MICROELECTRONICA

Los continuos avences tee oot -

gicos en el campo de la ~ectrni

ca obligan a una reviSH)n continua
de 10$ tex tos publicados sobre el

tema, en especial si, como en este

caso, se trata de una obra eminen-

te mente didctica.
El pl"esligio del profesor Mili
man, avalado por sus muchos
aos de docencia en la Universidad de Columbia y por sus trabajos de investigacin en el Instituto
Tecnol6gico de Ma ssachusetts,
ha convertido su M!Croe!ect rOfllca
en una obra bsica para 1'J en seanza de la ingenieria elctrica 'i
computadoras.
Su trabajo en colaboracin con

el prolesot" Arvin Grabe' -el!

alu mno del proPio M ill man - ha
sido revisado y actualizado, incorporando las ms recientes innova-

ciones tecnolg ica s , con lo que el

li bro se ha convertido en una herramienta de primer orden pa ra
Jos estudiantes de electrnica.
La obra se ha distribuido en cin co pa rtes, inicindose con el estud io de los c ircuitos integrados
(di spositivo s semicond uc tores),
par a cont inuar con los ci rc uitos y
sis te mas d igi ta les, emcneece'res, de rec ogida de dato s y proce'sa rmentc de la seal, pa ra acabar
'co n los ci rc ui tos y siste mas de pot enc ia.
I En su plan t eamiento, bu sc ando
la m xima facilidad pedag6gica,
'se ha procurado que, sin perder la
Ic ont inuidad , se pu ed an aisla r
'u no s ca pitulos de ot ros, de m odo
'q ue permite seleccio na r temas
'espec sc os para d is t intos c ursos.
I En rea lida d, el t ext o co ntie ne
suf ic ient e m aterial para do s o tr es
cursos d e di spositivos, c irc uitos y
:sist em as electr6 nicos. El objeto
de este libro es co nducir al lect or.
i-P! SO a paso , desde un concct-

MICROELECTRONICA

BIBLIOTECA TECNICA

MICROELECTRONICA
Jaeob Millman, Ph. D.
Profesor Cha rles Bat ch elor . Emerilus
de la Co lumbia Universil y

Arvin Grabel, Se. D.

Profesor de Ingeniera El ectrnica e lntorm uca
de la Northea etem Unive rsily

Sexta edicin
totalmente actualizada

EDITORIAL HISPANO EUROPEA, S. A.

BARCELONA(ESPANA)

Coleccin dirIgida por Alfonso En seat Bad las ,

Docto r Ingeniero Industrial, Profesor de la E. T. S. l. l. B.,
Departamento de Inge nierla Elctrica
de la Universidad Politcnica de Barcelona

l ilulo de la edici6rl o rigina l: Mlcr oe tectronlcs.

<O de la trad uccin: Enr ie Belza I Vall s. Ingeniero Industrial, ex Profesor Encargado de Curso de la E. T. S. 1. 1. de Barcelona.
Es propied ad, 199 3
McGraw-HilI , lnc.

el de la edicin en castellano: Ed itor ial Hi sp ano Eur o pea, S. A . 8 0(i

1 rcotesta, 6-8. 08021 Barcelona (Espaa).
Quedan rigurosamen le prohibidas, sin la autorizacin escrita de los Iitulares del _Copyright .., bajo las sanciones establecidas en las l eyes.
la reproduccin total o parcial de esta obra por euakJJier med io o procedimiento, corJll renddos la reprog ral1a y al tratamie nto informtiCO, y
la dist ribucin de ejefl'l)lares de ella mediante alqui ler o prstamo pU..
blieos, asl como la alC portacin o importacin de esos ejemplares para
su dstribucin en venta fuera del mbito de la [Link] ECOfI6rnica
Europea.

Depslo Legal : B.1n OO-l99 3.

ISBN: 84- 255-0865- 1.
1," reimpresin: Junio 1993

lJ,l PEFIGfW', S . L Carrer del RiJ, 17 (Nau 3) 082 91 Ripollet

Indice

Sobre 1111 lut()f~

,.

Prelacio

21

Prlogo. Bren' hisloria de la eleclr ni(,1t

25

Antecedentes
La era deltubo de vado

25
2.
2.
27
27
27

11 . Fuerzas, campos y energa

- Parl fcul cargadas
- Intensidad de campo

- Potencial
- Concepto de barrera de energa poten cial

- Descubrimiento de los tubos de vecrc .

- Aplicaciones iniciales

- Ind ustrias electrnicas

-

Componc nles .
Comunicaciones
Computadores (clculo)
Controles

28
28

29

- A nl isis y teora

30

La era del transistor

30

- Descu brimiento del transistor de unin bipo-

lar ,
- Invencin del circuito integrado
- Microelectrnica
- Tr ansistor de efecto campo
- Circuitos integrados digitales
- Circ uitos anal gicos .
- T cnicas de fabricacin

31
31
32
33
33
34
34

- Ind ustrias de la comunicacin y control

- La industria del clculo .

35
35

El futuro

3.

12 . La conduccin en los metales

- Densidad de corriente .
- Conductividad

1 3. El semiconductor intrnseco .
- El hueco
- Co nduccin en semiconductores in

trfnsecos
1.4. Semiconductores extrnsecos .
- Semicond uctores tipo n
- Semiconductores de tipo p
- Ley de accin de masas
- Concen tracin de portadores
- G e neraci n y recombinaciR de cal-

." .

1.5. Variaciones en las propi edades del silicio

- Co ncentracin intrnseca
- Movilidad
- Co nductividad

1-6. Difusin

PRIMERA PARTE

- Relacin de Einstein
- Corrie nte lolal .

41
41
42
42
44
44
4.
47
48
48
50

51
52
52

53
53
55
55
55
5.
5.
5.
57
57

1.7. Scmiconductor cs grad uad os .

- Ley de accin de masas
- Un in abrupta en circu ito abierto

58
5.
5.

Referencias
Tem as de rep aso

60
60

Oi5positints Semironductol'ft

l.

~I('On ductores

41

Indlce

2. El diodo de unin

61 3. Tr ansislores de unin bipolares (BJT)

2-1. La unin en un circuito abierto

- Regin de la carga espa cial

61
61

2-2. La unin pn polarizada

- Uni n pn con polarizacin directa
- Unin pn con polarizacin inversa
- Contactos hmicos
- La unin pn en cortocircuito y en circulto abierto
- Grandes tensiones directas

63
64
64
64

2-3 . Caracrerlstlcas tensin-intensidad

2-4. Dependencia de la caracterstica VII
con la temperatura
2-5. Diodos de germanio
2-6. El diodo como elemento de un circuito
- El diodo ideal
- Concepto de recta de carga

65

65
65

68

69
69
69
70

2-7. Modelos de gran seal

- Anli sis de circuitos dc diod os utilizando el modelo de gran seal

71

2-8. Aplicaciones elementales de los diodo s

- Rectificadores
- Circuit os cortadores y fijadores

75
75
76

2-9. Modelos de diodo s de pequea seal

- Capacidad de difusin.
- Capacidad de transicin

80
83
84

2-10. T iempos de conmutacin del diodo de

unin .
2- 11. Diodos Zener
- Multiplicacin dc avalancha .
- Ruptura Zener
- Mode los de diodo Zc ner
- Un regulador Zener
- Caracteristicas de temperatura
2-12. Diodos de barr era Schottky
2- 13. Diodo de unin en escaln .
- Capacidad de deplexin .
- Expresin analtica de la concentracin de portadores minoritarios .
- Descrip cin del control de carga de
un diodo
- Capacidad de difusin
Referencia s
Temas de repa se

72

84
86
86
86

87
87

3-1. La fuente ideal de corriente controlada

3-2 . El transistor de unin
- Comportamiento fsico de un transislar bipolar

97
100

3-3 . Representacin Bbers-Moll de BIT .

- Ganancia de corriente con gran seal
- Modos de trabajo del transistor
- Concentracin de portado res minoritarios

104
105
106

3-4. Caractersticas en base comn

- Caractersticas de salida
- Caractersticas de entrada .
- Efecto Early o modu lacin del ancho
de la base

109
109
111

3~5 .

Configuracin en emisor comn (CE) .

- Las caractersticas de salida
- Las caractersticas de entrada .
- El modo activo inverso

112
112
115
115

3-6. Corte y saturacin

- Corte
- Corte en el transistor invertido
- La regin de saturacin en emisor
comn
- Resumen de tensiones en un BIT

116
116

3-7. Modelos de continua .

3-8. El transistor de unin bipolar como interruptor
- Velocidad de con mutacin del BIT

11 9

89
89
91
93
94
94
95

102

108

111

117
117

119

126
128

3-9. El transistor de unin bipolar como amplificador

- Notacin

129

3-10. Model o BJT para pequea seal

- Modelo de baja frecuencia

132
133

3- 11. El BJT como diodo .

3-} 2. El par de emisor acop lado
3-13. Limitaciones en [os transistores
- Corriente de colector mxima
- Mxima disipacin de potencia
- Mxima tensin de salida
- Perfo racin
- Mxima tensi n nom inal de entrada

138
140
142
142
142
143
143
144

Refe rencias
Temas de repaso

145
145

88

88

97

131

ndice
4.

Trall ~i~lore~

de erecto campo .

4- 1. La fuent e ideal de corriente con tensin

regulada
4- 2. T ransistores de unin de efccto campo
- Funcio namiento del J';ET
4- 3. Caracte rstica te nsi n-corriente de un
JFET
- La regin hmica .
- La regi n de saturacin o de estrecin
- Ruptura
- Co rte
4- 4. Caracterstica de tran sferencia del JF ET
4-5. El MESFET
4-6 . El MOSFET de acumu lacin
- Estructur a del MO S de acumu lacin
- Co mportamie nto fsico del MOSFET
de acumu lacin

147

147
149
150

15 1
152
153
154
154
154
1S5
155
156
157

4- 7. Caractersticas tensin -corri ent e de un

MOSFET de acumu lacin
- Expr esiones a nalfticas dc las curactcrtsticas tensin -co rrient e
- Regin hmica .
- Regi n de saturaci n
- Caractersticas del MO SFET de acumulaci n de ca nal p
- Co mparacin
ent re
transistores
PMOS y NMOS

16 1

4-8. El MO SFETde dople xin

4-9. Smbo los de los circuitos MOSFET .
4-10 . Anlisis en continua de los FET
- Recta de polarizaci n

16 1
162
163
163

4- 11 .
4- 12.
4-1 3.
4- 14.

166
168

El MOSFET como resis tencia

El FET co mo interru ptor
El FET como ampli ficador .
Model os FET de pequea se al
- El modelo de baja frecuencia
~ Modelo de a lta frecue ncia

157

157
157
15X
160

172

173
174
178

4- 15. Dispositivos CMOS .

178

Referencias
Temas de repaso

180
18 1

S. Fabricaci n de circuitos illle:rlldos

183

5- 1. Tecnologa de los circuitos integrado s

monolticos [microelectrnica]
5-2. El proceso planar.
- Crecimiento del crista l del sustrato
- Crecimiento c pitaxial
~ Oxidacin
- Fotolitografa
- Difusi n
- Implantaci n de io nes .
- Metalizacin

184
186
186
187
187
188
189
190
19 1

5-3 . Fab ricacin de tra nsistores bipolares

- Fabricacin de tra nsisto res
- Ca pa e nte rrada
- Fabri cacin del pnp
- Tr ansistores de emisor mltiple
- Elnansistor Scho ttky
~ Transistores supcr -B

19 1
19 1
193
193
195
195
196

5-4. Fabricacin del FET

- Fa bric aci n del NMOS de acumulaci n
- Autoaislamie nto
- Transistores NM OS de dep lcxi n
- Largo y ancho de puerta
- Fabricacin de JF ET

197
197
197
198
198
199

5-5 . Tec nologa CMOS

5-6. Diod os monolt icos
- Caracte rsticas del diud o

200
200
202

5-7 . Co ntacto metal-semiconductor

5-8. Resistencias integradas
- Resisten cia pelicular
- Resiste ncias difundidas
- Resisten cias de iones imp lantad os
- Resiste ncias epitaxialc s
- Resiste ncias de cstriccin
- Resistencias MO S
- Resiste ncias de pelcula delgada

202
20 2
203
203
204
205
205
206
206

5-9. Cond ensadores integra dos

- Co nde nsado res de unin
- Conde nsado res MO S y dc pelcula
delgad a

207
207

5- 10. Emp acado de circuitos integrados .

5- 11. Ca racter sticas de los co mponentes integrados
5- 12. Disposicin de los circuitos microelectrnico s
- Circuitos bipolares

208

207

209
209
210

lndl"
- Circuitos MOS

- Cruces .
- Trazado con comp utador

Referencias .
Temas de repaso

210
210
211
211
211

SEGUNDA PARTE
Circuitos y sislemas
digitales

6. Circui los 16gh:os bs icos (digitales)

215

215
217
Sistemaslgicos
218
La puerta DR
218
La puert a AND
220
Puerta NOT (inversora)
221
Funcin de inhibicin (y habilitacin) 222

61. El sistema binario

6-2 . Algebra de Boo le .

6 3. Puertas OR-exc1usiva, NANO y NOR

- Puerta Og-exdusva
- Leyes de Morgan
- La puerta NAND
- La puerta NOR

222
222
224
226
226

6-4. Caracterfsticas de las puertas lgicas

227
228

- El inversor ideal
- Caracterstica de transfe rencia del inversar real
- Margen de ruido
- Fan-out (salida en abanico)
-Fan-in .
- Disipacin de po tencia
- Velocidad de actuacin

- La puerta transmisin .

- Familias lgicas eMOS

6-10. El inversor BIT .

- Inversor de transistor Sehottky

247
248

6-1 1. La puerta 1TL NAND .

- Actuaci n de l transistor de entrada
- Tiempo de almacenamiento bajo
- Diodos de enganche de entrada

248
250
251
251

6-12. EtapasdesalidaTIL

252
252
254
254

- La etapa en ttem
- Salida de t res estados
- La caracterstica de transferencia
6-13. Familiaslgicas1TL
6- 14. Circuitos lgicos de emisor acoplado

acoplado (ECL)
- La tensin de referencia VII
- La caracterstica de trans ferencia
- Mrgenes de ruido
- La caracterstica NOR
- La etapa de salida
- Topologa ECL OR/NOR
- Disipacin de potencia
- Nmero de salidas (fan-out)
- Familias ECL .

257
258
259
262
262
262
263
263
264
264

6-15 . Comparacin entre familias lgicas

264

Referencias .

265
266

228
Temas de repaso
230
231
231 7. Combinacin de sislema s digita les
231
7-1. Montajes de puertas normalizadas
232

6-6 . Retardo de propagacin de un inversor

NMOS .
67. Puertas lgicas NMOS
68. El inversor CMOS
6-9. Puertas lgicas CMOS
- La puerta NOR
- La puerta NAND

233
234
236
237
239
239
241
243
244
244
245

254
256

- Puerta bsica OR/NDR de emisor

- Criterios de diseo
6-5 . El inversor NMOS
- La carga saturada
- Carga lineal (no saturada)
- La carga dc dep lexin .
- Resumen

245
246

7-2. Suma dores binarios

- Semisumador
- Funcionamiento en paralelo
- Suma dor comp leto
- Sumadores MSI
- Fu ncionamiento en serie

7-3. Funciones aritmticas

- Sustraccin binaria
- Unidad aritmt ica lgica (ALU)!
Funcin generador
- Multiplicadores binarios

269
269
272
272

272
273
274
275

277
278
278
279
279

ndice
7-4. Comparador digital
7-5. Comprobador generador de paridad
7~6. Decodificador demultfplex
- Sistema de codificacin binar io-dccmal (BCD) .
- Decodificador dc BCD a dccimal
- DemulHplex
- Deeodificador-Dcmultplex de 4 a 16
lneas
- Decodificador-excitador de lmpara .
- Demultplex de orden superior

2HO
2H2
2H3

7-7. Multplex-sclectur de datos .

- Conversin paralelo a seno
- Seleccin secuencial de datos .
- Muhplcx de orden superior
- Lgica combinacional

2H.
2HH
2HH
289
289

7-S. Codificador
- Etapas de salida
- Codificador con prioridad

290
292

7-9. Memoria de slo lectura (RO M)

- Convertidores de cdigo
- Programacin del ROM
-ROMSNMOS .

294
29.
29.

7- 10. Direccionado bidimensional de un

ROM.
- Ampliacin de la informacin
- Ampliacin del direccionado

299
300
300

7- 11. Aplicaciones de los ROM

- Tablas de recurreneia
- Generado res de secuencia
- Generador de ondas .
- Imagen visible de siete segmentos
- Lgica combinatoria .
- Gener ador de caracteres .
- Almacenamiento de programas .

Temas de repaso
H. Circuitos y slseemesseceenctales

2H3
2H3
2H5
285
2H.
2H.

293
295

300
300
30 1

301
302

303
303
303

7- 12. ROMS programables (PROMS)

7 13. PROM borrable .
-EPRO MS.
- E!PROMS

304
304
304

7 )4. Lgica de disposicin programable

7 15. Disposiciones lgicas programables
(PLA)
- Programacin de un PLA
Referencias

3 11

8-1. Una memoria de 1 bit

- Clula de almacenamiento de 1 bit
- Un interrup tor sin oscilaciones
- Biestable de fijacin

9
311
313
3 13
313
314
3 15

8~2.

Propiedades del circuito de un biestable

de fijaci n .
8-3. El FUP-FLOP SR temporizado
- Sistema secuencial .
- El FLlP-FLOP S R

3 15
3 17
3 18
3 19

8-4. FUpFLOP tipos J K. T y D

- El FLlP-FLDP J-K
- Puesta a 1 y a O(Preset and clear)
- Condicin de auto-oscilacin .
- FU P-FLO P JK ordenador-seguidor
- El FLlpFLOP tipo O .
- El FU P~ FLOP tipo T .
- Resumen

320
320
321
321
322
323
323
323

8-5. Registradores de desplazamiento

324
- Registrador de entrada- serie. salida
paralelo (SIPO)
325
- Registrador de entrada y salida en
serie (SISO)
326
- Registrador de entrada y salida en
serie (PISO)
326
- Registrador de entrada y salida en paralelo (PIPO)
326
- Registradores de desplazamiento a
derecha e izquierda (bidireccional)
327
- Lnea de retardo digital
327
- Generador de secuencias .
327
- Contador de anillo registrador de
desplazamiento
328
- Contador de anillo Johnson
329

306

8-6. Contadores asncronos

- Contador asncrono
- Contador reversible
- Contador divisor por N

329
329
33 1
332

307

8~ 7.

333
334
335

306

309

Contadores sncronos
- T ransporte en serie
- T ransporte en paralelo
- Contador sncrono reversible con
transporte en paralelo .

335

10

lnd/u
- Contado r de dcadas sncrono

335

8-8. Ap licaciones de los contado res

- Contador directo
- Divisor por N
- Med icin de frecuencia
- Med icin de tiempo
- Medicin de distancias
- Medicin de velocidad
- Calculadora digital (computado ra)

336
337

337
338
338
338
338
339

Referencias
Temas de repaso

339
339

9. Sistemas

integrado.~

a muy gran escala

9-1. Registradores de desplazamiento MOS

dinmicos .
- Inversor MO S d inmico
- Clula de memoria bifsica dc relacin .
- Aplicaciones
- Registrador dc desp lazamiento MOS
esttico .
9-2. Etapas del [Link] or dc dcsplazamiento de no relacin .
- Clula de registrador dinmico de dos
fases y de no relacin
- Etapa de registrador de desplazamiento dinmico CMOS

34 1

34 1
342
34 3
344
344

364

9 8. Estructuras CCD .
de dos fases
- Estructuras de entrada y de salida
- O rganizacin de una memoria

365
365
367
367

9-9. lgica de inyeccin integrada

- Fusion ado de elementos
- Inyeccin de corriente _
- Inversor .
- Puerta NAND
- Puerta NO R
- FLlp FlOP

368
369

- ceo

ceo .

370
371
372

373
373

9-10 . Microp rocesadores y microcomput adores .

- Microcomputadores
- Microcomp utador de un chip
- Ap licaciones

373
375
375
376

Referencias
Tem as de repaso

377
377

TERCERA PARTE

345
346
347
349
349
350
350

9-5 . Clulas de memoria de lectura-escritur a

- RAM MOS esttico
- Clula RAM eMQS esttica .
- Clula RAM dinmica de 4 MOS-

352
353
354

O rcuilos , sistemas
amplificadol"es
10. Etap as IImpliiicadons basicas a baja Ireeue ncte .

383

10- 1. Onda s pa ra una entrada seno ida l

- Notaciones

384
385

10-2. Punt o de funcionamiento del BIT

- Estabilidad de polarizacin

387
388

10-3. Polarizacin del BIT para circuitos

integrados
- Resistencia de salida
- Repetidor es de corriente

389
390
39 1

352

355

- C lula RA M dinmica de un MOS-

FET .

362
364

345

9-3. lgica dom ino CMOS

9-4. Memorias de acceso aleatorio (R AM)
- Seleccin lineal
- Direccionado bi-dimensional
- Organizacin bsica RAM
- Amp liacin de la memor ia

FET .

- Funcionamiento bsico del CCO .

- Electrodos por bit .
- Frecuencias mxima y mnima de
funcion amiento

356

- Organ izacin del chip RAM dinmico

357

10-4. Fuen te de corriente Widlar

- Variaciones de temperatu ra

392
394

9-6. C lulas RAM bipolares

9-7. Dispositivos acopla dos en carga (ceO)

360
362

10-5. Fuen tes de corrie nte de tres tran sistores

395

ndice
10-6. Polarizacin del BIT con componen tes discretos ~ Anlisis .
- Acop lamiento capacitivo
- Anlisis en contin ua
- Incremento de corriente por variar

Bf

396
396
398

- Incremento de [a corriente por variar V8 f:

- Incremento total de corriente
10-7. Diseo de polarizacin con componentes discretos
- Consideraciones de diseo .
10-8. Polarizacin del FET
- Fuentes de corriente
- Circuito polarizado de cuatro resistencias .
10-9 . Anlisis lineal de circuitos de transistores
10-10. Amplificador en emisor comn .
- Ga nanc ia o amplificacin de corricnt e A
- Resistencia de entrada R. .
- Ga na ncia o amplificacin de tensinA . .
- Resistencia de salida

400
400
400

40 1
403
404
404
406

408
410
410
4 11
4 11
4 12

10- 11. El seguidor de emisor

- La ganancia de corriente
- La resistencia de entrada
- Ga nancia de tensin
- La resistencia de salida

4 13
4 14
4 14
4 15
4 15

10- 12. El amplificador en base comn

10- 13. Comparacin entre configuraciones
del amplificador BIT .
- Co nfiguracin en emisor comn

4 16

(~~)

- Configuracin en colector comn

(CC)
- Co nfiguracin en base comn
(~B)

10-14. A mplificado r en emisor comn con

una resistencia de emisor
10-15. Etapas amplificadoras FET .
- Circuitos equivalentes de pequea seal

420
422
422

399

- Increme nto de corriente por variar

1m

- An lisis de la etap a amplificadora

FET generalizada .
- La etapa en fuente comn '
- La configuracin en drenaje comn

11

10-16. Am plificadorcs BIT en cascada .

- Etapas FET en cascada

4 23
4 26

10- 17. Etapas de transistores mixtas (compound) .

- Configuracin CC-CC (Darlin gIon) .
- Conexin CC-CE .
- Co nexin CE-CB (Cascodo) .

427
427
427

10-18. El amplificador diferencial

- Modo diferencial
- Modo co mn

428
429
429

426

10-19. An lisis de amplificadores diferenciales

430
- Ga nancia A n M del modo diferencial
4 30
- Ga nancia A CM del modo comn . 4 31
- Relacin de rechazo del modo
comn
4 31
- Salida par a seales de entrada arbitrarias
432
- Efectos de la resisten cia de fuente 434
- Resistencias de entrada y de salida .
434
10-20. Amplificador es diferenciales FET
10-2 1. El amplificador ope racional (A mpOp)
- El Amp -Op ideal
- Etapas Amp-Op inversoras prcticas
- La etapa no inversora prct ica

434
435
436
437
439

416

4 17
418

10-22. Aplicaciones elementales del AmpOp .

- Amplificador sumador
- Suma no inversora
- Convertidor de tensin a corriente (amplificador de transcondu ctanela]
- Convertidor
corriente- tensin
(amplificador de transreslsteucia]
- Integrad ores

442
443

4 18

Referencias

443

4 16
416
417

440
440
44 1

44 1

12

Indice
Temas de repaso

11. Respuesta en frecuenci a de tus ampliiicadores

444

447
448
449
451
451
453

11-2. Respuesta de un amplificador a un

escaln
- Tiemp o de subida
- Pendiente
- Pr uebas con ond a cuadrada

453
454
455
456

11 11. El amplificador cascodc (CE-CS)

11-1 2. El amplificador operacio nal a alta
frecuencia .
- La etapa no inversora .
- La etapa inversora
11-13 . El efecto de los condensadores de
acoplamiento y de paso
- La respuesta completa en baja
frecuencia
- Etapas en cascada a baja frecuencia
- Resumen

Referencias .
Te mas de repaso

11-5. Respuesta en alta frecuencia de una

etapa en emisor comn
- La funcin de tran sferencia
- Eq uivalente hfbrtdo -n unila teral
- Impedancia de entrada de Miller
11-6. Producto gan ancia-ancho de banda
11-7. Etapa en fuente comn a alta frecuencia .
11-8. Seguido res de emisor , y de fuente a
alta frecuen cia .
- Ganancia de tensi n
- La impedancia de salida Z o
- La impedancia de ent rada Z
- El seguidor de fuente

485
4BB
488
489

490
491
493
493

494
494

45 6
458
12. Amplificadores realimentados

11-4. La funcin ganancia generalizada

- Determinacin del nmero de polos y de ceros
- La apro ximacin del polo do mnante .

48U

447

11- 1. Caract ersticas de respuesta en frecuencia

- Consideraciones sobre fidelidad
- Respuestas en alta frecuencia
- Respuesta en baja frecuencia
- Respuesta total
- Ancho de banda

11-3. Ganancia de corriente de cortocircuito en emisor comn

- El parme tro Ir .

- Cascada Emisor Comn-Emisor

Comn (Ce-Ce) '1 fuente co m nfuen te comn (Cs-Cs) en alta frecuencia .

497

459
460
460

46 2
463
463
464

465
466
467
467
469
470
472

12-1 . Clasificacin y representacin de los

amp lificadores .
- El amplificador de tensin .
- El amplificador de corriente
- El convertidor Tensin -Corriente
o Amplificador de Transeondueranci a

- El conver tidor Corrien te-Te nsin

o Amplificador de Tr ansirnpedan cia

498
498
499

499

499

12-2. El concepto de realimentacin

- La fuente de seal (entrada)
- La seal de salida
- La red de muestreo .
- La red de Co mparacin o Sumadora
- La red de rea limentacin
- El amplificador bsico
- To pologas del amplificador realimentado .

500
50 1
50 1
50 I

5U4

11-9. Mtodo de la constante de tiem po

para hallar la respuesta
- El coeficiente a,
- El coeficiente a !

473
473
478

12-3. El amp lificador realimentado ideal

- Relacin de retorno o ganancia del
lazo
- Sup uestos funda mentales

11-10. Respuesta en frecuencia de elapas

en cascada

480

12-4. Propiedades de am plificadores con

502
503
503

503

506
506

realimentacin negativa
- Dcscnsibilidad
- Distorsin no lineal.
- Red uccin del ruido
12-5 . Impedancia e n amp lificadores realiment ados
- Resistencia de entrada
- Impeda ncia de salida
- Frmula de la impeda ncia de
B1aekman

507
507
508
S Il

512
512
5 13

ndic e

13

mltiple lazo
- Amp lificador con rea limentacin
positiva-negativa
- Estructu ra McMillan
- Rea limentaci n seguidora
~ Realimentaci n salto de rana

546

Refe rencias
Te mas de repaso

547
548
550
550
550
55 1

5 14

13. K..labilidad y respu esta de lus amplifi cado12-6. Prop iedades de las topo logas de amplificadores realimentados
- El ampli ficador para lelo-paralelo
- El amp lificador ser ie-serie .
- El amplificador paralelo-serie
- El amp lificador ser ie-paralelo
12-7. Anlisis aproximado de un amplificador reali mentado
- El amplificador sin realimentac in
- Plan gene ral de an lisis
12-8 . Anlisis gene ral de amplificadores
rea limentados
- Ganancia (relacin de transferencia) con realime ntacin
- Proceso de anlisis
12-9. Ms sobre la impedancia en amplificadores realimentados
12-10 . Triple realimentacin e n paralelo
- Las impedancias de entra da y de
salida
- Opciones de diseno

res realim enlados .

553

5 17
5 18
5 18

13-1. Efectos de la realime ntacin sobre el

ancho de banda
- Funcin de dos polos
- Funcin de tres polos

553
554
554

5 19
5 19
520

13-2. Estab ilidad .

- Definicin de la estabilidad
- Estabilidad en amp lificadores realimentados

557

13-3. Pruebas de estabilidad

- Criterio de Nyquist .
- Margen de fase
- Margen de gana ncia
- El diagra ma de Bude

55 7
558
558
558
560

13-4. Co mpensac in .
- Compensacin por po lo dominante
- Cancelaci n polo-cero
- Una nota para el lector .

563
564
565
566

5 16
5 16

523
524
526

530
532
534
536

12- 11. El par paralelo-serie

- Res istencias de entrada y de salida

537

12-12. El par serie-paralelo

- Impedancias de entrada y de salida .

539

12- 13. El triple e n serie

- Impedancias de entrada y de salida

541

12-1 4. Anlisis gener al de amplificadores

realiment ados multi-etapa
12- 15. Am plificadores rea limen tado s de

538

540

542

543

13-5 . Respuesta en frecuencia de amplificadores realimentados. Funcin de

transferencia de dob le po lo
- Modelo de circuito
- Respues ta en frecuencia
- Resp uesta a un escaln.
13-6. Margen de fase del amp lificador realimentado de dos polos
13-7. Respu esta del ampl ificador rea ttmentado de tres polos
13-8 . An lisis aproximado de un amp lificador realimentado multi-polo
- Margen de fase .
- El polo domina nte
13-9. De termin acin aproximada de los polos en lazo abierto

555
556

567

568
569
569

572

576

576
578
578

579

14

ndice
13- 10. Ms sobre la compensacin
- Separacin de polos
- Co mpe nsacin por capacidades
en para lelo .
- Anl isis del lugar de las rafees
(opcional)
- Resumen

59 1
592

Refer encias
Tem as de repaso

592
593

14. CancterOilins del amplificador operac ional

588
589
59 1

rriente pnp

626
14-9. Rit mo de variacin
- Efecto del ritmo de variacin sob re
una se al de entrada
621

597
597
598

14-13. Amplificador es ope racionales MOS

- Circuitos NMOS
- Amp-Op CMOS

63S
635
636

60 1

Referencias
Temas de repaso

638
638

608
609

14-5. Etap as de salida

610
14-6. Tensiones y corrient es offset
6 13
- Tcnicas universales de eq uilibrado
6 16
14-7 . Medicin de los parmetros de un
amplificador operacional
- Te nsin offset de entrada V.,
- Corriente de polarizacin de entrada .
- Ganancia de tensin diferencia l en
lazo A. - AnAl
- Relacin de recha zo del modo
comn

621
62 1
62 1
625

634

595

14-3 . la etapa difere ncial

602
- la relacin de recha zo del modo
comn (CMRR)
602
- Resistencia de entrada R., .
603
- la ganancia en el modo diferencial
AI>AI
603
14-4. Desplazam iento de nivel
- El mulliplicador V'f.

Compe nsacin interne

Compensacin adap tada
Compensacin por efecto Miller
Cancelacin polo-cero

14-10. Circuitos BIFET y DIMOS

14-11. Amplificadores operacionales de
tres e tapas .
14-12. O tros tipos de amplificadores operacionales
- Estru ctura de etapa nica .
- Amplifica dores de instru mentacin .
- El Amplificador de Transconducranci a Operacional (OTA)

14-1. Estructura del amplificador operacional

595
- Est ructura de dos etapas
596
14.2 la eta pa de ganancia con carga activa
- la recta de ca rga
- Modelo de pequ ea seal .
- Limitaciones de las fuent es de co-

616
6 17
6 17

6 18
6 18

14-8. Respuesta en frecuencia y compensacin .

620

628
629

630
630
63 1

CUARTA PAR'ffi
Pr ocesad o de seales
, adquisidn de dalos
15. Gen era d n y confofllllllcin de ondas

643

15-1. Osciladores senoid alcs .

- Criterio de Barkhausen .
- Conside raciones prcticas

643
644
644

15-2. Oscilador de cambio de fase

- Funciona miento a frecuencia varia-

645

ble

15-3 . Oscilador de puente de Wien .

- Estab jhzacin de la amplitud

647
647
648

15-4. Forma general de un circuito oscilador

649
- Relaci n de retorno .
649
- Osciladores sintonizablc s Le
649
15-5. O scilador de crista l

650

lndice
15-6. Multivibrado res
- Mullivibradores monoestables

652
65 4
657

- Multivibrad o res es tables

15-7. Co mparadores .
658
15-8. Formacin de ondas cuadradas a pa rtir de una senoidc .
660
- Sealador de tiem po a partir de
una scnoidc
66 1
15-9. Com parador rcgcncranvo (d ispa rador
Schmitt) .
66 1
- Disparador Sch miu aco plado en
emisor

15- 10. Generado res de ondas cuadradas y

triangulares
- G enerado res de onda triangular .
- Modulacin del ciclo de servicio
(duly)
- Oscilador gobernado por tensin:
VCO (Vohajc Co ntrollcd Oscillalor)

664

665
666

668

670

t 5- I2. El lemporizador integrado 555

- El muhivibrad or astablc

672
673

15- 13. Ge neradores de base de tiempo .

- El barrido
- Generadores de ba rrido

67 4
67 4
675

15-14. G eneradores de ondas en escalera

- Con tador de almacenamie nto
- Aplicaciones

677
678
678

15- 15. Modula cin de una onda cuadrada

- Mod ulacin de amplitud
- Mod ulador rccortador
- Demoduladores
- A mplificador rccortador cstabizado
- Modu lacin de ancho de impulso

680
680
680
682

Referencias
Temas de repaso

684
684
y

conVCDin

687
69 1
693
694

16-4. Convertidores de digital a ana lgico

(DI A) .
69 4
- Co nvertidor Ol A tipo escaleta
696
- Co nvertidor DI A muhiplicador
697
16-5. Convertido res de analgico a digital
(Al U)
- Convertidor A /D co n contador
- Co nvertido r A I D por aproximaciones sucesivas .
- Convertid or A /D comparador en
pa ralelo (Aas h)
- Convertidor A I O de relacin o de
doble pendiente .

698
698
700
70n
702

668

15-1 l . Gen erado res de impulsos

- Muhivibrado r monoes table de repeticin .

16. A eondid ooamienlo

dalo,'i

16-1 . Seales y procesado de seales .

16-2. Toma y ret enci n de informaci n
16-3. Muhplell. y d cmultfplex analgicos
- Demultfplcx analg ico

15

67 I

683
683

de
68 7

166 . Circuitos de inlegracin y diferenciacin .

- Cemente de polarizacin y offset
en continua .
- G anancia finita y ancho de banda .
- Circuito prctico
- Integrador diferencial
- Oiferenciado r
16-7. Clcu lo analgico elect rnico .
16-8. Pilt ros act ivos Re .
- Ca racters ticas ideales .
- Ca ractersticas reales de respues
la en frecuencia .
- Especificacin de filtros

703
703
704
705
706
706
706
708
708

7 10
7 10

16-9. Funciones Buttcrwonh y Chebyshcv . 7 11

- La funcin bicuadrada
7 11
- Polin omios de Butlerworth
7 12
- Filtros Chcbyshev
7 14
- Transformacin de frecuencia
7 16
16-10. Secciones del amplificador simple
- Secciones paso-bajo
- Secciones paso-airo
- Secciones paso-banda .
- Secciones de rechazo de banda
- Redes pasa-todo
- Seccin general bicuadrada de
Friend _

7 17
7 17
720
720
722
723

726

16-1 l . Secciones bicuadradas de l Amp-O p

mlliple
726

16

lndice
- La secc in de filtro universal o de

estado variable.
16- 12. Filtros gobernados por conde nsador .
- Resistencia simulada
- Integradores
- Etapa de ganan cia .
- Secciones unipolares

727

17-4. Filtros capacitivos

756
- Tensin de salida en carga
758
- Circuito de onda completa .
759
- Anlisis aproximado
759
- Filtros de entrada capacitiva e inductiva
760

733

17-5. Suministro de potencia regulado

- Estabilizacin

760
762

17-6. Reguladores monolticos

17-7. Regulador de conmutacin
- Topologla del regulador de conmutacin bsico .
- Tensin de salida regulada .
- Rendimiento
- El interruptor de potencia

762
764

734

16- 14. Multiplicadores anal6gicos

- Cuadrados y rafees cuadradas
- Modulador equilibrado

738
739
740

Referencias
Temas dc repaso

736
737

740
741
741
742
743
743

744
745

QUINTA PARTE
Elec trnl ra de
gra ndes sea les

17. Clrcuuos y sistemas de potencia .

756
756
756

729
729
730
73 1
73 1

16- 13. Amplificadores logartmicos y exponenciales

- Amp lificador Jogartmico con
transistores apar ejados
- Amp lificado r exponencial [antilogartmico)
- Multiplicador logartmico .

16-15. Convertido res alterna-continu a de

precisin
- Limitador de precisin
- Rectificad or rpido de media
onda
- Rectificado r de onda completa
- Detector activo de media
- Detector activo de pico

- Rectificador de puente .
- Medidor rectificador
- Multiplicadores de tensin

749

17-1. Conversin de alterna a continua .

17-2. Rectificadores
- Rectificador de mcdia onda
- Tensin dc diodo
- Corriente (o tensin) alterna
- Regulacin
- Rectificador de onda completa
- Ten sin inversa de pico

749
750
750
75 1
752
752
754
754

17-3. Otros circuitos de onda completa

755

17-8. Topologas adicionales del regulador

de conmutacin
- Tensiones de salida negativas
- Convertidor continua-continua a
contratase acoplado por transformador
- Generacin de las ondas de conmutacin .

765
766
766
766

767
768

769
770

17-9. -A mplificadorcs de gran seal

17-10 . Distorsin arm nica
- Distorsin de segundo ar mnico .
- Generacin de armnicos de orden superior
- Potencia de salida

772
773
773
775
775

17- 11. Clasificacin de los amplificadores

- Clase A .
- Clase B .
- Clase AB
- Clase e .

776
776
776
777
777

17- 12. Rendimien to de un amp lificador

clase A
777
- Rendimiento de la conversin
777
17-13 . Amp lificadores en contrafase (p ushpull) clase B
- Rendimien to
- Disipacin
- Distorsin

778
779
780
780

lndlce
17- 14. Funcionamiento elase AB
78 1
17-1 5. Amp lificador es de potencia integrados .
782
783
17-16. Conside racio nes trmicas
- Tempe ratura mxima de la unin 783
- Resistencia trmica
783
- Curva de reduccin de la disipacin .
784
17-1 7. Tran sistores de potencia de efecto
campo (VMOS) .
786
- Caractersticas del VMOS
788
- Aplicaciones
788
Referencias
Temas de repaso

789
789

AP ENDl CES
A. Constantes y factores de conversin .

A1 . Valor probable de constantes fsicas

A-2. Factores de conversin y prefijos

79 1
79 1
792

B. Fabricant es y especificaciones de semcou-

ductores .
8 -1. Fabricantes de dispositivos electrnicos .
8 -2. Especificaciones del diodo de silicio IN
4153
B-3. Especificaciones del transistor bipolar
de unin n-p-n de silicio 2N2222A
8 -4. Especificaciones para el transistor de silicio de unin, de efecto campo, de deflexin y de canal N 2N 4869
8 -5. Especificaciones del transistor de silicios MOS de efecto campo, de acumulacin y canal- P 3N 163
B-6. Especificaciones de la puerta NA- ND
positiva TIL Schottky de baja potencia (LS74 IO o LS54IO) con salida en
totem
8 -7. Especificaciones del amplificador operacional LM741
8-8. Especificaciones para el transistor en
potencia N-P- N de silicio 2N567 1
8 -9. Especificaciones de los dispositivos de
transistores de uso general CA 3045 Y
CA 3046

793
793
794
795

797

C. Resumen de teora de circuitos

C-I . Redes resistivas
- Fuentes de tensin y de corriente
- Resistencia .
- Ley de Kirchhoff de las corrientes
- Ley de Kirehhoff de las tensiones
- Combin acin de resistencias en serie
y en paralelo
C-2. Teoremas sobre circuitos
- Teorema de superposicin
- Teorema de T hcvcnin
- Teorema de Norton
- A nlisis por el mtodo nodal
- Anlisis de mallas .

17
805
805
805
806
806
807
8 10
8 11
811

812
8 13

81'
8 15

C-3. Estado scnoida l en rgimen permanente

8 16
- Fasores .
8 18
- El operador j
819
C-4 An lisis simplificado de una red senoidal .
820
- Rcactancia .
820
- Impedancia
821
- Admitancia
822
- Anlisis de redes
822
- Teorema de MiIler
823
C-5. Excitacin exponencial
C-6. Respuesta de un circuito Re a un escaIn .
- Circuito RCpaso-alto
- Descarga de un condensador a travs
de una resistencia .
- Circuito RCpaso-bajo

823

825
825
827
827

C-7. El diagrama asinttico de Bode

828

798

C-8. Cuad r ipolos

- Parmetro z:
- Parmetro h

832
834
834

799

C-9. Grfico de recorrido de la seal

838

800
801

803

D. Problemas

843

E. Soluciones de una seleccin de problemas

95 1

Sobre los autores

Ja cob MilIman es profesor emrito de la Universidad de Columbia donde ocup la ctedra Charles
Batchellor de electrnica. Obtu vo sus grados B.S . (193 2) y Ph. D. (1935 ) en Fs ica, por el Instituto
Tecno lgico de Massachu setts. Su primer ao de graduado lo pas en Mun ich, Alema nia (1932- 1933).
Ense ingenieraelctricaenel CiIYCol1egede Nueva York (1936 194 1Y1946-1951) Yen Columbia
(1952 1975) . Durante la segunda guerra mundial trabaj en el desarro llo de sistemas de radar en el
Radiation Laboratory. del MIT ( 1942- 1945).
El Doctor MiIlman es autor o coautor de ocho libros de texto; Etectronic s (194 1 rev isado en 1952);
Pulse and Digital CrCIIrs (1956); Vacllum TlI1Je and Semiconductor Etectronis ( 1958); Pul se, Digital,
and Switching Wal'ef orms ( 1965 ); Electra nics Devices and Circuits ( 1967); lntegra ted Etectro nics
(1972); Etectro nic Fundamentals and Appications (197 5); M cro eectroncs (1979). Estos libros han
sido tradu cidos a diez idiomas.
El profesor Millman es colaborador y mie m bro vitalicio del IEEE y co laborador de la American
Physical Society. Recibi la G reat Te ache rs Awa rd de [a Universidad de Co lumbia (1967) , la
Edu cation Medal del IEEE (1970), y fue propu esto para el Cent enial Hall of Fame del IEEE como
uno de los mejores profesores de Ingeniera Elctrica de todos los tiempo s.
Ha pronunciado numerosas conferencias fuera de los Estado s Unidos: en Italia, Espaa, Israel ,G recia,
Brasil, Uruguay, Aleman ia, Hol anda y Fran cia .
Arvi l Grab el ha ejercido desde 1964 en la facultad de la Northeasrern Unversity siendo actualm ente
profesor de Ingeniera Elctrica y de Computadores . Obtuvo los tres grados de la Universidad de Nueva
York . Como instructor de Ingeniera Elctrica ha e nseado en el New York UniversityGraduat eCenter
en los Laboratorios Bel!. Ha sido profesor invitado de la Universid ad de Californi a, en Santa Brbar a y
en la Co oper Union para el Progreso del Arte y de la Cie ncia. El libro Basc Electrical Engineerng
del que es coautor, est ya en su quinta edicin. y ha sido tradu cido a seis idiomas.

Prefacio

El principal objetivo de este libro es e l de se rvir de texto en los cursos de e lectrnica moderna para los
estudiantes de ingeniera elctrica y de computadores. Nuestra intencin es la de remarcar los conceptos
fundamentales en los que se apoya la operacin fsica, el anlisi s y el diseo de circuito s integrados y
sistemas. Compaginando este objetivo con una div er sidad de apli caciones esperamos abarcar tanto la
sustancia como lae sencia de la cuestin. La exten sin y profundidad del tratamiento hace que este volumen
sea tambinun valiosoauxiliarpara ingenieros,cientficos y profesionales de campos afinesa la ingeniera
elctrica y de calculadoras.
El texto , dividido en cinco secciones principales. est organizado de forma que suponga la mxima
flexibilidad pedaggica sin perder la continuidad. De esta forma, cada profesor puede adaptar el material
a un cierto nmero de cursos distintos que satisfagan las necesidades e intereses tanto de alumnos como
de profesores.
La primera parte (captulos I al 5) estudia las caractersti cas de los dispositivos semiconductores
empleados en los circuito s integrados (lC). Los cinco captulos remarcan las propiedades de los semiconductor es y estudian el funcion amiento fsico y las caractersticas de los diodo s de unin, transistores
bipolares (BJT) y transistores de efecto campo (FET). El ltimo captul o describe las tcnicas de
fabricacin de los le. Se trata de exponer los procesos em pleados y las limitaciones impuestas por la
fabricacin al diseo de circuitos.
Estos cinco primero s captulos estn dedicados a qu ienes no tienen conocimientos previo s de electronica . y abarcan el material fundamental requerido para entender el resto del libro. Para la primera parte
slo se requieren los conocimientos fsicos y matemticos comprendidos en el primer o segundo cur so de
un programa tpico de ingeniera. La mayor parte de estudiantes han seguido un curso de anli sis de
circuitos antes de em pezar a estudiar electrnica. Aun cuando esta preparacin es valiosa, no es
indispensable pues el anlisis elem ental de circuitos empleado en este captulo queda explicado en el
Apndice C.
La segunda parte (captulos 6 a19 ) trata de circ uitos y sistemas digitales, y la tercera (captulos l al
14) de circuitos y sistemas amplificadores. Si se dese a puede ponerse la tercera parte (analgi ca) antes
que la segunda (digital). El material contenido en la primera parte suministra los conocimientos nece sarios
para cualquier otra secc in. Hemos antepuesto los sistemas digital es por dos motivos:

1. En muchas universidades a los ingenieros y cientficos matemti cos se les exige un solo curso de
electrnica. Evidentemente, para estos estudiantes tal curso se refiere a la electrni ca digital. Con una
seleccin cuidadosa de los tema s comprendidos en las dos primeras partes se puede formar un cur so, lo
que proporciona al instructor la libertad e iniciativa de elegir las materias ms adecuada s a sus fines.
2. Slo se requiere una teora de circuito s elemental , del nivel descrito en el Apndice C. Por tanto,
el estud iante no necesita ningn requisito en cuanto a ingeniera elctrica para asimilar estos temas.
El primer captulo de la segunda parte trata de las puerta s lgicas empleadas en el sistema digital. Nos
referimos al funcionamiento y caractersticas de las cuatro principales tecnologas de le. Las dos familias
de transistores de efecto campo (FET) son la NMOS y la CMOS . mientras que la lgica transistor-transistor

22

Microelectr nica moderna

(TT L) Y la de emisor acoplado (ECL) son las familias norma les del transistor bipolar de unin (BJT)
estudiado. Los circuitos integrados a pequea esc ala (SSl), media esc ala (MSI) y gran escala (LSI) y los
sistemas derivados de estas puertas lgicas se estudiarn en los dos siguientes cap tulos (circuitos y
sistemas combinacionales y secuenciales).
El ltimo captulo trata de sistemas integrados a muy gran esc ala (VLSI) en los que se estudia la clula
de memoria de acceso aleatorio (RAM) esttica o dinmica. Asimismo se introducen las tecnologas
empleadas nicamente en los sistemas VLSI, tales como la lgica inyeccin-integrada (1 2 L), CMOS, y
dispositivos acoplados.
El desarrollo de circuitos y sistemas amp tifcadores en la tercera parte (captulos lOa 14) es semejante
al de. la segunda parte. Los dos captulos iniciales estn enfocados hacia las propiedades de las etapas
amplificadoras bsicas BJT y FET. Se estudian los mtodos de polarizacin de los sistemas integrados, y
el empleo de modelos de pequea seal para valorar el funcionam ient o de amplificadores de etapa nica
o en cascada. Tambin se describe el amplificador operacional (Op-Amp) como bloque constructivo
bsico. Estos amplificadores se usan para formar sistemas amplificadores realimentados. Los conceptos
fundamentales y las tcnicas desarrolladas se emplean en el anlisis y diseo de las cuatro topo logas
bsicas de amplificadores realimentados. La arquitectura interior y el funcionamiento de los modernos
chips Op-Amp se vern en el captulo 14 que trata conj untamente muchos de los conceptos vistos
anteriormente en la tercera parte.
La cuarta parte (captulos 15 y 16) examina los circuitos y sistemas de recogida de datos y proceso s
de la seal. Muchos de estos circuitos se usan tanto en sistemas digitales como analgicos y emplean
puertas lgicas y Op-Amp. Se estudian circuitos para generar ondas sencidales. en rampa o de impulsos
y para la conversin de seales analgicas en digitales (o viceversa ). Entre los circuitos descritos figuran
integradores, filtros activos incluyendo los capacitivos y los amplificadores multiplicadores y logartmicos.
La ltima parte (captulo 17) revela al estudiante los circuitos y sistemas de potencia. Se trata la
co nversin de c.a. en c.c. lo que conduce al estudio de los reguladores de tensin monolticos. Tambin
se ex aminan los circuitos y dispositivos amplificadores de alta tensin y gran potencia.
El texto co ntiene suficiente material para 2 o 3 cursos semestrales de dispositivos, circuitos y sistemas
electrnicos. Con el constante aumento de componentes en un chip integrado, la diferencia entre elemento,
circuito o sistema electrnico se ha hecho confusa, y en este libro no se ha intentado diferenciarlos entre
s. Un bloque monoltico tal como un Op-Amp se conside ra a veces como un elemento, y un chip
microelectrnico a gran escala merece la calificac in de sistema o por 10 menos de sub -sistema.
En el prlogo que sigue a este prefacio se relata brevemente la historia de la electrnicaSe espera que
tanto el instructor co mo el alumno lean esta fascinante historia antes de iniciar el estudio del texto.
Muchos ingenieros electrnicos disean nuevos prod uctos, subsistemas o sistemas conectando entre
s chips integrados normales de tal forma que el conjunto cumpla los obje tivos externos deseados.
Naturalmente estos ingen ieros deben saber qu chips IC existen en el mercado. qu funciones desarrollan
y cules son sus limitaciones. Los diseadores de los chips deben conoce r cules son las funciones que
necesitan ser desarrolladas y cules son las limitaciones que afectan mayormente el funcionam iento del
sistema en que se incluya el chip.
Bajo este punto de vista, el objeto de este libro es co nducir al lector, paso a paso, desde un conocimiento
cualitativo de [as propiedades de un semiconductor hasta la comprensin del funcionamiento de elementos
de estado slido y apreciar finalmente cmo se co mbinan stos para formar ICs, con caractersticas
entrada-salida tiles y defin idas. A lo largo de este libro se estudia una gran variedad de ch ips integrados.
No slo describiremos lo que se fabrica sino que intentaremos llegar a un profundo conocimiento de las
funciones digitales y/o analgicas que desempea el chip. Despus de estudiar cada circuito o sistema se
hace referencia a un chip especfico comercialmente adquirible y que realice la funcin deseada . Se
ex ponen las limitaciones de los elementos y circuitos reales frente a los ideales. Para aprecia r el
funcionamiento no ideal, en el Apndice B se dan las especificaciones de los fabricantes de elementos y

Pref acio

23

de ci rcu itos integr ado s rcp rc sc ntmi vos. La profund idad del es tudio. la amplia selecc in de asun tos. y el
aspe cto prctico se co mbinan parapreparar al e st udian te para act uar con c ficnca inmediatamcmc d esp ues
de graduarse.
La atenci n pre stada al uspcc to pedag gico se re fl ej a en la e xplicacin dct com po rtamieruo de los
dispos itivos. ci rc uito s y sistl'mas y e n e l contex to e n q ue se estudian los usumos especfico s. Nos hem os
es for zado en asegura r la intro duc cin de los co nce ptos nuevos e mpleando las t c n ica s an al ir as co nocida s
y q ue e l de sa rrollo de nue vos m todos de anlis is se ba se solame nte en conceptos vistos an te rior ment e.
Adems. hem os pue sto gran cuidado en la se leccin de los muchos ejem plo s y clculos num ricos
inco rpor ados e n el texto.
Muchos de los procedimientos de anlis s ex pues tos conducen a dlclllos man uale s qu e un ingen iero
maneja frec uentemente . Tales c lculos son va lioso s ya q ue ayudan a penetrar en el funcion am iento del
ci rcu ito o sistema diseado. Cuando se empican conjun tamcruc co n ca lculac iones simuladas. se proporciona al inge niero una porcmc herramienta par a e l diseo. Se debe es timular a los a lumnos a em picar
simuladores ta les CO Ill O SI'ICE y MICROe AP 11 . siendo ambos aptos para se r uu lizndos co n computadores
person a le s,
La s pregu ntas de repa so a l final de cada captulo so n una buena ayu da plra re solve r los aproximada mente 800 problemas planteados en el ap ndice D. Em ple ando conjunuuneme las preguntas y los
problemas se comprueba la cap tacin por parte de l alumno de los co ncep tos fundu mcn ralcs y se
propor c ion a ex per ienc ia e n e l t1 iseli o y anal sis de c irc uitos elect rnicos . Ent odo s los pro blemas nu mr ico s
se han e mpleado va lores rcahsricos de los pa rme tros.
Las preg untas de rcpa so son una prue ba de los conoc imientos cualitat ivos de las mate rias del texto y
pueden servir tambin para toru uu parte de un e xamen,
Hem os recibido va liosas opiniones y suge rencias de much os profesores e inge nieros. Todos el los ha n
influido en esta ob ra. y a IOdos e llos e xpresamos n uestro ugrad ccim icmo y aprecio. Q uedamos es pec ialme nte agradecid os al profesor Arth ur Dick crson cuyos co men tarios han re su ltad o va liosos e n la prc p ra
cin de este libro , y nos sentimos obligados ha c ia David Damsun q ue cont ribuy mucho desde e l
ma nuscrito ha sta la produ cc in, a los co me ntar ios y j uicio s de San jcev Rno y a Mary Ros enbcrg cu yas
co mpro bac io nes o p,ginas finale s fue ron de g ran ay uda,
JACOIl M I I.L M M~
A rn 'I S GKAIiEL

P.S . Yo estoy e ntre las do s gene raciones de ingenie ros elct ricos que han es tudi ado e lectrnica con
los lib ros de Jacob Millnum. IIe tenido e l placer de ser una ver nuis " alu mno suyo cua ndo trabajamos
ju ntos en e l plnn teamicutc y orgunlzactn de este libro y en la preparaci n deta llad a de los se is primero s
ca ptulos . He intentado conservar e l es tilo de este ve rd ade ro maestro en lo que re sta deltexto. Los ltimos
o nce c aptulos so n de mi exclusiva responsabilidad y por tauro reflejan la calidad de l estud iante y no 1"
del me nto r,
Agra dez co a Jar o b Millrnan la oport unid ad qu e me ha da do de colaborar co n l, Su estilo e influencia
han co ntri buido eno rme mente sobre m corno ensear ne y autor .
AR VIS GKA IU:L

Prlogo.
Breve historia
de la electrnica
Para la maycrta de nosotros la palabr a e lectr nica nos sugie re una varieda d de cosas desde los chips
y calculadoras hasta la televisin y Jos transistore s . As, mient ras co nve nimos en los trm inos es pecficos
que fo rman la e lect rnica. su de finic in es algo amb igua . En los prrafos q ue siguen y e n e l resto de l
pr logo de finimos 1:. electrnica tul co mo la e mp leamos en es te lib ro. no en e l sentido de l d icciona rio.

sino siguiendo los matices de 1<1 disciplina. Hemos elegido la historia como vehculo para conseguirlo. ya
que son los esfuerzos individuales los que contribuyen o han comribuido en elcampo que verdaderamente
define la disciplina.
En sentido e stricto, la electrnica es la c ienc ia y tec no log a relat iva al movi miento de ca rgas en un gas .
en el vaco o en un sem iconduc to r. Obsrvese qu e e l mo vim ien to de ca rgas excl usivamente e n un metal
no se co nsidera e lectrnica. A p rinc ipios de l siglo xx se em pic es ta separacin para di stinguir e l ca mpo
de la ingenie ra e lctrica de l entonces nac iente campo de la elect rnica. En aqu e lla poc a la ingenie na elctric e trata ba de disposi tivos q ue depend an exc lus ivame nte de l mov imient o de los e lectro nes en los meta les.
lales co mo motores. ge neradore s. bom billas de filam ent o. y sistem as de comunic aci n por cable (telfo no
y telgr afo ). Si n embarg o. a medida q ue nos ace rca mos a finales de l sig lo la sepa racin histricaen treelecrrtcidad y electrn ica va perd iendo su fun cin o rigina l.
Ac tua lmente los ingen iero s e lc tricos prcticos cu mplen d iversas funcio nes co n d istintas ap lica c ion es
(d iseo. de sarro llo. prod uccin . inves tigac in e incl uso e nse a nza). T ratan con siste mas q ue pe rmit en
co munica rse co n lodo e l mund o. qu e mani pulan grande s cant id ades de dat os. qu e permiten auto matizar
co mplejos proce sos de fabricacin. y tratan tambin co n los e leme ntos e mpicados par a conseguirlo. El
campo de la ingeni e ra e lctrica aba rca asimismo la pro d ucc in. dis tribuc in y co nve rsin de la e nerga
elctrica. El gr upo cita do en la p rime ra de las dos frases an tcriores posee la prop iedad co mn de proce sar
inform acin, mient ras qu e el g rupo ci tado en la seg unda se puede considerar co mo procesado de la e nerg a.
Esta distinci n ent re el procesado de info rmaci n y e l p rocesado de energ a es lo q ue se para la elec trnica
de l res to de las ingen ieras elctri ca s. En co nsec uenc ia. la e lectrnica co mprende c uatro "': com unica c in, c lculo. contro l y compo ne ntes.
Este pr logo co mpre nde una bre ve histo ria de la e lec trnica moderna . enfoca da pri ncipalmen te e n e l
de sarro llo y aplicacione s de los dispositivos e lectr nicos y el crecimiento de las indus trias resultan te de
la utilizacin de estos dis positivos en ci rcu itos y siste mas prcti cos.
La histo ria se divide en dos per odos de tiempo qu e de no mina mos era del tubo de vaco y era del
transistor, La prime ra aba rca el desarro llo habido en la primera mita d del s iglo xx . y la seg unda emp ieza
co n la invencin del tran sis tor e n 194 K. En e l ltimo apartado se espec ula so bre la futu ra ma rcha de la
e lectr nica. Estas desc ripcio nes sos tiene n y pe rfi lan los punt os tcnicos tratados en e l texto.

ANTECEIlENTES
Los orgenes de la ingen iera elctrica se basan en los descu brim ientos de gra ndes c ient ficos co mo

Amp re. Co ulomb. Faraday. Gauss. He nry. Krchboff Ma xwcIl y Oh m. La prim e ra apli c ac in prcti ca

26

Mtcroetectronica moderna

de sus trabajos. en el contexto de la electrnica moderna, fue en el desarrollo de los sistemas de

com unicacin . En 1837 Samuel Morse. profesorde Arte en la Universidad de Nueva York prob el sistema
telegrfico. Lo signicetlvo dc l telgrafo elctrico fue la introd uccin de un mtodo eficazde codificacin
a seales elctricas. Los puntos y rayas del alfabeto Morse represent an el primer empleo de seales
digitales (binarias).
Cerca de 40 aos ms tarde ( 1876) Bell invent el telfono e introdujo el mtodo de codificar una
informacin (el habla co mo una seal elctrica continua. y decodificndola luego en el receptor. La
invencin de l fongrafo por Edison en 1877 demostr que las seales elctricas pod an almace narse y por
tanto recuperarse. El disco del gramfono puede conside rarse como primera memoria de slo lectura
(RO M ).
La introduccin de las comunicaciones por radio se basa en la contribucin de James Clerk Maxwell
que en 1865 compil las investigaciones precedentes en una consistente teora de l electromagnetismo
conocida hoy como ecuaciones de Maxwell. El mayor sallo hacia ade lante es deb ido a las predicciones
de Maxwell sobre la existencia de ondas electromagnticas capaces de propagarse en el espacio. Aqu
tenemos un caso en el que la teora precede a la expe rimentacin ya que no fue hasta 23 aos ms tarde
que Hertz produjo tales ondas en experimentos de laboratorio. Maree n fue el primero en explotar el
empleo de las ondas Hertzianas como as se les denomin . En 1896 Marcon emiti con xito estas ondas
detectndolas desde una distancia de 2 millas. La telegrafa sin hilos tuvo su humilde origen en estos
ex perimentos.

LA ERA DEL TUBO DE VAco

La era de l tubo de vaco abarca la primera mitad del siglo xx. La electrnica moderna se fonn
tecnolgicamente durante este perodo.
El origen del vocablo electrnica se puede atribuir a H. A. Lore [Link] en 1895 adm iti la ex istencia
de ca rgas discre tas que denomin electrones (reintrod uciendo la palabra emp leada por los antiguos
griegos). Dos aos ms tarde J. J. Thompson comprobexperimentalmenle la existencia de los electrones.
En aquel mismo ao Braun construy el primer tubo electrnico, un primitivo tubo de rayos catdicos.

Descubrimiento de los tubos de vaco

En 1904 F1eming invent un dispositivo con dos elementos , el diodo. al que llam vlvula. Consista
en un filamento ca lentado que emita electrones (efecto Edison) y que estaba situado prximo a una placa
metlica. El conjunto de esta estructura estaba encapsulada en vaco.
Una tensin positiva de placa a filamento (ctodo) daba paso a una corr iente mientras que una tensin
negativa anulaba la co rriente. Esta propiedad unilateral de la vlvula la hizo idnea para delectar seales
de radio (sin hilos).
Dos aos despus. Pickard emple6 como detector un cris tal de silicio, y una aguja apoyada en l. ste
fue el primer diodo semiconductor. no obstante no result prctico y pronto fue abandonado, y as en 1906
pareci que los semiconductores electrnicos tenan una muerte prematura.
La invencin en 1906 del audi6n (triodo) por parte de De Forest fue el embri n en los primeros tiempos
de la electr6nica. Realmente se puede afinna rque la electrnica tal como se conoce actualmente no existiria
sin la invencin del triado. El audt n de De Forest consiste en intercalar un tercer electrodo (rejill a) entre
la placa y el ctodo de la vlvula de Fleming. La tensin de la rej illa regula la circulacin de cargas entre
placa y ctodo. Una pequea variacin en la tensi n de la rej illa se traduce en una gran variacin de la
tensin placa-ctodo. con lo que el audin resulta ser el primer amplifi cador.

Prlogo. Breve historia de la electrnica

27

El triado fue e l prime r di spositivo que mostr la propiedad del circ uito llamada hoy de fuente
dependiente. Ya que retiene la prop iedad unidireccional de la vlvula. el triodo eq uivale tam bin a un
interruptor controlado. Actu almente. lodos los circ uitos ele ctr nicos se va len de las carac tersticas de
e leme ntos que se co mportan como controladore s de fuente o de corte.

Aplicaciones iniciales
Hacia 1911 los avances tecnolgicos ta les como un mej or vado y el recubrimient o de l c todo co n
xido hicieron de l audi n un e leme nto seguro inicindose as la e ra de la elect r nica pr ctic a.'
La primera aplicac in de los tubos de vac o es tuvo dirigida a las comunicaciones por telfono y radio.
fundndose simultnea mente en los Estados Unidos en 1912 e l Instit ute of Rad io Engnee rs (IR E). Es
de ad m irar la imaginacin y persp icacia de estos pri meros ingenie ros q ue captaron inmed iatame nte la
importan cia de la radio y fundaron su propia asociaci n profesional. El American lnstitute of Elec trical
Engin eer s (Al EE) que cuidaba de los inte reses de los ingenieros elct ricos co nvencio nales fue fundado
en 1884. Ambas asociaciones se fusionaro n en 1963. form ndose e l Institute ofElect rical and Electronic
Bng ineers (IEEE) que asum i medio siglo de desarro llo de la profesin.
Em pleando slo los diodo s y triados disponib les. de l ingenio de es tos nuevos ingenie ros surgiero n
muchos nuevos circuitos. siendo notabl es los de a mplificado res en cascada, a mplificadores regenerat ivos
(Arms trong, 19 12f . oscilado res (De Foresr. 1912), hete rodin os (Annstrong, 1917). y multivibradores
(Eccle s-Jo rdan. 19 18).
El oscilador fue el primer eje mplo de gene raci n de se ales e lec trnicas con med ios exclusivamen te
elec tr nicos. El aumento de ganancia tanto e n e l am plificado r regener ativo (rea lime ntaci n positiva) como
e l en cascada. j unto con la modif icacin de frecue ncia dada por e l heterodino mejor el procesado de la
seal y la deteccin de seales dbiles. Los pri meros multivibradores fueron los precurso res de los
mode rno s flip-flo p y relojes (circuit os de tiem po).

Industrias eleclrnicas
El amplificado r tuvo aplicacin come rcial cas i inmediat a en la te lefona a larga distancia . Los avances
en la tec nologa de los tubos conseg uidos por las compaas telefnicas impu ls una nueva indu stria: la
radiodi fusin comercial. En 1920 la Westinghou se Elect ric Co rporation c re la em isora KOKA en
Pittsb urgh. Pensilvania. Ape nas cuatro aos ms tarde ya exi stan 500 en los Estados Unido s, y e n 1926
ya era realidad la red de radiodifusin . Simultneame nte se introdujo la rad io en e l mu ndo indu strial.
Las indusrrias ctectr nicas ' abarcan IlllO O ms de los grupus de: compo nentes. co municac io nes, control
~ c lculo.

COM PONENTES
En un princip io las indu stria s de los componentes se c rearo n para fab rica r los d istintos tipo s de
dispo sitivos elec trnicos as co mo e leme ntos pasivos de circ uitos (resi stencias . conde nsado res . indnct a n-

Ca, u"[Link] . '" I'ftlfo,,,, Millm"n n""io o'" mi,mo "n".

En . ' Ia l"lt " Ann' l"'n~ ",in o, ludi,mlo on 1.1 UniveNi,I,"1,le Columhia.
La, aclividlIk . ,le mUl"h,,, l"ompana' al",,,,ul ms de Una " "I..~ora. fro..... mo.....nl" . '''111lialc' o divi, ion. , ,lcnlilk a,ja...n" Un

~ r1J I"' .

28

Microt lutrllic'a moderna

c as. Iransfonnadores. erc.). Los ingen ie ros y cient ficos de estas o rganizac iones consiguieron g randes
avances e n el desarrollo de nuevos y mejores dis positivos. incl uye ndo e l ca tc r uamie nrc indi recto de l
c todo. los rubos reucdo y pentodc con un c uarto y un q ui mo electrodos en el inte rio r de un m edo. y los
tubos co n gas comoel u ratron. Dispon ie ndo de nue vos ele me ntos pront o se idearon nuevos circuito s qu e
facilit aron e l mando nico de sintoni zacin. e l co ntrol au tom tico de ganancia l AGO. y la operacin
muhibanda .

CO M UN I CA C IONF_~

Las se ales de radio se transmit en mejor a frecuencia s por encima de los 51X) kH z. Co mo la frecue ncia
de las se ales q ue represe ntan la info nn aci n est normalment e bastante por debajo de los SOO klfz. estas
se ales de ben cod ificarse y pasarse a 1:1 frecu e nc ia de transmisin mediante un proceso de no minado
modll/acin Los primeros sistema s de em isin por radio em plearon la mod ulaci n de amp litud (A MI.
Para aument a r la fide lidad y reduc ir las inte rfere ncias atm osf ricas. Armsrrong ide y dcsurrollo en 1930
la frec uencia mod ulada (FM ).
La tele visin en blanco y neg ro e mpez e n 1930 basada e n e l lconosco po y e l ktnescope (te Zwor ykin
(las primeras cmara y pantalla respecti vament e ). En 1940 lntclevisin en Estados Unidos estaba muy
poco divu lgada. y su expansin se vio frenada por la segunda g ue rra mundial. La introducci n de l color
en la televisi n co menz haci a 1950. durante los aos 60 JXIS a ser e l sistema domi nante.
Las t cni cas e mpleadas en rad iodifusi n se ada ptaron tam bin e n erra s ap licaciones. Los sistemas
telefnicos se transformar on e n una de las ms importantes formas de co munica c in elect r nica. A su
vez. ci rcuitos cre ados pa ra telefona se e mplearon ampliame nte en sistemas de recepcin de radi o. El rada r
(cre ado duran te la seg unda guerra mundial ) ut iliza comunic aci ones por rad io para ayudar a la navegac in
ta nto por aire como por mar.
Cada una de las inno vaciones citadas hizo q ue se idearan nue vos circuitos . Entre s lOli. est el
amp lificador de reali men tacin negativ a inventado por Blac k ( 1927). e llimitador de FM y e l discrim inador de FM . O tro circuito desarrollado fue el ge ne rado r en di entes de sierra que pro porcio na la base de
tiem pos lineal para los prime ros osc ilosco pios y pa ra los slstcrna s de de c xi n en tele visi n. Muchos de
los nue vos sistemas de co municacin e mplean sea les di scret as (impulsos) en lugar de seales conti nuas.
En co nsec uencia hubo de des arro llarse una varied ad de circuuos de impu lso s para la lempo rizac i n y
sincro nizacin necesarios e n telev isin . radar y a iras aplicacio nes y para la ge nerac in y modu lacin de
impulso s. Adems. los nue vos sistemas de co municacio nes operan a m s a lias frec uencia s y se basan en
ele me mos m icroondas tales co mo e l klysrron y e l mag ne rron.

CO M I' UT ADORES (C LCU LO)

Aun c uando los transistores y los ci rcuito s integrados dieron pie a l ex trao rdi nario crecimiento de la
ind ustria de l c lculo. sus o rge nes parlen de la e ra del tubo de vaco. Dura nte unos 300 ao s ira habido
g ran inte rs e n las mquin as calculadoras. En 1633 Sc hickard (junte co n su co mpaero Keplc r. el
as trnomo ) describi una calcu lado ra mec nica para sum ar . restar , multiplicar y dividir. Dise una rued a
con die z radios. uno de los cuales e ra m s largo q ue los dems. Esta rueda iba sit uada mecnicamente
j unto a otra rueda similar. Cuando la primera de es tas rueda s haya avanzado 10 Increme ntos angulares .
que corresponde n a los l Odgitos . e l radio largo engarza co n la s iguiente rueda que avanza un paso. En
ot ras palabras. invent el e llevar en aritm tica. Por la mism a poca Pascal ( 1642) y Leibnit z (1671)
tuviero n ideas parec idas. Pe ro e l pri mer es fuerzo serio para construi r una calculadora mecnica fue hecho
200 aos despus ( 18331 por Babbage. un profesor de matemt icas ingls. Esta mq uina contenta lodos

Prlogo, Breve historia de la electrnica

29

los elementos de una computadora digital moderna . Empleaba tarjetas perforadas (inventadas 30 aos
antes por Jacq uard. un fabricante de tapices francs) para la entrada y la salida, conteniendo ambas
memoria y una unidad aritmtica: era una mquina de programa almacenado. Sin embargo la tecnologa
de entonces no permiti convertir la idea en una mquin a prctica."
La primera calculadora efectiva fue electromecnica, no electrnica, y fue construida en 1930 por IBM
bajo la direccin del profesor Aiken de la Universidad de Harvard. Se le llam la calculadora IBM de
secuencia automlica controlada, Mark h . Tena 17 m de largo y 3 m de altura y era de aspecto muy basto.
Estuvo en servicio haciendo clculos durante ms de 15 aos. La primera calculadora elec trnica fue
'completada en 1946 por Eckerl y Mauchly en la Moore School of Electrica l Engineeri ng en la
Universidad de Pensilvanta. Se le denomin ENIAC. Se emple para el clculo de tablas balsticas para
las fuerzas armada s y no fue una calculadora de em pleo general. Contena 18.000 tubos de vaco . Ocu paba
40 bas tidores con equipo y precisaba un local de 10 x 13 metros . Van Newmann. asesor del proy ec to,
sugiri que la calculadora emplease la numeracin binaria y la lgica de Boole y que tuviese progra mas
para las operaciones bsicas.
En 1946 la IBM introdujo la primera calculado ra electrnica pequea del tipo 603, y dos aos ms
tarde surgi la IBM 604, calculado ra digital de uso ge neral, de las que se vendiero n unas 4.000 mquin as
en 12 aos. As pues, se puede considerar el ao 1948 como el de l principio de la industria de las
computadoras (casualmente el transistor se invent ese mismo ao) .
En esa poca se dedicaron a investigacione s en este campo varias instituciones entre las que se pueden
citar las Universidades de Harvard, Princeton y Pen silvania , el Instituto de Tecnologa de Massachusetts.
el Instituto Coura ru de la Universidad de Nueva York y el I nstituto de Estud ios Avanzados. Estos
ingenieros y cientficos apoyados por entidades gubernamentales desarrollaron conce ptos que seg uidamente se aplicaron a calculadoras comerciales de uso general.
La IBM 650 considerada como el caba llo de batalla de la industria se introdujo en 1954. Esta mquina
con tubos de vaco, as como otras fabricada s por distintas compaas constituyen lo que se llama primera
generacin de ca lculadoras digitales.
Dura nte los ltimos tiempo s de la era del tubo de vaco se desarrollaron tamb in las computadoras
analgicas. Tales mquinas se usan para resolver grandes sistemas de ecuaciones diferenciales, y se basan
en la construccin de circuitos electrnicos cuyo comportamiento est gobernado por una serie de
ecuaciones anlogas a las que se pretende reso lver. El analizador diferencial desarrollado por Bush en el
Institut o de Tecnologa de Massachusetts fue la primera calc uladora analgica electrom ecnica. Las
versiones electrnicas adquirieron realidad al inventarse el amplificador operacion al.'

