ANTOLOGA

DE
FSICA ELECTRNICA:
UNA INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA CUNTICA.
UNIDAD 1

UNIDAD 2

UNIDAD 3

UNIDAD 4

UNIDAD 5

UNIDAD 6

CURSO IMPARTIDO EN LA FACULTAD DE CIENCIAS DE LA ELECTRNICA

(BUAP).

OTOO 2015.


PROLOGO

Este curso de Fsica Electronica que se imparte en la Facultad de Ciencias de

la Electronica empieza con una introduccion a la teora de la relatividad, ya que
aparte de ser un tema de interes cultural para cualquier profesionista del area
cientfica es necesaria para entender algunos temas de la mecanica cuantica,
como por ejemplo el efecto Compton.
En la unidad 2, introducimos al alumno a las ideas y descubrimientos que
constituyen el amanecer de la mecanica cuantica o la presencia de acuerdo
a la interpretacion Kuhniana de las revoluciones cientificas*, en las siguientes
unidades se van desarrollando las teoras que muestran de manera gradual como
llegar a los descubrimientos practicos que han hecho de la electronica una disciplina esencial para la ciencia y la tecnologa del futuro.
Esta antologa fue elaborada en equipo por los propios alumnos dentro de la
b
usqueda permanente del conocimiento, despues de una exposicion oral donde
se puso a prueba su capacidad de analisis y sntesis junto con su vocacion para
el aprendizaje autonomo y la interpretacion de diversos resultados cientficos.
*[Link], la estructura de las revoluciones cientficas,(FCE,1986)
Alejandro Palma Almendra
Puebla,Pue. Diciembre 2015


FISICA ELECTRONICA
A LA TEOR
UNIDAD 1: INTRODUCCION
IA DE LA RELATIVIDAD
1.1 Constancia de la velocidad de la luz.
1.2 Postulados de Einstein.
1.3 La transformaci
on de Lorentz.
1.4 Barras y relojes en movimiento.
1.5 Simultaneidad.
1.6 Momento Relativista.
1.7 Masa y energa.
1.8 Relatividad General.

UNIDAD 2: EL AMANECER DE LA MECANICA

CUANTICA
2.1 Radiaci
on del cuerpo negro.
2.2 El efecto fotoelectrico.
2.3 Efecto Compton.
2.4 Dualidad onda-partcula.
2.5 El
atomo de Bohr y los modelos at
omicos.
2.6 Rayos X.

UNIDAD 3: LA MECANICA
CUANTICA
3.1 La funci
on de onda.
3.2 Ecuaci
on de Schr
odinger.
3.3 Partcula en un pozo rectangular finito.
3.4 Oscilador arm
onico.
3.5 Reflexi
on y transmisi
on de ondas electr
onicas.
3.6 Efecto t
unel.

UNIDAD 4: LA F
ISICA DE ESTADO SOLIDO
4.1 Estructuras cristalinas.
4.2 Simetra e indices de Miller.
4.3 Compuestos ternarios y cuaternarios.
4.4 Bandas de energa.
4.5 Masa efectiva.
4.6 Campo electrico de un metal, dielectrico y semiconductor.
4.7 Funciones de distribuci
on y concentraci
on de portadores.
UNIDAD 5: LOS PORTADORES DE CARGA EN LOS SEMICONDUCTORES
5.1 Huecos y electrones.
5.2 Concentraciones de portadores.
5.3 Semiconductores intrnsecos, dopados y compensados.
5.4 Mecanismos de transporte en un semiconductor(arrastre y difusion).
5.5 Ecuaciones b
asicas en un semiconductor.
5.6 Generaci
on y recombinaci
on.
PN
UNIDAD 6: LA UNION
6.1 La uni
on PN si polarizaci
on.
6.2 Uni
on PN bajo polarizaci
on.
6.3 Capacitancia de agotamiento y difusi
on.
6.4 Voltaje de ruptura.
6.5 Modelos de uni
on PN.

