trabajo se tiene que localizar en un lugar central de las caractersticas del BJT
y por lo tanto debemos seguir la recomendacin dada en el subapartado 2.1.3
por medio de la ecuacin 99 para la eleccin de vCE . Entonces, vCE = 0,5VCC =
6 V y ya tenemos el punto de trabajo deseado.

2) Conocer el valor de la fuente de continua, VCC . En nuestro problema, VCC =

12 V.

3) Conocer el valor de min . En el enunciado nos dicen que min = 120. Ahora
que ya tenemos presentes todos los datos necesarios, podemos comenzar con
la fase de diseo propiamente dicha.

4) Inicialmente, debemos calcular la resistencia RE . Primero calculamos su

diferencia de potencial segn:

VRE = 0,1VCC = 1,2 V (254)

y a continuacin el valor de la resistencia haciendo uso de la ley de Ohm:

vRE 1,2
RE = = = 571,43 (255)
IC 0,0021
CC-BY-SA PID_00170129 163 El transistor

5) Dimensionamos la fuente de Thvenin con la ecuacin 101:

VTh = 0,7 + vRE = 0,7 + 1,2 = 1,9 V (256)

6) y la resistencia Thvenin con la ecuacin 102:

RTh = 0,1min RE = 0,1 120 571,43 = 6.857,1 = 6,86 k (257)

7) De los valores del equivalente Thvenin calcularemos las resistencias R1

y R2 :

VCC RTh 12 6.857,1

R1 = = = 4,33 104 (258)
VTh 1,9

VCC RTh 12 6.857,1

R2 = = = 8.146,9 (259)
VCC VTh 12 1,9

8) Finalmente, despejamos el valor de RC de la ecuacin 78:

VCC = IC RC + vCE + IC RE (260)

VCC vCE 12 6
RC = RE = 571,43 = 2.285 (261)
IC 0,0021

Ya tenemos todos los parmetros que definen la red de polarizacin buscada.

Problema 4

Como vDS es tal que el dispositivo est en saturacin, sabemos que es la ecua-
cin 175 la que modela al dispositivo:

!2
v
ID = IDss 1 GS (262)
vGSoff

Dado que conocemos todos los datos, podemos sustituirlos en la ecuacin 262
y obtener:

2
1,7
ID = 10 1 = 2,197 mA (263)
3,2

Fijaos en que, dentro de la ecuacin, hemos sustituido los valores de las ten-
siones con su signo, que debe ser negativo si est en saturacin.
CC-BY-SA PID_00170129 164 El transistor

Problema 5

El JFET de canal N est en saturacin cuando se satisface la ecuacin 173:

vDS vGS vGSoff (264)

En el enunciado, nos proporcionan los datos para sustituir en la ecuacin 264

y obtener la tensin vDS a partir de la cual el dispositivo est en saturacin:

vDS (1,2) (3,2) = 2 V (265)

Fijaos en cmo, de nuevo, las tensiones aparecen con sus respectivos signos.

Problema 6

En primer lugar, redibujamos el circuito problema con las mallas que vamos a
usar para resolverlo.

Figura 108. Circuito del problema 6

RD ID

+
VDD
RG
G D

IG S Malla
2

IS

VGG Malla
+ 1

Para calcular vDS , aplicamos la ley de Kirchhoff de voltajes a la malla 2 indicada

en la figura 108. El resultado es la ecuacin:

VDD = ID RD + vDS (266)

De la ecuacin 266 podemos despejar el valor de vDS :

vDS = VDD ID RD (267)

En la ecuacin 267, conocemos VDD y RD pero no conocemos ID , as que no po-

demos calcular el valor de vDS . Necesitaramos conocer el valor de ID , cmo
podemos hallarlo? Para un JFET en la regin de polarizacin de saturacin,
existe una relacin entre ID y vGS , que est dada por la ecuacin 262:
CC-BY-SA PID_00170129 165 El transistor

!2
v
ID = IDss 1 GS (268)
vGSoff

Por lo tanto, si hallamos vGS , entonces podramos calcular ID y sustituirlo en

la ecuacin 267 para conocer vDS . El problema se ha reducido ahora a calcular
vGS . Para ello, aplicamos la ley de Kirchhoff de voltajes a la malla 1 de la
figura 108:

VGG = IG RG + vGS (269)

Como IG = 0 entonces,

vGS = VGG = 1,5 V (270)