CONTROLES
El or igen de las industrias de control electrnico est en la electrn ica industrial, que puede definirse
como el empleo de dispositivos electrn icos en el manejo y control de mqu inas en la industria (que no
sean de comunicacin ni de clculo). Los elementos empleados fuero n los tiratrones. diodos gaseosos.
rectificado res de mercurio y tubos de alta tensin y gran potencia. Estos dispositivos se emplearon en
circuitos de alta tensin y potencia, rectificadores de alterna a continua, inversores de continua a alterna,
y circuitos de transmisin de alta ten sin. Tambin se aplican a la regu lacin de velocidad de motore s,
reguladores de tensin, calentamiento dielctrico y por induccin, y otros varios procesos de control
industrial. Tambin en esta poca se empez a usar el computador analgico en sistemas de control.
~ Lo, c,rucrw, dc B abba~c no rueron baldos. Su, inlenl", 1M'" coo'l ruir la ca!culadu ra 'e Iradujeron en un per fec,:iunamienlu en el n",nejn
dc m"'1uinas-hc rra mien ,"s lo '1ue fue un ;ran ",p ae!oc n la ind u, lriu de la In;lalerru ~ iclori"na .
~ EIlrmi no "amplific..dor opcra<" ional ~ lo in vcnl J. R. Ragazzini. un colega de Millma" en la Univcf';id,,J de Culumhia. y 1"" lc'rilJnnenle
unu de los pro rc,",c, dc Grabel en la Universidad de Nueva Y" rk.

30

Microetectr nca moderna

Anlisis y Teora
Adems del crecim iento Indus trial se hicieron gra ndes progresos analticos y tericos. Lo que sigue es
una breve indicacin de la magnitud de los logros.
El anlisis de circ uitos y las tcnicas de s ntesis progresaron notab leme nte con los trabajos en equipo
en los laboratorios de la BeUy del Instituto de Massachu sctts. Bode y Nyquist desarro llaron la teora del
amplificador realimentado y transformaron el conce pto de l circuito de Black en otro. exte nd iendo as su
empleo.
Shannon de Estados Unidos por un lado y Kotelnikov de la Unin Sov itica po r otro desarrollaro n una
teora sobre la informacin que prod ucira un gran impacto en la transmisin de dato s. Una a plicacin
particu lar fue la codificacin y modulaci n de impul sos. tcnica pro puesta por Reeves.
Otra cont ribucin de Shannon fue el empleo del lgebra de Boole en el an lisis y diseo de circuitos
de conmutaci n ( 1937). En Gran Bretaa Turing expuso el conce pto de una mquina calc uladora universal .
y Wilkes desa rro1l6 la mic roprogramacin.
Los sistemas por muestreo introducidos por Ragazzini y Zadch se ap licaro n a funciones de control
preparando el camino para los sistemas de control basados en procesos de clc ulo d igital.
El estudio de los materiales. en especialla aplicaci n de la mec nica cuntica a los slidos condujo a
nuevos dispositivos y ms tarde con tribuy en la invencin del transistor. Para aprovechar las ventajas
apo rtadas por la electrnica se crearon los transductores que convierten la luz, el sonido. la presin . la
tempera tura o cualquier otra variable en seales elctr icas.
Nueva s formas de ins trume ntos (oscilosco pios, vo lt metro s de tubos de vaco. erc. ) empica n la
electr nica para mediciones y para comprobaci n de equipos electrnicos.
La dcada de 1950 fue de transicin . Seala el final de los sofist icados sistemas de tubos de vaco y
el co mienzo de la edad deltransistor. Actualmente todo el campo est do minado por los semiconductores
salvo las ap licacio nes de alta tensin y gran potencia. Ciertamente. los tubos de vaco han desapa recido
de todos los cursos de ingeniera elctrica.

LA ERA DEL T RANS ISTOR

La era de la electrnica con semiconductores co mienza con la invencin de l transistor en 1948. Sin
embargo esta era fue con secuencia de trabajos anteriores realizados entre 1920 y 1945. Durante este
perodo el estudio de las propiedades electro magn ticas de los semiconductores y metales fue la principal
ocupacin de los fsicos. Co ntribuyero n eficazmente Block . Davydov , Lark-Horovit z. Moti. Schottky.
Sla rer. Somrnerfcld . Van Vlcck, Wigncr, Wilson y otr os de universidades de todo el mundo. Se hicieron
intento s para fabricar dispositivos electrnicos com pactos. En 1930 Lleruhal y Heil registraron una
patente de un dispositivo amplificador slido. y precursor de los transistores de un in y de efecto campo.
Si n em bargo estos elementos no progresaban y muy probablemen te ninguno de los inven tores pudo
explicar la leora subyacente.
No hubo gran mpetu en el desarro llo de los elementos de estado slido hasta 1945. Los tubos de vaco
tenan sus limitaciones: consumen potencia an cuando no estn en servicio. y los filamentos se quemaban
exigiendo la sustitucin deltubo. M. J. Kel ly, en aquel entonces directo r de investigacin y ms tarde
presidente de la Bell Laboratories. previ que unas co municaciones telef nicas eficaces iban a requer ir
conmutacin electrnica y mejores amplificadores , preferiblemente a los sistemas electromecnicos.
Form un grupo de fsicos tericos y exp erimentado res. adems de un ingeniero elctrico y un qu mico
para investiga r el estado slido. El siguiente entreco millado est sacado de la autorizacin para trabajar
en este grupo: ..Las investigaciones seguidas en este caso tienen po r objeto lograr nuevos conocimientos
que puedan ser utilizados para el desarrollo de co mponentes tota lmente nuevos as como apa ratos y

Prlogo. Breve historia de la electrnica

31

elementos de los sistemas de comunicacin. Uno de los principales objet ivos era el de co nseguir un
amp lificador de estado slido que eli minara los inconvenientes del tubo de vaco.

Descubrimiento del transisto r de unin bipolar

En diciembre de 1947 se reali z una prueba en la que se presionaron dos sondas de oro prximas entre
s con tra la superficie de un cristal de german io: se pudo observa r que la tensin de salida de l colector
(respec to a la base de germanio) era superior a la de entrada en la sonda emisor. Brattain y Bardeen se
dieron cuenta de que esto era lo que buscaban s iendo ste el nacimiento del amplificador en estado slido
en forma de transistor de contacto. La actuacin del primer transistor era verdaderamen te pobre . Tena
poca ganancia y ancho de banda. era ruidoso y s us cara ctersticas variaban mucho de uno a otro ejemp lar.
Shoc kley, de l grupo puntero , dedujo que las dificultades proced an de los puntos de conta cto. Propu so
eltrans istorde unin y casi inmediatamente comp let la teor a de su funcionamiento. El nuevo disposit ivo
tena portad ores de cargas de amba s polaridades, po r tanto se trataba de disposi tivos bipolares. Los
portado res eran los electrones, ya bien conoc idos y otras part fculas ex tra as. que se pueden explicar slo
por la mecnica cuntica y que se comportaban como si fuesen cargas positivas. Se les denomin huecos
porque representaban lugares del cristal en donde deb ieran haber electrones pero que sin emb argo no los
hay. La teora de Shock ley predice que con poca tensin aplicada pueden consegui rse grandes densidades
de corriente. Inmediatamente surgi la posibilidad de conseguir dispositivos prcticos impo rtantes sin

ji/amemos calientes.
Las propiedad es elctricas del transistor depe nden del co ntrol cuidadoso de las impure zas es pecficas
que contenga (del orden de un tomo de impu rezas por 100 millones de tomos de germanio). En
consecuencia no se pueden fabricare lementos fiables s in cristales excepcionalmente puros a los que aadir
las impurezas [Link], de los laboratorios Bell. pudo fonnar cristales de germani o con un contenido
de impurezas menor de una parte en mil millones. A part ir de aqu se pudieron fabricar transistores de
unin por crecimiento, seguidos un ano ms tarde de los transistores de unin por aleacin . As. en 1951,
tres anos despus de l desc ubrimiento de la amplificacin en un slido ya se fabricaron come rcialmente .
La compaia American Telephone and Telegraf (ATr) tom una import ante decisin: no mantener
secretos estos descubrimientos. Actua lmente mantiene simposios para comunicar sus co noci mientos a
profesore s (que a su vez los transmiti rn a sus alumnos) as como a ingenieros y cientficos de otras
empresas , y ofreci licencia de sus patentes a cualquier empresa interesada en fabricar transistores. Las
primera s co mpaas que fabricaron trans istores fueron: RCA . Raytheon . General Elect ric, Westinghouse
y Westem Elect ric (el brazo industrial de ATI). Ot ras emp resas ya ex is tentes o de nueva creacin pronto
empezaron a fabricarlos.
En 1954 la Texas lnstruments. en su nuevo laboratorio dirigido por Teal anunci la fabricacin de
transistores de silicio. El silic io permite trabajar a 200 "e mientras que la variacin de caractersticas del
germanio limitan su uso a los 75 "c. Actualme nte la gran may ora de elementos sem iconductores se
fabrican con silicio.
Barde en, Branai n y Shockley reci bieron el prem io Nobe l de Fsica por su invencin del transistor y
su contribucin al entendimiento de los semiconductores. ste fue el primer Nobel conced ido en 50 aos
a un dispo sitivo de ingeniera.

Invencin del circ uito integrado

En 1958 poco despus de unirse a la Texas Instrumerns. Kilby concibi la idea de un circuito
monol tico, es decir. la idea de emplear german io o silicio para co nstruir un ci rcuito co mpleto. Las

32

Microetectrontco moderna

resistencias se form aban con la masa del se mico nd uc to r o por difusin de un semiconduc tor c n orro. Kilby
formun conden sado r usa ndo una capn metli ca y e l semiconduc tor co rno armadura s y una capa de xido
co mo dict crri co (tambi n ide Ull conde nsador de unin ). Par a demostrar sus conc e ptos const ruy un
osc ilador y un multvibrador de ger manio. formando c irc uitos intercon ectando los hi los de oro, si bien en
la descripcin de la pa tente consta que las co nex iones puede n hacer se dep ositando una capa de materia l
co nd ucto r. En 1959 Kilby anuncio e n una co nve nc i n del iR E e l c ircuito slido que luego se llam circuito
integrado. En es a m isma poca. Noycc (Direc tor de investigacin y de sarrollo de Fairchild Sem iconductor
y presidente del Co nsejo de Intc tu vouunbin la idea do un ci rcuito r nonolico para fabri car -dispositi vos
mltiples en una pieza de silicio. co n la posibilidad de rea lizar cone xiones e ntre e llos co mo parle de l
pro ce so de fabricac in. reduciend o as el tamao. peso. e tc. as co rno el coste por e lemento ac tivo.
Explic cmo se pueden fabricar resiste ncias y ca pacidades. y c mo se pueden a islar unos de otros
e leme nto s mediante diod os 1"11. y cm o puede n lle va rse a cabo las concx ione s va po rizando metal a travs
de ve ntana s en la capa de xido.
La clav e para la fabricac in de circuitos integ rados fue e l tran sistor plunar y 1:1 ela borac in en rnusa.
El proceso plnnar usa transistores en los que las regio ne s de hase y de e misor se d ifundan en e l co lec to r.
El pr imer transistor por difu sin fue creado por Hoemi e n Faircbild (19 58) . Un nue vo paso fue la
pusivacin de las unione s co n una capa de xido. S e e mplea ron tcni cas de fab ricaci n fotolh ogr cns y
los procesos de d ifusin de sarrollados anteriorme nte po r Noycc y Moo re. El proceso en masa permiti
fabric ar num ero sos c hips en una so la oblea . En 196 1tant o Fairchi ld co mo Te xas lnstrumcn rs fabr icaban
ya comerc ialmente ci rcu itos integrad os sie ndo pro nto seg uidas por otros fabri cant es.

Microelectrnica
Actualme nte se pueden fabrica r en un so lo c hip de s ilicio. adem s de c ircuitos ind ividuales. subsistemas e inclu so sistemas completos co ntenie ndo m illa re s de com pone ntes . La voz ..electrni ca se refiere
al d ise o y fabricacin de estos c ircuitos integrados con gra n de nsidad de co mpo nentes. Moo rc (fue
dir ec to r de investiga cin en Fairc hild y pres idente de lntcl ) ya observ en 1964 que e l nm e ro de
co mpone ntes de un chip se ha ido duplicand o cada ao hasta 1959 c uando se introdujo el rran slstor planar
y pred ijo ace rtadamente que esa tend en c ia prosegui ra. Un chip grande m ide LInos J x 5 111m de superficie
y 0.3 m m de grue so (co mo unas tres veces e l e speso r de un ca bello). Es tos chips pued en cont en er (e n
19R4) hasta unos 400.000 co mponentes lo que eq uiva le a 30.000 com pone ntes/mm ", Estas cifras son
di ficiles de co nce bir so bre todo ten iendo e n c ue nta que los c ircuitos integrad os se e laboran e n una fbrica
indu strial y no e n un labonnorio . Los siguientes dat os da n una idea aprox imada del aum ento de
co mponentes en un chip:
195 1 - Transistore s di scretos.
19!1O - Integ racin a peque a esc a la (SS I) men os de 100 co mponentes .
1966 - Integracin a medi a esc a la (MS I) e ntre 100 y 1.000 co mponentes.
1969 - Integracin a g ran esc ala (LS I) e ntre 1.000 y 10.000 co mponentes .
1975 -ehucgr acin a muy gran escala (VLS l) ms de [Link]) co mponentes.
(En 19R4 un chip VLS I 1ena 100.000 com po nentes o ms por chip).
Las ind ustrias e lectrnicas se pued en d ividir e n: fabr icant es y usuarios de chips. Los fabrican tes de
c irc uitos integ rados so n el sec tor nui s imp or tant e de las indu strias de co mpo ne ntes. micntrus qu e los
usuarios so n a menu do las com pa as q ue cons truye n eq uipos pam co municac iones. co ntrol y c lculo.
Desde la invencin de l c ircuito integra do mu chas innovaci ones han co ntribuido al auge de la mlcroelecirn ica: en lo que re sta de es ta secci n se descri be n varias de e llas.

/'((Uogo. ltre ve historia de /" electr nic a

33

TRA NS ISTOR DE EFECT() C AM I)( )

Muchos de los tra bajos qu e condujeron a la inve ncin del transisto r bipolar lle van a e stud iar el electo
que so bre la co nductividad tic los semic onduc tores tiene la apli cacin de un campo elctrico. Shocklcy
propuso en 195 1 el transistor de un in de e fec to ca mpo (JFET), pe ro pronto fa llaron sus intentos de
fab ric arlo debido a q ue no se pudo conseguir una supe rficie es ta ble. Esta d ificultad q ued superada WIl
la introd uccin del proceso planar y la pasi vacin co n d ixido de silic io (S i~) . En 1958 se fabric el
prime r J FET por T cszner e n Francia.
Las tcni cas em pleadas paru conseguir el J FET co nd uje ron a un re sult ado an ms importante: e l
transisto r meiul- xido-scmlconducror nnnsisror de e fec to call1 pll >> ( M ( )S F I ~: I') . Sil es truc tura csni fo rma da por un e lec trodo menilicc <la pue rta ) sit uado so bre el S i0 2 e ntre dos electro do s en e l sem icond uctor
{fuente y dren aje ). La corriente en el c ana l entre fuente y drenaje se puede reg ular ap lica ndo una tensin
adecuad a e ntre la puerta y e l semic onduc tor. Atalla y Ka hng de Bell Labo ratode s ( 1% 0 ) anuncia ro n este
disposit ivo. Dos aos ms tarde . Ho fstein y Heiman de RCA reg ist raron una pate nte por su MOS FET.
adecuado para la fabricaci n de c ircu itos integrados. Las sucesivas mejo ras de prm:eso y de dis e o as
co mo e l crecimient o de las industrias del c lculo han hecho de los dispo sitivos MO S los tran sisto res Ill's
unive rsal mente e mpleados.

C IR CU IT OS INT E"II AIl O S I)J(;JT A L ES

El auge de las indust rias de l clc ulo estimu l un nue vo desarrollo de los circuito s integ rado s: a su vez,
los nue vos conceptos sobre estos cir cu itos determ inaron una nue va estructura de las calcu lado ras. Do s de
lo s ma yores avances co rres ponde n a una llueva co nfigu rac in de los c irc uitos y a mem orias sem icon duc tor as.
La ve loc idad. co nsum o de pote ncia y den sidad de com ponen tes son cuestiones a tene r e n c uenta e n
los c ircu itos integ rados d ig ita les. Una pri me ra fumi tia l g ica bipolar fue la d e trans isto r acop lado ide ada
por Buie ( 196 1) de Pacfic Se miconduct or. de la qu e se der iva la M.~ i("(f fl' IIIJ/t,r ll"[Link]/or (lTL ) normal.
El principal rasgo dc l lTL es e l e mpleo de tran sisto res eo n em isores mltiples para aume ntar la densidad
de com po nentes. Mo torola cn 1962 nurodnjo una lnea bipolar de alta veloc idad conocida co mo 11.~/( /ltll'
emisor aceptado (E C L ). Se consiguie ron ch ips bipo lares de g ran densidad c mpica ndo transistore s co n
mlti ples co lectores ( 1972). Esta nueva tecn olo g a desarro llada sim uttncumcn tc po r Hart y Slo b tic
Phillip s (H o landa) y por Be rgcr y Wicdman de IB M (A lema nia ) se denomi n M,~ im de ill.l'l'Ccit lI
i llli'gn u/a (F L ).
El em pleo de MO S FETs result atracti vo por q ue se pued en co nseg uir g ra nde s densidades de componen tes. Orig ina lme nte la fabricacin emple PM OS . es dec ir, MOSF ETs cuyo func iona miento de pe nde
<le I fl ujo de huecos. L" mejora en los mtodos de fabr icucin co nd ujeron al e mple o de e lem en tos
metal-xido -sem icon ductor de can" I " (N MOS ). En estos Imnsis torc s la con duc cin es po r los ele ctrones
result and o un a gran ve locidad de trabajo. Ac tua lme nte la tecno loga NMOS e s la predo minante .
El metal- xido -semicond uc tor complementario rC MOS ) es una co nfig urac in q ue empica tanto el
PMOS d e cana l /' como c l NMOS de can al " . E n un p ri nc ip io se apl ic a re loje s digit ale s dc hidn a s u
bajsimo con sum o de poten cia. Rec ien tes progresos habid os en la red ucci n de l tam a o han hecho del
C MOS u na de las mejores recn olog tas de los u os 19XO. Se pre v {lue en 1990 la lec no log a C MOS
prevale zca sobre la NMOS .
S in e mba rgo . e s e n l'IS me mo ria s semiccnduc to ras don de el MOS FET nen e mayor fuerza . Las
II/l' /II IJI"lU d e accrso a l t'a for i o (R A M ) capaces de a lmacenar y re stitu ir datos (escritura y lec tura re spec rlvamen te ). se desarroll aron en principio e mplea ndo tran sist ores bipo lares y se co mercia lizaron en 1970.
Estos primeros RAM po dan alm ace nar aproxim adamente 1.0 00 bits de inform aci n. Co n la tec nolog a

34

M icroeleclrllicQ moderna

MaS se pudo disponer de 16.000 bits RAM en 1973, 64.000 bits en 1978 y 288.000 en 1982, alcanzndose
el milln de bits en 1986.
Las memorias de slo lectura (ROM) emp leadas para las tab las de las calc uladoras (p. ej. para hallar
los valores de sen x) se introdujeron por primera vez en 1967. En un suces ivo adelanto aparece el ROM
programab le (PROM) y el de borrado (EPROM) del que los datos almacenados se pueden anular (borrar )
para almacenar otros nuevos.
Ms de la mitad de los circuitos integrados Ma S fab ricados en 1970 lo fueron para la industria de
calculadoras. Con la idea de normalizar el dise o de los chips conservando al mismo tiempo los circu itos
demandados por los consumidores, varios fabricantes de circuitos integrados propusieron subdividir la
disposicin de la calculadora por funciones. Este concepto condujo al microprocesado r desarrollado por
M. E. Hoff de Intel ( 1969). En 197 1 la misma Intel introduj o el microprocesador de 4 bits seguido un ao
ms tarde por un elemento de 8 bits. Pronto comenzaron otras empresas a fabricar microprocesadores y
a los finales de la dcada de los 70 se dispona ya de unidades de 16 bits. Los progresos en los
microprocesadores condujeron a la calculadora en un solo chip. Cochran y Boone de Texa s Instrumen ta
patentaron en 197 1 una microcalculadora en un solo chip, si bien la lntel 8048 fue la primera comercialmente asequible.
Otra consecuencia derivada de la tecnologa Ma S es el dispositivo de carga acoplada (CCD) inventado
en 1970 por Boyle y Smith de S eU Laboratories, y que consiste en colocar entre drenaje y fuente una
cadena de puertas prximas entre s. Las cargas introducidas en el ca nal bajo las puertas pueden transferirse
desde un electrodo de puerta al siguiente cuando se aplican tensiones de puerta apropiadas . Estos
dispositivos se han empleado en memorias y registrado res en un RAM de 64.000 bits construido en 1977.
Recienteme nte el CCO ha encontrado aplicac in en fbrica s, procesado de imgenes y comunicaciones.

CIRC UITOS ANALGICOS

El mayor desarrollo en los circuitos integrados analgicos se produjo en 1964 cuando Widlar que
entonces estaba en Fairchild Sem iconductor cre el amplificadoroperaco nal (el ~A 709). Desde entonces
el amplificador operacional se ha convertido en caballo de batalla en el procesa do de seales analgicas.
Se han desarrollado tambin otros circuitos comprendidos los multiplicadores analgicos, los convertidores digital-analgico (D/A) y analgico-digital (AIO ) y filtros activos. La mayora de estos circu itos
emplean transistores bipolares, pero tambin se han empleado MOS hasta fina les de la dcada de los 70.

T CNICAS DE FABRICACIN
El aumento en la densidad de componentes debe mucho a quienes mejoraron los procesos de
fabricacin. Estas mejoras comprenden el crecimiento epitaxial ( 1960) , la fonn acin de mscaras ( 1969)
y la implantacin de iones ( 1971). El ancho mnimo de lneas en los chips integrados era de 25 micras en
1961 y actualmente es de 2 micras estando previsto que sea de l micra en 1990. Puesto que la superficie
decrece y la densidad aumenta como el cuadrado de la dimensin lineal se espera que a finales de la actual
dcada se disponga de circuitos con densidad de componentes 600 veces mayor que la de los primitivos
circuitos integrados. Otra contribucin al diseo y fabricacin de circuitos integrados eficaz fue el diseo
con ay uda de computador. Los programas SPICE y SU PRE M desarro llados en la Universidad de
California en Berkeley y en la de Stanford respectivamente usan amp liamente esta tcnica.
Desde los pocos fabricantes de circuitos integrados ex istentes en 1960, la industria ha ex perimentado
un crecimiento inusitado. Como ejem plo, en el Silicon Valley (regin al sur de San Francisco en Santa

Prlogo. IIreN: iIi.~lOrill de ItI electr nica

35

Clara . Californ ia) entre llJ67 y 11)61) se formaron 24 nu evas companas tic mic roele ct r nica. En 19H4 se
dedi caron a la fabrica ci n de circuitos inte grados ms de lOO empresas .

Industrias de la comunicac kin y control

Al p rincip io estas ind ustrias fueron ad opt ando la e lec trnica dc e stado s lido co n cie n a leru itud . pero
actualm ent e todo e l equipo. e xce pto las pa rles de aita te nsi n y g ran potencia. es t tran slsrcri zado . Se
emplean tanto transistores d iscre tos co mo integ rado s. Los tran sist ore s d iscr eto s se e mplean pri nc ipa lmc nte
en aplic acione s de tensin (J pot encias medias incl uidas las ind ustria les y otro s (etapas de salida de a ud io.
sistemas de e ncend ido en aut om vile s. arrastre de ci ntas. sum in istros de potencia. ctc.).
La indu stria de comunicac iones ha ca mb iado drsticament e debi do a la micro e lectrnica . En 1970 la
tra nsmi si n de daro s era slo una pequea pa rle del vo lumen total de tod as las com unicac iones. No
obstante. hasta 19 80 la trunsm ision digital ig ua l o super la nnul g ica. La ado pc in de la tra nsm isi n
PCM se pu ede atribu ir dir ectamente a la electr nica. Lo s sis temas te lefnico s actua lme nte uti lizan
circuitos integrado s pa ra la conmutacin y las memorias. Los filt ros activos a frecuencia voc al se equipan
co n circu itos integ rados analg icos. Evidentemente . los sat lites de comun icaci ones han sido posib les y
eco n m ic amente viables grac ias ula electrnic a .
La introduccin de la com unicacin d ig ital ha supues to mucha s inn ovacione s en los c ircuitos. Alg unas
de estas innovacio ne s so n h biles modificaciones con las qu e lo s c ircu itos trad ic io nales se han adap tad o
a las nue vas tecnologas y usos. Ot ras so n nuevas. ent re las q ue estn los filtro s de co ndens ador y los filtros
d igitales. Un nuev o cmn IJo {le la electrnica . e l proces ado de seales d igita les. ha prosperado porque lo s
circu itos integrados han posi bilitado el en lace en tre comun icac io nes y clc ulo .
Asimi smo . la industria del contro l se ha visto m uy in fluida por la e lectrn ica de sem lcond uc tc rcs. En
alguna s ap licac iones trad iciona le s tales co mo la regulacin de ve locidad de motores y lo s rectificadore s
e inve rsores de pote ncia. e l rect ificador go be rnado de silic io (S C R). un disposit ivo b ipo lar de c uatro capas.
ha reemp lazado a l tiratrn. Al princip io de la e ra de los transisto re s se emple un a peq uea calc ulado ra
en e l co ntro l de mquinas herramientas. La a utom atiz aci n de ]lruceso.s industriales fue posi ble med iante
grandes calc uladoras e lec tr nicas.
La introdu ccin de los mic rop roc esadores. m icrocom putado ras y otros ci rcuitos d igit ale s integrado s
ha cond uc ido a ingen ioso s ins trumento s y a una va rieda d de sis temas de control d ig itale s. Con la
microelectrnica. las ca lculado ras ha n pa sado a ser compone ntes integ rale s de sistemas de co ntrol.

La industria del c lculo

Lo m s notable de la rev ol uc in microelectrn ica ha s ido la creac in de una ind ustria com pletamente
llueva : la de las calc ulado ras .
Mie ntras que los orgenes de la c alcu ladora e lec tr nic a se basan en e l tub o de vac o pro nto se dej
scmi r e l im pacto de la tccnolog fa de los se m ico nd uc tores .
La primera computadora uunsis tori zada pa ra un objetivo espec ial file de sa rrollada por C ray e n 1 95 fl . ~
La IBM 7090n094 ( 1959 ) fue la prime ra calc ulado ra de e mpleo ge neral de la segund a ge neraci n. es
decir, trnnsistorizada . La tercera ge nerac i n se carac teriza por Ull ci rcu ito integrado h brido (m ucho s
transistorcs discretos en una capi. n ica) ( lBM 360 en 1964 ). [Link] umcntc otros fabricante s entre los
que figur an Burrou ghs. Co ntrol Data y Un ivac in troduje ron calculadoras medi as y grandes conten ie nd o
~ nay~' un fundador de " ( '<lm ",1 !la la C''' I~ lI'' l lO 'n ~ Il"e luq o fund la "Clay COIl1 [1 I1 I<"._

36

Mtcroetectrontca moderna

circuitos integrado s. En las mqu inas IBM serie 370. 1970 de tercera generacin se emplearon memorias
de semiconductore s.
En 1965 se inici una nueva revolucin en la industria de las calculadoras cuando la Digital Equipment
Corporation introdujo su minicalculadora PDP8 . primera mqu ina que se vendi por debajo de los 20.000
dlare s. Desde entonces la minicalcu ladora se convirti en lo ms principa l de la industria. abarcando
numerosas empresas de todo el mundo .
En los aos 80 empieza a desarro llarse e introdu cirse la cuarta generacin de mquin as que emplean
chips VLSI tanto para el procesado com o para la memoria. Actu almente se pueded isponerde una var iedad
de tamaos que van desde simples micro-procesadores a supercalculadoras capaces de desple gar decena s
de millon es de instrucciones por segundo. Se han realizado muchas innovaciones para conseguir ms
velocidad. mayor capacidad y ms flexibilidad de proceso. entre las que estn los chips ms rpido s de
alta dens idad. incluido el proceso paralelo. y nuevos conceptos de recopilacin y montaje . Adems la
particin del tiempo y la distr ibucin del clculo han influido en el uso de estas mquina s.
El impacto de la microelectrnica ha sido bien expresado por Noyce en 1977: actualmente la
microcalculadora con un coste de quizs 300 dlares tiene ms capacidad de clculo que la primera
calculadora electrnica grande ENIAC. Es 20 veces ms rpida. tiene ms memoria. es centenares de
veces ms eficiente. consume la potencia de una bombilla y no la de una locomotora. ocupa un volumen
30 .000 veces menor y cuesta como mximo 10.000 veces menos . Se puede adquirir por correo o en el
come rcio local.

EL FUTURO
A lo largo de la mayor parte de la vida del lector le ha sido posible tener comunicacin televisiva con
todo el mundo y de hecho con millon es de kilmetros en el espacio. Lo que es sorprendente no es la cos a
en s sino el hecho de haberlo conseguido. Es aterrador que algui en desde el John son Space Center
pueda manejar un interruptor y dar rde nes a un veh culo espacial a un billn de kilmetro s lejos. hacer
girar su cmara de televisin. enfocarla y enviar imgenes a la T ierra . (An a la velocidad de la luz necesita
cerca de dos horas para transmitir la instruccin y recibi r la seal). Nada de esto sera posible sin los
ade lantos en electrnica culminados con el circuito integrado descrito en las secciones anteriores. Sin
emba rgo esto es historia y su logro seala el camino futuro de la electrnica.
La posibilidad de transmitir imgenes de televi sin desde un ingenio espacial ex ige que los equipos
de comunicacin. clculo y control acten al unsono como una entidad nica. Es evidente que los distintos
campos de la electrnic a se van uniendo y el sistema electrn ico inteligente resultante es el centro de
la edad de la informacin.'
Las cada vez ms extensas comunic aciones ju nto co n el abaratamiento de las calculadoras ha hecho
que stas se vayan introduciendo en todo s los aspectos de la sociedad. Adem s de las ap licacione s
industriales tradicionales. la relativa facilidad con que se puede almacenar la informacin. recuperarla,
manipularla y transmitirla ha afectado a nuestros dom icilios y a nuestros trabajos. La automatizacin
(procesadores. corres pondencia electrnica , etc. ) est transformando nuestra formad e Irabajar. El manejo
de la energa , las aplicacione s al control. sistemas de seguridad. televisin por cables. y calculadoras
personale s son alguna s de las aplicaciones domsticas de la electrn ica. Como ejemp los de la influencia
de la electrnica en los transporte s podemos citar el metro de San Francisco, el sistema de encendido en
los automviles as como el control de gases y los sistemas de seg uridad. Tal ser el impacto de la
microelectrnica que segn Noyce. al final de este siglo la elec trnica ser comparable al motor eictri co
actual , que pasa desapercib ido.
7 A la poca que va dew e los aos 80 hasta el siglo XXI se le ha llamado la edad de la infonn aci6n" . porque ms del 50% de los trabajos
desarrollados en los ESlados Unidos pueden elesifica rse comOde infann acin .

Prlogo. Bre ve historia de la electr nica

37

Cree mos que las industrias e lectrnica s seg uirn siendo 1:1S cuat ro C .. = Componentes . Co municaci n. C lculo y Con trol. Cada vez habr ms dific ulta d para co nside rarlas co mo entidades sepa rad as ya
que cada vez se irn co mbinando ms . Asimismo [a distinci n ent re dispo sitivo, circuito y sistema se r
cadu vez ms confusa. En la prx ima d cad a I; ele ctrn ica estar do minada por la tecn olo ga basada en
el silici o. Sin embargo las inve stigacio nes sobre nue vos materi ales. so bre lodo de l arsen iuro de ga lio (Ga
As) pro bablemente e mpezarn a jugar un papel significativo. Tambi n se es pec ula co n que materiales
org nico s como e l DNA pueda n emplearse e n electr nica a finales de l siglo.
El futu ro de la ele ctrnica se deduc e cla rament e de las siguientes estadfsrica s so bre el merc ado de
e lectr nica en los [Link].. e n milla res de mi llones:
1985
1990

venta de elementos
venta de c ircuitos integrados

2 15

400

[[

35

Estos datos indican que la creatividad e inge nio de los ingenieros y cient fficos de aye r e s e l tra mpoln
para e l maan a.

PRIMERA PARTE

Dispositivos
Semiconductores

Los dispositivos sem ico nductores son los componentes ce nt rales e mpleados en el procesado de
seales elctr icas que aparece n en los s iste mas de comunicaci n. clc ulo y co ntrol. El compo rtamie nto e lctrico de estos dispositiv os controla las fuentes y conm utacio nes necesarias en los
circuitos de proceso de las sea les. En los c inco ca ptulos de es ta seccin se expondr el funciona mien to fsico y carac tersticas de los pri ncipales e lementos se miconductores. Se introducen las
aplicac iones de circ uitos e lementa les p..ra de mostrar cmo so n aprovec hadas sus caracte rsticas e n
conm utadores y amplificadores . El capitulo 1 trata de los conce ptos q ue go bierna n las pro piedades
e lctricas de los se micond uctores. Los captulos 2 a l 4 tratan de Jos diodos de unin y de los
trans istores bipola res y de efecto campo. El ca ptulo 5 se refiere a la fabricaci n de circuito s
integrados.

Semiconductores

El contro l delllujo de part cu las cargad as es fund amental para e l funcion amie nto de los dispositivo s
e lectr nicos . Por 11010. los mate riales e mpleados en estos d ispositivos de ben ser capaces de proveer una
fuente de cargas m viles. y el proceso qu e go bierna este mo vim ie nto de cargas ha de pod erse regul ar. En
este ca ptulo se ver n 1:1S propiedades fsica s de [os se m ico nd uctore s e n cua nto se relacionan a los
dispositivos electr nicos . Estud iare mos e n parti cul ar las carac tersticas de los materi ales q ue nos permitan
d isting uir los semiconduc to res de los ais lan tes y de los cond uctores y ve remos tambi n e l do pado de un
semicond ucto r co n impu rezas plra co ntrolar su funcion amiento.
Vere mos tam bin los dos proce sos de transporte de c arg as: 1) por despl azamient o. que es e l movmient o de cargas prod uci do por un cam po e lctrico. y 2) por d ifusin , q ue es el mo vimiento result ante de
una d istribuc in de ca rgas no uniforme.

1-1. FUERZAS, CAMPOS Y ENERGA

En es ta secc in introduciremos las cantidades bsicas q ue descr iben los e fcctos de las partfculas
cargadas. Para la mayor pa rte de los estud iantes no es m s qu e UII bre ve rep:lso a mater ias ya trat ada s
anterio nnente en cursos de flsicu.

Partculas cargadas
El electrn es la principal de las part culas cargadas neg ati vam ente. c uya carga o ca ntid ad d e
electricidad es de 1.(lO x \O I~ cou lom b. El nm ero de elec trones por coulom b es la recproc a de la carga
elec trnic a. o aproxim adamente 6 x 101" . Puesto qu e una co rriente de I amper io es igualu un co ulom b
por seg undo. una co rriente de un picoam pcr io <pA o 1O11 Al represe nta el movimiento de 6 m illone s de
electrone s. S in embargo. una corri en te de I pA es tan peque a que e xisten co ns ide rables d ific ultade s para
medirl a.
T rat nd ose de rcmos. frecuentem en te conv iene co ns idera r e l ncleo posi tivo y la band a de e lec trones
inter ior co mo una carga posit iva equivalent e (e l ncleo) cuyo va lor es un mlti plo entero de la carga d e
un e lec tr n. El num ero de elnfl"OlIt',I" d e val encia, es deci r. los q ue estn e n la ban da ms ex te rior,
propo rcionan una carga neg.u iva q uedando e l to mo neutro. Bajo ciertas co nd iciones uno o ms ele ctrone s
puede n e sca pa r dcl tomo dejando un ion posi tivo. De ig ual forma. se pued en aad ir uno o ms e lec trones
a la band a de valencia c reando un io n negati vo . Po r ejemp lo. los iones sod io y d o ro de la sal co m n so n
simples partcu las ioni zad as. teniendo cada una de e lla s una carga igual a la del e lectrn. El ion sod io e s
positivo y el ion cloro e s negativo corno result ad o de la supresin y ad icin re specti vam en te de un electr n
de va lenc ia.
En un c ristal de silicio cad u ion comparte un par d e elec trones co n sus vec inos. A es ta co nfig uracin

42

sicroetectnmtca IIw tlerJ/u

se le d eno min a halltla cOl'alt-II /I' . Pued en d arse ci rcu nstanc ias e n las qu e fultc un elec tr n de la estructura
dejando un hueco - en e sa banda'. Eslos h ueco ... pueden pa"'in dL' UlI ion n urro cn e l cri sta l produ c ie ndn
un e fecto eq uivale nte al tlcl mo vimi cruo de c argas positivas . La mugniunl de la cilrgil asociada con el
IlUCCO es la del elect rn.

Int ensidad de ca mpo

Se d ice q ue e xiste un campo elc trico e n las vec ind ades de UIliI pan cu la cargada . es decir, qu e una
pa rtc ula cargada eje rce una fucrzu sobre otra partfc ula carg ada de acue rdo con I ley de Co ulomb, En
l'aso umdimcu sional ' (' 1\ e l lj Ul' la Cn r!!i' 1/ , l's li en .1",,' la tucrzn eje rcida sob re la carga 1/ _, s ituad a a una
disuuwiu urbruriu .c cs en ncwruus (N1:

F, =

(1 1)

e n donde E es ];1 pcrmirividud del med io ...n e l que reside n las cargas. Segn la te rcera ley de Newton acta
sobre q, una fue rza igual y contraria.
El mo vim icmo de 1/ - Sl' de duce upl icamlo la scg undu ley l it' Nc wron . resultando
C.

,.

CJ l q ~
4 1T1:'(x

, = -

x u)-

dt

( lII ~ t\

en donde 11I . cs lunurs u de 1/ . v l' la velocidad e n el sentido de

n11lSlal1lCl li Ecuacin ( 1-21 ~l: l"l'illcc a

dt"
F, = m -. -tll

N
,L

Para un sis tem a no relativista

11-2)
(11I ,

es

(l . ) )

dnudc ", (11 ) 111 cs la ncclcracin.

Un buen m todo para ocwribir e l e fect o dc las part fcula-, eargad as cs va li ndose de la imensdad lIt'!
campo el ctrico f . defi nid a corno lu fuc rzu eje rcida so bre una curgu pos itivu unidad . As pue s. la fue rl il
..obre una l'rga 1/ en un campo elctric o cs. en una dimensin:
F , = qE .

( 14 )

Poten cial
Po r defi nicin. el potencia l \ ' te n vnltios] de l punto H re specto al pun to A es e l trabaj o rea lizado para
tru...lndar una carga unidad positi va desde A hasta B. En un a dimensin con A e n .1-" y B a una di stanci a
arb itraria .r te ndre mo s '
\' =

- f " t:. , d.I'

'.

(1 51

1 En la >c1.'~ itn 1 ,1 ... C'[Link] ~ el h"",'" C"" " ' l'unaJur d~ ,'a' r a ,
~ El ,""mf'" . 1a fun / a r~"." " ' mo n l~ ~., jn ~" Iro_ .1I1mn_Ulle', En m oc hil' O_lruclul;" dn rni ni.-a_." unrunni dad I"'n n il<'una ,op "''''' III;O.' i.",
" " i<l imon_i,," al ,
, El _ignn ;t _ig"i fi.,., ..iV";" 1" " ,k li"i "I<"''' ,

Semiconductores

43

en la que 'l., repre senta la componente en x del campo.

Diferen ciando la Ecuacin (1-5) tendremos:
dV
dx

'1:= - -

(1-6)

V/m

El signo menos indica que el campo elctrico va dirigido desde la zona de mayor a la de menor
potencial.
Por definicin, la energa potencial U es igual al potencial mulliplicado por la carga q en consideracin.
o sea (en juli os).
lj sqV

( 1-7)

Si consideramos un electrn. q se sustituye por -q (siendo q la carga electrnica).

Siendo la energa relativa a un solo electrn tan pequea, es conveniente introducir la unidad de energa
(trabajo) llamada etectrn-volt (eV) definida como

J eV = 1.60 x 10-

19

Naturalmente. cualquier tipo de energa. ya sea elctrica. mecnica, trmica u otra puede expresarse
en electrn-volr.
La Ecuacin (1-7) indica que si un electrn se desplaza a travs de un potencial de IV. su energa
cintica aumentar y la potencial disminuir en 1.6 x 10 ,~ 1. o sea I eVoComo cada electrn posee muy
poca energa se necesita un enorm e nmero de ellos para tener una corriente dbil. En consecuencia, se
puede manejar con ellos una potencia razonable.
La ley de la conservacin de la energa dice que la energa total W que es igual a la suma de la energa
potencial U ms la cintica n/\,ln. se conserva constante. En cualquier taso

w=

+ Im ol = const

(1-8)

Energr.

Energfa potencial U
Tensin V

- -+--1.;--,
o
d
Dislaocia
~J

Dislancia
(b)

(r )

Figura 11. (a) Sistema plano-paralelo: un elecll'n abandona A con velocidad inicial" .. movibldose en un campo retardador.
(b) tensin. y (c ) II barrera de energra potencial .

Como ejemplo de esta ley consideremos dos placas paralelas A y 8 separadas una distancia d como se
ve en la Fig. I-Ia teniendo 8 una tensin negativa VJ respecto a A. Un electrn abandona A y se dirige
hacia B con una velocidad v..en la direccin .r. Qu velocidad tendr el electrn si llega a B?

44

Microelectrnica moderno

Por la defi nici n de la Ec. ( 1-5) es evi de nte que s lo tiene significac in la d iferen c ia de pote ncia l. Po r
tanto podemos arbitrariamente co nectar A a tierra , o sea co ns iderar q ue su tensin es cero. Por tan to la
te nsin en B ser 1'= 1',1 Yla e nerga potencia l ser U = .qV,r S i ig ualamos la energa total en A co n la en
B tendremos

11-91

Es ta ecuaci n ind ica q ue v debe ser menor que "'o. lo q ue es evidentemente cor recto ya q ue el electrn
se mue ve co ntra e l cam po . La veloc idad fina l alc anza da por e l e lectrn e n este sistema co nse rvador es
inde pe ndient e de la forma de variaci n de la dis tribuc in del ca mpe e ntre las dos plac as y depende s lo
de la d ife renc ia de tens in 1/ ,. Obsrvese q ue si el e lectrn ha de alcanzar e l e lectrodo B su veloc idad
inicia l debe ser suficientemente grande para q ue J m Vr1 > q VJ> Pues de otra forma la Ec . ( 1-9) nos llevara a l
absurd o de que v sea imagina ria. Vamos a elaborar aho ra estas consideraciones.

Concepto de barrera de energa potencial

Partiendo de III Fig. l - Is . en la que los ele ctrodos so n g randes e n com paracin de d podemos traz ar
(Fig. 1- 1h ) una curva lineal de potencia l Ve n funci n de la d istancia .r (en e l es pac io entre electrodos ). En
la Fig . 1- 1{' se rep re senta la en erg a potencia l U e n funcin dc .r: la c urva t : se de d uce de la h multiplicando
cada o rdenada porla cargade un e lec trn (un nme ro negativo). La energ a total W de l e lectrn se ma ntiene
co nstante por lo q ue viene represe ntada po r una lnea hori zont al.
La e ne rga c in tica a c ualquie r distancia XI es la d iferenc ia entre la e nerg a total W y la potencial U en
ese punto. La difere nc ia es m xima e n O sealando que la e nerga ci n tica es mx ima cuando e l electrn
abandona el e lectrodo A. En el punto P es ta d ifere ncia es nula. lo que indica q ue no exi ste e nerga ci n tica
por lo q ue la par tcu la q ued a de ten ida en ese pun to. Esta di stan c ia XIIes IIImx ima que e l e lectr n pued e
reco rrer desde A. El e lectr n e n e l punto P (do nde .r = x) se de tiene mom ent neament e y luego retrocede
y vuelve a A .
Considerem os un punt o tal co mo.r, q ue est ms alejado que x" del e lectrodo A. Aqu la energa total
W es me no r q ue la pote ncia l U. de form a q ue 1<1 di fe rencia. q ue repre se nta la energ a c in tica. es negativa.
Es ta c-, una cond ici n tfsicamcmc impos ible ya que una e ne rg a cint ica neg ativa (m i' ~n <O) supone una
velo c idad imag inaria. Se llegaa la co nclus in de q ue fa partfcula nunca avanzar hasta una d istancia mayor
q ue XII del e lectrodo A. En e l punto P la dife re nci a es nul a 10 que significa q ue no hay ene rg a c intica y
1<1 partcu la q ueda pa rada. La d istancia XII es la uuixitun a la que e l electrn puede desplazarse. El ante rio r
an lisis nos co nd uce a 1<1 co ncl us in vc rdadc rumc rue im po rtante de q ue nunca podr n en tra r e lectro nes
en la zon a so mb read a de la Fig. I- le . Po r tanto. en e l punto P la pa rtcul a se co mpo rta co rno si hub iera
chocad o co n una pa red o ba rrera s lida alter ndose la d ireccin de su trayectoria. De esta for ma la barre ra
de cncrg fu poten cial ju ega un papel imp ortante e n e l an lisis de dispos itivos semiconducto res .
Hay que hacer co nstar que lo de col isio na r co n una ba rrera de potenc ial no es m s que una frase
descriptiva co nve niente, pero sin que haya un ve rdade ro choque e ntre materia les s lidos.

12. LA CONDUCCiN EN LOS METALES

En un meta l la s e lectron es de conduccin o de valencia de un tom o e stn tan asociados a un ion co mo
co n c ualquier otro, co n lo que la ligazn con cualq uier tom o indi vid ual es prc tica me nte nula. Se gn se a
e l metal, por lo men os uno, y a veces dos o tre s e lec tro nes por tomo estn libres de mov er se e n e l inte rior
de l meta l bajo la acci n de campos e lctr icos aplicados .
. La Fig. )-2 ex una rep resent ac in esque mtica en do s dim ensiones de la d istribucin de c argas dentro

Semiconductores

45

8
0
8

8
O

08 ~
8

Zona de iones

EIC'C lroflC s de valencia o lib res

' gura 1-2. Dispuvicjn esq uemtic a de los tomos en un plano de l meta l (tomos monovulemesj . Les puntos negros representa n

el gS elccrrmco. y cada lamo ha cor urb udo con un electrn a esle 1!as .

del metal. Las zonas sombreadas representan la carg a positiva neta de l ncleo junt o co n los electrones
internos estrechamente ligados al ncleo. Los puntos negros represe ntan los electrones exteriores o de
valencia de l tomo. A estos electrones no cabe co nsiderarlos como perte necientes a un tomo determinado:
son los que han perdido completamen te su individualidad y pueden circ ular libremente de uno a otro tomo
dentro del metal. As pues. un metal pucde ser co nsiderado como una regin que cont iene una red peridica
tridimensi onal de iones pesados fuertemente enlazados, rcde udos por una nube de e lectrones que pueden
moverse libremente. Esta image n constituye la des cri pci n de un metal conocida como ga s electrnico.
De ac uerdo con la teor a del gas electrnico de un metal. los electrones estn continuamente en
movimiento cambian do la direccin de su trayectoria en cada co lisin co n los iones pesados casi
estacionarios. La distancia media entre co lisiones se denom ina recorri do libre medio. Como el movimient o
es aleatorio. el nmero de electrones q uc cruza n una unidad de s uperficie en un determ inado tiem po es
nulo en promedio y por tanto es tamb in nu la la corriente media.
Veamos ahora cmo cambia la situaci n si se aplica al meta l un campo e lctrico '1 constante. Como
resullado de estas fuerzas e lectrostticas los electrones se ace leran y la velocidad crecera indefi nidamente
con el tiemp o si no fuera por las colisiones co n los iones. En cada co lisin inel stica con un ion el electrn
pierde ene rga y cambia de direccin . La probabilidad de que despus de la co lisin un electrn se mueva
en una determinada direc cin es igual a la probab ilidad de qu e lo haga en la opuesta. Por tanto. la veloc idad
de un electrn aumenta linealmente con el tiemp o en tre co lisiones, y co mo promedio se reduce a cero en
cada colisin.
Se llega a una situacin de equilibrio cuando se alcanza una velocidad de desp lazamiento vd" Esta
velocidad es de sentido opuesto al campo elct rico. La velocidad en el momento I despus de la colisin
es al siendo la aceleracin igual a q/m. En consecuencia, la velocidad de desplazamiento es pro porcional
a;r y viene dada por
(1- 10)

en dond e la constante de proporcionalidad

~l

se denomina mo vilidad de los electrones".

4 Cuandouisle mj . de un npc tic ponoo(lfe< de carga.e sucle llIlad ir un .u b{ndice a 11. La_ dimen<iollt:s tic la movilidad son: melroscuadrados
por voll- segundo.

46

Microelectrnica moderna

De acuerdo con la teora ante rior, al mov imiento trmico aleatorio se superpone la velocidad de
desplazamiento de equilibrio. Este flujo dirigido de iones co nstituye una corriente que podemos ahora
calcular.

Densidad de corriente
En la Fig. 1-3 hay N electrones distribuidos uniformemente en un conductor de longitud L y seccin
A. Un electrn. bajo la influencia de un ca mpo elctrico ( recorre L metros en T segundos lo que da una
N Electrones

Figur a 13. Conductor empleadopara calcular la densidad de corriente.

velocidad de desplazamiento v" igual a LIT. La corriente J es por definicin el total de cargas que pasan
por una seccin en la unidad de tiempo. laque es igual a la carga de un portador multiplicada por el nmero
de stos que cruzan la seccin en un seg undo. De donde (en amperios):
J ""

lJ N. .l. =
T

qN!'.!!.

1.

11 -1 1I

La densidad decorriente. quedesignaremos} es la corrie nte por unidad de seccin de l med io co nductor,
admitiendo una densidad uniforme iendremos

(1-121

-A

Sustituyendo la Ec. ( 1 11)en la (112) tendre mos

'INl',

J "

LA

A /m ~

11-13)

En la Fig. .1-3 puede verse que LA es el volumen que ocupa n los N electrones. La conce ntraci n de
electrones 11 es pues

LA

(1 -1 4)

y la Ec. ( 1-13) se convierte en

J ..: nnr, '" p,..r,

11-151

en la que P, = lJll es la dens idad de carga en coulomb por metro cbico.

Esta deduccin es independien te de la forma del med io de conduccin. En consec uencia. la Fig. 1-3
no representa necesa riamente un hilo conductor y puede represe ntar igualmente tanto una porcin de la
descarga gaseosa de un tubo como un volumen eleme nta l de un semiconductor. Por otra parte ni P, ni l 'J
son necesariamente constantes sino que pueden variar con eltiernpo.

S emico nductores

47

Cond uctividad
Acabamos de ve r qu e \'" es proporcio nal a %. De las Ecuaciones ( 1- 10) Y ( 1-15 ) re sult a

= "//L'" = qllll t; =

A/m ~

rif..

( [ - 16)

donde

( l 171
es la con d uctivid ad del materi al. Recorda ndo q ue 't L = V es la tensin aplicada a travs de l con d uctor .
podemo s ded uci r la co rriente I de la Ec . (1- 16) resu ltando la Ley de Oh m.

L
uA
V
1 = JA = ffl;A ' - = - V "
l.
L
U

( 1-1BI

La resistencia R de l conductor es en ohm s (U)

R " -

ITA

= p -

( 1-1 91

siendo la resistividad l' la inve rsa de la co nduc tiv idad.

Co mo ya se ha ind icado antes. la ene rg a qu e adq uie ren lo s e lec tro ne s de l campo elc trico aplica do se
cede . co mo resultado de las colisiones. a lo s ione s de la red . Por tanto. en el interior de l metal se di sipa
energa siendo la densidad de potencia trmi ca (en watt por met ro cbico) J - oiP, (es ta relacin es an loga

, p " VI " V' IR).

Ejemplo J-J
Una lnea dc co nd ucc in cn UIl c hip tiene 2.8 mm de longitud y una secc in recta re ctangula r de 1 x
4 micras. Una corrie nte de 5 mA pro duce una ca d a de tensin de 100 m V e n dich a lnea . Deter minar la
co ncent racin de e lec trones dado qu e la mo vilid ad es de 5(X) cml/V. s.

Soluci n.
La conccmracln de elect rones puede deducirse de a de la Ec. ( 1- 17). La co nd uctiv idad sc determina
reso lvie ndo 1:1 Ec. ( 1- 18)

IL
U "

=.

VA

s x 10-

x 2.8 x JO - '

0 . 1 x (10 " x 4 x lO ro)

= 3.50

lO' (-rnl " !

y de la Ec. ( 1- 17)obtendremos

3.5 x lO'
1.60 x 10 IY X 500 x 10 4
= 4.38 X I(l ~ ' m .1 = 4.3H X IO! ' c m
IT

11

= -

"11

..

Co mo se vio e n la Ec . ( 1 17) 1:1con d uctividad es p ropo rcio nal a la co nc entrac i n de portad ores d e
cargas. La co nce ntracin de e lect rones libres ha llada en e l Ejem plo 1 1 es un va lor tpico de l con d uctor.
Poco s po rtado res se hall an en los alslarues. y la conce ntrac i n de e lec tro nes e s del ordcn de 10 7 m -'. Lo s

48

Microelectrnica moderna

materiales -cuya con centraci n de portadores est comprendida entre la de los conductores y la de los
aislantes se denominan semiconductores cuyas propiedades se estudiarn en las dos prximas secciones.

13. EL SEMICONDUCTOR INTRNSECO

Los tres semiconductores ms emp leados son el silicio. el germ anio y el galio. Como los dispos itivos
de silicio son los predominantes nos limitamos al est udio de ste.
La estructura cristalina del silicio consiste en una repeticin regul ar tridimensional de una clula
unitar ia en forma de tetraedro con un tomo en cada vrtice. La Fig . 1-4 es una representacin simblica
de esta estructura en dos dimensiones. Los la mos de s ilicio tienen 14 electron es, cuatro de los cuales son

-.l" UJ"L-J ../-

Enlace covalenre

EI"" o,,, de valencia

+4f;-J

]:D:D:

+4 .

+4

I?'O" O<i1idO

j:crtrt
.

+4

+4

+4.

/"\1"\1",
Fig ura 14. Representacin bidim ensiona l de un cris tal de surcio.

de valencia, por lo que el tomo es tetravalente. El ncleo inico inerte del silicio tiene una carga + 4
medida en unidades de carga electr nica. La fuerza de en lace entre tomos vecinos es el resultado del
hecho de que cada electrn de valencia de un lamo de silic io es co mpartido por uno de sus cuatro vec inos
ms prximos. El enlace covalente se representa en la Fig. 1-4 por las dos lneas que unen cada ion con
cada uno de sus vecinos. Los elect rones de valenc ia sirven de unin de un tomo con el siguiente con los
que resulta que estos electron es queden fuertemente unidos al nc leo. Por tanto. a pesar de la disponibilidad
de cuatro elec trones de valencia, pocos de ell os estn libres para co ntribuir a la conducc in.

El hueco
A temp eratu ra muy baja (d igamos U "K) la estructura ideal representad a en la Fig. [-4 es bas tante
aceptable y el crista l se convierte en un aislante ya que no hay disponible ningn port ador libre de
electricidad. Sin embargo a temperatura ambiente algunos de los enlaces cov ale ntes se rompen de bido al

Semiconductores

Enlace covalerae rolo

49

Electrn libre

L
Enlace covalente

Hueco

Blecrrones de valencia

Figura I_S.Crislal de siliciocon unenlace covelenre roto.

suministro de energa trmica al cristal lo que posibilit a la cond uccin. La situacin queda representad a
en la Fig. 1-5. En este caso. un electrn que nonnalmente fonna parte de un enlace covalente se ha
representado fuera de l en lace y por tanto libre para circular al azar por el cristal. La energa Ec; necesaria
para romperel enlace covalentees de 1.1 eV para el silicio a lemperatura ambiente. La ausencia del electrn
en el enlace covalente est representada por un pequeo circulo en la Fig. 1-5 Y tal enlace covalenre
incompleto se denomina hueco. La importancia del hueco rad ica en que puede servir de portador de
electricidad comparable en su efectividad al electrn libre.
El mecanismo por el cual los huecos contribuyen a la conductividad se explica cualitativamente de la
siguiente fonna: Cuando un enlace est incompleto de form a que haya un hueco. es relativamente fcil
que un electrn de valencia de un tomo vecino aband one el enlace covalenre para llenar el hueco. Un
electrn que deja su enlace para llenar un hueco deja a su vez otro hueco en su posicin inicial. Por tanto,
el hueco se mueve efectivamente en direccin contraria al electrn. Este hueco en esta nueva posicin
puede ser llenado por un electrn de otro enlace covalente y por tanto el hueco se desplazar un lugar en
sentido opuesto al movimiento del e lectrn. He aqu un nuevo mecanismo de cond uccin de la electricidad
que no supone electrones libres. En la Fig. 1-6 se repr esenta esquemticamente es te fenmeno: un circ ulo
con un punto representa un enla ce completo y un crculo vaclorepresenta un hueco. La Fig. 1-6a represent a
una suces in de 10 iones con un enlace roto. o hueco. en el ion 6. Imaginemos ahora que un electrn del
ion 7 pasa al hueco del 6. resultando la co nflgurucin de la Fig. 1-6/1. Si co mpararnos esta figura con la
1-6(1 se ve como si el hueco de esta ltima hubiera pasado del ion 6 al 7 movind ose hacia la derecha. y
esta observacin determina que el movimient o del hueco en una direccin significa el traslado de una
carga ngativa a igual distancia pero en sentido opuesto. Por lo que respecta a la circulacin de co rriente
elctrica. los huecos se comportan como cargas positivas de igual valor que las del e lectrn. Podemos
considerar que los electrones son entidades fsicas cuyo movimiento constituye un flujo de corriente. El
argumento de que los huecos eq uivalen a portadore s de cargas positivas libres puede justificarse con la
mecn ica cuntica.

50

Microelectr nica moderna

Conduccin en semicond uctores inlrn secos

La estructura de l cristal rep rescntada en las Figs. 1-4 y 1-5 suponc una muestra de silicio puro . es decir.
que no co ntenga to mos ajenos. Estos cristales puros constituyen un ,~{'lII i("m/(JIIl"101' intrnseco, Co mo se

lo'igur a 1-6, Mecanismo por el cual un hueco contribuye a la conductividad.

ve e n la Fig. 1-5 1arotur a de un cntacc covalen te se trad uce en un electrnlibre y un hueco. En consec uencia
la co nce ntraci n de huecos p y la de elec trones 11 deben ser igu ales
p 11
( 1-20)

= =",

siendo 1/, la concen tracin intr nseca. La agitac in t rmic a ge ne ra nue vos pares ele ctr n-hueco . mientras
desapa rece n o tros por la reco mbinacin. El va lor de 1/, depe nde de la tem pera tura. y sus variacio nes se
vern en la Secc in 1-5.
Tanto los huecos como los ele ctrones part icipan en e l proceso de co nd uccin, Debid o a que los
mecanismos por los que se mueven los huecos y los ele ctron e s e n e l cris tal difieren entre s. la mo vilidad
de estos portadores es d istinta , Para distinguir los valores de huecos y electrones se e mplean los subndices
p y 11, Estos penadores se mueven en direccion es opuestas en un ca mpo e lctrico. pero como son de signo
co ntrario ambas corrientes so n en e l mismo sentido, La densid ad de co rriente J resultante de un campo
e lctrico ! se dedu ce de la Ec. ( 1- 16) mod ificada para co mprende r ambos port ador es, y es
A/m ~

( \.21)

La co nductividad es .
fT

q( II~"

( 1-22)

PJ.t,,)

Ta b la I- ! Pr op ied a des de l s ilicio int r nseco

Propiedad

\'"Ior

Nmero atmico

14

Peso atm ico

2tl, I

Densida d (gkmJ )

2.33

Permitividad relativa (const ante d ielctrica)

Atomovcm '

1.2 1

Energ a El,.. a O"K (eV )

Energa E(; i l

11.9

5.0 x lO!l

nu "K rcv

L I2

Rcslsnvf dad a JOn "K (11 .cun

2.30 x 10'

Mov ilidad clcc tronc .. ~l a J(KI "K [cm !/(V.S ll

15lKl

e,. iI JIMI "K Icm!/(V,SI I

-175

Mo vilida d de huecu s r

Co rc emraciu inlr inM'\:o

iI

JIM' "K (cm 'l

l AS \ 111'"

Co ns tante d ifusi n electrones D. a JIKI "K (c m ~/s)

.' 4

C ons tan te d ifusiln hU Cl ' O S D,. II J(M' '' K (c rn!/s)

Fuente: S. M. SIC led.). " VSLl Technology. McGrawH i11 Honk Cumpany, Nueva York. 198] .

Semiconductores

51

= " , la El', ( 1-22) sI.' con viert e en

En un semiconduct or iutnnseco fl =

11

(1,

(/11, ( l t "

11,, )

(U 'm)

La tabla 1- 1 d a h, va lo r...'s de a l g. u l1 a ~ propiedades im poruuuc-, del silk io, O hSCrW Sl' q uc el silic io
nen e de ! urden de I (J' " t OIl IOS/C lll " micmno queu le11l jl\..nuura nmh ic nrc t.t "K ) 11, = l'" C I11 ' . De aq u
que s lo 11 11 tiuunn de entre 10'-' de d ios corunbuya con UI1 ele ctrn libre (y 11 11 hueco ) debido a la roturn
de enlace covnlcmc .

Ejemp lo /-2
Una bar ra dI.' silicio imnn scco tiene J mm de longitu d y una secc in recta rcctan gulur de 50 x 100
micra s . Determi nar la Intensid ad de l campo e lctrico en la barr a y la tensin a travs de c lla cuando c ircula
una co rriente de I .tA , tod o e llo a J(lO"K ,

Sollldu
La inten sidad de \..'a lllpo se puede de ducir de la dens idad de corriente y de la conducti vidad
I

(1

Ir

= - = - x - = -

' 1/

V/m

Valindonos de l va lor de fl dado en 1;1 Tabla 1- 1 tend remos

10

.. x 1110 x In
En la q ue el factor ID! redu ce la re sistividad de

.. x

~. ] O x

10' x 10

n cm a n m.

l '" 4.60 x 10' V/m = 4.6(J x l' v /cm

La tensin a travs de la barra es

cL

= 4.60 x lO' x J x 10 '

1] l(0 V

El resultado o btenido en e l ejemplo 1-2 indica q ue pa r:! o btener una peq ue a co rrie nte ( 1 Jl A ) se
necesita una te nsin ex trao rd inariamente alta, S in e mba rgo , esto no es de extraar ya que 1u co nce ntracin
de portadores intr nsecos se parece much o nuts a la de un aislante q ue a la de un conducto r. As pues, los
semico nd uctores intrn secos no so n ade cuad os para d ispositivos electrn icos, En la seccin 1-4 ve remos
un proc edimien to co n e l q ue se puede aum entar la conce ntrac in de portad ore s.

I-~ .

SEM ICll NDUCTll llES EXT RNSECOS

Para aumentar e l nm ero de port adore s el procedimiento cor rie nte es e l de introducir e n un sem lconduc to r intrnseco una pequ ea cantidad de impurezas c uidadosamente co ntro lad a, La adicin de impurezas, frec uentemen te tom os triv alcmes o pent avalentcs . for ma un se miconduc tor extrnseca o dopado ,
Cada tipo de Impureza forma un sem iconduc tor con una c lase de portadores predom inante. El nive l normal

52

Micro electrnica moderna

de dop ado es del orden de I tomo de impurezas por cada 10" a JO- la mos de s ilicio. Las propiedades
fsica s y qumicas son ese ncial me nte las mismas del silicio y slo varan marcadamente las elct ricas,

Semiconductores tipo n
La Fig. 1-7 represe nta la est ructura de l cris ta l que se ob tiene al do par con una im pureza pentavalente.
Cua tro de los cinco electro nes de valencia oc upa n enlaces covale ntes y el quinto queda inicialmente sin
e nlace y constituir un portador de corriente. La e ne rga necesaria para desliga r del to mo este quin to
electrn es slo del orde n de 0.05 eV para el s ilicio. e ne rga .considerableme nte menor que la nece saria
para romper un en lace covalenre. Como impurezas pentavalentes adec uadas est el antimonio. el fsforo

-J. I 1\ \. W .JL'
Electrones de valenci.

+4

Enlaces covelen tes

~+4.

+4

] :[ ] :)c.---=-~~.+-

+4

] :1"--

+4

l0" de sihcic

Electrn

I;b~

Jon de impureza pc:[Link]. lenle.

+4

{\~l-\

+4

l,

Figura 17. Red de cristal con un tomo de silicio desplazado por un tomo impurifi cador pentavalente.

y el ars nico . Estas impurezas producen elec trones portadores en exceso y se les denom ina donadores o
de tipo 11 .
Si se dopa un material sem iconductor intrnseco con impurezas tipo n, no slo aume nta el nm e ro de
electrones sino que el nmero de huecos desc iende por debajo de lo que renta el semiconductor intrnseco.
Esta baja en el nme ro de huecos es debida al gra n nmero de electro nes presentes lo que aumenta el ritmo
de recombinaciones de elec trones con huecos. En consec uencia . los portadore s dominantes son los
elect rones negativos. y el do pado con do nadores lleva a un semiconductor de tipo 11 .

Semiconductores de tipo p
El boro. el ga lio y el indio son to mos triv ale ntes que aadidos a un semiconductor intrnseco
proporc ionan elec trones para completa r nicamente tres en laces cov alentes. La vacante existente en el
cuarto en lace forma un hueco como se ve e n la Fig. 18. Este tipo de impurezas posibil itan port adores
posi tivos ya que se crean huecos que puede n aceptar elec trones. Por ello las imp urezas triva lentes se

Semiconductores

53

deno mina n tl Ct'I' llIdoI"lH y forma n lus se micond ucto res de tipo p e n los q ue los portado res predominantes
son los huecos.

Ley de accin de masas

Hemos visto que al aadi r impurezas de tipo n decrece e l nmero de huecos , y de igual forma al aadir
impurezas del tipo p disminuye la concentraci n de elec tro nes libres por debajo de la del semico nd ucto r
intrnseco. Un anlisis te rico (seccin 1 7) nos de mostrar q ue e n co nd iciones de eq uilibrio trmico e l
produ cto de las co ncentrac iones de ca rgas positivas y nega tivas libres es constante e inde pendiente de la
cantida d de donado res o ace ptado res. Esta re lacin se den om ina ley dt' accilI de masas y viene dada por
IIp =

ni

( 1-24)

La co ncentracin intrnsec a " . es funci n de la tem perat ura (secci n [-5 ).

m.
k:
L-t-tJ

Electrones de valencia

-J. I /\

.4

Enlace covaleme

\.

+<l

: 1.-------4A/-.--

.,

---J :~

.4

'4

de sco

. .4.

[0 '

Hueco

Ion de impureza mvaleme

{ ' \ I'\I'\
Figura 1-8. Red de cristal t lHl un lamo de silicio desplazado por un la mo impurifkador m valen te.

De tuda e llo sacamos [a co nclusin de qlle las impurezas e n un semico nd uctor intrfnsecc no slo
aumenta la co nd uctividad sino q ue sirve tam bin pura prod ucir un cond uctor en e l que los port ado res de
carga sea n predo m ina ntemente huecos o e lectro nes. En un sem ico nd ucto r de tipo 1/ [os e lectrones se
denom inan portador es ma yoritarios. En un material de lipa p los huecos son los pa rladores mayorita rios
y los elect rones los mino ritarios.

Concentracin de porl adores

Hemos ya indicado anteriormen te que para ionizar los tomos de impurezas se requi ere muy 'poca
energa. La temperatura a la que normalmen te trabajan Jos dispositivos electrnicos' (> 200 ~ K ) proporciona energa t rm ica sufic iente para ionizar virtualmente tod as las impurez as. Este hech o. j unio co n la
ley de acc i n de ma sas nos perm ite determinar la den sidad de carga en un se mico nductor.

54

MlcrtnlrClrdnlca modrma

Sea ND la concentracin de 4tomos donadores y N A la de tomos aceptadores. Puesto que todas esta:
impurezas estn prcticamenre ionizadas producirn una densidad de iones positivos y de iones negalivo:
NDYNA respectivamente. Para mantener el cristal elctricameme neutro la densidad de cargas positivas
debe ser igual a la concentracin de cargas negativas como se indica en la Ec. (1-25)
No

+p

= NA

+ 11

( 1-25)

Consideremos un material de tipo 11 en el que NA sea igual a cero. Como el nmero de electrones e:
mucho mayor que el de huecos en un semiconductor de tipo n (n p). la Ec. (1-25) se reduce a

(1261

n = N"

EI/ IIII material de tipon fa concentracin deelectrones libreses aproximadamente iguala la densidac
de romos dalladores.
La concentracin p de huecos en el semiconductor de tipo a se obtiene a partir de la Ec. (1-24) o sea:
p

ni

(1 27)

No

De igual forma. en un semiconductor tipo p con N II = O tendremos

p = NA

(1 281

ni

11 291

NA

Una pieza de silicio lipo ll tiene 3 mm de longitud y una seccin recta rectangular de 50 x 100micras.
La concentracin de donadores a 300 "K es de 5 x 10 14 crrr., que corresponde a un tomo de impureza por
JO" tomos de silicio. Por la piezacircula una corriente de J ~A . Determinar la concentracinde electrones
y huecos. la conductividad y Ja tensin entre extremos. (Obsrvese que se lrata de una muestra de tipo n
que tiene las mismas dimensiones y corriente que el silicio mttfnseco del Ejemplo 1-2).
Soluci6n ~

De las Ec. ( 1-26) Y( 1-27). Yempleando los valores de n, y ~. dados en la Tabla 1- 1 tendremos:
11

= N/J = 5

10 14 cm .,

Como 11 p. slo hay que considerar en la Ec. ( 1-22) la concentracin de electrones. por Joque la
conductividad ser
u = qllp.,. = 1.60 x 10

1"

x 5x 101<1 x 1.5 x 10' = 0. 12 (Hocm)

Sem icondu ctores

SS

La tensin ded ucida de 'tJ... en donde segn la Ec. ( 1-2 1) '1 - l/o, es

V"",

= !..

a L

IL
Aa

10- " (0.3)

(5xlO - 1)(IO - 2)XO. 12

= 0. 05 V

Compa rando los resu ltados de los Ejemplos 1-2 y 1-3 se ve cla ramente la utilidad de emplear
semiconductores extrnsecos en los dispos itivos electrnico s. Para tener una pequea co rriente de I ~A
hay que aplicar una tensin de 1.380 V a la muestra intrnseca. mientras que son suficientes 50 mV en la
muestra de tipo 11. La reduccin de la tensin en 28.000 veces iguala exac tamente la reducci n de la
resist ividad (de 2.30 x lO' a 1/0 = 8.33 U: cm). El enorme aumento del -nmero de electrones libres (de
1,45 x 10 ma 5 x I O '~ cm-') tiene lugar cuando slo un tomo de silicio de entre 100 millones es sustituido
por un tomo de impureza.
Cabe aadi r donadores a un cristal de tipo p. o inversamente aad ir aceptadores a un material de lipa
1/. Si se igualan las concentracio nes de donadores y aceptado res en el semiconductor, ste permanece
intrnseco. Los huecos de los aceptadores se com binan con los electrones de co nduccin del donador para
no dar ningn portador libre adicional. Por tanto. en la Ec. (1-25) siendo No N" obse rvamos que p ti ,
Yen la Ec. ( 1-24 ) que ,,! = o " ='',= co ncentracin intrnseca.
Amplia ndo los conceptos anteriores cabe indicar que s i la concentracin de tomos donadores aad idos
a un semiconductor de tipo p supera la concentraci n de aceptadores (No >N" ) el material pasa de ser de l
tiPO!J al tipo 11. Inversamente. la adicin de un nmero suficiente de ace ptadores a una muestra de tipo "
la convie rte en un semiconductor del tipo p. Esto es precisamente Jo que se hace en la fabricacin de
transistores integrados. Para determ inar la concentrac in de portadores en estas ci rcunstancias No se
reemplaza por No-N" en las Ec. ( 126) Y( 127) cuando el materi altipop se pasa a semiconductor de l tipo
11. Anlogamente cuando un semiconductor de lipa 11 se convierte en tipop. N" de la Ec. (1-28) Y( 129)
se sustituye por N,, -N/l'

ti?

