MARCO TERICO-DESCRIPCIN

La miniturizacin es una propiedad fundamental en la industria de los

componentes utilizados en microondas, pues las ventajas que ofrecen los
circuitos integrados de pequeo tamao no se pueden materializar a menos
que el tamao de componentes se reduzca de forma anloga; adems el
comportamiento en frecuencias de microondas mejora muchsimo al usar estos
componentes. La realizacin de esta premisa es la aparicin de los
componentes cermicos CHIP, multicapas o monolticos. Trataremos de
exponer a travs de sus caractersticas y parmetros, un conocimiento que nos
permita el correcto uso de estos elementos, imprescindibles en circuitos de alta
frecuencia.

La ingeniera de microondas tiene que ver con todos aquellos dispositivos ,

componentes y sistemas que trabajen en el rango de frecuencial de 300 MHZ
a 300 GHz. Debido a tan amplio margen de frecuencias La ingeniera de
microondas/milimtricas tiene que ver con todos aqullos dispositivos,
componentes y sistemas que trabajen en el rango frecuencial de 300 MHz a
300 GHz. Debido a tan amplio margen de frecuencias, tales componentes
encuentran aplicacin en diversos sistemas de comunicacin. Ejemplo tpico es
un enlace de Radiocomunicaciones terrestre a 6 GHz en el cual detrs de las
antenas emisora y receptora, hay toda una circuitera capaz de generar,
distribuir, modular, amplificar, mezclar, filtrar y detectar la seal. Otros ejemplos
lo constituyen los sistemas de comunicacin por satlite, los sistemas radar y
los sistemas de comunicacin mviles, muy en boga en nuestros das.
La tecnologa de semiconductores, que proporciona dispositivos activos que
operan en el rango de las microondas, junto con la invencin de lneas de
transmisin planares; ha permitido la realizacin de tales funciones por circuitos
hbridos de microondas.

En estos circuitos, sobre un determinado sustrato se definen las lneas de

transmisin necesarias. Elementos pasivos (condensadores, resistencias) y
activos (transistores, diodos) son posteriormente incorporados al circuito
mediante el uso de pastas adhesivas y tcnicas de soldadura. De ah el
nombre de tecnologa hbrida de circuitos integrados (HMIC: "Hibrid Microwave
Integrated Circuit"). Recientemente, la tecnologa monoltica de circuitos de
microondas (MMIC), permite el diseo de circuitos/subsistemas capaces de
realizar, muchas de las funciones mencionadas anteriormente, en un slo
"chip". Por las ventajas que ofrece sta tecnologa, su aplicacin en el diseo
de amplificadores para receptores pticos, constituye un campo activo de
investigacin y desarrollo. Prueba de ello es el trabajo realizado con la
Universidad Politcnica de Madrid.

El diseo de circuitos de microondas en ambas tecnologas, ha exigido un

modelado preciso de los diferentes elementos que forman el circuito. De
especial importancia son los dispositivos activos (MESFET, HEMT, HBT); pues
conocer su comportamiento tanto en pequea seal como en gran seal
(rgimen no lineal), es imprescindible para poder predecir la respuesta de un
determinado circuito que haga uso de l. El anlisis, modelado y simulacin de
stos dispositivos, constituye otra de las reas de trabajo
Materiales en comunicaciones
La utilizacin de nuevos materiales con altas prestaciones es uno de los pilares
del avance espectacular de las tecnologas de la informacin y
comunicaciones. El desarrollo de aplicaciones basadas en sus propiedades
requiere un profundo conocimiento previo de stas. En particular, el
descubrimiento de superconductividad en xidos cermicos multimetlicos a
temperaturas superiores a 77 K (superconductores de alta temperatura, SAT)
puede permitir del desarrollo prctico de algunas aplicaciones de la
superconductividad econmicamente inviables con los superconductores
clsicos. Sin embargo, la gran complejidad de los SAT y su naturaleza granular
dificultan la puesta en marcha de aplicaciones de los mismos de forma
inmediata, a pesar del gran esfuerzo investigador que en este campo se est
realizando en los pases avanzados.