Ahora que ya tenemos calculado vGS , llevamos su valor a la ecuacin 268 para
hallar ID :

!2 2
v 1,5
ID = IDss 1 GS =5 1 = 1,7 mA (271)
vGSoff 3,6

Una vez que conocemos ID , llevamos su valor a la ecuacin 267 y obtenemos

finalmente el valor de vDS , que es lo que nos pedan en el enunciado:

vDS = VDD ID RD = 30 0,0017 6.000 = 19,8 V (272)

Problema 7

Vamos a comenzar redibujando el circuito de la figura 103 de una forma ms

simplificada, dada por la figura 109.

Figura 109. Redibujo del circuito del problema 7

5V
+

RD

D
8k G

S
+
5V
2k

Equivalente Thvenin
CC-BY-SA PID_00170129 166 El transistor

Para hacer ms sencillos los clculos, podemos reemplazar los componentes

conectados a la puerta por su equivalente Thvenin mostrado en la figura 110,
donde los valores del equivalente Thvenin son:

R1 R2
RTh = = 1,6 k (273)
R1 + R2

5R2
VTh = =1V (274)
R1 + R2

Figura 110. Equivalente Thvenin del circuito del problema 7

5V
+

RD

D
1,6 k G

S
+
1V
Malla
entrada

Equivalente Thvenin

Ahora, para calcular vGS , podemos aplicar la ley de Kirchhoff de tensiones a la

malla de entrada mostrada en la figura 110:

1 = IG 1.600 + vGS (275)

Dado que IG = 0, entonces, vGS = 1 V que es la solucin buscada.

Problema 8

En este problema, vemos que partimos de un circuito de amplificacin en

emisor comn, muy parecido al presentado en el subapartado 2.4.1 con la
particularidad de que ahora la resistencia de emisor se ha dividido en dos
partes, RE1 y RE2 de tal forma que slo una de las resistencias est en paralelo
con el condensador Cb . Entonces, cuando realicemos el anlisis en continua
y pongamos el condensador en circuito abierto, la resistencia de emisor total
ser la suma de ellas, RE = RE1 + RE2 .

Por otro lado, cuando realicemos el anlisis en alterna y sustituyamos el con-

densador por el cortocircuito, la resistencia RE2 desaparecer, pero ahora RE1
CC-BY-SA PID_00170129 167 El transistor

seguir presente en el modelo lineal del circuito. Veamos cmo afecta este he-
cho al clculo de la ganancia y de la resistencia de entrada (especialmente) del
circuito de amplificacin.

Para analizar el circuito problema, seguimos los mismos pasos que en el sub-
apartado 2.4.1. En primer lugar, vamos a llevar a cabo el anlisis de continua.
Para ello, sustituimos los condensadores por circuitos abiertos y obtenemos el
circuito de polarizacin por divisin de tensin dado por la figura 111.

Figura 111. Circuito de polarizacin del problema 8

R1 RC

IC
C
B
VCC
IB E IE

R2 RE

En esta figura, la resistencia de emisor es la suma RE = RE1 + RE2 . Con los datos
del ejercicio, vemos que se trata del mismo circuito de polarizacin que el
resuelto en el problema 1. Ya calculamos entonces el punto de operacin de
este circuito que viene dado por:

Q = (vCE = 3,07 V,IC = 3,3 mA) (276)

A continuacin, realizamos el anlisis en alterna. Para ello:

1) Debemos poner los condensadores en cortocircuito. El resultado de esta

operacin est representado en la figura 112.

2) Identificamos la configuracin en la que trabaja el BJT. En este caso, es

una configuracin de emisor comn, ya que la salida se toma en el colector
y el emisor, a travs de la resistencia RE1 , est compartido por los circuitos de
entrada y de salida.

3) A continuacin, sustituimos el BJT por su modelo de parmetros r y obte-

nemos el circuito de la figura 113.
CC-BY-SA PID_00170129 168 El transistor

Figura 112. Anlisis de alterna del circuito del problema 8

Salida

C
vo (t)
B

vi (t) RC
R1 R2 RE1

Entrada

Figura 113. Sustitucin del BJT por su modelo de parmetros r

C
vo (t)
Ri
IB
ii IB
B
rE
RC
E
vi (t)
R1 R2 IC
IE RE1

Como podis ver en la figura 113, lo que ha ocurrido ahora es que la resistencia
de emisor ya no es slo re , sino que tambin aparece RE1 .