Generacin y recombinacin de cargas

En un semico nduc tor intrnseco el nmero de huecos es igual al nmero de electrones libres. La
agitaci n trmica genera g nuevos pares electrn-huecos por un idad de volumen y segundo. mientras
desaparecen otros pares como consecuencia de la recom binaci n: dicho de otra form a. los elect rones libres
caen en los enlaces covalemes vacos con la prdida de un par de portadores mviles. Como promedio,
un hueco (o un electrn) existe dur ante t . (o t,.) segundos antes de recombinarse . A este tiemp o se le
denomina "ida media de l hueco (o del electrn). Estos parmetros son muy impo rtantes en los sistemas
semiconductores porque indican el tiem po requerido para que las co ncentracio nes de electrones y de
huecos motivadas por el cambio vuelvan a sus conce ntracio nes de equilibrio.

1-5. VARIACIONES EN LAS PROPIEDADES DEL SILI CIO

La con ductividad de un semiconductor dada en la Be. (1-22) depende de la concentracin de huecos
y de electrones y de la movilidad. Ya que los sistemas semiconductores estn sometidos a muy diversas
temperatura s de trabajo. las variaciones en los parmetros debidas a ello tienen su impo rtancia .

Concentracin intrnseca
En un sem ico nductor intrnseco la densi dad de pares hueco-electr n aumenta con la temperatura.
Tericamente la concentracin intrnseca vara co n T segn

"i

56

Microelectr"icQ moderna
(1 .)0)

donde EGO es la energa nec esaria para romper un en lace co valente a O"K en electr n-vol t. k es la consta nte
de Bollz man n en e lectro-vol por grado Kelvin y A..es una co nstante inde pendiente de T.
En los sem iconduc tores ex trnsec os e l aum e nto de 11/ co n la tem per atu ra a fecta tambin a la den sidad
de c argas . Po r ejemplo . consi deremos una mu estra de tipo 11 con una concentrac in de don ad ore s Np
so metida a un aumen to de temper atura de sde 300 a 400 "K. La densidad de elect rone s " a 400 K no debe
va riar aprecia blemente de su valor a 300 "K porq ue las impurezas donado ras ioni zadas proporc ionan la
cas i tot alidad de port ado res. No obsta nte. la ley de acc i n de ma sa s indica que la conce ntraci n de huecos
p crece. Anloga mente. en se micond uc to res de tipo p. 11 crece moderadament e co n la tempe ratura y p c:
NA se mantiene co nstante.

Movilidad
Dentro de l margen de tem peraturas entre 100 y 400 "K la movilid ad de e lec tron es y huecos varia
proporcion a lmente a T:", Para el silicio m = 2,5 pa ra los e lectrones y 2,7 para los huecos. La mov ilidad J.1
decrece co n la temperatura porqu e hay ms portadores y s tos son ms activos a temperaturas altas. Cada
uno de estos factore s favo rece e l n mero de co lisio nes y Il de crec e.
La mo vilidad e s tambin funcin de la intensidad de l ca mpo e lctrico y del nive l de dopado. En un
s ilicio de tipo 11. Il es co nstante a una tem per atu ra dada s lo si f < 10\ V/c m. Con ' > 1Q'l V/c m. J.1 e s
inversame nte pro porciona l a '1 y la ve loc idad se ace rca a los 10 ' cm/s (la velocidad de saturaci n). E~tre
10 \ y io- V/c m Il vara aprox imadam ente co mo '1 112
H

Conductividad
La co nd uctividad de un sem ico nd uctor intrnseco crece al au men tar la te mperatura po rque e l aumento
de pare s hueco-e lectrn es mo:yor que el descenso de su mov ilid ad. En un semico nd uctor extrnseco y
de ntro de l campo e ntre los 100 y 600 "K el n mero de port ado res mayo ritarios e s cas i cons tante. pe ro la
menor mo vilidad hace q ue la conductivi dad decrezca con la temperatu ra.

16. DIFUSIN
Ade m s de por una co rriente de co nd uccin, e l tran spon e de ca rgas en un se mico nd uctor puede
rea lizarse por un mecanismo den o minado difusin, lo q ue normalment e no sucede en los met ales. A
contin uaci n ve remos los rasgos pri nci pa les de la d ifusi n.
Es posible q ue la concentraci n de partfcula s e n un se m iconductor no se a uniforme. Ta l co mo se indic a
en la Fig. 19 1a co nce ntracin de huecos p vara con la d istan cia .r en e l se m ico nduc tory ex iste un grad ie nte
de co nce ntracin dpldx en la de nsidad de portadore s. La ex iste nc ia de ese gradiente imp lica que si se traza
una superficie imagi na ria (ind icada co n trazos en la figura) la den sid ad de huecos en un lad o de tal
superfic ie es mayor que la del o tro lado. Los huecos tie nen un mo vim ient o aleatorio moti vado por la
ene rga t rmica. De acu erdo co n es to los huecos se movern continua me nte ade lante y atrs a travs de
e sa superficie y cabe espe rar que en un cien o intervalo de tiempo. mayor nme ro de e llos cruce n la
superfic ie desde e l lado de mayo r de nsidad a l de menor que no en se ntido contrario. Es te tran sport e de
huecos co nstituye una corrier ue en e l sentido pos itivo de .r. Obsrvese q ue este tran sp one de c argas no es

Semiconductores

57

ll-'---, ",

I~ " I

l ~lII

;~:;~i.::.' : , '. :

Dc'I, id...1tI.-

~:

;~:~;~;:::

figura 1-9. Represemacin de una densidad no uniforme de huecos y la densidad de comerse de dirusin resultante.

el resultado de la repulsin mutua e ntre ca rgas de l mismo signo s ino que es simplemente el resultado de
un fenme no estads tico. Esta difu sin es exa ctamente anloga a la que existe en un gas neutro si hay un
gradie nte de concen tracin en el mismo' . La densida d de co rriente de difusin de huecos JI' es proporciona l
al gradiente de concentracin. y viene dada por
dp
Jh
= - qD A/m l
(1-]1)
.P ds
en donde O (metros cuadrados por segundo) se denomina COI w a llff de Jifllsi" de los hueros. Puesto que
p de la Fig~ 1-9 decrece al aumentar .r, dpldx es negati vo y se preci sa'el signo menos en la Ec. ( 1-31) de
forma que J ser positivo en la dire ccin positiva de.r. Ex iste otra ecuacin similar para la densidad de
P
corriente de difusin de electro nes. (p es reemplazada por 11 y el signo menos po r el ms en la Ec.
(1-3 I) J,

Relacin de Einstein
Puesto que tanto la difusin como la movilidad so n fenmeno s estadsticos tennodinmicos D y 11 no
son independientes. La relacin entre ellos viene dada por la ecuacin de Einstei n

o,

O"

= -

VT

(1-32)

jJ."

jJ.p

en donde VT es la tensin equ ivale nte de temper atu ra defin ida por

v, ~ fT

_ T_

(1 -331

11 .600

siendo
la constante de Bolt zmann en julio s por grado Kelvn. Obsrvese la dife rencia e ntre y k. la
ltima es !!! constan te de Boltzma nn en electro-volt por grado Kelvin. (En el apnd ice A- I se dan los
valores de k Y k. De la Seco 1-3 se deduce que k = 1.60 X 10-1" k. A temperatura amb iente (300 "K). Vr =
O.0259V y ~ = 38.60 ,
(En la tabla 1-1 se dan los valo res med idos de J.I y los ca lculados de O par a el silicio.)

Cor riente total

Puede exis tir sim ultneamente dentro de un semiconductor un gradiente de tensin y un gradie nte de
(, El t:l mi """, pmcew parel cual el arornl de UIII Ilof puede ell..,nderse 1 100, 1. habil": in.

58

Microetectrontca moderna

concentrac in, En lal caso la co rriente tota l de huecos es ig ual a la suma de la corrien te de de sp lazamient o.
[Ec. ( 1 16) co n la 11 reemplazada por 1'1y la co mente de d ifusi n (Ec. 1-31 ) o sea

ell'

"DI' -,
(X

A/m ~

( 1 34 )

Anlogam e nte. la co rriente de elect rones es

d"

(1-35)

" D" -,t.\'

\ 7. SEMICONDUCTORES GRADUADOS
El semicond uctor rep resentado e n la Fig. l -I c tien e una co nce ntrac in de huecos q ue es funci n de
.r, es dec ir q ue el dop ado es g rad ua l (no uniforme ). La den sidad de electrones deb e va riar algo co n .r a
co nsec uencia de la ley de accin de masas. S upo nga mos qu e ex iste un equ ilibrio t rmic o y q ue lIO se
inyectan portadores desde ninguna fue nte externa (excitacin nula). En es tas co nd iciones no puede ha ber
un mo vimient o es table de cargas y s s lo e l movi m iento a leatorio de bido a la ag itac in t rmica. Por tanto
la co rriente total de huecos de be ser cero y tamb i n lo se r la co rriente 101;11de electrones. Como p no es
constante ca be e sperar una co rrie nte de d ifusin de huecos no nula. Para que desaparezca la corrien te total
de huecos deber exist ir una corrie nte de de spla zami ento de huecos q ue sea igual y co ntraria a la de
difusin. Pue sto que una corriente de co nd uccin req uiere un c ampo elctrico llegamos II la co ncl us in
de que un dopad o no uniforme gene ra un ca mpo elc trico en e l interior del sem icond uctor. Hallarem os
aho ra ese ca mpo y la variac in de ten sin co rres pond iente a lo largo de la pie za.
Hacien do }r = 0 en la Ec. ( 1-34) Y hac iend o uso de la ec uac in de Einste in D,. = )1r V T (Ec . I3 2)
ten d re mos

V/m

( ( 36)

Si la concennucln de do pado pel') es co noc ida, pued e calcularse e l campo '/ (x ) y de 'l = - ef\lldx
podemos ca lcular e l potencial

elV

_ V, elp

(1 -371

"
Unin

,, 1':,
,, ,

Tipop

l"

/'

p,I tP I
, ,
"

"

'"

Tipo u

,/
N,
V.

,
I .TI
...:
lb'

"i~u ra t IO. (a) Un semiconductor ~raduadn: /' t l l nn 0:'\ con sta nte. (/'1Unl llnifl />II e n la ti"e l' Y'I ("Ia n uniformeme nte dOl'll!ll'
cnncoucemracionev de imp uraa\ N 1 )' NI, rcvpcctivaruente.

Semiconductores

S9

Integrand o la Ec. ( 1-36) ent re x, donde la ccocenrracin esp, y la lensin V, y J."! donde P = p! Y
V = V! tendremos

V~I !5!IV~-

(1 )8)

Obsrvese que la diferencia de potencial entre dos puntos depende nicamente de las concentraciones
en ellos y es independiente de su separacin .1/ .',. La Ec. (138) puede expresarse de la fonna
(1 )9)

Esta es la relacin de Boltzmann de la teora cintica de los gases.

Ley de accin de masas

Partiendo deJ n = OYprocediendo como antes se llega a la ecuacin de Boltzmann para los electrones.

11 40)
Multiplicando las Ecs. (1-39) Y ( 1-40) tendremos
(1-41 )

Esta ecuacin indica que el producto "1' es una constante independiente de x y por tanto del dopado
en condiciones de equilibrio t rmico. En un semiconductor mrrfnseco 11 = P = 11 Y np = , que es la
ley de accin de masas introducida en la Ec. (124 ).

,,1.

Unin abrupta en circuito abierto

Consideremos el caso especial de la Fig. 1IOb. La mitad izquierda de la barra es de tipo peon una
concentracin constante NA' mientras que la mitad derecha es de tipo " con una densidad uniforme ND' El
plano sealado con lnea de trazos es una uni6n metal rglca (Pll) que separa las dos porciones de distinta
concentracin. Este tipo de dopado en el que la densidad cambia abruptamente de l' a 11 se denomina en
escaln. La unin queda localizada en el plano en el que la concentracin es nula. Como se ha descrito
[Link] teoria seala que entre las dos secciones existe un potencialllamado It'IIsi" de contacta V"' La
Ec. ( 138) nos permite calcular V~ con lo que

v
=

(142)

ya que 1', PI" = concentraci6n de huecos en equilibrio lnnicoen el lado p y 1'1 p.. = concentracin de
electrones en equilibrio t rmic o en el lado 11 .
De la Ec. ( 128), P,... NA' Y de la Ec. {l- 23) P_ n/IND de forme que

V , In

N",ND

n,,

(1. 4))

La misma expresin para V. se obtiene del anlisis correspondiente visto anteriormente. basado en
igualar la corriente 100al de electrones I a cero (problemal - 18). La unin pn, se estudia r detal ladamente
en el captulo 2.

60

Microeleclrllica moderna

REF ERENC IAS

Sbccktcy. W.: " Elcctro ns and Holcs in Sc miccod ucto rs", D. Van Nos lra nd, Princeton , NJ , ( reimpresin), 19;
2

Yang. E. S.: "Fundamcutals of Semicond uctor Deviccs." McGriW- Hill Hook Com pany, Nucva York , 197R.

Sze, S, M.: "P hyslcs of Semicond uctor Dcvices." 2," ed., John Wilcy & Son s, Nueva York, 1979,

Adler. R. B.. A. C. Smhh, y R, L. Longin i: "Inrroduction lo Se miconductor Physics.' vol. l. S EEC, John Wile)
& Sons , Nuev a York. 1965 .

TEMAS DE REP ASO

. -1
) 2
1-3
1-1
15

.6
11
1-8
19
110

111
112
I 13
1 14
1- 15
116
1-17
1-18

Defin ir la intens idad de campo elc trico.

Definir la e nerga potencial.
Defin ir el elec tron-von.
Dar la descr ipci n gas -electrnica de un metal.
Defi nir la movilidad,
Def inir la cond uctiv idad.
Por qu un semico nd uctor intrnseco a O"K ac t a co mo un aislante ?
,Qu es un hueco'! ,C mo co ntribuye a la conduccin?
(a) Qu es la conce nu acicn intrnscca de hueco s'!
(h) ,Cul es la relaci n entre la densidad e n el lema 19(/ y la conce ntracin de electro nes?
,Cmll es la dife rencia e ntre semiconductores intrnsecos y extrnsecos ?
Representar en dos dime nsiones un cristal de silicio conte niendo un tomo de impu reza donad ora ,
Repetir el tema ante rior con un tomo de impureza recept ora.
,Qu tipo de semico nd ucto r resulta al dopar s ilicio co n impure za =: (a ) do nador a. y (h ) rece ptora '!
Establecer la ley de accin de masas.
Un semicond uctor nen e unas co ncentraciones N n y N,. de donadores y rece ptores respe c tivame nte. Qu
rela cin debe em plearse para determinar las co nce ntraciones 11 de electrone s y p de huecos?
Describir la recombinacl n.
Def inir la vida media de un pCll~.u l lJ r.
La resiste ncia de un scrmconduc tor e xtrnseco. aumenta o disminu ye con la tem peratu ra? Explquese

brevemente.
1-19
1-20
1 2 1
1 22
1 23
12-1

Repetir el tema anterior para un semico nd ucto r intrnseco,

Definir la tensi n equivalente de te mperatu ra.
,Qu condiciones debe haber para que e xisla difusin?
Definir la co nstante de difus in para: (a) huecos y (b ) elec trones .
.E.~ l n relacio nadas la d ifusi n y el dc spluzamiento? ,C mo'!
Escriblr una ecuacin para la cornemc neta de elec tro nes e n un semico nd uctor y ex presar cl s ignificado fsico
de cada t rmino.
125 Definir un semicond uctor grad uado.
12 6 ,Por qu de be e xistir un r ampo elctrico cn un semic onducto r g raduado'!
1-27 ,De qu parm etros depe nde la diferencia de potenc ial de cont acto e n una unin 1111 e n escalas e n circ uito
ab ierto?

El diodo de unin

La unin P" es el bloque constructivo bsico del que depende el funciona miento de lodo dispositivo
semiconductor. Basndonos en las propiedades de los semiconductores descritos en-el captulo 1
desarrol laremos el comportamiento de la un i6n pn. Dirigiremos especialmente la atencin en (as ca ractersticas volt-amperio y en los modelos de circuitos representand o el funcionamiento de la unin , Puesto
que la un i6n p" es por s misma un dispositivo de dos elementos (diodo) estudiaremos tambin su empleo
como elemento de circuito.

21. LA UNiN EN UN CIRCUITO ABIERTO

Cuando un cri stal de semicon ductor se dopa con aceptadores por un lado y do nadores por el opuesto.
se forma una uninpn (Fig. 2 1). En esta figura los iones donadores se representan con el s igno " ms y
los electrones con un pequeo punto negro . Los huecos est n dibujados con peq ueos crculos vacos y
los iones acep tadores con el signo menos. Se supone que la unin de la Fig. 2-1 ha alcanzad o el equilibrio
y que el semico nductor tiene una seccin recta uniforme.
Iones aceptadores

Unin

Ionesdonadores

0 0
00 0!8
,

0 :0
000
0
000
,


0:0
000
0
0000
,
o
o
o
o

0 :0
0000
0000
,
e. o
o
o

-

H"""

Tipo 1I

u-o

11'.

.1

Electmnes

Tipo p

Regin de [Link]
Flgur. 1-1. Representacin esquemlicade una unin pn

Regin de la carga espacial

Inicialmente existe un gradiente de concentraci n a trav s de la unin lo que hace que los huecos se
difundan hacia la derecha y los electrones hacia la izquie rda . Vemo s pues que los huecos que neutralizaban

62

icrocectr nlco moderna

los rones aceptadores prx imos til a unin en el silicio de tipo han des aparecido co mo consec uenc ia de
la comb inaci n con los electrones difund idos a travs de la unin. De igual forma. los electrones e n el
silicio de tipo 11 se han combinado con huecos que han cruzado la unin desde el material p. Los iones no
neutralizados en las proximidades de la unin se conoce n con el nom bre de ("lIIRa.\ descubiertas y se
traduce n en una densidad de carga fi " como puede apreciarse en la Fig. 2-20 . Co mo la regi n de la unin
no contiene cargas mv iles se la dc nomina r l'xin de deptex n de carga espacial o de transiciu. El anc ho
de es ta regi n es del orde n de unas pocas dcimas de micra (aproximadamente como la longit ud de onda
de la luz visible). Slo existen portadores fuera de esta reg in; hacia la izquierda son predomi nanteme nte
huecos (p "" N ,) Y hacia la derecha. e lectrones (11 "" N"l.
En la secci n 1-7 se demostr que de una co ncentraci n de cargas no uniforme resu lta un campo
elctrico y la diferenc ia de potenc ial e n la un in, La distribucin de carga. que es cero en la unin. forma
un dipolo elctrico . es deci r, que es nega tivo e n un lado y pos itivo e n el otro. La forma de la cur va de /1,
en func in de .e depende de cmo es t graduada la unin (la unin abru pta es estud iada en la Seco 2- 13),
Densidad de carga P,

'"
Lado n

Lado p

'"
Pote ncial electrostanco V

J' = O
le )

,,,
,,
,

',,""
,,
,,
,

Ba rrera de energfa pote ncia l de ele ctron es.

,,,

1' -0

,"

-wr

,
,
,

h'"

DistanL' ja desd e la unin. .\

Figura 2-2. la I Densidad de carga: (/) intcnsidnd de campo elctrico: (e l potencial elect rosttico:
ele r troue-, en la rcg tu de dcplc xin de una unin {'II.

(ti )

barre ra de potencial para los

El diodo de unin

63

La intensidad delcampoelctrico y las variaciones de potencial se obtienen de la distribucin de cargas

y de la ecuacin de Poisson.

<1'.

- P.
e

d:r ~

(2- 1)

en la que E es la pennitividad [constante uie lctrica del med io). Normalmente E se expresa como E ". E,E.
siendo E , la constante dielctrica rela tiva y E. es la permitividad en el vaco. Recordando que ~". (d Vldx ),
la integracin de la Ec. (2-1) da
't (x ) ".

'
J

pJx')

- - ds'

- IV,.

(2- 2)

E.

Como se represe ma en la Fig. 22h,;< es negativa porquee Jcampo vadirigidode derecha (ms) a izquierda
(menos). Obsrvese que ~ (-W,)". l; (W )". O; es decir, se admite que no existe campo fuera de la regin
de carga espacial.
LaFig. 2-2(' representa la variacin del potencial electrostticoen la regin de transicin,y es la integral
negativa de la funcln a (x) de la Fig. 2-2h. Esta variacin constituye una barrera de energa potencial
(Sec. 1- 1) que se opone a la prosecucin de la difusin de huecos a travs de la barrera. En la Fig. 2-2d se

~
"

Ccmacrcs

metlicos ,

,f------'p'----

"

<.)
Figu ra

"

"

(bol

23. Unil1 p11; (a) con polarizacin dirccla. y (b) con polariucin inversa.

ve la forma de la barrerade energa polencial contraria al flujo de electrones que cruzan la unin desde el
lado . La Fig. 2-U es similar a la 22c salvo que est invertida ya que la carga de los electrones es negativa.
Obsrvese la existencia en la zona de transicindel potencial de contacto Vo visto en la Seco1-7.
En circuito abierto la corriente total de huecos debe ser nula. Si esto no fuera cierto. la densidad de
huecos en un extremo del semiconductor ira creciendo indefinidamente con el tiempo, cosa que
evidentemente es fsicamente imposible. Puesto que la concentracin de huecos en el lado p es mucho
mayor que en el lado 11, una gran corriente de difusin de huecos tiende a atravesar la unin desde el
material p al 11. Como aparece un campo elctrico en la unin en sentido tal que una corriente de
desplazamiento tender acruzardesdeellado s al p para contrarrestar la corrientede difusin. Lacondicin
de que la corriente de huecos resultante sea nula nos permite calcular la altura de la barrera de potencial
V (Ec. ).43) en funcin de la concentracin de donadores y aceptadores. Con las densidades de dopado
hbltuales el valor de Vo es del orden de algunas dcimas de volt.
Tambin la corriente total de electrones debe ser nula: por tanto la difusin de electrones desde el tipo
11 al p debe verse contrarrestada por el desplazamiento de electrones desde p a ti .

22, LA UNIN pn POLARI ZADA

La caracterstica elctrica esencial de la unin P" es que permite la circulacin de portadores en un

64

s ttcroetectrontco moderna

sen tido y la impid e pr cticamenre en el otro. Ve remos a con tin uac in CI)1l10 se lleva a cubo 1:1 acci n de
I"{'('(iji"l'uc/" I" <1 1 aplicar una tensin e xte rior :11:1 unin.

Unin rn con polart zacl n directa

Enla Fig. 2-3 c/ se aplica una tensin VIJ a la unin, con el polo po sitivo de la bater a conectado al iado
1/ . De acuerdo con la Fig. 2-2 suponemos que no hay ninguna cada de tensin a
l ra v ~ de la pauc de ~c ll1 i t:l lll d uc t or Iueru de l. rcgitJll de deptexin ni en los coruuctos metlico s. En
l'1I11\ CCUCIlCl a 1:1tensi n apl icada reducir la barrera de potencial e n la cumu a \1 1 es deci r. pert urbnd ose
el equili brio establecido en tre la difu sin y el desplaznmicmo de portadores a tra vs de la unin. L'I
consec uencia de la d ismin ucin dcl potencial de la unin ex pe rmi tir qu e pasen huecos desde el ludo 1) L!
1/ , An logum cnt e. ahora pueden difund irse electrones desde el lado 11 al p, El despla zam iento de huccns
hacia la derecha y de electrones hacia la izquierda constit uyen una corr ien te en el mismo sen tido. Ast. Ia
corriente resultante que atra viesa la un in es la suma de la s corrientes de huecos y de elect rones. Un:1 vez
los electrones (y huecos c ruzan la un in se convie rten e n port adores minorita rios en la regin p (o /1) y
forman una corrie nte rnino ritara inyectada. Esta co rrien te de di fusin puede se r imp ortante si lo es el
numero de portadores d isponibles. La tensin aplicada con la p(llarid'ld indicada en [u Fig. 2-.10, que da
origen a esta corriente. se denomina polari:adn directa y la unin est polarizada direrunnente ,
p y el negat ivo al iado

Uniu 1m con pola rizacin inversa

La po laridad de la ten sin aplicada en la Iig. 2 .1" (o pues ta a la de la Fig. 2-3a) pola riza inversamente
la un in. El efecto de esiu tensin es incrementar 1:1 barrera po tenc ial e n c VD y e n consec uencia reduci r
el flujo de portad ores mayoritarios (huecos e n cl tipo P y elect rones en el 11). No obstante . los portadores
minoritar ios (electrones e n el lipa P y huecos en el 11 ) ya qlle estn por debajo de la altur a de la barrera de
potencial no se ven afectados por este alime nto de la barre ra. Sin em bargo. las condiciones iniciales de
eq uilibrio resultan afectadas y ci rc ula una pequ ea corriente de 1/ .1 JI a trav s de la unin (opuesta alu
polurizacin dire cta l. Esta corrie nte. represen tada por 1, se den omin a corriente elesaturacin inve rsa y es
muy peq uea ya que ex isten pocos portadore s minoritarios. De cumuo ant ecede se deduc e que 1, es
inde pendiente de la tensin inversa aplicada .
El mecanismo de la conducci n con polarizacin inve rsa puede tambin describi rse de la siguiente
forma: LoI polaridad de \'IJ es tal que hace que tanto los huecos en el tipo l' y los elec trones en el 11 se
apart en tic la unin. En consecuencia la reg i n de de nsidad de carga ne g.u va se e xtien de nuls a la izquierda
de la unin (Pig . 2-2(1) . Y la regin con densidad de ca rga pos itiv a se alarga hacia la derecha. Este proceso
no puede prosegu ir indefinidamente porque un flujo c on tinuo de huecos haci a la izq uic rd a requiere que
stos sean sumin istrado s a travs de 1:1 un i n desde el silicio tipo 11. C 0 1ll 0 hay slo unos pocos de tales
portadores. la corrie nte resulta nte es virtualm ente nu la. La pequea corr ien te de saturacin que haya es
debida a los pares elec trn-hueco gene rados rrmic am erne. Los huecos us formados e n el s ilicio tipo 11
vagan por donde la t111 i6n y son forzado s por el campo el ctrico a c ruza ra. Puede aplicarse un razonamient o
anlogo a los electrone s generad os t rmicumerue e n el material tipo JI,

Con tac tos h micos

A l comenlar las polarizac iones directa e inver so. supusimos que la tensin externa \' J se aplicaba
directament e a la unin. dando lugar a un aumen to o disminucin del potencial e tect rosutrie;, e n la unin.

El diodo de unin

65

Para ju stificar este supuesto debemos puntualiza r cmo se realizan los contacto s elctricos al semiconductor desde el circuito exterior de po larizaci n. En la Fig. 2-3 se se alan los contactos metl icos de que
estn provistos los materiales l' y 11 homog neos. con lo que se han aadido dos uniones meral-semico nductor, una en cada extremo del diodo, y debe mos es perar q ue se produzca una tensin de contacto en
estas uniones adicionales. Sin emba rgo deberem os supo ner que tales uniones representadas en la Fig. 2-3
se han fabricad o de forma que no sean rectifi cadoras. Dicho con otras palabras: el potencial de contacto
en estas un iones es constante independientemente del sentido y magnitud de la co rriente. A un contacto
de este tipo se le deno mina COI/ lacto hmico . Considerando que la diferencia de tensin a travs de la
unin metal-semiconductor se mantiene constante y qu e la cada de ten sin en el cristal es despreciable,
aproximadamcnte toda la tensin aplicada aparecer como un cambio de la altu ra de la barrera de potencial
de la unin 1"' .

La unin pn en cortocircuito y en circuito abierlo

I

Si la tensin VI>de la Fig. 2-3 fuera cero, la unin plI es tara en cortoc ircuito. En estas condiciones no
habra ninguna cor riente (/ = O) Yel potencial electrosttico VIJ pcrmanecerfa sin variacin e igual al valor
en circuito abierto. Si circulara alguna corriente (/ "#:. O)el metal se calentarla. Al no haber ninguna fuente
exterior de energa, la necesaria para calentar los conducto res metlicos debera suministrarla la barra pn,
y por tanto sta debera enfriarse. Naturalmente, en condiciones de equilibrio t rm ico. el ca lentamiento
del metal y el enfriamie nto simultneo de la barra es imposible por lo que llegamos a 1,1 conclusi n de que
1 = O. La suma de tensiones a lo largo de un ci rcui to cerrado debe ser cero y por tanto el potencial V" de
la unin deb e estar compensado exactamente por el potencial de contacto metal-semico nductor de l
contacto hmico.

Grandes lensiones directas

Considere mos la situacin cuando V" de la Fig. 2-30 aumcmc hasta aproximarse a Vil' Cuando Vfj = VI'
desaparece la barrera y la corriente tenderla a crecer arbit rariame nte. De hecho la barrera no puede nunca
quedar redu cida u cero pues la resistencia del cue rpo del cristal y la de los contactos hmicos limitan la
corriente. En estas condiciones no se puede supone r que toda la tensin VIJ se manifieste l travs de la
unin. En resumen, si \'" se hace comparable a Vo la corriente en una unin on real viene gobernada por
la resistencia de lus contactos hmic os y por lu del cuerpo del sem iconductor.

2-3. CARACTERSTI CA TENSIN-INTENSmAD

La naturaleza aproximadamente un ilateral de la unin lm fue desarrollada en la Seco22. Ahora vamos
a describi r cuantitat ivame nte la caracteristica vott-ampcrio que relaciona la tensin aplicada a la unin
con la co rriente que produce. Una particularidad significativa de esta caracterstica es que relaciona [o que
ocurre en la vecindad de la unin con las cantidades en los terminales ex teriores accesibles. La unin P"
junto con sus contactos hmicos. es deci r, sus termin ales. forman un dispositivo de dos elementos
denomin ado diada di' unin,
El anlisis terico de la unin pn (v anse las Ref. I a 4 al final del ca ptulo) nos conduce a la relaci n
dada en la Ec. (2-3 ) representada en la Fig. 2-4.
A

(2-31

66

Microelectrnico moderna

El sentido positivo de 11) es dell adop al 11 (en el se miconductor) siendo VD positivo e n una pol arizacin
direct a. Uno de los factores de los que depende 11 en la Ec. (23) es la cla se de sem ico nductor em pleado.
Para el silicio r es aproximadame nte igu al a 2 con corrientes normales. La te nsin equivalente de
tem peratura viene dada e n la Be. ( 1 ~33 ) rep rodu cida por comodidad en la Ec. (2-4).

v,

T
V ""' 11,600
A tem peratura a mbiente (T = 293

~'K ) .

12-4)

v, = 25 mV.
1f}. mA

2
0.2

0.4

0.6

0.8

, ,A

,.,

'"

Fi/.lura 24. (ti ) Cencre rtsuca de 1111 diodo tic unin, y (b) la caracterstica rcusin-corricnre mostrando el orden de magnitud de la
corriente y la tensin de ruptura.

La corriente 15 de saturacin inversa depend e de la conce ntracin de huecos y elec trones en la zona de
la unin. As 15 sirve como factor de escala de las comentes de la unin ; para densidades especificadas
de port adores un aument o del rea se traduce en un aume nto de la capaci dad de com e nte de la unin .
La Ec. (2-3) indica que con polarizacin di rec ta y VD varias veces mayor que V , lo que hace que el
ex ponente sea mucho ma yor que 1, In vara exponenci almen te co n la te nsin aplicada . En es te caso. la
Ec. (2-3 ) puede aprox ima rse en

(2-5)

El resultado era de es perar ya que un desce nso en la barrer a de potencial perm ite que los porta dores
se difundan ms a travs de la unin. Anloga me nte. cuando V I I es var ias veces Vr , //l es negativa de valor
I para polariza ci n inversa. Ta nto el signo negativo se alando una com e nte de " a p co mo el valor
~onstante de corriente para polarizacin inve rsa son cong ruentes co n lo visto en la Seco22.
Co mo sea que las corrientes directa e inve rsa difi ere n e ntre s e n varios rde nes de magnitud se e mplean
do s esca las distintas de intensidad para represent ar las caracters ticas de la unin como e n la Fig. 2-4h.
La porcin a trazos de la ca racterstica de polariza cin inversa indica que a un a tensin - Vz la unin ac usa
una desviacin brusca de la Ec. (2-3 ). A esta tensin puede exis tir una corriente inver sa fuert e y la unin
es t en la regin de rupturn , fe nmeno que se estudiar en la Seco 2- 11.
En la Fig. 2 ~5 es t re presentada la carac te rstica directa del IN4l 53, que es un diodo de silicio de
conmutacin rpida. En ella puede verse que existe una tensin de codo, de partida o umbral Vy por debajo
de la cual la corriente es muy pequea (menos de 1 % de su valor nomin al). En esta figura Vy es de
aprox imadame nte 0,6 V por encima de los c uales la corrie nte au me nta' rp idam ent e. La caracterstica del
diodo indic a que por debajo de la te nsin umbral la corriente es desp reciab le.

El diodo de unl6n

67

l OO

80
60

20

/
0.2

0.4

0.6

0.8

1,0

FIgura 2;-S. Caracte rstica direc ta tensin -com ente de un diodo de silic io IN 4 153 a 25 o C.

El parmetro r puede dedu cirse de la naturaleza ex ponencial de la caracterstica volt-ampe ric. De la

Ec. (2-5) tendremos
log Iv ;; lag l s +

(261

1000
500

"lO

50.0
10.o

[Link]

10 o

OSo

0.1o
0.0 S
0.0 I o

/
0.2

0.4

0.6

0 .8

1.0

l.2

VI) . v

Figura 16. Caracterstica logartmica de un diodo de: silicio IN41 53 a 25 o C.

La representaci n de log lo en funcin de Vti nos da una lnea recia de pendiente O.434/rl Vr de donde
se deduce n . En la prctica esta relacin lineal se observa con niveles de co rriente bajos. En la caracterstica
logartmica del IN 4 153 a T = 25 9C de la Fig. 2-6 se cumple la relacin lineal cuando ID< 25 mA. De la
pendiente, r es aproximadamente igual a 2. A niveles de corriente mayores la pendiente disminuye ya
que la tensin total aplicad a no aparece Integra a travs de la unin sino que co mprende tambin la cada
hmica en los contactos y en la masa del semiconductor. Adems se ha determinado que con corrientes
altas r se aprox ima a la unidad. siendo

68

Microelectroutca moderna

Ejemplo 2-1
Derermlnar e l c ambio de la ten sin del diodo co rrespond ie nte a un c ambio de 10 a 1 de I IJ' a 300

~K .

Solucin
De la Ee. 2-5 tendremos

y
o sea

de donde
llJ'
log - -

0.4J4( V/l ~ -

11

2.3031j V r la g - I/JI

1m

A T =: 300 ' K. VI =: 26 mV de III Ec. 2-4 y co n I,,/lm=: 10. VIl_O- \ ! I>I =: 60 11 mv . Por tanto para 11 =: 2 la
variacin de Vu necesaria para que la corriente var e de IDa l . es de 120 mV . Si 11 =: 1, la variacin nece saria
se r de 60 mV.

2-4. DEPENDENCIA DE LA CARACTERSTICA VII

CON LA TEMPERATURA
La caracterst ica del diodo de la ecuacin (2-3) tiene dos trminos, Vr e ' ,que dependen fuerteme nte
de la te mperatura. La Ec. (2-4) ex pres a la relac in funcional entre v, y la temperatura. El anlisis te rico
de una uni n de silic io ind ica que ' ,cambia un 8 % por grado centgrado. Los diodos rea les s lo llegan a
estos resul tados aproximadamente , debido a que exi sten compone nte s de la corriente de saturacin inversa
debidas a fuga s superficiales. Dato s exp erim entales demuestran que 1. vara un 7 %/-'c. y puesto que
( 1,07)10 2 se llega a la conclus in de que la co rr iente de saturaci n inve rsa se dupl ica cada 10 "C de
aum ento de temperatura.
Conociendo 1, a la temperatura TI podemos c alcular 1, a cua lq uier otra temperatura T.

12-7)

Si la tensin apli cada es constante, un aum ento de te mperatur a causa un increme nto en Is. Sin embargo
se puede reducir la tensin al aume ntar Tmantenindose la corr iente a su valor inicial . Se ha de termi nado
que a tem peraturas prx ima s a la amb iente

uv;
=
JT

- 2.2 mVrC

para co nse rva r cons ta me.r . Ob serv emos que dV,/dT de crece a l aum enta r la tempe ratura.

(2 -8 )

El diodo de uni6n

69

2-5. DIODOS DE GERMANIO

En e l comercio se encuentran diodos de uni6n fabricados con germanio que se utilizan en circ uitos.
La base de su funcionam iento es la misma descrita para los diodos de silicio, estando la caracterstica
voHamperio dada por la Ec. (2-3). Existe n dos d iferencia s: ( 1) 11 = l. Y(2) el valor de /, en un diodo de
gennanio es del orden de tres o cuatro veces mayor que en uno de silicio de igual tamao y con la misma
densidad de dopado. Otra particularidad distintiva para la caracterstica voh-amperio del germanio es-que
la tensin umbral es V 1 =0,2 V.

2-6. EL DIODO COMO ELEMENTO DE UN CIRCUITO

En es ta seccin empezaremos a est udia r las propieda des del circuito de un diodo. Como punto de
partida describiremos las caractersticas de un diodo ideal.

El diodo ideal
Un diodo ideal es un dispos itivo de dos elementos que se represent a con el smbolo de la Fig 2-7 Y
tiene la caracterstica volt-ampe rio de dicha figura'.

----+--"0
lo'

l b)

figura 2-7. (a ) S'mbolo y (b)Caracterislica lensincom enle de un diodo ideal.

Observando la curva se ve que la corriente en este dispositivo circula s610en una direccin por lo que
el diodo ideal resulta ser un elemento de circuito unilateral. Esta cualidad tiene inters en la conmutacin
ya que de ella se deri va una caracterstica ON-OFF (cerrado -abierto). O bsrvese que cuando VDes cero,
pued~ ,tener cualquier valor positivo, y cuando iD es cero , Vil puede tener cualquier valor negati vo .
condicio nes que corresponden a un interrupt or. Esta propiedad del diodo se utiliza ampliamente para la
rectificacin y form acin de ondas ya que es la nica apropiada para la transmisin y procesado de seales
de la polaridad adec uada ,
La unin pI! descrita en las seccio nes anteriores de este mismo captulo slo se apro ximan al ideal.
Comparando las Figs. 24a y 2-7 b se ve que el diodo real tiene una peque a pero no nula corriente inversa
y que ex iste una cada de tensin con la polari zacin directa. Adem s, la caracterstica no lineal de la unin
pn requiere mtod os grficos de an lis is del tipo de scrit o en lo que resta de esta seccin.

'

I Cuando la variable e. runcin del ' "mpo se n:pn:'Cnla ~on lelo m;n~ula , ~omo Vil e iD' La. mayscula. 'C emplean para indicar valon:.
ron' lan!el , Esle ~ri lerio se ligue en lodo el rexro.

70

Microelectrnica moderna

Concepto de recta de carga

El ci rcuito repre sentado en la Fig. 2-Sa contiene un diodo pn re al cu ya caracterstica volt-amperio es
la de la Fig. 2 8h. Aun cuando el smbolo de un diodo fsico es e l mismo que para uno idea l. en este texto
los diferenciamos co mo se ve en las Fig. 2-70 y 2-8a.

'"'

'h<

Figura 18. (u) Circuito y (b ) caracrersnca del diodo y recta de carga del circuito .

Segn la ley de Kircbhoff para e l circuito de la Fig. 2-80 tendremos:

y despej ando I P'

1
- V, +

V" A

'

(2-9)

Esta ltima ecuaci n defin e una lne a recta de nominada recta de carga repre sentada tambin en la Fig.
28b. Obsrvese que la pendient e de es ta recta y sus intersecciones co n los ejes dependen slo de R
y de VM' La ecuacin (2 9) y la caracterstica del diodo deb en satisface rse simultneamente: su punto de
interse ccin Q es el nico que lo cumple. Los va lores de la intensidad en el diodo y la tens in a travs
de ste se represent an I' IQ Y V,lQrespccivame nte. El subndice Q se emplea para designa r valo res de reposo
q ue exi ste n en e l Circuito.
R

Dispo snrv c

11

'..

I'H

Figur a 1-9. Dispositivo alimentado por una fuente a travs de una resistencia en serie.

El concepto de recta de carga tiene ms ap licaci n que la dada para e l diodo. Consideremos un
dispositivo cualq uie ra e n serie co n una res istencia R y una fuente V AA lal como se indica en la Fig. 2-9. De
la ley de Kirchhoff y despejado 1, lc nd rc mos:

.
1, =

1 En elap ndce

RO. +

VA A
R

e ngU/ll un resumen de la teora de circuitos emp kada en ene libro par. el anlisis de circ uitOI electrnicos.

(2 10)

E l dio do de uni6n

71

Esta es la ecuac in de la recta de carga: su intersecc in co n la caracrerfsrca volt-ampe rio del dispositivo
contenido en el recuadro determina los valores de trabajo de la corrien te y tensiones en el circuito.
Obsrveseque la rectade carga pasa por los puntos i, = O. 1', = VM e i, = VM I R. '', = O, independientemente
de la caractertsca de / dispositivo, siendo su pendie nte igual a - IIR .

R,

'"

lb)

Figura 1-10 . Cambio del punto de trabajo : (o ) cuando varia V A A Y (b) cuando varia R.

Es instructivo estudiar los cambios que se prod ucen en el punto de operacin del circuito de la Fig.

2-80 al variar VM Y R. Estos camb ios quedan representados en la Fig. 2-lOa en el caso de ser R constante
y VAA variable. En caso de que vare R y se mantenga constante VAA la representacin ser la Fig. 2-lOh.
En esta ltima figura se observa que si V"" crece (o decrece) lo tambin crece (o decrece). Obsrvese que
con pequeos cambios en VAA la porci n de caracterstica del diodo ent re puntos Q adyacentes es
aproximada mente lineal. Sin embargo. para grandes variaciones de VM ' como sera desde VM / a V>lM la
porcin de curva del diodo no es lineal. En la Fig. 2-lOb es evide nte que si crece R, disminuye IDQ'

27. MODELOS DE GRAN SE AL

Es conve niente representar el diodo por una combinacin de elementos de circuito lineales e ideales
formando un circuito equivalente o modelo. Mientras el diod o se utilice j unto con otros elementos o
dispositivos. el modelo nos permitir calcular las corrie ntes y tensiones en la red valindonos de los
mtodos ordinarios de anlisis de circuitos.
El diodo ideal (Fig. 2-7) es un dispos itivo binario en el sentido de que exi ste en slo uno de dos posibles
estados: es decir, que en un mome nto dado el diodo es tar ON u Off. Cons ideremos un diodo real cuya
caracterstica sea la de la Fig. 2- 11. Si la tensin ap licada a ese diodo supera la tensin umbral Vycon el
nodo A (lado p) ms positivo que el ctodo K (lado n) el d iodo tiene polarizacin directa y est en ON.
Estar en Off si la tensin aplicada es meno r que Vy, polarizando el diodo en sentido inverso.
Como se observa en la Fig. 2- 110 los dos segmentos lineales se aproximan a la caracterstica directa
del diodo. Esta representacin la forma una fuente de tensin Vy en serie con una resistencia R
(normalme nte entre 5 y 50 Q para los diodos de silicio) como en la Fig. 2- 11 h. Esta caracterstica lineal
es vlida porque con VD <Vy la corriente directa es tan pequea que se puede despreciar. Adems. la cada
de tensin en el diodo es pequea frente a la tensin aplicada al circui to. de forma que la diferencia entre
la caracterstica lineal y la real supone un erro r despreciab le. Efect ivamente, el estado en conduccin DN
puede considerarse como un diodo ideal en serie con una batera Vy y una resistencia R, . Hay que tener
en cuenta que los nicos terminales accesibles para las medici ones son los A y K.

72

Microelectrnica moderna

Pendente

..!...
R,

'-_.L

V"

lb)

(a)

" ig. 2 11. (u) Caractertsuca directa linealiaada del diodo; (b) modelo del diodo para polarizacin directa.

V"

--- -=-<-- 1,
Pendiente ~

R,

R,

R,

'"

"iaura 2) 2. (1I) Caracterstica inversa idealizadadel diodo; (b )

para incluir Ins prdidas superficiales.

'd
'"
modelo del diodu basado en la representacin 'Ul terior;

( 1')

modelo

En es tado de co rte (c r r ) la ca racterstica se aprox ima a una recta que pasa por e l ori gen como se
repr esenta en la Fig. 2- 12(1. sie ndo la pendie nte igual a I /R,. Esta representacin da pie al c ircuito
eq uiva lente de la Fig . 2- 12b.
Como la re sis ten cia e es en ge ne ral de va rios centenares de ohmios y a n ms. muc has vece s se pued e
supone r q ue es infinita y co ns ide rar a l di odo con polar izacin inver sa co mo un ci rcuito abierto. Cuando
se requi ere ms pre cisin se puede e mplea r e l circuito de la Fig. 2-12(". La fue nte de co rr iente /, se e mplea
par a ind icar la co rriente de saturacin inve rsa c ons ta nte. La re siste ncia R, de la Fig. 2- 12(' pued e tamb in
tener en cue nta el aumento de la corrie nte inversa al acrecenta rse la ten sin inve rsa debid o a las prd idas
supe rficiales.

An lisis de circuitos de diodos utilizando el modelo de gran seal

Un mtodo ge nera l para e l anl isis de circuitos q ue co ntengan va rios di odos. re sistencias y fuente s
co nsis te en atribuir (supone r) el es tado de c ada diod o.' Pa ra e l e stado e n co nduccin ON . se ree mp laza el
diod o por e l ci rcu ito de la Fig. 2- l l h. emplendose el de la Fig . 2- 12h para los diodos e n co rte Off. Una
vez sustituidos los diod os por sus ci rcuitos eq uiva lente s toda la red es linea l y tant o las tensione s co mo
las intensidades pueden ca lcularse co n las le yes de Kirchhoff. La supos icin de que un di odo est en
co nd ucci n se co mprue ba si la co rriente en l e s e n sentido d irec to . S i la co rriente va de nodo a c todo
la primera supos ic in era acert ada . S i III co rriente va e n se ntido inver so (de ctodo a no do ) e l supuesto
de que es t en cond ucc in es falso y deb e ree mpre nderse e l an lisis suponiendo e l d iodo e n corte OFF.
De fonn a an loga. comproba mos s i e l d iodo es t en corte hallando la tens in a tra vs de l. S i esta
ten si n es e n sentido inver so o es en sentido di rect o pe ro me nor que Vy e l d iodo es t en osr. S i esta ten sin
J

No hay que p",,,",up'= por e11l. ; lenien"" U[1<riencia n l"Ssuposieio n...... n n cor=lu. pero 5; no lo son ya lo ;nd ica.~ el ,n. ji.; "

El dode de unl6n

73

es en sentido directo y mayor que Vyel supuesto es incorrecto )' debe suponerse en conducci n al reanudar
el llnlisis.
En el siguiente ejemplo, as como en el texto. emplearemo s el mtodo de anlisis que antecede .

Ejemplo 2-2
Determinar la ten sin de salida v en el circ uito de la Fig. 2 13a con las tensiones de entrada siguientes:
\ '1 = \', = O. Se usa un diodo de silicio que tiene R, =30 a. Vy =
O.6V, /,=O yR,-+oo.
.
(a ) v, = \', = 5 V; (b) v, = 5 V. v, = . y (e)

So/uc6n
Observemos Que no estn sealad as las re feren cias (tierra ) en la Fig. 2- 13a. Todas las ten si ones
Indicadas estn medidas respecto a la referencia con ca rdas de ten si n considerada s positivas. El ci rcuito
de la Fig. 2 13a est reproducido en la Fig. 2-13b en la que se ha incluido el punto de referencia.
. , V
~70 0

D'
o,
4.7 en

4.7 tO

o,

na o

'.

"

"

2700

"

'v

"'

"

(DI

1
".

270 0

~J

(b l

Figura 213. (a) C ircuito pan el Ejemplo 22 ; (b) esq uema alternativo para el circ uito de la pane Q .

,--~o 1'01.,-'.'_ ,
o
~700

"1Il

o -'-------j
'

4.1 en

4.7 kO

270 n

' v '-------> s v

sv.. J U
(DI

JO

"f-;o-l

0.1>
~7 0

'-v--,yj

" 9,---:- -,
tb)

0 1> V

JO n

OI> V

,,'
Figur a 2.14 . C ircuito equ ivalente para el Ejem plo 2-2: {al los dos diodos cortados: (b ) d iodo D I en cene y D2 co nduciendo ; (e)
los dos <liodos en conduccin.

74

Microeleclrnica moderna

= =

(a) Con ,.
l' , 5 V supondre mos que D I y 0 2 es t n en corte. La sustituci n de los di~os por el
modelo de I~ Fig~ 2-12b siendo R ---J _ nos lleva al circ uito de la Fig. 2- 140. La observ acin de es te
circui to pon e en ev idencia que no ~ ircul a comente alguna. En consec uencia la cada de tensi n a [Link]
de cu alquier res istencia es nula. y por la ley de Kirchhoff VDI V Dl O < (Vy) confinnando as la primera
suposicin. Por tanto la Fig . 2- 12b es vlida para esta situacin y vemos que l'.. = 5V.
(h) Supongam os que D! es t en corte y 02 en conduccin con ", 5Vy ,.} = O. Utilizando los modelos
de las Figs. 2- llb y 2- 12b se obtiene el ci rcuito de la Fig. 2- 14b . Apli cando la ley de Kirchhoff al lazo
interior tendremos que

- 5

=
=

+ 4700/ m + 0.6 + 3D/ m + 270/ 02

= O

Despejando ' m

5 - 0.6
Co mo I D] es positivo (en se ntido directo) la supos icin de que 0 2 est e n conducci n es correct a. En
el lazo exterior no hay corriente. por lo que

v"

=5 -

Tambin puede calcularse

4700/ 02

=5 -

4700 x 0.88 x 10- ' = 0 .864 V

"Bde

v" = 0.6 + 300/1)2 = 0.6 + 300 x 0.88 x 10- ' = 0.864 V

Al no exis tir corriente en el exterior
VOl = o; -

5 = 0 .864 - 5 = - 4. 136 V

El valo r negativo de VIII confirma nuestra supos icin de que D I est en corte. As . el ci rcuit o de la Fig.
214b representa las co ndicio nes del circuito y el valor calculado de v = 0 .864 V es la tensin de sa lida.
Si en lugar de suponer que D2 est e n conducci n hubi ra mos supuest~ que esl en corte' /m hubiera s ido
cero. Sin corriente e n ningn diodo "B 5V hacie ndo que V, J1 5V. Com o este valor es mayor que Vy
O.6 V, nuestra supos icin hub iera sido errnea. De igual forma. si se considera D I e n conducc in y D2 en
corte. la ley de Kirchhoff ap licada al lazo exterio r nos da ra

- 5

+ 4700/ m + 0.6 + 30/ m + 270/ m + 5

= O

El clculo cond uce a un valor negativo de I/JI y el supues to anterio res falso.
(e) El circuito equ ivalente de la Pg. 2 14c es aplicable c uando v, = 1'1 = O suponiendo ambos diodos
D, y D z en conduccin. Por razones de simetra. en ambo s di odos e xiste la misma corriente l . La ley de
Kirchh off exige suministrar una co rrie nte 21 a estas ram as. Para el lazo inte rior la expresi6n es:

- 5 + 4700 x 21 + 0.6 + 00 + 270)1

de dond e 1 = 0,454 mA.

El valor positivo indica que la suposicin es correc ta. y por tanto

v" = 0 .6 + (30 + 270)/ "" 0.6 + 300 x 4.54 x

IO ~ " =

0.736 V

Observamos e n el Eje mplo 2-2 que exis te n valores dispa res de v que depende n del estado de los diodos.
Cuando ambas e ntrada s so n altas (p. ej . 5V ) la sa lida es tam bin alra. La salida es beja c uando una
o las dos e ntradas so n tambin bajas. Los circuitos con este tipo de comportamiento se denominan puertas
AN D~ (Y) y se es tudiarn deta lladamente en el ca ptulo 6.
B

El diodo de unin

El
'./1

75

'"

Figura 2- 15. (a ) Rect ificador de media onda. y ( b ) onda s de co rriente y de tensin.

2-8. APLICACIONES ELEMENTALES DE LOS DIODOS

Muchas clase s de circ uitos aprovechan la partic ularidad ON-OFf de los diodos para modificar notablemente la forma de ondas elct ricas. Ahora expondremos las bases de tales circ uitos, y en suces ivos
captulos trataremos de algunas aplicaciones especficas.

Rectificadores
Consi deremos el circu ito de la Fig. 2- 1511 en el que la combinacin de un diodo idea l y una resistencia
de carga en serie se alime nta con una tensin senoidal. Duran te el primer sem i-ciclo de la onda de entrada
el diodo est en cond uccin (ON) ex istie ndo una corriente I'/R e Durante el semi -ciclo negativo de '\', el
diodo est en corte (OFF) de forma que la corriente es nula (Fig. 2- 15). Como slo circula corrien te dur ante
medio ciclo a este circuito (Fig . 2- 15a ) se le deno mina rectificador de media onda. Es sign ificativo que
el valor med io (componente continua) de la corri ente a lo largo de un per iodo no es cero mientras que el
valor medio de la tensin en el mismo periodo s lo es . Este hecho constituye [a base de los circ uitos
rectificado res empleados para convertir la co rriente alterna. normalmente disponible, en corriente co ntinua
necesaria a la mayor parte de los sistemas electrnicos.
El circuito de la Fig. 2- l 6a emplea el condensador e a manera de filtro para conve rtir la onda de la
Fig. 2- 15h en la casi constante (c.c.) de la Fig. 2- 16h. A co ntinuac in describirem os cualitativamente el
efecto del co ndensador en la respuesta del circuito. En el instante ' = la tensin a travs del condensador
es VI y en ese momento la tensin de en trada es igual a VI actuando sobre el diodo.

'1

\ Entrada
~ I - ""

,b)

Figura 2-16. (a)

'"'
Rectificador con condensador de filtro; (o) tensin de salida de l circuito de la parte

o,

76

Microetectronica mo derna

Des pus de I la tensin del co ndensad or, es deci r, la ten sin de salida 1'" s igue a la tensin de e ntrada
hasta 1, c uando \:, llega a VIII . Despus de / ! la tensin de e ntrada dismi nuye a mayorrilffio, que la descarga
de l co nde nsadorcon ndose el diodo. Esto hace que la desca rga de sea a trav s de Re Si la constante de
tiempo R e es mucho mayor que el periodo T de la onda de e ntrada . la des carga ser lenta. con lo que
entre t, y ~ " 1' , baja muy poco, repitindose a partir de aqu el proceso. En los circ uitos de recticadores filtro (Sec. 17 4) las variaciones (rizado) de la onda de salida so n not ablement e me nores de lo que aparec e
en la Fig. 2-16h res ultando 1'" virtualme nte co nstan te.

u.. I

",

"

,
"

'1

'""::>

R,

Co)

lb)

Fig ura 21 7. lu) Circ uito equivalcme recnrt caocr : (h l onda de come nte mostrando los ngulos de ence nd ido y de ext inc in.

Empleando un diod o real e n la Fig. 215a se llega al circu ito eq uiva lente de la Fig. 217a, vlido para
polarizac in di recta. La ce-riente i se ded uce por la ley de Kirchhoff:

1=

v, -Vy

R,

V", sin wl - V y

(2- 11)

que es mayor que cero slo cua ndo 1', >Vy. As , la onda de comente represenlada en la Fig. 2~ 17b no se
inicia cuando rol = O. sino que hay un ngu lo um bral o de ignici n 0, dado por

f/J = sen - l
,

v'

V,,,

(2 -12)

Anlog amente exi ste un ng ulo de extincin al final del semi-ciclo posit ivo, c uyo valor es 1t - (/1,
Este circuito puede emp learse como cargador de baler as (e n ca lculadoras) sustituyendo R t de la Fig.
2~ ISa por VBB , tensi n de la balera, en serie con una resis tencia limit adora de corriente R ' En ese caso,
s
el ngulo de cebado viene dado por la Ec. (2- 12) cambiando Vy por Vy + VRB

Circuitos cortadores y fijadores

Los circuitos cortado res se usan para se lecc ionar para su transmi sin aquella parte de la onda que es t
por encim a o por debajo de un nivel de refere ncia , Bajo este punto de vista el rectifi cador de la Fig. 2 15a
es un circuito cortador ya que slo se transmiten a la sa lida las ten sion es de entrada superiores a Voy. Muy
frecuentem ent e los diodos e mpleados se polarizan con una ten sin de referencia que de termina la parte
de se al que ha de transmitirse.
El circuito de la Fig. 2 ISa es un s imple circuito cortador. Suponiendo que el diodo sea idea l, vemos
que "~se iguala a VR cuando el diodo D est en conducci n y 1'" = ", cuan do est en corte. La transicin
de OFF a ON tiene lugar cuando la tensin de ent rada alcanza el valor de referencia VR como puede verse
en la onda de la Fig. 2- 18b.

El diodo de uni6n

77

"
R

",

.
D

'

".

--f----\~__o"+-7\_--

w,

(b)

Figura 118. (a) Circ uito recortade r de diodo, y (h) su onda de salida.

El circuito equivalente de la Pig. 2-19 caracteriza al cortador de la Fig. 2 l 8a cuando se emplea un

diodo real (no ideal). En la Fig. 2- l 9b se ve claramente que ", es Vi cuando D est en corte. La corriente;
se deduce

v,

; = :v~
, _-,,"",V2R'--,"--:~

R + R

(2- 13)

Je donde
R[

v., = ;R+ Vl' + VR = Rf +R V + R

[

R (V R

Vl')

(2-14)

Como la polarizaci6n directa requiere que ; > O. en la Ec. (2-13)observamos que el pase de OFF a ON
tiene lugar cuando Vi se iguala a Vy+ VR. Este punto de transici6n supone un cambio abrupto de pendiente
en la grfica de v~ en funci6n de v. llamada caractersticade transferencia, y representadaen la Fig. 2-20.
La pendiente en esta figura es igual a la unidad mientrasD est en corte lo que indica que v~ = vI" En estado
de conduccin, la pendiente viene dada por el coeficiente de v en la Ec. (2-14). La onda de la Fig. 220
muestra c6mo se emplea la caractersticade transferencia para determinar la tensi n de salida de una seal
de entrada.
R

~
U

1)

H,
+_ " ,

u~

o_'~_.
,.)

Ji, - -

",

-,

'"

.'gura 119. Modelos para el circ uito de la Fig. 2 18a con: (a) polarizaeln di recta. y (h ) polarizacin inve rsa.

Ob s rvese que la caracterstica de transferencia de la Fig. 220 se deduce de la aproximaci n lineal de

la caracterstica del diodo que supone una transici6n brusca de la polarizacin inversa a la directa. En la
realidad tal tran sici n no es abrupta sino gradual. y por tanto tiene lugar no en un punto sino a lo largo de
una pequea zona de ten si n que normalmente es de 0.1 o 0.2 V. Esto hace que la onda de salida difiera
algo de la trazada en la Fig. 2-20. Afortunadamente. en muchas aplicaciones ves significativamente ms

78

Microelectrnica moderna

grande que las pocas dcim as de volt de la regin de ruptura po r lo que la repr esentacin lineal aproximada
es vlida.

Ca racterstica de transferencia

--'lc--A~ ~~- "

-r--r-r-r s

Pendiente e I

Figu ra 2-20 . Carac rertsuca de transferenci a de circuito recortadcr mostrando la ond a de entrada y la de salida resultante.

Ejemplol.J
Esboza r para el circ uito de la Fig. 2-210 en el que la tensin de entrada es la onda en dientes de sierra
de la Fig. 2- 21b: (a ) la caracterstica de transferencia v en func in v y (b) la onda de salida v. Los
parmetrosdeldiodo sonR = IOn, Vy= 0,6 Ve /. =0. '"
"

Solucin
Los circuitos equivalentes co n polarizacin directa e inversa vienen dados en las Pgs. 2-220 y 2-22b
respectivamente. Con polarizacin inversa la relaci n de salid a es ve = \'s ya que no ex iste corrie nte alguna.
En la Fig. 2-22a la salida puede ex presa rse

v"

VR

Vt

iR

=6

- 0.6 - JOi "" 5.4 - JOi

La corrie nte, hallad a resolviendo la ecuacin de Krchhoff para las tensiones es

6 - 0.6 - v.
5.4 - u.
=
JO + 1000
101 0

i ""

'.

"O

'.

IOV

- - - --

,,,

<',

"'lgura 2 21. (al C ircuito para el Ejemplo 2-] ; (h) onda de en trada pa ra el Ejemplo 2,3 .

E l diodo de uni"
Ikn

79

en

wn

"

;- 0,(, V

'.

'.

"

6V

6V
(6)

fo )

U". V

"1----------7
_...!...

Wf
~> 5.351----"''--(

Pendi ente

00

Pe diente

re

I
5.35 1---

,.

.(

"

v entrada

re

{dI

fe )

Figura 2-22. Modelos para el Ejemplo 2-3 con polar izacin: ( a ) directa. y
circuito de la Fig. 2-2 la ; (d) onda de salida para la entrada de la Fig. 2-2 l h.

(h )

inversa; ( e) caracterstica de transferencia del

El pu nto de ruptura se ded uce de la ecuacin de la corriente, y es el valor de v, para el que i es cero;
por lanto
v, = VI<' - v, = 6 - 0.6 = 5.4 V
El diodo est en conduccin (ON) cuando v, <5,4V y en carie (OFF) cuando 1', > S,4V. Sustituyendo i
en la ecuacin de 1'" resulta
R(V R - V,l
Rf
v" = R + R v, +
R + R
f
1000(6 - 0.61
IOc,
v,
=
+ 5.35
V
+
lO + 1000
101
10 + 1000
La caracterstica de transferencia est representada en la Fig. 2-22c y en la Fig. 2-22d se ve la onda de
salida deduc ida de la de entrada y de la caracterstica de transferencia.
De la onda de salida pueden deducirse tres particularidades. La primera es que el circuito de la Fig.
2-2 1a es el que se ve en la Fig. 2- 18a pero con el diodo conec tado a la inversa. Como consecuencia tenemos
que el c ircuito de este eje mplo transmite tensiones de entrada por encima de un nivel dado (aproximadamente VR - Voy) mientras la porcin de la seal de ent rada por encima de VR + Vyqueda corta da en la Fig.
2- 18a. La segunda particularidad es que para R R como es en este caso, la tensin de salida es
prcticamente constante con VR - Voy = 5,4 V cuando el dio do est en conduccin. La diferencia real es

80

ItIkroeltc/r6nica moderna

D,

1---l>I-- V..

".

.,

lb!

Figur. Z-lJ. (a) CircuilOreccrtador de dos niveles. lb) Circuilo moslrandoel em pleo de diodos limiladores.

del orden de 1% lo que correspon de a la relaci n RjR, y por ello muchas veces resulta conveniente
simplifica r el modelo de l diodo atendiend o a su te nsi n umbral despreciando el efecto de Rr La tercera
observa cin es que la tensin de salida y la caracterstica de transferencia tienen la misma forma. Por
tanto. podemos emp lear esta tcn ica en el laboratori o para obtener la caracterstica de transferencia
ap licando una entrada en diente de sierra y Irazando la onda de salida en un osci loscopio!
Combinando las propied ades de los circ uitos cortadores de las Figs. 2- 1So Y2-2 1a se llega al cortador
dedos niveles de la Fig. 2-230 . Si v YR re presentan el equi valente deThvenin en los terminales de salida,
las Figs. 2- 230 Y 2-23b son idnlicas. Para estos circu itos la tensin de salida queda restringida a estar
entre V" y V,} (aproximadameme). El anlisis de este ci rcuito forma parte del prob lema 2-26. Puesto que
D1 y D2 de la Fig. 2- 23b evitan que la salida supere V, } o quede por debaj o de V. , se les puede llamar
diodos im itadores.

2-9. MODELOS DE DIODOS DE PEQUEA SEAL

Los circuitos descri tos en la seccin anteri or utilizan el funcionamiento ON-QfF de los d iodos. En estas
aplicaciones la se al aplicada (normalmente variables co n el tiem po) es grande en co mparacin con el
nivel de po larizaci n (la lensin de refere ncia co nstante) y para describir el diodo se utilizan los modelos
de las Figs. 2 11 y 2-12. Vamos a estudia r ahora la situacin creada cuando la amplitud de la seal es
pequea com parada co n la polarizacin . Para represe ntar el diodo es conveniente emplear el circ uito

"
u,

,(1) -

[Link] w'
wl

lb)

tigur. Z2oI. (a ) Circuilode diodo con e",dlacin conSlanle y sellOidal; (b ) variacione s en l. recta de afga y en lu ondas de rnlr w
y de Ialida para Iacorrie nle de la parte e .

Btdtodo de uni6n

81

equivalente de pequea seal o incremental para permitimos relacionar la componente de la respuesta

debida a la seal aplicad a (exci tacin) v,(t). Para desarrollar el modelo de pequea seal resulta til el
circuito de la Fig. 2-24a .
En el circuito de la Fig. 2-240, Vm <vM' de forma -que el diodo se mantiene en todo mom ento con
polarizacin directa. El valor instantneo de la tensin v(t) aplicada al conjunto diodo-resistencia es:
v{t) = VA A

v..( t) = V.~ A

+ V", sen wt

(2 15)

En cada momento podemos trazar una recta de carga (Fig. 2- 24b) en la terma desc rita en la Sec o2-5.
Los valores mximo y mnimo de v{t) son VM + Vm y VM - Vm respectivamente, y para rot = n rt (siend o n
un nmero entero) v = VM ' Como pued e verse en la fig. 2-24b . la corriente iD est formada por una
componente senoida l superpuesta al valor de referencia I DQ Yviene expresada por

io

IOQ + iJ t) = IOQ + Id senes

(2- 16)

En la Ec. (2-16) iD es el valor instantn eo de la co rriente del diodo e I nn la componente en continua de

iDe id la componente variabJe con el tiempo de iD' cuyo valor de pico viene dado por Id' . La forma de la
corriente expre sada en la Ec. (2-16) es debid a al hech o de q ue la caracterst ica del diodo Q y Q2 puede
aproxima rse a una lnea recta cuya pend iente es igual a la relaci n volt-amp en o del diodo en Q. En es ta
zona el diodo se comporta linealmente . Es decir, el valor de rep oso 1DQ (en continua) viene fijado por la
tensi n de polarizacin constante VM' Yla componente senoidal ii t) la produce la exc itacin v,(t).

Figura 225. Circuitoequivalentede pequea seal de la Pig. 2-24a.

Las componentes de tensin e intensidad varia bles con el tiemp o en el circuito de la Fig. 2-24a se
pueden determ inar analticamente (en lugar de hacerl o grfica mente como en la Fig. 2-24b) aplicando la
ley de Kirchh off al circuito equivalente de peque a seal de la Plg. 2-25. Aqu el diod o se sustituye por
su resistencia incremental rd := l!gd siendo gd la conductancia incremental dada por:
g

=
d -

dio
dv o

(2 17)

Obsrvese que gd es simplemente la pend iente de la caracterstica del diodo calculada en el punto de
trabajo Q y en consecuencia el valor de r d es funcin de la corrie nte de reposo. Para hacer uso del circuito
de la Fig. 2-25 tenemos que establecer previamente los valores de reposo de tensiones y co rrientes del
diodo.
Para un diodo de unin , empleando la Ec. (2-3 ), la Ec. (2-17) se conv ierte en:
gd =

15

IXI"'1 V r =

IOQ + 15
l1V T

rV T

(2 18)

Lo ms frecuente es que 1DQ l. con lo que la Ec. (2- 18) se reduce a

rd = -

gd

l1VT
= --

IOQ

(2 19)

s El uso d e minscula s y may~sclllas en las variables y subfndi~s de la Ec. (2 16) responde a la forma no rmal e n que se represenllln las
compo ne ntes de lensi6n e inlensidad en los circuilos eleclJ6n icos. La du plicid ad de subrndces, lal como VloA ind ica unalensin de alime nlacin ,

82

Microelectrnica moderna

y podemos observar que la resistencia incremental vara en razn inversa con la corriente. A T = 20 -c,
V 25mV; por tanto, r J 25 TlIIOQ estando IDQ en rniliamp erios y r Je n ohmios . Para un diodo de silicio
r
(1l=2) e I DQ =5 mA,rJ = 100.

Ejemplo 2-4

El circuito de la Fig. 224 se utiliza a 20 "C, siendo V"" = 9V , Vn = 0,2 V Y R, = 2 k n. En el modelo

de gran seal del diodo , Vi' = 0,6V. R, = 10n y 11 = 2. Determin ar: (a) la componente alterna de la tensin
a travs de RL y (b) la tensin total a travs de ella.

Solucin
(a). En primer lugar hay que determinar los niveles de polarizacin del modelo en co ntinua de la Fig.
2-260. De la ley de Kirchho ff se deduce IOQ

I IJQ

9 - 0 .6
+ 10

= 2000

4. 18 mA

:=

Segn la Ec. (2-l9) la resistencia increment al es

2 x 25

4.18

= 12.0

,.,

'01

FIgu ra 226. Modelos en co ntinua (a ) e incremental (h) para el Ejempto 24 .

Haciendo uso del modelo de pequea seal de la Fig. 2-26h obtendremos la componente allem a de la
tensin de salida de la relacin del divisor de tensin:

2000

V" .ac

== 2000

+ 12 x 0.2 sen wt

0 .199 sen w l

La ten sin total V,,(/) es la suma de las componentes co nstante y variable. La tensin de reposo a travs
de RL es :

o sea

v" (r) == 8.36

Q.199 sen

wf

Las onda s de la Fig. 2-27son lo que se vera si se aplicase la salida a un osci loscopio. En la Fig. 2-270,
con el mando del selector puesto en continua (de) el osci loscopio traza la curva de va que es la tensin
instantnea de salida: observamos que la componente alterna ape nas si se aprecia. Sin embargo, la Fig.

El diodo de unin

83

2.27h co n e l se lector en alterna (ac) y la sensibilidad aume ntada. la componente alterna se puede medir.
En efec to. e l modelo de pequea seal cum ple una funcin anloga a la de pasar e l se lec tor de continua a
alterna. Eliminando e l nivel de referencia o reposo (e n continua) podemos apreciar el efec to que tiene la
entrada variable con eltiempo sobre la sa lida tam bin va riable co n e l tiempo.

s., 1"~ I Or

Sens ibilidad
vertica l

0.1 V/cm

6)

Selec tor

'"'

Sens ibilidad
vert ica l

oh '

fo'igur1l2.27. Grfk lls d e las ten sione s de salida del Eje mplo 2 -4 vistas e n la pantalladel osc iloscopio: (lIeo n el mando de l se lecto r
puesloen 'T, y lh ) co n dich o mand o en m. La line a de trazo s corres po nde a (l V.

'"'

'"

" igu ra 2 2'1. Mode los de diodos de peque a senlll co n: ((1) polarizacin direc ta. y (h ) po];[Link]'in in versa.

