INGENIERIA ELECTRICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
CAP V:
TRANSISTORES DE UNION
BIPOLAR (BJT)
5.1 INTRODUCCION
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de
estado slido de tres terminales, ncleo de circuitos de
conmutacin y procesado de seal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo ms
empleado en electrnica, a la vez que se han ido
incrementando sus capacidades de manejar potencias
y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe
desgaste por partes mviles).
Los transistores son dispositivos
caractersticas altamente no lineales.
activos
con
5.1 INTRODUCCION
Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya
resistencia interna puede variar en funcin de la seal
de entrada.
Esta variacin de resistencia provoca que sea capaz
de regular la corriente que circula por el circuito al que
est conectado. (Transfer Resistor).
Dispositivo semiconductor que permite el control y
la regulacin de una corriente grande mediante una
seal muy pequea.
5.2 CONSTITUCION INTERNA
DE UN BJT
Es
un
dispositivo
de
tres
terminales, equivalente a dos
diodos PN unidos en sentido
opuesto.(Emisor, Base y Colector)
En funcin de la situacin de las
uniones, existen dos tipos: NPN y
PNP.
La unin correspondiente a la
Base-Emisor, se polariza en
directa; y la Base-Colector en
inversa. As, por la unin BaseColector circula una corriente
inversa.
5.2 CONSTITUCION INTERNA
DE UN BJT
Son componentes que se utilizan principalmente:
Para amplificar seales.
Como interruptores controlados.
Un tipo de transistores muy utilizado son los bipolares(BJT).
Transistores bipolares hay de dos clases:
Tipo PNP.
Tipo NPN.
5.2 CONSTITUCION INTERNA
DE UN BJT
5.2 CONSTITUCION INTERNA
DE UN BJT
Terminales del transistor NPN
Emisor: es el terminal por el cual salen
los portadores de carga.
Base: es el terminal que regula el paso
de corriente elctrica a travs del
transistor.
Colector: es el terminal por donde
entran los portadores de carga.
5.3 ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO
5.3 ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO
Corte: la intensidad en la base
es 0A por lo tanto no circula
corriente entre el colector y el
emisor. Ic 0A. Ie 0A.
Se puede entender como si
estuviera cerrado el grifo de
electrones entre el colector y
el emisor
colector
emisor
base
5.3 ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO
Zona activa: el transistor se
utiliza para amplificar seales
de baja potencia.
Ic = Ib.
Ie = Ib + Ic
Ahora hay corriente entre el
colector y el emisor.
Se puede entender como si estuviera
abierto el grifo de electrones entre el
colector
y el emisor y cuanto ms se abriera
el grifo por la corriente de la base
ms corriente saldra por el emisor.
5.3 ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO
Zona saturacin: ahora por mucha
intensidad que entre por la base, por el
emisor sigue pasando prcticamente lo
mismo y en el colector igual.
Ic Ib.
Ie = Ib + Ic
Hay corriente entre el colector y el
emisor pero no es un valor amplificado
de la corriente de base.
colector
Se puede entender como si estuviera
abierto al mximo el grifo de electrones
entre el colector y el emisor .
emisor
base
5.3 ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO
Valores del transistor en los distintos
estados de funcionamiento
Corte
Zona directa
Saturacin
Ic
Vbe
Vce
0A
< 0,7 v
Vcc = Vpila
Ic = Ib
Ic Ib
0,7 v
> 0,7 v
VccVce0,2v
0,2 v
5.3 ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO
5.4 CONFIGURACION BJT
Aunque el transistor posea nicamente
tres terminales, se puede realizar su
estudio como un cuadripolo (dos
terminales de entrada y dos de salida) si
uno de sus terminales es comn a la
entrada y salida:
Base Comn.
Emisor Comn.
Colector Comn
Base comn (BC): Aicc=1; Re pequea; Rs muy grande.
Colector comn (CC): Aicc elevada; Re muy grande; Rs muy pequea.
Emisor comn (EC): Aicc elevada; Re pequea; Rs grande.
El montaje EC se aproxima ms al amplificador de corriente ideal.
El montaje BC permite adaptar una fuente de baja resistencia que
ataca a una carga de alta resistencia.
El montaje CC adapta una fuente de alta resistencia de salida a una
carga de bajo valor.
5.5 FUNCIONAMIENTO BASICO BJT
(NPN)
En el montaje EC de la figura, se polariza directamente la unin
Base-Emisor; e inversamente la unin Base-Colector.
Se polariza el BJT si Vbe aprox. 0.7 voltios (polarizacin directa),
y Vce>Vbe (unin base-colector en inversa).
La corriente de emisor es aquella que pasa por la unin baseemisor polarizada en directa y depende de Vbe al igual que en un
diodo pn.
5.5 FUNCIONAMIENTO BASICO BJT
(NPN)
5.6 ECUACIONES DEL DISPOSITIVO
5.6 ECUACIONES DEL DISPOSITIVO
Para una tensin base emisor superior a unas dcimas de voltio,
la exponencial hace despreciable la unidad del interior del
parntesis.