4) Ahora estamos preparados para analizar el circuito de la figura 113 y res-

ponder a los apartados a, b y c.

a) Para el clculo de la ganancia, nos damos cuenta de que podemos utilizar la Ganancia en voltaje
misma expresin que la obtenida en el subapartado 2.4.1, pero para un nuevo
La ganancia en voltaje del
valor de la resistencia de emisor dado por RE = re +RE1 . Es decir, el circuito lineal
amplificador de emisor
representado en la figura 113 es el mismo que el representado en la figura 36 comn es
si se utiliza como resistencia de emisor un valor de RE = re + RE1 . Entonces, Rc
Av =
podramos obtener la ganancia en voltaje a partir de la ecuacin 136 sin ms re

que sustituir la resistencia de emisor por el nuevo valor. El resultado es: donde re era la nica
resistencia conectada al
emisor.
Rc
Av = (277)
re + RE1

Vemos que ahora el valor de la ganancia es inferior al obtenido cuando no se

divide la resistencia en dos partes. De hecho, suele ocurrir habitualmente que

RE1 >> re
CC-BY-SA PID_00170129 169 El transistor

y la ecuacin 277 se puede simplificar a:

Rc
Av = (278)
RE1

El resultado final es una ganancia ms pequea que la obtenida sin la divisin

de la resistencia de emisor en dos, pero tenemos una ventaja: ahora la ganan-
cia slo depende de los parmetros de la red de polarizacin, no depende de
ningn parmetro del BJT, ya que ahora no depende de re , que viene determi-
nado por la polarizacin y el valor de . Con los datos del enunciado, el valor
aproximado de la ganancia en tensin es:

Rc
Av = = 7,5 (279)
RE1

b) Ahora que ya tenemos calculada la ganancia en tensin pasamos a calcular

la resistencia de entrada. La resistencia de entrada se puede calcular como la
asociacin en paralelo de R1 , R2 y la resistencia de entrada del BJT. Calculemos
la resistencia de entrada del BJT y calculamos la asociacin en paralelo.

La resistencia de entrada del BJT se puede calcular como la cada de potencial

en las resistencia de emisor dividida entre la corriente de entrada. La cada de
potencial en la resistencia de emisor es:

v = (1 + )IB (re + RE1 ) (280)

puesto que la cada de potencial en una resistencia es, segn la ley de Ohm,
el producto de la intensidad por la resistencia. Ahora debemos dividir este
valor entre la corriente de entrada al BJT, que es IB . Entonces, la resistencia de
entrada del BJT resulta ser:

(1 + )IB (re + RE1 )

RinBJT = = (1 + )(re + RE1 ) RE1 (281)
IB

Por lo tanto, la resistencia de entrada es:

Rin = R1 //R2 //RinBJT = 6 k (282)

Esta resistencia de entrada resulta ser ms grande que cuando no se divide

la resistencia del emisor en dos partes y esto es algo positivo puesto que lo
ms interesante en un circuito es que presenta una resistencia de entrada
lo ms grande posible para que no cargue apenas al circuito precedente. Tene-
mos, pues, que la ganancia no depende del BJT y que la resistencia de entrada
aumenta como rasgos positivos. En contrapartida, la ganancia total baja.
CC-BY-SA PID_00170129 170 El transistor

Si queremos tener todas las propiedades del amplificador, tendremos que recu-
rrir a amplificadores multietapa que compondrn los llamados amplificadores
operacionales, que estudiaris en el mdulo siguiente.

c) Finalmente, podremos calcular la salida ante una entrada de la forma vi (t) =

0,7 sen(2t) sin ms que multiplicar la amplitud de la seal de entrada por la
ganancia en voltaje. Por lo tanto, el voltaje de salida ser:

vo (t) = Av vi (t) = 7,5 0,7 sen(2t) = 5,25 sen(2t) V (283)

Como veis, el amplificador ha cambiado el signo de la seal, ya que ahora

hay un signo negativo multiplicando a la amplitud de la seal de salida. Sin
embargo, sta es slo la salida de alterna del circuito. La salida total se puede
calcular por superposicin a travs de la suma de la salida de continua y la de
alterna.

vo = vQ 5,25 sen(2t) = 3,07 5,25 sen(2t) V (284)

Si queremos que la componente de continua no pase a la salida, tendremos

que utilizar un condensador de desacoplo conectado al terminal de salida.