Ca pacidad de difusin
Para o btener los resultados de l Ejemplo 24 hemos supuesto q ue la frecue nc ia de la e xcitaci n se noid al
era suficie ntemente baja para pode r desp recia r el efe cto de l a lmace namie nlo de ca rgas e n e l diodo. A
frecuenc ias de excitaci n ms elevadas los efecto s de l almacena mien to de cargas se tienen en c uerna por
medio de la capacidad de dif'[Link]" C e n e l modelo de peq uea seal de la flg. 2-28(1. El origen de C(I se
puede describir cualitat ivame nte con e l siguiente razon am iento: En una unin polar izada e n di recto,
algunos huecos se di funden desde e l lado p al n, En co nsec uencia e n e l lado 11 y junto a la unin tenemos
una conce ntrac in de huecos mayor de lo normal de bido preci samen te II esa difu sin . Este exceso de
densid ad de huecos puede co nsiderarse como una carga almace nada e n la veci ndad de la unin . La c uant in
de ese exceso la esta blece e l grado de polarizaci n d irecta, Al irse apartando de la unin decre ce e l exceso

M4

M;croeffor l/;m ll/odema

de huecos por Sil rccom biuacion co n los ctccr rone s ma yori tarios . Lo mismo puede decirse de los clcct rones
que pasa n al ladop. Si ahora se aplica una se al q ue incremente en V la polarizac in directa. la mayor
difusin de hueco s (e lectro nes) motiva una va ri[lci n.1.Q en la ca rga almacenada ce rca de la unin , En e l
lmite. la rel acin Q/.1. V define la capac idad de difusin (.'/1' En un diodo de unin e n e l q ue un lado
est mucho ma s do pado q ue el otro (co rno es frecuente ) la capac idad CI> (ded ucida en la Scc . 2- 13) vald r
(en faradi os)

C l > == dQI == 'T /" I.!

dVI.!
VI

2.

(2-20)

r"

La vida media t de los portadores en la El'. (2-2 0) mide e l tiempo de recombinacin para e l exceso de
portador es minori tarios. Como r = r,{ j) la vida de los portado res puede co nsiderarse como una constan te
de tiempo de difusin .

Ca pacidad de t ran sicin

Como mode lo del diodo co n polarizacin inversa se utiliza e l circuito eq uivale nte de la Fig. 2-2Rh. La
rcsistcnciar, es la rcslstcnca incremcn tallcom o se defin e en la El' , (2- 19)1con el subndice rque sig nifica
llllC e l diodo tiene polarizacin inver sa. El eleme nto C , llam ado capacidad de depexin, transicin,
barrera o de ( 'U I"KII (' .\'1J11c/lIf represent a la va riaci n de la ca rga a lmace nada en la regin de dcplc xi n
respe cto a la variacin de tensin en la unin . Anter ior mente (Sec. 2-2) se indic que e l aume nto delni ve l
de polarizaci n invers a haca incrementar e l ancho W de la zona de dcp lcxin . Un aume nto en W va
acompaado de iones adic ionale s des cubiertos en la reg in de la ca rga espac ial. Ya q ue e xisten iones
pos itivos e n un lado de la unin y negativos en el otro . C, equivale a un co nde nsador parale lo en e l que

e,

,A
== W

(2-2 1)

donde W es e l ancho de la zona de dc plcxin. A el arca o sec cin de la unin y E la pemuti vida d del
semic onduc tor. Debem os tener en cuenta que W es func in de la ten sin de po lariza c in inversa por lo
q ue C , de pend e de la tensin , En una unin en esca ln (q ue veremos de talladament e en la Seco 2- 13), W
cs inversamen te proporciona l a la ra z c uad rada de la ten sin de polar izac in inve rsa,
Los condensadores en los modelos de la Fig. 2-2 X se ap roximan en alto grado a los efe ctos de l
almacenamiento (te carg as en un diodo. Tanto co n polarizacin directa co mo con inversa existen las
capacidades de dcplex ion y de difusin. pero co n polarizacin direc ta e l valor de lacn pacidad de dcplexin
es lan peq ueo allado de C" q ue generalmen te se desprecia. Anlogamente en un diodo co n po larizacin
inve rsa e xiste una pequea d ifus in de portadores, pero esta capacidad es desp reciab le frente a C/,

2-10. TIEM POS Il E CO NMUTAC I N Il EL IlIOD O IlE UNIN

La respuesta transitoria de un diodo al pasar de l estado de co nd ucc in a l de corte (o al re vs ) supo ne
quc transcu rre un c ierto inter valo de tiemp o an tes de q ue alcance c l nue vo estado . Ya que esto supone una
limit acin prcrica imp ortant e. en los siguie ntes prrafos estudiaremos la conm utac i n de ONa 01'1'. En la
Fig, 2-29 se represe nta g rficamente la secuencia de hechos q ue aco mpaan a la polarizac in inversa de
un diodo en conduc cin . Co nside remos 'lile se aplica la tens in de entrada en esc a ln v; de la Fig. 2-29h
al circuito diodo-resist encia de la Fig. 2-2911 Ysupongamos q ue dura nte un lapso de tiempo largo antes de
~

Alguno, pmgrnma, de a n:\lis, d~ circ uilo, induy~n ('la, (a pa(jd ad~s en lo, m"MI " s para com pl~ lar l'" y I"" a mayor p,.,(j 'i n

E l diodo de rmin

85

, =Oel diodo ha estado polarizado en directo con la tensin Vi = V, . En el instante ' =Ola tensin aplicada
pasa sbitamente a ,VII manten indose a este nivel para' > O. Si suponemos que Rl y V, son mucho ms
grandes q ue R,y y respectivamente. la corrie nte en el circuito ser io '" VJ: IRL siendo este el valor ind icado
en la Fig . 2-29c para / ::;; O. La polarizacin directa motiva que un mayor nmero de portadores atraviesen
la unin de forma que la densidad de portado res minori tarios en exces o es alta. Con polariza cin inversa
el exceso de portadores minoritarios en las proximidades de la unin es virtualmente nulo. Por tanto una
inversin sbita de la tensin no puede ir aco mpaada de un ca mbio de estado del diodo hasta que el
nmero de portadores minorit arios en exceso quede reducido a cero. Es decir, estos portadores deben
retroceder a travs de la unin hacia el lado ori ginal. Este movimi ento de carga produce una co rriente en
sentido inverso. El periodo de tiempo durante el que el exceso de portadores minoritarios decre ce hasta
cero, o sea entre t = O Y t = /, se denomina tiempo de almacenamiento t,. Durante ese tiempo el diodo
conduce fcilmente y la corriente determ inada por la tensin aplicada y la resiste ncia de carga exterior es
-VJ Re La cada de tensin en el diodo baja ligeramente debido al cambio de la corriente en la resistenc ia
hmica de l diodo pero sin inven ir( Fig. 229d). Enel instante I = " = '. el exceso de densidad de portadores
minoritarios queda anulada. A continuacin de este tiempo la tensin de l diodo empieza a invertirse hacia
-VII' y la corriente decrece hacia 1..

0'0

V' !-__{
o

R,
o
o

"

o
'D

1
I

fe)

I
I

- - j v.

t---'.-1

- v'o\-- - - - -

- v.. - - --- - - - - - - -

Figura 229. (a ) circuitodiodo-resistencia: (b ) onda de entrada aplicadaeneste circuito mostrando un pase abruptode polarizacin
directaa inversa: ondasde corriente, (e) y de tensin (ti) sealando los tiempos de almacenado y de transicin,

'1

El tiempo transcurrido ent re y el momento en que el diodo se ha recuperado completamente se

denomina tiempo de transici n t,. Este tiem po de recuperacin se comp leta cuando los portadore s
minoritarios que se hallan a alguna d istancia de la uni n se han d ifundido y atravesado la unin y cu ando
adems la capacidad de transicin de la unin polarizada inversamente se cargue a travs de Nl a la tensin
- V...
Nonnalmente los fabricantes especifican el tiempo de recu peracin inversa t" del diodo en co ndiciones
de trabaj o tpicas, en funcin de la forma de onda de la corriente de la Fig. 2- 29c. El tiempo /.. es el
transcurrid o desde que se invierte la co rriente en t = Obasta que el diodo se ha recuperado hasta un punto
determinado por la corriente o la resistenci a del propio diodo. Si el valor especificado de NL es de algunos
centenar es de ohm ios los fabricantes corrientemente especifi can el valor de la capacidad eLen paralelo

86

Microelectrnica moderna

con R del circ uito de medida utilizado para determinar I . Existen co mercialmente diod os con ,.. que van
desdemenos de un nanosegundo a un microsegundo pa; a diodos destinados a conmutar corr ientes alias.
En el lN4 153 el tiempo de recuperaci n inversa es de unos pocos nanosegundos en las condiciones de
prueba dadas en el Apndi ce B- 2.
Bt nempc de recuperaci n directa t"es el tiempo nec esario para que la tensin del diodo pase del 10
al 90% de su valor final cuando se pasa deOFF(colle) aON(conduecin). Puesloque t., t.. normalmente
1., se des precia .

211. DIODOS ZENER

La multiplicaci n de avalanch a y la ruptura Ze ner son los do s proce sos que provocan la zona de ruptura
en la caracterfstica con polarizacin inversa de la Fig . 24a rep roducida en la Fig. 2-300. Los diodos que
posean una disipaci n de potencia adecu ada para trabajar en la regin de ruptura se deno minan Diodos
Zenel' y su smbolo es el de la Fig. 2-30b. (la denomi nacin de diodo Ze ner.. se emplea independie ntemenre de l mecanismo de ruptura). Estos elementos se em plea n co mo reguladores de tensin as
como en otras ap licacio nes que requi eran una tensin de referenci a constante.
"

- - - - - -- - - - -

/11.

,.

.,

.,

t lKu n 1.)0. (Q)CuacteriSl k ade poiuizad n inveru ind:;[Link] la 1l'8inde llIp1ura ; eb) simbolo del r'. iodo zerer.

Multiplicacin de avalancha
Cons ideremos la sig uiente situaci n en un diodo con pola rizacin inve rsa: un portador generado
t rmicamente (parte de la co rriente de saturacin inve rsa) cae en la barrera de la unin y adquie re energa
de la tensin aplicada. Estos portado res chocan co n un ion del cristal e imparten suficiente ene rga para
romper un enlace covalente. Adem s del portador origina l se ha ge nerado un nuevo par efectr n-hueco.
Estos po nadores pueden adq uirir energfa suficiente de l campo. chocar con ot ro ion del cristal y crear airo
par electrn -hueco . De esta fonna cada nuevo po rtador produ ce portadores adicionales debidos a la
colisin y accin d isruptiva de los enlaces . A este proceso se le llama multiplicacin de avalancha. El
result ado es una corriente inversa elevada y se dice que el diodo est en la regin de rup tura o avalancha.

Ruptura Zener
Aun cuando los portadores dispo nibles inicialmente no adquieran energa suficie nte para rompe r
enlaces es posible iniciar la ruptura por ruptura directa de los enlaces. Puesto que existe un campoe lcmco

El diodo de unin

87

en la unin puede aparecer una fuerza suficientemente elevada sobre un electrn para romper su enlace
covalente. El nuevo par hueco-electrn fonnado acrecienta la corriente inversa. Obsrvese que este
proceso llamado ruptura Ze ner no implica colisiones de portadores con iones del cristal.
La intensidad de campoelctrico l aumenta al aumentar laconcentracinde impurezas para una tensin
aplicada fija. Se ha determinado que la ruptura Zener se produce con un campo de aproximadamente 2 x
101 V1m. valor que se alcanza con tensiones de 6Y o ligeramente menos en uniones fuertemente dopadas.
Endiodos poco dopados la tensin de ruptura es ms elevada y el efecto predominante es la multiplicacin
por avalancha. Existen diodos de silicio con tensiones de avalancha desde unos pocos volts hasta unos
centenares de ellos con potencia de hasta SOW.

Modelos de diodo Zener

La caracterstica del diodo Zener puede aproximarse a una relacin volt-amperio lineal,en forma muy
parecida a los diodos con polarizacin directa. El modelo de la Fig. 2-310 resulta de tal representacin.
En muchos casos la caracterstica representada en la Fig. 2-30a es virtualmente vertical en la ruptura por
lo que la resistencia esttica R z = O.

(,)

(b)

figura 231 . Modelos de continua (a) y de pequea seal (b ) del diodo Zener.

En la Fig. 2-31b se representa el modelo dinmico o de pequea seal. La resistencia dinm ica 1'. es
la inversa de la pendiente de la caracterstica volt-amperio en la zona de trabajo. Relaciona la variacin
de la corriente de trabajo a/ z con la variacin de tensin a Vz haciendo a Vz = rzA./z. Idealmente. ' zes igual
acero 10 que corresponde a una caracterstica vertical en la regin de ruptura. Para valores de Vz del orden
de unos pocos volts, r es del orden deunos pocos amnios. Sin embargo. con corrientes por debajo de /,t de
la fig. 2~30a en el coJo de la curva, r, puede llegar a valer algunos centenares de ohmios. Estos valores
de r, se obtienen tambin para V. > IbY y para niveles de tensin bajos , particularmente con corrientes
inferiores a un mA.
.
La capacidad de un diodo de avalancha es la capacidad de transicin y por tanto vara inversamente a
una potencia de la tensin. Puesto que C, es proporcional a la seccin recta transversal del diodo, los de
gran potencia tienen una capacidad muy elevada. Son normales valores de Cr comprendidos entre 10 y
10.000picofaradios.

Un regulador Zener
El diodo Zener de la Fig. 2-320 se emplea para mantener una tensin de salida V" = V independientemente de las variaciones de la resistencia de carga R L y de la tensin no regulada V, >V,. Para e l
anlisis del regulador se utiliza el circuito equivalente de la Fig. 2- 32b en el que se supone R. = O. La
ecuacin que describe este circuito es. segn las leyes de Ohm y de Kirchhoff:
.

88

Microelectrnica moderna

Iz

1,

- t,

R,

v,

- Vz
R,

R,

Vz
R,.

12-22)

R,

..,

v.

v,

,.,
Fia ura 232 . (ti ) Circuito regulador Zener, y (h ) circutcequivale nte.

'"

En esta ltima ecuacin vemos que IL = V)RL aumenta (disminuye) cuando disminuye (aumenta) la
resistencia de carga. Si n embargo, la corriente 1, es inde pendiente de RL ; por tanto Iz varfa con las
variaciones de la carga pero la salida se mantiene consta nte en Vi: ' I z vie ne limitado tanto en los valores
bajos como altos de la corrient e. La limitacin alta proviene de la mxima capacidad de disipacin de
potencia del diodo Zener. La corri enle / L Ii (Fig. 2-30a) representa e l valormfn imo de la corriente del diodo
para que tenga lugar la regu lacin . Por debajo de / zK la regu lacin es pob re y la tens in de salida se desv a
de Vz. El campo de toler ancia de Iz res tringe los valore s de la carga para los que se alcanza la regulacin.
Para un diodo dado estos lmit es de Iz a su vez limitan los valores m nimos y mxi mos de V5 para el buen
funcion amiento de l circuito.
Algunos fabricante s es peci fican el valor de I ZK mnimo. por debajo del c ual no puede usar se el diodo .
Muchos diodos come rcia lmente asequibles presentan un codo agudo en su caracterstica an en el margen
de los mic roamperios . En el caso de no ser conoc ida I ZIi una forma e mprica de estimarla es tomando para
ella de un 5 a un 10% de la mxim a corriente nomi nal.

Caractersticas de tempe ratu ra

Un punto de inte rs en relacin co n los diodos Zener y con todos los dispo siti vos de semiconduc tores
en general es su sensibilidad al calor. Su coe ficiente de temperatu ra viene dado por la variacin porcen tual
de la tensin de referencia por cada grado ce ntgrado de variacin de la tem peratura del d iodo : es te dat o
lo suministran los fabr icante s. Este coeficiente puede se r positi vo o negativo y generalme nte estar
comprendido en tre O, I % Ygrado. Si la tensin de referencia es superior a 6 V, c uando el mecanismo
fsico corresponda a la multi plicacin por ava lancha el coeficient e ser positivo. En cam bio por debajo
de los 6 V cuando tiene lugar la ruptura Zene r el coeficiente ser negativo.
Los diod os de referencia compensados t rmicamente proporcionan una tensi n virtual me nte constante
dentro de un amplio margen de temperaturas. Estos dispositivos constan de un diodo Zcner con
po larizacin inversa y coeficiente de temperatura positivo. combinando en un mismo chip con otro diodo
polarizado en di rec ta y de coe ficiente de tem peratur a negativo. A ma nera de ejemplo. el diodo de referenci a
de s ilicio Mororola I N824 I de 6.2V tie ne un coefic iente de temperatura de 0.005 % C a 7.5 mA en la
zona e ntre -55 a + 100 "C. La resistencia dinmica es solame nte de 10 Q . La estabi lidad de tensin con el
tiempo de alguno s de estos diodos de refer encia es comparable a la de las c lulas convencionales normal es.

2 12. DIODOS DE BARRERA SCHOTI KY

La unin form ada por un meta l y un semiconductor extr nseco puede se r rectificadora u hmica. Debido
a la d iferente concent raci n de portadores e n los dos materiales e xiste una barrera. Los contactos hmicos

El diodo de unl6n

89

empleados para las conex iones en dispositivos semicondu ctore s existen cuando se trata de eliminar el
efecto de la barrera . ste es el caso de la unin entre aluminio y silicio fuertemente dop ado usada en la
fabricacin de ci rcuitos integrados . Si n embargo, cuando se usa silicio ligeramente dopado (o arseniuro
de galio) la unin aluminio-silici o es rectifi cadora y los dispositivos as formad os se denominan Ba rrera
Schottkyo simplemente diodos Scnouky ,

'o
Diodo
de bam:ra
Schollky
Diodo de 5ilil;io.

,.,

'b<

Figura 1-33. Diodo de barrera Schouky: (a) ca ractertaica, y (b) sfmbclc del circuito.

En la Fig. 23 3a se establece la comparacin entre las caractertsticas volt-am periode un diodo Schouky
y un diodo de unin de silicio . O bservemos que amb as caractertsnc as tienen el mismo perfil por 10 que la
Ec. (2 3) define tambin el comporta miento de la barrera Sch ou ky. Si n emb argo entre estas dos
caractersticas se aprecian dos diferencias fundamentales: ( 1) en el diodo Schouky la ten sin umbral Voy
es menor, y (2) la corriente de saturacin inversa es mayor. Amb as particula ridad es son consec uencia de
la mayor concentraci6n de electrones en el metal. Con mayor nmero de portadores disponibles se obtie nen
corrientes similares a tensiones ms bajas, y en forma an loga este nmero de portadores acrecie ntan la
corriente de saturacin inversa.
El principal uso de estos dispositivos en circ uitos integrados es por conmutar ms rpid amente de lo
que lo hace el diodo de unin . Debido a que es un dispo sitivo de portadores mayorita rios (recurdese que
en un metal no hay portadores minoritarios) el tiempo de almacenamiento es despreciable y eltiempo de
recuperacin inversa comprende nicamente el tiempo de transmisin visto en la Fig. 2~29c.

2-13. DIODO DE UNIN EN ESCALN

En esta secc in presentaremos co n ms aproximac in cuantitativa varios de los co nceptos descrit os
anleriormente en este mismo captulo. La unin en escaln , introducida por primera vez en la Seco 17 se
emple a aqu para estudiar la capacidad de deplexi n Cr, variaciones en la densidad de portadores
minorit arios, y la capacidad de difu sin CD

Capacidad de deplexin
Una unin abrupt a se forma cuando hay un cambio abrupto de iones aceptadores en un lado con iones
dadore s de otro lado . Una unin as se form a entre el em isor y la base de un transistor planar. No es
necesari o que las concentraciones de dadores y receptores sean iguales. De hecho es frecuentem ente
ventajoso tener una unin asimtri ca . La Fig. 2 34b es un grfico de la densidad de carga en func in de

90

M;croelectr6n'~ic~a~a~l~
o~d~er~lI~a,--

la distancia a la unin. en la que la concentraci n de aceptadores N, se supone mucho mayo r que la de

dadores NV' Puesto que la carga neta debe ser cero. se ded uce que:

NA. Wp

""

N oW"

m-

(223)

,.
o

'"
Densidad de ca rga P, :

----c-"".....~-O

- It',

'"
Intensid ad de campo "

,-

1<"1

Tensin V

o
,",

Figura 2-34. fa ) Unin P" abrupta co n po larizacin inversa . (h) den sidad de ca rga. (e) intensidad de cam po. (d) variacin de
lensin con la distencie a la unin

Si N, N"J
entonces
W W = W. La relacin entre tensin y densidad de carg a viene dada por la
I ' .

Ec. (2-1):

cPV
- qN n
-- = - --

(2-24)

Las lneas de Fl ujo elc trico parten de los iones dado res positivos y term inan en los iones receptores
negativos. As pues no hay lneas de flujo a la derech a de .r W. de la Fig. 234. y" -dvtdx O a .r =
W = W. Integrando la Ec. (2-24) sujeta a esta co ndicin tendremos:

dV
- qN n
= - (x - W) = - 't; (x )
V/m
(2-25)

ds

El diodo de unin

91

Desprec iando la pequ e a ca da de tensi n a tra vs de W pod remos es coge r arb itrariamente V = O e n
.r = O. Integ rand o la Ec (2~25) con e sta co nd icin tendremo s

V "" - qN/J (x 2

2 Wx )

2,

(2-26)

La va riacin lineal de la intensidad de campo con re lacin ar y la dependen cia de la tensin respecto
al cuad rado der quedan reflejada s e n las Figs. 2-34c y 2-34d. Estas gr ficas deben com pararse co n las
co rrespo ndie nte s curvas de la Fig. 2-2.
En .r = W . V = Vi = tensin de la unin o barrera . o sea
V "" cN v W
,
2,

(2-27)

En esta secc i n hemos e mpleado e l signo V para rep resentar la tensin a una distancia c ualq uie ra .r de
la unin . Aho ra e mplearemos VD para la ten si n ex terior aplicad a al diod o.
Pue sto qu e el potencial de barrera repr esent a una ten si n inver sa. se re baja aplicando una tensi n
direcia: As
Vj = Vu

Vo

sie ndo V negativo pura una po larizacin inve rsa aplicada y V , la ten sin de contac to (Fig. 2- 2c/). Esta
D
ecuaci6n y la 2- 15 confirm an cua litativamente qu e ~or d~ la capa de dcp lexin crece con la ten sin
ap licada . Ahora ve mo s qu e W va ra co mo ..[V = -J V~ -Vf)
S i A es el rea de la unin. la carga Q e n la d istanci a W es:

Q = qN /JWA
La ca pac idad de dcplexin increm ent al

el
De la Ec.

( 2~ 2 7 ) , cJ WId ~

e, e s:

dQ

= -

av;

:.:

dW
qN f)A -

uv,

(228 1

=E lq N JW. y po r tan to

,A

(2-291
CT =F
W
Esta ec uac in es e xactamente la m isma qu e se ob tiene para un conde nsado r plano paralelo de supe rfic ie
A y d istanc ia W entre placas con un d ielc trico de permiti vidad 1. 10 qu e ya se anticip e n la Ec. (2 -2 1).
Despejando W de la Be . (2 -27) y sustituyendo e n la Ec. (2-29 ) tendremo s
C

= A

qt:No

2( Vu

V IJ)

]'"

(2)01

A vece s co nviene esc ribir es ta ecuacin co mo

CI = A Cu

"
;:
( 1 - V)"'

(2-3 11

siendo C" la capaci dad de la unin po r unidad de supe rficie y co n po laridad nula (VO= O).

Expresin analtica de la concent raci n de por ladores minorit arios

S i la tensin a trav s de un d iodo se a plica en sen tido directo . la barrera de potencia l en la unin se

92

Microelectr nica moderna

rebaja y huecos de l lado p entran en la regin 11 , y anl ogame nte elec tron es de l tipo 11 p:lsan al lado " .
Definiremos p co mo la conce ntracin de huecos en e l semicond uctor de tipo 11. Si designamos po r p.., el
pequ eo valor de la concentrac in de huecos ge nerados trmicamente, la concentraci n de huecos
inyectados o en excescp'; sera p ', == p" - p"". A medida q ue los huecos se difunde n en d iado n encuentran
abu ndantes e lectro nes co n los que se recombinan . Por tant o pJ x} decrece con la distancia .r e n e l ma terial .
11 . Se ha det erminado q ue el e xceso en la densida d de huecos cae ex ponencialmente co n .r.
p~(x)

= p~( O)

~ - _T/Lp

= p,,(x}

- p"u

(232)

e n do nde " (O) es e l va lor de la conce ntracin inyectada de minorita rios e n la unin .r = O. El parmetro
L de nominado longitud de difu sin de huecos est rel acio nado con la constante de difusin D (Sec. 1- 11)
y con el tiempo de vida medio t r seg n

L" = W p 1'p ) l /2

(2-33)

Lp represent a 1u di stanci a desde la un in en la q ue la co nce ntrac in inyectada ha bajado hasta l/E de

su valor e n .r = O. Se puede de mostrar que L es igual a la distancia med ia que un hueco inyectado reco rre
antes de reco mbl narse co n un elec trn , po r anto. L represent a e l cami no libre medio para los huecos.
En la Pig. 2-35a puede verse e l comportam teruoex pc ncncia l de la den sidad de parladores mino ritarios
e n exceso en funci n de la di stanc ia en cualq uiera de los lado s de la unin . La zona som breada por debajo
de la c urva en e l tipo fI (o tipo 1') es proporcio nal a 1:1 carga de los huecos (o e lectrones inyectad os ).
Obs r vese q ue 11 indica la concentraci n de ele ctrones en el mate rial tipo p a una distancia .r de la unin ,
y tir (O) e l valor de tal densidad en .r = O.
Co nce mracio n.

Conce r uracn.

P.
"p

la )

lbl

F iJ:u ra 2.\5 . Densidad de po rtadores min oritario s e n rundn lIe la distancia a la unin. con polarizacin dire cta (u l e inversa
(/11. La reg in de dc plexin se conside ra tan peq uea en re l"c i n a 1" long ilU d de d ifusin q ue no se ha illdicado en la g ura . Obs rvexe qu e las C ur~;IS nose han dib ujado a esca la. pllcslo que p~(O) es muchomayor que p ,",.

En la Sec o2-2 ya se sea l 4ue una pol arizac in directa V rebaja la ..hura de la barrera y aporta ms
ponadores oue crucen fa 11 lI ;II . Por l a ll10 T' (O) debe ser func in de V. De la re lacin de Bolt zmarm [Ec.
(1 -39) parece razonable q ue fi JO) de ba dc~ndcr ex ponenc ia lme nte de V. Se ha hallado que:
1',,(0) = p..,,~ VI Vr

(2- .14)

Esta ecua cin da la co nce ntrac in de huecos e n e l extremo de la reg in (en .r = () j ustam en te afuera
de la regin de tran sici n) en func in de la co nce ntracin p ,", de po rtado res min or itarios en eq uilibrio

El diodo de "n i"

93

lnn ico (alejado de la unin ) y de la tens in V. co ns tituye la lla mada ley de la unin. Una ec uaci n s imila r.
intercam biando las p y las" dar la conce ntrac in de e lectro nes e n la regin p en func i n de V.
La Fig . 2-35h re presenta la densid ad de eq uilibrio de portado res m inor itarios c ua ndo una tensin
exterior pola riza inversamente la uni n . Lejos de la uni n los portadores minorit arios igua lan a los va lores
P y Il de equ ilibrio trmico. situaci n que es tam bin la de la Fig. 2-35a. A medida q ue los portado res
';no~rios se aproximan a la unin so n barri dos r pldame nre y su densidad va disminuyendo hasta cero
en la unin . Este resultado se ded uce de la ley de la unin Ec. (2-34) ya q ue la co nce ntracin P..(O) se
reduce a cero co n una tens in negativa e n la unin .
La ca rga inyec tada con po larizacin inversa viene dad a por el rea de las zona s sombreadas de la Fig.
2.35b. Esta carga es negativa ya que representa menos ca rga de la pos ible en condicio nes de eq uilibrio
tnn ico sin tensin aplicada .

Descripcin del cont rol de ca rga de un diodo

De la Ec. (1-34) se deduce que la co rriente de difusin de huecos I (O) q ue atravie sa la uni n bajo
polarizac in dire cta es pro porcional a la pendient e e n e l o rige n de 1: c urva P" de la Fig. 235a. La
correspo ndiente co rrie nte de difusin de e lec trones /. (O)e s proporc io nal a la pend iente e n e l o rigen de la
curva 11 de la m isma fig ura. Te ricame nte se puede de m os tr ar que la co rrie nte de desp la za mi ento
de port~dores minorit arios que atravie san la uni n es despreciable fre nte a la co rriente de difusin de
portadore s minoritarios. Por tanro.f (O) represe nta la corrie nt e total de hu e co s que pasa n la uni n
de iaq u ierda a de recha. e /J O) es 1; corriente total de electrones que la cruzan de derecha a izquierda, por lo
que la corrie nte lolal l en el diodo ser la suma de ambas, o sea
1 "" 1,.(0)

+ 1,,(01

12-35)

La corriente inversa de saturaci n de huecos (o e lectro nes) es proporcio nal a la pendiente en x = Ode
la curvap. (O " ) de la Fig . 2-35h. La co rriente inversa de satu racin es la suma de ambas y es negativa .
Para simplificar el razonamiento supond re mos que uno de los dos lados. por ejemplo el de material p
est muc ho m s dopado que el "de forma que toda la corriente 1 que atraviesa la unin es debida a los
huecos q ue pasan del lado p a l /l. o sea que I "" 1 (O). Segn la Ec. ( 134)

ap;

I,.(x ) "" - AqD P -d' ""

Aq DpI'~( O)

L,.

.l

- '4
e .

(2-361

haciendo uso de la Ec. (3-32) para p. (x) . La co rriente de huecos 1 viene dada por I,.(x ) de la Ec. 236 con

.r e .o sea
I = AqDpp'IOI

12-371

L,

El e xceso de carga min orit aria Q ex iste s lo en el lado 11 y vie ne da do po r la superficie sombreada en
la regi n 11 de la Fig. 3-35a multiplicada po r la secc in rect a A de l diodo y por la carga e lectrnica q. Por
tanto. de la Be. (232) se o btiene
Q ""

L"

Aqp '(O)

~ -_. 'L. dx ""

AqL"p'( O)

(2-38)

Eliminando p'(O) de las Ea. (2 37) y (2 -38) tend remos

I
siendo 'r

fl

L,!ID ,:::::: t , vida media de los huec os (Ec. (2- 33 )).

(2-39)

94

Mi croelectrnica moderna

La Ec. (2-38 ) es una relacin importante conocida co mo descripci n del control de la carga de 1111
diodo y establece que la corriente de un diodo (consistente en huecos que cruzan la unin desde el lado p
al 11 ) es proporcional a la carga Q de exceso de portadores minoritarios almace nada. El factor de
proporcio nalidad es la inversa de la constante de tiempo (tiempo de vida media t) de los portadores
minoritarios. Por tanto, en estado de equilibrio la corriente I suministra parladores minoritarios al
mismo ritmo en que desaparecen por la recombinacin. La ca racterizacin de un diodo por su control de
carga describe el dispositivo en funcin de la corri ente I y de la carga Q almacenada, mien tras que la
carac terizacin por medio del circuito equivalente lo hace en funcin de I y de la tensin " en la unin.
Una ventaja inmed iata a la representacin por el co ntrol de carga es la de sustituir la relacin ex ponencial
entre I y V por la relacin lineal entre I y Q. La ca rga Q es simplemente un parmetro cuyo signo determ ina
cuando el diodo est polarizado en directo o en inverso. Si Q es positivo la polarizaci n ser d irecta. y
viceve rsa.

Capacida d de difusin
En la Seco2-8 se introdujo la capacidad de difusin eDcomo modelode l almace namiento de parladores
minoritarios en la vecindad de un diodo con polarizacin inversa. Podemos ahora deducir este elemento
basndonos en la descripcin del control de carga recin visto. De las Ecs. (2-39) y (2- 17) tenemos:

e -dQ
dV
1)

dI
dV

T -

:=

TKJ

= -

rJ

(2-40)

en la que gol dtld V es la conducrancia incremental del diodo . Sustituyendo la expresin de la resistencia
incremental del d iodo r , = I /g" dada en la Ec. (2- 18) en la Ec. (2-40) resulta

TI,

e l) := -

"v,

(2-41)

Vemos que la capacidad de difusin es proporcional a la co rriente ID. En la deduccin anterior hemos
supuesto que la corriente lo en el d iodo es debida slo a los huecos. Si no se cumple esta suposicin. la
Ec. (240) da la capacidad de difusin Cw debid a nica mente a los huecos. y se puede deducir una
expresin similar para la capacidad de difusin COI> debida a los electrones. La capacidad de difusin total
es la suma de COp y Co..'

REF ER ENCI AS

2
3
4
5

Gray, P.E., D. De Will, A.R. Boothrcy d. y lF. Gibbons: "Physlcal Elecrronlcs and Circuir Models of
Transistors," vol. 2, SEEe, John Wiley & Sons. Nueva York, 1964.
MiIlman, J., y C.C. Halkias: "Integrated Electronics." McGraw-Hill Book Company, Nueva York, 1972.
Yang, E.S.: "Fundamcnrats of Semiconductor Devices," McGrawHill Book Company, Nueva York, 1978.
Muller, R.S., y T.1. Kamins: "Device Electronics for Imegrered Circuits," John Wiley & SonsoNueva York.
1977.
Ghausi, M.S.: "Principlesand Deslgn of Linear Active Circuits," McGraw-Hill Book Company. Nueva York,

1965.

El diodo de unin

95

TEMAS DE REPASO
2.1

2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
28
29

210
211

212
213
214
215
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225

226
227
228
229
230

En una uni6n pII. dnde es mxima la inten sidad del campo elctrico? Explquese.
Q u es la regi6n de deplexin?
Los huecos y los electrones co nstituyen la carga espa cial ?
Los iones dadores y aceptadores constituyen la carga espacial?
Cul es el mecanismo para la mayor parte de la corriente en una unin con polarizaci6n directa ?
Qu polaridad debe tener la te nsin externa para tener polarizacin directa ?
Con polarizaci6n inversa aumenta o disminuye el esp esor de la regin de deplexi6n?
Q u pasa con la tensin en la uni6n?
Qu es un contacto 6hmico?
Se puede medir directamente la tensi n de co ntacto de un contacto 6hmico?
Escribe la relaci6n volt-amperio para una uni6n pll y expresa el s ignificado de cada trmino.
Po r qu la co rriente de saturaci n inversa puede co nsiderarse un factor de esc ala de la corriente del diodo?
Qu se entiende por tensin umbral ?
C6mo puede determinarse TI de la caracterstica logartmica?
(a ) C6mo vara con la temperatura la corrie nte de saturacin inversa de un diodo p"?
(b) Con corriente constante, cmo var a la tensin del diodo con la temperatura?
Q u parmetros de un diodo de germanio difi eren de los de uno de s ilicio?
(a) Esboza la caracterstica volt-amperio de un diodo ideal.
(b) Explica c6mo esto semeja un interruptor.
Cul es el significado de la recta de carga?
Dibuja un modelo de diod o de gran se a l con polari zacin directa .
Expli ca c6 mo un diod o funciona co mo rectificador.
Explica la acci6n del condensador de filtro en un ci rcuito rectificador.
Describe el funcionamiento de un diodo cortador.
Qu se entiende por caractersticas de trans ferencia?
(a) Dibuja el modelo de pequea se al de un dio do pn con polarizacin directa e inver sa.
(b) Explica el significado sco de cada elemento.
Con polarizaci6n directa y corrie nte del diodo c rec iente, aumenta o disminuye (a) la resistenci a increment al.
y (h) la capacidad de difusi n?
Explica cmo se usa el circuito equivalente de pequea seal para determinar la respuest a en un circ uito que
cont enga un diodo.
Por qu no aparece la fuent e de polari zaci n co nstante en el modelo de pequea sea l de un circuito
conteniendo un diodo?
La capacidad de deplexin a umenta o disminuye al c rece r la tensi n inversa?
Expli ca el significado fsico de los tiempos de almacenamie nto y de tran sici n.
Describe el mec anis mo fsico q ue produc e: (a) la ruptura por avalancha y (b) la ruptura Zcner.
(a) Esboza la caracterstica volt-amperio de un diodo Zen er.
(b) Sealar en e l esbo zo el codo de la c urva.
(e) Q u significa ese codo?
Dibuja los modelos de grande y de pequea se al del diodo Zener.
,En qu se diferen cia un diodo de barrera Schollky de un diodo de unin de silicio?
Esboza [a dens idad de portadores minoritarios en un diodo pll de unin abrupta con polarizacin directa e
inver sa.
Qu se entiend e por descripcin del co ntrol de la carga de un d iodo?
(a )
(b)
(e)
(a)
(b)
(a)
(b)
(a)
(b)

Transistores de unin
bipolares (BJT)
El transistor de unin bipolar es uno de los principales dispositivos de semiconductores empleados en
la amplificacin y conmutacin. El objetivo de este captulo es describir los principios fsicos que
gobiernan el funcionami ento deltransistor bipolarde unin y tratar a este elemento corno un elemento del
circuito. El desarrollo de las caractersticas volt-amperio deltransistor, de la pequea seal y del circu ito
equivalente se basa en los correspondientes conceptos vistos en el captulo 2 para el diodo de unin. En
particular se presentan lasecuaciones de Bbers-Moll que describen el funcionamiento del transistor bipolar
en las variedades activa, saturacin, en corte e invertida. Se estudia el comportamiento de una etapa en
emisor comn tanto como amplificador como conmutador, Debido a su importancia en los circuitos
integrados trataremos tambin del par emisor-acoplado (d iferencial).

3 1. L A FUENTE IDEAL DE CO RRIENTE CONTRO LADA

"
J

J
lQI

"
Al,

J
{b l

lo'igura J.I, (a ) Fuente de come nte ideal gobernad a por co rrie nte, co n (h ), excitac in por tensi n y resistencia <le carga.

I I'Jl,cisando mb , l. fuc:nle puede le ner 00s terminales de e ntrada y dos de sa lida. Sill embargo. la mayor pane de: di ' JIO'itivo s e leo: ullicos
tienen un lenni nal comll para e mrada y salidl.
1 Unl fUenlCcOO ll'Ollda se representa mcd iante el smbolo qu e apar ece e n la Fig. 3 1. La neclla e n el inte rior de l cuadrado sc:i1ala la di recc in
de la co m ente , mien l'll5 que los sign os + y _ ind ican la polaridad de la fue nte de le nsin. En c u. lq u~r CI . o la ;nlens id ad de la fuente se .., i1a la
I lgebraicamc nle a11adode:l c uadrado.
Sabemos q ue:es deseable go bernar c antidades sUSlanc ales de:e ne. gia con poc o I . sto de: e lla. Consideremos la enc:rlrl me:cbica n[Link]..ria para
eerrar un inte rruptor que acc iona un aco nd icio nado r de 120 " Y 10 A insla lado en una ventana. Apro~im ldamente , e sLo su pone: mOVer 1 cm un
intcrru plor de 0,05 K, en 0,2Ss, lo que s upo rte: una pote ncia de 0 ,02 W. As! . la e nerg ra y polC ncia gobern ada por e ste e sruenc equivale a leYI\fl,ar
la unid. d de sde e l suelo hasla la venla na e n 0 ,25.

98

Microelectrnica moderna

lo que corrientemente se denomina ganancia de corriente. Fsicamente, A est relacionad o con los
procesos que suceden en el dispositivo empleado para tener la fuente gobernada.
En la Fig. 3-la se pone en evidencia que el efecto de il se transmite a la salida por medio de la fuente,
mientras que la seal aplicada al terminal de salida no afecta a la corriente de control. Este proceso
unita/era/ permite que aquellas partes de un circuito en las que se aplica la seal de control queden aisladas de elementos del circuito conectados a la salida.
En la Fig. 3-l b se conecta a la entrada una fuente de seal ' ', en serie con una resistencia R" y se sita
una resistencia de carga RL a travs de la salida de la fuente gobernad a. La corriente de control es i l = vJR,
y la tensin de salida
.
ARL
(3-1)
V2 = AI IR L = - - R
v. '

En la Ec. (3-1) vemos quecuandoAz; Ie, > 1ent onces I v2 1> I v, I y se tiene amplificacin de tensin.
Adems si A > l como normalmente es el caso, se tiene tambin ganancia de corrie nte ya que la de salida
es mayor que la de entrada. Tambin es cierto que la potencia disipada en RL es mayor que la suministrada
por vJ Por tanto, una fuente controlada es capaz de dar una ganancia de potencia. Una consecuencia de la
amplificacin es la de que la potencia necesaria para el control es menor que el conjunto de la potencia
gobernada. Esto.j unto con la propiedad unilateral permit e gobernar la fuente como a un interruptor.
Las caractersticas volt-amperio de salida son una buena ayuda para poner de manifie sto la depend encia
de la intensidad de la fuente en la variable de control. Para la fuente gobernada de la Fig. 3-la estas
caractersticas son las representadas en la Fig. 3-2b como familia de curvas de v2 en funcin de v2 para
distintos valores de i l. La caracterstica horizontal indica que i 2 es independiente de v2. (Esto es cierto para
cualquier fuente de corriente ideal.) Para demostrar el funcionamient o co mo interruptor, [Link]
circuito de la Fig. 33a. El dispositivo en el recu adro tiene las caractersticas de salida trazadas en la Fig.
3-2b en la que puede verse la recta de carga representando la ley de Kirchhoff para el bucle de salida. La
/1

/1

/2

1"
f ll

---

ooe-----!cr, - -

'"

Figura 3-2. Carac rerfstlca tensin-intensidad de una fuente de corriente gobe rnada, con la onda resultante de una excitacin en
escaln.

Transistores de unMn bipolares (BIT)

R,

- ".tR.
/1

[Link] '
srnvo

"

" c;?

"

-"

99

R,

"

- - - r --

00

r,

(. )

(b)

Figura 3 3. (a) Circuito empleando una fuente de corriente gobernada , (b) la onda de entrada

onda de tensin de entrada es la de la Fig. 3-3h Yla de corrie nte, tambin de entrada, la de la Fig. 3-2a.
Supongamos que el valor de i 1 = Vj R corres ponde a la corriente J". de la Fig. 3-2a. Cuando l ' = O(O ::; t
~ T I)' i l = Oel punto de trabajo est en Ql resultando \ '2 = V22 e i 2 = O. Esta situacin corresponde a la de
un interrupto r abierto. Para t >T , la corriente de control es JI' haciendo que el punto de trabajo pase a Q~ ;
en Ql' vl = V2Q y i l . = J1r lo que corresponde a un interru ptor cerrado con una tensin V2Q a travs de l.
"Las ondas de salida resultantes estn representadas en la Fig. 3-2h. El razonamiento anterior nos lleva a
ja conclusin de que en los termin ales de salida 2-3 el dispositivo se comporta como un interrupt or cuyo
estado (abierto o cerra do) depende de la seal aplicada a los terminales 1-3. Adems, la tensin y la
corriente de salida, que dependen slo de los ele mentos exteriores V11 y Re estn gobernados por la:
corriente de entrada i.. O bsrvese que sise de sea que la cada de ten sin a travs del interruptor controlado,
sea nula, debe seleccionarse la corriente de control [Link]. igualada a J14 Con esta corr iente de entrada. fa
de salida es V1/ RL y v1 = VII - i1R L = Ocorrespondiendo al punto Ql de la Fig. 3-2b.
/1

/2

I! l

f"
,,

I~I

00

/2

(. )

00

1"

, ~ /I " O
"~",,
'"

"

00

v,.

"

(b)

Figur a 3 4. Recta de carga para el circuito de la Fig. 3- 3<:1: ondas de;2y v engendradas poru na seal de entrada senoidal.
2

100

Microelectrnica moderna

Tambin puede demostrarse el funcion amiento como amplificado r median te el circuito de la Fig. 3-3a.
Consideremos que ' ', = VII + V", sen ror siendo V.. < VII ' La tensin VII se emplea para polarizar el
dispositivo al punto Q de la caracterstica de salida (Fig. 3-4h) . Adems supondremos que la componente
senoidal de v~ , la seal. produce una corriente ; 1 co mo indica la Fig. 3- 40. Esta var iacin de i l produce la
corriente i, y la tensin v, representadas. En las cond iciones fijadas anteriorme nte en esta secc in. la
amplitud de la componente senoida l de I'Zes mayor que V"' dem ostrando nuevamente que la sea! queda
amp lificada. Es de observar que la tensin de polarizacin VI Ies esencial para el proceso de amp lificac in.
Faltando V I I la corriente de salida se anula siemp re qu e la entrada senoida l sea negativa. Esto hace que el
circuito acte como cortador o rectificador siendo la salida slo una porcin de senolde. As pues, en
contraste con el funcionamiento de interruptor gobernado. la actuacin com o amplificado r necesita que
para el nivel de sea l utilizado el punto de trabajo quede restringido a la mitad de la caracterstica
volt-arnperio. Si los niveles de la seal de entrada son muy inferiores inferiores que el nivel de polarizacin, el
anlisis de los circuitos amp lificadores lleva por s mismo al emp leo de modelos de pequea sea l que se
vern en la Secci n 3- 10.
Hay que hacer constar que los dispositivos reales slo se aproximan a la ca racterstica ideal. Por tanto,
para usar en amp lificadores conviene que los disposi tivos muestren unas caractersticas de corriente (o de
ten sin) constantes dentro de los valores de funcionam iento.

32. EL TRANSISTOR DE UNIN

El transistor bipolar de unin (BJT) , llama do tamb in transistor de unin o transistor bipolar es
un dispositivo de tres elementos formado por dos uniones unida s a una capa semiconductora comn. Los
dos tipos de transistores de unin estn repr esentados en la Fig . 3-5. En el transistor IJIIP de la Fig. 3-50
la regin comn de tipo 11 est entre dos capas de tipo p . Anlogamente en el trans istor IIIJII de la Fig. 3-5h
nay una regln P entre dos capas de tipo 11. Los tres elementos de un BJT se de nominan emisor. hase y
colector y se indica n con los smbolos de la Fig. 3-6. La flecha en el emisor sea la la direcci n de la
corriente cua ndo la unin emisor-base est con polarizacin directa. En ambo s casos, se consideran
positivas las corrientes l e I f/ e I c cuando se dirigen hacia el interior del transistor. En la figura se indica
tambin la tensin entre cada par de terminales mediante un doble subndice. As por ejemplo V Cf/
rep resenta la cada de tensin ent re el colector (e) y la base (B ).

/,1 L

/,1L
,.,
Fig ura J5. Corriente co nvenconat positiva en un transistor f lll fl

,b

(a)

y /11111 (h! .

Transistores de unin bipolares (lJJT)

10I

/'"1("
1(-/1
1""

'"

r",

"

"I
"""

/"'P

'"

'"
Figu ra 3-6 . Sfmbclo de circu ito para transistores /mI' (Q ) y "1'" (h ).

La repre sentaci n del transistor bipolardc la Pig. 3-5h muestra una estructura simtrica que nos perm ite
elegir como emisora a cualquiera de las regiones n. Sin emba rgo, en un transistor rea l como elllfJlI planar
de un circuito integrado como el de la Fig. 3-7 el emisor y el colector tienen diferencias marcadas.
Conl a~hlS d~

alurnni"

Cu le<:tnr

n
Sustrato JI
1(1)

Colector

e mlta.'l" k aluminin
Base

Emisor

r""--"--=-+-'-"''---I-'----'-'''l~J. _ A i. lamientu 1'+

Emisllr (n + )

. 'I.--II-+-,r

Rase Uipo pl

Cnlc~ lm

(l ipn ..

Figura 3-7 . Estructura de un transistor np" integrado co mpre nd iendo un sustrato p. isla a islada y co ntactos de a luminio.

La Fig. 3-7a representa la secci6n recia del transistor. distinguiendo con el sombreado las distintas
concentraciones de impurezas, En la vista superior de la Fig, 3-7h puede verse cmo estn hechos los
contactos del aluminio a las regiones de co lector. base y emisor. Obsrvese cmo. debido al dop ado

102

Microelectrnica moderna

selectivo del bloque de silicio queda una regin p entre dos" form ando as un transistor npn. El nombre
de transistor planar o plano proviene del hecho de que los tres terminales C. 8 y E van conec tados a los
cont actos del alum inio al colector. base y emisor respec tiva mente estando los tres contactos sobre 111/
mismo ptano.
Tal co mo se aprecia en la Fig. 3-7 la supe rfic ie oc upada por e l emisor es notab lemente menor que la
del co lector. Esta diferencia es debida a que en la mayor parte de apli caciones del BJTla regin de colector
manipula ms poten cia que el emisor por lo que preci sa m s superficie para disipar el calor. La segunda
diferencia estriba en las den sidade s de dop ado de las regiones de emisor y de colector. Generalmente el
emisor sirve com o fuente de cargas mviles. Se emplea una densidad de dopad o alta (y de ah la
designacin n +) para resaltar la facultad de hacer ms portadores asequibles. Es decir, cuando la unin
emisor-base tiene polari zacin directa el emi sor inyect a electrones a la base, desde donde se desplazan
hacia el colector. Si el diodo colector-base est po larizado inverso. los electrones portadore s minoritarios
en la base son barridos al interior de la regin del colector donde se convierten en el mayor componente
de la corriente del colector. Al co lector, como su nombre indica, no se le pide norm almente que ceda
muchos portadores. por laque su nivel de dopado no necesita se r tan alto como para el emisor(la pequea
regin n del colector ayuda a form ar un buen contacto hmico). La regin de la base se dopa a un nivel
interm edio entre los de l emisor y el colector. por los moti vos qu e se exp onen en el captulo 5.

Comportamiento fsico de un transistor bipolar

Las prestaciones esenciales de un BJT como elemento de un circuit o pueden apre ciarse considerando
la situacin representad a en la Fig. 38. En ella hay un transistor pnp con unas fuentes de ten sin que
polarizan en sen tido d irecto la unin emisor- base (VEB positiva) y en sentido inverso la unin colector-base
(VCB negativa). Al estudiar el diodo pn en el captulo 2 vimos que Vu (VeB) apare ce a travs de la muy
reducida regin de carga espacial del emi sor (co lector). El campo elctrico queda confinado en la regin
de deple xn. siendo nulo en el resto del semiconductor. Por tanto. el potencia l es co nstante en cada regin
(emisor. base o colec tor) y no ex isten corrie ntes de co nducc in. En consec uencia , en un BJT las
compo nentes de la corriente son todas corrientes de difu sin .

-"

R,
VE!

-=-

'a

"u
8

11

"

R,
-e- 1'

Figu ra J-8. Circuito en base comn mostrando las fuentes de polari zacin VEE y Vce

Imaginemos de moment o un transistor ideal cuya base est tan liger amente dopad a en comparacin
co n la regin de emisor que podamos despreciar toda s las corrientes debidas a los electrones. Supondremos
tambin que el espesor de la regin de la base es pequeo frent e a la longitud de difu sin , de tal forma
que podamos despreci ar tambin la recombinacin en esta regin . En este transistor ideal una tensin
di recta Vu inyecta huecos a la base. y lodos stos pasan a travs de la base a la regin del colector. Esta
accin tiene la consecuencia de que la corriente de colector sea igual a la de emisor 1/ 1 = 1/ 1 para
cualquier tensin inversa de co lector V O l' Este transistor posee precisamente la caracterstica de I~ fuente
de corriente controlada descrit a en la seccin 3- 1 con una ganancia de corr iente unidad (A 1). Las
caractersticas de salida de este transistor ideal son las de la Fig. 32h con i~ = -/,. 11 = 1 r- Y l 'l = -VCB '

Transistores de unin bipolares (BJ T)

103

\ Regin de dep1ex in

~ Rcgin,:.Ie NtSCl

.p

l'
C"'-do
itI,-iIIco dt

""""",b<...

c_"'....

r;:-

poNIIlMpo<
l<ln

.y " iIIdt
. I "~

c_""

" - dift<u

.....

";;)

c"""'......
N ' U/lI<in

l."" ..

'~N

1/

.v" .

Figura 3-9. Compon ente s de: comeme e n un transis to r WfI la uni n emisor-base con polar iucin direc ta y la unin colector-base
con polarizacin inversa .

Con side remos ahora e l co mportam ie nto de un tran sisto r prct ico (no idea l) e n e l ci rcuito de la Fig.
3-8. Ya no podem os olvidamos de la reco mbinac i n o los efectos de la conce ntraci n de elec trones en e l
transistor real. En la Fig. 3-9 estn se aladas las diversa s com po nentes de co rriente en un transisto r pllp
polariza do para co rres ponder al ci rc uito de la Pig. 3- 8. En esta situaci n vo lveremos a suponer q ue no
existe campo e lctrico en el semico nd uc to r fuera de la regi n de deplcxi n. co n lo q ue aparece n las
tensiones VES y V O l en las uniones de e miso r y de colector respectivamente. La unin emisor-base
polarizada en di recto inyecta mu chos huecos e n la base (inyecc in direc ta) donde se co nvierten e n
portado res minoritarios. Los e lectrones q ue cru zan la un i n desde la base a l emisor (inyecc in inversa )
se mantienen poco s al dise a r elt ransistor . do pando me nos la base q ue e l e misor . En la estrec ha regin
de base los huecos se difunden hacia la unin co lector-base , y un peq ueo nmero de e llos se recombiuan
co n elec trone s en la base s iendo sta una parte de la co rriente de la base. Los huecos q ue llegan a la unin
colector-base son env iados al interior de l co lecto r debido a la polar izacin inversa. En las co ndic ione s de
polarizacin de la Pig. 3-9 es tos huecos co nstituye n lit mayo r co mpone nte de lc' Si n embargo hay ot ra
peque a componente de la co rriente de colecto r de bida a los por tad ores gen erado s trmicamente. Los
huecos ge nerados de esta forma e n la reg in de la base pene tran en e l colector y los e lectro nes ge nerados
trmicamente en el propio colec tor cruzan la unin introducin dose en la base. Estas dos corrie ntes

"

l'

1('//

u."k"

, Ion

'

vn

v~

(a}

le

"

t:

1' /1

(b)

Hgura J . IO. (a) COmponenles dc cc me r ue en un tran sistor "lIp . (h) repre sema ciude gran seat (Ebers- Moll l de un tranvixtor 1"'1'.

104

Microelectr6nica moderna

trmicas constituyen la corriente de saturacin inversa de la unin colector-base indicada en la Fig. 3-9.
En consecuencia, tal como se ve en esa figura es evidente que la corriente del colector est formada de
dos componentes, una debida a los huecos inyectados en el diodo emisor-base, y la otra atribuida a los
portadores generados trmicamente que cruzan la unin colector-base.

3-3. REPRESENTACIN EBERS-MOLL DEL BJT

La actuacin del transistor bipolar puede describirse en trminos conceptuales o cuantitativos, viendo
en la figura 3-5 que este dispositivo est formado por dos uniones pn acopladas. La regin de la base es
comn a ambas uniones formando el enlace entre ellas. El transistor bipolar se fabrica con una regin de
base sumamente estrecha (considerablemente menor que una longitud de difusi6n). En consecuencia existe
una interacci6n elctrica significativa entre las uniones tal como se explic6 en la seco 3-2, a la que se le
denomina accin transistor. Las componentes de corriente que comprenden las lE; e le estn sealadas en
IaFig. 3-IOa para un transistor pnp. Las tensiones VEa y V ca son las cadas de tensin entre emisor y base
y entre colector y base respectivamente. Admitiendo que no exista cada de tensin alguna en los
semiconductores que forman las regiones de emisor, base y colector, estas tensiones son las existentes en
las respectivas uniones. Con ambas tensiones referidas respecto a la base, a esta conexi6n se le denomina
configuracin enbase comn. La corriente de emisor de la Fig. 3-10aliene dos componentes. La corriente
relacionada con el diodo emisor-base se representa 'EO y la relacionada con el diodo colector-base se
designa 1m , La componente cxlt I co es la parte de I co acoplada al emisor a travs de la base, y anlogamente
a/EO 'es la fraccin de I ED acoplada al colector.
Basndonos en las consideraciones hechas en el prrafo anterior podemos construir el modelo
Bbers-Moll de la Hg. 3-lOb. Los dos diodos en oposici6n (cuyos ctodos estn unidos) representan las
uniones del transistor bipolar, mientras que las dos fuentes controladas indican la conexin entre uniones.
Las corrientes leD e lco estn relacionadas con VEa y Vca segn I'a relacin volt - amperio del diodo dada en
la Ec. (2-3)3. Por tanto, lE e Ic pueden expresarse en funcin de las dos corrientes del diodo:

le == leo

aRIco

le = - orlso

+ leo

les

(V."IVT -

aFhs

1) - aRlcs

(V"" IVT -

1)

(VCB/I'T -

+ les

(3-2)

1)

(V"H/Vr -

1)

(3-3)

Las relaciones expresadas en las Ecs. (3-2) y (3-3) se conocen como Ecuaciones de Ebers-MolI.
lES e les de las Ecs . (3-2) y (3~3) son las corrientes de saturacin inversa de las uniones emisor- base
y colector-base respectivamente. Los parmetros aF y aR son ambos menores que la unidad ya que no toda
la corriente de un diodo se acopla con la otra unin. Los subndices indican: F, transmisin directa
(Forward) de emisor a colector, y R, transmisi6n inversa (Reverse) de colector a emisor. Las cuatro
cantidadeslES' les' a F y a R , son funcin de las densidades de dopado y de la geometra del transistor. Estas
cantidades no son independientes sino que estn relacionadas te6ricamente por
aFh.~ =

astes

(3-41

A esta ecuaci6n a veces se le llama condicin de reciprocidad del BJT.

La corriente de la base se halla igualando a cero la suma de las corrientes en los terminales, o sea
(3-5)
] Muchostransiston::s integradoslrabaj"-ll con corrienlell que acoslumbrana ser de por lo menos nueve veces mayon::s que IIlS de saturacin. Por
lo tlUll0l't = I como se ve en la seco2-3.

Transistores de unan bipolares (BIT)

105

Conv iene indicar el valor tpico de las cantidades que figuran en las Ecuaciones de Ebers-Moll. En un
transistor integrado (Fig. 3-7) las peq uea s dimensiones emp leadas norma lmente son:
0.98

al' 5 0.998

siendo In e In del orde n de IO- ' ~ A depen diendo ambas de las respec tivas secciones de la unin. En
consecuencia , con un nivel de dopado dado de dona dores y aceptadores, se pueden regular las corrientes
variando las dimen sio nes del dispositivo. Esto se tiene en cuenta en el diseo de ci rcuitos integra dos para
obtener transistores con distintas intensidades nomina les. Con este mtod o se pueden aumentar I H e In
hasta unos 10 11 y JO 'I ~ A, respe ctiva mente. U F se man tiene prcticamente inva riado , y seg n la Ec. (3-4 )
a./( puede rebajarse por debajo de O, l . El escalo nado de dimensiones se usa en transistores discretos para
alcanzar niveles de corriente y de potencia superiores a 10 qu e se puede conse guir en un chip.
Las ecuaci ones de Ebers-Moll para un dispos itivo I1pll se deducen de las Ec. (3-2) y (3-3) una vez
admitamo s que la co rriente directa en cada diodo va de p a 11 , y que la polarizaci n directa precisa de una
ten sin positiva de p a 11 . En consec uencia . el sentido de todas las corr ientes compo nen tes y de las tensiones
en las uniones de un transistor IIpn son contrarias a los de un dispositivo pl1jJ como se aprecia en la Fig.
3-11u. De este razonamiento se deduce que las Ec. (3-2 ) y (3-3) son vlidas para un transistor 111)// si se
intercala un signo menos delante de V UI' V U1' y en cada componente de corrien te. Los resultados quedan
de manifiesto en las Ec. (3-6) y (3-7) .

(3-61
(3-71

le
Basndonos en estas ecuaciones se obtiene el modelo repr esentado en la Fig. 3. 1Ib.
p

Co )
~'igura

(b )

3-11. fu) Compone ntes de corriente y. (11) represe ntac in de gra n se al de un tra nSISlOr 111111.

Ganancia de corriente con gran seal

[Link] un transis tor npn esta ndo el diodo emisor-base con polarizacin directa (Vf B <O) y co n
los termi nales de colector y de base conocirc uitado s (V("~ = O). En estas condiciones , de las Ec. (3- 6) Y
(3-7) se obtiene
lE. = !e.s (IE - Vu IV r - 1)

por t a nt o ./~ = -a, l B y U F ser

106

Mlcroelectr6nlca moderna

o r == -

~:I Vr~_O = O

(3-8)

El valor de UF tal como lo da la Ec. (3- 8) es la ganancia de corriente en cortocircuito directo en base
comn.'
Anlogamente, cuando Vcs < [Link] ganancia de corriente en cortocircuito inverso u R viene dada por

aR ==

~;I v...._o =

(3-9)

Obsrvese que en la Ec. (3-9) la unin que est polarizada en directo es la de colector-base y el diodo
emisor-base es el cortocircuito invirtiendo as las funciones del colector y el emisor de las condiciones en
directo de la Ec. (3-8).
Las defmiciones de las Ec. (3-8) Y(3-9) son aplicables tanto a los transistores npn como a lospnp. En
un dispositivo npn, Ic es positivo mientras lEes negativo, y lo contrario sucede en un transistor pnp. En
consecuencia UF y ~ son siempre positivos.
Cuando Vcs = OY VES < O,la corriente de la base [Ec. (3-5)] se puede expresar:
l B = - (1 - aF)!e

(3-10)

Puesto que los valores tpicos de UF son prximos a la unidad (como hemos visto antes en esta misma
seccin), lS resulta muy pequeo comparado con lE siendo Ice lE prcticamente iguales.
A veces es conveniente expresar las corrientes de colector y de emisor en funcin de la corriente de
base, mucho ms pequea. Combinando las Ec. (3-8) y. (3-10) obtendremos

(3-11 )
(3-12)

donde
~F = 7

_~"~F_

1 -

(3-13)

aF

La cantidad ~F es la ganancia de corriente directa en cortocrrcuto con emisor comn (tambin

representada por hF E ) .
Un anlisis similar para las condiciones en inverso nos dar la ganancia de corriente inversa en
cortocircuito con emisor comn.
.

"R

~R = .,-::"--

1 - aR

(3-14)

En transistores integrados ~F suele estar comprendido entre 50 y 250, Y ~R entre 1 y 5.

Modos de trabajo del transistor

Cada una de las uniones de un transistor bipolar de unin puede estar polarizada en directo o en inverso .
Con ello pueden formarse los cuatro modos de trabajo sealados en la Tabla 3-1. En las subsiguientes
4 A veces aF iC designa por Sil ce rrespoedler ue paJmelro h (hFll). (V6asoel llptndiee el, donde el subfndice B indica hue coml1n.

Transistores de uni6n bipolares (BIT)

107

secciones de este ca ptulo se hace un det allado anlisis del funci onam iento del BIT en cada caso. Aq uf
pretendemos exam inar bre vement e es tas modalidades y hacer resa ltar sus rasgos distintivos.
En la regin activa en directo el tr ansistor bipo lar se comporta como fuente controlada. Se llega a es ta
conclusin por las &S. (3-6) Y (:r-7) para las condiciones apuntadas en la T abla 3- 1. Con tensio nes de
polarizacin de la unin de alguna s dcimas de volt , y supo niendo q ue I es tan pequ ea qu e se puede
despreci ar . como es casi siempre e l caso. le = - alr Asf pues, el contro1 de la corriente de entrada
determina la corriente de sa lida 1(;'" Esta es la acc in de una fuent e de corriente gobernada ya quelos cam bios
del nive l de polarizacin emi sor-ba se ajustan el valor de ' EY por tanto el de 1(;'" Con las cara ctersticas de
fuente gobernada o bteni bles . e l BIT puede e mplearse como amplificador pre valeciendo el modo act ivodirect o en circuitos analgi cos.

'E

Tabla 31. Modos de Irabajo del Transtsior Bipolar

Modo

Polarizacin de la unin
Emisor-base
Colector-base

Activo-directo

Directa

Inversa

Umbral (corte)

Inversa

Inversa

Saturacin

Directa

Directa

Activo-inverso

Inversa

Directa

'E

En el modo (corte) ambas uniones es tn inversamente po larizadas: tant o como le son del o rde n de
las corrientes de saturacin inversa s del d iodo (prob. 35). La situac in es la de co rriente casi nula con
tensin inversa grande en la unin (V~ ::1> Vr ) y funciona aprox imadamente como un interrup tor abierto.
Con los dos diodos con polarizaci n directa. en saturacin, la corriente de colecto r puede ser apreciable
pero la tensin a trav s de la un in del colector ser pequea. Esta situacin es aproximad amen te la de un
interruptor cerrado. El funcionamiento del BIT entre corte y sa turacin eq uivale al de un interru ptor
(comprese es to con el razonamleruo de la secc in 3- 1).
El mod o activo-inverso es se mejante al direct o pero con una diferencia signi ficat iva. Aun cuando el
funcionamiento e n la regi n activa-inve rsa es el de una fuente controlada (lE = - a~ la pequea ganancia
de corriente a " frente a UF hace que esta modalidad no sea adecuada e n genera l para la amplificacin . Sin
embargo tiene aplicacin en circuitos digitales (Ca p. 6) y en algun os circuitos de conmuta cin analgico s.

EjemploJl
Un transistor npn trabaja con la unin colector-base polarizada invers amente con por lo menos algunas
dcima s de voIt y con el emi sor en circuito abi erto . Determinar: (a) su modo de funcionamiento, (b ) las
corrientes de cole ctor y de base , (e) los valores dele y VEl a temperatura ambiente siendo l ES = 10- u A.
' a = 2X 1O 1$ A. Yal" = 0,99.

Soluci6n
(a). Con el diodo col ector-ba se con polarizacin inversa vemos en la tab la 3- 1 que e l modo de trabajo
ser o bien en corte o bien activo-directo. Cul de estas cond iciones es la existente se deduce de l estado
de la unin emisor-base. De la Ec. (36) sie ndo , F = O(circuito abierto) tendremos:

108

Microelectrnica moderna

de donde
(1)

habiendo hecho uso de la condicin de reciprocidad de la Ec . (3- 4), n/es

Invirtiendo y tomando logaritmos de ambos lados, tendremos

VE B
Vr

In

1 - aF

in(f3F

=n,JES'
(2)

1)

En (2) se observa que VEB es positivo polarizando en inverso la unin de emisor por lo que el transistor
est en corte.
(b) Con lE = O, la ley de Kirchhoff dice que le = - lB' La corriente de colector se obtiene de la Ec. (3-7)
en la que se ha sustituido (1).
l e = - l B = - aPXR!cS

(3)

l es = (1 - aPXR)/CS

(e) Sustituyendo valores en (2) tendremos

V EB

;;;c--c:'=;;"" = In ~---'-~~
25 x 10-'
I - 0.99

V B = 115 mV

El valor de n R segn la condicin de reciprocidad es

aH

a h s = 0.99 IO -I ~
F I
2 x IO -' ~
es

0.495

Sustituyendo valores en la (3) obtendremos.

Ir = -lB = (1 - 0.99 x 0.495)

"Y

IO -' ~ =

107.

IO -I ~

El resullado indica que para l E= Oel transistor. entre los terminales de base y de colector, acta como
un diodo y que la corriente hallada es la de saturacin inversa del colector con el emisor-en circuito abierto.
Aun cuando el valor de l e encontrado es muy pequeno crece notablemente con la temperatura.
La corriente dada por (3) en el ejemplo 3-} se conoce frecuentemente como corriente de cole ctor
inversa . Como veremos en la Seccin siguiente este dato es muy importante en un BIT que generalmente
se designa leo' Realizando un anlisis semejante con el colector en circuito abierto y el diodo emisor-base
con polarizacin inversa se obtiene la corriente inversa de emisor l Eo' Ambos resultados quedan establecidos en la Ec . (3-15).
l eo = (1 - aPXR)les

(3-15)

Concentracin de portadores minoritarios

En la Fig. 3-12 est representado el exceso de portadores minoritarios en la regin de la base debido
principalmente a la inyeccin directa. Se entiende por espesor de la regin de la base a la distancia que
media entre el lado de la base del emisor-base y la regi6n de deplexin del colector-base. Idealmente, el
exceso de densidad de portadores minoritarios decrece linealmente a travs de la regi6n de base. En

Transistores de un u bipolares (IJJT)

109

realidad la distribucin viene dada por la lnea de trazos que ya tiene en cuenta la recombinacin. La
concentracin es nula en la confluencia colector-base ya que los portadores minoritarios que llegan ah
son lanzados al interior del colector.

Oensidad de
porladores
minorita rios

Emisor

J'

Base

,.0

Figura 3 12. Cc ncenn acjon de portadores mm or anos e n las regiones de con e. acl i~ a di n:cla y de satu racin .

En esta misma figura 3- 12 estn representadas las respectivas densidades de portadores minoritarios
en corte y en saturacin. Tal como es de suponer. polarizando en inversa la unin emisor-base se evita la
inyeccin directa. de forma que esta densidad es virtualmente nula. En saturacin existe un exceso de
portadores minoritarios por encima del nivel para el modo activo directo. Este exceso se atribuye a la
inyeccin de portadores en la base por el diodo colector-base polarizado en directo.

34. CARACTERSTICAS EN BASE COMN

Ahora estamos en condiciones de trazar grficamente las caractersticas volt-ampere del BJT bas ndonas en las ecuaciones de Ebers-MolI y en los modos de funcionamiento vistos en la seccin anterior.
Como ejemplo de estas caracterfstcas nos referiremos al transistor P"P 2N2907A. En la prxima seccin
que trata del circuito en emisor comn emplearemos el transistor l/1m 2N2222A. Estos transistores son
complementarios. es decir. que sus caractersticas y clasificacin son casi id nticas salvo que el signo
aritmtico de las tensiones y corrientes reflejan la diferencia entre dispositivos P"I' y "1'".
Enel transistor {mp . los mayores componentes de corriente comprenden huecos. Puesto que los huecos
van de emisor a colector y salen de la base. refirindonos a las polaridades convencionales de la Fig. 3-5
tendremos que l E es positiva mientras que le e l B son ambas negativas. Las tensiones V1B y VCB en las
uniones son positivas para polarizacin directa y negativas para polarizacin inversa. En un transistor
todas las polaridades de corrientes y tensiones son contrarias a las de un dispositivo pnp, Obsrvese que
en ambos tipos de transistor lBe Ic tienen el mismo signo opuesto al de lE"

"1'"

Caracter sticas de salida

Es conveniente plantear las ecuaciones de Ebers-Moll dir ectamente en funcin de lEe Jed e la siguiente
forma: en el caso de un transistor pnp resolver I cs (El cBh . ) de la Ec. (3-3). Sustituir este valor en la Be.
(3-2) e ide ntificar1m de la Fig. (3 ~ 15h) . El resullado (probl. 36) es:

(3- 16al

110

Microelectrnica moderna

Procediendo de forma similar encontraremos

(3- 16b)

Estas ecuaciones son vlidas para un transistor "P" aadiendo el signo menos delante de Ic.1 E VEB y
VCB (prob . 3-6). En la Ec. (3-16b) vemos que lc depende nicamente de la corrient e de entrada lE y de la
tensin de salida VCB' En la Fig. 3-12 estn representadas las caractersticas de salida que muestran esta
relacin y forman la familia de curvas delc en funcin de V cs para distintos valore s de lE' Para representar
mejor el funcionamiento en los distintos modos de trabajo se han dibujado solamente las partes de
caractersticas en las proximidade s de VCB = O. Estas caractersticas se pueden medir mediante el circuito
de la Fig. 3-8 supuesto que podamos variar la amplitud de cada suministro de potencia y los valores de
las dos resiste ncias .
En la regin activa directa (Tab la 3-1) te es positivo, Ices negativo y VCB tambin negativo. Obsrvese'
que es costumbre (como en la Fig. 3 ~13) situar los valores crecientes de lId en el sentido positivo del
eje y y los valores crecientes de la tensin de polarizacin inversa VCB en el sentido positivo del ejex. La
corriente de colectaren la regin activa directa es independiente de VCB y por tanto constante para un valor
dado de lE' Esto resulta evide nte en la Ec. (3-16b) que evaluada en la modalidad activa directa resulta
(3-171

Esta ecuacin es valida para un transistor npn si se cambia -lco por + 'co: Si lE = O tendremos segn la
Ec. (3 ~17) que lc =-leo y el transistor est en corte. Con lE =O la caracterstica no coincide tcnicamente
con el ~e
pero figura as porque lco es extraordinariamente reducida. Obsrvese que puesto que el... ""

V
1,1/,1- 1/, IB
.

Corriente de colector
l e, mA

Regi n activa
egin de

-25

ruracin

+0.8

f E "'

15 mA

- 15

ts

-,

..

O
Tensin de colect or

+0.4

/00 _

1
0.8

1.2

Figura J.I3. Caracterstica de salida en base comn del transistor pllp de silicio 2N2907A en la.'; proximidades de la tensin de
colector O. Obsrvese que los ejes Va positivo '1 negativo estn invertidos respecto a lo que es normal.

