U.N.M.S.
M
FACULTAD DE ING. ELECTRNICA,
ELCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES
APELLIDOS Y NOMBRES
MATRICULA
CURSO
TEMA
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS
El Diodo Rectificador
INFORME
FECHAS
REALIZACIN
ENTREGA
25 DE JUNIO DEL
27 DE JUNIO
DEL
FINAL
NUMERO
NOTA
2016
2016
GRUPO
PROFESOR
ING. LUIS PARETTO
QUISPE
Luness de 8 am 10 am
EXPERIMENTO DE LABORATORIO N3
I.
TEMA: CARACTERSTICAS BSICAS DEL DIODO
SEMICONDUCTOR (SILICIO Y GERMANIO).
II.
OBJETIVOS:
1. Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.
III.
INTRODUCCION TEORCA:
DIODO
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una
nica direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V)
consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se
comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un
circuito cerrado con muy pequea resistencia elctrica. Debido a este
comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.
DIODO PN UNIN PN:
Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n,
por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que
ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal,
el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0). Al unir ambos
cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je).
Formacin de la zona de carga espacial
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de
la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusin, la zona
de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a
ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n
y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se
opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V 0) es de 0,7 V en el caso del silicio
y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal
que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no
est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por la letra A,
mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C.
A (p)
C (n)
Representacin simblica del diodo pn
Cuando se somete al diodo a una diferencia
de tensin externa, se dice que el diodo est
polarizado, pudiendo ser la polarizacin
directa o inversa.
POLARIZACIN DIRECTA:
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est
polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo
del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que
la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p,
los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre
de la zona n salta a la zona p
atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los
mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de
valencia. Una vez ocurrido esto
el electrn es atrado por el
polo positivo de la batera y se
desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p,
desde el cual se introduce en
el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica
constante hasta el final.
POLARIZACIN INVERSA:
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a
la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a
continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los
cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y
una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de
la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia,
con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de
silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al
efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a
ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A)
denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada
corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una
pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de
silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la
superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de
valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante,
al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es
despreciable.
CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO:
Tensin umbral, de codo o de partida
(V). La tensin umbral (tambin
llamada barrera de potencial) de
polarizacin directa coincide en valor
con la tensin de la zona de carga
espacial del diodo no polarizado. Al
polarizar directamente el diodo, la
barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la
nominal.
Corriente mxima (Imax). Es la intensidad de corriente mxima que puede
conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la
cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo
del mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is). Es la pequea corriente que se establece
al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco
debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de
10 en la temperatura.
Tensin de ruptura (Vr). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede
soportar antes de darse el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa
de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el
diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante
hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos
efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan
pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la
tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su
energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden
provocar su salto a la banda de conduccin
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E
puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el
diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser
grande, del orden de 3105 V/cm. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la
ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por
ambos efectos.
OTROS TIPOS DE DIODOS SEMICONDUCTORES:
Diodo avalancha
Diodo tnel
Fotodiodo
Diodo Varactor
Diodo Gunn
Diodo lser
Diodo LED
Diodo p-i-n
Diodo Schottky
Diodo Shockley
(diodo de cuatro
capas)
MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR
IV.
1. Una Fuente de Corriente Continua
Variable.
2. Un Multmetro digital.
Marca: Fluke
N de serie: 64680428
3. Un Miliampermetro y un Micro ampermetro.
Diodo Zener
Marca: Yokogawa
Modelo: 510B
Sensibilidad:
0.1
/V
Marca: Yokogawa
Modelo: 500B
Sensibilidad: (1/15) /V
4. Un Diodo Semiconductor de Si y uno de Ge.
Diodo
de
Diodo
5. Un Voltmetro de c.c.
Marca: Yokogawa
Modelo: 2011
N de serie: 84AA2174
Sensibilidad: 1000 /V
6. Resistencia de 100 .
7. Cables y conectores. (cocodrilo/banano)
silicio
de germanio
V.
PROCEDIMIENTO:
1. Usando el Ohmmetro, medir las
resistencias directa e inversa del
diodo.
Registrar los datos en la tabla
1.
2. Armar el circuito de la figura 1.
a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente
y el voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la tabla 2. (usar
miliampermetro)
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los
instrumentos, proceder como en a), registrando los datos en al tabla 3.
