Un semiconductor, como el Silicio o el Germanio son elementos qumicos que tienen
cuatro electrones en su ltima capa que forman enlaces covalentes muy estables. En
estado puro se denomina intrnseco y no suele tener aplicaciones electrnicas.
Se le aaden impurezas de forma controlada de elementos qumicos. Si se le aaden B,
Al, Ga, In o Tl entonces es un sc extrnseco de tipo P porque dichos elementos tienen
tres electrones en su ltima capa y por tanto dejan un hueco (falta de electrn).
Si se le aaden N, P, As, Sb o Bi entonces es de tipo N pues tienen cinco electrones en
su ltima rbita (uno de los electrones queda libre). En stos la conduccin elctrica
puede realizarse ms fcilmente o menos dependiendo de la concentracin de
electrones.
Diodos: Rectificador; LED; Varicap; Fotodiodo; Zner.
Un diodo es un cristal semiconductor al que se le han aadido impurezas tipo P en un
lado y tipo N al otro, por lo que tambin se le denomina unin NP.
En las proximidades de la unin algunos huecos han sido ocupados por los electrones
libres de la otra zona, por lo que se forma un potencial de unas pocas dcimas de Voltio.
Para que se establezca la corriente por el diodo es necesario polarizarlo directamente
(zona P con el positivo de la fuente y zona N con el negativo) y superar dicha barrera
de potencial (que est en torno a 0,6V.).
Si se polariza inversamente, la corriente no puede circular por el diodo a no ser que se
pase de un valor excesivo llamado tensin de ruptura, el cual provoca una gran
avalancha de electrones y el diodo se destruye.
Cuando el diodo conduce, la cada de tensin en sus terminales (llamados nodo zona
P- y ctodo zona N- se mantiene aproximadamente en 0,6 a 0,8V independientemente
del valor de la intensidad que circule por l.
Un LED es
en
la
un diodo emisor de luz. Se le ha aadido
el proceso de fabricacin otra sustancia como el arseniuro de Galio,
cual, al circular corriente, emite luz con diferente
longitud de onda, dependiendo de la concentracin.
Hay led de diferentes colores, incluso blanco y
de
diferente luminosidad, como los de alto brillo.
Tambin hay LED bicolor y tricolor. La cada
de
tensin tpica en un Led est en torno a los 2V.
Independientemente de la corriente que circule
por
l. Los LED necesitan unos 10 mA para
comenzar a lucir y soportan ms de 50 mA. Se
considera como valor nominal 20mA.
Hay varios tamaos estndar: los de 3 mm., los de 5mm y los de 10mm. Tambin hay
barras de LED, cuyos segmentos se van iluminando segn va aumentando el valor de la
tensin aplicada.
Transistores como Amplificador.
Los transistores tienen aplicacin en muchsimos circuitos, por lo general
son utilizados en procesos de amplificacin de seales y tambin en
circuitos de conmutacin a ellos le dedicaremos un lugar especial, Estos
componentes vienen en dos tipos, los NPN y los PNP.
Continuemos... veamos ahora estos dos transistores en modo amplificador...
.: Transistores NPN.
En este ejercicio puedes utilizar uno de los dos transistores que se indican
en la siguiente tabla, los dos son del tipo NPN con su respectiva disposicin
de terminales.
El circuito que analizaremos ser el
siguiente...
Cuando acciones S1 llegar una
cierta cantidad de corriente a la
base
del
transistor,
esta
controlar
la
cantidad
de
corriente que
pasa
del
Colector al Emisor, lo cual
puedes notar en el brillo de los
LED's. Este es el famoso
proceso de AMPLIFICACIN.
Como puedes imaginar, a
mayor corriente de base mayor
corriente de colector. Prueba cambiar R2.
.: Transistores PNP.
Aqu utilizaremos uno de los dos transistores que se encuentran en el
siguiente cuadro.
En estos transistores, para obtener el mismo efecto que el anterior, su base
deber ser ligeramente negativa. Observa que en este
esquema tanto los LED's como la fuente fueron invertidos.
Nuevamente la corriente de base controla la corriente de
colector para producir el efecto de AMPLIFICACIN.