UNIDAD 1:
INTRODUCCIN A LA TEORA DE LA RELATIVIDAD.

1.1 La constancia de la velocidad de la luz medir la velocidad de la luz en 1676. Detecto que
el tiempo entre los eclipses del satelite de J
upiter
La composicion y la velocidad de la luz es un tema
que se ha estudiado durante cientos de a
nos. La
velocidad de la luz es considerada como una constante de la naturaleza. Los griegos fueron los
primeros en escribir sus creencias sobre la luz.
Pensaban que emanaba de los objetos y que la

era menor cuando la distancia a la Tierra decreca

y viceversa. El satelite queda oculto por la sombra que proyecta el planeta J
upiter, y se puede detectar facilmente el momento en el que el satelite
aparece de nuevo tras desaparecer breve mente de
la vista del observador terrestre.

vision humana se emita desde los ojos para capturar la luz.

Obtuvo un valor de 214000 km/s, aceptable

dada la poca precision con la que se poda medir

A principio del siglo XVII cientficos crean

en aquella epoca la distancia de los planetas.

que no exista la velocidad de la luz como tal,

pensaban que la luz poda viajar cualquier distancia en forma instantanea.

En 1728 James Bradley (1692-1762) estudio la

velocidad observando el desplazamiento aparente
de las estrellas debido al movimiento de la Tierra

La velocidad de la luz (representada mediante

c) actualmente es una magnitud medida y se ha

alrededor del Sol. Obtuvo un valor de 301000

Km/s.

establecido un valor fijo en el Sistema Internacional de Unidades. Desde 1983 el metro ha sido

Galileo (1564-1642) dudo que la velocidad de

definido como la longitud que viaja la luz en el la luz fuera infinita y describio un experimento.
vaco en el intervalo de tiempo 1/299792.458 de Dos personas toman una lampara con rejillas y
nas diferentes.
un segundo, de forma que la velocidad de la luz se colocan en la cima de dos monta
se define exactamente 299792.458 km/s. Se acept- Una abra la rejilla de su lampara y la otra deba
aba que la luz se transmita de forma instantanea. abrir la suya tan pronto como viera la luz de la
Su fundamento estaba bien establecido mediante lampara del primero. De esta manera se poda
la observacion de eclipses, pero el error fue no calcular cuanto tiempo habra pasado antes de
na. La veconsiderar que la velocidad poda ser tan grande que se viera la luz de la otra monta
que no se detectara ning
un efecto.

locidad de la luz es tan elevada que es imposible

detectarla mediante un experimento de este tipo.

Historia
Armand Fizeau (1818-1868) en 1849 uso un
Ole Roemer (1644-1710), fue el primero en

haz de luz reflejado en un espejo a 8 Km. de dis-

tancia. El haz pasa a traves de una rueda dentada 299792.5 Km/s, mediante un interferometro de
cuya velocidad se incrementa hasta que el haz de microondas y una celda Kerr. A partir de 1970
retorno ha pasado completo en el hueco siguiente. con el desarrollo de aparatos de laser con una esEl valor obtenido es 315000 Km/s. Usando es- tabilidad espectral muy grande y relojes de cesio
pejos en rotacion, Leon Foucault (1859-1868) en exactos, ha sido posible mejorar las medidas, lle1850, obtuvo un valor de 298.000 Km/s.

gando a ser conocida con tan solo un error de un

m/s.

Pruebas acertadas
Descripcion
Albert Abraham Michelson (1852-1931), en
1879, durante una reunion de la Asociacion Amer-

La velocidad de la luz es una constante fsica

icana para el Progreso de la Ciencia, presento el denotada como c. La velocidad c es tambien la

metodo que haba utilizado para determinar la ve- rapidez de la propagacion de la gravedad en la
locidad de la luz, que hallo ser de 300091 km/s, si teora general de la relatividad.
bien en 1926, como consecuencia de los estudios
que realizo en el observatorio de Monte Wilson,