Sustituyendo la intensidad de colector utilizando las dos primeras
ecuaciones:
5.7 CONFIGURACION DEL BJT EN EMISOR COMUN
CURVAS CARACTERISTICAS BASICAS
El presente circuito permite obtener las curvas de entrada (Vbe vs. Ib)
y de salidad (Ic vs. Vce) del BJT en EC.
Se observa que la caracterstica de entrada, es similar a la del diodo.
As, tambin disminuir Vbe con la temperatura a razn de 2mV/K.
Las curvas caractersticas de salida muestran la corriente de colector
independiente de la Vce, si es mayor de 0,2 v.
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5.7 CONFIGURACION DEL BJT EN EMISOR COMUN
CURVAS CARACTERISTICAS BASICAS
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5.8 DEFINCION DE LOS MODOS DE TRABAJO DEL
TRANSTOR (BJT)
Segn la polarizacin de cada unin, se obtendr un modo de trabajo
diferente, segn la tabla.
En la regin Activa - directa, el BJT se comporta como una fuente
controlada. (Amplificacin)
En el modo Corte nicamente circulan las corrientes inversas de
saturacin de las uniones. Es casi un interruptor abierto.
En Saturacin, la tensin a travs de la unin de colector es pequea,
y se puede asemejar a un interruptor cerrado.
Activo inverso, no tiene utilidad en amplificacin.
POLARIZACIONDELAUNION
EMISOR-BASE
COLECTORBASE
Activo-Directo
Directa
Inversa
Corte
Inversa
Inversa
Saturacin
Directa
Directa
Activo-Inverso
Inversa
Directa
MODO
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DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
CAP V:
TRANSISTORES DE UNION
BIPOLAR (BJT)
(2da Parte)
CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT
El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas.
Podemos tener una zona de material tipo n en medio de
dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina
transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas
tipo n a cada lado, en cuyo caso estaramos hablando de
un transistor npn.
Estructura del transistor BJT.
SIMBOLOS Y CONVENIO DE SIGNOS
En la figura aparecen los smbolos que se utilizan
para la representacin del transistor de unin
bipolar. Para las corrientes se han representado los
sentidos reales de circulacin de las mismas.
SIMBOLOS Y CONVENIO DE SIGNOS
COMPONENTES DE LA CORRIENTE DEL TRANSISTOR
POLARIZACION DEL TRANSISTOR ZONA ACTIVA
POLARIZACION DEL TRANSISTOR ZONA ACTIVA
POLARIZACION DEL TRANSISTOR ZONA ACTIVA
POLARIZACION DEL TRANSISTOR ZONA ACTIVA
REGIONES DE FUNCIONAMIENTO Y
MODELOS EQUIVALENTES
REGIONES DE FUNCIONAMIENTO Y
MODELOS EQUIVALENTES
REGIONES DE FUNCIONAMIENTO Y
MODELOS EQUIVALENTES
PUNTO DE FUNCIONAMIENTO TRANSISTOR
PUNTO DE FUNCIONAMIENTO TRANSISTOR
PUNTO DE FUNCIONAMIENTO TRANSISTOR
POLARIZACION DEL TRANSISTOR
La polarizacin del transistor consiste en aplicar las
tensiones adecuadas a las uniones de emisor-base y
colector-base que permitan situar al transistor en la regin
de funcionamiento adecuada a la aplicacin que se
persigue, en ausencia de la seal de entrada.
Si la aplicacin que se persigue es la utilizacin del
transistor como amplificador, situaremos el punto de
trabajo en aquella zona dnde tenga un comportamiento
ms o menos lineal. Como ya se ha visto en la curva de
puntos caractersticos del transistor, este comportamiento
se puede apreciar en la zona activa.
POLARIZACION DEL TRANSISTOR
La polarizacin del transistor se logra a travs de los
circuitos de polarizacin que fijan sus corrientes y
tensiones. En la figuras se muestran los circuitos de
polarizacin ms tpicos basados en resistencias y fuentes
de alimentacin.
La eleccin de un circuito u otro depender de la
aplicacin y del grado de estabilidad que se desea del
punto de polarizacin.
POLARIZACION DEL TRANSISTOR
POLARIZACION DEL TRANSISTOR
POLARIZACION DEL TRANSISTOR
Circuito de polarizacin de base (polarizacin fija)
Como punto de partida en el anlisis de la estabilidad del
punto de polarizacin segn el circuito de polarizacin
seleccionado, nos fijaremos en el circuito de polarizacin
fija.
circuito la malla de entrada:
Planteando la expresin de la malla de
salida:
POLARIZACION DEL TRANSISTOR
Circuito de polarizacin de base (polarizacin fija)
las curvas caractersticas del transistor en la configuracin en emisor
comn obtenemos la recta de carga esttica de dicho circuito
Dependencia con
POLARIZACION DEL TRANSISTOR
Circuito de polarizacin de base (polarizacin fija)
Dnde podemos confirmar la dependencia directa de la corriente IC
con la del transistor.
EL ENCAPSULADO DEL TRANSISTOR
DATOS DEL FABRICANTE
DATOS DEL FABRICANTE
IDENTIFICACION DE LOS TRANSISTORES
IDENTIFICACION DE LOS TRANSISTORES
CONCLUSIONES EN LOS TRANSISTORES
Fin del Capitulo
Hasta la prxima clase ..