Estars
pensando para
qu
lo
necesito si con el anterior me basta...?,
No es tan as. En muchos casos
necesitars hacer una amplificacin y
slo
tendrs
una
pequea
seal negativa. Para entonces, aqu
est la solucin.
Fuente de informacin: http://r-
luis.xbot.es/ebasica/eb06.html
TRANSISTORES EN CIRCUITOS DE CONMUTACIN
Muchas veces se presenta la difcil situacin de
manejar
corrientes o
tensiones ms
grandes que las
que entrega
un
circuito
digital, y entonces
nos
disponemos al uso de
transistores, el tema
es
hacer que estos
trabajen en
modo corte y
saturacin sin
estados
intermedios, es
decir que
cambien su estado de plena conduccin a un profundo corte, y eso es lo que
veremos en este pequeo tutorial.
Los transistores a utilizar en estos casos deben tener la suficiente ganancia
para que la onda cuadrada, aplicada en su entrada (Base), no sufra ninguna
deformacin en la salida (Colector o Emisor), o sea que conserve perfecta
simetra y sus flancos ascendente y descendente se mantengan bien
verticales.
La corriente mxima que puede circular de colector a emisor est limitada
por la tensin de polarizacin de Base y el Resistor o la carga del colector.
Polarizacin de un transistor NPN como Emisor Comn
En este caso el emisor est conectado a masa, se dice que este
terminal es comn a la seal de base y de colector. El utilizado en
este caso un BC547 y estos son algunos de sus datos:
Tensin Base-Colector (VCBO) = 12 V
Corriente de Colector (Ic) = 100mA = 0,1A
Cuando la base de Q1 se polariza positivamente, ste conduce la mxima
corriente,
que
le
permite
Rc.
Rc es la resistencia de carga, que bien podra ser un LED, un rel, etc.
Ic = E/R = 12V / 2200 = 0,0054 = 5,4 mA
Ib = E/R = 12V / 10000 = 0,0012 = 1,2 mA
Es decir la corriente total Colector-Emisor es 6,6mA.
Conexin como seguidor emisivo:
En esta situacin se toma la seal de salida desde el Emisor donde se
encuentra la Resistencia de carga, observa que este esquema
comparado al anterior tiene la misma fase de salida que la de
entrada.
Tambin hay casos en que
necesitas que el transistor
est conduciendo
permanentemente (estado de
saturacin) y que pase al
corte ante la presencia de un
pulso elctrico, esto sera lo
inverso de lo visto
anteriormente, para lograr esto, los circuitos anteriores quedan como
estn y slo se reemplazan los transistores por los complementarios,
o sea donde hay un NPN se conecta un PNP.
Cuando la seal es negativa
En ocasiones se da el caso en que las
seales lgicas recibidas son negativas o de
nivel bajo, para entonces se puede utilizar
un transistor PNP, por ejemplo: el BC557,
que es complementario del BC547, para
conseguir los mismos resultados. En la
siguiente
figura
se
representa
esta
condicin, es decir, un acoplamiento con
transistor PNP.
Anlisis para la conexin de un RELEVADOR
El diodo en paralelo con la bobina del rel cumple la funcin de absorber las
tensiones que se generan en todos los circuitos inductivos.
Si la bobina del rel tiene 50 ohm de resistencia y funciona a 12 V, puedes
calcular el consumo de corriente que tiene el rel, para as saber que
transistor utilizar:
Ic = E/R = 12V / 50 = 0,24 = 240 mA
Con este resultado no se puede utilizar el
BC547, cuya corriente mxima es de 100mA,
pero si lo puede hacer un BC337, es
conveniente no superar el 50% de la corriente
que entregan los transistores.
Ahora bien, si la seal que se aplique a la base
del transistor tiene la suficiente amplitud
(tensin) y suficiente intensidad (Amper), no
habr dificultad y la corriente de base tambin
ser suficiente para saturar el transistor, que conmutar en forma efectiva
el rel.
Montajes Darlington:
En esta conexin se utiliza un BC337 (NPN)
el cual si soporta los 240mA que se
necesitaba anteriormente, pero adems un
transistor de baja potencia como el BC547
(NPN).
En este tipo de montajes, hay que lograr
previamente una ganancia en corriente y
esta corriente aplicarla a la base del BC337,
esta es la finalidad del montaje en
Darlington.