Problema 9

En este caso, tenemos un problema muy parecido al problema 8 pero aho-

ra, en lugar de utilizar el modelo de parmetros r, nos dice el enunciado que
utilicemos el modelo de parmetros h. As, vemos cmo se utiliza este mode-
lo y tenis un ejemplo diferente sobre cmo se sustituye el transistor en los
circuitos basados en BJT. Tambin nos dice que podemos utilizar el modelo
simplificado de parmetros h introducido en el subapartado 2.3.1 en lugar del
modelo completo.

Para resolver las preguntas, primero debemos obtener el punto de operacin

del transistor. Para ello, seguimos los pasos indicados en el subapartado 2.1.2.
Inicialmente, ponemos todos los condensadores en circuito abierto. Si hace-
mos esto en el circuito de la figura 105, obtenemos el circuito de polarizacin
por divisin de tensin estudiado en el subapartado 2.1.2. Podemos entonces
calcular su punto de operacin como hicimos entonces.

Calculamos, en primer lugar, el equivalente Thvenin del circuito de entrada,

formado por las resistencias R1 , R2 y la fuente de tensin VCC . El resultado es:

R1 R2
RTh = = 100 k (285)
R1 + R2

R2
VTh = VCC =4V (286)
R1 + R2
CC-BY-SA PID_00170129 171 El transistor

A continuacin:

1) Aplicamos la ley de voltajes de Kirchhoff a la malla de entrada:

VTh = IB RTh + vBE + IE RE (287)

En la ecuacin 287, nos aparece el valor de vBE y el de la corriente IE . El valor

de vBE = 0,7 V, ya que el transistor se encuentra en la regin de activa directa.
El valor de IE se calcula a travs de la ecuacin 50:

IE IB (288)

El problema ahora es cunto vale ? Si nos fijamos en el parmetro h21 de

la ecuacin 122, nos damos cuenta de que desempea el mismo papel que
y, por lo tanto, = h21 = 330. Entonces, la ecuacin de malla a la entrada
queda as:

VTh = IB RTh + vBE + h21 IB RE (289)

2) Entonces, podemos despejar IB como:

VTh vBE
IB = = 7,67 106 A (290)
RTh + h21 RE

3) La corriente de colector se puede calcular ahora a partir de la ecuacin 122:

IC = h21 IB = 2,5 mA (291)

4) Finalmente, a partir de este valor podemos calcular el de vCE , que se calcula

a partir de la ley de tensiones de Kirchhoff aplicada a la malla de salida:

VCC = IC RC + VCE + IE RE (292)

donde hacemos que IE IC :

VCC = IC RC + VCE + IC RE = IC (RC + RE ) + vCE (293)

Entonces:

vCE = VCC IC (RC + RE ) = 4,4 V (294)

CC-BY-SA PID_00170129 172 El transistor

y ya tenemos calculado el punto de operacin y los valores de continua del

dispositivo.

Ahora ya podemos pasar a resolver el apartado a.

a) Para calcular la ganancia en tensin del amplificador, en primer lugar po-

nemos los condensadores en cortocircuito y ponemos la fuente de tensin
continua VCC a cero. Obtenemos el circuito de la figura 114.

Figura 114. Circuito del problema 9: anlisis en alterna

R1 RC Salida

C
vo (t)
B

vi (t)
R2

Entrada

A continuacin, sustituimos el BJT por su modelo de pequea seal de par-

metros hbridos representado en la figura 31. El resultado es la figura 115.

Figura 115. Circuito del problema 9: modelo lineal de parmetros h

R1 RC Salida

C
vo (t)
h21IB
IB
B

vi (t) h11
R2
Parmetros h
E

Entrada
CC-BY-SA PID_00170129 173 El transistor

Fijaos en cmo se han tenido en cuenta los terminales del modelo de parme-
tros h representado en la figura 31 a la hora de sustituir el modelo. Para poder
trabajar con este modelo lineal ms fcilmente, lo redibujamos de una forma
ms conveniente en la figura 116.