(usar micro ampermetro)
3. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de
Germanio. Registrar los datos en la tabla 4.
4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de Germanio, de manera similar
al paso 2, proceder a llenar las tablas 5 y 6.
VI.
DATOS OBTENIDOS:
TABLA 1(Si)
R
directa
()
542
R
invers
a()
>30M
TABLA 2:
Vc
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
1.
1.
2.
2.
Id(
0.
0.
0.
0.
1.
2.
5.
8.
Vd(
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
V
c
c
(
V
.)
0.
V
d
(
V
.)
I
d
(
TABLA 3:
2.
4.
6.
8.
2.
4.
7.
A
.)
TABLA 4 (Ge)
R directa
()
0.268
R
inversa(
)
20.5 K
TABLA 5:
Vc
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
2.
2.
Id(
0.
0.
0.
0.
1.
2.
5.
8.
Vd(
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
1.
TABLA 6:
3.
V
c
c
(
V
.)
V
d
(
V
.)
I
d
(
0.
1.
2.
4.
6.
0.
0.
1.
3.
5.
4.
5.
8.
A
.)
VII.
CUESTIONARIO FINAL
1. Construir el grafico Id = f (Vd) con los datos de las tablas 2 y 3. (Si.)
Calcular la resistencia dinmica del diodo.(Usar papel milimetrado)
rdn
Vdn Vd n1
I dn I d n1
Calculando la resistencia dinmica:
TABLA 2
Vc
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
1.
1.
2.
2.
Id(
0.
0.
0.
0.
1.
2.
5.
8.
Vd(
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
Primer caso:
0.717 0.706
20.0m 15.0m
rdn
rdn 2.2
rdn 8
rdn
rdn
0.706 0.695
15.0m 12.0m
rdn 3.7
rdn
Dcimo
caso:
Sptimo caso:
Tercer caso:
rdn
rdn
0.695 0.689
12.0m 10.0m
rdn 3
rdn
Cuarto caso:
Undcim
o caso:
0.689 0.683
10.0m 8.0m
rdn 3
rdn
rdn
0.614 0.572
1.6m 0.8m
rdn 52.5
Octavo caso:
0.540 0.510
0.4m 0.2m
rdn 150
0.632 0.614
2.5m 1.6m
rdn 20
0.659 0.632
5.0m 2.5m
rdn 10.8
0.572 0.540
0.8m 0.4m
rdn 80
Sexto caso:
Segundo caso:
rdn
0.683 0.659
8.0m 5.0m
rdn
Noveno
caso:
0.510 0.479
0.2m 0.1m
rdn 310
Quinto caso:
V
c
c
(
V
.)
V
d
(
V
.)
0.
TABLA 3:
2.
4.
6.
8.
2.
4.
7.
I
d
(
A
.)
Primer caso:
rdn
25.22 18.97
00
Segundo caso:
rdn
18.97 15.35
00
rdn
15.35 13.03
00
rdn
10.33 7.64
00
4.98 2.366
00
rdn
Octavo caso:
rdn
Quinto caso
rdn
Sptimo caso:
13.03 10.33
00
rdn
rdn
rdn
Cuarto caso:
rdn
7.64 4.98
00
rdn
Sexto caso:
rdn
Tercer caso:
rdn
rdn
rdn
2.366 0
0 0u
2. Construir el grafico Id = f (Vd) con los datos de las tablas 5 y 6. (Ge.)
Calcular la resistencia dinmica del diodo. (Usar papel milimetrado)
rdn
Vdn Vd n1
I dn I d n1
Calculando la resistencia dinmica:
TABLA 5:
Vc
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
2.
2.
Id(
0.
0.
0.
0.
1.
2.
5.
8.
Vd(
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
1.