Las curvas sealan que aumentando VCB de forma que se polar ice en directo la unin (V,s 2 0.6 V)
aumen ta tambin la corrient e de colector (le se hace menos negativo). Con ambos diodos con polarizacin
direc ta el transistor est en satu racin.
Las caractersticas de salida del BJT invertido nos dan l f: en funcin de V ES para distintos valores de
le En estascondiciones l\i(que acta como comente de emisor) es positiva e lE (actuando como corrient e
de colector) es negativa. asndonos en la Ec. (3-16 ) se obtie ne una familia de curvas (no representadas)
simi lares a las de la Fig. 3-13.

Transistores de unin bipolares (BIT)

l' c8

1-~

~.

<

I I .:
Colector abIertO

oB

"'CB ..

'I/.
o

E 6

1-oV

-,ro

o .05

'1-1--

, o,

-c
o

I T

:Me -

rv

t- g" -

0-

.nn,

8"
-

1-

6~

oT

- 10

1--

'"

1-

111

Corriente de emisor f ,. . lilA

l.'

~V

0.4 0.5 06 0 7 0,8

T ensin de em isor VEH ' V

'"

Fi,: ura 3-14 . ( a) Ca racte rstica de enerada en base comn ( V EH e n funci n de It ) para el IransiM'}f pnp 2N2907 A; ( b) La misma
caracte rfstica n aza da co mo / en funcin d e Vu ' O bs rve se la similitud con la curva de 1111 diodu .

Carac te rsticas de entrada

Las ca racters ticas voll-ampe rio de e ntrada son la repr esent aci n de l t: en funcin de VE8 para distintos
valo res de VOl. Como se ve en la Fig. 3- l4estascurvas repre sentan las caracre ns tices de l diodo emisor-ba se
a distinta s tensio nes colec tor-base . Estas ca ractersticas ponen e n evi denc ia la ex istencia de una ten sin
de co rte o umbral Vy = O,5V , por debajo de l cual
es extrao rdinariamente bajo. Si tra zamos la
ca racterstica con polarizacin inve rsa ( V lIl < O) estando el co lector en circuit o abie rto podremos o bse rvar
una co rrie nte de saturac in igual a 1E(J' Una segunda part icularidad de es ta c urv a es la de que la
ca racterstica del diodo em iso r-base qued a a fectada al variar V CI . Veremos ahora los fenmenos relacionados co n el perfil de las curvas de la Fig. 3-14.

'E

Efecto Early o modulacin del ancho de la base

En la Secc in 2- 13 se indi c q ue e l anc ho de la regin de deple xin de una uni n crece al aum en tar la
tensin de pola rizacin inversa. Co nsid eraremos nicamente los efecto s debidos a la unin co lector-base
estando e l diodo emisor -ba se co n polarizacin d irecta. En c onsec ue ncia, el e spe sor efectivo W de la base
decrece en la Fig. 3- 12 al aumentar VC8 Esta mod ulac in del an cho de la base se co noce co mo Ef ecto
Early. Podemos atribu ir tres co nsecue nc ias a la mod ulacin del ancho de la base. (1) Cuando es muy
estrec ha hay men os oc as iones de reco mbinac in hacie ndo crece r a , cu ando c rezca Va (2) el gradiente
de co nce ntrac in de portado res minoritarios en la base aume nta (ya que la co rriente de difu si n es
propor cio nal al gradie nte de concer nraci n. J aumenta co n la tensin de pol arizacin inver sa en el d iodo
co lector-base ) y (31 co n tensiones extremada me nte altas W puede q uedar reducida a cero prov ocando la
ruptura del BJT . Este fen m eno de perforac i n se estudi ar e n la Sc c. 3-13 . Segn e l efe cto Early.
Esta co ncl usi n e xplica la de sviaci n de la
mantenien do Vu constante. 11. crecer al crece r VOl
caractertsticade entrada en la Fig. 3-14. En la Secc i n 3-5 ve remos otras manifestacion es de la mod ulacin
del ancho de la base .

I I;

l.

112

Microelectrnica moderna

3-S. CONFIGURACIN EN EM ISOR COMN (CE)

Muchos circuitos de transistores de unin bipolares emplean la configuracin en emisor comn
representado en la Fig. 3- 15. Ello es debido principalmente a que es preferible usar para control la pequea
corriente de base que la de emisor. En la configuraci n en emi sor co mn la corriente de entrada l B Yla
tensin de salida VCE son las variab les independientes, mientra s que la tensin de entrada VB.!: y la corriente
de salida I C son variables dependientes.
Creemos que el funcionamiento fsico de un BJT se comprende ms fcilmente si nos referimos a un
dispositivo pnp . Por ello los precedentes estudios relativos a la confi guracin en base comn y a las
ecuaciones de Ebers-MolI se basaron en el transistor p np. Sin embargo. se usan prevalentemente
dispositivos np" tanto en circuitos integrados co mo en forma de componen tes discretos en circ uitos con
transistores. Por tanto enfocaremos el estudio de la confi guracin en emisor comn hacia el trans istor npn
utilizand o. como ya se indic anteriormente. el transistor discreto 2N2222A. muy empleado en la industria.

Las caractersticas de salidas

La Fig. 3- 16 es la familia de curvas caractersticas de salida en emisor co mn en las que se da le en
funcin de Va para varios valores de l B' En estas caractersticas se ha superpuesto una recta de carga
correspondiente a una Re - 500Q Yuna tensin de alimentacin de Vc:( "" lOV, La construccin de la recta
de carga se basa en las leyes de Kirchhoff, lo que es igual al mtodo desarrollado en la Seccin 2-4. La
caracterstica de salida delimita tres zonas o regiones de funcionamiento. Aqu comentaremos la regin
activa dejando las de corte y saturacin para la Seccin siguiente.

Va

1,

V"
1,

FI~ura

3-15. Un circuito en emisor comn que emplea un transistor Ilpll.

Para un transistor npn en la regin activa debe modificar se la Ec. (3- 17) haciendo I = Combinand
C
om man o esta ecuacr'6n con la Ec. (3-5) tendremos:
_
Ie -

Siendo J3F = a/(1-

ctFI B

I -

ctF

l eo

I -

ctF

a,J + I ,
E CO

(3-18)

cxF ) seg n la Ec. (3~ 13) podremos escribir la Ec. (3- 18) de la siguiente forma
le

:=o

f3rlB

+ (fh +

1) l eo

Es norma l que trabajando el BJT en la regin activa l B I co' por tanto

l e :=o f3 F I B

13- 19)

(3-20)

5 Los rabricanles 00 facililan las cal'l\clelslicas de entrada y de salida de sus transislorcs ya 'Iue raramente se utilizan en los diseos tanto
analgicos cOmOdigillllcs. S in embargo, enes eeracten suces son necesarias para comprender el lraosi' [Link]. caraclersticas que figuran en este
ceputc han sido determinadas uperimenlalmeme.

Transistores de uni6n bipolares(BIT)

113

es una buena aproximacin de la corriente de colector muy emp leada.

LaEc. (3~20) indieael funcionamiento de fuente gobernada en el modo act ivo. Controlando la corrie nte
de entrada 1, podemos detenninar la de salida l e'
So

/, " :00", ,,
160

O
I~O

80

........ ;;.:.; <.,..

(]e

40

''" <, t-....

00

, ,

Tensin coleclor-emisorVCE'

O
10
V

Figura 3-16. Caracterfslica de salida en emeor come dellransislor IIpllde silicio 2N2222A. La recte decarga correspondea V"
rr OV,yRc = 500 n

La ganancia de corriente directa en continua hFE es una cantidad que los fabricantes de dispo sitivos
especifican y que viene dad a por
hFl::

le

=-

i,

= f3F

(3-2 11

Los subndices F y E indican transferencia direct a y emisor co mn respect ivamente. Siendo en

general 1m despre ciable comparada con otras corrientes en la regin activa , hf[ y 13, tienen prcticamente
el mismo valor'.
Si aF fuera verdaderamente constante, entonces, de acuerdo con la Ec. ( 3-18). le seria independiente
de VCE Y las curvas de la Fig. 3-16 serian horizontales. Se admite que debido al efecto Early (lF aumenta

Figura 3-17. Caracterfslica de salida en emisor comn para un rransstor I/pll. con VBE como parfmelro. Las curvas se prolongan
(lineas a lrazos)hacia el eje negaliyo Va' Eslas Hneas se cortan en la lensin Early.

A veces . 1. ganancia de corriente se le del is na Pk Cornil hF'E "

p"" .. I'pen la lileratura se empl"n a "ftes indislinllmente.

114

Microelulrnlca moderna

slo el 0.1%, de 0.995 a 0.996 al crecer I Ve[ I desde unos pocos ,,011 hasta JOV. Enionces P
, aumenta
desde 0.995 I ( 1- 0.995) = 200. hasta 0.9961( 1-0.996 ) =250 o sea aproxi madamente un 25%. Este ejemplo
numrico de muestra que una variacin muy pequea (0. 1%) de a~ se traduce en un cambio muy gra nde
(25%)en el " ala rde p,. Debe queda r claro que un ligero cam bio en u, tiene un gran efecto sobre P, y por
tanto en las curvas en emisor comn . Por tanto. las caractersticas en em isor comn estn nonnalmente
sujetas a amplias variaciones aun entre transistores de un tipo dado. Estas vaneclooes en J, deben tenerse
muy en cuenla en el diseno de circu itos.
La influencia del efec to Early sobre las curvas de salida en emisor com n queda reflejada grficamente
en la Fig. 3- 17. En esa figura se han trazado curves de " en funcin de VCEcon " arios " ala res de VK' todo
ell o relati vo a un transistor npn tpico. Si prolongamos la porcin recta de estas curvas hacia atrs del eje
VCEco mo se seala con las lneas de trazos. jed as ellas van a parar a un mismo punto -V~. La tensi n VA
se denomina tensin Early y est no rmalmente com prend ida entre 50 y IOOV. La tensin de Early
dete rmina la pendie nte en la carac terstica /!;en funcin de Ve[ (Fig. 3- 17) para un "a la r de V' Edado. La
inversa de esta pendiente tiene las dimen siones del ohm, y en suces ivas secciones relacionadas con
modelos de Bl T. este efecto se manifestar por s mismo co mo una resistencia asoc iada con la fuente
gobernada.
P, {nonna1iladol
1.0

flI-- ), 18. Variaciones de

rilrniea de:: 1('

~ normaIlzada con

la eonYnle de cokctor ' c J*1l un lransisl:or inlegrado. ~ la ac:a!a Jop'

Tambi n la ganancia de corriente en emisor comn P, ... h' E"aria con la corriente de colector co mo se
" e en la Fig. 3- 18 para un transistor integrado tpico y en la Fig. 3- 19 para el 2N2222A. Obsrvese que
en ambas figuras. 3 18 y 3-19' / c est en esca la logart mica. En la Fig. 3- 18 se puede ver que p, disminuye
de su nivel medio tamo para "a lares peq ueos como gra ndes de //. La mayora de circuitos integrados-

,.0r::::::::==:::=:::=:::=::;::;:;;;;[Link]=:::=::::::==::::::=:::
] .0 t:

- -- ---2So~ - -

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::r--t--+--+-+-+

0.2 0.50.1 o

2.0 l .O

lO

10

10

JO

SO 10 100

lOO ' 00

lOO

'e, lit A
fil __ J19. Oan'a5de jI, (norma lizadasl" unidad con Vn:- 1 V.I<- JOmA I T- 2S ~e n funcin de:: la corrienledecoltor"
l ira distinlu tcmpe raluras 1jde la unin . eorrespondienla al lranUuOl" 2N22 22A (conesla de:: Mocorollo lDe.).
, &[Link]~([Link].r. ercc-dc ...... ~. Je~emlroirt)'[Link]'"
con ..&lora alle. de
Los detalb de _1IiI..-:o.x.e. nt".,a de, objI:to de C'SIe Iibru.

'e:-

Transistores de unton bipolares (lJJT)

115

bipolares utilizan transistores en su zona media donde ~F es ca si constante. Las curvas de la Fig. 3 19
tambin acusan la disminuci n de hF( = ~, con niveles altos y bajos de corriente; sin embargo la ganancia
de co rriente nonnalizada es razonab lemente constante. Ob srvese el incremento de h' Edebido al efecto
Early cuando VCE aumenta de 1 a 10V. Ambas familia s de curva s [Link] una amp lia variacin de P,
an en un transistor de un tipo en particular. Los fabricantes de dispo sitivos. generalmente especifi can los
valore s mnimo y mximo para algun os va lores de Va y distintas temperatu ras.

"

1"" ~ U

.:' v

1{

,1 ~,

,. o.

- '11'

";:.. .. o.

1' -

ur o

-s

,.' '1-1 1~

.,

o
-o
o

1-

o.

oT

,.

o.-1-

1 1'

0.2
0.4
0.6
Corriente de base lB ' mA

{.,

o.a

'"

O'

11o

0.4

us

0.6

0.7

0.8

Corr ie me de base l B , mA

{be

fo'ig ura J20. (a) C aractertsuca s de entrad a e n emisor comn (V BE en (uncin de ) deltransisto r 2N2222A. (h) Las mismas curvas
trazadas como l , en funcin de VBE (Obs rvese la se mejanza con la carecre nsric a del diodo).

Las ca racterst icas de entrada

Lascaracterfsricas de entrad a (Fig. 320) son curv as que muestran la relacin entre 1, YVBC para dis tintos
valore s Va ' Se puede observar que con el colector cortocircuitado con el emi sor y ste con polarizacin
directa. la caracterstica de ent rada es esen cialmente la de un diodo co n polarizacin directa . Si Vac se
anula, l B ser cero ya que en estas condiciones tanto la unin de emi sor como la de co lector estn en
cortocircuito. En genera l el increme nto de IVCE I siendo Va E constante, reduce el ancho de la base debido al
efecto Early con el resultado de disminuir la corriente de recombina cin de la base. Estas considerac iones
explican la forma de las caracterfsticas de entr ada representad as en la Fig. 320.

El modo activo inverso

Las ca racteristicas de entrada y de salida del transistor invertido tienen la misma forma general de las
Figs. 3-20 y 3- 16. La caracter stica de en trada acti va inversa muestra el funcionamiento de la unin
colector-base con polarizacin directa. Recurdese que en el modo activo inverso a,ll y P" tienen valore s
menores que a y ~F respectivamente . En consecuencia. para un valor dado de i 11 el valor de l E ser menor
f
en el modo activo inverso que en la regin activa directa.

116

MlcroeltronlaJ moderna

3-6. CORTE Y SATURACIN

En 1. Sec. 3-2 se indic cuaJitativamenleque el funcionamiento de un BIT en corte o en saturaci6n se
aproxima al estado de un interruptor abierto o cerrado respecnvamente. En esta Seccin veremos la
actuacin del transistor en ambos casos, bajo un punto de vista ms cuantitativo.

Corte
En corte. ambas uniones (temen polarizacin inversa. En la configuracin en base comn ya demostramas que se prcduceer COI1ecuando la corrientede entrada 1",- OYpor lanto I r--III -I_ Ahora examinaremos la operacin cuando con emisor comn la corriente de entrada l. =O. Es importante tener en cuenta
uue tericamente ninguna de las dos uniones tiene polarizacin inversa si la base est en clrcuito abierto
(prob. 35). Segn la Ec. (3-5), si 1, =0,1, =-le y valindose de la Ec. (3-18) tendremos

le

=-h

leo

- a,

lceo

"(3-22)

Los subndices de la corriente la.l'l enla Ec. (3-22) indican que la corriente va de e (colector) a E
(emisor) cuandoB (el termlnal que falta) eslj O (abierto). Con le - I co' a, est muy prxima a cero por
la recombinacin en la regin de deplexi6n emisor-base. Por tanto;de la Ec. (3-22) deducimos que le
=-lE = Icm = leo ya efectos pcticos el transistor est muy aproximadamente en corte. En el ejemplo
3-1' la relacin dada por la Ec. (2) indica que al acercarse a, a cero, VD - O. Por tanto, el corte de un
transistor de silicio (lE =O) requiere una tensin inversa V, ,{ prctcamente nula y -1, =1(" =lco'
La corriente de colector en un transistor Islco (no ideahzado, real, comercial) cuando la corriente de
emisor es nula se designa con el signo /Df'" Existen dos fACtores QUC contribuyen a hacer 1.-.0mayor Que
l co : (1) existe una corriente de fuga que fluye no a travs de la unin SlOO alrededor de ella y por la
superflce (esta corriente es proporcional a la tensin a travs de la uni6n) y (2) lao supera a l co porque
pueden generarse nuevos portadores por colisin en la regin de transicin de la unin de colector,
conduciendo a la multiplicacin de a....alancha. Pero aun antes de aproximarse la ruptura, esta componente
de muItipHcac:ill de la corriente puede alcanzar proporciones considerables (Fig. 3-40).
El valor de lno a 2S "C' en un transistor de silicio con una disipacin de potencia de algunos centenares
de mliwalS es del orden de los [Link] BIT integrados de pequeas dimensiones tienen valores
de I de unas decenas o centenas de picoamperios.
{Jg transistor de germanio tiene una lelO del orden de los mcroamperios. La sensibilidad de 1rtl~ en
relacin a la temperatura es la misma que la de la corriente de saturacin inversa IJ de un diodo pn (Sec.
2- 4). Concretamente, se ha determinado que I ClO se duplica aproximadamente por cada 10 "C' de aumento
de temperatura, en el caso del silicio. Sin embargo, dado el bajo valor absoluto de IfJO en el silicio, estos
transistores se pueden usar hasta temperaturas de la unin de hasta 200 "C' mientras que los transistores
de germanio quedan limitados a unos 100 OC.
Adems de la variaci6n de la corriente de saturacin inversa con la temperatura, puede haber tambin
una gran variabilidad (con un factor ~ 100) de 1c:1O entre ejemplares de transistores discretos de un
detenninado tipo. Por ello en las especificaciones de los fabricantes (Apndice B-3) figuran los valores
mbimos de lno. Un transistor de silicio de baja potencia se considera que pierde si lno supera los 10
nA a 2S "C.

Transistores de unan bipolares (BJT)

11 7

Corte en el tran sislor invertido

Tendremos en corte el transistor invertid o polarizando cn inverso el diodo emisor-base con el colector
en circuito abiert o. En estas cond icione s la co rriente de corte de emisores I El/O . Para valores especificados
de Va y VI/E (con polarizacin inversa) las corrlc r ues de corte de colector y de base se designan ' a x e 1111.
respeclivamente. El valor mximo de estas corrientes figura tambin en las especi ficaciones y son del
mismo orden de magnitud que le80.

La regin de saluracin en emisor com n

En la regin de saturaci n la unin de colector (y tambi n la de emi sor) es t polarizada en directo por
lo menos a la tensin umbral. Como sea que la tensi n V 8~. (o VII(') es slo dc unas pocas dcimas de volt.
Va = VI/E - VIIC tambin es de unas poca s dcimas de volt en saturacin. Portanto. en la Fig. 3- 16 1a regin
de saturaci n est muy prxima al eje de ten sin cero. do nde se unen todas las curvas caye-reu , pidam cnte
hacia el origen. En la Fig. 3- 16 se ha sealado. sobre las caracrens ticas. una recta de ca rga co rrespondiente
a una resi stencia Re = 500 n y una tensin de alimen tacin de 10 V. Observam os que en la regin de
saturaci n la corriente de colector es aprox imada mente independiente de la corriente de base para unos
valores dado s de Vee y Re- Por tanto debemos cons iderar que la irrupcin de la saturacin t'cne lugar en
el codo de las curvas de l transistor de la Fig. 3- 16.
Las curvas de la Fig. 3- 16 no nos permiten leer la tensin co lector-emisor V,.'. . ....11 con alguna precis in.
En su lugar nos valdremos de la Fig. 3-2 1 en la que se han extendido las caractersticas en la zona entre
Oy 0.5 V de la Fig. 3- 16. Yse ha superpuesto la misma recta de carga correspondiente a Re = 500 n: y Vec
= 10 V. Observamos que en saturacin tanto le como Va son cas i independi entes de '/J' El camb io de
desde 120 a 160 JlA (Pig. 3-2 1) representa un cambio en Vn .. o de unos 50 mV y una variacin de
inapreciable an con la esca la amp liada. Contrariamente. en la Fig. 3- 16 una variacin de 40 JA en (de
40 a 80 Jl.A) va acompaada de un cambio significativo tanto de le como de Va ' Esta es la regin activa
en la que le = Pr lB' En saturacin l B ya no co ntrola
de forma que CJ.r ya no relaciona ambas. Es
conveniente introducir el parmetro

'B

'e
'8

'e

/el

'11

0 23)
en satura cin

'N ~ ~Oo" A
O

----

:~
o

0. 1

1100

,
Recia de carga

so
-m
02

O.)

0.4

O.S

Tensin colector-emisor Vcr \1

Figura 321. Ceracrertsncas detrranssror2N2222A en vcerca de la regin de safuracin: sobrepuesta. una recia de cargacorrespendiente a V., = 10 V Y R, = seo Q

118

Microelectrnica moderna

para relacionar le e l. en saturacin. Obsrvese que 11""'.... < 11" El caso de 11"""... =B, corresponde a la
regin activa. Tan to la Fig. 3 16 como la Fig. 32 1 muestran que en saturacin I c viene determinada por
los elementos externos Vce y Rc y vale aproximadamente ValRc'
Tambin vemos en la Fig. 321 que la tensin co lector-e misor VCE l .. 1 vara algo co n l. En circuitos
digitales que emplean el BIT co mo interrupt or. el valor de VCl l " l tiene su importancia. (Se puede
considerar VcE ~ l co mo indicador de cuanto se aproxi ma un interruptor prctico al ideal.) Para de tenn inar
analticamente el valor de V Cl
se emp lean las ecuaciones de Ebers-Moll. Los detalles de este anlisis
se deja n para el lector (proble~';3.7). El procedimiento es el siguiente: partiendo de la Ecs. (36) y (37)
se obtiene la expresin de l . Despeja r/l D e I CD de las ec uac iones de Ic e 1, . Toma r el logaritmo de IEI/l eo
e idenlificar VCE = Vo - VuY 13""..... =1(" 11 . El resulladoes:
Vct: = Ve lol ....u :::: V, In

I/u" + PlorrA P,,

1

A
P" onado

(3.24)

'11,

La tabla 3 2 indic.. las variaciones de VCE l"' J al variar Pror<ada' a temperatura ambiente para un transistor
integrado que tenga IlF :::: l OO Y Ila = l .
Tabla 32.

Variacin de VCE ''''' con 11.. ...:......

99.9

v. ...",,, tmvr

'86

99

,JI

"
14'

ne

"

10

,
su

0. 1

"

19

0 .0 1

"

En la tabla 3-2 vemos que Vel '''1decrece al decrecer P_ y el BIT llega ms lentamente a saturacin.
La deduccin de la Ec. (3 24) prescinde de la resistencia del sem ico nductor que fonna la regin de
co lector' , An con una resistencia baja como de 5 n una corriente de 10 mA produce una cada de 50 mV.
por 10 que generalmente se admite que Vel 1. .1 es de unos 0.2 V, Tambin se observa que a med ida que
13,.- se aproxima a 13,. VCl 1...1 es de unos 0 .3 v . ro Generalmente se loma Vn 1"1 = 0.3 V como frontera
entre las regiones activa y de saturacin. Los transistores que trabajan en esta zona se dice que estn
escasa mente saturados o en el borde de saturacin.
La mayor parte de fabricantes de transistores discre tos facilitan las variaciones de Va l. .l en funcin
de l e para un p_ = 10. En la Fig. 322 se representan tales curvas correspondientes a un 2N2222A. Con
co rrientes altas se nota un aumento de Va ("1 deb ido a los efectos de la resistencia de la masa."
En toda la zona de corrientes medias el valor de Va hall es comparable al de los transistores integrados. En la Fig. 3-22 est tambin representada la variacin co n Ic de la tensin emisor-base en saturacin
V. l l..r
A veces para definir el BIT en saturacin se emplea el valor de Va tor/le. cantidad denominada
resistencia de saturaci n [Link] eom ltI, que se representa por Rels' Rcs O Ra IM!L Para especificar
apropiadamente Ren debe mos indicar el punto de trabajo en el que se ha determinado. Tngase en cuenta
que cuando RCES se determina a parti r de valores med ios quedan incluidos los efectos de la resistencia de
la masa, La utilidad deR w proviene del hecho (co mo se ve en la Fig. 32 1)de que a la izquierd a del codo
cada curva, para un valor dado de 1, . puede aproximarse a una lnea recta.

La n:toiotencia di: la maaa dd cmo... ~ lambitn .... d~ De lOdn forrnm. la dI:..sidad de 00pad0 Y las d~. Ii~.. $011 loo.
f'!Wom;nanIn en la IniUC'Olcia lid ~
." El limite de VCE _ ,a mroida q\lC Plor~* I~ndc: a Pf es >eJun la Be. (3-241. rnfino..,. "" n embvro P ranada " r F com:s,ponoe a la R:J Il
por klQUI: los IUpues!OS empicados al tlc<Juco. la & . (324) ya 110$011 ~, r ."'os.
La ........U....: 1n de 8IT do'Cl't'l<K pmilr ~ lalni~~ di: la ........... mcllOf~ e"
i_ Nt ~

"'+iY"

,.n;..

Trandr/orts dt un/6n bipolares (BIT)

119

l.

1.2

TI 25-C

l .o

.......

1'" ,..."

oe .s

l O . ....

1.0 2.0
S.O 10 20
SO 100 200 SOO
Corr iente de: colec tor J mA

FiKUTI ,)22. Tensiones de ~turacin de l lransislOr 2f1l2222A en (unein de 11 corrien te de co lector nora 1)1, '" 10. Obsrvese
que J, eSl' dibujada 1 esca la logaritm ica tCorted . de MoI:orol. lne.).

Resum en de tensiones en un BJT

En la tabla 3-3 se indican los valores de las ten siones de trabajo tfpicas de un transistor. A lo largo del
texto estos son los valores que empleare mos.

Ta bla 3-3. Te nsiones plcas en la uni n , a 2S C

V~

VCE01

p",,/od~

Co"ridod
ValOf(en V)

sa/lfrtJd 6tr

V.-.. _ .

UmIN'"

oktil'O

SoturtJri"

C(JTt~

0.3

0.2

O.,

0.2

O.

Es razonable esperar que la variacin por temperatura de la ten sin a travs de una unin con
polarizacin directa sea la misma que en un diodo. es deci r -2.2 mV [Link] saturacin. el tran sistor consiste
en dos diod os con po larizacin directa, en oposicin . Por tanto debem os anticipa r-que el cambi o de tensin
en una unin. debido a la temperatura quedar ca ncelado por el ca mbio en la otra unin. Este es el caso
de VCE .... , cuyo coeficiente de temperatura es una dcima parte del de VBE 1... 1
Los valores de las corrientes y ten siones ob tenidos de clc ulos manuales basados en los datos de la
tabla 33 se corresponden bien co n los valores ex perimentales. Sin embargo no hay que olvidar que estos
valores son los tfpicos pero no exac tos,
Existe una variedad de motivos en el dise o. fabricacin y manejo de circuitos que exigen que el
diseador disponga de resultado s ms precisos. En esta situaci n se emp lean mucho simuladores tales
como el S PICE. Pero an se emplean los c lculos con lpiz y papel para indicar los valores nominales
de los da las de l ci rcuito.

37. MODELOS DE CONTINUA

A part ir de lo visto anteriormente respec to a las ecuaciones de Ebers-MolI podemos co nstruir un
model o de corriente co ntinua (ce) para cada reg in de trabajo de un BIT. Nos referim os especialmente a
la configuracin en emiso r co mn. pero los modelos se aplican igualmente a circuitos en base comn.

120

Microelectrnica moderna
e
,

',1, ~, 14
J

~-r-

(. )

Figu ra J 23. [Link] equivakntn de

rcl!-i6n de saturactn.

te

g~ n

lb)

seal (~n con tinua) de un transistor "P" para runcionamiento: ( Q) lC1ivo directo, y

tb) ~n la

En la Fig. 3-230 vemos el modelo para la regin activa directa basado en la Ec. (3-11). Como las
com entes de saturacin inversas son sumamente pequeas generalmente se desprecian . La balera del
ci rcu ito base-em isor es V8 l que segn la tabla 3-3 vale normal mente 0 .7 V, La fuente de corriente
gobernada B, 1, relaciona I c con ' ,1 en la regin activa. La resistencia R" sealada con trazos en el dibujo.
es consecuencia del efecto Early. Normal mente Ro es suficie ntemente grande frente a las resistencias
exteriores utilizadas que en muchos clculos manuales se puede desprecia r."
La corriente /c, o entra en el terminal colec tor y deja el terminal de la base en la regin de co rte (l c =
O). Las cadas de ten si n producidas por / 0 10 a trav s de las resistencias exte rnas de base y co lector son
menores de unos pocos milivoh a la temperatura ambiente. En consecuencia. frecuentemente es co nvemente representar el corte po r circ uitos abiertos entre cada par de termin ales del transistor.
En saturacin, el circuito equivalente de la Pig. 3-23b sirve para determ inar las corrie ntes y tensiones
en un circ uito. Las dos bateras representan los va lores de saturaci n en los terminales. V,IC 1...1 y Va 1"'1'
El em pleo de estos modelos en el an lisis de circuitos BJT requiere que conozca mos la regin en
funcin. El mtodo requiere que. al igual que con los circuitos de diodos en la Sec o2-7. demos po r supuesta
una determinada regin en funcionamiento y comprobar med iante an lisis tal suposici n. La observacin
de la co nfiguracin del circuito y los motivadores de polarizacin. as como algo de experiencia ayudan
a co nje turar correctamente. Los cuatro eje mplos siguientes muestran la metodologa empleada en el
anlisis. Cada uno de los circuitos de estos ejem plos. norma lmente se incorpora como una parte de los
circuitos ana lgicos y digitales descritos ms ade lante en el texto.

Ejemplo ].]
Determinar la regin de funcionamiento y los valores de / ,1 . / c y V..{l del ci rcuito de la Fig. 3-240 sie ndo
R,I igual a: (a) 300 k n y(b) 150 k n. El transstor em pleado tiene P, = 100. Prescindir de las cor rientes
de saturacin inversas.

Soluci6n
O bservando el circ uito de la Fig. 3-240 resulta evidente que ten iendo la base unida a una tensi n
positiva y el emisor conectado a tierra. V,IC ser mayor que cero. Por tanto podemos decir co n seguridad
que la unin emisor-base tiene polari zacin directa. En con secuencia el BJT est en su modo activo directo
o bien en saturaci n. Supongamos el funcionamiento activo-directo y emplee mos el mode lo de la Fig.
3-230 para tener el circuito equivalente de la Fig. 3-24b. O bsrvese qu e en la Fig. 3-24a el termin al + Vce

Transistores de uni n bipolares (BJT)

121

significa una conexi n al term inal positivo de la fuente de tensin. llevando implcito que el termi nal
negativo de la fuente est co nectado a tierra.
Para comprobar nuestra suposicin se ca lcula Vce- Si sta resulta ser mayor de 0, 3 V la suposicin ha
sido co rrecta. Si VCE es menor de 0.3 V (va se tabla 3-2) seala una suposicin errada; el BIT est en
salUracin y debernos calc ular de nuevo las corrie ntes y tensiones usando el modelo BJT dado en la Fig.

3-23b.
(a) En el circuito de la Fig.

'.

3-24b la ley de Kirchhoff aplicada al lazo emisor-base da

J...::.~
;.
J.-=v

H.c - lkO

ct'
(l OVj

v,.....,~,
(0.7 V )

(b)

(.)

Figura 324. (a ) Diagrama esquemncc de la configuradn en emisor comn; (b ) clrceuc equivalente del apartado anterior.

- Vee

/ BR B

+ VBE

= O

Despejando lBy sustituyendo valores tendremos"

10 - 0.7
300

= 0.03 1 mA = 31.0 "A

y para el lazo de colector

Ir

PFIB

- V ec + fc R e

+ V eE =

de donde
l e = 100 x 0.03 1 = 3. 10 mA
y

V ce - fc R e = 10 - 3.1 x 2 = 3.80 V
Siendo VCE> 0 .3 V queda confirmada nuestra su posicin inicial.
(b) Con R~ = 150 ka y haciendo uso de las mismas relaciones que en la parte (a) obtendremos
V eE

10 - 0.7
= 0.062 mA = 62.0 fLA
150

l e = 100

x 0.062

= 6.20 mA

Va = 10 - 6.2 x 2 = - 2.40 V

11 Para lo. d lcul<a e. co nveniente expresar la cOrTiente en miliampcrios y la [Link] kiloohmio. , y uf 10 haremo. u lvo que . e indique
lo contrario.

122

Microelectrnica moderna

Siendo VCE meno r de 0,3 V no es vlid a nuestra suposicin y el BJT est en saturacin. C iertamente,
teniendo una tensin de alimentacin del colec tor positiva es fsica mente imposible que VCE sea negativo.
En saturac in V.!E ,...) = 0,8 V Y VCE (u = 0,2 V. Estos valores nos dan
10 - 0 .8

0.0613 mA

150
la - 0.2

= 4.90 mA

R,

(2 70 kllJ

Re !]

- l

km

-_

Vu

.-

( IO V )

z lO V

,"

'o,

Figura J 25. (a) Circuito para el ejempl o 3-3; (b) el circuito anlerior co n el rransstor sustituidn por su modelo en co ntinua (Fig.
3-23a).

Ejemplo J.]
Determinar para el circuito de la Fig. 325a la regin de funcionamiento y los valores de l B' le y VCf
teniendo el transistor P, = 100.

Solucin
Este circuito se diferencia del de la Fig . 3240 en do s aspectos: (I ) se ha aadido una resistencia de
emisor, y (2) las resistencias de base y de colector estn co nectadas a tierr a y el emisor est conec tado a
travs de REa una tensin negativa . Supondre mos que est trabajando en el modo activo di rect o; el circuito
equivalente es el representado en la Fig . 3-25h.
Apli cand o la ley de Kirchhoff al lazo base-emisor tendremos:
I /lR /I + VIIt:

h R" - Vt:t-." = O

Puesto que la ley de Kirchhoff requiere que lE = - (l,

I N (R/I

+ (1 + {J,JR" I +

+ IC) y Ic = PI" la ecuacin se convierte en

V lI t: -

Vu

= O

Despej ando 1, y aplicando los valores numricos:

Vu; - VN ,_
+ (1 + {J,-)Rf;

la - 0.7
= 0.025 1 mA
270 + ( 1 + 100)l /)

Transistores de unin bipolares (BJT)

123

L,I ex presi n de Kircbh off para e l lazo colec tor-emiso r nos da

J( Re +

ru .

I " R E ~ FII

'"

(l

Para la modal idad de cmisor susmurcmos JI por 1(/ + B,I1/ = ( 1 + P,) lBY con le = P,II/' obtendremos
{J, I I,R e + \ '(1 + l{J, + III HR I -

\ '1.1. = O

Despejando Vn y aplicando los valores co noci dos se obtiene

Vf/ '" \lu - {J, J"

(U(

+ {J, f3~

"" 10 - 100 x 1l,{1251 ( 1 +

IR,)
100 +
I on

I )( 1)

4.96 V

Evide ntemente Vn es mayor que 0,3 V lo que c onf irma nuestra suposic in de 4 ue se ope ra en 1,1re gin
activa dire cta. y por tanlo
1,

{J, J "" 100 x 0.025 1 '" 2,51 mA

Red de pola r izacin de bas e.

R,
1 10 l. n

N, - \ ,: kn

' "rr

ll~

f..-

R,

tuc em

R,

R,

(11 eu

,r

!I : l.I1 1

VI

,"

MI

e
R,
1I Ill. n l

'"

,.

-1l)'O'1

\ 1

R,

uesu

- "

11: \'1

(l. )

)'iJ:ur ll .' -26 .\<11 Ci rcu ilt>I"lra e l EJemplo J-'; (/, ) el m hmo circuito se ilal'lIlllu la red de polarizacin de la base . En la parte (-I se
~u~ l i 'uye es ta red por su equ ev..le me de T hevenin. En (dI e1Ir." cis to r es l repr esen tado e n su modelo ucnv o -direcio .

124

M;croelrc'rtl;m moderna

Rjemplo 3-4
(a) Hallar Ic y Vn en el cir cuito dc la Fig. 3-260 . El tran sistor tiene 11, = 150 . (M C u l es e l mnimo
va lor de Rc para q ue e l tran sisto r est justamente saturado ?

So luci n
(a ) Por con ven ien cia la Fig. J -2&1 se rep rese nta co rno en la Fig. J - 261,. La red de po larizac in de la
base indicada e n est a ltima figura se puede sustituir por su eq uiv alent e d e Thevcnin cu ma en la Fig . J 26("
e n la que

11,
V/l H

NI

R" =

+ Nz

11, 1111, -

1I x 12
1.09 V
110 + 1I
11 0 x 1I
R IR 2
IO kU
11 , t 11,
110 + 11

Vcr =

Obsrvese la se mejan za de este c irc uito con el de la Fig. 3-24a (co n el aad ido de Rf ) . S upo nd rem os
tambin q ue se ope ra en la reg in ac tiva-directa cuyo mod elo es e l de la Pig . ) -260'/. Proce die ndo 1;01 110
en e l ejemplo 3 3 co n Y u reempl azand o VH e n e l lazo de base y \lec ree mplazando a \lu en el de co lector.
ten d remos
1.09 - 0 .7

12

l e = ISO x 2.04

10- 1 = 0 .30!) mA

(h ) Al bo rde de saturacin Yft. = 0.3 V Y ~.,.. ..... = ~, = 150 . Si no hay ca mbios en la red de polarizac in
de la base . lB se mantiene en e l valo r hall ado en la part e (a ). Con ~, = 150 l c tam bin es igual a lo hallado
en la parte (a ). o sea O.)Ob mA. Ento nce s. de la ec uacin de Kircbboff para e l lazo co lecto r-e miso r de 1;1
pa rte (a) se determ ina R e

Vec - Vn
Ih + I
U e = -'-'-'-;--'-" U~'
1C'
{J,
12 - O.)
150 + I
O.) O!)
150
x 1.20 = 37. 0 kH
Este es e l va lor de Rf" corres pond iendo al bo rde de satu rac in. C ualq uie r valo r de R{. q ue sea supe rior
a 37.0 k..l.l red uce Ie- y e n conse cueu ca . siendo 1,1 cons tante. lle va a l transi stor ms all uc saturacin.

Ejemp lo 3-5
Ha lla r le y Ver para e l c ircuito de la Fig. 327a. El trans istor tiene

111 = 125 Y flR =2.

Transistores de unin bipolares (BIT)

125

Solucin
Suponga mos la situacin en activa-directa. La ecuaci n de Kirchh off del lazo emisor-base es, co n
1)/,

I, --(~+

Examinando esta ecuacin vemos que con VBt: > O, lB ser negativa. Esto es imposible en un transistor
npn. Con leBo~ O, l B deber ser tambi n igua l o mayor que cero . Es decir, que la unin emisor-base no
puede tener polarizacin directa: con polarizacin inversael BJT estar o bien en carie o en el modo acti voinverso. Si suponemos que est en corte tendremos que lB = le = lE= O. En consecuencia la ca da de tensin
entre base y tierra es Vt:t: = 5 V Yla cada entre co lector y tierra es de O V. Estos valores hacen que VBe sea
positivo (5 V) polari zando en directo la unin del diodo colector-base . Por lanto, el BJT slo puede estar
en el modo activo-inverso.
La Fig. 3-27b corresponde al circ uito equivalente para este caso . En la figura se ve que la ecuacin de
Kirchh off en el lazo base-colector exige que :

- Vu + I,R, + V'C - leRe = O

'"

(0.7V

.1>1'"=
. ; --

R,

r.-

_ .. .

(20 kUJ

R,

rom

1,

",

R,

R,

(J

o kl"1)

(5 km

20 sn

,.,

'O)

Figura ]Z7. (a) C ircuito para el Ejemp lo 3S; en la parle (h ) se utiliza el circuito equivale nte activo -inversa de jrransistor.

En el modo activo-inve rso -le = 3, + 1) lB; si despejamos l it' result a

5 - 0.7

({3u

+ I )R e

20

+ (2 + 1)1 0

0.086 mA

Las corrientes de colector y de emisor sern

Ir

11-.-

- (2 + 1)
f3 H I" = 2

x 0.086 = - 0. 258 mA
x 0.086 = 0. 172 mA

El valor de Vet: se ded uce de la ecuaci n de Kirchhoff para el lazo colector-emisor

126

Microelectrnica moderna

S ustituye ndo los valores numricos conocidos

Ya ' = - Vl.- + hR- - le R e
= - 5 + 0. 172 x 5 - ( -0.258) 10 = - 1.56 V

I I

Obsrvese que en e l modo activo-inverso VCE es ne gativo y Va > 0,3 V ya q ue se han invertido las
<0 ,3 V siendo VCE nega tivo , esto indica saturacin del transistor
funciones de co lector y emiso r. Si J Va
invertido.

38. EL TRANSISTOR DE UNiN BIPOLAR COMO INTERRUPTOR

El c ircu ito de la Fig. 3-28a esel de un simp le inte rrupto r. La onda de tens in de en trada v,representada en la figura se emp lea para controlar e l estado del interru pto r (entre colec to r y e miso r). Para ' <TI' ' ',
= VI Y el diodo emiso r-base tie ne po larizac in inversa. Si des preciamos las componentes de corriente
Inversa," ya que el diodo cole ctor-base est po larizado en inverso, el BIT est e n corte y no hay corriente
alguna en ningn punto de l circui to, En co nsecuencia Vo - Vcco y siendo le - O esto no es ms que un
inte rruptor abie rto. En la prctica ic '" leo Y vo = Vca -1 ca R L Sin embargo, siendo lcodel orden de los
nanoamperios y RL de l o rde n de los kiloohmios, V o d iferir de Vc<' en tan slo unos pocos milivolt . y por
tanto, a efectos prc ticos \ '0 = Vcc
La tensi n de entrada pasa a ser Vz cuando T, < , <Tz. El valor de Vz se elige de fonna que el transistor
estporlomenosenellmitede lasaturacin,Segn latabla3 -2, VCE = Vo V CE l>all s 0,3 v , ic = (V cc -VCEI ..O)/RL'
Estos valores se aproximan a los de un interruptor cerrado. Ob srv ese que la corriente e n un interruptor
cerrado viene de term inada por los elementos externos Vcc y R L , Para Vec 0.3 v.t; = Vc!R L,

=
".

".

<,

-- -

"

'o

"
R,

v,

"

1
T

-'.

, - -- , ---- -

--- - - -

--- -

'

.
- ---

-.,

--

-0J--a(..

~)

.....

Fig ura J 28. (a ) Un interruptor BJT con ~u onda de entrada; (11) Ondas de l ' y de I mosusndo los tiempos de subida. toral. de
"
,
retardo y de almacenaje du rante la interrupcin,
l.

De aqu en adelaRle prescindirem os en lo. dk ulo s de es las corrie nles. salvo 'l ile se indique lo conl"" io.

Transistores de unin bipolares (BJT)

127

En el momento I = T! la onda de entrada cae nuevamente a -VI ocasionando eventualmente que el

transistor retome al estado de corte. En la Fig. 3-28 estn representadas las curvasde "oe ic-Ms adelante
en esta misma seccin se tratar de los transitorios de la conmutacin.
La naturaleza de las caractersticas de la conmutacin es verdaderamente deducible de la cerac tertstica
de transferencia del circuito. que es una grfica de V o en funcin de Vs .

Ejemplo 36

El circuito de la Fig. 3-28a utiliza un transistor 2N2222A, Vce = 10 V R, = 500 Q 'Y R, = 47 kO. (a)
Trazar la caracterstica de transferencia del circuito, (b) esbozar la forma de onda de salida para1 :S 10 ms
con la tensin de entrada mostrada en la Fig. 329a. .
Soludn
(a ) En la Fig. 3-16 se ha superpuesto la recta de carga de este circuito a las caractersticas de salida del
BJT, y en la Fig. 3-20 se encuentran las curvas volt-amperio de entrada. En esta ltima figura se aprecia
que no hay ninguna corriente de base apreciable mientras no se supere la tensin umbral. Vemos en la
Pig . 3 16que con / B = O. v, = VCf = 10 V.

"... v

". v
10

- -- - - -

,
6

2
5

'. ~

Va".1l

,
,,,
,,
,,,
,,
:""'"
,,

,,

0 0 .72
O

5.876 ,

: .q4

10
5

". v
l.

ms

Figu ra J .Z9. (ti) Onda de entrada. y (h ) caracrerfsuca ee transferencia para el Eje mplo ) 6.

Ya se indic6 en la Seco 3-5 que al aumentar V' Elas curvasde la Pf g. 320h se desplazan hacia la derecha.
Por tanto. podemos admitir que con Vce = 10 V se puede producir el corte en las proximidades de V' E=
0.7 V. Esto erade esperarya que un aumento de v, hace que el funcionamiento delt ransistor pase del corte
a la regin activa-directa.
Una vez el transistor est en la regin activa. V' E= 0,7 V Ysegn la ecuacin de Kirchhoffpara el lazo
base-emisor
V, - VIII:
o, - 0.7
i =
47
mA
R,
. Asf como i, aumenta linealmente con v, vemos que a lo largo de la recta de carga V'E disminuye casi
linealmente hasta que el transistor se acerca a la saturacin. El inicio de la saturacin (mostrado en la Fig.

128

Microetectr nica moderna

3- 16 ) tie ne lugar al aproximarse 1, a 120 ~A . Inte rpolem os e l valor de 11/ en la ci tada fig ura y tomemos
11 0 ~ A. El correspo ndiente valor de ", se r

o 11 0
.

v., - 0.7
47

D,

= 5.87 V

Un poste rior aume nto de 1', y por tant o de i, no influye en la salida.

Obtendr emos pu ruos de la caracterstica de tran sferenci a determi na ndo primero i I para d istintos valores
de 1'" y seg uidamente hallar a parti r de e llos los corres pond ie ntes valores de I'CE de la rec ta de c arga de la
Fig. 3- 16 e n la regin activa-directa. En saturac in iCE < 0,3 V.
La ca racter fstica de transferencia exacta de la Fig. 3-29h se ha redondead o en las pro ximidade s de co rte
y de saturac in. Esto ha y q ue atribuirlo a l hecho de q ue el tran sisto r no cambia re pentinament e en las
proximidade s del co rte , sino que co mo se ve e n la Fig. 3-20hexi ste un codo e n la caracte rstica de e ntrada.
En forma anlo ga, e l codo en las caractersticas de sa lida de la Fig. 3- 16 m uestra q ue en las proximidades
de saturaci n se unen c urvas de d ist into s valore s de 18 ,
La aproxi mac in lineal de las carac te rsticas de tra ns fe rencia su pone transiciones a bruptas , de corte a
la regin activa , y de s ta a saturacin. Como se puede apreciaren la Fig. ) 29b es ta aproxi macin resulta
muy pr xima a la caracterstica exacta. y por tanto es muy e mp lead a.
(h) La re spuesta a una onda de en trada que vara linealment e co n e l tiem po tiene la mism a forma q ue
la caracterstica de transfe rencia. As, las curvas de la Fig . 329h representan las ondas de salida e xacta y
[Link] a en func in del tiempo. La esca la de tiem po corresponde a la pendiente de la o nda de en trada
que esde 2V/m sy v" =V'r , I Yl I
La ca racterstica de tran sferencia aproxi mada refleja e l c omportamie nto de l circuito . Los dos seg mentos hori zontales co rres ponde n a los dos estados del interruptor ; abierto (OfF ) o cerrado (ON). A lo largo
de es tos seg me ntos. la salida no re sulta afectada por las variaci ones de la e ntrada ya que e l transi stor es t
en corte o saturado. La lnea q ue une las porciones horizontales de la carac te rstica repres enta una
depe nde ncia lineal de la salida respecto a la e ntrada. Este es e l func ionamie nto de una fue nte gobernada,
nece saria a e fectos de amp lificaci n, adm inistrada por e l tran sistor polarizado en la regin ac tiva d irecta.

Velocidad de conmulacin del BJT

En la descripcin del circu ito de la Fig. 3-28a hecha a l pri ncipio de es ta Secci n nos referimo s a los
estados de l interruptor (ON y OFF). A hora nos referim os a los transitorios en las o ndas de la Fig. 3-28.
Como se aprecia en esta fig ura, la corrien te no re sponde inm edi atamente a la seal de e ntrada. sino
que por e l contrario hay un retraso . El tiempo q ue trans cu rre d urante este retraso j unto con e l nece sario
pa ra q ue la co rriente alcance el 10% de su valor mximo (saturacin) co nstituye e l tiempo de retra so 1.1'
La onda de co rrie nte tiene un tie mpo de subida t, no nulo. que e s el tiempo necesario para que la co rrie nte
suba a trav s de la reg in activa desde el 10 al 90 % de le (, al)'
El tie mpo total de co nm utacin ION es la suma de los tiempos de retraso yde subida, lo N = (J + 1,_Cuando
la se al de entrada retoma a su estado inicial en e l mom en to t = T1 tam poco la corriente responde
inmed iatamente . El interv alo que tran scu rre desde la trans icin de la onda de entrad a hasta q ue ic haya
bajado hasta el 90 % de les se de nomina tiempo del almacenamiento t. A este tie mpo le sigue el tiempo
de cada Ique es el necesario para q ue ie caiga desde el 90 a l 10% de l e( ..,). El tiempo de co rte 10 FF es la
suma de los tie mpos de a lmac enamiento y de ca da tOff = 1, + I r Comen taremos ahora las razones fsicas
de cada uno de estos intervalos; su clculo exacto es complejo. En la Secc in 11-5 se dar n mtodos
aprox imados de c lculo de es tos tiem pos e n relac in co n la regi n act iva.
Tres facto res contribuyen al tiempo de retraso; ( 1) c uando se a plica la seal a la entrada del tran sistor
se necesita un c ierto tiempo para cargar la capac idad de transicin de la unin del emi sor de forma que e l

Transistores de unin bipolares (BIT)

129

transistor pueda pasar del co rte a la regin activa. (2) aun cuando el transistor haya llegado al punto en el
que los portadores minoritarios hayan comenzado a cruza r la unin de co lector hacia la base. se necesita
algn tiempo antes de que estos portado res puedan cruzar la reg in de la base a la unin del colector y ser
reconocidos como corriente de colector, y (3) se necesita algn tiempo para que la corriente de co lector
suba hasta el 10% de su valor mximo.
Los tiempos de subida y de bajada son debidos al hecho de que si para saturar el transistor o para
llevarlo de saturacin a corte se emplea una corrien te de base escalonada. la corriente de colector debe
cruzar la regi n activa. La corrie nte de colector crece y decrece segn una curva exponen cial cuya
constante de tiempo es T, que se puede demostrar que vale T, - j3 g ( C~ RI. + l / wT) siendo C~ la capacidad
de transicin del colector y ffiT la frecuencia a la que la ganancia de corriente es la unidad.
La demora del transistor en responder al borde posterior del impulso durante un riempo r es de bida al
hecho de que un transistor en saturacin tiene un exceso de portad ores minoritarios almacenados en la
base lo que le impide responde r hasta tanto este exceso sea eliminado . En la Fig. 3- 12 est indicada la
densidad de carga almace nada en diferentes condiciones de trabajo. El efecto del exceso de cargas
almacenadas en la base es similar al transitorio de l corte de un diodo pn co mentado en la Seccin 2~ 10.
Considere mos que el rranslstor est en su regin de saturacin y que en el momento ' = TI se emplea
un impulso en escaln para pasar el transistor a corte como en la Fig. 3-2!t Puesto que el proceso de corte
no puede comenzar hasta que la densidad anormal de portadores (zona ms sombreada de la Pig. 3 12)
haya sido eliminada, puede transcurrir un tiempo relat ivamente largo 1, antes de que elt ransistor responda
a la seal de corte en la entrada. En casos extremos este tiempo de almacenam iento puede ser varias veces
superior a los tiemp os de subida o de ca rda en la regin activa. Es evidente que cuando los transistores se
empleen en aplicaciones en las que la rapidez sea apremia nte ser ventajoso reducir el tiemp o de
almacenam iento. Para evitar la saturacin del transistor y por tanto eliminar el tiempo de almacenamiento
existe un mtodo que cons iste en emplea r un diodo Schottky j untamente con el BJT , Este dispositivo
compuesto se den omina transistor Schouky y se estud iar en la Seccin 5-3,

3-9. EL TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR CO MO AMPLIFICADOR

El circuito de la Fig. 3 30 es una etapa de amp lificador en emisor comn. A e fectos de mostrar la
funcin amp lificadora utilizaremos un transisto r 2N2222A con un Vec = 10 V YRL = 500 n. Las caractersticas de salida y la recta de carga ya representadas en la Fig. 3- 16 se reproducen.'por conveniencia. en
la Fig. 3-31. En la Fig. 3-30 se ha seleccionado R, = 232,5 kO para polarizar el dispositivo en la regin
activa directa en Q correspondiente a /~ = 40 Il A ' /q l = 8 roA y V Cf O = 6 V. El co ndensador C/I llamado de
+ "o-( 10 V I

R,
lO.S kil I

e
H, '" t>Oll

t',

I"~ura

r', sen lI)/

J-.m. Etapa am plificado ra elemental en emiso r com n.

130

Microelectrnica moderna
o

1, -200 "A

o
160
IC .m A

" , ,. A

o
120

o ~Re('/~ cJ.
L--~

li
_

' ,-qc~ Q- - so--40

--- -Y1--- ...... n--

oo

---

10

'no

Te nsin cotec ror-emisor \'ce l'

,,
,,
,,
,

46

l/ce v

Figura 3-31. Caractensncas de sahda en emisor com n mostrando la recta de carga y la componente seno jdal de la seal.

bloqueo sir ve para aislar la corriente continua de polarizacin de la fuente de seal" = V,.. sen rol y de su
resistencia R.. Este condensador acta como circuito abierto cuando no hay seal de entrada, ya que la
reactancia de un condensador es infinita a la frecuencia cero (en continua). Admitamos que a la frecuencia
angular de la seal la reacta ncia de eH es suficientemente baja comparada con R, que la co mbinacin de
estos dos elementos en serie es igual a R . En consecuencia. el efecto de l condensador sobre la sea l
transmitida desde la fuente ", hasta la entrad a de l amp lificador puede despreciarse. La amplitud de V,", se
elige de forma que d una componente de seal de la corriente de base ih = 1"", sen rol. y siendo 1"", = 20
JlA. La corriente instant nea total de base i, es la superposicin del nivel de polarizacin en continua. ms
la corriente de la seal. Por tanto

iB

= I RQ

i, = 40

+ 20 s in

/LA

wf

Como se ve en la Fig. 3-31 el efecto de esta seal hace que tamo ic como I 'n : varen senoidalmente
(a proximadamente) alrededor de sus niveles de reposo . Estas cantidades puede n expresarse:

eno

i c = l eo + i, = I r Q +

J~", sen w f

Vc t.Q

r. , ~

VCi:Q

V ro.",

sen

A
wl

13-251
V

13-26)

La tensin instantnea total de salida l 'cr puede observarse en un osciloscopio s i el selec tor est en DC
(co ntinua) (Fig . 227a). Si el selector est en AC (a lterna) s lo apare cer en la pantalla la salida se noida l.
V", sen e. (Fig . 227h).
Vemos en la Fig. 3-31 que la peque a variacin en ia debida a la seal (lb'" 20 JlA) motiva que '<m=
4 mA y Veo", = 2 V. Los niveles aumentad os de la seal en la salida son un ndice de la amplificacin dada
por el circuito.

Transist ores de unin bipolares (BJT)

131

Notacin
Llegados a este punto es conveniente hacer algunas observaciones sobre los smbolos empleados en
los transistores. Concretamente. los valores instantneos de cantidades que varan con el tiempo se
representan con letras minsculas (i para las corrientes. l ' para las tensiones y p para las potencias). Los
valores mximo. medio (continua) y eficaz se representan. con las mismas letras pero en mayscula (l. V.
P). Los valores medios (continua) y los instantneos totales se indican con un subndice en mayscula
correspondiente al electrodo correspondiente (8 para la base. C para el colector y E para el emisor). Las
componentes variables de algn valor de reposo se indican con el subndice en minscula del smbolo del
electrodo interesado. Se emplea un solo subndice si es evidente el electrodo de referencia. pero si hay la
posibilidad de confusin deber emplearse el subndice convencional. Por ejem plo. en la Fig. 3-3 1
indicamos las corrientes de colector y de base as como las tensiones en la configuracin de emisor comn
con la notacin ahora descrita. Las variaciones de las com ponentes de las corrientes de colector y de
emisin as como de las tensiones respecto al punto de reposo son:
i, = ie - le == t! i c
il ,

is - 1/1

Ve = Ve -

= Ci i H

t'h = l'/I -

Ve

= a Ve

(3-27)

Vo == CiVil

La magnitud de la tensin de alimentacin se indica repitiendo el subndice del electrodo. Cuanto

antecede queda resumido en la Tabla 3-4.
En el prrafo anterior se evidencia que estamos interesados en los cambios que debido a la seal
aplicada ocurren en las tensiones y corrientes alrededor del punto de funcionamiento. En la siguiente
seccin demostraremos que se necesita V,m = 26.5 mV para hacer I,migual a 20 ..tA. por tanto, la ganancia
de tensin (o amplificacin) Al es:
2
26.5 x

v.,

IO - ~

75.5

y la ganancia de corriente es
=

20 x

10- .1
I O ~ (o

200

Tabla J 4 Resumen de notaciones

Notaci n

Valor total instantneo

Valor de reposo
Valorde la componente variable
Valor eficazde la componente variable
Tensin de alimentacin

Tensin base (colector

Corriente "ase (colector)

respecto emisor

respecto circu ito exterior

(Vd

iB (id

VB(Vd

l B (Id

VB

VI>

( v,)

Vb (Ve)

i, (O
I~

(1<)

VBBC Ved

Observemos que I..II~", es la relacin entre la variacin de la corriente de colector I:J. i e y la corriente
'
de base a i 8 alrededor del punto Q.
Tambin es evidente. viendo la Fig. 3-31,que 1'" e i, estn desfasadas 180. Esta inversin de fase entre
la tensin y la intensidad de la seal indica que el BIT funciona como una fuente gobernada por ilol ~.

132

Microetectr nica moderna

Co rno ya se ha ind icado anterio rmen te, la fuente gobernada es e l fundament o de la amp lificacin
ten iendo muy en c uenta que slo resulta ampl iada la seal.
La potencia de la seal ce dida a la resistencia de ca rga Rl es:

P,

U,Y R I . = (

')' 500
ViJO O

4 x

= 4 mW

La potencia total sum inistrada co njuntame nte por las fuentes de po lar izac i n y de seal es:
P.\ =
=

v.,
i.:
V2 ' v'2 +
2.65 x 10 - ~

v'2

cc t

CQ

2 x

I o- ~

v'2

I IQ )

+ 10 (8 x

1O ~ 1

+ 4 x 10

~)

= 80.4 mW

Es evi de nte q ue la potencia to tal sum inistrada a l ci rc uito es co nside rableme nte mayor q ue la potencia
de salida de la se a l. Sin embargo la potencia de entrada de la sea l V... /",)2 es de tan s610 0.265 ~W
mientra s q ue la de salida es 4 m W o ms q ue la sum inistrada por la fuente de sea l.
Veamos ahora cmo podem os de termin ar los nive les de salid a si se red ujera la amplitud de la entrada
para co rres po nder, por eje mplo, a l . = I ~ A . Natura lmente no pode mos detectar tan pequ eo cambio e n
las caractersticas de sa lida de la Fig. 3- 3 1. En e l Eje mplo 24 y e n la Seccin 2-9 ya de mos tramos que
es ta s ituacin se puede manejar mej or med iante el mode lo de peque a se al de l di spositivo . Una cuestin
adicional es que las caracter sticas volt -a rnperio so n caractersticas en co ntinua que intrnsecamen te
el iminan todos los efec tos de l almacenam ie nto de cargas que puedan estar presen tes. Estos puede n
introducirse en e l mode lo para peq uea seal de l que tratarem os en la sig uiente Secc in.

3-10. MODELO DE UJT PARA PEQUEA SEA L

El ci rcuito eq uivale nte para pequea sea l del BJT se deduce de los mode los de pequea se a l en los
diodos de la Secc in 2-9 y dc la represent acin de Ebers-Mol l de la Secc in 3-3. Los elementos qLle forman
e l c ircuito eq uivalente relac ionan las variac iones de te nsi n y de corr ie nte a lrededor de l punto Q.

'.

:, ,
,, .

~- --'VVv - -,

"

,'
,,
'.

-J.

Figur a 3-32. Circ uitueq uivalcmc hlhrido /t de pequca ,cat. La revistcncin

neralm c me ' u efecto es despreciable .

'
I'~

(Hneudl." lrum ) nonua tmeme \C unute ya que ge -

Il Llmvc nd""almcnle "" c" " , idc ra ' lile la polencia .h,;patla e, p,,,iliv,, , i la curt ienle e" un e1 e", enlu v:< <I r i~ ida de "'" ' ;[ 111 ,m" tllna caida
dc tcn, i,\n ). Si UlIa tllCllle , u'llini' lra pUlc, ...ia. taccmcrae vadc ",e nm a m", (aument'HIc len,i n) , E, e n" ' le ,cn li<l"'lue 'C inte'l'''' I'''IUccl lIer a'C
e ntre V, ," i, indica una di, ipocin de I"'.c ncia en la ea'~a _

Transistores de uni6n bipolares (BJT)

133

Cada elemento del modelo es funcin de las tensiones y corrientes de reposo establecidas por la
polarizaci n. Como los ca mbios los provoca la seal de entrada, el circuito equivalente nos permite
relacionar la seal de salida con la de entrada.
En la Fig.3-32 est represenrado el circuito equivalente hbrido - 1t del BJT conectado en emisor comn.
Podemos identificar los elementos de este modelo con los de la representacin de diodos acoplados del
transistor . La unin em isor-base polarizada en directo est representada por 1"0 y Co siendo esta ltim a la
capacidad de difusin y estando relacionada con la resistencia incremental del diodo emis or-base".
Corrientemente r. tiene valores comprend idos entre unos pocos centenares y varios millares de ohmios.
La capac idad C es la de la regin de dep lexin de la unin colector-base co n polarizacin inversa. La
resistencia incrmcntal ,. de este d iodo es la sealada con trazo discontinuo en la Fig. 3-32. Esta resistencia

tiene en cuenta la realimentacin (modulacin del ancho de base) entre la entrada y la salida. deb ida al
efecto Early (Seccin 3-4). Debido a su extremadamente alto valor (varios megaohmios) muchas veces
en los clculos se desprecia TI' (esto es lo que haremos en lo sucesivo salvo que se indique otra cosa). El
acoplamiento entre uniones se representa en el modelo por la fuente de corriente gobernada 8", 1'0' Yes
proporcional a la corriente de entrada ;6' La resistencia de salida ,." tambi n es consecuencia del efec to
Early y es igual a la inversa de la pendiente de las lneas de trazos de la Fig. 3- 17, estando su valor
comprendido tpicamente entre unas decenas y unas cen tenas de kiloohmios.
La resistencia r6 es la resisten cia de dispe rsin de la base y tiene en cuenta la cafda de tensin en el
recorrido entre el contacto de la base y la regin activa de la base (entre b y e) bajo el emisor, (Vase Fig.
3-7.) Esta resistencia decrece al aumentar los niveles de corriente, estando sus valores tpicos comprendidos entre 40 y 400 Q . Debido a la mayor rea de la seccin recta de la regin de colector (Fig. 3-7) la
resistencia de dispersin del colector es del orden de I n: y normalmente se desprecia (excepto en
transistores discretos de corrientes altas o en simuladores).
b

'.

'.

'.

'.

'gura J-JJ. Modelo hlbrido-lt de baja frecuenci a.

Modelo de baja frecuencia

Las capacidades C o ye pueden calcularse co mo se vio en el captulo 2, empleando las Bes. (2-20) Y
(2-29). De estas ecuacione~ se deduce que tanto Co como C~ dependen de las tensiones y corrientes del
BH en el punto de funcionamiento. Con los niveles nonnales de trabajo, los valores de Co' tanto en
transistores integrados como en transistores discretos de baja potencia, estn comprendidos desde unas
decenas hasta cien o doscientos picofaradios. C" es ge neralmente de unos pocos picofaradios (entre 1 y
5). Con frecuencias de seal baj as. la reacrancia de amba s capacidades es extremadamente alta; por
ejemplo con ro = 10' rad/seg. La reactencia de C R =50 pF es de 2 M n y la de e =2 pF lo es de 50 M n.
A tales frecuencias los efectos de C oy C" son desprecia bles y por consiguiente sl pueden considerar como
circuitos abiertos.
Esto nos conduce al modelo de baja frecuencia representado en la Pig. 3-33.
I ~ O bsrve<e q" e la. rc. i" enc ia. de peq uea Se" ar "" """ HIM con nnn sculas. Esta ""lac i6n nos pc m,ite d i. lingu ir 111.' can lid. des increme ntales
de loo parmelro , e n COI1';I1"&y de I. s lesislcnc ia. [Link],.

134

Mtcroetectr nica moderna

En esta figura se ve que:

Con \'CE = O, no hay corr iente alguna en rv y

,o =

e.,

i.

= g ", rrti"

1,

= g", I"rt

Conviene introduc ir

61cl

{3,,= - .

A1n \'n -con,, ~ I '(" EO

1'1

(3-281

= :-

1/, " , ,_. ..

El parmetro 13~ es el incremento (en alterna) de la ganancia de corrien te directa en cortocircuito y

emisor comn, calculado en el punto de trabajo". El valor constante de V CE indica que no hay camb io
incremental en esta cantidad y por tanto, I'CE = O. (La condicin VCE = Oe i< ~ Orepresent a un cortocircuito
entre co lector y emisor en relacin a la sea l. Sin embargo, no indica un co rtocircuito fsico de conexi n
en tre estos termina les). Para evaluar 13 se puede em plear la lnea vertical de trazos que pasa por Q en la
Fig. 3-31, lo que veremos en el ejemplo 3-7 de esta misma Seccin. De la Ec. (3-28) y de l anlisis del
modelo de la Fig. 3-3 resulta
0

(3-291

{3" = g",I" rt

El parmetro gm = V v" llamado transconductancia refleja el cambio incremental de c alrededor del

punto de trabajo debido al cambio incremental en la tens in emisor-base. La cada de tensin i~ ,.~ es tan
pequea que permite admitir que los cambios en la tensin base-term inal de em isor reca igan en la unin.
Cua ntitativamente gn, se puede expresa r:
g", = - 61c-

ale
= -

A VnE ," - " ,, n " . \ n l'

(3-30)

ilun !:: \ 'n : - ll

Cons ideramos conveniente repetir lo dicho anter iormente relativo al sign ificado de \1,_. = O. Mantener
constante I'ce supone que no exista ningn cambio incremental en \'CE. Por tanto, \',. = O Yen la Fig. 3-33
esto equiva le a cortocircuitar co lector y em [Link] en cuent a que no estamos conecta ndo fsicamen te
los terminales e y e en el transistor real: esto slo quiere decir que la co mponente I 'CE de la seal es nula.
Segn la Ec. (3-17) , ic = - a l' iE tanto para un transisto r npn como para uno pnp y la Ec. (3-30) se
convierte en I ~ :
'
=
.~'"

0'

ill, .

[IV:

(3-3 11

r. ,- "

Deseamos relacionar gn, con la cond uctanca de l diodo em isor-base. La cond ucranc ia incremental de l
diodo viene dada por la Ec. (2- 17) como

"I~ Lo_~ Fabricantes llaman a esla cllnl idad 11/" sin e mba rgo nO!iotros .e guiremo s llam ndole Ilo ya que es lo mb empleado ~Il la lileralur a.
En la Ec. (J. ) II SUP"nemos 'l ue 0'-1' e' i",tepend ieme de vIIF:

Transistores de uni6n bipolares (BJT)

135

en donde i(l y 1'0 son las corrientes y tensiones directas del diodo. En un transistor 111m. l' . polariza en
directo el diodo emisor y "se = " D'
81.
Sin embargo ji es en sentidoopuesto a j" (de 11 a 1') de forma que j. _= -i1I. Por tanto (Jj E I (J" N=E
-di/ II D
d" Y
0 -32)
La Ec. (3-32) es vlida para un transistor pnp porque polarizando en directo la unin del emisor se
tiene que i e =i,) Y I'M =- I'(l '
La conductancia gJdel diodo emisor se designa en la Ec. (2-19) con T\ = I de donde K =- ljV para
J
,
T
un transistor 111'" y 1:4 = +l i JV, para un dispositivo Imp.
Enel transistor "1'" (P"P; I[Qes negativo (positivo):as '~ J es positivo en ambos casos y se puede escribir
'':J =ll';Q I N,. De las Ecs. (3-31) y (3-17) Ydespreciando leo comparada con lCQ se obtiene la simple
expresin siguiente de la transconductancia
}:

cr ll,ul

'"

"

V,

1J33)

1/,"1
V,

La Ec. (3-33) indica que g", es directamente proporcional a la corriente de reposo de colector e
inversamente proporcional a la temperatura. A la temperatura ambiente y expresando l CQ en miliamperios
tendremos:
Km =

!!ud
25

mA

1334)

Las Ecs. (329) y (3-34) nos permiten determinar r K ya que p~ lo especifica el fabricante. Una vez
conozcamos 1'. podremos calcular r~ a partir de la resistencia de entrada. De la Fig. (3-33) se deduce que
1"; =1'1,+ 1"..

1J35)

Muchos fabricantes de dispositivos emplean el sfmbolo r, como h... en un punto de trabajo dado".
EjemploJ7

Determinar en el circuito de la Fig. 3-30: (a ) el valor de V, que d una seal de salida de 2 V de pico,
(b) el valor de la seal de salida con V. = 2 mv, y (e) repetir la parle h. con V, = 265 mV. Supngase el
trabajo a baja frecuencia y a temperatura ambiente.

Soluci6n

El primer paso es trazar el modelo de pequea seal a baja frecuencia. Esto se consigue sustituyendo
primero el transistor por circuito equivalente de la Fig. 3-33. Ahora s610 hay que aadir al modelo los
elementos de circuito exteriores al BJT que influyen en Jos valores incrementales de tensiones y de
corrientes. dando como resultado la Fig. 3-34b. Obs rvese que en el modelo no figura la aportacin de
polarizacin ya que no contribuye a las variaciones de tensin y de corriente. Adems como la tensin
incremental a travs de Vce es cero, acta como un cortocircuito.

136

Mtcroetectr nca modertla

r

R. " 600 e

- r,

~ ,.

62H1

+;.,.t,,

'.

0.32

RI =~oon

,
o

,"
fo'i ltura .' -34. Eq uivale nte de baja frecuencia y pequea :<ea l de l circuiro de li! Fig. ] -.lOd\>1Eje mplo ] -7.

El valor de g.. se determina por la Ec. (3-3 4) con

3-9).
Km

'e=8 OlA (la co rriente de reposo dad a en la Seccin

= ;\ = 0.32 U

Il.. se ded uce de las ca ractersticas de la Fig. 3-31 a lo largo de la lnea de trazos vertical. y es :
{1 =

..

( 12 - 4) xI O'
= 'lOO
(bO - 20l x 10 "
-

(O bsrvese que 11 es la gananc ia de co rrie nte A ob ten ida e n la Sec o3-9). Haciendo uso de la Ec. (3-28)
tendremos:
"
,

/3..

r" = -

.1:",

2tXJ

- -'l

IL L

b25n

La resistencia de disper sin de 1,1 base 1'1, o btenida por medicin es de 100 Q 'n. De la pendiente de la
ca ractc rfsrica de colec to r e n e l punto Q de la Fig. 3 -3 1 se dedu ce que 1'" es de ms de 5 k.o.. As e l efecto
de r" es despreciable: co mo es t en paralel o co n RL = 500 .o. la co m binacin en paralelo de r" y R. es de

5OOU.

(ti) Ahora se co mpleta el mode lo . Con viene sustituir 1',. R, Y R,I por un eq uivalente de Theven} co mo
se ve e n la Fig. 3 ~ 34/).
,

11

R ,R.

R. = R. RIj = N.
Como R I, = 232.5 k!l J>

".

te,

= flOO n .

l -: =

+ RIj

e, Y R : = R . En la Fig. 3-34h

u '" Wk"" de' 11.. ,bdo ... en d "I"'nd;"y K '~'""""ntkn a un PU:>!o <k lraheaj" ..>w1>Io:tn<'111" d' '>l ' 'k> al <Ir .........jC'mpl<>. por lo 'l ~ .........

1".....nk... C"R>f'... ar .

Transistores de unin bipolares (BIT)

137

y aplicando la relacin del divisor de tensin tendremos

t.:

"

'.

R. + rl> + r"

V.

Combinando estas ecuaciones resulta

- [Link]
- f3,fiL
~ = R .+ ,.+ ,. v, = R , + TI> + r: v. = A I~

La relacin v.. /~ se den omina ganancia de tensin A ~/.