Figura 116. Circuito del problema 9: modelo lineal de parmetros h dibujado

de una forma ms conveniente

Salida
IB
vo (t)
B
C

vi (t) h11
R1 R2 h21IB RC

E Parmetros h

Ahora ya podemos calcular la ganancia en corriente. sta se define como el

cociente de la tensin de salida entre la tensin de entrada:

vo
Av = (295)
vi

Calculemos ambas tensiones y hagamos la divisin:

Comencemos con la tensin de entrada. La tensin de entrada vi se puede

calcular como la cada de tensin en las resistencias R1 , R2 o h11 , ya que se
encuentran todas ellas en paralelo. Calculemos la cada de tensin en h11 ,
que es lo ms sencillo. Entonces, vi ser la cada de tensin en la resistencia
h11 que es, segn la ley de Ohm:

vi = Ih11 h11 (296)

Veamos ahora qu corriente circula por esa resistencia. La corriente que

circula por la resistencia se puede calcular aplicando la ley de Kirchhoff de
corrientes al nodo del emisor y resulta ser:

Ih11 = IB (297)

de donde:

vi = IB h11 (298)
CC-BY-SA PID_00170129 174 El transistor

La tensin de salida es la cada de tensin en la resistencia de colector, RC :

vo = IRC RC = h21 IB RC (299)

donde el signo menos aparece debido a que la corriente circula del poten-
cial menor al mayor de la resistencia de colector.

Ahora dividimos la ecuacin 298 entre la 299 y obtenemos la ganancia de

tensin:

vo h I R h R
Av = = 21 B C = 21 C 146 (300)
vi IB h11 h11

y ya tenemos calculada la ganancia en voltaje. Pasemos a calcular la resis-

tencia de entrada.

b) La resistencia de entrada se calcula con la salida en abierto. Como no tene-

mos nada conectado a la salida, la resistencia de entrada es la asociacin en
paralelo de R1 , R2 y h11 :

Rin = R1 //R2 //h11 = 4,3 k (301)

Aunque no lo piden en el enunciado, el clculo de la resistencia de salida

es inmediato. Para ello, debemos dejar el circuito de entrada en abierto y la
resistencia de salida es simplemente RC .

Ro = RC = 2 k (302)

c) Finalmente, la salida ante una entrada de la forma vi (t) = 0,7 sen(2t) se pue-
de calcular mediante superposicin. La salida total ser la salida en continua
ms la salida a esta seal en alterna. La salida en continua era vCE , mientras
que la salida en alterna es:

vo (t) = Av 0,7 sen(2t) = 102,2 sen(2t) V (303)

que es la seal de entrada multiplicada por la ganancia en voltaje. Por lo tanto,

si aplicamos superposicin, la salida total ser:

vo,total (t) = vCE + Av 0,7 sen(2t) = 4,4 102,2 sen(2t) V (304)

Vemos que la salida posee tambin una componente en continua. Si quisi-

ramos eliminar esta componente en continua, tendramos que poner un con-
densador de desacoplo en la salida.
CC-BY-SA PID_00170129 175 El transistor

Resumen

En este mdulo, hemos introducido la estructura fsica y algunas de las apli-

caciones de los transistores ms utilizados en baja frecuencia que son el tran-
sistor bipolar de unin (BJT) y el transistor de efecto de campo (FET).

En primer lugar, hemos comenzado con la estructura fsica de los BJT. Los BJT
son dispositivos de tres terminales que reciben el nombre de emisor (E), base
(B) y colector (C). Su principio de funcionamiento bsico consiste en que el
terminal de base controla la corriente que pasa por los otros dos.

Para ser capaces de analizar circuitos con BJT, obtuvimos un modelo elctrico
a travs de las ecuaciones de Ebers-Moll. El comportamiento global del BJT es
no lineal, lo que da lugar a diferentes zonas o regiones de funcionamiento:

activa directa,
activa inversa,
saturacin,
corte.

Como consecuencia, si se desea que el BJT se mantenga en la misma regin de

funcionamiento cuando se le conecta a la entrada una tensin variable en el
tiempo es necesario acoplarle un circuito de polarizacin. El circuito de po-
larizacin es un circuito externo que obliga al BJT a comportarse de la misma
forma a pesar de tensiones o corrientes variables en la base. En aplicaciones
de amplificacin, la regin de funcionamiento debe ser la de activa directa.

Uno de los circuitos de polarizacin ms usados para obligar a que el BJT

permanezca en la regin de activa directa es el basado en el divisor de tensin.
La principal ventaja de este circuito es que hace que el punto de operacin sea
insensible a las variaciones del parmetro del transistor. De esta forma, el
punto de operacin es el mismo para transistores con diferente valor de .