Una consecuencia en las leyes del electro-

dio como valor mas correcto el de 299520 Km/s.

magnetismo es que la velocidad c de radiacion

electromagnetica no depende de la velocidad del

En Estados Unidos, colaboro con Edward W. objeto que emite la radiacion. As, por ejemMorley (1838-1923) para realizar una serie de ex- plo, la luz emitida de una fuente de luz que se
perimentos con el interferometro para conocer la mueve rapidamente viajara a la misma velocidad
influencia que el movimiento de la Tierra pudiera que la luz proveniente de una fuente estacionaria
ejercer sobre un supuesto eter. Estos trabajos (aunque el color, la frecuencia, la energa y el moprobaron la constancia de la velocidad de la luz, mentum de la luz cambiaran; fenomeno que se
siendo la base del principio de la relatividad de conoce como efecto Doppler).
Einstein. En 1907 recibio el premio Nobel de
Fsica.

Si se combina esta observacion con el principio

de relatividad, se concluye que todos los obser-

En 1907 Rosa y Dorsey lograron un valor de vadores mediran la velocidad de la luz en el vaco
299788 Km/s, el mas exacto hasta ese momento. como una misma, sin importar el marco de referencia del observador o la velocidad del objeto
Se han empleado otros metodos para mejorar que emite la luz. De este modo, si la luz es de
la exactitud. En 1958, Froome llego al valor de alguna manera retardada para viajar a una ve-

locidad menor a c, esto no afectara directamente por un cono de luz.

a la teora especial de la relatividad.
Observadores que viajan a grandes velocidades encontraran que las distancias y los tiempos
se distorsionan de acuerdo con la transformacion
de Lorentz. Sin embargo, las transformaciones
distorsionan tiempos y distancias de manera que
la velocidad de la luz permanece constante. Una
persona viajando a una velocidad cercana a c
tambien encontrara que los colores de la luz al
frente se tornan azules y atras se tornan rojos.
Si la informacion pudiese viajar mas rapido
que c en un marco de referencia, la causalidad
sera violada: en otros marcos de referencia, la
informacion sera recibida antes de ser mandada;
as, la causa podra ser observada despues del Fig. 1.1 Cono de luz
efecto.
De acuerdo a la definicion actual, adoptada
Debido a la dilatacion del tiempo de la rela- en 1983, la rapidez de la luz es exactamente 299
tividad especial, el cociente del tiempo percibido 792 458 m/s (aproximadamente 3x108 metros por
entre un observador externo y el tiempo percibido segundo, 300 000 km/s o 300 m por millonesima
por un observador que se mueve cada vez mas de s).
cerca de la velocidad de la luz se aproxima a cero.
Si algo pudiera moverse mas rapidamente que la
luz, este cociente no sera un n
umero real. Tal

1.2 Postulados de Einstein

violacion de la causalidad nunca se ha observado.

La teora de la relatividad, desarrollada funUn cono de luz define la ubicacion que esta
en contacto causal y aquellas que no lo estan.
Para exponerlo de otro modo, la informacion se
propaga de y hacia un punto de regiones definidas

damentalmente por Albert Einstein, pretenda

originalmente explicar ciertas anomalas en el
concepto de movimiento relativo, pero en su
evolucion se ha convertido en una de las teoras

mas importantes en las ciencias fsicas y ha sido transformaciones de coordenadas entre sistemas
la base para que los fsicos demostraran la unidad inerciales.
esencial de la materia y la energa, el espacio y el
tiempo, y la equivalencia entre las fuerzas de la

De sus premisas teoricas obtuvo una serie

gravitacion y los efectos de la aceleracion de un de ecuaciones que tuvieron consecuencias imporsistema.