En concreto, en nuestro grupo se ha trabajado en la caracterizacin

experimental
y
modelado
fenomenolgico
de
las
propiedades
electromagnticas de superconductores de alta temperatura crtica, incidiendo
especialmente en las implicaciones de la granularidad, y en el desarrollo de
aplicaciones de los mismos en magnetometra y en cintas para el transporte de
corriente sin prdidas. Por otra parte, en relacin con las aplicaciones de la
superconductividad clsica, se ha trabajado en la implementacin en Espaa
de los patrones primarios de tensin (efecto Josephson) y resistencia (efecto
Hall cuntico), en colaboracin con grupos nacionales y extranjeros
especializados en metrologa elctrica bsica.
Por ltimo, tambin se ha colaborado con otros grupos de investigacin en la
caracterizacin electromagntica de materiales de inters tecnolgico, como
imanes permanentes o aceros estructurales

DISPOSITIVOS PASIVOS DE MICROONDAS

El diseo de circuitos de altas frecuencias puede realizarse con dispositivos
concentrados y con la teora convencional de circuitos y lneas de transmisin.,
tomando slo en consideracin los efectos de segundo orden en los
dispositivos, que se manifiestan cuando la longitud de onda es un poco mayor
que sus dimensiones. Esta forma de disear es particularmente aplicable en
frecuencias de RF con elementos discretos de circuito, o bien, en circuitos
monolticos de microondas.
Como ejemplo del comportamiento de segundo orden de los elementos de
circuitos a altas frecuencias, considrese una resistencia de carbn. En altas

frecuencias, este elemento de circuito puede presentar efectos relacionados

con aspectos de su fabricacin, como son calidad de soldado en las uniones
hmicas o el largo de sus terminales de conexin , efectos que son
representados como un capacitor en paralelo y una inductancia en serie ,
respectivamente.

Cuando la longitud de onda es del mismo orden de magnitud que los elementos
y dispositivos empleados (elementos distribuidos) , adems de tener una
distribucin de corriente no homognea sobre los elementos, puede
manifestarse uno o ms de los siguientes efectos electromagnticos.

RESONANCIA
DIFRACCIN
RADIACIN
REFLEXIN
ACOPLAMIENTO ELECTROMAGNTICO
Estos efectos pueden prevalecer sobre el fenmeno de conduccin que
predomina en b ajas frecuencias, en donde o nos apreciables o simplemente
son excluidos a fin de mantener la sencillez del modelo.

En el mismo sentido, cuando la frecuencia es muy alta, las caractersticas de

los materiales empleados en la construccin de los dispositivos toman mayor
relevancia. Por ejemplo: la homogeneidad del sustrato dielctrico en que es
construido el circuito, el proceso de fabricacin del conductor, o la geometra y
dimensiones de los conductores involucrados , el nivel y distribucin de
impurezas en dispositivos activos, etctera.

De esta manera en el diseo de circuitos de altas frecuencias hay una gran

cantidad de variables involucradas, y aunque esto introduce mayor
complejidad, tambin da lugar a una nueva gama de componentes de
microondas basados en distintas configuraciones de tramos de lnea de
transmisin.

Aprovechando la distribucin de la corriente sobre los conductores, se han

ideado una variedad de componentes de circuito para frecuencias de
microondas , como son: acopladores de impedancia, acopladores
direccionales, filtros e incluso antenas.

DISPOSITIVOS ACTIVOS DE MICROONDAS

LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS, SEAN DIODOS, TRANSISTORES O TUBOS,
SON USADOS EN CIRCUITOS DE MICROONDAS PARA REALIZAR
FUNCIONES DE AMPLIFICACIN, OSCILACIN ,DETECCIN,
MULTIPLICACIN DE FRECUENCIA, CONMUTACIN DE FRECUENCIA O
BIEN COMO FUENTES.