Una vez que ya tenemos los circuitos de polarizacin, hemos visto en el apar-
tado 2 topologas de circuitos de amplificacin. Para ellos, nos restringimos al
caso de pequea seal y frecuencia intermedia. Esto significa que no ampli-
ficbamos el trmino de continua y que la seal de entrada tena una amplitud
ms pequea de la seal del punto de operacin. Bajo estas circunstancias, el
transistor poda representarse de forma lineal. Hemos visto dos modelos linea-
les del BJT. El modelo de parmetros hbridos y el modelo de parmetros r.

El modelo de parmetros hbridos es una forma general de representar circui-

tos en electrnica, mientras que el modelo de parmetros r era un modelo ms
CC-BY-SA PID_00170129 176 El transistor

fsico y construido especialmente para el BJT. Con este modelo, hemos anali-
zado las configuraciones de amplificadores en emisor comn, base comn y
emisor comn. En las configuraciones de emisor y base comn se consegua
ganancia en tensin, mientras que en colector comn la ganancia en tensin
era prcticamente la unidad. Para cada una de estas configuraciones, presen-
tamos tambin el valor de sus resistencias de entrada y de salida.

En el ltimo apartado, hemos introducido la estructura fsica fundamental

de los transistores de efecto de campo, FET. Los FET estn divididos en dos
tipos de familias: FET de unin o JFET y FET de metal-xido-semiconductor
o MOSFET.

Los transistores FET son dispositivos de tres terminales llamados fuente (S),
drenador (D) y puerta (G). En general, la corriente de puerta es prcticamente
cero y la corriente de drenador coincide con la de fuente. El principio bsico de
funcionamiento de los FET es que la corriente de drenador se puede controlar
mediante la tensin aplicada a la puerta. Por lo tanto, se trata de dispositivos
controlados por tensin.

La diferencia entre los JFET y los MOSFET estriba en la forma en la que se

consigue que la corriente de puerta sea prcticamente cero. En los JFET, se
consigue mediante la polarizacin en inversa de una unin PN. Por otro lado,
en los MOSFET, se consigue aislando elctricamente el terminal de puerta del
semiconductor por medio de una fina capa aislante.

Ambos dispositivos poseen caractersticas I-V similares en las que se pueden

distinguir cuatro regiones de funcionamiento diferentes:

Zona hmica o lineal. En esta zona, el transistor se comporta como una

resistencia.
Zona de saturacin. El transistor se comporta como una fuente de corrien-
te controlado por tensin.
Zona de corte. El transistor se comporta como un circuito abierto.
Zona de ruptura. El transistor pierde su integridad.

En aplicaciones de amplificacin, los FET trabajan en la zona de saturacin.

Para conseguir que el transistor permanezca en la zona de saturacin ante
tensiones de entrada variables en el tiempo, es necesario acoplarle circuitos
de polarizacin. Las topologas de circuitos de polarizacin y de amplificacin
son muy semejantes a las estudiadas para el BJT.

Finalmente, la tecnologa basada en MOSFET es la ms utilizada en la realiza-

cin de circuitos digitales. Hemos visto cmo sintetizar puertas lgicas utili-
zando transistores FET. En particular, puertas de tipo NOT y de tipo NAND.
CC-BY-SA PID_00170129 177 El transistor

Ejercicios de autoevaluacin

1. Si las tensiones entre los terminales de un BJT son vBE < V y vBC < V , entonces el BJT
est en la regin...
a) activa directa.
b) de corte.
c) de saturacin.
d) activa inversa.

2. Si tenemos un BJT de silicio polarizado en la regin activa directa, la tensin de emisor es

0,7 V menor que la tensin de...
a) colector.
b) base.
c) tierra.
d) alimentacin VCC .

3. El incremento de temperatura, en un transistor BJT,...

a) no cambia el valor de .
b) disminuye el valor de .
c) aumenta el valor de .
d) Todas las respuestas anteriores son falsas.

4. El objetivo de un circuito de polarizacin para un BJT es...

a) configurar la regin de funcionamiento del transistor.
b) conseguir que el punto de trabajo sea estable frente a la variacin de .
c) Los dos puntos anteriores son correctos.
d) hacer que la ganancia de corriente sea lo ms grande posible.

