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Técnicas Avanzadas de Sputtering

Este informe describe la técnica de pulverización catódica o sputtering, que implica el bombardeo de un blanco con partículas a alta velocidad para arrancar átomos individuales y depositarlos como una delgada capa en un sustrato. Explica que el sputtering requiere generalmente plasma, alto vacío y un campo eléctrico. También describe variaciones comunes como el sputtering con magnetrón y de flujo de gas, así como el sputtering de rayo de iones utilizado en microscopía electrónica.
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Técnicas Avanzadas de Sputtering

Este informe describe la técnica de pulverización catódica o sputtering, que implica el bombardeo de un blanco con partículas a alta velocidad para arrancar átomos individuales y depositarlos como una delgada capa en un sustrato. Explica que el sputtering requiere generalmente plasma, alto vacío y un campo eléctrico. También describe variaciones comunes como el sputtering con magnetrón y de flujo de gas, así como el sputtering de rayo de iones utilizado en microscopía electrónica.
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Informe:

Sputtering
(Pulverizacin Catdica).

Javier Saavedra.

Introduccin:
El presente informe tiene el cometido de generar conocimiento acerca de la tcnica de sputtering o
pulverizacin catdica de alto vaco, una tcnica ampliamente usada en dopaje de placas solares, placas
de vidrio, grabado en semiconductores, microscopia de electrones e incluso espectroscopia de masa de
in secundario.
Es de suma importancia conocer acerca de esta tcnica experimental y la fsica tras esta por la gran
versatilidad. Tomando en cuenta que se lleva usando cerca de 150 aos, el sputtering sigue vigente
gracias a las mltiples mejoras y variaciones que se han creado para satisfacer varias necesidades a
travs de un amplio abanico de disciplinas.

Cuerpo:
Una definicin bastante concisa de esta tcnica proviene del libro Nanofabrication by Ion-Beam
Sputtering: Fundamentals and Aplications.

la erosin de una superficie mediante bombardeo de partculas, y/o


la produccin de una lamina delgada va la deposicin de material en un sustrato.

Si bien esta definicin pareciera estar muy abierta a la interpretacin, es suficiente para englobar las
formas mas comunes de sputtering e incluso algunos eventos naturales que presentan similitudes con
este.
El sputtering cual consiste en el bombardeo a un blanco usando tomos a gran velocidad con el
objetivo pulverizarlo impacto por impacto, requiriendo usualmente plasma, alto vacio (~10 -5 Pa) y un
campo elctrico, los tomos proyectiles son deflectados al blanco1 , con energas cinticas en ordenes
de magnitud de 102eV o (KeV para partculas pesadas como Ar+) se generan colisiones2 capaces de
arrancar3 los tomos individuales de las superficie del blanco. Es con estos tomos arrancados 3 los
cuales se adhieren al sustrato4 creando delgadas laminas de partculas del blanco sobre este. Si bien el
proceso es un tanto turbulento, es posible obtener patrones ordenados sobre ciertos sectores sustrato
gracias que el campo elctrico permite cierto ordenamiento en la partculas.

Sustrato nodo (a tierra)


4

Plasma
(Cationes)

Particulas del
Blanco
3

1
2

Blanco Ctodo(-)
Fig. 1 :Esquema del proceso de sputtering. Refirase a 1, 2, 3 y 4 en el prrafo
anterior

1.- Avances en la tecnologa y variaciones.


Sputtering con Magnetron:
Esta adicin ha pasado a ser una una de las mejoras para sistemas de sputtering mas comunes, incluye
el uso de un campo magntico cerrado para atrapar electrones, esto mejora la eficiencia de la ionizacin
inicial y permite que el plasma sea creado a presiones an mas bajas (esto permite tambin disminuir la
gasificacin del sustrato).

Sputtering de flujo de gas:


Esta tcnica usa el efecto de ctodo hueco (de forma similar las lamparas de ctodo hueco) en que el
plasma pasa a gran velocidad a travs del ctodo (blanco) hacia el sustrato. Al contrario del comn del
sputtering, esta variacin de la tcnica requiere menos energa cintica y altas presiones (~100 Pa),
ademas de poder crear laminas delgadas y nanopartculas tambin permite crear nanopilares.*

Sputtering de Rayo de Iones:


Tambin llamado deposicin por rayo de iones, tiene la caracterstica fundamental de que requiere una
fuente externa de iones y de material particulado y un campo magntico deflector el cual ioniza y
excita el gas para convertirlo en plasma al mismo tiempo que desva y concentra las partculas en un
rayo hacia el sustrato. Esta variante es bastante confiada en campo de la microscopia de electrones
donde es necesario que la taza de deposicin sea relativamente lenta y la posibilidad de cubrir muestras
que de estar dentro de la cmara de plasma se desintegraran.

Fig. 2: Espcimen de hormiga el


cual fue cubierto con oro
mediante rayos de iones

* .- Acorde al paper Sakuma, H., & Ishii, K. (2009). Gas flow sputtering: Versatile process for the growth of nanopillars,
nanoparticles, and epitaxial thin films. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 321(7), 872-875.

Referencias y Bibliografia:
1.

Sakuma, H., & Ishii, K. (2009). Gas flow sputtering: Versatile process for the growth of
nanopillars, nanoparticles, and epitaxial thin films. Journal of Magnetism and Magnetic
Materials, 321(7), 872-875.

2. Tapobrata Som-Nanofabrication by Ion-Beam Sputtering - Fundamentals and Applications CRC Press (2012)
3. Deposicin de capas constituyentes de estructuras multicapa con funciones controlables
elctricamente - Jess Miguel Snchez Barricarte Universidad de Zaragoza (2006)
4. Handbook of Thin Film Deposition -Techniques, Processes, and Technologies Third Edition Krishna Seshan (2012)

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