El s igno menos en la expresin de A. (y de v) indica la fase inversa discutida en la Sec o3-9. El clc ulo

da:
A

_
v -

- 200 x 500
_
600 + 100 + 625 - - 75.5

y teniendo en cuenta que la tensin de entrada V

"

v.,

V"" =

IA.I

.., = V' '''

2

75.5

= 26.5 mV

siendo ste el valor indicado en la Sec o3-9.

lb) Con una seal de entrada V_ = 2 mv .J a amplitud de la salida es
V..... =

1A v!

V .... = 75.5 x 2 x 10 - ' = 15 1 mV

Ce) Con V_ = 265 mV. obtenemos:

V._ = 75.5 x 0.265 = 20.0 V

Este resultado es evidentemente falso pues corresponde a una situac in fsicamente imposible. Con
una seal de entrada diez veces mayor que la de la parte (a) y suponiendo un funcionamiento lineal.
debe ramos esperar ' ... = 10 x 20 J.1 A = 200 J.1A. Una rp ida inspecc in de la recta de carga de la Fig. 33 1
revela que una seal senoidal de amplitud 200 J.1A con ItIQ = 40 J.1A lleva al BH a saturacin durante el
semiciclo positivo y a corte du rante el semiciclo negat ivo. Aprovechamos esta parte de l ejemplo para
hacer notar que el uso del modelo de pequea seal queda restringido al funciona miento en la zona lineal
de la regin activa. En la Fig. 3-29h se represe nta la ca racte rstica de transferencia de un circ uito similar.
Tambin observamos que su empleo como amplificado r queda limitado al segmento lineal que une el
corte y la saturacin. Si emp leramos la caracterstica de transferencia con la entrada dada , observaramos
una salida altamente disto rsionada y cortada.
Los resultados del Ejemplo 37 demuestran qu e slo se consigue la ampl ificacin dentro de unos limites
de la seal de entrada. ex istiendo otras restricciones para el funcionam iento como ampl ificador . En nuestro
anlisis hemos supuesto que los efectos de C y C eran despreciables a la frecuencia de la seal. pero este
no es del caso co n frecuencias ms altas. pC:r ta~o. la ganancia result a afectada. lo que limita el campo
de las altas frecuencias que pueden utilizarse. Con baja frecuencia los lmites de funcion amiento se
manifiestan cuando presci ndimos del supuesto de que C. tiene una reactaocia desprecia ble. La respuesta
en frecuencia del circuito amplificado r ser tratada en el ca pitulo 11 .

138

Microelectr utce modema

3-11. EL BJT COMO DIODO

La eficiencia en 1a fabricacin y la facilidad con que se pueden compag inar las caractersticas hace
que muy frecuentemente se empleen BJT a manera de diodos en los circuitos integrados. En algunas
seccio nes anteriores de este captulo hemos observado que cortoci rcuitando dos terminales del transistor
o bien dejand o un circ uito ab ierto . el BJT act a co r no un diodo con polarizacin inversa. Ahora
co nside remos el funciouaml erno con polarizacin directa de una de las conexiones de l BJT ms empleadas
como diodo .
+ I'ce

1,

l::.

'e

.
'~,:

L'I base y el colector del translstor de la Fig. 3-35 est n conectados: esta configuracin emplea como
diodo la unin hase-emisor. Lo que resta del ci rcuito de esta figura seala que el colector, as como la
base, retoman a la tensin de aliment acin Va ' a travs de la resistencia R. Esta tensin positiva polariza
en directo la unin emisor-base. y como l' He" = Oes menor que la tensin umbral, e l diodo co lct tor-base
queda con polarizaci n inversa. En consec uencia el BJT est en la regin activa directa. Por la ley de
K irchhoff tendremos
(J 36 )

con Vu = 0.7 Ven el modo activo, la corriente INes una constante que depende slo de la tensin de
alimentacin V Yde la resistencia R.
Podemos emplear la ley de Kirchhoff para relaciona r IRcon las corrientes del transistor . Puesto que 1("
= ~f IB. IN= /r + 1 ,ser
(Y '

(J-37)

Como IRes constante. y ~f l. Ir '" INes tambin constante. Esta observacin es la base para la fuente
de corrieme descrita en el siguiente eje mplo.

Ejemp lo 3-8
El circuho de la Fig. 3-36a es una /l/ ell1e de contente muy empleada para la polarizacin de un BJT
en circuitos analgicos integrado s. Los transistores Q 1YQ2 son idnti cos; es decir,que han sido fabricados
para que tengan ca racrerfsncas parejas. (a ) Determinar Ir en funcin de los parmetros del circ uito. (h)
Calcular l e para VI"{" = ID V, R = 10 K n y P,. = 100. (e) Repetir la parte (h ) para PF = 200 .

Transistores de unin bipo lares (lJJT)

139

Sotuct n
( o) La corrie nte /11 viene dada por la Be. (336). Las ten sion es base -emisor V/11; de cada transistor son
igua les co mo consecuencia de la ley de Kircbho ff. Puesto que 01 y 02 so n dos rmnsisrores idnticos y
trabajan con el mismo valo r de " .,. las corrientes de base y de colector de ambos son ta mbi n iguales.
Apl icand o la ley de Kirchhoff a l nudo donde van conec tada s las dOli base s y e l colector de OI tendremos :

"
R
A

(Ic
01

-'.
u u
..2

~R.

Rl

O'

R,'

lbl

('1

Sustituyendo l. - Ic'l3FYdesp ejando le nos da

t,

{J,

(J, +

( h) S ustituye ndo por los va lore s dad os:

Ie - =
(e) Para

p, -

\ ' C(

"

I 'NI

lOO
lIJO + 2

10 - 0 .7

::!O(l

\O - 0 ,7

In

n,tJl::! mA

200

/, =

200

"

10

" 0.921 mA

Los result ad os del anteri or eje mplo nos hacen ver qu e an con una va riac in de l I()()% en t la variaci n
de le es del o rden del 1%. La co rrie n te de colector de 02 es virt ualmente cons tante e independiente de IOli
parmet ros delnanslstcr. El valo r de Ir: ocpende nicarrente oc
y R. Este es el comportamiento de una
fuente de co rrie nte constante. lo q ue nos permite trazar e l mode lo de l circuito de la Fig . 3-36fl tal como
se represe nta en la Fig . 3-36h. La resisten cia R..comprendida en tre las lneas de trazos e s la resi sten cia de
salid a de 0 2 Yes debida principalmente al efecto Early.

"n:'

140

Microelectrnica moderna

" rr
,

1"

R,

R,

... I'g _
QI

V.,

V.,

Q'

11
7

V,

v,

FiJ:urll 337. Par (d iferencia l) deem isoracoplado.

3-12. EL PAR DE EMISOR ACOPLADO

El par de emisor acoplado o diferencial de la Fig. 3-37 es la configuracin de transistor ms importante
empleada en circuitos integrados. En esta figur a. la fuente de corriente 1El la rea liza el circuito de la Fig.
3-36a u otro similar (Sec. 1O~3 ) . Adems. hemos supuesto que Q I y Q2 son unos transistores idnticos y
que las dos resistencias de co lector son de igual valo r". En esta seccin tratarem os de demo strar que el
par diferencial puede emplearse tanto de amplificado r como de interruptor. Para ello desarrollaremos la
caracterstica de transferencia del circuito.
La ecuacin de Kirchhoff para el lazo que abarca las dos uniones emisor-base es:
- VI

VII/ I -

VI/U

V~

= ()

iJ3HI

Con el transistor polarizado en el modo activo-directo. la corriente inversa de saturacin de la unin

co lector-base puede des preciarse. Las corrientes de co lector In e I C1 vienen dadas por la Ec. (3-7) como
In = al- lt. .~

t:"""".,

(3-39)
(3401

En las Ecs. (3-39) y (3-40) se supone que

y qu e las com po ne ntes de saturacin inversa de In e In son despreciables. Ahora ex presare mos la
relacin I C/lC2
In = f tl''' ' ' - \' ",.,JI Vr = ',/I"
(3.4 1)
In
n V. o. fabricanln eon'lTuyet1 haMa einco ua n. i01""'. l"cl....amcnle idnl.......en un wJoeuerpo Cva'le Ap nd....e Bl. Tambin exi..en Vlll in<;
Iran.i .I"",. en un solo ceerpo. eon di .~i li vos "P" y p"p, ton ro><luto un par n e.. nt"[Link] enmo en la Fig. J 31 . Se emplu n tambin en el d i".,.....
de eireui',," imegrados simulado.

Transistores de 111I;" bipolares (HI T)

141

En la Ec. (3-38) vemos que VREI - VRP := VI - V, ::: V,I siendo V,l la diferencia e ntre las dos tensiones
de entrada . La ley de Kirchhoff aplicada i nudo de e m isor req uiere q ue
1("1

- Un + II, ~) = n = -

I (' ~

+-

(3-41)

a /

Dividien do ambos miembros de la Ec . (3-42) por le/a ~ resu lta

(r/ I/..Ie"

= I ('~

In

(3-431

i .,

S ustituyendo la Ec. (3-4 1) en la (3 -43) y despejando In tend remos

or t u.

(3-4 4)

Proced ie ndo de igual modo para le

a l-l(,,..

13-451

+ e ' I-.,.TI

Figura J -J 8. Carac rertsncas de transferencia de tensi n (1, e n funcin de

V) del par de e misor acoplado.

Vemos en las Ecs . (3-44) y (3-45) q ue au me ntando los valores de V,por enci ma de 4 V 1i' le e In se
aproxi man a a~H: y a cero respecti va men te. Por e l co ntrario, un valor negativo de V'I siendo V, > 4 V T
hace que 1("/ tien da a cero e leJ lo haga a a~ fE.' Bas ndo nos e n las Ecs. (3-44) y (3-45 ) podemos trazar la
ca racterstica de transferencia V"I y V"2q ue viene n de finidas por

I 1

v-,

(3-461

== Vc c

(3-471

V o l "!!'S

V,,~

de donde resu ltan las caracters ticas de la Fig. 3- 39. en la que tam bin se ha sea lado la difere ncia
(di ferencial) de la salida V~ = V"I - V"r
Las cara cter sticas de transferen cia represent ad as e n las Figs . 3-38 y 3-39 pueden interpretarse de la
sigu iente forma : En primer lugar, aplica ndo V,I > 4 VT = 100 mv se hace que 1, 1"" C\ l u: e le2"" O.
Simultneame nte V~l = Vee y Vol::: Vce - a.~ 1 .;.;Rc puede n hacerse pequeas eligiendo adec uadamente Rf!
1.l 1'''1 Y 1'~.1 se el igen sie mp re para manten. , Q I y Q2 e n la regi n acliva.

142

Microelectrnicamoderna

-~- -- - - -

- - - ---- --::--

... - .... - - -+ -'t- - Vrr

- I>. F'uR r;
v\

"',

- Vr
- 2V r

- 3 1'r
- 4V

Figura ) )9. Caraclerlslica de transferenc ja de lensin W" en runcioo de V} del par de em isor acop lado.

As. podemos aproximar la salida de Q I a la de un interruptor cerrado y la Q2 a la de un interruptor abierto.

El estado de estos Interrup tores se invierte al aplicar Vd < -4 Vr- La salida diferencial muestra tambin dos
niveles distintos, uno positivo y el otro negativo al variar VJ alrededor de 4 Vr
Una segunda observacin muy importante es la de que dentr o de l campo -2Vr :::; V[Link]; 2 Vr las cantidades
Ic/'/Cl' V,,, V.,] y V.,responden ladas ellas a las variaciones de Vol en una forma cas i lineal. Dentro de este
campo de entradas el circuito acta como una fuente gobernada (amplificador). Estas propiedade s de
Inrerrupcon y de amplificacin de l par de emisor acoplado se emplean muy extensamente: las de
interrupci n en circuitos digitales (parte 2) y las de amplificacin en circuitos analgico s (parte 3).

3-13. LIMITACIONES EN LOS TRANSISTORES

Se ha supuesto que los transistores empleados en los circui tos descritos en este ca ptulo han estado
operando dentro de unos lmites aceptables de corriente. tensin y disipaci n de potencia. Ahora
comentaremos los lmites fijados en las especificaciones de los fabricantes y que no deben ser sobrepasados al emplear BJT.

Corriente de colector mxima

An cuando no se sobrepasen los valores de potencia y tensin estipulados. hay un valor mximo de
la corriente que puede conducir el colector y que depende del rea de la secci n recta de la unin y de los
conductores que conectan los terminales del transistor con la salida al exterior. Este valor. que fija la
mxima corriente de saturacin alcanzable, es de 800 roA en el transistor 2N2222A.

Mxima disipacin de potencia

Puede destruirse un dispositivo si la unin colector-base queda sometida a un exceso de potencia. La

Trans istores de unin bipolares (BJT)

143

mxima disipacin de potencia Po es el valor empleado para sealar el lmite del poder de transmisin
de poten cia del colector. En el 2N2222A PD es de 0,5 W a una temperatura ambiente de 25 De. Con
temperatura ambiente ms alta PD debe rebajarse 12 mW/ D
e. Cuantitativamente esto supone que Po es
igual a
P,,(T) = 50{) -

mW

12( T - 25)

en la que PD (T) es la disipacin mxima de potencia a la temperatura de r grados centgrados .

Mxima tensin de salida

Existe un lmite superior de tensin que puede soportar la unin de colector ya que existe el peligro
de averiar el transistor con tensiones altas. Existen dos formas de averas: por avalancha ya vista en la
Seco 2- 11 y por perf oracin que veremos en esta misma Seccin.
La mxima tensin inversa de polarizacin que puede aplicarse antes de que se produzca la quemadura
entre los terminales de colector y de emisor, con e l termi nal de la base en circuito abierto se represent a
con el smbolo BVw r La ruptura puede producirse por multiplicacin por avalancha de la corriente leo
que atrav iesa la unin de colector. La caracterstica en em isor comn del 2N2222 A, extendida hasta la
regin de ruptura y BYCEO "" 50 Y puede verse en la Fig. 3-40. Las especificaciones sealan el mnimo
valor de BVcw a 40 V.
10
fe
~

_c

"8

- _1
-5
0/ , V

~ >

.3- /

"e

) /

10

O
O

40
lO
30
Tens in coe cror-enus c r Ver V

10

\
60

Figura 3-4ft Ca rac tersticas en e misor comn de l trans istor 2N2222 A extend id as en la reg in de ruptura.

En la configuracin en base comn la tensin de salida de ruptur a BVc/!o acos tumbra a ser aproximadamente el doble de BYeso: Si la base retoma al emisor a trav s de la resistencia R, la tensin de ruptura.
designada por BVCHI' estar co mprendida entre BYa o y BV c IJo ' Dicho en otras palabras, la mx ima tensin
colector-emisor admisible depende no slo del transistor sino tambin del circuito en el q ue est inclu ido.

Perforacin
Un seg undo mecanismo por el cual el transis tor puede inutilizarse al aumentar la tensin del colector

144

Microelectrnica moderna

es el denomin ado perforacin y es debido al aume nto de espesor de la regin de transicin de la unin de
colector al aume ntar la tensin de dicha unin (efecto Earl y).
La regin de transicin de una unin es la regin de ca rgas descub iertas a ambos lados de la unin en
la posicin ocupada por los to mos de impureza s. A med ida que aumenta la tensin aplicada a la unin .
la regin de transicin pene tra ms en la base. Puesto que la base es muy delgada existe la posibi lidad de
que con tensiones mode radas la reg in de transicin se difunda com pletame nte a travs de la base y alcance
la unin de l em iso r. Esta perforac in rebaja la barrera e n la un in emi so r-base y en con sec uencia la
corriente de emisor puede llegar a ser excesiva: por tanto. e xiste un lmite superior para la tensin co lecto rbase .
La perforacin difiere de la ruptura por ava lanc ha e n que se produce a una tens in fija e ntre colector
y base (dada por Ven la Ec. (2-27) con W = W,J. y no de pende de la configuracin del circ uito. En un
transistor dado el limite de tensi n lo de term ina la perforaci n o la ruptura seg n cual de los dos ocurra a
tensin ms baja.

Mxima tensin nominal de entra da

Conside remos el circ uito de la Fig. 3-41 en el que V" repre sen ta la tensin de po larizacin necesaria
para ma nte ner el transistor en corte. Supongamos que el transistor es t ju stam ent e en el punto de corte.
con lE= O de form a que 1, = 1('10- Si pretend emos que en corte VU" . O V, la propia condicin de corte
ex ige que

(J-481

FIKura 34 1. Elapa en emisor comn polarillda para manlener ellransislor en la regin de corte .

Com o ejemplo ex tremo conside remos que R,l sea grande. de 100 k O Yque queremos prevenir el caso
de que In o lleg ue al valor l00~A como puede sucede r con un transistor de potencia grande o co n uno de
mediana potencia a elevada te mpe ratu ra. En es te caso V'II debe ser por lo menos 10 V. Cuando I n o sea
pequea. la tensin a trav s de la unin base-emisor ser de 10 V y por tanto deberemos emplear un
transistor cuya tensin inversa m xima tolerab le en la unin base -emiso r sin llegar a perforacin sea
superior a 10 V. Por este motiv o los fabricantes especifica n la tensin de perforacin represent ada por
BYi.1lO' El subndice Oindica que BV uo es1 valora da con la condicin de que la corrie nte de colecto r sea
nula. La ten sin de perfo racin puede estar comprendida e ntre 0.5 V Yvarias dece nas de voll. Si BVE.a
es por eje mplo de 6 V (co mo es el caso e n el lran sisto r2N2222A) debe elegirse VlllIcon un valor m ximo

de 6 V.
Los tran sistores integrados pequeos estn sujetos a los mismos valore s mximos . que son de l mismo
orden que los ind icados para el 2N2222A.

Transistores de unin bipolares (BJT)

145

REFERENCIAS
Hodges, O.E., Y H.O. Jackson: "Analyss and Design of Digital Integrated Circuirs," McOraw-Hill Book
Cc mpany, Nueva York, 1983.
Z Gray, P.R., y R.O. Meyer: "Analyss and Design of Analog Inlegrated Circuits,' 21 ed., John Wiley and Sonso
Nueva York. 1984.
3 Yang, E.S.: "Pundamenrals of Semiconductor Devices,' McOraw-Hill Book Company , Nueva York , 1978.
4

Orebe ne, A.B.: "Bipolar and MOS Analog Integrated Cucuit Design,' John Wiley and Sons, Nueva York .
1984.

Lo s tres document o s sigu ientes so n cl sicos en e l as unto :

S Schockley, W.: The Theory of P-II Juncrtons in Serniconductors and P' II Junction Transistors, Bell Systems
Tech. J., vol. 28, pp. 435-489, Julio 1949.
6

Ebers, 1.1. y 1.L. Mol!: Large-Signal Behavior of Junction Transistors. Proc. /RE , vol. 42, pp. 176 1- 1772,
Diciemb re, 1954.

7 Early, l.M .: Effects of Space-Charge Layer Widening in Junction Transistors, Proc. IRE, vol. 40, pp.
1401-1406, Noviembre 1952.

TEMAS DE REPASO
3-1.
32.

3-3.
3-4.
35.
3-6.

3-7.
3-8.
39.
310.
311.
312 .
J13.
J-14.
J 15.

J-16 .
J17.
J-18.
J19.

Ctense tres caractersticas de una fuen te de corriente gobernada.

Dibujar una recta de carga en [a caracterfstiea de salida de una fuente de corriente gobernada ideal y sealar
el punto de dicha recta en el que el funcionamiento se aproxima a (a) un interruptor abierto, (b) un interruptor
cerrado, y (c) una fuente gobernada.
Dibujar el smbolo del circuito de un transistor ntm indicando los sentidos de referencia de las tres corrientes
y las polaridades de referencia de las tres tensiones.
Repetir el tema anterior para un transistor pnp.
Indicar las componentes de la corriente de elec trones y huecos para un transistor pllp polarizado en la regin
activa directa.
(a ) Escribir la ecuaci n de Ebers-Moll para un transistor pnp(b) Dibujar un modelo dc circ uito basado en las ecuaciones de Ebers-Moll.
Establecer la condicin de reciprocidad.
Repetir el lema 3-6 para un transistor "pll.
Def inir a F y Q R Ydescribir brevemente el significado de cada uno.
Definir de palabra y mediante una ecuacin la ganancia de co rriente en emisor comn.
Cu l es el significado de ganancia de corriente inversa"en cortocirc uito?
Definir las cuatro formas o modos de funcionar e! BIT e indicar su principal actuacin en cada caso.
En un transistor pllp en su regin activa, cul es el signo, positivo o negativo. de 1( , 1,., lB' VCBy VES?
Repetir el tema 3- 13 para un transistor
(a) Esbozar la caracterstica de salida en base comn de un transistor e indica r sus regiones activa , de corte
y de saturacin.
(b) Explicar cualitativamente la forma de estas curvas.
Esbozar la caracterstica de entrada en base co mn y explicar su forma.
Explicar la modulacin del ancho de base (efecto Early).
(a ) Dibujar el circuito de un transistor en la configuracin en emisor comn.
(b) Esbozar la caracterstica de salida y explicar su fonna.
(a) Cul es el orden de magnitud de la corr iente I CBO?
(b) Cmo vara ICBOcon la temperatura?
(c) Por qu lcBo difiere de l co?

"p".

146

Microetectronica moderna

320. (a) Definir ~(,,<z:

(bl Cmo difiere ~r"", de ~F?
321. (a) Cua los valores t picos de Vce u,m y de VBI: /W"
(b) Cules son los valor es de Va en el bord e de saturaci n, VBE e n co rte y V8E en la regin acti va?
3-22. Dibuj ar los modelos de continua de un tran sistor en ca da una de las cua tro region es de trabajo.
3-23. Explicar cmo puede usarse un transistor co mo interr uptor.
3-24. (a) C itar los factore s q ue det erminan la veloc ida d de co nmutac in de un BIT.
(1)
Explque se el significado de cada trmino del apartado ante rior.
)25. Expli car c mo pued e usarse un E.'T co mo am plificador.
326. Ind icar si los sigu ientes s mbolos se refi er en a valores e n co ntinua. va riables en el tiempo o insta ntneos '"
-. ..' Va' v t;!' y V" ,
327. {a) Dibu jar el c ircuito hbr ido 7[ equivalente.
(h ) Explicar el or igen (o proceso fs ico ) q ue hace aum entar cada t rmino .
328. Dibuja r el circuito eq uiva lente a baja frec uenci a del BJT.
329. (a) De fini r la tran scond ucranca g .
(h) Esc rib ir una ecuacin qu e rela~ione gm co n la g ananc ia de corrie nte
)30. (a ) Demostrar por medio del d iag ra ma de un circuito cmo pued e utiliza rse un BJT co mo d iodo .
(h) C ul es el rgimen de funcionamie nto de l BJT del apa rtado a nterior?
J31. (a) Esbozar el c ircuito de una fuent e de corrien te.
{h ) Exp licar breveme nte por q u es to es una fuent e de comente.
}32. Dibuj ar la config uraci n de l c ircuito de un par de e misor acoplado.
J .)), Bxpl icar brevemente cmo pued e usarse el pa r d iferen cia l a manera de am plificador y de inte rr up tor.
334 . Q u es lo q ue limi ta la corrie nte qu e un transisto r puede tran sportar?
) J5. (a) Definir la perforacin.
(h) Q u limitacin e n el func io namie nto de un tra nsistor puede atr ibu irse a la perforaci n ?

Po'

Transistores
de efecto campo
El transistor de efe cto campo, o s implemente FET (de la denominac in Pield-Effect -Tran sistor ) es un
dispositivo semiconductor de tres term inales muy emp leado e n circuitos digitales y analgicos. Existe n
dos tipo s de tales d isposi tivos, los MOSFET y JFET. sig las correspo ndie ntes a Transistores Meta lOxldo-Se mlco nd ucror. y Unin (j unction) Efec to Campo respecti vame nte.
Lo s FET tienen la particu larid ad de ser de fa brica cin ms s imple y de oc upar meno s espacio e n un
ch ip qu e los BlT. La den sidad de co mpo nentes resu ltan te pued e ser e xtraord inariame nte alta . supera ndo
frecuen temente los 100 .00 0 MOSFETen un so lo chip. ai ra ven tajosa cualid ad e s la deque les dispositivos
MOS se pueden conectar co mo resiste nc ias y como conde nsado res. Esto posib ilita di sear sistemas
formados excl usivame nte de MQS FET sin ningn otro co mpo ne nte. Apro vech and o e sta cualidad. e l
MDS FET es e l di spositi vo do m inan te e n los s istem as integr ados a mu y grande escala (VLS I). Lo s JFET
gozan de las propiedades de te ner una resistencia de entrad a alta y ruido bajo. por lo que se emplean e n
c ircuitos de procesado de sea les.
A d ife rencia de l BIT tratado en e l ca ptulo 3 . el FET es un d ispositivo de portadores mayoritario s. S u
funcion amiento se basa en la aplicacin de un campo elct rico para gobernar la corrien te. As. e l FET es
una fuen te de corriente de tensin contro lad a. En e ste ca pt u lo exami nare mo s los pri nc ipio s fsic os que
rigen e n ambos tipos de FETy que emplearemos para de sarrollar las caractersticas volt-amperio. Ta mb in
tratarem os de l FETcomo interru ptor y co mo am p lificado r. Describiremos prime ramen te el JFET po rque
su func ionamie nto se desarroll a di rectamente de la u ninplI y de sus pro pied ades semicond uc roras. las
ca rac terfsncas del MDSFET se comp rende n ms fcil me nte una vez co noc ida la relac in te nsi n-corriente
del JF ET.

41.

LA FUENTE IDEAL DE CO RR IENTE CON TENS IN REGULADA

En e l prr afo de introduccin de este ca ptulo se ha aludido al hech o de que el FET funciona co mo
fuent e d e corr iente de ten si6n co ntrolada. As co mo se trat de la fuent e de co rriente gobernada (Sec . 3- 1)
antes qu e de l BIT. ser co nven iente describir las propiedades de la fuente de corriente de ten si6n regu lad a
antes de es tud iar el FET.
Esta fuente ideal. representada e n la Fig. 4 -10. es un element o de tre s terminales en e l q ue la tensin de
control v, se aplica a los terminales 1-3 y la fuente de co rrie nte K. 1', acta e ntre los termi nales 2-3. El
par metro K. llamado transconductancia o conductancia mul lla relac iona la po tencia de la fue nte c on la
tensin de co ntro l (con referencia a la F ig. 3-33). E n la Fig. 4- lh est n represe ntadas la s c erecterfsnc es
de salida sobre las que se ha sealado una recta de ca rga co rrespo ndiente a RL y V!!, Esta rec ia de ca rga
represe nta la ec uacin de Kirchhoff del lazo de salida (conte n iendo los term inales 2-3) de l circu ito de la
Fig. 4-2.
En el punto a de la rec ta de ca rga. correspondiente a v, =
la tensin \'! es ..alta mien tras qu e la
corriente t. e s baja. Est os va lore s co rresponden aprox imada mente a un interruptor abierto . Anloga men te e l func ionamiento en el pun to b de la rec ta de c arga. en don de 1', = VII> supo ne una corrien te alta.

V,.

148

Microelectrnica moderna
1,

"

"

l. )

",

"

"o

v"

v,.

V, V"

V"

",

",

~
lb )

Figur a 4 1. (al Representacin de l circuito, y (b) caracterstica ten sin -intensidad de una fuente de co rriente ideal gobe mada por
tensin.

y una cada de tensin baja a travs del dispositivo. 10 que se asemeja a un interru ptor cerrado. En
consecuencia una seal de tensin Vi = VI aplicada entre los terminales 1-3 controla el estado de l interru ptor
en los terminales 23. Es decir, que si vj pasa de V/" a V/ ~ se cierra entre 2 y 3 el interruptor que estaba
abierto. e inversamente una variacin de V, de V11> a V," abre el interruptor.

.2

"

",

Fuente de
corriente

'0'
tensin

regulada
~

1,

",
-

:T

V"

Figura 42. C ircuito q ue emplea una fuente de corriente gobernada como interruptor o co mo amplificador. La recta de carga es la
indicada en la Pig. 4-l h.

En la Fig. 4- lb vemos tambin el comport amie nto del circuito de la Fig. 4-2 cuando vj = V IQ + V I'" sen
que queda indicado por la variacin senoidal de v, alrededor del valor de reposo V IQ' La tensin de
salida correspondiente Vz es tambin senoidal con un valor de cresta Vz.. superpuesto al nivel de reposo

WI .

Transistores de efecto campo

149

V2Q Asim ismo. i z es la suma de una componente en continua I~ y una senoide de I~m de valor de cres ta.
Lo ms frecuente es que la amp litud de la compo nente senoidal ~e la tensin de salida V~m sea mayor que

V,., con lo que se consigue una ganancia de tensin (amp lifica cin).

Esta breve introduccin nos demuestra que la fuente de corriente con tensin gobernada puede
emplearse como interruptor o como amplificador. En las prximas seccio nes analizare mos el funcionamiento fsic o y las caractersticas de los FET y de mos traremos que estos disposi tivos poseen propiedades
de fuente de corriente.

4-2. TRANSISTORES DE UNIN DE EFECTO CAMPO

En la Fig. 4-3 vemos la estructura bsica de un JFET de canal ,,1. Los terminales de drenaje y de/l/ell1e
los constituye el contacto hmico en los extremos de una barra semicon ductora de tipo /l . Se puede obligar
que los portadores mayoritarios,electrones. fluyan a lo largo de la barra aplicando una tensin entre drenaje
y fuente. El tercer terminal . denominado pu erta se forma conectando elctricamen te las dos zonas
sombreadas p". La zona tipo 11 comprendida entre las dos p. se de nomina canal y por ella circulan los
parladores mayoritarios entre fuente y drenaje.
G

r - - - - -r--O Puel1a

'--+--OD
Drener.c
r-

lb)

1' )

Figura 43. (u ) Estruc tura, y (h) smbolo deltra nsistor de unin de efecto campo. de canal 1/ (l FET).

En la Fig. 4-3h se han sealado las co nvenciones norm alizadas para los terminales positivos de
corrie ntes y tensiones y en ella figura tambin e l smbolo de un JFET de canal a. La estructura y smbolo
para un JFET de canal p [os podemos ver en la Fig. 4-4.
Las est ructuras representadas en las Plgs. 4-3 y 4-4 permiten describir la act uacin de los JFET . La
Fig. 4-5 corresponde a la seccin recta de un JFET planar integrado de canal 11. La vista superior muestra
cmo se hace n los co ntactos de aluminio con las regiones de fuente. drenaje y puerta.
G

Tipo ,,+

x
Fuente

'\

-.L
~.

Canalllpo p

Tipo Ir!)

Drenaje

-"

,,'
Fi~ura

Puel1a

'"

44. T ransistor de unin de efec to campo. de canalp. (a) estructura. y (h ) smbolo del circuito.

I La estructura actual y fabricacin dd JFET figuran en el caoncro 5.

150

Microetear nica moderna

Funcionamiento del JFET

Co nsidere mos la represe ntacin grfica del dispositivo de canal 11 de la Fig. 4-3. reprod ucid o para
mayor convenienc ia en la Fig. 4-6(/. El di agram a esquem tico de la Fig. 4-6b corres ponde al di spositivo
de la Fig. 4-6a. e n configuracin de fuente co mn. Aun c uando nuestro estud io est diri gid o hacia un
di spositivo de ca nal " es aplica ble igualmente al caso de canal p si ad miti mos que las po laridade s de las
te ns iones y e l sentido de las corrientes de ste son o puesto s a los de un JFET de ca nal 11.
Ob se rve mos que las regio nes de puerta y e l c ana l fonnan una unin plI q ue e n su funcionamiemo com o
J FET se mantiene co n polar izac in inversa. Una tensin puerta-fuente ne gati va polariza e n inversa la
unin . al igual que lo hace una tensin positi va drenaje-fuente. Hay que record ar que a ambos lados de
una unin 1m con polarizacin inversa (la regi n de de plexi n) hay zonas de carga es pacial (Scc. 2-1) .
Los parladore s de corriente se han pro pagado a travs de la unin dej ando slo iones positivos descu biertos
en el lado " e iones negativos e n e l p . Cuando crece la polarizaci n inversa de la unin tambin lo hace
e l es peso r de la regin de carg as descu biertas inmviles. Ahor a pode mos justifi car e l uso de la reg in de
puer ta p '. En la Seco2- 13 vimos que la regin de de plexin se e xtiende ms en la zona de menor dopado .
As! e l uso dep + forma una ca pa de carga espacial que est casi totalme nte en e l cana l 11 . La conductividad
de es a regin es nominalme nte cero por la falta de portadores de corriente. Por tanto e l ancho efectivo del
ca nal de la Fig. 4-6 ir disminuyendo al aume ntar la polar izaci n inve rsa. A una determinada tensin
Contacto de puerta
Co ruoclo
de fuente

Comaoo
S us ll'lllO l'

FiKura 45. Estructu ra de un JfET

nlq~rtd... .

de drenaje

pb llM tic Gmatl'.

Puerta tipo p"