5. En un transistor BJT,...
a) la base est mucho ms dopada que el emisor y el colector.
b) todas las partes tienen el mismo tamao.
c) los terminales de emisor y colector son simtricos.
d) la base es mucho ms estrecha que el emisor y colector.

6. En un circuito de polarizacin por divisin de tensin, la resistencia de emisor RE ...

a) no desempea ningn papel.
b) acta inestabilizando el punto de trabajo frente a variaciones de .
c) acta como una realimentacin negativa.
d) tiene el mismo papel que la resistencia de colector RC .

7. Las ecuaciones de Ebers-Moll...

a) describen el comportamiento del BJT en todas las regiones.
b) describen el comportamiento tan slo en la regin de activa directa.
c) describen el comportamiento en activa, tanto en inversa como en directa.
d) Todas las respuestas anteriores son falsas.

8. El dibujo de la figura 117 representa un transistor...

Figura 117

a) MOSFET de deplexin de canal N.

b) MOSFET de acumulacin de canal N.
c) MOSFET de deplexin de canal P.
d) MOSFET de acumulacin de canal P.

9. Adems de la zona adecuada para amplificar seales alternas, qu otras zonas encontra-
mos en las caractersticas I-V de un dispositivo FET?
CC-BY-SA PID_00170129 178 El transistor

a) Activa directa, corte y saturacin.

b) Lineal y saturacin.
c) Lineal, corte y ruptura.
d) Activa inversa, corte y activa directa.

10. La resistencia de entrada de un MOSFET (resistencia de puerta)...

a) tiende a infinito.
b) tiende a cero.
c) es imposible de pronosticar.
d) tiende a uno.

11. En el smbolo de la figura 118, los terminales 1, 2 y 3 se corresponden respectivamen-

te a...
a) emisor, base y colector.
b) puerta, drenador y fuente.
c) drenador, puerta y fuente.
d) fuente, puerta y drenador.

Figura 118

1 3

12. Para la polarizacin habitual de un JFET de canal N, se aplica...

a) vGS > 0 y vDS > 0.
b) vGS > 0 y vDS < 0.
c) vGS < 0 y vDS > 0.
d) vGS < 0 y vDS < 0.

13. Si se desea un amplificador con una resistencia de salida muy baja, la configuracin del
BJT debe ser...
a) base comn.
b) colector comn.
c) emisor comn.
d) Todas las respuestas anteriores son falsas.

14. La resistencia de salida de un circuito amplificador basado en un BJT en emisor comn

con los parmetros R1 = 8 k, R2 = 6 k, RE = 1 k, RC = 1,3 k, VCC = 12 V, = 180 y
vBE = 0,7 V, es...
a) R1 //R2 = 3,43 k.
b) RE //RC = 565,22 .
c) RC = 6 k.
d) R1 //R2 //RE //RC = 485,22 .

15. La ganancia en voltaje del amplificador en emisor comn basado en la red de polariza-
cin del problema 1 es...
a) 220,7.
b) 190.
c) 80,75.
d) 192,3.
CC-BY-SA PID_00170129 179 El transistor

Solucionario
1. b; 2. b; 3. c; 4. c; 5. d; 6. c; 7. a; 8. d; 9. c; 10. a; 11. c; 12. c; 13. b; 14. c; 15. d;

Glosario
F f Se lee alfa sub efe y representa el coeficiente de transferencia directa de electrones.

R f Se lee alfa sub erre y representa el coeficiente de transferencia inverso de electrones.

activa directa f Regin de funcionamiento de un BJT en la que la corriente de colector y

de emisor es proporcional a la corriente de base.

amplificador m Circuito que proporciona a su salida un valor de tensin o corriente supe-

rior al que hay en la entrada.

baja frecuencia f Regin de frecuencias de la seal de entrada cuya longitud de onda es

mucho ms grande que las dimensiones del circuito. Adems, tambin incluye las seales
constantes o de continua.

f La letra griega beta es la ganancia en corriente de un BJT.

bipuerta f Elemento circuital de cuatro terminales entre los que existe una relacin alge-
braica entre sus variables.