tantes e incluso algunas desconcertantes, como el
aumento de la masa con la [Link] de sus
La teora de la relatividad, tal como la desar- resultados mas importantes fue la equivalencia
un la conocida formula
rollo Einstein, tuvo dos formulaciones diferentes. entre masa y energa, seg
La primera es la que corresponde a dos trabajos E = mc2 , en la que c es la velocidad de la luz y E
publicados en 1906 en los Annalen der Physik. Es representa la energa obtenible por un cuerpo de
conocida como la Teora de la Relatividad Espe- masa m cuando toda su masa sea convertida en
cial y se ocupa de sistemas que se mueven uno energa.
respecto del otro con velocidad constante (pudiendo ser igual incluso a cero). La segunda, lla-

Dicha equivalencia entre masa y energa fue

mada Teora de la Relatividad General (as se tit- demostrada en el laboratorio en el a

no 1932, y
ula la obra de 1916 en que la formulo), se ocupa dio lugar a impresionantes aplicaciones concretas
de sistemas que se mueven a velocidad variable.

en el campo de la fsica (tanto la fision nuclear

como la fusion termonuclear son procesos en los

Los postulados de Einstein son dos, los cuales que una parte de la masa de los atomos se transdicen:

forma en energa). Los aceleradores de partculas

donde se obtiene un incremento de masa son un

Las leyes de la Fsica coinciden en cada sis- ejemplo experimental clarisimo de la teora de la
tema de referencia inercial. En particular, los sis- relatividad especial.
temas inerciales resultan indistinguibles, lo que
destierra la nocion de sistema de referencia ab-

La teora tambien establece que en un sistema

soluto, e incorpora implcitamente el principio de en movimiento con respecto a un observador se

inercia.

verifica una dilatacion del tiempo; esto se ilustra

claramente con la famosa paradoja de los gemelos:

nos, y que
La velocidad de la luz es independiente de la imaginemos a dos gemelos de veinte a
velocidad de la fuente. Por tanto, la constancia uno permaneciera en la Tierra y el otro partiera
de la velocidad de la luz pasa a ser un princi- en una astronave, tan veloz como la luz, hacia
nos luz de la Tierra;
pio universal, resultando clave para establecer las una meta distante treinta a

al volver la astronave, para el gemelo que se quedo ilegiado, hecho que se conoce con el nombre de
en la Tierra habran pasado sesenta a
nos; en cam- hipotesis del eter. Sin embargo, tras la interpretacion por parte de Albert Einstein de dichas

bio, para el otro solo unos pocos das.

relaciones como transformaciones de coordenadas

genuinas en un espacio-tiempo tetradimensional
1.3 La transformaci
on de Lorentz

la hipotesis del eter fue puesta en entredicho.

Las transformaciones de Lorentz, dentro de

la teora de la relatividad especial, son un conjunto de relaciones que dan cuenta de como se
relacionan las medidas de una magnitud fsica
obtenidas por dos observadores diferentes. Estas
relaciones establecieron la base matematica de la
teora de la relatividad especial de Einstein, ya
que las transformaciones de Lorentz precisan el
tipo de geometra del espacio-tiempo requeridas

las

licadas en 1904 pero su formalismo matematico

inicial era incorrecto.

El matematico frances

Poincare desarrollo el conjunto de ecuaciones en

la forma consistente en la que se conocen hoy
en da. Los trabajos de Minkowski y Poincare
mostraron que las relaciones de Lorentz podan
interpretarse como las formulas de transformacion
para rotacion en el espacio-tiempo cuatridimensional, que haba sido introducido por Minkowski.

por la teora de Einstein.

Historicamente

Las transformaciones de Lorentz fueron pub-

transformaciones

de

Lorentz fueron introducidas por Hendrik Antoon

Lorentz (1853 - 1928), que las haba introducido
fenomenicamente para resolver ciertas inconsistencias entre el electromagnetismo y la mecanica
clasica. Lorentz haba descubierto en el a
no 1900

Forma de las transformaciones de Lorentz:

Las transformaciones de Lorentz relacionan las
medidas de una magnitud fsica realizadas por dos
observadores inerciales diferentes, siendo el equivalente relativista de la transformacion de Galileo
utilizada en fsica hasta aquel entonces.

que las ecuaciones de Maxwell resultaban invariantes bajo este conjunto de transformaciones,
ahora denominadas transformaciones de Lorentz.