En este circuito el Transistor BC337 es el que recibe la carga del rel y el
BC547 solamente soporta la corriente de base del BC337, adems la
ganancia se multiplica sin cargar la salida del componente que entrega la
seal, ya que ahora la corriente que drena el 547 es tomada de la misma
fuente y aplicada a la base del 337. De este modo la resistencia de base del
547 puede ser elevada ya que necesitamos una corriente mucho menor en
la misma.
En el siguiente grfico se describe cmo
lograr la conmutacin de un rel con
un transistor de salida NPN. Incluso
utilizando tensiones diferentes.
En esta situacin como vemos es
necesario agregar un transistor de baja
potencia, ya que la corriente que debe
manejar
es
la
de
base.
Con la entrada en "1": El BC547 conduce y enva a masa la base del
BC337 de este modo se mantiene el corte.
Con la entrada en "0": El 547 pasa al corte y su colector queda "abierto",
ahora s se polariza la base del 337 y conmutando el rel.
Otro caso de conmutacin con diferentes tensiones.
Suponiendo que el consumo de un rel sea 200mA.
Para los clculos de polarizacin siempre se debe tomar el menor
Beta-B-(hfe) que indiquen los manuales de los transistores, o sea que
si dice 100 a 300, tomamos 100. Veamos que corriente de base se
necesita de acuerdo a estos datos: Ib = Ic / Hfe = 200mA / 100 = 2mA
Donde:
Ib = Intensidad de Base (en mA)
Ic = Intensidad de Colector
Hfe = Ganancia
Ahora veamos qu valor de resistencia de base es necesario para lograr 2mA con una fuente
de 5V, que es la salida que entrega el separador del ejemplo
R = E / I = 5V / 0,002A = 2500 ohm (un valor normalizado es 2k2)
Fuente de informacin:
http://perso.wanadoo.es/luis_ju/edigital/qnpn_pnp.html
UNIDAD II SEMANA2 DESARROLLO DE LAS ACTIVIDADES
Competencia a desarrollar: 5. Desarrolla innovaciones y
propone soluciones a problemas a partir de mtodos
establecidos.
Atributo:
Sigue
instrucciones
y
procedimientos de manera reflexiva, comprendiendo como
cada uno de sus pasos contribuye al alcance de un objetivo.
El transistor bipolar (conocido universalmente con la simple denominacin
de transistor) es un elemento de circuito de tres terminales que puede
cumplir la funciones de amplificador (operacin lineal ) o llave (operacin
en la zona de corte y saturacin), La diferencia entre el transistor NPN y
PNP reside en el sentido de conduccin, simbolizado por la flecha
dibujada en el emisor. Por razones puramente convencionales se ha
adoptado el sentido de circulacin de la corriente desde los puntos del
circuito con polaridad positiva hacia los puntos de polaridad negativa. Por
lo expuesto, es evidente que las terminales de entrada del transistor
conducirn solamente cuando la polaridad de los potenciales aplicados
corresponda a la polaridad del diodo base-emisor
Actividades del alumno:
-Realizar la lectura del presente archivo, para realizar su introduccin del
reporte semanal
-Integrando equipos (3 integrantes), realizaran los ejercicios propuestos
calculando las resistencias, voltajes e interpretando las mediciones de
corriente en el transistor.
-Cada integrante de los equipos recopilara evidencias para enviar al
profesor en su desarrollo.
-Realizara una conclusin personal "lo que aprend" cada integrante, en 10
a 15 renglones
Enviara en formato electrnico la informacin,
[email protected]Unidad II, Semana 2, fecha de entrega.- 12 de Marzo de 2016
Evaluacin, ser acorde a la siguiente lista de cotejo:
Lista de cotejo
M
B
N
O
Portada con Datos personales, de la institucin y profesor
Realiza el circuito de Polarizacin de un transistor NPN
Muestra las mediciones de corriente del transistor NPN
Muestra el datasheet de los transistores utilizados
Realiza y muestra un circuito con un relevador
Inserta evidencias fotogrficas del circuito de polarizacin PNP
La introduccin es acorde a la lectura
Realiza los clculos para su transistor utilizado
El resumen personal "lo que aprend", contiene los 10 renglones
Utiliza el laboratorio virtual para demostrar los circuitos
Valor total de la calificacin =3.0 Puntos