BJT m Siglas del transistor bipolar de unin, Bipolar Junction Transistor. Posee tres terminales,
base (B), emisor (E) y colector (C). En los BJT, la corriente de base controla la corriente que
circula por los otros dos terminales.

circuito de polarizacin m Circuito que permite configurar el modo de funcionamiento

de un transistor.

corriente de saturacin, IDsat f Corriente constante que aparece en los dispositivos FET
cuando el canal est estrangulado.

dispositivo de estado slido m Dispositivo construido enteramente de materiales sli-

dos donde los portadores de carga se encuentran completamente confinados en su interior.
Hoy por hoy, esta denominacin suena extraa, pero histricamente este trmino se ide
en contraposicin a las tecnologas electrnicas anteriores basadas en tubos de vaco o dis-
positivos de descarga de gases y a los dispositivos electromecnicos (como interruptores o
conmutadores) con partes mviles.

drenador, D m Terminal de los transistores FET. Es por donde salen los electrones que
circulan por el transistor en los FET de canal N y por donde salen los huecos en los de
canal P.

energa cintica f Energa que posee un objeto debido a su estado de movimiento. En

concreto, su valor depende de la velocidad y de la masa del objeto a travs de la ecuacin
Ec = 12 mv2 .

FET m Siglas del transistor de efecto de campo, Field effect transistor. Dispositivos de tres
terminales, drenador (D), puerta (G) y fuente(S). La tensin de puerta controla la corriente
que circula por los otros dos terminales.

fuente, S f Terminal de los transistores FET. Es por donde entran los electrones que circulan
por el transistor en los FET de canal N y por donde entran los huecos en los de canal P.

hueco m Partcula abstracta con carga positiva igual en valor absoluto a la de un electrn.

JFET m Siglas del transistor de efecto de campo de unin, Juction FET. La corriente a travs
del terminal de puerta se impide por medio de una unin PN polarizada en inversa.

MOSFET m Siglas del transistor de efecto de campo de metal-xido-semiconductor, metal-

oxide-semiconductor FET. La corriente a travs del terminal de puerta se impide por medio de
una fina capa aislante.

puerta, G f Terminal de los transistores FET. Es el terminal cuya tensin controla la corriente
que circula por el drenador y la fuente de los FET.

punto de trabajo, Q m Coleccin de variables que definen el comportamiento elctrico de

un transistor.
CC-BY-SA PID_00170129 180 El transistor

recombinacin f Proceso que tiene lugar dentro de los materiales semiconductores y por
el que electrones libres ocupan huecos y dejan de estar libres.

red cristalina f Asociacin de tomos fijos del material que forman una estructura peri-
dica en el espacio.

relacin de reciprocidad f Relacin entre los coeficientes de transferencia directo e in-

verso y las corrientes inversas de saturacin de los diodos del modelo de Ebers-Moll y viene
dada por la ecuacin F IES = R ICS = IS .

semiconductor en equilibrio m Situacin que alcanza un semiconductor cuando no

dispone de fuentes de tensin externas conectadas a l.

tensin umbral, vGSoff f Tensin a partir de la cual se produce el estrangulamiento de canal

en los transistores de tipo FET.

tensin umbral de un diodo f Es el valor de tensin a partir del cual empieza a circular
una corriente apreciable por el diodo. Se le denota por Vz .

topologa f Forma en la que los diferentes componentes de un circuito estn conectados

entre s.

kT
voltaje trmico m Est dado por VT = q
, donde T es la temperatura en kelvin, k es la
constante de Boltzmann de valor 1,381023 J/K y q es la carga del electrn en valor absoluto.

zona de corte f Regin de funcionamiento de los BJT y FET en la que no circula corriente
a travs del dispositivo.

zona de saturacin f Regin de funcionamiento de los BJT y FET.

zona hmica o lineal f Regin de funcionamiento de los transistores FET en la que la

relacin entre la corriente que circula por sus terminales y la tensin de drenador es propor-
cional.
CC-BY-SA PID_00170129 181 El transistor

Bibliografa
Casilari, E; Romero J. M.; De Trazenies, C. (2003). Transistores de efecto campo. Ediciones
de la Universidad de Mlaga (Serie Manuales).

Lpez, G; Garca J. M. (1993). Fsica de los dispositivos electrnicos. Imprenta Fareso.

Malik, N. R. (2000). Circuitos electrnicos. Madrid: Editorial Prentice Hall.

Prat, L; Calderer, J. (2003). Dispositivos electrnicos y fotnicos. Fundamentos. Edicions UPC.