Regin <le<leplex in

~~~,
~~
Fuente t-----j~

Drenaje

21>( 1'

'"

r1"
Puerta I;po l'

1"

r 'r>r>

G
V(i(;

V,,,,
(<1'

1"
~

,"

FiRur ll 4 6. Esnuctura de un Jf l:;

. de Ci.,I;III/ I1ltlsl r;lIll.l.~ la regin de k r kx i6n q ue ctms lrie el canal.

Transistores de efecto camp o

151

puerta-fuente Ves = V llamada tensi n de es uiccn el ancho del c ana l queda reduc ido a cero porque han
sido eliminadas del" ";n ismo todas las cargas libres. En co nsec uencia. para una determinada ten sin
drenaje-fuente. la corriente de drenaje ser func in de la ten sin de polarizacin inve rsa de la uni n de
puerta. Para desc ribiresle disp ositivo se emplea la voz de efecto camp o porque el gobierno de la corrien te
es e l efecto de la ex ten sin del c ampo asoc iado con la regin de dep lexi n al aum enta r la polarizaci n
inve rsa .

43. C ARACTE RSTICA TENS IN-CO RRIENTE DE UN J FET

La caracterstica de dren aje de un FET discreto tpico de ca na l " represe ntada en la Fig. 4-7 da IIJ e n
funci n de V/u con VGS co mo parmetro. Para apreciar cu alitativament e el porqu estas curvas tienen la
fonna re presentada consideremos primeram ente el caso en el que I-(;.f- O. Para 1/)- Oel canal entre las uniones
de puerta est completamente ab ierto . En respue sta a la apl icacin de una pequea tensin Vos la barra de
lipa" ac ta como una simple resiste nc ia sem lcond ucto ra. y la corriente l o crece linealmente co n VOS' Al
au ment ar la corri [Link] cada hmica de tensin a lo largo del c anal tipo 11 polariza en inverso la uni n
de puerta y la porc in conductora de l canal empezar a es trec harse . Debid o a la ca da h mica a lo largo
del propio canal la esrricci n no es uniforme. sie ndo tant o m s pronunciada cuanto ms alejada de la fuent e
co mo puede ve rse en la Fig. 4-6 . Ex iste una ten si n Vos a la c ual el ca nal se c ierra. Esta tensin. no
claramente definida es la que en la Fig. 47 e mpieza adoblar la curva de com e nte tendie ndo a adq uirir un
valor co ns tante. En princi pio no es posi ble cerra r co mpletame nte e l ca na l anulando en co nsecuenc ia lo.
Cie rtamente. si se llegara a es to no e xistira la ca da hmica nece saria para prop orcionar la polarizacin
inve rsa requerida. Obsrve se q ue cada c urva carac terstica tiene una regi n hmica o no saturada para
pequeo s valores de VDSe n la que 111 es proporcional a Vos' Cada curva tiene tam bin una regin de corriente
co nstante o de saturacin para valores g randes de Vos e n la que 11) se ve poco afectad a por VDS"
Regin
hmica
Regin de
o no saturada
ruptu ra
"
Regin de corrien~'
.....L.....I.. constante o
I
I de saturacin

-c
e

Gs U. l V

, I

j-

1.0

1.' f-- f-

- 2.0

1-

O.,

10

20

30

40

SO

Tensin drenaje-fuente Vos' V

Fig u ra 47. Caracrerfstice de salida del JFET de caoal n 2 N4R69 (Co rreara de Siticomx lnc.).

Co n Ves = O la tensin nece sari a para polari zar en inve rso la unin viene sum inistrada por V . Si se
aplica una Ves negativ a. la regi n de depl ex i6n resu lta nte reduce e l anc ho de l canal incluso con s =

J: o.

152

MicroelecJrll;ca modema

As la est ricci n tiene lugar co n un valor meno r de Vll'l Ye l valor mx imo de I D queda rebajado como se
apre cia en la Fig. 4-7 . Con VGS ::: V la ten sin de esmcc n. JD ::: O ya que e l ca nal queda co mpletamen te
cerrado para cualq uier valor de
O!: o.
Obsrvese que tambin se seala una curva para Ves ::: +0,2 V que corresponde a polarizacin di recta.
Rec urd ese que la corrie nte de pue rta es muy pequea ya q ue la ten sin es men o r que la tensi n umbra l
Vy ::: 0.5 V para el silicio. La corrie nte de puerta cuando Ves S Oes virtualmente n ula y frecuenrem erue se
de spreci a.
En la Fig. 4 -7 se distinguen c uatro zon as de trabajo de los JFET. que so n las de: resistencia hmica .
saturacin, rup tura y corte. cad a una de las cuales va mos a tratar con m s de talle .

V';

La regin hmica
En la reg in de resiste ncia variab le de un J FET. Vos es peq uea pe ro In pued e ser apreciable. La
situacin co rresponde a la de un Interruptor ce rrado. Vamo s a desc ribir anal tica mente la relacin
ten si n-corriente en esta regin.
S uponga mos e n pr imer lugar que se aplica una peq ue a te ns in Vni e ntre dre naje y fuent e. La pequea
co rriente de d ren aje In no tendr e fecto apreciable e n e l pe rfil de l ca nal. En es tas cond icio nes pode mos
co nsiderar que la seccin transversa l A de l canal es uniform e en toda su lon gitud . Po r tanto A ::: 2 hW
siendo 2h la anchura de l ca nal correspondiendo a una co rriente de dren aje nula pa ra un valor dado de Ves
y sie ndo W la dime nsi n del ca nal normal a la direcci n de h co mo se ind ica en la Fig. 4-6.
Puesto q ue no c ircula co rrien te en la regin de deple xi6n med iante la le y de Ohm [Ec. ( 1-21))
obtendremo s la corrie nte de dre naje :

V", : 2h

1,. : AqN"J.L./. . ::: 2h Wq N " IJ... L

l/N"J.L.

(W)
L

Vm

(4 - 11

sie ndo L la longi tud del c anal. La Ec. (4 1) de scribe la caracterstica tensin-corriente de la Fig. 47 para
valo res mu y pequeos de VDI Y pone de manifiesto q ue e n estas condiciones e l FET act a como una
resistencia hmica c uyo valor lo detennina V (;5. La relacin V D en el origen se denomina resistencia de
drenaje ' os '0"' Con V(3 ::: O. lo que hace h ::: a . obtendremos de la Ec. (4- 1):

01'

(wl.)

142)
=
2-c1
N;," J.L.
El parmetro rlJ~ (UN, tiene importancia e n las aplica c iones como interruptor ya q ue es un nd ice de
cunto se desva el FET de un interrupto r ideal en el q ue la resiste ncia O N es cero. En las especificaciones
de los fabricantes se citan valo res de '/JI ,ON , q ue van desd e unos pocos o hmios hasta va rios ce ntenares
para los FET y MOS FET co me rciales de ca nal . Puesto qu e la mov ilidad de los huecos es menor que la
de los elect rones r /JI IO N I es mucho ms a lta pa ra los FET de ca na l l' q ue para los de ca nal " . Es ta mayor
movilidad significa una mayo r rapidez de conmutacin y estos fac tore s contribuye n a que prevalezca n los
d ispositivos de l ca nal n so bre los de ca nal p.
El concepto de q ue e n la regin hm ica el JFET es una res istencia vari ab le co n la ten sin se puede
ded ucir de la Ec. (4 -1) Y Fig. 4-6 de la sig uiente forma : El ancho h del c ana l es funcin de la tensi n de
polariz aci n inversa Vas Un aumen to de
vr.~1 d ism inuye h e In para un valor dado de V()\. En
c onse c ue ncia. la pe nd iente de la ce recrerfstica 1" en funci 6n de V/l'i e n su origen dec rece al a um e ntar

"""'1'0 , :::

ti"

I V" 1-

Ob srvese que In de pende de la relaci6 n WIL. Esta cantidad es important e e n e l dise o de l FET ya que
sirve de fac tor de escala para la co rrie nte de l dispositivo. Para una determinada de nsidad de dopado e l
aju ste de WIL permite fabricar en un mismo chip FETs con di stintas ca pac idades de conducc in de
corrie ntes. Adems. segn la Ec. (4 2 ) se puede co ntrola r ' ,.( ,ON, seleccionando la relacin WIL

Transistores de ef ecto campo

153

Regi6n tle tlcp lelli6n

G,

Figura 48. Des pu sde l pUnTOde esmccn. 31 au mentar VDS aumen ta L ' , pero li e fl} se mantiene n pr cticamen te co nstantes. (C I

y G l esTAn unidos entre sr.)

La regin de saturacin o de estriccin

Co nsideremos el caso en el l:[Link] se emplee VIl.{para crea r un campo elctrico ! ~ a lo lar go del eje x para
un valor dad o de 1VGS I < I V .1. Si circ ula una corriente de drenaj e apreciable IDel extre mo de la puerta
prximo al dre naje es t ms p~larizado inversa men te que e l e xtremo de fuente. y por tant o l ()~ lmites de
la regin de deple xin no son paralelos al eje de l canal sin o 'lile co nverge n como se ve en la Fig. 48.
Seg uidamente comentaremos c ualitativame nte lo que sucede e n e l canal a med ida que aume nta la tensin
de drenaje y se aproxi ma la es triccin.
Al aumentar V,,\ aum ent an ~ e In mientras disminuye b (x) debido al estrechamiento del canal, y por
tanto la densidad de corriente J = /,f2h (x) W tam bin aumenta. Vemos que no se puede prod uci r un
es trec ham iento total (b = O) puesto que si tal sucedie ra J llegar a a ser infinito lo que es fsicame nte
imposible. Si J fuera c reciendo sin lmite, seg n la Ec. (4- 1) tam bin crece ra '1, puesto que Il n perma nece
co nstante. Sin e mbargase ha comp robado e xperi rnent almenre q ue la movilidad es funcin de la inten sidad
del ca mpo elctrico y se mantiene constante s610si 'l ., < l OJV/ cm en silicio tipo 11. Pa ra campos moderados
de IOl a 104V / cm la movilidad es aproximadame nte inver sam en te propor cional a la raz cuadrada del
campo ap licado . Para campos ms elevados como en el caso de la estriccin Il n es inversamente
proporcional a 1,. En esta regin la ve locidad de desplazamiento de los electrones tv, = ~J.l se mantiene
constante y ya no es vlida la ley de Ohm. En la Ec. (4- 1) se ve q ue tanto I como b se mantienen consta ntes
lo que ex plica la zona de corriente co nstante en las ca ractersticas V-I de la Fig . 4-7.
Q u ocur re si V DS se aumenta hasta ms all de la contraccin perm aneciendo V GS co nstante? Como
se ha ex plicado antes, el ancho mnim o de l canal b....n = (') tiene un valor constante no nulo. Este valo r
mnimo se da en el extremo de l drenaje de la barra. Cu ando aumenta Vos este aumento de tensin
increm ent a '1, en la seccin del cana l adyace nte a la fuent e. Refi rindonos a la Fig. 4-8, la regin de
velocidad limitada L' crece co n Vos mientras qu e b se manti ene fij o.
Hay q ue tener cuidado para no co nfundir el dist into significado e ntre estriccin y saturac in altratar
de dispositivos semicond ucto res. A lo largo de la porcin de co rriente constante de las caracrcrrstlcas. la
estriccin se refiere al hecho de que VIJ.I se emplea para ce rrar e l canal cas i enteramente. La tensin de
esmccin V, se refie re a la tensin aplicada a la puert a que bloquea totalme nte el cana l inde pendiente mente
de V/IS. En un FET, la saturacin se refiere a l valor limit ador de la velocidad de desp lazamie nto. As pues.
e l nmero de portadore s que pueden ser transp ortados a travs del canal po r unidad de tiem po q ueda

154

Microeectr nca moderna

limitado o saturado .e IDpermanece consrar ne. ste es un significedo de saturacin verdaderamente distinto
de l visto en el Ca p. 3 para el BIT.
La caracterstica de corrie nte co nstante de la Fig. 4 -7 muestra que el FET se aproxima a la fuente de
corriente ideal gobe rnada por tensin de la Fig. 4- I en donde ",. ;1 y ,.! co rresponden a VGI , los y Vos
respectivame nte.

Ruptura
La mxima tensin que se puede aplicar entre dos terminales cualquiera de un FET coincide con la
mnima tensin capaz de producir ruptura por avalancha. a travs de la unin de puer ta (Sec. 2ll ). En la
Fig. 4 7 se ve que se produce la avalancha a un valor menor de J V,n I cua ndo la puert a tiene polarizacin
inversa que cuando V(;,f = O. Esto es debido al hecho de que la tensin de pola rizacin inversa de la puerta
se suma a la de drenaje aumentando en consecuenc ia la tensin efectiva en la unin de puerta. Las
especificaciones de los fabricantes (Apndice 8 -S) indican cul es la ten sin de ruptura entre drenaje y
fuente estando la puerta cortocircuitada con la fuente. Esta tensin se designa BVDS.'i y su valor va desde
unos cuantos volt en dispositivos integrados hasta ms de SO V en FETs de potencia.

Corte

1 I

En un FET real . aun estando en corte. o sea con Vos > Vp subsiste la misma corriente de fuga
de drenaje 1",1 (OFF). La corriente inversa de fuen te denom inada tambi n corriente de corte de puerta y
designada 1(;5$ es la corriente puerta-fuente con el drenaje cortoc ircuitado con la fuente para I V(;1 I > t V 1.
Los fabricante s especifican los valores mximos de IDI /(1 , e 1t;S5' Cada una de estas puert as puede varer
entre IpA en circuitos integrados y decenas de nanoamperios en FET discretos. A la temperatura de 150
"C estos valores de ben multiplicarse aproximadamente por 1.000.
Observe mos que en corte, con I VGI I > I V, I JD O Y VDr puede se r gra nde. ste es el comportamiento
de un interruptor abierto.

4-4. CARACn : RSTICA DE TR ANSFERENCIA DEL J FET

La carac terstica tensin -corriente de la Fig. 4-7 indica que en la regin de saturacin el valor de la
corriente de drenaje / 1) depende de la tensin Vesde polarizacin inversa. La caractertsticadetransferencia
relaciona Iti con V(;j a un valor constante de Ves-La Fig. 49 correspon de a la caracterstica de transferencia
del FET de ca nal " 2N4869 con Vm 10 V. La corriente de drenaje a VG5 = Ose designa con el smbo lo
IDst que para el 2N4869 es de S mA. Para los JFET fabricado s comercalmer ue. JDIS va desde alguna decena
de microamperios hasta centenares de miliamperios. Los valores ms bajos de I DS.'i son propios de los JFET
integrados. y los ms altos de los dispositiv os de potencia.
Las caractersticas de transferencia pueden expresarse analticamente como en la Ec. (4-3)

-=

1" :::: l un

vn)'
:
( V
I -

(4) )

V C;I y V, son negativas en un JFET de canal 11 y positi vas en uno de ca nal p. por tanto la Ec. (43) es
vlida para ambos tipos.

Transistores de efecto campo

155

-e

, E
_0
.~

4~
~

_1
o

- _ .... ~_-,O-_ _ L_~ O u

-)
- 2
- 1
o
Tensin puerta-fuente VGS.V

Figura 49. Caracterstica de uansferencia {Ir en funcin de VGSl del JFET 2N4869 de canal " ron Vos '" 10 V.
La cara cterstica de transferencia demuestra nuevamente el comportamiento como fuente contro lada
del JF ET. Si consideramos Vas como entrada e ' o co mo salida. la Be. (4-3) Y la Fig. 4-9 descri ben una
fuente de corriente gobernada por tensin: el funcionamient o como tal es la base de los circ uitos
amplificadores JFET.

45. EL MESFET
El MESFET es un JFET cons truido en arseniuro de galio (GaAs) con una regin de puerta metal-semiconductor (un diodo Schottky). Los principios de funciona miento y caractersticas del MESFET son
similares a los del JFET de silicio descrito en las Sec o4-2 a 4 4. La movilidad de los e lectrones en el GaA s
es de 5 a 10 veces mayor que en el silicio lo que le permite operar a frecuencias mayo res que las toleradas
por los d ispositivos de silicio. Como la movilidad de huecos en el GaAs es menor que en el silicio. los
MESFET de canal" tienen muchas aplicacione s.
Inicialmente el MESFET se emple en circuitos de microondas con una frecuencia de trabajo
comprendida generalmente entre I y 10 gigahertz (GHz). A partir de 1984 se han fabricado comerc ialmente circuitos lgicos rpidos con MESFET. Estos circuitos lg icos se disean para que sean compatibles
con la familia lgica bipolarde gran velocidad den ominada lgica de em isor acoplado (EeL). (Sec . 6- 14).

46. EL MOSFET DE ACUMULACIN

En un transistor de unin de efecto campo, la seccin efectiva del canal est gobe rnada por un ca mpo
elctrico aplicado al canal a travs de una unin pn. Empleando un electrodo de puerta metlico separado
de l canal semiconductor por una capa de x ido se obtiene un dispositivo de efecto campo bsicamente
distinto. Esta disposicin metal-xido-sem iconductor (Ma S) permite controlar las caractersticas del
canal por un campo elctrico creado al aplicar una tensin entre la puerta y el sustrato. Un dispositivo de
esta ndole se denomina MOSFET o Transistor MaS. Su importancia queda patente por el hecho de
fabricarse ms circuitos integrados con MOS que con cualqu ier otro elemento semiconductor.
Existen dos tipos de transistores MOS. El MOSFET de deptexi n cuyo comportamiento es similar al
de l JFET; con tensin de puerta nula y una ten sin del drenaje dada. la corriente alcanza su mximo.
decreciendo luego con la tensin de puerta aplicada (de la polaridad apropiada) como en la Fig. 4 -7. El
segundo tipo. llamado MOSFET de acumulacin no acusa ninguna corriente cuando la tensi n de puerta

156

Mcroetectr nica moderna

Puerta

Puerta (metal)
Fuente

IJ

ti

C "'~ I :l 1l

,;

Drenaje

" Drenaje

Regiones tipo"

Regjones tipo P

sustrajo tipo P

s ustrato tipo 1I

,.,

'"

Figurll 4 10. Estructura de MOSFET de- acumulacin; { al de canal n. y ( h ) de canal p .

es nula. aumentando la corrie nte de salida al aumentar la tensin de pue rta. Ambos tipos pueden ser de
ca nal p o de ca nal 11. En esta y en la pr xima secci n con sidera re mos las caracte rsticas de un tipo de
acu mulaci n de canal " y en la Secci n 4 -7 las de un MOS de depl e xi6n .

"

(;

.1

I~ l

"

"

.1

t;

l~'

IJ I t '

5,0:

SUSlralO 1' tc u~rpo).

'o,

'"

Flgure 4_1 [Link] de acumulacin NMOS polarizado mostrando el canal inducido, con (a) \' /).1= O. y (h) V n.\" O.

Estruct ura del MOS de acumulacin

La Fig. 4 100 representa esquemticame nte la es tructura de un MOSFET de ac umulaci n de canal "
yen la Fig. 4 1DI} la de uno de canal p. Los eleme ntos representado s en la Fig. 4- 1Ose conocen com nmente
como transistores NMOS y PMOS respectiv ame nte. Co mo se ve e n la Fig. 4 100 las do s zona s de tipo u
embebidas en el sustrato tipop (el c uerpo) son los electrodos de fue nte y de dre naje. La regi6n comprendida
entre fuente y dren aje es el canal que es t c ubierto con una fina capa de dixido de silicio (SiO,). La puerta
la forma el elec trodo metlico situado sobre la capa de x ido. Ac tualmente e n la fabri cacin de l MOSFET
se utiliza una ca pa conductora de polisilicio' para la puerta en lugar del met al dibujado en la Fig. 4 10.
Sin embargo. los pri ncipios fsicos que determ inan el fu ncion amie nto del MOSFET son los mismos para
ambo s tipos de puerta.
La parte me tlica de la puerta junto con la ca pa aislante de xido y el canal se mico nductor form an un
condensador plano paralelo . Debido a la ca pa aislante de di xido a es te dispositivo se le llama tam bin
Tr ansistor de efec to campo y puerta aislada (l GFET). Esta capa aisla nte determ ina una resistencia de
e ntrada ex traordinariamente alta para el MOSFET (de 10 1ll a 10 15 Q).
~

Por poti. ilid o -e e n l~ndf:' un <ilicio dnpado en el que la. pan" individuale< dC' la e<" OCIU", cri~alina esu n oo erlla d.... at ala r. Su
melal.

comp"n ~m ....nll' e,m;tar al de' un

Transistores de efecto campo

157

Comportamiento fsico del MOSFET de acumu lacin

En la Fig. 4 lla se ve un transistor NMOS en el que la fuente y el sustrato est n conecrados a tierra y
la tensi n drenaje-fuente V1JS se sita en cero. La tensin positiva aplicada a la puerta crea un campo
elc trico dirigido perpendic ularmente a tra v s del xido. Es te campo acaba en cargas negativas ..inducidas. en la proximidad de la superficie semiconductora como se veen la Fig.4- Ila. Puesto que el sustrato
tipo P contiene muy pocos electrones las cargas positivas superficiales son principalmente electrones
procedentes de la fuente y drenaje de tipo /l . Estas cargas mviles negativas. que son portadores
minoritarios en el sustrato tipo p . forman una capa de inversin. que se forma nicamente si Vc;s supera
el nivel umbral Vr J Las cargas inducidas bajo el xido forman un canal 11 . A medida que crece la tensin
de puerta hacia Vr tambin crece el nmero de cargas negativas inducidas en el semiconductor. y en
consecuencia aumenta la conductividad del canal. Aplicando una tensin posiliva enne drenaje y fuente
nace una co rrie nte en el canal inducido en tre drenaje y fue nte. As. la corrien te de drenaje se acrecienta
por la ten si n positiva de puerta. y al d ispositivo se le llama MOSFET de acumulacin.
Consideremos ahora la situacin en la que Vos aumenta desde cero mantenindose V C;.I a un valor
positivo constante mayor que v, (es decir. que Vc;s-V r > O). Con valores pequeos de VDS (Vo.~ <Vos Vr)
un aumento de Vos va acompaado de un aumento de la corriente de drenaje lo. El comportamiento del
MOSFET es el de una resistencia y a esta zona se le denomina regi n hmica. A medida que crece V1JS la
cada de tensin a lo largo del canal tambin crece y por tanto disminuye la tensin a travs del xido de
puerta y el lado de drenaje del canal Voo = VLIS - Vo.~' Es ta diferencia de ten si n reducida rebaja el campo
a travs del extremode drenaje del dielctrico. la que se traduce en menos inversinde cargas en la porcin
del canal inducido. El canal se est cerrando e IDcrece mucho ms despacio que el aumento de Vos en la
regin hmica cerca del origen. Idealmente una vez llegado a la esrriccin. un nuevo incremento de Vro:
no afecta a IDhabindose llegado a la corriente de saturacin, Esta n'gi" de saturaci n es de naturaleza
similar a la velocidad de saturaci n en un JFET. El valor de IDque se alcanza en saturacin depende de
Ves- Los aumentos de Ves >Vr aumentan Jos valores de saturacin de lo.

4-7. CARACTERST ICAS TENSI N-CORRIENTE DE UN MOSFET DE

ACUM ULACI N
Los fabricantes de transistores MOS integrados no facilitan curvas de las caractersticas tensin-corriente. Cuando se prec isan o se desean. se deducen de las expresiones analticas del funcionamiento del
MOSFET en cada regin.

Expresiones analticas de las caractersticas tensin- corriente

Existir un canal de inversin entre fuente y drenaje siendo Vm = O slo si V C;I < V r Con V C;.I < v, no
habrn cargas libres en el extremo de drenaje del canal. e IIJ = O. Asf Vr es anlogo a la tensin de estrtccln
de un JFET. La condicin de que V C;,f <Vre lo = Osupone que el MOSFET est en corte loq ue corresponde
a un interruptor abierto.

Regin h mica
Como ya se ha descrito en la Seccin anterior. cuando Vc;s > Vr la conductividad del canal viene

158

Microdutnh ,ica moderna

gobernada por V/J.~ en la reg in hmica (tambi n llamad a de /10 saturaci n o triodo. Prec isando ms. la
regin hmica queda defin ida por V(,.\' - V t > V/l.\' (o bien Veil) - VIi.\ Vns > V.,. Un an lisis terico d e la
regin hmica 4 cond uce al resultado de qu e la carac terstica de d renaje viene dada por

'/1 =

~ C~) 12 ( Vt i"

VI) V In

v1,.\1

(4-4)

s iendo L la longit ud de l cana l. W e l ancho de l ca na l medid o perpend icular mente a L (Fig . 4 lO Y 4 - 11 ).

Y k un par metro en microampe rio s po r te nsin al c uad rado . Es te par me tro es k = Jl~C.J2 s ie ndo Jl~l a
mov ilidad de los e lec trone s y C,. la ca pac idad de puert a po r unidad de supe rfic ie (e igual a efT",. rel acin
e ntre la pc nnitivida d y e l e spe sor de la ca pa de x ido) . Es d e notar qu e V, depende tambi n de C" as como
la de nsida d de do pado del d renaje y fue nte tipo 11 Ysustrato tipo p.

Regin de sa turacin
Idealme nte en la reg in de saturaci n e n la que VG.~ - VI T < VIJ. (pero mayor qu e cero) I/J es co nstante
e indepen diente de VDS' El valor de I(l depende s lo de la ten sin e fec tiva de control V(;S - VT como se da
e n la Ec. (4 5 ).

1" = k

(~)

(V liS

VJl!

(451

1m

en la q ue e l sub-nd ice S aad ido a I/J ind ica qu e se toma en consideracin la corrie r ue de dren aje en
saturaci n.
La lnea d ivisori a entre las regiones h mica y de saturac i n viene dada por VGS - VT = VDS' Sustituyen do
e ste valoren la Ec. (4-4) se obt iene la Ec. (45). La c urva de trazos de la Pig. 4- 12 q ue sea la la separac in
e ntre ambas region es viene dada por

(4 61
De las Ec. (4-4) Y (4-5) se desprend en algunas observac iones notables. En prim e r lugar. la relacin

WIL es un parmetro importante que sirve como factor de escala para la corriente de dre naje , As I. dos (o
ms) MOS FET de ig ual va lor V, pero de d istinta capac idad de c orriente pueden fabricarse e n un mismo
chip empleando dos (o ms) va lore s dis tintos de WIL. E n seg undo lug ar. e l pa rmetro k tiene unos valores
tpicos co mp rend idos e ntre 10 y 50 ~ / ~ en los NMOS co mercia les actua les. En consecue ncia s lo se
obtiene n valores altos de ID(varios miliam pe rios) en d ispositivos de re lacin WIL alt a. es decir. dispositi vos q ue oc upe n muc ha superficie.
Las caracterstica s ten sin -corriente de la Fig . 4- 12 se deducen de las Ecs . (4-4) y (4- 5 ) para un
MOSFET de acumulacin de ca nal 11 co n k =20 Jl AfVl. WJL = } y Vr = 2 [Link] lnea d ivisori a entre las
regione s hmica y de sat uracin sealad a en la Fig. 4~ 12 se ob tiene trazando la parbol a de la Be. (46).
Obsrvese q ue si mu ltipl icamos WIL po r un factor F./p q ueda tambi n multiplicada por e l mism o factor
par a los mismos valores de VDS y VG.I ,
La carac tertsric a de tra nsfe rencia del MOSFET es una grf ica de
en funcin de VGS co n un va lor
constante de VPS en la regi n de saturaci n. La c urva de la Fig. 4 13 es la ca racterstica de tran sferencia
de l MOSFET de la Fig . 4 12.

'D

Tronststores de efecto campo

159

Reg in hm ica _ _ Salurocin --l

I
I
6.0

' 00

'1 250
_0
.~ 200

-::l 150

<31

I
' .0

4.5

100

' .0

/
1

a.s

2
3
4
5
Te nsin d renaj e-fuent e Vos' V

Figu ra 4 12. Car actersticas de salida del NMOS de acumu laci n.

Las caractersticas de la Fig. 4 ~12 corresponden a un MQS FET ideal. En realidad /0 crece ligeramente
con Vos en la reginde saturacin,debido a la modulacin de longituddelcanalquees unefecto anlogo
a la modulacin del espesor de base en un BJT. En la Fig. 4- 14se ve que si prolongamos las caractersticas
reales hacia el segundocuadrante. todas ellas concurren en VDS = ~ If)... Debidoa su semejanza con el efecto
Earlye n los [Link] 1/1 se denomina tambin lens;" [Link] )'os valores tpicos vandesde 0.01
a0.03 v-. Paratener -en cuenta la modulacin de longituddel canal. se modifica la Ec. (4~5) introduciendo
el factor ( 1 + A Vos) como consta en la Ec. (4-7).
In = k

~ (VCi.~

- VTr (1

+ AVu.'\ 1

( 4~7)

Corrientemente el trmino (1 +A Vos) es despreciable en circuitos digitales. pero puede tener su

importancia en circuitos analgicos.
300

"1

'50

_i::l 200

E
o
u

'50

,.

100

00

v,
2

Tensin pue rta-fuente VGS' V

F igura 413 . [Link] de lransrerend a del lransiSloc de acumulacin NMOS de la Fig. 412 .

160

Microelectrnica moderna

"

,." ........

.... '" ........

"' .c-:
..... . . . ... . > ...

-_----

"';

...

"'
--'"
""~::.=::=------

Fi:urIl4 -14. Prolongacin de las caracrerrsnces de salida deltra nsis to r NMOS mostra ndo el erecic de la modul acin de longilud
del canal.
Ohmicao
00 salurada Corriente COnSlarl!d
o saturaci n -- ]

1
- so

-,o

r-i W----:::::::::::::j
_ 18

Y DS - 30 V

I D!O N)

- <O

1/

~ - 3O
....C;

- 2O

- 10

- 1O

/
IDSS ~O/

- 10

20

- 30

- .fO

- SO

-.

12
Vcs V

1'1

- 16

- 20

lb)

Figura4.I S. (a )Caracterlsl1casdedrenaje y {b)caracterlsl1ca de transferencia para V/)s = - JO V del PMQS deacu mulacin 3N 133

(Cortesa de SiticomxIne.).

Caractersticas del MOSFET de acumulacin de canal p

El transistor PM OS repre senlado en la Fig. 4- IOb co nsta de dos zonas tipo p en un sustrato tipo n. Los
principios sicos de es te MOSFET son los mismos que los de l NM OS. Las Ecs. (4 -4) a (4-7) so n aplica bles
una vez reco nocido que todas las polaridades de las ten siones y los se ntidos de las corrientes de un PMOS
so n opuesta s a las correspo ndie ntes e n un NMOS. Asim ismo. al ca lcular el parmetro k debe sustituirse
J.1. por la mo vilidad de huecos J.l .
En la Fig. 4- 150 se ve n las ca~acterfslicas ten sin -corrient e de un transistor discreto PMOS y en la Fig .
4-15b su caracterfstica de transferenc ia. Ob srve se q ue la forma gene ral de estas curvas es similar a las
de l NMO S de las Pigs. 4-12 y 4- 13. Sin embargo, v anse los distintos nive les de co rrientes y te nsiones
en estos e lementos. En la fabricacin de MOS FET discretos. las dim ension es pueden ser mayore s de lo

Transistores de efecto campo

161

que convierteen los MaSFET integrados. En consec uencia, pueden obtenerse transistores MaS discretos
para mayor corriente que puedan funcionar con mayores tensiones aplicad as.

Comparacin entre transistores PMOS y NMOS

Cronolgicamente en los sistemas MaS se emplearn los transistores de acumulacin de canal p por
ser de fabricaci n ms fcil , tener mejor rendimiento y ser ms fiables que los de canalu. Las posteriores
mejoras en la fabricac in han dado el dominio de los NMOS y, salvo la tecnol oga CMOS (Sec. 4-15),
los dispositivos PMOS han quedado cas i totalmente obsoletos, debido a las razones expuestas en el prrafo
siguiente.
La mov ilidad de los huecos en el silicio con intensidades de campo normales es de unos 500 cm 2/(V s).
Por otra parte, la movilidad de los electrones es de unos 1.300 cm 2/( Vs). Con esto, en dispositivos de
iguales dimen siones: ( 1) la corriente en un transistor PMOS es menos de la mitad que en un NMOS, y (2)
la resistencia ON de un MOSFET de ca nal p es de cas i tres veces la de uno de canal n, A su vez, para tener
los mismos valores de corriente y de resistencia que en un transistor NMOS de be aumentarse la relacin
WIL de un PMOS para tener en cuenta la menor movilid ad de los huecos [Ec, (4-5). Por ello , 'Ios
dispositivos PMOS requieren una superficie tres veces mayor que la de un transistor NMO S equivalente
ya igual co mplej idad los circuitos NMOS son ms pequeos que los PMOS. y debido a su mayor densidad
de componentes son tambin ms rpidos en funciones de conmutacin . La velocidad de actuaci n est
limitada principalmente por la constante de tiempo RC, y C es directamente propo rcional a la seccin recta
de la unin. Estas razones hacen que se empleen cas i excl usivamente los dispositivos NMO S.

4-8. EL MOSFET DE DEPLEXION

Se puede formar un segundo tipo de transistor MOS si entre las zonas tipo 11 de drenaje y de f uente se
difunde en el sustrato un cana l n. Considere mos el funcionamiento de ese canal n en la estructura de 1\
Pig. 4- 16. El signo menos de la Fig. 4-15 representa los electrones libres en el canal prximos a la superficie
del xido. Con V/l$ = Ouna tensin de puert a negativa induce cargas positiva sen el canal. La recombinaci n
de las cargas positivas inducidas con las negativasex istentes en el canal provoca ladeplexinde portadores
mayoritarios, de donde le viene el nombre de MOS FET de Deplexin .
Si la tensin de puerta se hace ms negativa pueden eliminarse los portadores mayo ritarios y con e llo
desaparece el canal. En estas condic iones la corriente de drenaj e es nula. El valor menos negativ o de V;s
con el que el canal queda libre de portadores mayorit arios constituye la tensin umbral Vr
Aluminio

"

Ci ( - )

/) ( + )

sic ,

(.)

lb )

Figura 416. Estructu ra de un M0 5FET de canal n en modo deplex n, con (a) Vos'" O.y (h) VT <VG,~ < O.

162

Mlcroeleclronica moderna

300

""
1

Acumu lacin

Deplexln

"G,l" -+2.0

".

+I.S

_0
+1.0

lSO

u
.0'
e 200

Acumulacin

1;

.lJ 'SO
s

-o.s

"

-O,

SO

"G,l" - -1.0
2

100

U 1=

} DepleJli6n

V,
-J

-2

- 1

+1

+2

Tensin de drenaje-fuente V DS' V

Tensin puerta-fuente VGS' V

l"

lb)

+3

Figura 4-17. Caracterlslicas (a) de salida y (b) de nau sferenca, de un transis tor de dep lexin NMOS .

Con VGS O, la aplicaci6n de una te nsin VDS positiva provoca una corriente de dre naje apreciable
designada l oss' Al ir disminuyendo Vas hacia el umbral disminuye tambin la corriente de drenaje. Para
un valor dado de V(;S, los valores crecientes de Vos saturan la corriente de dre naje pues el canal se contrae.
El caso es similar al de saturacin de los dispositivos de acumulacin. Obsrvese en la Fig. 4-15b que
debido a la cada de tensin en el canal motivada por ID la zona del canal ms prxi ma al dre naje se debilita
ms que la zona vecina a la fuente . Este fen6me no es anlogo a la estricci6n de los JFET en el extremo
del canal ms prximo al drenaje (Fig. 4-6) .
Los MOSFET de dep lexi6n poseen ambas zonas: hmica y de saturacin. Estas zonas estn representadas analticamente en las Ecs . (45) y (4-6) . Obsrvese, sin embargo. que en el transistor de deplexin
NMOS. Vres negativo.
Un MOSFET del tipo descrito puede tambin funcionar a modo de acumulaci n: basta aplicar una
tensi6nde pue rta positiva de fonnaque se induzca n cargas negativas en el ca naltipon. Lascargas negativas
inducidas aad idas hacen aume ntar (ac umu lacin) el nmero de portadores mayoritarios presentes. Con
Vas positivo la corriente de drenaje ID es mayor que l oss Esto puede verse en la Fig. 4-17a en la que se
ven las caracterfsticas tensin-corriente de un MOSFET de deplexin de cana l n con k 20 IlAV!. WIL
1, Y Vr -2. V. La funci n de transferencia para este dispositivo- con VDS 5V se describe en la Fig.
4-17b . Obsrvese que en la Fig. 4-17 no estn incluidos los efectos de la mod ulacin de longitud del canal
[Ec. (4-7)).

4-9. SM BOLOS DE LOS CIRCUITOS MOSFET

En la Fig . 4-18 estn representados c uatro smbolos corrientemente util izados de circ uitos MOSFET
de canal n. Los smbolos correspondientes a las Figs . 4-180 y 4- 18b pueden emplearse indistintamente
para dispositivos de acumulacin o de deplexi6n. Si no se indica la conexin del c uerpo o sustrato se
supone que est conectado con el terminal de fuente o que B est unido a la tensi6n ms negativa. Esta
conexin po lariza e n inverso la unin pn formada por las regiones de drenaje y de fuente y el sustra to. En
muchos casos la tensin ms negativa (OV) es a tierra. Cuando en un mismo ci rcuito se emplean elementos
de acum ulacin y de deplexin conj untamente se dist ingue el MOSFET de deplexi6n emplendose el

Transistores de efecto camp o

163

Drenaje
O

o
"".,
~

SS~'~'O

..

Puerue

lb)

.-JO
L...j",--~

~S

.,
h/l

(c-)

Figura 4.18. 51mbolos de circuito para un transistor NMOS. Loo transistores rene en su modo de acumulacin como en el de
deplexinpueden representarse en las fonnas Q y b, Los srrnbolos e y d representan M05FET en los modos de acumulaciny de
deplexinrespectivamente. Para los dispositivos PMOS se cambia elsentido de las flechas (obsrvese queen la parle h frecuentemente se prescindede la fleche).

smbolo de la Fig. 4- 1&1. Ms frecue ntemente se e mplea la Fig. 4-18bcomo smbolo de circuito MOSFET
de canal n con las conexiones norm ales al sustrato.
El sentido de las comentes en los term inales es propio del circu ito. as. en un MOSFET de canal e, ID
es positivo. e I{ nega tivo. Puesto que la es prcticamente nulo. ID= IJ la cada de tensin entre drenaje y
fuente se seala VDJ' Y e ntre puerta y fuente VC!' Ambas cantidades son positivas e n un MOS FET de
acumulacin de canal n. Para funcionar e n el modo de deplexin se requ iere que VC! sea negativo y Vos
positivo.
Para los MOSFET de canal p se emplean los smbolos de la Fig . 418 con el sentido de las flechas
invertido. las corrientes y te nsiones de los termi nales son el negativo de las cantidades correspondientes
al MOSFET de canal n. En el MOSFET de canal n normal se cortocirc uita la fuente y el sustrato, y stos
a su vez van conectados a la tensin ms positiva para asegurar que la unin formada por el cuerpo tipo
n se mantenga con polarizacin inversa.

410 ANALlSIS EN CONTINUA DE LOS FET

Las tcnicas descritas en esta Seccin se aplican igualmente a los JFET y a los MOSFET. Adems, los
m todos de anlisis son vlidos tanto para el dispositi vo de canal p como par a los de canai n.

Recta de polarizacin
Consideremos el circuito de la Fig . 4 19 en donde se emplea la resis tencia de fuentes R, para fijar Va.s
sin nece sidad de un suministro adicio nal de potencia (Fig . 4-6). Puesto que le = Ono hay carda de tensin
alguna a travs de Re y la ley de Kirchhoff aplicada al lazo puerta-fuente es:

VGJ = - loRs

or

- VaJ

ID = - -

R,

(48)

164

Microelectrnica moderna

R,
D

I' (;S

R,

j'"

V/l.~

R,

Figura 4 19. EtapaJ FET auto-polarizada.

La Ec. (4-8) corresponde a una lnea recta llamada recta de polarizaci n, dibujada en la Fig. 4-20 j unto
con la caracters tica de transferencia del JFET. La interseccin entre amba s lneas determina los valores
de operac in (reposo) de la corr iente de drenaje I y de la tensin puerta-fuente Veso'
La tensin drenaje-fuente Voso se calcu la porra ley de Kirchh off ap licada al lazo dren aje-fuente. y
tendremos
14-9)

Sust ituyendo loo en la Ec. (4~9) tendremos el valor de reposo de la tensin V N Q entre drenaje y fuente
que existe en el circuito. Obsrvese que la Ec. (4-9) define la recta de carga de l circuito. Situando la recta
de carga sobre la caracterstica de salida se puede tambin determina r Voso de la interseccin de ambas
lneas para Veso.

Ejemplo 4-1
Consideremos el circuito de la Fig. 4-210 donde se emplea un MOSFET de acumulacin de cana l n
cuya caracterstica de transferencia es la de la Fig . 4- 13b repetida por conveniencia en la Fig. 4-22.
Determi nar IDQ ' Voso y la tensin de salida Voo.

Figu ra 420 . La recta de polarizacin. determinada por Rs se ha trazado sobre la caracterlstica de transferencia. la interseccin Q
punto de reposo, y la co rriente de d renaje y la tensin puerta -fue nte existe ntes en el circ uito se indican co n 10Q Y V(SO respec nvament e.

~s el

Transistores de efecto campo

165

H ' OD (1 5 V)

R,
(40 km

N,
050 kUl

1(;

. ~.

I 'is

"e.. _

u oo eru

(60 kn ) +

R,

R,
(Sk m

(6 VI c-~_

,.,

+ _ ----O

(b,

Fi~ ur1l4 .21. (a) C ircuito MOSFET de acumula ci n auto- polar izada ; (h ) Equivalcnrc al ante riore n el que elcircuito de polurizucin
de puerta (Vl lfl N, '1 N2 ) se sustituye por s u equiv ale nte de Thevenin VGG '1Nr,.

Soiuci n
En primer lugar. sustit uir las resistencia s de polarizaci n de puerta R I YR2 Y la tensin de dre naje VVlJ
por su eq uivalente de Th venin co mo se ve e n la Fig. 4-2 Ib . (Obs rvese la analoga e ntre es to y e l anlis is '
del c ircu ito BJT del Ejemplo 3-4.)
La ec uacin de la recta de polarizacin se deduce de la expresin de Kircbhoff para el lazo puerta-fuente
de la Fig. 4-2 Ih.
I
or
I IJ =: - -R VCi .\
"

Es co nve nie nte expresar las corrien tes en rniliamperios y las resi sten cias en kilooh mios y as lo harem os
en los clc ulos numricos. Sustituyendo valores

VG S
6
5 + 5
Recta de polarizacin
JOO

Caractcns uca
de transferencia

~ 50

"XI
>50

' 00
50

"'i ~lIra 422 . Caractertsuca de transferencia y recta de pola rizacin de un transistor dc efecto campo Metal-Ox ide - Sem iconduc tor para el Ejcmplo 4- 1.

166

Microelectrnica moderna
'o . .A

300
250
200
+VDo(6V j

150

DI'D

100
50

00
lb)

(. )

f igu r a 423. (a ) Transistor NM OS de acumulacin conectado como una resistencia: (b) carecterrsuca de resistencia no linea l del
circuitoamerior.

La recta de polarizacin resultante puede verse en la Fig. 422, de donde

IOQ

0. 19 mA

De la Ec. (4-9) Ysustituyendo valores

VasQ = 15 - 0.19 x 40 - 0.19 x 5 = 6.45 V

La tensin entre d renaje y tierra es
6.4 5

+ 0 . 19 x 5

7.40 V

4 11. EL MOSFET COMO RESISTENCIA

En la introduccin a es te captulo ya se indic que una de las ventajas del MO SFET es q ue se puede
usar como co ndensador, como resisten cia y co mo eleme nto acti vo de tres terminale s. En la Secc in 4-5
se de most r q ue la ca pa aislante de xido entre puerta y canal formaba un condensador plano-para lelo.
Ahora veremos e l empleo del MOS FET de acu mulacin a ma nera de resistencia .
Co n las co nexiones de la Fig. 4 23a e l MOSFET tiene la ca rac terstica de salida de la Fig. 4-23b.
Conec tando la puerta al drenaje se tiene VGS = Vos' La caracterstica de resiste ncia indica da en la Fig. 4-23b
es e l lugar geom trico de los puntasen lasque VGS = Vos' Co mo resulta evidente de la figura esta co nex in
del MOSFET da una resis tencia no lineal. Ob srvese q ue el MOSFET trabaja en la regin de saturac in
ya que Vas - Vr < VDS: ade ms, con esta conexin, Vos = VGS = v, an cuando D= O.
En e l siguie nte eje mplo veremos e l m todo para traza r la rec ta de carga de un MOSFET co n una
resiste ncia de dre naje no lineal.

Transistores de efecto campo

167

Ej emplo 4-2
En el circuito de la Fig. 4-240 se e mplea un MOSFET , QI , con las ca ractersticas de sa lida de la Fig.
4- 24h. La ca rga MOSFET Q2 tiene la ca racterstica de resistencia q ue se muestra en la Fig. 4-23h, Trazar
la caracte rstica de transfe rencia 1'" = VOS 1 e n funcin de 1', = Veis/'

Solucon
En pri mer lugar hay que construir la recta de carga y a partir de e lla dete rminar VOS1 al variar Vas,.
Recordando que la ret'/a de carg a es fa representacin grfica de la ley de Kil"chllOff para el lazo de
drenaje , tendremos.
0 1'

V".\ l = V OII -

(4- 10)

VIJ .\ !

Puesto q ue 1" = O tanto para Q I como para Q2, I DI = I 'o

~ .,.

60

1- I'/J/J

Carga

O:

,,

Excitador
,
Q'

,.,

'0 '

Figu ra 4-24. (a ) Circu ito de transis tor de efecto campo Meta l-O xido-Sem ico nductor con resistencia de carga MQS FET no lineal;
(b ) Carac terst ica de salida MOSFET con Hneade carga no lineal, para el Ejemplo 4-2.

La caracterstica de carga de la Fig. 4-23b representa a ID! en funcin de VDS!" En esta figura vemos
que cua ndo 1m = 320 !lA , VGS! = V OS! = 6 V, En consec uencia V OSI = 6 6 = O V, Esto dete rmin a un punto
de la rec ta de carg a de la Fig. 4 24b (1DI = 320 !lA , VDSI = O V), De igual forma . cuando ID1 = 80 !lA . V a s1
= V OS! = 4 V. el punto 10 1 = 80 !lA , V OSI = 6 4 = 2 V tambin perte nece a la recta de ca rga de la misma
figura, As pues, para cada valor de l D! de la Fig. 4-23b en el que Va s2 = V/m se encuentra un valor de VDSl'
y este par de valores determinan un punto de la recta de carga de la Pig. 4 24b debi do a las cond iciones
impuestas por las leyes de Kirc hhoff.
Ya construida la recta de carga (Plg. 4-24b ) pod emos determinar VOSI (la salida) en funcin de Ve sl (la
entrada) . Para valores de v= VGSI S; Vr 2 V, la corriente 10 1 es nula y VDSI 4 V. Aum entando VI hasta
5 V. tendre mos VOSI = 1,5 V determinado por la interseccin de la recta de ca rga y la caracterstica de V@
= 5 V. La carac terstica de transferencia rep resent ada en la Fig. 4-25 se halla dete rminando e l valor de
VOSI en la interseccin de la recta de carga con la ca racterstica de cada valor de VGSI '

168

Microelectrnica moderna
V

1>0'

00

1>/. V

Figura 4 25. Caracterstica de transferen cia de tensin (l'" en funcin de \,) para el Eje mplo 4-2.

In.

",A

+U

250
200

lo }

+1.0

ISO

+0.5

Resistencia
no linea l.

100

O
~ O. S

SO
Vc;s

00

- 1.0 V
S

VDS '

lb}
Figura 426. (a) MOSFET modo-deplexin conectado como resistencia. ( b) Caraclerfstica de resistencia no lineal ( Vos - O).

Los dispositivos de dep lexin pueden cone cta rse com o indica la Fig . 4-200 para obtener las caracterstica s de resiste ncia. En este circuito Vas = Oya que los termi nales de puerta y de fuente estn conectados
entre s. La caracterstica de resistencia resultante , con VGS = O, es la sealada con trazo ms grue so entre
las caractersticas del MOSFET de la Fig . 4-26b . El anlisis de circuitos MOSFET utilizando resistencias
de carga MOSFET de dep lexin es semejante a lo dado en el Ejemplo 4-2. En los problemas que figur an
al final de este captulo se incl uyen varios de estos circuitos.

412. EL FET COMO INTER RUPTOR

Los transis tores de efecto campo metal-xido-semiconduct or se emplean mucho en ci rcuitos digital es
por su fonna de trabajar a manera de interruptor. Para exponer el funcion amiento del MOSFET como
interruptor gobernado emplearemos el circuito de la Fig. 4-240 Yel Ejemplo 4 . La onda de tensin de
entrada tiene la forma en escaln representada en la Fig. 4-270. Para t < T la tensin de entrada es de 1,5
V, Ypor tanto, de la caracterstica de transfere ncia de la Fig . 4-25 deducimos que v = 4 V. La corrie nte
IDI es cero como se desprende de la recta de carga de la Fig . 4 b. Esta es la caracrertsiic a de un interruptor
abierto ya que la tensin a travs de l es apreciable mient ras qu e la corriente es nula.
42

424

Transistores de efecto campo

169

U , v

5.0

- -- - ~--

' 01-- -..,

" ----+-- -

" I--~

o
! -- - +T - - - - - - ,.

,,'

lb,

Figura 427. (1) Onda de: ennada en escaln de lensin h') aplicada al circuilo de la Fig. 4 240, Y(b ) Onda de lcn sin ':"resullanlc.

Para' >T la tensin de entrada es de 5 V res ultando "6= 1,5 V {Flg. 4-25)e I = 125 ~ (F ig. 4 24b).
Esta situacin se aproxima a la de un interrup tor cerrado ya que existe una corrf~nte apreciable con poca
tensin entre terminal es (drenaje y fuente). La ond a de salida es la de la Fig. 4-27b.
Los dos estados posibles del interruptor puede n ded ucirse de la caractertsrica de transferencia dad a en
la Fig. 4-25. Mientras Il j 5; Vr = 2 V,la tensin de salida es de 4 V Yla corriente nula segn la Fig. 4-24h.
Las tensiones de entrada superiores a unos 5 V apenas introducen variaciones ni en ", ni en 10 1' En
consecuencia la corriente de salida depe nde casi exclusivamente de la caracterstica de carga y la V/)/} del
drenaje. La pequea variacin de la tensin de salida al variar la de entrada queda patente en el
allanamiento de la caracterstica de transferencia de la Fig. 425 con v, ~ 5 V.
Un interruptor real no puede cambiar de estado instantneamente (Fig. 4-27b). Trataremos de la
respuesta transitoria en la Seccin 6-6.

El c ircuito de la Fig. 4-280 utiliza un MOSFET de deplexi 6n de las caractersticas de la Fig. 428b:
(o ) Esbo zar la onda de salida correspo ndiente a la de en trada dada en la Fig. 4-280, suponiendo que RD =
36 kO, (b ) Cules sern los nuevos niveles de salida si Ro es de 50 kO?
' D' ''A.

' os
.lOO

25O

lOO
1'/.

"

"<

9.0

- 0.5

-3.,\-- -

,
l

,,'

l. ,

lb,

Figura 428.(0 ) CircuitoMQS FET [Link] ple~ in y onda de lensin de COlu da ; (b )CIII"8Clcrslic as de sa lida. Las rectas d e c u g a
OOITC!iponden I Vno = 10 V Y Ro '" 36 kn (lnea COnlinua) y R(l '" 50 kn (linea de Iruos). k J Onda de ~nsn de salida.

170

Microelec/r6nica moderna

Soluci6n

(a) Sob re las caractersticas de salida de la Fig. 4~ 28b se traza la recia de carga para VPO 9 Vy Ro
= 36 kO. Cuando I < O la tensin de entrada es tambin cero, y segn la interseccin de la recta de carga
y la caracterstica VGS =O tendremos Vos = I'~ = l A V. Anlogamente la tensin de salida valdr 9 V

=
I

cuando V I = VGS -3,5 V. Siendo la onda resultante la de la Fig. 4-28 c. (b) Pasando Ro a valer 50 kQ la
recta de carga pasa a ser la lnea de trazos de la misma figura . Para ( > O el MOSFET est en corte ya que
1'1 es mayor que
vII. Por tanto. 1'" = 9 V. Con 1', = Ocomo es el caso cuando I <O, la tensin de salida es
de 0,8 V deducidos de la interseccin entre la lnea de trazos y V{iJ = O.
Observamos que con un valor fijo de VOD al aumentar RD disminuye la tensin a travs del interruptor
cerrado. Sin embargo. tambin decrece la corriente puesto que In vale aproximadamente VorJRo.

so
~_---- H .O

Ol
Carga:
__- - - -30.S

30

Caracterfalicade carga:

_-'----0
"as

I .S V

_ - - - - - , ' - - - -0.5

10

,
1. 1

- 1.0

(b )

..-

6.0

'00

------,.,
..------' 0
..-

.s

. . - - - - - - - : . , . . - - - , - - - .0

Lnea de carga.

2.'
2

a.s

1' )
Figura 429. (a) Circuito para el Ejemplo 4.4 empleando un transistor de acumulacin NMOS. con un transistor de deplexin
NMOS conectado como carga; (b) caraclerfslice de la resistencia decarga de deplexi6n: (e) lnea de carga correspondiemea la parte
b superpuesta a las curvas de salida de QI.

Transistores de e/e clo campo

171

Ejemplo 44
El circuito de la Fig . 429a emplea un MOSFEf de depexin Q2 co mo carga del MOSFET de
acumulac in Q l . Esta con fig uracin es de uso corrie nte en c ircuitos integrados digita les. El MOSFET de
carga Q2 tiene k - 20 [Link] I V2, WIL - 1/4 y Vr - -2 V Ysus caract ersticas de salida son las represen tadas
en la Fig. 429b. Las ca rectertsnca s del MOSFEf de acumulaci 6n so n las dadas originalme nte e n la
Fig. 4 12 que co rrespo nde n a un dispositivo con k = 20 JAIl!'. WIL = 1 Y V, = 2 v, y q ue para mayor
comodidad
se reprod ucen en la A g. 429c, Tra zar la funcin de transferencia " en funcin de ", de este
. .
crrcuuo .

Soluci6n
En la Fig. 4-29b ve mos la caracterstica de carga para VGS! = O de la que resu lta la recta de carga de la
Fig. 429c, La construccin de la recia de carga sigue el proc ed imien to em pleado para formarla Fig.4 -24h
valindo se de l hecho de qu e IIJI = 1m y V{I.U + V{)S] = Vfm = 5 V l Ec, (4- IOll, Puesto qu e I{I! = 20 ~ cuando
VDS/ est co mp rend ido entre S y 2 V , l fJI - [Link] al pasar VOS1 deO a 3 V. A l bajar Vos1 desde 2 aO V, Va s l
aumenta de 3 a 5 Ve 1m = 1m decre ce desde 20 a O ~. Estos valores de VIII e n func in de VfJ~ 1 forman la
rec ia de carga e n la Fig . 4-29c. La func in de transferencia rep resentad a e n la Fig. 4 30 se obtiene vari ando
", = VGl l y hallando los correspondie ntes va lore s de 1'.. = V{)SI de la intersecci n de la rect a de ca rga co n
la caracterstica tensi n-corrie nte de QI. Con v, ::> 2 V. Q I est e n corte Y"" = 5 V (la inte rseccin de la
recta de carga con la caracterstica de salida tiene lugar a VOS1 = 5 V) e 1m = O. Al aumentar 1', el pun to de
trabajo se desplaza a lo largo de la recta de ca rga hacia e l eje ID, Pa ra cada va lor de 1'; determ inare mos e l
correspo nd iente va lor de 1',,' Por eje mplo, co n 1'; = 2,5
1'" = 4,7 V Y anlog amente. para 1', = 3
=3
V. Cua ndo 1'; supera los 3,5 V las caractersticas de salida se agrupan alrededor de la rect a de ca rga y 1'..
tiend e hacia 0.2 v.
Lacaracterstica de tra nsferencia puede obte nerse analtica oex penmental mente. ap lica ndo a la entrad a
una onda e n form a de diente de sie rra. Asr se puede hacer variar
linealmente con el tiem po: en
consecue ncia la "ariacin de ".. co n e l tiempo es la funcin de transferenci a (vase el ejemplo 2 3).
La funcin de transferenc ia de la Fig. 4 30 demuestra qu e e l c ircuito de la Fig . 4-29a goza de las
tlfOpi.e~ades ~e un interruptor go bernado. Este c ircuito muest ra un perfil ms escarpad o en la reg i6n de
.ransicie abierto-cerrado q ue el de la funci n de transfe renc ia de l circuito de acu mulac i6n de la Fig . 4 -24 .
Las co nsec uenc ias prcticas de e sta diferencia las ana lizaremos e n la Secci n 6 -5.

v,

v, ,'"

"j

p.. ,

'r-- - ,
4

,
z

FiRura 430. [Link]~ica de traMftrenC"i. de Itn~ i6n detcecuitode la Fil . 42% YEjemplo 4-4.

172

Microelectrnica moderna

413. EL FET COMO AMPLIFICADOR

Los circuitos amplificadores con transistores de efecto ca mpo se vale n de la natur ale za de es tos
di sposi tivos co mo fuente de corriente gobernada por ten sin . Como ya se ha comentado anteriorm e nte e n
es te mismo ca ptulo. en la regin de sa turacin IDdepende s lo de Ves (a proximadame nte) lo q ue permite
su funcionamien to como fuente gobernada: Estudiaremos e l empleo de l FET co mo amplific ador consi derando e l c ircu ito en fuente co mn de la Fig. 4-31. en la q ue la sea l que se pretende amplificar es v. '
mientras q ue VGG proporciona la polarizacin inversa necesaria e ntre puert a y fuen te del JFET . Las
ca ractersticas tensin-corriente del JFET son las de la Fig. 4-32 so bre las q ue se han superpuesto la recta
de carga co rrespondie nte a VVD = 30 V YRlJ = 6 kil. El va lor de V(;G se ha elegido en 1.5 V de forma que
e l transistor queda polarizado en e l punto Q. resultando VlJSQ = 19 V e 1lJ() = 1.8 mA .
La tensin instantnea puerta-fuente es Ves = 1', - V(;G' S uponiendo que 1', sea una senoide con 0,5 V de
pico . la variacin de l'c;s co n e l tiem po mostrada en la Fig. 432 ser una se noide superp uesta al nive l de
reposo. Las formas de ond a result antes para y " M se han trazado a l iado de las caractersticas.

'

Ro

Rr;

6 kO

IOkU

"

-.

figu.... 43 1. EtapaamplifICadora lFET en ruenlt t'OrTIn.

Observemos que ambas ca ntidades puede n considerarse co mo unas senoides superpuestas a los
respec tivos valores e n co ntinua. Por tanto:
"'(.\ -

V(i(i

+ "'l ' -

-1.5 + 0.5 sen w

i/} - I'JQ +iJ -1.75 +0.75 sen wt

1'"

1'11\ =

(4 111

mA

14 121

V1H Q + 1',.., = I 9.5 - 4.5 se n w (

(4 13)

Ob ser vemos e n la Ec. (4-12 ) Y en la Fig. 4-32 que la sea l de salida es mayor que la de la e ntrada.
c umplindose as la amplifi caci n. El signo negativo de la Ec. (4 - 13) indica la fase inversa de la se al de
sa lida de ten si n en re lacin a la se al de entrada . Esto supo ne que al aum enta r I'G.~ dism inuye vD;'; ten iendo
e n c uenta la capac idad de suministro de potenc ia de la fuente go bernada. Esta situaci n es anloga a la
de l amplificador BJT desc rito en la Seco3-9.
La ga nancia en tensin Al. es la relacin entre la amrlitud de la se a l de salida V_ y la de la seal
de e ntrada V_. En e l c ircuito de la Fig. 4 31. la ganancia es Al' 1= 4.5/0.5 = 9. Ob srv ese que s lo q ueda
amp lificada la seal de en trada. La mayo r potenc ia de seal a la sa lida (en relac in a la de e ntrada) se
obtiene s lo a expensas de la potenc ia de polarizac in V001DQ suminis trada. Efecti vamen te. en es tecircuito
la pote nci a de pola rizaci n es significativame nte m s alta que la de e ntrada.
Es de notar que e l JFEf se polariza hacia la med ia de las ca racte rsticas. Si elegimos e l punto de
funcionamiento m uy prximo a la reg i n hm ica o cerca de la tensi n umbral. la se noid e de sa lida quedara

Transist ores de ef ecto camp o

173

I'cs O

- 1.0
L7S

- L.S

- 1.5
- ! .O

001 ;--

10

"

20

."

15

19.5

.s
Figur a 4 32. C...aclerslicasde u ridadel JFET de la Fig. 4-.11. L1 recia tk carga connpondc a V00 '" JOV )' Rf) '" bUl El pulllO
Q se [Link] \'G(;" '" - 1.5 V. Las seales ~noidales superpcestas en los nivelesde reposose tu.n represenladoPMa', . l'OS)' l",s

cortada durante el semicicto positivo o negativo de la seal de entrada. De igual forma. con el punto de
trabajo en Q de la Fig. 4-32 , la mxima seal de entrada que se puede amplificar sin distorsin apreciable
queda reducida a los valores de "cs correspondientes a la parte de la recta de carga por enc ima de l umbral
y por debajo de la regin hmica . (Comprese esto con lo expuesto en la Seccin 4- 1.)
El com portamienlo del FET como amplificado r puede relacionarse con la caracrertstica de rransferencia del circuito. En la Fig. 4-30 queda de mostrado que los segmentos casi horizontales representan
aproximadamente un interruptor abierto o cerrado. La parte de curva compre ndida entre ambos segmen tos
indica q ue un cambio en \l . provoca un cambio en l ' . En particular. a lo largo de la mayor parle de esta
zona. la variacin de \I~ es ~ayorque la de \l j ' lo que indica una amplificacin, De hecho se puede determin ar
la ga nancia de l circuito determ inando la pendiente de la caracterstica de transferencia en el punto de
trabajo.
En esta Seccin se ha tratado del ci rcuito JF ET. Como tanto los MOSFET de acumulacin como los
de deplexin tienen unas caractersticas ten si n- corriente similares. pueden considerarse ambos como
fuentes de corriente gobe rnadas por tensin. y por tanto pueden emplearse tanto el uno como el otro a
manera de amplificadores. pudiendo aplicarse a ellos lodo lo comentado anteriormente.

414. MODELOS FET DE PEQ UEA SEAL

El circuito equivalente de pequea seal, vlido tanto para el JFET como para el MOSfET se utiliza

174

Microelectrnica moderna

par a relacionar en tre s las variacione s incrementales de las corrie ntes y tensiones de l transistor a lrededor
del punto de reposo. En la Seccin 4- 13 vimos que io ' vos y "es tiene n todos ellos una componente en
co ntinua y otra en altern a supe rpuestas . La compo nente e n alterna representa la variacin a lrededor de l
punto de trabajo provocada por la apl icacin de una seal seno ida1. As, em pleando la misma notacin
que para el BJT (Sec . 3-9) tendremos:
id
V d_,
VI:'

io - IV Q
V DSQ
VG S VG S Q
=

VDS

= il)
= VO S

14- 141

= I1 V G S

El modelo de baja frecuencia

El modelo FET de pequea seal es un circuito que se emplea para mo strar la relaci n exi sten te entre
"cS" En la Fig. 4- 33 est repre sentado e l ci rc uito e q uiv a le nt e de baja fre cu en ci a de l FET . No
se sea lan en la figura los elementos capaci tivos. es de cir , de almacenamiento de ene rga, ya que tales
elementos slo influyen e n su co mportam iento co n frecue ncias altas (vase Sec o3- 10).
Los elementos de la Fig. 4-33 est n rel acionados co n los procesos fsico s q ue tie nen lugar en el FET.
La fuen te de corriente gobernada por tensi n gm v , seala dependencia de id sobre V~, cuando e l FET
funcione en la regin saturada. El parmet ro g", es I~ pend iente de la caracterstica de transfe ren cia (Fig.
4-9 ) ca lculada en reposo. La re sistencia de salida rol, es la pendi ente de la caracterstica de salida evaluada
en e l punto de trabajo. Fs icame nte. es te parmetro se atribuye a la modulacin de la longitud de l c anal
(Se c. 4-7) . Los circu itos abiertos (1' --t
q ue aparecen entre g y s y entre g y d indica n que la unin
fo rmada por la pue rta y el canal de un JFET est po larizada en inve rsa. Como ya se ha indicado antes
(Sec c. 2-9) el efecto de la gran resiste ncia increme nta l de una unin con polarizaci n inversa so bre el
funcionamien to de l circuito. casi siempre se puede de spreciar. En el MOSFET los trayecto s entre puerta
y fue nte y en tre puerta y d renaje d iscurren a travs de la capa a islante de xido. y por tanto. la res istencia
extremadamente alta de ese itinerario no tiene influe ncia alguna sobre e l funcion amiento de l e lemento y
del circuito.
El valor de g se puede de term inar analt icamente de las ex presiones de la corr iente de drenaje en las
Ecs. (4-3) y (4 -5) para e l JFET y el MOSFET respectivament e. La trans conductancia 8",es
i D' I'DS y

0<

14- 15)
Puesto que iD rep resenta la corriente de drenaje total y
4-32) la Ec . (4-3) se convierte en

I'cs

la tensin tota l puerta-fuen te (vase Fig.

' ,nss ( --v;:v",)

/V

I -

'\

\1-------'
,
-

Figura 4 33. Circuito equivalente a baja Frecuencia y pequea seal de un transistor de efecto campo.

Transistores de efecto campo

175

y empleando la Ec. (4 15) tend remos

Km= - 2:;XS(1_V~:Q)

(4-16)

Recurdese que para los JFETS de canal n, V~ y Ves son amba s negati vas e If)I~ positiva . En los
dispositivos de canal p, Vp y Ves son positivas e IDS S negativa. Adem s I Ves l < I Vp ' Por tanto VesQIVp
es positivo y menor que la unidad , y IIJ_\'/Vp es nega tivo. En consecuencia R., es siempre positivo tanto para
el JFET de canal /1 como para el canal p .
La E c. (4-3) calculada en el punto de trabajo permite escribir 1 ( VesQIVp ) en la fonna (I DQI!DSS)
con lo que la Ec . (4-16) se transforma en

Km

V2

+
-

VID Q I D S!>"

(4- 17)

"

Como ya se ha demostrado que gmes siempre positi vo, puede escribi rse esta ecuacin en la forma
alternativa

21
~ /DQ
--v;:I/}s.~ =
D SS

gm = -

g"",

V/IJQ

(4- 18)

I[)ss

El trmino gm= 2/ 0ss /Vp es el valor de gm cuando [Link] O con lo que IDQ IDSS'
Anlogamente, en un transistor NMOS, Km se puede expresar
g", = 2

~k (~) I

(4-19)

DQ

[La derivacin de la Ec (4-19) se deja a manera de ejercicio para el lector en el Problema 4-39.J
Com o I'd' refleja el efecto de la modu lacin de longitud del canal . se emplea la Ec. (4-7) para relacionar
i o y 1'os' En el MOSFET la conductancia de salida gd. se expresa:
(4-20)

Aplicando la Ec. (4-20) en conjuncin con la Ec. (4-7 ) tendremos

Al DQ

+ AV nsQ

(4-21)

De donde
(4-221

rtl., =

Para los FET integrados, normalmente se calcula la Ec. (4-22) con VDSQ = Ocon 10 que queda reducida a

"<1.

1
Al DQ

= -

(4-231

La forma norma l de trabajo de un FET integrado es con una tensin drenaje- fuente del orden de unos
pocos volt. Por tanto , el trmino VDS de la Ec. (4-22) es mucho men or que la unidad y as la Ec. (4-23)
es una buena aproximacin de la
(4-22). Para los FET discretos, especialmente si se emplean con
niveles de tensin y de potencia moderados, '"d' se calcula por la Ec . (4-22) . (Para el JFET de canal n

El.

176

Microelectrnica modern a

2N4869 empleado en e l Eje mplo 4-5 v anse las Figs. 4 7 y 4- 32) .

La Ec. (4-22) tambin es vlida para e l JF ET ya qu e el trmino de modul acin de longitud de ca nal
(1 + VDS) puede tambi n introducirse en la Ec. (4-3).
R,

roen

R,

",

6kn

' 1>---- - - ---'

FigurIl4-J4. Equ ivalente en peque a seal del circu ito de la Fig. 4-31.

Ejemplo 4-5
Hallar la ganancia de ten sin de la etapa amplificadora de la Fig. 4-31 . Los dat os del JFET son: I vss
= 5 mA. Vp = 3.6 Vy),,= [Link] V I.

Solucin
El circ uito eq uivalente es el de la Fig. 4- 34 e n la que el JFET es t representado por el mod elo dado en
la Fig. 4-33. De la recta de carga y las car actersticas expuestas en la Fig. 4-32 se ded uce n: IDQ = 1,8 mA ,
VCSQ = -1,5 V YV DSQ = 19 V. De la Ec. (4- 15) tendremos

s; =

1.5)

2X5( l
3":6

- 3.6

1.62 x 10 - .1 U

_ 1.62 m A/V

El valor de '"lb deducido de la Ec. (4-22 ) es

"J.,
La ten sin de sa lida es v,

1 + 0.0 1 x [9 .5 = 66.4 kf]

0.01 x 1.80

=-8mRL \'~, donde RL es r lb

RL

Av =

1~~ 1

11 Rv!y \'~!

=v.. El va lo r de RLes

6 x 66 .4 = 5.50 kO
6 + 66 .4

= g",R L = 1.62 x 5.5 0 = 8.9 1 V

Es te val or de la ga nancia obten ido analticamente est de acuerd o con el dete rminado grf icamente e n
la Seco 413.

Ejemplo 4-6
La tensin de a limentac in Vvv en el circuito de la Fig. 4-210 Yde l ejemplo 4-} vara en + 0.3 V. En
c unto vara VD..~Q debido al cambio en Vvv ? Emplese e l modelo de pequea se al tom ando r , 50 kO:.
d

Transistores de efecto campo

177

-o en

eoxn

Equiv alente de Thevc nin

Red de polar izacin de puerta

150ldi

+
O.)V
IOOkn

0.3 V

~'V

- 15 V

(a)
lb )
Figura 435. ( a) Circuito de transistor mctal-xido -scmicund uctor de efecto campo. mostr ando un camb io en la tensi n d e
alimen tacin a manera de fuente de seal [0,3 VI. (b) C ircu ito de la parte a hab iendo sustituido la red d e polari zacin d e pue rta po r
so equivalente dc Th venin .

Soluci n
El ca mbio en la tensin de alimentacin puede repr esentarse co rno en la Fig. 4-35a . Obteni endo el
equ ivalente de Thevenin de l circuito de polari zacin de puerta. la etapa MOSFET queda representada
co mo apare ce en la Fig. 4-35h (va se tambin la Fig. 4-2Ih). Esdiflcil deterrninar las pequ ea s variaciones
de la tensi n de alimentacin tanto e n la recta de polariza ci n de la Fig. 4-22 como de las carac tersticas
de salida del transistor. Por tanto, es co nve nie nte co nside rar estas variaciones como una pequea sea l
(incrementa l) en contin ua aplicada al circ uito. En la Fig. 4 -36a puede verse el modelo de pequea sea l.
La Fig. 4-36b muestra la conversin de una fue nte de corriente gm\'x, en paralelo con I',, en una fuente de
tensin g.r,,\'.~_, = [Link]'~, en serie co n 1',/, ' A l s mbo lo .t se le llamafac/o}" de amplificacilI~
~

se en

(4-24 )

1:",1",/.,

60 en

II", V~

"

..

'

'.,

f(

'""~

40kn

0. 12 V

0.12 v

0.3 V

40

~11

S xn

Skn

"

O,J V

(b)

(' S

Figuru 4 36. (a) Modelo de pequ ea seal para et circuito de la Fig. 4-35b. (b ) Circuito de la parle e co n la fuente de corriente
~m v.' e n para lelo con r,l" co nvenida en su fuente de ten sin eq uivalente.

De la Fig. 4-36h Yaplicando la ley de Kirchhoff al lazo de puerta y drenaje ten drem os
l'~ , =

- 0.3 + 40 id

0.12 - 5i"
50i" - JLt",,_,

+ Si"

No debe co nfundirse 1-1 como factor de al1lplificaci n co n la l1Iovilidad de portadores.

= O

178

Microetectronica moderna

El va lo r de Il se o btie ne ca lc ula ndo prim ero g.... De l eje m plo 4- 1 ten dr em os loo = 190 IlA Ycon

=20 IlAJVl YWIL = I junio co n la Ec. (4-17) tendremos

g",

=2

V 20

10 - "(1 ) 190 x 10 (,

1.23

10 - 4 U

= 0. 123 mAlV

y
J.L = 0. 123

x 50 = 6. 15.

S ustituyendo la expre sin de

;,/ = n.) +
90

\'~ ,

en la ecuacin de Kirchhoff del lazo de drenaje y despejando itl se obtiene

0. 12 x 6. 15
6. 151

+ 5 (1 +

= 8.25

x 10 - 1 m A

= ~.[Link]

y la te nsin I'do ser

VJ.

= - 40i" + 0.3 - 5iJ

= - 40 x 8.25 X 10- 1 + 0 .3 - 5 x 8.25 x 10- )
= - 0.0713 V = -7 1.3 mV

y la tensin total ~'DS = VD.'\9 -'ti.

e n VDIJ' I'os cambia e n un 1, l %.

=6.45 -0 ,0713 =6,39 V. Este resultado se ala que con un c ambio del 2%

Mode lo de alta fr ecuencia

A altas frecuencia s se deben aadir a l circuito eq uivalente de pequea sea l FET los efecto s de las
capacidades re lacionadas con la unin polarizada e n inve rso y co n la capa de x ido (Fig. 4-37). Debido a
q ue e xiste unin entre puert a y fuente y e ntre puerta y d renaje, cad a una dc las capacidades e y e
.' ~
co ntiene una compone nte de la capacidad relativa a la regin de de ple xi n. Adem s, es tas capac idades
co ntienen co mponentes atribuidas al co nde nsador form ado por la capa de xido. la regin de contac to
met lico y la capa semico nd uctora . Para los c lculos con pape l y lpiz es co nveniente combinar estos
efecto s como en la Fig. 4-37. El mode lo empleado para c lculos simulados re present a estos efectos
mediant e e leme ntos ca pac itivos.

4 15. DISPOSITIVOS CMOS

En circuito s digitales integ rados se em plea m ucho un di spositivo compuesto de dos transistores FET;
uno NMOS y otro PMO S. Estos transistores co mpuestos han ido adquiriend o impor tancia en su aplica c in
c n c irc uitos analgicos. La co mb inacin de transistores NMOS y PMOS e n un mismo chip se de nom ina

T~
"

."gura 43 7. Modelo FETde alta frecuencia 'J pequeaseat.

'"

Transistores de efecto campo

179

+ 1 1111

mos

Carga

r-nos

"
~ ~ t US

c..

N MOS

1'"

In

'"'

Figura ~-JIl. (a ) lutcrrupro r compl em ent ario Illehll-(xido-sc micnnd uc!orconlcn iendo el excitad or NMOS y la carga PMOS . Represcnracidn del inter rupto r ideal del circuito C MOS de la pune 1/ c uando cltnmxis tcr NMOS de la parle h es!, en cond uccin y.
(d cuando eltransistor PMOS cundure .

MOS contpemeutarlo o simplemente CMOS . (La fabricacin de tales dispositivos y los circuitos que los
utilizan constituyen la tecnotogta CM OS.) En esta Secc in pretendemos faci litar una breve introduccin

a la configuracin del CMOS para poder informar sobre las propi edades del circuito en que se utilizan.
En diversas secciones de la primera, seg unda y cuarta partes del texto se trata de aplicaciones espe cfi cas
de la tecno loga CMOS.
El circuito CMOS de la Fig. 4-3Ra, usado en aplicacione s digita les consta de un transistor NMOS
(exc itador) al que est conectado un transistor PMOS a manera de carga. Los terminales de puerta de
ambos transistores estn conectados entre s. Supongamos que la tensin umbr al Vr es la misma para los
dos e igual a Vorl2. Aplicand o una tensin posit iva \'1 > v, simultneamente se cierra ( N) el transistor
NMOS y se corta el PMOS (recurdese que se precisa una ten sin de puerta positiva en un transistor de
canal y negativa en el canal p). Estando conecta dos en serie los termina les de dren aje y de fuente de los
dos transisto res no circula corriente alguna por el NMOS (por estar el PMOS cortado). Por tanto la tensin
de salida es prcticamente nula. Esta situacin est esq uematizada en la Fig. 4-37h en la que el interruptor
cerrado representa al NMO S y el abierto al PMOS.
Anlogamente , cuando se aplica una tensi n de entrada negativa (o cero) el PMOS se cierra (pasa a
ON) pero el NMQS se cort a. La disposicin de los interruptores en la Fig. 4-38(" equivale (aproximada+ tOD

Tensi n continua
de polarizacin

PMO S

0---1

Carga

"

"

ViO----------<>

,
'.

g," lV., 1

Fuente gobernada ....

l' )

" dl2

"

52

SI

NMO S

"dl l

"

l b)

F igura 439. (a) Con figuraci n del c ircuito. y (/ } equivale nte de hnja fre cuencia de la e tapa am plificadora C MOS.

180

Microetectr ntca madema

mente ) a esta situacin. Nuevamente, al estar uno de los transistores en corte no circula ninguna corrie nte
por el ci rcuito. La tensin de salida es alta: Voo en el caso ideal de la Fig. 4-3& Yaproximada mente Vno
en el de la Fig. 4-380.
La accin descrila es la de apertura y cierre de un interruptor median te la ten sin de entrada controlada.
Sin embargo. como no hay corriente en ninguno de los dos estados del interrupt or la potencia disipad a
por los transistore s es prcticamente nula (cie rtamente slo se consume potencia en el C MOS du rante el
intervalo de conmutacin). La extremadamente poca potencia consumida en los circuitos CMOS es la
mayor motivacin para su extenso empleo.
Los circuitos analgicos metal-xido-semicondu ctor complementarios emplean frecuentemente la
configuracin rep resentada en la Fig. 4-39a. El transistor PMOS proporciona la carga resistiva para el
NMOS que funciona como fuente gobernada.
La Fig. 4-39b corresponde al modelo de pequea seal (incremental) del circ uito de la Fig. 439u.
Obsrvese que no esta la fuente K,..Jv(.J en el modelo del PMOS deb ido a que v. ,; = 0 (1a fuente y la puerta
estn ambas a tensin constante). La resistencia de carg a roh! es normalm ente del orden de decen as de
ktloohmios. Si tuviramos que emp lear como carga una resistenci a de v a lor r~ . esta ocupara mucho ms
espacio del chip del que ocupa el transistor PMOS, lo que es una gran ventaja de la tecnologa C MOS en
circuitos analgicos.
Una segunda ventaja de este circuito es la doble funcin que desempea el transistor PMOS: (1)
proporcion a al circuito la resistencia en co ntinua (anlogamente a la Fig. 426) Y(2) provee la resistencia
de carga en alterna (pequea sea l). Los valores de estas resistencias pueden ser notablemente distintos
ya que las necesidades de la polarizacin y las del procesado de la seal difie ren entre s. Por ejemplo,
supongamos que r~ = 20 kQ sea la necesaria para tener la ganancia de tensin deseada. Si esta resistencia
tuviera que conducir una corriente de 0,5 m. Ia cada de tensin a travs de ella sera de 0,5 x 20 = 10 V.
Frecue ntemente una carda de tensin de esta envergadura exigir'ia una tensin de alimentaci n mayor de
la que puede admitir el dispositivo empleado. Sin embargo. el transistor PMOS permite emplear niveles
de tensin ms prcticos proporcionando al mismo tiempo la resis tencia incremenral de 20 k.Q necesaria
para alcanzar la ganancia de tensin prevista. Recurdese que r Jo! es la pendiente de la ca racterstica de
salida en el punto de reposo y puesto que se est operando en la reg in de saturacin dond e la curva es
cas i horizontal. r ,o! puede adquirir valores altos. del orden de decen as de kiloohmio s.

REFERENCIAS
Hodges, D.E. Y H.O. Jackson : "Analyss and Design of Digital lntcgratcd Circuits," McOra w-HiIl Book
Company. Nueva York, 1983.
2

Oray, P.R. y R.O . Meyer: "Analyss and Design of Analog tntegmted Clrcuus.' 2" ed.. 1ohn Wiley and Sonso
Nueva York, 1984.

Yang. E.S.: "Fundamentals or Semiconductor Dcvces,' McOraw-Hill Book Company, Nueva York. 1978.

Grebene. A.B.: "Bipolar and MDS Analog tntegrated Circults Destgn," 101m Wiley and SonsoNueva Yor k.
1984.

Muller , R.S. y T.I. Kamins: "Device Elecrronics for Integrated Cfrcuus." John Wiley and SonsoNueva York,
1977.

Transistores de efecto camp o

181

TEMAS DE REPASO
4 1.

42.
4 3.
44 .

45.
4 6.

47.
48.
49.
4 10.
4 11.
41 2.

413.
414 .
4 15.

4 16.

Citar tres propiedad es de una fuente de come nte idea l gobe rnada por te nsin .
(a) Esbozar la estructura bsica de un J FET de ca nal 11.
(b) Dibujar e l smbolo de l circ uito de un JFIIT.
Dibuja r la familia de ceractersncas de dre naje de un J FIIT de canal n y explicar cualitativamente s u Icrma.
Definir la tensi6n de estriccin.
Cmo se campan a un JFIIT ante: (a ) peq ueos valores de Vo s y ( b) grandes valores de VDS '!
Esbozar la seccin de un transistor NMOS de acumulacin.
Repenr eltema anlerior para un transistor PMOS de acumu lacin .
(a) E.s bozar las ca racte rsticas de salida y de transferencia de un trans isto r NMDS de acumulacin.
(h ) Explicar cualilativamente la fonna de las caractersticas de l punlo anterior.
Por qu se prefieren los dispositivos NMDS a los PMOS ?
Repeti r e l te ma 4-8 para: (ti) un transistor NMOS de deplexi6n y (b ) un transistor PMOS de de plexin.
C ul es e l s ig nificado de la tensi n um bral Vr en un MOSFET: (a) en e l mod o de acumulacin, y (b) en e l
modo de deplextn?
Cul es e l significado de la relaci n WIL en la corriente de dre naje de un MOS FET?
(a) Explica r verbalm ente q u se entiende por mod ulaci n de la lo ngitud de l canal.
(h) Q u efecto tiene la modu lacin de la lo ngitud de l canal so bre la co rriente de d renaje ?
Explicar cmo se emplea la lfnea de polarizacin para determinar la lensin y la co rriente de reposo en un
ci rcuito FET .
Dibuja r los srmbolos de circ uitos e mpleados para los MOSFET con y s in sustrato co nectado .
(a ) Most rar el diagrama del ci rcuito de un dispos itivo NM OS de acumulac in conectado a manera de

resistencia.
417 .
41 8.
41 9.
420.

421.

422.
423.

4 24.

425.

(h) Esbozar la caractensnca de resistenci a.

Re petir e l lema anterior para un transistor NMO S de deple ltin.
Exp licar cmo puede emplearse un FET como interruptor.
Expl icar cmo puede emplearse un FET como a mplificador.
Dibujar e l modelo de peque a seal y baja frecuencia de un FET y explic ar el significado de cede e le mento.
(a ) Q u elementos deben aadirs e al mod elo del tema anterior para que e l ci rcuito equivalente sea vlido
a a lta frecue ncia ?
(b ) C ul es e l origen flsico de estos e leme ntos?
(a ) Dibujar el c ircu ito equ ivalent e de pequea se al de una etapa en fuente com n.
(b) Po r qu en este modelo no aparece la te nsin de alimemaci6n Voo?
Q u se e ntie nde por Tecnologla CMOS ?
(a ) Dibujar esquemticamente e l diagrama de circ uito CMOS usado e n aphcaciones dtguel es.
(b ) Explicar las ventajas de este circ uito.
(e) Hay algunos inconvenientes? S i los hay. ctense.
Re petir el tema anterior para un circuito CMOS ana lgic o.

Fabricacin
de circuitos integrados

Un circuito integrado es t formado por un monocristal de silicio de superficie normalmente compre ndida entre 1 y 10 mm de lado. que co ntiene elementos activos y pasivos. En este captulo se describ en
cualitativamente los procesos empleados en la fabricacin de tales circuitos. Estos procesos son: preparacin de la oblea, crecimiento eptaxi al. difusin de impurezas. implantacin de iones, crecimiento del
xido, fotolitografa, grabado qumi co y metalizacin . Se emplea el proceso mltiple que ofrece una
excelente identidad de resultados en la produccin de un elevado nmero de circuitos integrados a bajo
coste.
Cada paso de la fabricacin contri buye a las propiedades y limitaciones de los circuitos producidos.
Con los comentarios que sigue n pretendemos dar una visi6n de conjunto de la tecnolo ga de los circ uitos
integrad os y las implicaciones de esta tecnologa e n el diseo de circuitos. Tra taremos particularmente de
la fabricaci6n de bipolares y MOS.
Q/

,.->-----,
Sustrato

Aluminio

el

E2

Bl

B2

El

"

el

Aislamiento

Sustrato P

fa)
+l'rr

R
el

O'

01
El

lb'
Figura S-l. (a) Seccin transversal de la disposicin planar integrada de la Fuente de corrientede la parle (b).

184

M icroelectrnica mo derna

5 1. TECNOLOGA DE LOS CIR CUITOS INTEGRADOS MONOLTICOS

(MICROELECTRNICA)
El trmino monoltico se deriva de las palabras griegas mOllo (que s ignifica nico) y titilas (que
significa piedra). As un circuito integrado monoltico se co nstruye en una nica pied ra o crista l de
silicio. La palabra integrado se debe a que todos los componentes del circuito: transistores. diodos,
resistencias, capacidades y sus interconexiones se fabrican como un ente nico. Obsrvese que no se
incluyen inductancias: una de las co nsecuencias de la cons trucci n de circuitos integrados semconduclores es prec isamente que no pueden conseguirse valores de induclancia pr cticos,'
La variedad de procesos con los que se fabrican estos circ uitos se desarrollan sobre un plano nico y
por tanto puede hablarse propiamente de tecnologa ptanar . La Fig. 5l a representa la estr uctura de un
integrado bipolar, lo que es la materializacin del circuito de la Fig. 5 lb. (Esta es la fuente de corriente
introducida primeramente en la Seco3- 11.) El circ uito NMOS de la Fig. 5-20 descri to primerame nte en
la Seco 412 se construye como queda representado en la Fig. 52b. Como puede verse en las Figs. 5 la
y 52b estas estructuras estn formadas por varias capas de material. Estas varias capas son: las regiones
de silicio dopadas" y p. el dixido de silicio (Si0 2 ) denominada tambin capa de xido. y las zonas
met licas.
Las capas de silicio forman los elementos del sistema as! como el sustrato o cuerpo en el que se
construye el circu ito integrado. Adems las zonas de silicio se emplean para aislar unos de otros
compo nentes. Para formar las capas de silicio se emplean tres procesos distintos que son el eptaxlal. el
de difusin y el de implantacin de iones.

l.}

Ql

Q2

, ,~-,--..,

(Cuerpo)
81

Pul,licio

SI

GI DI

51

a2

D2

_A luminio

SU81ralop

(bJ
Figu ra 5 2. (a) Circ uilo MOS de Cl nal " con carga de deplexn, y (b)dispos icin comocirc ulto integrado .

Fabricaci6nde circuitos integrados

185

'tI'

-'1

",

-=
1<"1

Figura 5-3. Laoblea de 10cmde la rolograrla (a) con' iene numerosos chipsidnticos al (b). La ID lcro-fotograa (e) es unapequea
parte del chip (b) muy ampliada.

186

Microelectrnica moderna

La capa de x ido se utiliza para proteger la supe rficie de l c hip de los cont aminante s e xtern os y para
perm itir la formaci n selecti va de las regione s u y p. El xido se e limina por corrosin qumica que
de scubre las parte s de la supe rfic ie en las q ue se debern formar esa s regiones 1/ y p. Las zo nas a corroe r
se delimitan por tcni cas de fotolitograffa.
La fina capa metlica se obt iene normalmente por deposici n qumica de vapor de aluminio sobre la
superficie del chip . Para delimitar los trazados se emplea la fotolitografTa y med iante corrosin se elimina e l
aluminio sobrante dejando slo las conexiones entre componentes .
Las rep resentacion es de las Figs. 5-1 y 52 so n s lo parte de un co nj unto ms co mplejo: sobr e una
oblea nic a de silicio se fabric an simultneam e nte muchos de tales circuitos. El c ristal de silicio (oblea)
forma el sustrato so bre e l q ue se hacen todo s los co mpone ntes del ci rc uito .
En 1985 para fabri car ci rcuitos integrados se empleaban obleas de 10 cm como la presentada en la
Fig. 5 ~3 a. (Para la produ ccin comercia l se han introd ucido las obl eas de 15 cm de d ime tro y se espera
q ue en 1990 se dispongan de 20 cm . El espe sor de la o blea de 0,2 a 0.3 mm , da la suficie nte res istencia
mecnica para impedir su fle xin . Es ta dimen sin supe ra a la nece sari a para alcanzar las ca rac tersticas
e lctricas ex igidas a los compone ntes .) Completand o el proce so de fabricac in, la o blea se divide en l OO
a 8.000 partes rec tangulares co n I a 10 mm de lado (pa ra los ms g randes) . Cada una de estas partes
co ns tituye un circuit o nico como e l de la Fig. 5 ~3h que puede contener, co mo poco , desd e unas decenas
de componentes hasta var ios cientos de miles. La microfotograa de la Fig. 5~3('c om pre nde unos pocos
de los componentes contenidos en e l c hip de la Fig. 5 ~3h.
Ahora podemos apreciar algunas de las significativas ventajas de la tecn olo ga microelectrnic a. Si se
fabrican de una so la vez un conjunto de 20 obleas de 20 cm equiva le a fabricar simultnea me nte hasta
160.000 circuitos integrado s. y siel promediode componentes porcircuito fuera tan s lo de 700 e l conjunto
co ntend ra msde 100 millones de co mponentes . Algunos de estos c ircuitos res ultar n imperfectos debid o
a defectos de fabricacin , pero a n cua ndo los buenos fueran tan slo e l 10% del tot al se habran producido
16.000 chips de una so la vez.
La tecnologa de los circ uitos inte grad os presenta las sig uientes ventajas respec to a las tcnicas
convencionales con elementos di screto s interc onectados :
l . Baj o co ste (de bido a las gra ndes cantidades producidas).
2. Tam ao reducid o.
3. Gran fiabil idad . Todos los componentes se fabrican simullneame nte sin so ldad uras y se reducen
los fallos tanto elctri co s co mo mecnico s.
4. Mejores pre staciones. Deb ido a su bajo co ste se pueden e mplear ci rcuitos ms co mplejos para
conseg uir mejores c aracters ticas de func io nam ie nto.
5. Igu aldad de c arac tersticas. Ya que todos los transistores se fabrican simultneame nte y por el
m ismo proc eso, los par metros correspondient es as co mo la variacin de caracterstica s co n la tem per atura tienen prctic amente los mismos va lores.

5-2. EL PROCESO PLANAR

Tal como ya se ha indicado brev emente en la Seco 5-1 la tecnologa planar para la fabric acin de
circuitos integrados comprende se is o s iete proce so s inde pe ndie ntes: (1) creci mie nto del c ristal del
sustrato. (2) crec imiento epiraxial. (3) oxida cin. (4 ) fotolitografa y grab ado qu mico. (5) difu sin. (6 )
implantacin de ione s y (7) metali zacin. Examinaremos eada uno de ellos con mayor de talle.

Crecimiento del cristal del sustrato

Un fino cr istal de silicio se sujet a a una varilla y se introd uce en un c riso l con silicio fundid o al que se

Fabricacidn de crcutos integrados

187

han aadido impurezas aceptadoras. Seguidamente se retira muy lentamente en condiciones muy controladas la varilla del silicio fundido. A medida que se va extrayendo se va formando un lingote de cristal
tipo p de unos 10 cm de dimetro y unos 50 cm de longitud . Esta tcnica se conoce como proceso
Czoc hralski o simplemente CZ. Seguidamente se corta el lingote en obleas circulares de un espesor
aproximado de 0.2 mm que form aran el sustrato sobre el que se Fabricarn todos los componentes
integrados. Una de las caras de la ob lea se lapida y pule para eliminar las imperfecciones superficiales
antes de proseguir con el siguiente paso.

Crecimiento epitaxial
En la Fabricacin de circuito s integrados se emplea el proceso epitaxial para crecer una capa de silicio
co mo ampliacin de la existente en la oblea del mismo material. Este creci miento se llev a a cabo en un
horno especial llamado reactor donde se introducen las obleas de silicio calentndolas hasta 900 a 1.000 "C.
En la tecnologa corriente. como origen del silicio a recrecer se emplea la reduccin de los gases . Si H~ o
Si C I ~ . El primero de stos tiene la ventaja de necesitar menos temperatura y tener un crecimiento ms
rpido que con el segundo.
La reaccin qumica para la reduccin del S iCL~ es

SiCl~

2H ~ ~ Si

+ 4H CI

y para la del S i H~

S1"H~

"1atmosfrico, S" + 2H~

IOC(I'C

l5-lb )

Una capa epita xial de tipo /l. normalmente de 5 a 25 pm ( 1 pm = 10-"m) de espesor se crece sobre un
sustrato de resistividad aproximada de 10 n cm . lo que corresponde a N A = lA X l " tomos/cm', El
proceso epitaxial descrito indica que se puede escoger la resistividad de la capa eptaxial de tipo 11
independient emente de la del sustrato. En general. para la capa tipo" se toman valores de 0 , I a 0.5 n cm.
Puesto que es necesario producir capas epitaxiales con una concentracin dada de impureza s. hay que
introducir impurezas tales como PH.J para el dopado tipo 1/ o B !H ~ para el tipo p en los vapores de
SiCI~ - h id rge no. Existe un aparato para el co ntrol preciso y Fcil de impurezas que consiste en un tubo
largo de cuarzo envuelto por una bobina de induccin a radiofrecuencia . Las obleas se colocan en un
soporte de grafito y ste se introduce en el reactor calentando el grafito hasta unos 1.200 ''C. Un puesto
de co ntrol introduce y elimin a los varios gases requerid os para acrecentar debid amente las capas
epita xiales. Con esto se puede formar una unin abrupta pn semejante a la de la Pig . 2-1.

Oxidacin
Para el xito de la tecnolog a del silicio se requiere habilidad para depositar una capa de x ido sobre
la superficie del silicio. Las caractersticas sobresalientes del SiO~ como pasivador son:
1. Puede eliminarse con cido fluorhdrico HF al que la capa de silicio es resistente,
2. Las Impurezas empleada s para el dopado del silicio no penetran en el dixido SiO], As cuando se
~

PIJe~oque oblea tiene aprolmadamenle un ts pnor de 0.25 mm. la C'IIpIepitlXia l es de una dtci ma pill'\e, o menos, que el ....MRlo.

188

Mtcroeearonica moderna

emplean las tcnica s de l enmasca ram iento (descritas en e l apartado fotolitog raa) se pued e lograr un
dopado se lectivo de zo nas especficas de l chip.
Mu y frecu entemente la oxidacin t rmic a de l silicio se lle va a cabo en prese ncia de vapor de agua . La
reacc in qum ica e s:

15-2)
El e spesor de las capas de xido es t ge ne ralmente comprend ido ent re 0 ,02 y 2 pm. y e l valor q ue se
elija depend e de la barrera necesaria pa ra e vitar la pene tracin del dopante. En e l espe sor de la c apa de
S iO. influye n varios factores tale s como la tempe ratura de l proce so , la concentraci n de impureza s y e l
tiempo de proces ado.
A menudo se emplea co mo pasivador el nitruro de silicio , S i IN~. debido a sus propiedades para e l
enmascarado, Es frec uente emplearlo co mo sep arado r entre dos capas de S iO,. El nitruro imp ide la
penetraci n de l dopanre e n la capa subyace nte de S iO, (esencial e n los MO S). La ca pa ex terior de d ixido
de silicio o btenida por deposici n qumica de vapor. recubre completame nte el c hip al q ue sirve de
pro teccin contra roce s y da os mec nicos.

Fotolitogra fa
La tcnica monoltica de scrita e n la Sec o 5 1 req uie re la e liminacin selectiva del SiO. par a fonnar
aberturas por donde puedan difundirse las impureza s. El procedimiento emplead o para esta elim inac in
es el de fotocorrosn repre sentado e n la Fig. 5-4. Durante e l proceso fotolit ogr fico se recubre la oble a
con una pelcula uniforme de una e mulsin fotosensible. Se dibuja una re pre sen tacin amplia e n blan co
y negro de las zonas que han de q ued ar abiertas y cerradas. redu cindose luego es te d ibujo fotogrfica ment e. El negativo ya red ucido a la d imen sin adecuada se co loc a a manera de mscara so bre la emuls in
como se ve e n la Fig. 5-4. Sometiendo la e mu lsin a los rayos ultraviolet as a travs de la mscara se
po limeriza la foto rresina bajo las zo nas transparentes d la msc ara. Se reti ra luego dic ha mscara y se
revela la oblea med iante un producto qumico (ta l como e l tricloroetilen o ) que dis uelv e las partes no
ex puestas (no polimeri zad as) de la emu lsin dejando la s upe rficie como en la Fig. 5-4b. La e mulsin que
no se ha e liminado con el rev e lado se fija para q ue res ulte resiste nte a los productos corros ivos que se
emplea rn a cont inuaci n. El c hip se sumerge ahora en una so luc in corrosiva de cido fl uorhdr ico q ue
e lim inar e l xido de las zonas a travs de las q ue debe r difund irse e l dopan te. Las porci ones de SiO.
pro tegidas por la pelcula no q uedan afec tadas por el cido (Fig . 5-4c). Una vez difundidas las impurezas,
la m scara resta nte se e limina mediante un disolvent e qum ico (tal co mo e l H2S0~ cali ente) y por abra si n
mec nic a. En e l proceso descrito se emplea una Iotorres ina negativa. au nque tambin se e mplea la posi tiva
e n la que las partes del polmero e xpues tas so n e lim inadas co n lo que se retie ne e l material no expuesto.
Los siguientes pasos de l proce so so n inde pe nd ientes del tipo de fotorresna em pleado.
Ultravioleta

Potorresina pohmerizada
FoIOfTe'Sina
Mcara

:~~~~~~~~

S,01

Chip de silicio
(o (

(b)

('l

Figura [Link] fololilogrfica: (a ) enmascarado yexposicin a una radiacin ullraviolcla, (b) foronesnay (e) revelado.

Fabricacin de circuitos integrados

189

La co nfecc in de una mscara fotogrfica es una c ues ti n complicada y costosa. Una vez determinada
la disposicin del circuito se prepara un dibujo a gran esca la en e l que figu re la localizacin de las abe rturas
en las q ue deber eliminarse el SiO: para un de termi nado paso del proceso. Invariablemen te la di sposic in
del c hip se obtiene con la ayud a de un orde nador. El dibujo se hace a escala de elrededorde 500/1 quedando
de un tam a o ms fcilmente manejable para e l dibujante. Esta tcnic a permite controlar I u m en e l proceso
de produc c in, con una resolucin entre lneas adyacentes de 2 u rn.
El dibujo del circ uito se subdivi de en varios niveles, de nom inados niveles de enmascarado , q ue se
usan e n la fabricacin de l c hip. Por ejemplo, en un d ispositivo MOS la disposicin de pue rtas es t e n un
nivel . las ve ntanas de cont acto de fuente y drenaje e n otro. et c. Por procedimientos pticos manejados por
orde nador se convierte e l dibujo en informacin digital y se transfie re a una lmin a fotose nsib le. Esta
lm ina. e n la que el modelo q ueda red ucido unas 100 veces. puede usarse direc tamente sobre e l c hip o en
combinacin con una cmara para una segunda red uccin de 5 a l Ovece s. Las imge nes bidimensionales
en las varias lmina s constituyen las ms caras e mpleadas para cada uno de los pasos sig uientes e n la
fabr icaci n de los ci rcuitos inte grados. (Implantaci n de iones, oxid acin. metalizacin . e tc.)
- Los me nores detalles que se pueden o btener con el proceso Iotolitogrfico descrito quedan limit ados
por la longitud de onda de la luz. Los haces de elec trones tienen una o nda muc ho ms co rta que las
radiaciones pticas y so n capaces de defin ir zona s mucho ms pequ eas. Por lo que actualmente para la
prepa raci n de msca ras se emplea la litogr afa con haces de e lec trones . Un haz m uy fino de e lectrone s
barre una mscara recubierta con una resina sensible a los electrone s. De esta fonna e l diseo qu eda
impreso en la mscara. Las ventajas de es ta forma de preparar las mscaras co nsisten en una mayor
preci sin . la supresin de dos etapas de reduccin fotogr fica y la red ucc in de tiempo. En la produ cci n
industrial . el ma yor cos te del eq uipo necesario queda compensado por las ventajas que aporta.

Difusin
Hist r icame nte la difusin de impurezas fue e l paso decisivo e n el proceso planar. A un antes de la
introduccin de los circuitos integ rados ya se emplea ba este mtodo en la produccin de transisto res
discretos . La introducc i n de impurezas a conce ntraciones controladas se lle va a cabo e n un horno de
difusin a unos 1.000 "C Y durante una o dos horas. Un horno de di fusin a loja normalmente 20 obleas
en un so porte de c uarzo dent ro de un tubo tambin de cuarzo. La tem peratura debe regularse c uidadosament e de forma que sea uniforme en toda la zona. Las fuent es de impure zas pueden ser gases . lq uidos o
s lidos puestos e n cont acto con las superficie s de silicio e n e l inter ior del horno. Co mo impure zas gaseosas
generalmen te se utilizan hidruros de boro. arsnico y fsfo ro. Un gas iner te (nitrgeno) conduce los tomos
de impure za hasta la superficiede las obleas desd e dond e se di funde e n e l silic io.
Para mayor simplicidad de los dibujos. en todas las secc io nes transversales que figuran en los esq uemas
de es te captul o. las zonas de difusin late ral (Fig. 5-5a) figuran co mo vertic ales cuando e n realidad si se
Contacte de base
Contacto de c miMlf

Contacte de colector
Dj fu ~in

aislamiento
Isla de
aistamell10 p

S UstnlO p

'o,
Filur.

s-s. Seccifllransversal de un Ira ns i ~or inlegrado: (a) idealizado. y (h) real .

SllSIr.t lo P

,b

190

Microelectrnica moderna

10'

,
<,

1'..

10'

Difusin de

"
,
10'

fsforo del emisor

,,(tipo 11)

s X 10 1
10

10'

Difusin
de boro de la
base (tipo p)

eoncenrrecr
1
'..
. I
n epf~ la

--- --- ---

"

10
10

- --

I~

- ~ ---

- N, r;

i'
-

0.7m-

X. ll m

~Emi$Or-+Base+-Collor-

Jo'lgura 56. Perfil trpico de impurezas en un transistor monolCtico panar de doble difusin. Obsrvese que N(.\). en tomo por
centrmetro c [Link] en escala logartmica.

abre una ventana en la capa de Sial y por ella se introd ucen impurezas. stas se difundirn lateralmente
la misma distancia que lo hacen verticalmente. Por tanto las impurezas avanzarn po r debajo de la capa
pesivadora de xido y el perfil de las uniones debera trazarse ms reallsticamerne como en la Fg . 5-5h,
En un transistor bipolar se emple an frec uentemente dos difusiones de impurezas. Para un dispositivo
"p llla primera es la difusin de la base tipopen el colector recrec ido epitaxialme nrede tipo". Y la segunda
es la de la regin emisor de tipo 11 en la base tipo p . La Fig. 5-6 represent a el perfil de impu rezas tpico de
un transistor monoltico !lp" con dob le difusin.
La concentracin N ac en el colectorepitaxial est representada por la linea de trazos de la Fig. 5-6. La
co ncentracin N de boro es alta (5 x IO IK tomos/cm) en la superficie y va decreciendo dentro del silicio
como puede verse en la figur a. A ladistanciax .r. en la que N se iguala aN IIC la densidad neta de impurezas
es nula. Para .r <x la concentracin neta de impurezas es positiva. y si .r > .r. ser negativa. Por tanto .r
es la distancia desile la superficie a la que se forma la unin de colector. Para'el transistor cuyo perfil d
impurezas es el de la Fig. 5-6. .r = 2.7 J1m .
La difusin de em isor (fsfo}o) parte con una concentracin superf icial mucho ms alta (prxima a la
solubilidad slida) de unos 11)21tomos/cm) y penetra hasta 2 um en dond e se forma la unin de emisor.
Esta unin se co rresponde con la interseccin de las d istribucio nes de impurezas de base y de emisor.
Puede verse que el espesor de la base de este transistor monoltico es de 0.7 um. Normalmente se trata la
unin emisor-base como abrupta. mientr as que la de base-colector se considera como linealmente gradual
debido a la variacin ms lenta de la concentracin en funcin de la distancia.

Implan tacin de iones

La implantacin de iones es un segundo procedimi ento para introd ucir impurez as. Un haz de iones
apropiados (boro para el tipo p y fsforo para el tipo 11) se aceleran con energas entre los 30 y los 200 ke V.
La profundidad de penetracin se determina por la energa de aceleracin y por la co ncentraci n de iones

Fll 1Jril'(I('j(J" de circ uitos integrados

191

dop cntc s. Este procedimie nto se emplea Ircc ucruemente donde se requie ran capas fin as de si1ic o dopado
como es en la regi n de e misor de un BJT , el canal en un MOS FET y la regin de puerta de UlI JFE T. En
estas zona s fina s la impla ntacin de iones perm ite co ntrolar mejor lu co nce ntrac i n de dopado que el
proce dimiento de di fus in. La c apa de S iO, pasiv ada forma una verdadera barrera fren te a los io ncs
impluruados con lo q ue s lo q uedan dopada s las zonas de fin idas oroluogrfic umen te. Tambin es
vcn tajo-,u la implantacin de ione s P0f{IUC se realiza a baja tempera tura . En consecuencia, las regiones
previamcmc difundidas (o im plantadus l tiene n men o s tendencia a exten de rse lateralm ent e .
Otra part ic ularid ad del proceso de impl antac i n de iones es que e l poten cial de ac ele racin y la
conc c mruc in tic ione s d opan res se reg ulan elctri c am ente de sde fuera del ap arato e n q ue se produce
la implant ac in. Por e l contr ario. en el proceso de d ifusin deb e co ntrolarse la temperatura sob re toda 1;1
superficie dentro de l horno. Todas es tas ve ntaja s han hecho qu e 1;1 imp lantac in de ione s se co nvierta e n
el princ ipal proce d im iento e n la fabricacin de ci rcu itos integrad os.

Metalizacin
La me talizacin se emp lea pa r;l for mar las inte rcon exione s entre los componentes de un c h ip. Estas
cone xio nes se forma n depositando una tenu e capa de alumi n io (el cond uctor ms frecu entemen te usado)
so bre tod a 1,1 superfic ie de l chip. La deposicin se co nsigue por evaporacin e n alto vado en e l inte rior
de un reci pient e . Se ca liem a e l alumi nio h a ~I a q ue se vapor ice . LI S molcul as gaseosas formadas irradian
uniformemente en toda s d irecciones y cubre n co mpletame nte lit superficie de In ob lea. La s uu yectori ns
de las co ne xiones se defin en con una nutscura e liminando por corrosi n el alumini o so brante . En esta
Secc in hem os descrito la tcn ica plunur relat iva a la fab ricac in de circ uitos mon olticos integ rados .
Hem os toca do los sie te proceso s citados al prin cipi o de la Sec o) 2. En las c uatro secc iones sigu ien tes
describ ire mos las sec uencias en estos proceso s necesari os para fabr icar transistores. diod o s, resis tencias
y condensadores .

53. FABRICACIN DE TRANSISTORES BII'OLARES

En e st;1 secc in pretende mos de scribir la fa bricacin de l BJT plana r para c ircuitos mOllol ticos
medi ante lo~ proce sm tratados en la Scc. ) 2. Para segu ir la sec ue nc ia de fabr icac in nos ccnrr urcmos en
la construccin de dos tran sistores IIJlII en la fuen te de co rrie nte de la Fig. ) 1h. E n la Sec . S-R describrem os
la fabricacin de resistenci as.

Fabricacin de transislores
Una vez pre parada la ob lea te fsust raro lipo Jl) se cre ce una ca pa c pitax ialt ipo 1I . lal co rno se ve e n la
Fig. S, 7(/. Esta capa forma las region es de colec to r de los transi stores. Seg uidamente se dep osit a una Clpa
de xido para cubrir la supe rfic ie. Ahora deben aislarse ent re s bI S regiones de ambos tra nsistores . Para
e llo se for man tres venta nas e n el SiO, lFig . 5-7h) med iante foto litog rafa y co rro sin. Se d ifunde una
reg in p' e n la capa epita xial ex puesta hast a q ue alca nce el sustrato. Este proceso estab lece una stu aislada
alrededor de cad a tran sistor co mo se ve e n la vist a supe rior de la Fig. S-h. El aislamiento l'ic frif'O se
COI/.\"i!t /({' conectando el SIIslra lo a la tcnsirl/ m.\" lit'XCII i I 'ti del f' i 1"f'lIiIn. Co n es to se g arantiza q uc 1a un in
pll e ntre los cole c tores y e l sus trato pe rmane zca co n pol anzucin inversa .
Una vez co mp letada la difusin de aislami en to se rec ub re nue vamente la o blea co n una capa de S in ,.
Co n una llueva ms ca ra se forman las ven tanas e n las qu e se d ifund e n las base s de tipo p como sc ve en
la Fig. 5-7il. quedando defi nida s las regione s de las base s e n la vista super ior de la Fig. 5-7t'.

192

Mieroetearonica moderno

Se recrece una capa de Si0 2 para cubrir la oblea despus de la difusin de la base. Con una tercera
mscara y un proceso de corrosin se elimina el SiO l como preparacin para la difusin superficial de
emisor (Fig. 5- 7]). Obsrvese que tambin se difunde una regin 1/+ en la regin de colector de cada
transistor. Aqu se hace el contacto en aluminio del colector, y la zona /1+ contribuye a formar un buen
Regione s de base

Capa epltaxlal n

Sustrato P
(11)

Difuso res de emi sor u+

Ventana de difusin de aislamiento

u+

~SiO' t2 "m
11

'

...

Ij)

( b)

A
:-:--:"'IAil lamienlD pt

L'rJ) ~,,', r.i ,"

~p

..

"

-- --------- -~ -- --------
Ep ilaJr. ial /1

,,-

"

,,+

"

.'
(,)

Difusin de base

Sust rato

Aluminio

e2

El

82

el

81 El

SiO,

Seccin
- transversal

. ; =-'.

(,)

.
"

.-

I d)

Fig. 5-7. Secuencias en la fabricacin de un transistor npn. (a) Crecimtentoepitaxialnpo n, y oxidacin (Sia,); (b) enmascaramiento
y grabado pa ra exponer la superficie tipo n para la difusin de a islam iento; ( e) vista su perior despus de la difusin de aislamiento
tipo p; (dJ difusin de la base; (l!') vista superior despus de la difusin de base ; (J) difusin de emisor n+ (tanto los emisores de los
transistores como las regiones de contactos de los colectores se d ifunden ssmult neamente) ; (g) metalizacin y paslvacin (Sial);
(Il) vista superior del chip mostrando los contactos y las mterconex iones e ntre co m po ne ntes. Obsrvese qu e la capa de SiO se supone
transparente para que sean visibles las regiones de base. em isor y colector. Las dimensiones sea ladas son las no rma lel en los c ircuitos integrados comerciales modernos .

Fabricacin de clrculloslnlegradoJ

193

contacte hmico (vase la Sec o5-1). Despu s de la difusin de co lector se crece otra capa de SiOzsobre
la superficie de la oblea.
El ltimo paso de l proceso es la metalizacin . La capa de x ido se graba con una cuarta msca ra para
desc ubrir la oblea alll,donde se desee n los co mactos. Para recubrir toda la superficie se vaporiza aluminio ;
el sobra nte se elimina qumicamente (una sexta mscara) dejando los contactos y las conexiones deseadas .
En la seccin transversal de la Fig. 5-1g Yen la vista superior de la Fg. 57h puede verse el resultado de
esta secuencia . La Fg. 5-7g es idntica a la Fig. 5-la para QI YQ2.
Las d imensiones sea ladas en la Fg. 5-7 son las tpicas empleadas en la fabricacin comercial de BJT
de _pequea geome tra. Al co nstruirse ambos transistores simultneamente y sicamenre prximos, sus
carac rertstices elctricas son prcticamente idnticas. Para fabricar transistores con propiedades elctricas
distintas, normalmente se modifica la geo metra del disposhi vo. En part icular. para obtener BIT de mayor
corriente (aumento de l u) se aumenta la superficie del emisor, con lo que todo el dispositiv o qued a
aumentado. Empricamente se acostumbra a limitar a 10: 1 la relacin entre las superficies de emisor de
transistores muy prximos entre s, y ello debido a las limilacione s del proceso de difusin.
En la fabricacin de circuitos integrados comerciales corrientemente se emp lea la implanta cin de
iones en las zonas de emisor y de base. Estas regiones son muy tenues y puede regularse mejor su espesor
mediante la implantaci n. Adems, co mo la implantacin se reali za a menor temperatura que la difusin
se minim iza el inconveniente de la difusin latera l de base y em isor.

Capa enterrada
La fabricacin del BIT indicada en la Fig. 5-7 casi siempre se modifica aadiendo un nuevo paso al
proceso como en la Fig. 5-8 (yen la 5-7). Las do s regio nes n' , conocidas como capa enterrada, entre las
capas n y p se depos itan antes del crecimienroepitaxi al. Recurdese que con el smbolo n' se designa una
regin" con mayor concen tracin de dopado que otra des ignada simpleme nte como de tipo n. la
utilizacin de las regioees n' cumple dos funciones: (1) mejora la formacin de la capa epirexial, y (2) la
mayor de nsked de electrones en la ca pa n' reduce la resistencia en serie entre la unin de colector y el
terminal del propio colector (ver Sec. 3-7).

Fabricacin del pnp

La gran mayorfa de transistores bipolares integrados son pnp, si bien en algunos circuitos se neces itan
los npn. Por ejemplo. en el par de emisor acoplado de scrito en la Seco 312. Las resistenci as de colector
QI

Q2

82

CI

S""" p

Fil.'" S.... Tl'lns istores [Link] mo5ll'lndo la capa merncb..

8/

El

194

Mlcror/rclr6nlca modema

Ai~l"miclllo P

S u~lrlllOp

Figura 59. Seccill transyersal de un IransislOflaleral p"p .

ge nera lmen te se logran utilizando un par de tran sistores pss e n co nfig uracin de fuent e de corrie nte. Las
dos clase s de tales transisto res ms corrientemente em pleadas so n el mp latera! y e l pnp vertical.
En la Fig. 5 8 puede apreciarse que la base . e l colector y la regin aislada forman un transistor pnp
parsito. Eltnn ino lateral.. se refiere al hecho de que los tres e lementos est n ubicados en un plano
horizont al contrariamente al plano vertical de los tran sistore s "plI. Anloga me nte. un di spo sitivo p"p
vertical par sito se form a por la base y e l col ec tor del transistor "/'" y e l sust rato de tipo p. Estas
observ acione s cond uce n a la fabricaci n de los dos tipos de tran sistore s I"'P empleados e n c ircui tos
integrados.
El p"p lateral , cuy a seccin tran sve rsal es la de la Fig. 5 9. se form a impl ant ando las reg iones tipo p
de emi sor -y de co lector a l mismo tiem po q ue se fabrican las bases de d isposi tivos IIpll . Asimi smo se forman
simultnea mente e l co ntac to 1/' de base de l tran sistor p"p y los e misores 11' de l BIT II pll. As ve mos q ue
tanto los transistores
como los pllp se fabrica n seg n las mism as sec uencias del proce so. Todo lo que
se necesit a para e l P"P son ve ntanas ad icionales en las mscaras.
El transistor lateral p"p tie ne un valor de ~ F co nsiderablemente meno r que e l del "p". Esto es deb ido
a q ue el e misor de tipop no puede inyectar poriado res mino ritarios e n la base tipo 11 con la mism a eficacia
que lo hace e l emisor tipo u' e n la base tipop de un BJT IIpll . Adem s. la mayor rea de la base y el hech o
de que algunos de los huecos inyectados migren haci a el sustrato hace que d ismin uya e l nm ero de huec os
que lleg an al co lector. Por tanto. Jos transistores pnp laterale s se e mp lea n ge neralmente e n circuitos con
poca co rrie nte de colect or.
El trans istor P"P vertical se emp lea donde se req uieran mayores corrientes y potencias. En la Fig. 5 IO
es t rep resent ado e ste d ispositivo y en ella se ve q ue tam bin puede fabri car se sim ultnea mente y con los
mismos procesos empleados para los transistores npn. Los dos pasos simull neos so n: ( 1) la fabricacin
de las reg iones p de em isor del transis tor pl1p y las bases de los IIpll. y (2) la fabri cacin de la regin n:
de base de l sustrato P"P y los emisores de los transisto res npn.

"1'"

SU5Iralop

Ya hem os hecho notar que e l sustrato debe conectarse a la ten sin ms negativa de l ci rcui to. Por tanto,
un tran sistor p flp ve rtical s lo se puede util izar si su colector es t a una ten sin negati va fijada. A es ta
co nfigu racin se le denomina seguidor d~ emisor y ser come ntada e n la Sec. l O-lO .

Fabricacin de circuitos integrados

195

sial
Aislamiemu p.

( /11

Contacto colec tor

Contacto emisor

Contacto base

Isla aislada

lb!

Figura 511. (a) Seccin transversal. y (b) vistasuperiorde un transistor de mulples emisores.

Transistores de emisor mltiple

La densidad de componentes de un circuito integrado puede mejorarse utilizando racionalmente las
dimensiones [Link] puede ganar espacio empleando un conjunto de dos o ms dispositivos en un mismo
chip que compartan una o ms regiones en comn. Los transistores reunidos ms comnmente empleados
son los de emisor nlllfiple cuya disposicin. representada en la Fig. 5- 11 es la base de la lgica
rrallsisfOr-rranstor (lTL o T'L) que se tratar en la Seco 6-11. En la Fig. 5-11cada lnea de emisor puede
considerarse como el emisor de un transistor separado y cada uno de ellos comparte con los dems una
base y un colector comunes. Efectivamente. esta disposicin simula las dos configurecionesequivalemes
de la Fig. 5-12. Se han fabricado transistores de emisor mltiplecon ms de 60 lneas.

El transistor Schottky
Para aumentarla velocidadde funcionamiento del circuitoes necesario evitarque los transistoresentren
en saturaci n (Sec. 3-8) lo que se puede conseguir empleando un diodo Schonky como enlace entre base
y colector, como en la Fig. 5- 13a. Si se intenta saturar este transistor aumentando la corriente de base. cae
la tensin de colector. D conduce y la tensin base-colector queda limitada a unos 0.4 V. Puesto que la
tensin de colector queda polarizada en directo a tensin inferior a la umbral (0.5 V) el transistor no entra
en saturacin (Sec. 3-6).
Como puede apreciarse en la Fig. 5-13b la metalizacin de aluminio para formar el terminal de base
hace contacto tambin con la regin 11 decolector (perosin intervenir la regin 11' ). Esta simple disposicin

196

Microelulrnlca moderna

forma un diodo metal- semiconductor entre base y colector. El dispositivo de la Fig. 5- 13besequivalente
al circuito de la Fig. 5-130. Esto constituye un transistor Schouky que se representa con el smbol o de la
Fig. 5-13c. Obsrvese que puesto de la unin metal-semiconductor se forma durante el proceso de
metalizacin . este transistor requiere el mismo nmero de pasos en la fabricacin que un dispositivo npn,
8

'"

'"

Figura SoIZ. (a) Tres transistores con colectores y terminales de base comunes y eb) un ltansislOf llnico de emisor mlllliple
equivalente.

El transistor Schottky se emplea en circuitos digitales para aumentar la velocidad de conmutacin.

Existe un cierto retraso (tiempo de almacenamiento) al pasar un transistor de ON (saturacin) a OFF (corte)
porque hay que eliminar primero el exceso de portadores minoritarios en la base . Conectando el diodo
Schonky entre base y colector se evita que el transistor llegue a saturacin con lo que prcticamente se
anula el tiempo de almacenamiento. (Recurdese que el almacenamiento de portadores minoritarios en
un diodo Schonky es prcticamente nulc.)

Transistores Super-ji
En un transistor monoltico npn el valor tpico de i3 F es del orden de 150. Este valor puede aumentarse
hasta 2.000 o 5.000 mediante la implantacin (o difusin) de la regin de emisor en la regin de base de
tipop (Fig. 5-7J). Losdispositivos fabricados de esta forma se denominan transistoressuper-p. Este mayor
valor de P es consecuencia de ser la capa de base ms fina de lo usual. lo que va acompaado de una
disminuci6n de la tensin de ruptura de la unin emisor-base. Por eso estos transistores se utilizan
nicamente en circuitos en los que tal unin quede somet ida a tensin baja.

Diodo Schonky

"

ez

eJ

el ..2"J

'o,

'"

FIKura 513. (a) Diodo Schollky conectado entre base y colector para form ar un tnlnsistor Schollky: (h ) sufonnacin. y (e) sfmbelo
del circuito de un transistor scbonky.

Fabrlcac/6nde c/rcul/os integrados

197

54. FABRICACIN DEL FET

Describiendo el proceso secuencia de la elaboracin del NMOS de acumulacin y de dispositivos de
deplexin, queda explicada la fabricac in de transistores MOS (Fig. 5-2). En esta Seccin se incluye la
construccindel JFET.

Fabricacin del NMOS de acumulacin

El primer paso consiste en recubrir completamente una oblea de tipo n con una capa de nitruro de
silicio (Si}N4) . En la Seco3-2 vimos que los dopantes empleados penetran menos fcilmente en el Si}N4
que en el Si02 El primer paso de mscaray corrosin se usa para definir unazona suficientementeamplia
para abarcar la fuente. puerta y drenaje. El SiJN4 se elimina qumicamente de la superficieexterior de la
zonadel transistor. Seguidamentese implantaunacapa p. junto a la superficie expuestadel sustrato p . La
implantaclnp' sirve para aislar entre sidispositivosadyacentes comose explicen la Seco5-3. Estaparte
del procesosecuencial se completacreciendo unacapa ( I ..lm) de Si02 sobre la reginp implantada, como
se indicaen la Fig. 5140 (la regin Si}N4 no queda afectada por la oxidacin).
En la segunda parte del proceso se elimina el Si N4 (pero no el Si02) sobrante por medio de una
corrosin selectiva recreciendo trmicamente sobre la zona del transistor una fina capa de Si02 (Fig.
5-14b). Este procesofacilita la capa de xido que hay debajo la puerta de los transistores.
Ahorasedepositasiliciopolicristalinollamadomscomnmentepolisiliciosobrelaoblea. Unsegundo
procesofotolitogrfico define la zona de puerta y eliminael exceso de polisilicio. Las Figs. 5-14c y 5-14t/
representan la seccin transversal y la vistasuperior del chip. Las puertasde polisilicioreducenla tensin
umbral VT pordebajode la obteniblecon puertas de metal, y en consecuenciapuedenemplearse tensiones
de alimentacin ms bajas por lo que la mayora de MOS integradoscomercialesse fabrican con puertas
de polisilicio.
Las regiones de fuente n y de drenaje se obtienen nonnalmente por implantacin de iones. El6xido
del campo y la puerta de polisilicio impidenque los dopantes penetren por debajo de esas regiones. Sin
embargo, si penetran en la fina capa de xido pennitiendo la fonnacin del drenaje y de la fuente. A
consecuenciade la implantacin de iones se auto-alineanpuerta y fuente, y puertay drenaje y puesto que
estos electrodos no se superponen, las capacidades entre ellos C" y CJd quedan muy reducidas.
Despusde la implantacin de fuentey drenajese recubretoda la obleacon unacapa protectoraaislante
(normalmente de SiO~) . Para definir las conexiones al dispositivo (incluido el cuerpo B) y dejar al
descubiertopor corrosin las superficies de contacto se emplea una tercera mscara. Luego se vaporiza
aluminiosobreel toraly con una cuarta mscarase perfilen lasconexiones del circuito (Fig.5-l4e y 5-14/).
Obsrvese que la Fig. 514e corresponde a Ql de la Fig. 5-lb.

Autoaislamiento
La implentacinp"de las Figs. 5-1~ y 5-141acta como resistencia baja del contacto B al sustratodel
MOSFET. Normalmente la fuente y el cuerpoestn conectadosentre sr como en la Fig. 5-11kcon lo que
el diodo fuente-sustrato est en corte. En un NMOS la polaridad de la tensin del drenaje es positiva
respecto a la fuente y por tanto respecto al sustrato p. Por tanto, el diodo drenaje-sustratoest en corte
(Fig. 5-14e). Bvideraemente no se necesita ningunaisla aisladaen un transistor MOS y la corrientequeda
confinada al canal entre D y S. En un BIT la difusin de aislamiento ocupa una proporcin muy alta de
lasuperficie del transistor, y esta carenciade lmitesdel aislamientohace que la densidadde empaquetado
del MOSFETsea unas 20 veces mayorque en el transistor bipolar integrado.

198

Mlcroeleclr6n;oo moderna
Capa de xido

_ __ _Lfnea cenlral

,
(.,

Regin de fuente u"

Reg in de drenaje,,+

(d)
Campo de xido

./'

"-

Aislador

Oxido de puerta

(b)

Puene de polisilicio

l"

('1

I{I

FlguraS-14. Fabricacilldel MOSFET de ac umulaci n: (a) implantacin de p+'Y crecimiento grueso de llKto; (b) grabadoselecliv o

de S i N Ycrecimie nto finode xido; (e) depo sici n de la puerta de po lisilicio; (d) vista superior mostrando 1. relacin de aspeclO
tWIL) d~ la puerta 'Y las regione s,,+de d renaje 'Y de fuente implantadas; (t') 'i (j) secci n transversal 'i vista superior mostrando la
metalizacin y la intercomunicaci n entre el sustrato 'i la fuente.

Transistores NMOS de deplexin

La fabricacin de los MOSFET de deplexin es semeja nte a la de los de acumulacin. El nico paso
adicional que se requiere es el de implantacin del cana l 11 (vase Q2 en la Fig. 5 ~ 2b). Este se forma antes
de la deposicin de la capa de puerta de polisilicio y supone un paso ms de mscara y co rrosin.
El proceso NMOS de cuat ro mscaras descrito es el ms sencillo que se puede emple ar. Para mejorar
el rendimiento y tener un control ms efectivo sobre las propiedades elctricas del transistor. muchos
procesos industriales emplean un mnimo de siete mscaras.

Largo y ancho de puerta

Normalmente para obtener transistores de distintas corrientes nominales slo se puede ajustar la

Fabricacinde circuitos integrados

199

geo metrla del dispositivo. Segn la Ec. (45) la corriente de drenaje l o vara con WIL. relacin entre el
ancho y la longitud de puerta. La mayor parte de los chips de alta densidad (VLSI) emplean ele memos de
las mfnima s dimensiones elcan zables tz pm en 1986). Para WL = l tanto el ancho como el largo de puerta
pueden ser de 2 um . Para hacer que WIL = 1/4 como en el Ejemp lo 4-4 se emplea el ancho rnfnimo y se
aumenta L cuatro veces. resullando as una puerta de 2 x 8 um .
Todos los dispositivos fabricados de esta form a son para corrientes dbiles (50 a 300 IlA como se ve
en las Figs. 4 12 y 4-17). Para aumenta r el nivel de corriente hasta por ejemplo I mA. se pueden constru ir
MOSFET con WIL 4 0 W 8 um y L = 2 um . Tericamente se puede aumenta r WIL para tener cualquier
nivel de corriente deseado. Sin embargo al aumentar el rea de la puena se aumenta tambin la capacidad
de l dispositivo 10 ql)C: a su vez afecta desfavora blemente sobre la velocidad de funcionamiento. y por ello
es raro que se fabriquen MOSFET con una relacin WIL mayor que 10.

Fabricacin de J FET
Un FET de canal 11 se fabrica por el proceso de elaboracin de un bipolar. La capa epitaxial que
constitua el colector del BJT ahora se convierte en el canal 11 del JFET . Como se ve en la Fig . 5 15 las
islas aisladas se difunden en la capa epitaxlel n para separar los dispositivos individuales. La reg in de
puerta p' es implantada (o difund ida) en el canal 11 y se crece una tenue capa de x ido . Luego se recubr e
toda la oblea co n SiO,. El enmascarad o y corrosin definen las superficies de contacto para los terminales.
Frecuen temente las regione s 11' se implantan debajo de las regiones de los contactos de drenaje y de fuente
para tener unos buenos contactos hmicos. Seguidamente se recubre el lodo con una capa de alumini o y
con una ltima mscara se perfilan las interco nexiones desead as. El proceso se completa eliminando por
corrosin el aluminio en exceso.
S

, --'Ir-- ....L---''I'--

" __SiOJ
Aislamienlop+

SuW'8l0,.

Figura 515. Fabricacin 'J e~rut1 ura dell rar15 islorde unin de efecto cempo.

QI

QI

.,

NMOS
A

SI

GI

,r
DI

'MOS
A

DI

GI

SI

"

+ J"fll>

Aislador

Carll'
PMOS

SiO:
r,

r. 1

e;

..,

rICura SoI6. tal Secdn IT8ll5yersal del e MOS inteSTado empicado JI3IF1I formar la ronfil uBCin de lb ).

200

M croetearonica moderna

55. TECNOLOGA CMOS

Lo s c ircuitos co mple mentarios metal-xido- se micon du ctor requieren que los transistores N MOS y
PMOS de acumulaci n se Fabriq uen ambos en un mismo c hip. Pa ra co nsegu irlo hacen Falla por lo me nos
dos pasos ad iciona les . E l c ircuitoCMOS de la Fig. 4-38a. repeti do para mayor comodid ad e n la Fig . 5-l6b
es t fab ricado co mo se rep resenta en la Fig. 5- 160. En esta mi sma Figura se ve que e tr ransisro r PMOS se
ha co nstruido e n un asiento de tipo 11 im plantado o d ifundi do e n e l sust rato p. La reg in tipo 11 acta de
cue rpo 82 o de sustrato de l tra ns istor PMOS. y para ob tene r esa reg in se necesita por lo me nos otra
mscara y otra co rrosin. E l segundo paso ad iciona l reque rid o es e l de la im plantacin de iones de las
reg iones de fuente y drenaje tipo p de l P MOS . E l res to de los pro cesos para fonnar las regiones de xid o.
las reas de puerta de polisilicio y la metalizacin son idnti cos a los co rrespondientes a los tran sist ore s
NMOS de ac umulacin.
Como sie mpre. la con fig uracin del ci rcuito es la qu e determi na la mscara de met ali zacin . Por
eje mp lo. el inversor de la Fig. 5- 16h neces ita qu e se fo rme n co nex iones entre D I YD2 as co mo entre G l
yG2 .
Se d ispone n co nex iones al sustrato separadas 8 I Y82. Obsrvese q ue 8 I est unido a S I y co nectado
a la me nor tens in (O V en la Fig . 5- 1611) mientras qu e 82 est co nectado a S2 y manten ido a la mayor
tensin positiva VD!)" Pues to que 8 1 es de tipo p y 8 2 de tipo 11 e l d iodo pn que se forma e ntr e es tas zo nas
es t con polari zaci n inversa . co n lo qu e a utomticame nte e l NMOS y e l P MOS q ueda n aislados entre s.
Hay q ue obse rvar-que e l transistor PMOS oc upa men o s espac io en e l c hip qu e e l NMOS. Esto es porque
la mo vilidad de los huecos e s me nos de la mitad qu e la de los electrones . E l fac tor k de la Ec. (4 .4) es
dir ect am ent e proporcional a la mo vilidad y para que ambos tra nsis tore s co nduzcan la m isma co rriente.
WIL debe ser mayor en e l PMOS que en e l NMOS .

56. DIODOS MONOLTICOS

En la fuent e de co rriente de la F ig. 5 1b la base de Q I est en co rtocircu ito con el colec tor . c on lo que
ex iste una unin d iodo e ntre los te rm inale s de em isor y de base . Es ta es una de las ci nco cone xio nes
posibles. Las tres configurac iones de d iodos ms corrient es son las representadas en la Fig. 5 - 17. que se

Ctodo

I'i~ura

'"

An...lo Clodn
2

An,x!"

",

A",x!n

Ctodo
2

'"

5-17. Seccin transversa! y co nex iones de diodos integ rados: (11) diodo emisor-ba se con el colec to r en ce [Link] con la

base; (b ) diodo emisor-base co n el colec tor abie rto; (" )diod o co tec tc r-base (no hay em isor difundido ni implantad o).

Fabricacin de circuitos integrados

Ctodo comn
J
Anodo
I
o
~

""

201

Anojo comn
J

A."""
,

Ctodo
I

""

Ctodo
1
o
~

Sustrato p

I J

fM

Figura 5-18. Pares de diodos: lu ) ctodo comn: (b) nodo com n.

'o,

'b)

,,'

1/ 1/

,
O

17
11I
0.4

0.8

1.6

Te nsin directa V.

Figllr aS.19. Caraoerncas tensi6noorriente tpicas de los tres tipos de d iodos de la Fig. 5 17: (o ) Unin base-emiso r con el colector cor1ocircuitadocon la base; ( 6) diodo base-emisor (colector abiert o) ; ( C') unin colecto r-base (emisor abierto) (Corlrs(tJ dr FtJir
,hild St miC'onducfor) .

ob tien en a par tir de una estruc tura de BJT emp leando e l di od o emis or-base co n el co lec tor en cort oci rcui to
co n la base (Fig. 5- 17a ). e l diod o co lec tor-base con e l co lec tor abierto (Fig. 5- 17h) Yel d iodo co lec tor -base
co n e l emisor en circuito abie rto (o no co nstruido siquiera) (Fig. 5- 17c). La e leccin de uno u otro tipo
de diod o de pende de las aplicac ione s y prestacio nes deseada s. Los d iodos co lec tor-base son los q ue tienen
mayor te nsin de ruptura nom ina l (-12 V m nimo ) y so n adecuados para form ar sistemas de d iod os co n
ctodo co mn difundidos en una sola isla a islada. como en la Fig . 5 - 18a . Tam bin pued en construirse
d ispositivos co n nodo comn con la difu sin co lec tor-base c omo en la Fig. 5- 18h. Es te ltimo caso prec isa
un aislam iento ind ivid ua l pa ra cada d iodo y los nodos se co nec ta n por meta lizacin.
Se emp lean mucho las reg iones de emisor y de base para forma r di od os. siempre que las tensiones
inversas req ueridas po r e l ci rcuito no exceda n la menor te nsin de ruptura base em isor (-7 V). Pued en
formarse fci lment e d ispo siti vo s de nodo com n medi ante la di fusin de em isor y de ba se emplea ndo
un transistorde em isor m ltiple en una sola zona aislad a. Esta est ructura es la mism a q ue la de la Fig. 5 - 11.
El co lector puede co nectar se a la base (F ig. 5-170) o dej arlo ab ierto (flotante) co mo e n la Fig. 5 - 17h.

202

sticroelectr nico moderna

Caracteristicas del diodo

Las caracrcrbticus direc tas tensin -corrien te de los tres tipos de d iodos c itados anteri orment e so n las
repre ser uaduven la Fig. 5- 19. Pued e o bser varse qu c el tran sistor co nec tado co mo diodo (emi sor -base co n
el co lector co rtoc ircuitado conla base ) pro vee la mxima co nducc in para una ten sin dada. El tiempo
inve rso de rccupemcin de es te diodo es tres o cuatro veces men o r q ue e l del diodo co lec tor -base .

57. CONTACTO METALSEMICONDUCTOR

Son posibles do-, tipos de unin en tre metal y semico nd uctor : la hmica y la rectificadora. La primer a
es la adec uada cuando ha de co nectar untcrmina l a un se miconduc to r. Por o tra parte e l coruactorec ti cad or
e s un d iodo metal- scm iconductor deno minado barrera Schollky {Sec. 2- [2).
Ya se indic e n la Sec. 5 -1 que e l aluminio acta co mo imp ure za tipo p c uando est en contacto co n
el silicio. Si el aluminio se emplea co rno term ina l de un silicio tipo 11 y se pretend e ten er un contacto
hmico. debe ev itarse la forma c in de una unin 1m . Por es te moti vo se hacen difu sione s ,,' e n las regi one s
11 ce rca de la super ficie en que se dcposhu el aluminio (Fig. 5 -7x J. Por otra parte. si se prescinde de la
di fusin 11 - y se de posita di rectamente e l alum inio so bre el silicio tipo 11 se form ar una e structura
eq uiva le nte a una unin 1111 resultando un exce le nte dio do meta l-se mico nd uc tor. En la Fig. 5-200 e l
co ntac to I e-, una barrera Sc honk y. mient ras q ue e l contacto 2 es hm ico (no rectifi cador) existiendo un
d iodo Sc houky e ntre ambo s terminales co mo se ve e n la Fig. ; -20h.

Al

Susuaio tipo 11
I
o

Sustrato

npc p

,.,

Anndo

of

,
o

Ctodo

<"

F'i:ura 5-2 0. (,/) DinlluS dl llll'y integrado: El aluminio ';1 la regi n ligc nauentc dupada /l forman una unin rccucadora, mientras
que la regiln Iucncmc mc dnplda /1" }" el meta l Ionnan un rcntac to hm il;u; lb) Smholn del d iodo Scho nky.

58.

RESISTENC IAS INTEGRA I>AS

En los c ircuitos inte grados monolticos xe obtie nen las resistenci as utilizando la resistividad de
vo lume n de una de las regione s del tran sistor . La tcni ca llls co rrie nte es usa r la regin difund ida o

Figura 5-21. Relativ o a la resistencia pelicula r (lh m s por c uadro).

Fabricaci6n de circuitos integrados

203

implantada de tipo p deltransistor bipolar. Aunque tambi n puede usarse la capa epitaxial y la regi n n'
del emisor. Con la tecnologa MOS a veces se emplea la capa de polisillcio . Ta mbin se emplea para
formar resiste ncias el sustrato tipo 11 del transistor PMOS en la fabricacin del CMOS. La tcnica de
deposicin de una fina pelcula es completamente distinta. y con ella se fabrican resistencias integradas.
En esta seccin describiremos brevemente estos m todo s.

Resistencia pelicular
Las capas semconductoras empleadas para form ar resistencias son muy tenues, y po r ello conviene
introducir una magnit ud llamada resistencia pelicular.
Si en la Fig. 5-21 el ancho W es igual a la longitud L tendremos un cuadro L x L de resistividad p .
espesor r y seccin recta A = Lt. La resistencia de este cuadro (en ohmio por cuadro, indicado con el
sfmbolo UlD ) es:
pL
Rs = LJ

p
,

(5-21

~ -

Obsrvese qu e Rs es independiente del tamao del cuadro. Normalmente la resistencia pelicular de las
difusiones de base y de emisor cuyos perfiles aparecen en la Fig . 5-6 son de 200 y 5 O/ D respectivamente.

Resistencias difundidas
La Fig. 5- 10 representa la fabricacin de una resistencia difu sa de base. y se repite en la Fig. 5-220. El
valor de la resistencia se puede calcular por

pL

-,W
- = R sw

(5-31

en donde L y W son la longitud y el ancho del rea difusa como se puede observ ar en [a vista superior.
Por ejemplo, una resistencia de 25 micras de ancho y 250 micras de longitud contiene 10 cuadros (de 25
X 25 micras) y su valor es de JO X 200 - 2.000 Q , Al calcular R se introducen correcciones empricas para
tener en cuenta los contactos extremos.
Obsrvese que en la Fig. 5-22a la cap a epitaxia l de tipo 11 (1a regin de co lector) sirve para aislar la
resistencia tipo p de los dems componentes del ch ip.
La estructura de una resistencia difusa en emisor de tipo 1/' es s imilar a la de difusin de base. Una
difusin f1~ en la base tipo p se realiza simultneamente con la difusin para los em isores del BJT en el
chip. La regin de base asla la resistencia de los de ms co mponentes.
Puesto que la resistencia pelicular de las regio nes de base y de emisor vienen f ijadas por el proceso de
fabricacin. las nicas variables disponibles para dise ar una resistencia son su ancho y su longitud .
Raramente se emplean anchos menores de 5 um porque los pequeos errores en la mscara o su colocac in
o en la precisin de la fotolitografa pueden suponer una variacin significativa en el valor de la resistencia .
Para aumentar la longitud y por tanto el valor de la resistencia puede emplearse el mtodo sealado en la
Fig. 5-22b que no ocupa mucho lugar en el chip.
La gama de valores que se pueden obtener en las resistencias de difusin est limitada por el espacio
disponible en el chip. Los valores prct icos de resistencia van desde 20 a hasta 30 ka para las resistencias
difundidas de base y entre 10 a y I ka para las de difusin de emisor. La tolerancia resultante de las

204

Microelectrnica moderna

,
Resistencia p
Reg in de aislamiento 11
SUSlTllIOp

ro)

[8

~
JI
1I
<'1

l-

@;
r<l

:"

'1

Figura 522. (a) Seccin transversal: (b ) vistasuperior de una resistencia difundidatipo p; (el procedimiento para aumentar la longitud de la resistencia.

variaciones de l perfil y de los errores geom tricos pueden ser de hasta el 20 % del valor nominal, con
una relacin de tolerancia de l 2 % para el anc ho mnimo . Co n un anc ho de las resistencia del orde n de
las 50 11m la tolerancia mutua es de aproximadamente el 0.2 %. Por esta razn en el diseo de circu itos
integra les conv iene utilizar. cua ndo ello es posib le, la relacin entre resistencias mejo r que el valor
absoluto de stas. El va lor de las resistencias aume nta con la temperatura. En las resistenc ias de difusin
de base esta variacin es del orden de 2.000 ppmfC (partes por milln por grado centgrado), y de 600
ppmf'C en las de emisor.
La Fig. 523 represe nta el circuito equ ivalente de la resistencia de difusin R. comprendidas las
capacidades parsitas de las uniones base -aislamiento C l y de ais lamiento-sustrato Cl' Adems puede
verse que existe un transistor parsit op"p con el sustrato como colector, el aislami ento tipo n como base
y la resiste ncia del material tipo p co mo emisor. El co lector tiene polarizacin inversa porque el sustrato
tipop est a la tensin ms negativa. Tambin es necesario que el emisor tenga po larizacin inversa para
mantener el transistor parsito en corte. Estas cond iciones se cumplen situando todas las resiste ncias en
la misma regin aislada y conectando toda la regin de ais lam iento tipo 11 en tomo a las resiste ncias, al
potencial ms positivo ex istente en el circuito. Los valores tpicos de I3F para est e transistor pars ito van
desde 0,5 a 5.

Resistencias de iones implantados

Como sea que las regio nes de base y de emisor frecuentement e se forma n por implantacin de iones.
puede tambin emplearse este proceso para fonnarre sistencias de la misma estructura que en la Fig. 5 ~22.
Las resistencias de implantacin tipo n se pueden fabricarmed iante un proceso MOS similar al empleado
para fonnarel cana l en un transistor NMOS de deplexi n. Las resistencias obtenidas por implantaci n de
iones tienen valores comparables a los alcanzados con la difusin de base. Sin embargo. las tolera ncias y
las variaciones por la temperatura estn bien por debajo de los que se obtie nen por d ifusin . Los valores

Fabricacin de circuitos integrados

205

F igur a 5-23. Ctrcuuoeq uivalerue de una resiste nc ia d iFund ida .

de las res istencias implantadas se pueden aj ustar hasta el 3 %. Yel coeficiente de temperatura se puede
rebaja r hasta 100 ppmt'c. Tambin las tole rancias mut uas se pueden mejorar en un 25 % en comparacin
con las de difusin.

Resistencias epitaxiales
La resistencia pclicular de la regin epitaxial de co lectores de unas seis veces mayor q ue la de difusin
de base. y por tanto es posible fabri car resistencias utilizando dicha capa epitaxial. Tales resistencias
queda n def inidas por la difusin del aislamiento que las rodea (Fig. 5-22). Este efect o resulta importante ,
y para mantener ajus tados los valores de la resistencia de be contro larse c uidadosame nte la difusin de
aislamie nto. La variacin con la tempera tura de las resiste ncias epit axlal es es de unos 3.000 ppmf C y las
tolera ncias absoluta y mutua son del orden del 30 y del 5 % respectivame nte.

Resistencias de estriccin
Observemos lo que sucede a la resistencia de la Fig. 5-22 si se le aade una difusin de em isor como
e n la Pig . 5-24. El mater ial de tipo 11 no contribuye a la conduccin. pues de hacerlo [a corriente de I a 2
tendra que cruzar en sentido inverso al diodo np hacia el contacto 2. Es decir. que slo circ ular por e l
mate rial n la peq uea corriente de saturaci n inversa del d iodo. Al queda r reducida la seccin recta de la
zona conductora del materialp, aumentar la resistencia. Se pueden formar resistencias de ms de 50 kilo
si bien su valor real no es fci lmente controlable (tolera ncias abso lutas de 50 % con tolerancias mutuas
de t lO %). Las resistencias de esrrccion son no-lineales puesto que depende n de la tensin aplicada.
situaci n anloga a la de la variacin con la tensin del ca nal de un FET.
A es tas resistencias deben aplicarse las mismas limitaciones que a la tensin de ruptura inversa
base-em isor BV"EO (- 6 V) ya que su construccin es idntica a la de una unin base-e misor. presci ndiendo
1

R e~i slcncia

Emisor Flotante
p

Regin de .islamiemo n

Sustrato P

Figura 524. Corte transversalde una resistenciade esrnccin.

de cslricc i n

206

Microetectronca moderna

del term inal de e miso r. Esto no es problema serio ya q ue tetes resistencias se emplean nor malm e nte e n la
polari zacin a baja ten si n a travs de la unin base-emisor con po larizac in directa.
Con resisten cia s e pitaxiales de esrricci n se pueden conseg uir en poco es pacio va lores alt os de
resistencia para ope rar a tensiones m s a lias . La es tructura es la de una resis tencia epitaxial de tipo 11 dentro
de la q ue se hace una d ifusin o implanl acin de tipo p. La base tipo p limit a la conduccin a la capa
epitaxlal aume ntando as la resistenc ia. La unin en tre la base p y la c apa epitaxlal es esencial mente la
unin colector-base de un transistor . Es ta unin tiene una ten si n inversa de ruptura mayor q ue la de la
un in emisor-base .

Resistencias MOS
Los circuitos metal-oxido-semiconductor utilizan generalmente resistencias d ifund ida s o impl antadas
deltipo descrito anterio rme nte. Puede n emplearse tam bin a iras tres es truc turas de resisten cia: la primera
de e llas e s la resis tencia de polisilid o quc se form a al mismo tiempo q ue la regin de puert a d el transist or
MOS. Las tole rancias y los coe ficie ntes de te mperatura de estas resistenci as son co mpara bles a los de las
re sistenc ias d ifundid as .
0 1r0 tipo de resis tencia hace uso dc la difusin tipo JI q ue forma e l sust rato del tran sis tor P MOS e n la
recn olog fa C MOS. [Link] e s an logo a la re sis tencia epita xiat e n la tec nolog fa bipolar. Estas
resistenc ias tienen un coeficiente de temperatura alto y unas to lerancias pobres.
El tercer tipo de resisten cia es et rran sisror MOS en s mism o. C uando se polari za en la regi n hmic a.
e l MOSFET se co mpo rta co mo un a resistencia (no lineal). Adem s. como se ha de scrito e n la Seccin
4 1 1 y e n el Ejemplo 4-4 . tanto los MDSFET de acumulacin como los de deplexin, se emplea n en la
regi n de saturacin como resistencias no line ale s.

Resistencias de pelcula delgad a

Para fabric ar resistenc ias en circuitos integrado s puede e mple arse la t cnica de depositar por vapori zacin una fina pelc ula. El met al (que generalmente e s nicro m INiCr J) se deposi ta con un es peso r men o r
de 1 pm sobre la ca pa de S iDo empleando msc ara y corro sin para conseguir el trazad o deseado. La
res istencia metlic a as form ada se cubre con una capa aisl ante e n la qu e se practic an las aperturas
nece sarias para los co ntactos h m icos. Lo s va lore s normales de la resistenc ia pe licular de estas ca pas de
nicrom est co mprend ida entre 40 y 400 Q/lJ, resullando un as resisten cias de 20 a [Link] Q . El
coefic iente de tem peratu ra y las toleranc ias so n compa rab les a los de las resistencias obtenidas por
implantacin .
Para fabri ca r resi stenci as de pe lc ula fina se em plean tambin otros materiale s tale s co mo e t ramalio.
llegndo se a uno s va lores de resistencia tan alias como de 2 1l11:J y uno s co eficientes de te mperatura
tan bajos co mo 10 pprnf'C.
Las resistencias de d ifusin o de implan tacin no pueden aj us tarse una vez fabri cadas. S in embargo
e n las de pe lcula fin a puede hacerse co n precisin co rtando part e de e lla con un rayo lser. aunque es te
proced imiento es muy co stoso y slo se usa cuando se requ ieren va lores mu y preci sos. Una de e stas
ap licac ione s es la fabricac in de los flhr os activos (Se c. 167 ) q ue se e mp lean en las comunicac iones
telefnicas modernas.

Fabricacin de circuitos integrados

207

5-9. CONDENSADORES INTEGRADOS

Los conde nsadores en los circuitos integrados se fabrica n empleando la capac itancia de la regin de
dep lexin de una unin pn con polar izacin inversa.
A

Metalizacin de aluminio

c ; 0.2 pF/mill

e-uo-so n

e,
Capa lipa n

, e,

J,

Sustrato.

Figura 525. (o)

'"
Condensador integrado lipa unin, y

(bl
(b) circuito equivalente. (Corles(o de MOlOrola bu~. ).

Condensadores de unin
La Fig. 5-250 represe nta la seccin transver sal de un co nde nsador de unin. El co ndensador est
forma do por la unin con polari zacin inversa J 2 q ue sep ara la capa epitaxial de tipo " de la superior de
difusi n de tipo p. Aparece una unin adicional JI entre e l plano epitax ial de tipo 11 y el sustrato, y una
capac idad parsita C I relacionada con es ta unin pola rizada en se ntido inverso. El circ uito eq uivalente de
es te co ndensador de unin puede verse e n la Fig. 5-25b en el q ue la capacidad deseada C, debe se r tan
grande como sea posib le en relacin a C l ' El valor de C 2 de pende de la superficie de la unin y de la
concentrac in de impurezas. Esta unin es, de modo funda menta l. linealmente grad ual. La res istencia R
en ser ie (en tre 10 y 50 Q ) representa la resistencia de la capa tipo 11.
Es ev ide nte que el sustra to debe estar a la tensin ms negati va para min imizar C l y aislar e l
condensador de los dems ele mentos manteniendo la unin 1 1 co n polari zaci n inversa. Puntualicemos
que e l conde nsadorde unin C 2 est polar izado ya que la unin pn 1 2 sie mpre est co n polarizacin inve rsa.

Condensadores MOS y de pelcula delgada

La Fig. 5-260 rep resenta un condensador MOS no polari zado. Esta estructura es la de un condensador
plano paralelo co n Si0 2 como die lctrico (de un espesor de 500 ). La placa s uperiores una fina pelc ula
superficial metlica (alum inio). La placa inferiores la regin ' fuer teme nte dopad a q ue se form a durante
la difu sin (implantaci n) de em isor en un proceso bipolar o durante la impl antacin de las regiones de
drenaje y fuente en los procesos MOS. El circ uito eq uiva lente del co nde nsador MOS es el de la Fig. 5-26b
en el que C 1 represent a la capacid ad parsita de la unin colector-susrraro. y R la peque a resistencia en
serie de la regin 11+ . Obs rvese que la placa superior no es necesariam ente met lica sino que puede ser la
capa de polisilicio empleada para fo rmar las regiones de puerta de l transistor MOS.
Algunos procesos industriales de fabricacin de MOS emplea n dos capas de polisilco ten iendo as
una capa adicional para las intercone xiones entre los compone ntes. Las dos capas de polisilicio es tn

208

Mtcroe ectroutca mode rna

Metalizacin de aluminio:

~2

4 x lU pFIJ-m'

sial

po , 0.5 ncm
Susuao tipo p 5 ncm

~n:
Sustrato tipo p

,.)

,b)

Figur a 5-26. (a ) Estructura, y (h ) circuuo equ ivalente de un conde nsador MOS.

separadas por una ligera zona de SiO, lo que forma un condensador (Fig. 5-27). A los conden sadores
construidos de es ta forma se les denomin a condensadores pot-poti.
Los condensadores de pelcu la delgad a se fabrican de forma similar a los condensadores MOS . Se
vaporiza una pelcula conductora (placa superior) sobre la capa de SiO l (el dielctrico), y la placa infer ior
la forma la regin //' fuer temente dopada debajo del xido.
La capacidad del conde nsador MOS o de unin es bien pequea , generalmente del orden de 4 x 10 ~
pF/~m ! . Un conde nsador de 40 pF ocupa un rea de 1 0~ um ' o cubre un rectngulo de I x O, I mm sobre
la superficie del chip. La mayor parte de los condensadores integrados son de meno s de 100 pF. Se han
conseguido valores por encima de los 500 pF pero slo a expe nsas de ocupar la mayor parte del rea del
chip.
El empleo de pelculas de tantal io puede aumentar 10 veces la capacidad por unidad de superficie .
Co mo dielcrricose recrece una capa bien controlada de perx ido de tantal io (Tap), y para la placa
superior se deposita tantalio metli co (pues el aluminio es soluble ene l Ta,O\). El aumentode la capacidad
se obtiene a expensas de nuevos pasos en el proceso.
- .

Aislamiento.
Polisilicio

~===::!

Figurll 527 . Condensador MOS Formado de dos capas de polisilicio.

S-lO.

EM PACADO DE CIRCUITOS INT EGRADOS

El ciclo de fabricacin queda completado cuando se han cumplido todos los procesos necesario s para
formar e interconectar todos los componentes. Cada ob lea se corta en chips (Fig. 5-3 ) obtenindose as
los sistema s microelectrnicos individuales. Seg uidamente los chips se encapsulan en "pastillas dejndo los prepar ados para su uso. Unas co nexio nes unen los termin ales de los chips con las pati llas de la
pastilla. siendo stas las que unirn los elementos externos con los del chip. En general. las conexiones
ex ternas vienen determ inadas por la forma en que se utilizar el circuito. Norma lmente . las seales de
entrada y de salida. las tens iones de alimentacin . conex in a tierra y en general los compo nentes no
incluidos en el chip se apl ican a las conex iones ex teriores del conj unto.

Pabrcacin de circuitos integrados

209

Com nmente se usa el encapsulado de dos en lnea co mo el de la Fig. 5-28, que puede tener entre 8 y
40 patillas, dependi endo su nmero de la funcin a desempear por el circ uito (a unque no siempre se
utilizan todas).

Figura 528. Encapsutadointr:[Link] en Une. _.

5-11. CARACTERSTICAS DE LOS COM PONENTES INTEGRADOS

Basados en la tecnologa de los ci rcuitos integrados vista hasta ahora, podemo s resumir las caractersticas ms significativas de tales ci rcuitos de la siguiente forma :

1.

2.
3.

4.

5.
6.
7.

8.
9.
10.
11,

Los circ uitos integrados normali zados. de existencia en los almacenes de los fabr icantes. son muy
econ micos. Por ejemplo. el LM741 Op-Amp de la Nationa l Semiconduc tor, conteniendo 21
transistores. 1 diodo. y 12 resistencias se puede adquirir por menos de 50 centavos de dlar (al por
mayor) . Sin emb argo, los chips de diseo especi al (poca produccin) son relativamente cos tosos.
El red ucido tamao de los circuitos integrados permite ubicar sistemas complicados (de varios
centenares de chips) en un solo instrumento de tamao manejable.
Puesto que todos los componentes se han fabricad o s imultneamente en condiciones muy co ntroladas y deb ido a que no existen j untas soldadas . los dispos itivos microelectrn icos son de gran
seguridad.
Debido a su bajo coste se pueden conseg uir circuitos muy complejos en un solo chip para mejorar
sus caractersticas de func ionamiento. La ad icin de un transistor a un circuito integrado lo encarece
en menos de un centavo.
Los parme tros del disposit ivo estn igualados entre s. s iguiendo bien la tempera tura.
Existe un margen restringido en el valor de las resistencia s y capacidades. Normalmente 10 O <R
<50 k n ye <200 pF.
Se consiguen toleranci as pobres al fabricar resistencias y ca pacidades de valores especfflcos . Por
eje mplo. es clsico un 20% de su valor absoluto excepto para los componentes de implantacin
de iones. La tolerancia relativa entre resistencias puede fijarse en 2% ya que todas ella s se han
fabricado al mismo tiempo y con las mismas tcnicas.
Los componentes tienen coeficientes de temperatura altos y pueden ser sensibles a la tensin.
La respuesta en alta frecuencia est limitada por las capacidades parsitas.
No se pueden integrar inductencies ni Iransfonnadore s prct icos.
En la fabricacin de resistencias y capacidades de pelcu la delgada se requie ren pasos extra lo que
aumenta el coste y disminu ye la productividad. Por tanto. estos ds positiv os de pelcula delgada slo
deberfan usarse si se necesitan sus caractersticas especiales. Se utilizan primordialmente cuando se
requ ieren valores precisos de las resistenci as. porque pueden ajustarse co n rayos lser .

512. DISPOSICIN DE LOS CIRCUITOS MICROELECT RNICOS

Conviene ci tar algunas de las tcnic as de integracin ms comnmente emp leada s para aprovec har al
mximo el rea de l chip.

210

Microeleclrdnica moderna

Circuitos bipolares
Las siguientes reglas se emplean en la fabricacin de circuitos bipolare s.
l.

Para tener en cuenta la difusin lateral, prever unos bordes de aislamiento de espesor doble que el
de la capa epitaxial.
2. Puesto que la difusin de aislamiento oc upa una parte apreciab le de la supercie del chip debe
reducirse al minimo el nmero de islas aisladas.
3. Situar todas las resistencias tipo p en una misma isla y conectar ese aislamiento a la tensin ms
positiva del circuito. Con resistencias tipo fil as regiones de aislamiento deben conectarse a la tensin
ms negativa del circuito.
4. En el diseo de resistencias. proyectarlas tan estrechas co mo sea posible de acuerdo co n las
limitaciones del caso. Las resistencias que deb an tener una relacin muy ajustada deben tener el
mismo ancho y estar situadas muy prximas entre s.
5. Todos los transistores que tengan sus co lectores unidos deben situarse en la misma isla aislada. En
muchos circuit os cada transistor debe estar en una isla separada.
6. Conectar el sustrato a la tensin ms negativa del circuito.
7. Reducir las dimensiones de las regiones de emisor)' de base. as como los contactos, al mnimo
compatible con las corrientes del dispositivo.
8. Fijar la geometra de los componentes y de la metalizacin de acuerdo con las exigencias de
funcionamiento del circuito. Por ejemplo, el transistor de la etapa de salida de un amplificador debe
tener ms seccin que los dems transistores si esa etapa de salida ha de suministrar la corriente
mxima.
9. Prever las conexiones metlicas tan carl as y anchas como sea posible. particul armente las de emisor
y colector de un transistor en saturacin.
10. Distribuir los elementos tratando de conseguir el mnimo tamao del chip.
11. Emplear un pautado para el dibujo. lo que simplificar el trazado de las sucesivas mscaras.
12. Reducir al mnimo el nmero de cruces.

Circuitos MOS
Muchas de las reglas anteriores son aplicables tambin para la fabricacin de circ uitos MOS. Obsrvese
que no son necesarias islas aisladas, aumentando as la densidad de co mponentes. En la integracin a gran
escala es importante utilizar para la puerta las dimensiones mnimas compatibles con los niveles de
corriente empleados. Las puertas de polisilicio permiten consegu ir dispositivos ms pequeos. Como el
polisilicio constituye una verdadera barrera para los [Link] implantacin de las regione s de drenaje
y de fuente se auto-alinean reduciendo al mnimo los errores debidos a la co locac in de la mscara.

Cruces
Muy frecuentemente en un circuito monolico se presenta el caso de que deban cruzarse conductores.
Estos cruces no pueden hacerse directamente ya que resulta ra una co nexin elctrica entre dos partes del
circuito. Como todas las resistencias estn protegidas con Si0 2 puede emplearse cualquiera de ellas como
zona de cruce. Dicho de otra form a, si la metalizacin de aluminio pasa por encima de una resistencia no
se establecer ningn contacto elctr ico entre resistenci a y aluminio.
A veces el esquema es tan complejo que pueden necesitarse puntos de cruce adicionales. Se puede

Fabrlcad6" d~ drcui/os btt~,radoJ

211

obtener una estructura de difusi6n muy empleada en circuitos bipolares y que permite los cruces, de la
siguiente forme: durante la fabricacin del emisor se difunden impureus n' a lo largo de una Unea en la
regin epitaxial, abriendo ventanas para el contacto en ambos extremos de tal lnea. Este proceso forma
un conductor difundido. Se deposita aluminio sobre el Si02 aislante (entre los dos contactos extremos)
segn una Une. normal a la seccin difundida formando un cond uctor de conexi n para alguna otra parte
del circuito. Con esto los dos conductores (uno de aluminio y otro de material n) se cruzan entre s sin
que hay. contacto elctrico. Al conduclor de difusin se le denomina cruce enterrado.
En la fabricacin. del MOS se tiene un equivalente al cruce entemdo mediante una segundacapa de polisilicio (Fig. 5-27). En consecuencia puede hacerse una conexin empleando una capa enterrad. de
polisilicio tan bien como con metalizacinde aluminio.

Trazado con computador

Un. vez se ha fabricadoel chip no se pueden modificar los componentes de un circuito integrado. Por
tanto, para un diseo dado se requiere, antes de ponerlo en fabricaci6n, un anlisis ms profundo del que

se requiere para los circuitos con elementos discretos. Se emplean extensivamente los computadores para
el diseo y equipos para el anlisis de circuitos. su fabricaci6n y su disposicin. Estos equipos no se
emplean para el diseo. pero proporcionan la infonnacin necesaria para valorar la eficacia de un diseo
dado. No se fabrica ningn circuito imegredo comercial sin estos anlisis.

REFERENCIAS
I

Grebere, A.B.: -aipolar and MOS Analog Integrated Circuil Design ," John Wiley and Son s, Nueva York.

2
3

Sze, S.M.,ed.: "VLSI TechnoIogy," McGniw -Hill [Link], Nueva Yod, 1983.
Ghandi, S.K.: "VLSI Fabrication Principies," John Wiley andSMs. Nueva Yodo 1983.
CoIdasser,R.A.,yS. DiehJ-NagJe: "MateriaIsand Devic:es-, McGn w-HillBookCompany,NuevaYork, 1985.
Hodgcs. O.E.. Y H.G. Jadcson : Analysis and De:sign of Digital Inlegraled Circuits," McGrawHiII Book
CofTlpany. Nueva York, 1983.
Gny, P.R., y R.O. Meyer: "Allllysis lUId Design of Allllog lntegrated Crcuus," 2' ed., Jobn Wiley andSons o
Nueva York. 1984.
Yang. E.S.: "Fundamentals of Semiconductor Devlces," McO""wHiII Book Company, Nueva York. 1978.
Oldham, W.G.:TheFabrication of Microelectronic Circuits, SclentificAmerimR, vol. 287, n. 3, pp.111128.
Septiembre 1977.

1984.
..
5
6

TEMAS DE REPASO
51, alar cincovenlajasde loscircuilos inlegrados.
5-1. Charlos pasos a seguir en la fabricacin de circuitos monoUlicos integrados.
SJ. Describirel crecimiento ephuial.
5-4.

Describir el proceso de fOlocorrosin.

5-S. (a ) Describir el proceso de difusin.

(b ) ~ se entiende por perfil de impurezas?
5-6.

(o)
(b)

Cmo se forma La capa lupelCial de SiOI ?

Para quf se forman las capas de SiO!?

212
57.
S-S.
5-9.
S-lO.
5-11.
512.
S-U.
5-14.
S-IS.
5-16.
5-17.
5- 18.
5-19.
5-20.
5-21.
5-22.
5-23.

5-24.
5-25.
5-26.

5-27.
5-28.
5-29.
S-JO.
S-JI.
S-J2.

5-33.
5-34.

Microeleclrnica moderna
Explicar cmo se consig ue ~ I mslamiemc entre los componentes de un circuito imegrado.
Cmo se conec tan entre sr los co mponentes de un circuito inlegrndo?
Describir el proceso de implanlacin de iones.
Esbozar la seccin transversal de un lran.s isror bipolar integrado.
Definir la capa enterrada para qu se emplea?
Describir un transistor lateral fJIIP zpor qu es de poca gana ncia de corriente?
Describir un transistor pllp vertical Jlor qu es de empleo restnngko?
Describir un translstcr super-B,
Esbozar la seccin transversal de un l FET de canal 1/ .
Esbozar la seccin transversal de un transistor NMOS de acumulacin.
Repetir el tema anterior para un transistor NMOS de deplexin.
(a) Qu se entiende por polisilicio?
(h ) Qu erecto tiene una puerta de polisilicio?
Esbozar la seccin de un mmsisror compue sto CMOS.
(a) .[Link] fabrican los diodos integrados?
(h) Dibujar esquemticamente los dos tipos de diodos emisor-base.
Esbozar la vista superior de un transistor de mltiple emisor. Sealar las regiones de aislamiento. colector.
base y emisor.
Cmo se hace un cco recrode aluminio con un sibcjc de poe de forma que sea : (a )hmico. y (h) reclificador.
Por qu se elimina etempo de almacenamienrn en un diodo metal-semiconductor?
Qu es un transistor Schou ky? Por qu queda eliminado ~ I tiempo de almacenamiento de taltransisror? Para
cc nstrctr este transistor ,es necesario algn paliO ex tra? Explrquese .
Esbozar la seccin uanversat de un transistor Schotlky integrado.
(a ) Definir la resistencia pelicular R
J
(h ) Esbozar la seccin de una resistencia integrada.
(r1 De qu orden de magnitud es la mayor y la menor resistencia integrada?
(a) Esbozar el circ uito equivalente de una resistencia de difusin de base mostrando todos los elemento s
parsitos.
(h) Qu debe necerse (el leriormenle) para minimizar el efecto de 105 elementos parsil05?
Describir una resistencia de pelc ula delgada.
(a) Esbozar la secc in tranversal de un condensador de unin.
(h) Dibujar el ctrcuite equivaleme mostrando todos los elementos parsitos.
Repetir el tema ante rior para un conde nsador MOS.
Cules son las dos dislinciones bsicasenlre un coecenseccr ce unin y 01 ro MQS?
(a) A qu lensin se conecta el susirero? Por qu?
(h) Repetir el punto (a) para las islas aisladas que contie nen las resiste ncias.
(e) Pueden ubicarse varios transistores en una misma isla aislada? Explquese.
Cilar seis caracrensncas importantes de los com ponentes integrados.
Citar seis reglas aplicables al diseo de circuitos monolicos.

SEGUNDA PARTE

Circuitos y sistemas
digitales

Los circuitos digitales se valen del funcion amiento como interruptor de los dispositivoselectrnicos
para el procesado de seales elctricas representativas de datos numrico s o cod ificados. Estas
seales digitales generalmente son binarias. es decir, que son seales que tienen slo dos niveles
distintos. y se utilizan muy extensamente en sistemas de comunicaci n, control y medicin, as
como en computadores. En esta seccin trataremos de los circuitos y sistemas usad os para el

procesado de seales digitales.

Inclusoen un sistemadigital a granescala son pocas las operaciones distintas que se puedenrealizar
si bien stas puedenrepetirsenumerosas veces. Los cinco elementos que forman un sistema digital
son: sistemas lgicos, aritmticos y circuitos de memoria conjuntamente con los disp ositivos de
entrada y de salida. En el captulo 6 introduciremos los circuitos lgico s llamados tambin puerros
Mgicas. Nos referiremos especialmente al funcionamiento de los bloques constructivos fundamentales que comprenden las cuatro tecnologfas de fabricacin de uso ms comente, que son: NMOS,
CMOS, lgica transistor-transistor (ITL) y lgica de emisor acoplado (ECL). Los circuitos
combinacionales y secuenciales, es decir, la interconexin de muchas puertas lgicas sern tratados
en los captulos 7 y 8 respectivamente.
.
La realizacin prctica de la mayora de circuitos descritos en los cap. 6 y 8 es considerada como
integraci n a pequea escala (SSI) o a medio escala (MSI). En el captulo 9 se estudiarn los
sistemas de integracin o gran escalo (LSI) y a muy grande escala (VLSI). Se incluyen los sistemas
de memoria, formacione s lgicas y microprocesadores.

Circuitos lgicos
bsicos (digitales)

E l lge bra de 8 00l e es un sistema para el anli sis mat emt ico de la lg ica y fue ideada en e l sig lo XIX
por el m atem tico ingls George 8 001e. Las puerta s lgicas se refieren a los ci rc uitos digitales utilizados
en el manej o de las ec uac io nes del lgebra de 8 001e . En e ste cap tulo se trat ar de las puerta s lgicas NOT.
AND y D R (NO . Y. O ) as co me de sus co mpleme nta rias NANO y NO R. E l prin ci pal o bje tivo es describir
c uantitativ ame nte la reali zacin de estas puert as utili zando ci rcuitos integ rados. La s d os familias lgicas
q ue utilizan FETs son las NMOS y CMOS . y las dos famili as lgica s bipolares ms importantes so n las
EC L y TIL. Las c uatro famili as l gicas de pe nden para su func iona mien to de la aptitud de los FET y BJT
para actua r co mo un d ispo sitivo binar io (por ej . un interruptor).
Este ca pitulo lo abrire mos co n un bre ve co me nta rio so bre los nm eros binarios y su rep rese ntaci n
co mo se a les elctricas. A esto le segu ir un a in trod uccin al lge bra de Bo ole . A muchos lector es esto
les pued e servir de rep aso de lo que hayan pod ido Iratar en otros lugares.

61. EL SISTEMA BINARIO

Una se al. o dispositi vo o ci rcuito binari o est en uno de d os es tad os posibles . Por eje mplo .
conside remos el circuito de la Fig . 6 - 1. La ten sin V" es d e 5 V c ua ndo e l interruptor S e st abierto y de
O V cua ndo S e st ce rrado . No son po sibles otro s valo res d e VII' C omo tant o e l inte rru ptor co mo V" est n
en uno u a iro estado. ambos func ionan de un a forma binaria. En los cap tulos 3 y 4 hem o s vis to qu e tant o
e l BJT co rne e! FET tie nen las c aracrenscas de interru ptor goberna do y po r remo so n d ispositivo s binari os .
Los circuito s interruptore s de do s estados co n tran sistores so n rpid os. fiables y eco n mico s y se pued en
fabricar en grandes cantid ades. Por tanto. lo s sis temas digitales ac tuale s trabaj an co n nume rac in binara
o de basedos. Puesto que el lge bra de Bo ole e s la represen tacin lg ica de do s est ados. e l sis tem a binari o
. se utiliza indi stint am ent e para o peraci ones lg icas y aritmtica s y as se utilizaran los mi sm o s c irc uito s
para lle var a ca bo ambas funci ones.
Para de sig nar lo s dos est ados se utilizan 'varias formas. Numricamente los dgitos binarios son I y O;
Yen sis te mas lgicos los d os estados son verd adero y fa lso o s y " no . En e lec trnica frecuentement e se utili zan los sfmbolos ON y OFF o HI y LO . Estos ltimos signos . HI y LO. ge ne ral me nte
corre spo nde n a los nivele s de ten si n o de corrie nte en un e le mento iruerruptor. Para indica r los ni vele s
de ten si n corres po ndie ntes a los dgit os binari os I y O se emplean las design aci one s VI I ) Y VIO)
respecti vam ent e . Puesto que c ualquie r estado e s posible. cada dgito b inario o bit es capaz de tran smitir
informaci n. Un grupo de bits que tenga un det erminado signific ado co nstituye una il/formacin. po/ahra
o ClJigO.
La represe ntac in de los nme ros en e l siste ma bin ario (de base 2 ) e s en lod o anloga a la emplead a
en e l siste ma decimal (de base 10 ). En realidad el nmero deci mal 378 no es ms qu e 300+70+8 o b ien 3
x 10~ + 7 x 10 1 + 8 x leY'. Cada lugar en un nmero decimal representa una po tencia de 10. y cada d gito

2 16

Microelu lr,,/ca moderna

-s v

J~.
~

Figura 6 1. Circuito binario .

es e l nmero de vece s q ue existe la corre spo ndien te potencia de 10. Un nme ro binario es t formado par
una ser ie de los dgitos 1 y Oca da uno de los cuales multiplica una pote ncia de 2. El nmero ID10 11 es =
I x 2~ + O x 2~ + I x 2 1 +O x 21+ I x 2 1+ I X 211 lo q ue es igu al a l nmero deci mal a j . Co n tres dfgitos
decimales se puede n representar 1.000 nmeros distintos. del O al 999. siendo e l mayor de e llos 10 1.1 . De
igual forma, un nmero de 6 bit puede represe ntar 2b valores dis tintos. del OaI 28 _1. Ge nera lizando tene rnos
la relac in de la Ecuacin (6- 1)
(6 1)

N = 2" - I
donde 1/ es el nm ero de bits y N el mayor nmero decima l q ue se puede representar co n 1/ bits.
Un nme ro decimal D se puede pasa r al siste ma binario B de la siguie nte forma :
l.
2.
3.
4.
5.
6.

Fonnar dos filas de nmeros co mo e n la Ta bla 6 1.

Empeza ndo por el extre mo de la derecha. dividi r por 2 e l n mero D y co loca r la parle e ntera D. del
cocient e en la prime ra columna de la fila D.
Co locar e l resto R, (si lo hay) en la primera co lumna de la fila B (R1 ser uno o cero ya que lJ es
recesariame nre par o impa r).
Dividir D, par 2 y colocar e l coc iente D 1 en la seg unda columna de la fila D .
Colocar el resto R, (Oo 1) en la seg unda columna de la fila B.
Re petir los pasos 4 y 5 hasta e ncontrar un cocient e ce ro. Los dgi los de la fila B ledos de izq uierda
a derech a. fonnan la represe ntaci n binaria de l nme ro decimal D . El lugar de m s a la izq uierda.
q ue represe nta la mayor pote ncia de 2 es e l hit n/{;.{ sig lli/imrim (MSB) y e l mas a la derech a e l hit
mellos s ig1/ifkati1'O (LSB).

Tabla 6-1: Co nversi n de decima l a binario

C,,/m/lllll k + /

('O//l/1II1lI 1.;.

R.

n. ,n

Cnlmlllw 2

e n/mI/mI /

D~ =

O 1)/2

N" decima l D
(Fi la D)

R,

N" binario B

D ,f!

R,

Ejemp/o 6-J
Co nvertir e l nmero dec ima l 73 a l siste ma binario.

(Fila BI

Circuitos 16gicos bsicos (digitales)

2 17

Solucin
Preparar una di sposicin semejante a la de la T abla6- 1como se ve en la Tabla 6-2. Laexpresin binari a
de 73 es e l nmero de 7 cifras 100 1001. 10que se puede comprobar calculando:
1001 001 = 1 x 2" + O x

2~

+ O x 2" + 1 x 2' + O x 2'

+ O x 2 1 + I x 2'
= 64 + 8 + I = 73
T abla 6-2: Preparacin para ejem p lo 6-1
8

-2 - o

- - 2
2

'2 =
o

9
2

-,

18
= 9
2

lO

-2
o

-"

JJ
- 36
2

J) =

73

El procedim iento seguido en la Tabla 6- 1 puede ex tende rse para co nven ir un nmero dec ima\ O a otro
de base B. Los suces ivos restos Rl' R1. .R. ledos de izquierda a derec ha forman el nmero de base /l
buscado . Si por eje mplo B = 5. R s lo puede vale r . 1. 2. 3 o 4. Frec uentemente se indica la base e mpleada
medi ante un subndice. AsI. NI" es un nmero decimal y N1 un nme ro binari o.
As como la coma en e l siste ma decimal separa las potencia s positivas y negativas de 10. la coma e n
e l siste ma binario separa las potencias posi tivas y negativas de 2. El nmero binario 10\.0 11 tiene e l
eq uivalente decimal 5,375.
Los nme ros negati vos se represcr uan aadiendo un sig no a la izq uierda del bit ms significativo. Un
(O)designa un nmero positivo y un ( 1) un nmero negativo. A s O" lOOI (Xl l eq uivale al +73 dec imal y
1"1001 001 al -73. El signo " se emplea para indicar que la primer a cifra es ta q ue indica e l sig no.
En el sistema digital se e mplea una variedad de rep resentaci ones de rivada s de nmeros y cd igos
binarios. A\ tralar de la aritm tica binaria e n la Seccin 7-3 introd ucirem os alg unas de ellas.

'' T
1' (0 )

,.,

'"'01

.LL.
,
T

,"

Figu ra 6 -2. Ood n para lg ica: (11) rt Kiliva. y ( h ) Il<'gal iva.

62. LGEBRA DE 1l00LE

El lge bra de Boole es una lgica simb lica de dos es tados . Una variable A asume uno de los dos
valores pos ibles. Oo l . As . A puede ser I (A = 1) o puede ser O(A = O). Si A no es I de be ser O. El lge bra
de Boole conte niendo dis tintas variables req uie re nicamente tres funciones lgicas bsicas llam adas

2 18

Miuo~/u'r"iC'a moderna

ANO. OR Y NOT . Una /",~,.ttll.l( jnJ es un ci rcuito que se e mplea rara c umplimentar una funci n lgica
bsica . Las combinaciones de puertas lgicas sirve n para plan te ar ec uaciones co mplejas de 8 001e. Estos
c ircuitos sern tratados en e l Captulo 7.

Sistema s lgicos
La impl ementacin de la puerta de pende de la fon na e n c..ue se defina una se al bina ria. En un s iste ma
de co ntin ua o nivel l gico un bit se carac ter iza por uno de los dos nive le s de ten si n. S i co mo e n la
Fig. 6 2(1 [a te nsin ms pos itiva es e l nive l I y la ot ra e l O. [V(I V(OlJ. se dic e q ue e l sistema emp lea
lg icapositil'll. Por o tra pa rte un sistema de lgica 1/('grllil'{l . COl1l 0 el de la Fig. 6- 2". es el que desig nol al
potencial m s negativo como I y al m s positi vo como nivel O. 1\' (0 \1 ( 1l l. Hay que te ne r e n c ue nta
que e l valor absolu ro de ambas tensione s no es significativo en esta s definiciones. Concretamente. e l estado
O no repre senta necesar iamente un nivel de te nsin cero. aunque en a lgunos sistemas pueda se rlo.
En un sistema din mi co e de lgice, t/~ [Link]. un bit se reconoce por la pre senc ia o ausen cia de un
im pulso . Un I signific a la existencia de un impulso positivo en un siste ma di nm ico de lg ica positiva y
un im pulso negativo supone un I e n un sistema dinmi co de lgica negativa. En ambos siste mas un Oen
una e ntrada (o salida) en un momento dado s ignifica que no hay impulso a lg uno en ese preciso momento.

La puerta OR
La puerta OR tiene dos o ms entradas y una so la sa lida . y funcio na seg n III siguiente definicin : La
salida de II/W puerta OR t'Sfr ell es/arlo 1 si
(J ms entradas eslcII ell estada l . Las IJ e ntrada s de un
c ircuito lg ico se de signan con A. B.....N Yla salida co n Y. Hay que tener en c uenta q ue cada una de estas
variab le s puede tomar uno de los dos va lores posibles 0 0 l . En la Fig. 3-6a fig ura d smbolo normalizad o
del c ircuito ce ju nto con la ex pres in de 8 00le para e sta puerta. La ec uac in debe leerse .. Y igual a A o B
o ... oN... En luga r de de finir or almente la o peraci n lgica pued e e mplea rse e l m todo de la Tab la de la
verdad que contiene una Tabla de todos los valore s de e ntrada posibles y sus corres pond ientes sa lidas.
Quede claro q ue la tabla de la verdad de dos e ntrada s de la Fig. 6Jbequivale a la defi nicin anterio r de
la ope racin DR.
S uponga mos que las o ndas A y B tie nen los niveles bina rios en funci n de l tiem po rep resentados e n
la Fig. 63('. Entonces. la onda de salida Yen e sa mism a figura se co rres ponde con la labi a de la verdad
de la Fig. 63b para una puerta OR de lgica positiva. Ob srve se que con V (O) = Ose c umple la oper acin
0 11. tanto en el sistema de nive l lgico co mo en e l di nmi co.
Recordando que A. B Y C slo pueden lomar los valores o l . pueden co mprobarse fci lment e las
sig uientes ecuaci ones Booleana s correspond ientes a la operac i n 0 11. (+)

1/1'"

A +B + C :c (A +B) + C= A+(B +C)

A + B

B + A

A + A = A

(62)

16-3)
16-4)

+ 1

= 1

16-5)

+ O =A

(661

Clrcullos (dg;cos bsicos (digUa (ts)

219

Estas ecuaciones quedan j ustificadas lanto por la definicin de la operacin OR como por la labia de
la verdad.
Hemos hallado una puerta OR de un simple diodo: el circuito de la Fig. 2 13 obedece a la tabla de la
verdad de la Fig. 6-3h con Jgka negativa.
A

n,,[
,

A~
<>----:

11

1 T., T,1

1'(0)

r " _~. II.

,.,

.v

T,

o ,

T,

1'11 ,

SlIlida.

Enh11cb

I'eo , ':--;'---!'-~--:'

,
,,
,
, ,,

T,

T,

T,

~::Gr;----T' ',

,
I

T,

lb>
F"'1U ~ 6-3.

Puma0-: la) " mbolodel ~itt1l ilo. l bl lablll de la [Link])onda paral6aica posili"l.

A o---:
_~

11

,----,-

",,1
,
1'10'

r .. 111"

..,

' \'

T,

T,

T,

T,

T,

f,

T,

T,

f,

T,

I'el ,

Salida.

Enlr"a

,
, "u

u
u

,
,

1'10'
I

'",1
1'1011

""
F1111 ~ ,

T,

,.,

T,

... PuM. "..o: (a) Sfmbolodel circuilo; (b)IIb1. de 11 verdad; (e) ondapara l6f:iCl ~i li" .

220

MkroeltctTnica moderna

La puerta AND
La puerta AN O tiene dos o m s e ntradas y una sola salida . y func iona de ac uerdo con la siguiente
definicin: La salida di' un AND esld t I! estado 1 slo si todas las entradas est n t ll l . En la Fig. 6- 4a
puede verse el smbolo de esta puerta y su expresin de 8 00 1e. La ecuacin de be leerse: Yes igual a A y
B y ... [Link] veces se pone un punto (.) o un aspa (x) entre los smbo los para indicar la operacin AN O. )
Se puede comprobar que la labia de la verda d de dos e ntradas de la Fig.
concuerda con la definicin
dada de la operacin ANO . Las ondas de la Fig. 6-4c corre sponden a la tabla de la ve rdad de la Fig. 6-4b
para lgica posi tiva. Anteri ormente a es te ci rcuito se le llam de coincidencia porq ue debe n existir al
mismo tiempo lodos Jos impulsos de entrada para te ner un impu lso de salida.
Puesto que a, 8 y e slo pueden valer Oo I se pueden verificar las siguien tes e xpresiones relativas a
la operacin AN O

6-4"

ABC : IABC : AIBC)

16-71

AS = SA

168 )

AA

(6-9)

Al = A

16- 10)

AO = O

(6- 11 )

AIB + C I = AB + AC

(6- 12)

Estas ec uacio nes se pued en comprobar por la definicin de la operacin ANO. por la tabla de la verdad
o por el com portamie nto de los circuitos ANO vistos ms arriba. Adems. por med io de las ec uaciones
(6- 10) (6 12) Y(6- S) se puede ver que
A

+ AH =A

(6 13)

Anlogamem e. de las Ecs. (6- 12) (6-9) Y(6-5) se deduce que

A +BC= (A + B)( A + Cl

(6 14)

Ms adelante de es te mismo capulc tendre mos ocasin de refer imos a est as dos ltimas ec uaciones.
El circuito de la Fig. 2 13 analizado e n el Ejemplo 2-2 es una disposicin de diodo-resistencia para
puert a ANO de lgica positiva. Todo lo que hay que hacer para tener una pue rta AN O de lgica negativa es
invert ir los diod os.
Obsrvese que este mismo circuito (Fig. 2-13 ) puede em plearse tanto para la puerta ANO de lg ica
positiva como para la puert a OR de lgica negativa. Estoes debido al hecho de que V (O)e n lgica posit iva
y V ( 1) en nega tiva represeman ambas el menor de Jos dos niveles de tens in. y asimismo V ( 1) Y V (O)
son las te nsiones mayores e n lgica positiva y nega tiva respectivameme. Co n es to llegamos a la con cfusin
de que una