La transformacion de Lorentz permite preservar el valor de la velocidad de la luz constante

para todos los observadores inerciales. Una de

Al igual que los demas fsicos, antes del desarrollo de la teora de la relatividad, asuma que
la velocidad invariante para la transmision de
las ondas electromagneticas se refera a la transmision a traves de un sistema de referencia priv-

las consecuencias de que (a diferencia de lo que

sucede en la mecanica clasica) en mecanica relativista no exista un tiempo absoluto, es que tanto
el intervalo de tiempo entre dos sucesos, como las
distancias efectivas medidas por diferentes obser-

vadores en diferentes estados de movimiento son

Vx

t
t = q c2 2

x = qxV t 2
1 V 2

diferentes.

Eso implica que las coordenadas de tiempo y

espacio medidas por dos observadores inerciales

z = z

el factor de Lorentz y la velocidad relativa respecto de la luz:

difieran entre s. Sin embargo, debido a la objetividad de la realidad fsica las medidas de unos

y = y

1 V 2

=q

1
2

1 V 2

V
c

y otros observadores son relacionables por reglas

fijas: las transformaciones de Lorentz para las co-

La transformacion de Lorentz anterior toma

esa forma en el supuesto de que el origen de co-

ordenadas.

ordenadas de ambos sistemas de referencia sea el

Para examinar la forma concreta que toman mismo para t = 0; si se elimina esta restriccion la
estas transformaciones de las coordenadas se con- forma concreta de las ecuaciones se complica. S,
sideran dos sistemas de referencia inerciales u ademas, se elimina la restriccion de que la veloci se supone que dad relativa entre los dos sistemas se de seg
un el
observadores inerciales: O y O
cada uno de ellos representa un mismo suceso eje X y que los ejes de ambos sistemas de coordeS o punto del espacio-tiempo (representable por nadas sean paralelos, las expresiones de la transun, deun instante de tiempo y tres coordenadas espa- formacion de Lorentz se complican mas a
ciales) por dos sistemas de coordenadas difer- nominandose la expresion general transformacion
de Poincare.
entes:
S0 = (t, x, y, z)

SO = (t, x, y, z)

1.4 Barras y relojes en movimiento

Puesto que los dos conjuntos de cuatro coordenadas representan el mismo punto del espaciotiempo, estas deben ser relacionables de alg
un

Es el fenomeno predicho por la teora de la rel-

atividad, por el cual un observador observa que

modo. Las transformaciones de Lorentz dicen que
el reloj de otro (un reloj fsicamente identico al
esta en movimiento uniforme a vesi el sistema O
suyo) esta marcando el tiempo a un ritmo menor
locidad V a lo largo del eje X del sistema y en
que el que mide su reloj. Esto se suele interpretar
el instante inicial t = t = 0 el origen de coordenormalmente como que el tiempo se ha ralentinadas de ambos sistemas coinciden, entonces las
zado para el otro reloj, pero eso es cierto solacoordenadas atribuidas por los dos observadores
mente en el contexto del sistema de referencia del
estan relacionadas por las siguientes expresiones:
observador. Localmente, el tiempo siempre esta

pasando al mismo ritmo.

El fenomeno de la dilatacion del tiempo se

ciones).
En contraste, la dilatacion gravitacional del

aplica a cualquier proceso que manifieste cambios tiempo (como es considerada en la relatividad
a traves del tiempo.

general) no es recproca: un observador en lo alto

de una torre observara que los relojes del suelo

En las teoras de la relatividad de Albert Ein- marcan el tiempo mas lentamente, y los obserstein la dilatacion temporal del tiempo se manifi- vadores del suelo estaran de acuerdo. De esta
esta en dos circunstancias:

manera la dilatacion gravitacional del tiempo es

com
un para todos los observadores estacionarios,

En la teora de la relatividad especial, relo- independientemente de su altitud.

jes que se muevan respecto a un sistema de referencia inercial (el hipotetico observador inmovil)
deberan funcionar mas despacio. Este efecto esta

1.5 Simultaneidad

descrito con precision por las transformaciones de

Lorentz.