Primer caso:
rdn
1.455 1.237
20.0m 15.0m
rdn 43.6
rdn
1.237 1.081
15.0m 12.0m
rdn 52
Tercer caso:
Cuarto caso:
rdn
rdn
0.970 0.855
10.0m 8.0m
rdn 57.5
Segundo caso:
1.081 0.970
12.0m 10.0m
rdn 55.5
Quinto caso:
3.
rdn
0.855 0.679
8.0m 5.0m
rdn 56.67
rdn
0.679 0.478
5.0m 2.5m
rdn 80.4
rdn
Undcimo
caso:
rdn
Noveno caso:
Sptimo caso:
rdn
0.189 0.151
0.2m 0.1m
rdn 380
0.478 0.403
2.5m 1.6m
rdn 83.3
0.244 0.189
0.4m 0.2m
rdn 275
0.403 0..311
1.6m 0.8m
rdn 143.75
Sexto caso:
rdn
Dcimo caso:
Octavo caso:
rdn
0.311 0.244
0.8m 0.4m
rdn 125
V
c
c
(
V
.)
V
d
(
V
.)
I
d
(
A
.)
TABLA 6:
0.
1.
2.
4.
6.
0.
0.
1.
3.
5.
4.
5.
8.
Primer caso:
rdn
19.69 17.76
13.5u 12u
rdn 1286.67K
Sexto caso:
rdn
Segundo caso:
rdn
17.76 14.80
12u 10u
rdn 1480 K
rdn
rdn
Quinto caso:
9.87 7.91
7.56u 6.58u
rdn 2 M
Noveno caso:
1.962 0.969
4.5u 4u
rdn 1.986M
Dcimo caso:
rdn
3.95 1.962
5.4u 4.5u
rdn 2.09M
rdn
rdn
rdn 2.18M
Octavo caso:
11.86 9.87
8.5u 7.56u
5.91 3.95
6u 5.4u
rdn 3.267 MK
rdn
Cuarto caso:
14.80 11.86
10u 8.5u
rdn 1960 K
Sptimo caso:
Tercer caso:
rdn 3.45M
rdn
7.91 5.91
6.58u 6u
0.969 0.009
4u 0u
rdn 240 K
3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.
Para ambos casos (diodo de silicio y diodo de germanio) se dan dos
situaciones cuando se encuentran polarizados directamente e inversamente.
Cuando se encuentran polarizados inversamente la resistencia
dinmica es grande por lo que se comportara como un circuito abierto
impidiendo el paso de la corriente.
Cuando se encuentran polarizados directamente la resistencia dinmica
es pequea por lo que se comportara como un circuito cerrado dejando
que fluya la corriente.
4. Explicar los controles de operacin de la fuente DC utilizada.
Controles de la fuente dc:
1. Controles para Voltaje:
Control grueso: Sirve para aumentar o disminuir la cantidad de voltaje de salida
de la fuente de poder en una mayor escala que la del control fino. Tiene un rango
de variacin de 0 a 30 V
Control fino: Sirve para aumentar o disminuir la cantidad de voltaje de salida de
la fuente de poder en una escala pequea, que permite ajustar valores ms
exactos de voltaje que no se pueden obtener con el control grueso.
2. Controles para Corriente:
Control grueso: Sirve para aumentar o disminuir la cantidad de corriente
elctrica de salida de la fuente de poder a una escala de Amperios. Este control
no ha sido empelado por ahora en los experimentos anteriores del laboratorio.
VIII.
CONCLUSIONES:
Para realizar estos circuitos siempre debe de quedar muy claro que siempre se
va a trabajar con diodos reales as que no siempre se debe esperar los
resultados tericos.
Tal como se esperaba, el los diodos actuaron tal como lo aprendido
tericamente: Conduciendo en polarizacin directa y abriendo el circuito en
polarizacin inversa.
Un diodo impedir la conduccin de corriente cuando se encuentre polarizado
inversamente. Se comportara como un circuito abierto.
Un diodo permitir la conduccin de corriente cuando se encuentra polarizado
directamente. Se comportara como un circuito cerrado.
IX.
BIBLIOGRAFA:
Gua
para
mediciones
electrnicas
prcticas
de
laboratorio.
Stanley Wolf y Richard Smith.
http://www.unicrom.com
Millman J., Halkias Ch.C. Dispositivos y Circuitos Electrnicos. 5ta edicin. Mc.
Graw Hill, 1983.
http://es.wikipedia.org
Lob U. Funcionamiento del diodo semiconductor ep 14. Marcombo Boixareu
Editores, 1987.
Boylestad R., Nashelky L. Electrnica teora de Circuitos, Prentice Hall
int.1992.