ESTOS DISPOSITIVOS ACTIVOS HAN TENIDO UN SORPRENDENTE

CRECIMIENTO, EN TANTO EN DIVERSIDAD DE TIPOS, COMO EN
DEMANDA COMERCIAL. PARA DISPOSITIVOS DE MEDIANA Y ALTA
POTENCIA, EL SILICIO ES USADO AN EN FRECUENCIAS DE HASTA
6GHZ ; SIN EMBARGO, PARA FRECUENCIAS MAYORES , LOS
DISPOSITIVOS SON DE ARSENIURO DE GALIO , FOSFURO DE INDIO U
OTROS SEMICONDUCTORES QUE PRESENTAN MAYORES
VELOCIDADES DE PORTADORES, AUNQUE UNA MENOR CAPACIDAD DE
MANEJO DE POTENCIA.

LA TECNOLOGA DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLTICOS DE

MICROONDAS HA PERMITIDO CREAR CHIPS DE SLO ALGUNOS
MILIMETROS DE LONGITUD , CON FUCIONES DE SUBSITEMAS
COMPLETOS, COMO MDULOS TRANS-RECEPTORES , SECCIONES DE
BAJO RUIDO , MODULADORES , MEZCLADORES, AMPLIFICADORES,ETC.

INTEGRACIN DE DISPOSITIVOS ACTIVOS Y PASIVOS: DISEO DE

CIRCUITOS DE ALTA FRECUENCIAS.
El diseo de circuitos de altas frecuencias, involucra adems de la teora de
elementos pasivos y activos, otros conceptos de importancia , como son el
acoplamiento de impedancia , mxima transferencia de potencia, ruido en
sistemas, y no linealidades de dispositivos. Tambin son usadas de manera
extensa algunas herramientas como las cartas de Smith y la teora de redes
multipuertos, en particular los parmetros de dispersin.
En altas frecuencias, los materiales empleados (por ejemplo sustratos
dielctricos) deben ser caracterizados para asegurar su buen comportamiento
a la frecuencia de operacin. Ciertas caractersticas como la constante
dielctrica, perdidas tangenciales, isotropicidad, conductividad elctrica, etc.
son de suma importancia. De la misma manera, las dimensiones de las
terminales de dispositivos activos, el empaquetado usado y hasta el proceso de
soldado, revisten mayor importancia que en circuitos de bajas frecuencias.

DISPOSITIVOS ACTIVOS LINEALES

Un amplificador es un dispositivo que es capaz de proporcionar la ganancia de
voltaje, corriente o potencia con un cierto rango de operacin. Los
amplificadores se encuentran en varias aplicaciones y distintas partes del
espectro de moderno de microondas , en sistemas de comunicacin,
instrumentacin , radar e instrumentos biomdicos. Los amplificadores de RF
son ampliamente utilizados en los sistemas de comunicacin y por lo general
de bajo nivel de ruido, amplio ancho de banda y la potencia media capacidad
de manejo. Los amplificadores utilizando transistores de microondas han
llegado a ser muy populares debido a su bajo costo, fiabilidad, robustez y
capacidad para ser integrados en circuitos integrados y monolticos hbridos.
Estos requisitos si bien son deseados, son a menudo contradictorios, por
ejemplo, robustez a los cambios de temperatura est en conflicto con la figura
de ruido. La eficiencia con la distorsin, la ganancia con la eficiencia. El
consumo de energa tiene a su vez un papel importante en el diseo, dadas las
restricciones requeridas en ciertas aplicaciones.
En las etapas prximas al receptor de un sistema de comunicacin, se
prefieren un amplificador de bajo nivel de ruido. El diseador del sistema de
comunicaciones debe cumplir con especificaciones que a menudo son
restrictivas en cuanto a la cantidad de ruido permitido en el

receptor. Por esta razn, transistores FET de RF so preferidos debido a su

inherente bajo ruido.
Por otro lado, un amplificador de potencia se utiliza en el transmisor, este suele
ser un
amplificador de alta ganancia en corriente, voltaje o ambos; estos
amplificadores suelen tener caractersticas variadas dependiendo de la
aplicacin.