Dos eventos son simultaneos cuando suceden

en el mismo instante de tiempo.

En la teora de la relatividad general, los

relojes que esten sometidos a campos gravitato-

Para Einstein, la mayora de las mediciones

rios mayores, como aquellos que se encuentren del tiempo se refieren al concepto de simultanecerca de un planeta, marcan el tiempo mas lenta- idad y lo que entendemos por ello. Seg
un sus
mente. Esta dilatacion gravitacional del tiempo propias palabras:hemos de tener en cuenta que
es mencionada brevemente en este artculo pero todas las afirmaciones que hacemos en las que
se encuentra descrita con mayor amplitud en otro se hace uso del tiempo son siempre afirmaciones
lugar.
sobre sucesos simultaneos, Por ejemplo, cuando
digo este tren llega aqu a las siete en punto
En la relatividad especial, la dilatacion del quiero decir algo parecido a esto: la llegada de
tiempo es recproca: vista como dos relojes que se la manecilla peque
na de mi reloj al siete y la llemueven uno con respecto al otro, sera el reloj de gada del tren son sucesos simultaneos.
la otra parte aquel en el que el tiempo se dilate.
(Suponiendo que el movimiento relativo de ambas

Para definir la simultaneidad, o lo que es lo

partes es uniforme, lo que significa que ninguno mismo, para sincronizar los relojes de dos obserse acelera respecto al otro durante las observa- vadores. Einstein distingue dos casos distintos.

El mas sencillo es la situacion en la que ambos ob- encia en instantes distintos

servadores, A y B, se encuentran en reposo. Situado el verificador de Einstein a la misma distan-

El concepto de simultaneidad puede definirse

cia de ambos, cuando los relojes de cada uno de como sigue:

los observadores estan en punto, emiten una se
nal
luminosa que se refleja en dos espejos, de modo

Dados dos eventos puntuales E1 y E2, que

que Einstein puede ver simultaneamente ambas ocurre respectivamente en instantes de tiempo t1
se
nales. Si estas llegan a la vez, los relojes de A y t2 , y en puntos del espacio P1 = (x1 , y1 , z1 )
y de B estaran sincronizados.

y P2 = (x2 , y2 , z2 ), todas las teoras fsicas admiten que estos solo pueden darse una, de tres

En otro caso se realizaran ajustes en sus relo- posibilidades mutuamente excluyentes:

jes hasta conseguir la sincrona buscada. Esto
genera lo que Einstein llamo sistema com
un de

1. Es posible para un observador estar pre-

tiempos. El caso en el que alg

un observador es- sente en el evento E1 y luego estar en el evento
tuviera en movimiento es mas complicado y lleva E2, y en ese caso se afirma que E1 es un evento
consigo algunos de los misterios de la relatividad. anterior a E2. Ademas si eso sucede no puede
existir otro observador que verifique 2.
2. Es posible para un observador estar presente en el evento E2 y luego estar en el evento
E1, y en ese caso se afirma que E1 es un evento
posterior a E2. Ademas si eso sucede no puede
existir otro observador que verifique 1.
Fig. 1.5 Experimento de Einstein el cual llamo
sistema com
un de tiempos.

3. Es imposible para alg

un observador puntual, estar presente simultaneamente en los even-

Se deduce el hecho de que no se puede de- tos E1 y E2.

cir con sentido absoluto que dos acontecimientos
hayan ocurrido al mismo tiempo en diferentes lu-

Dado un evento cualquiera, el conjunto de

un esas tres categoras

gares. Si dos sucesos ocurren simultaneamente en eventos puede dividirse seg
lugares separados espacialmente desde el punto de anteriores. Es decir, todas las teoras fsicas pervista de un observador, cualquier otro observador miten fijado un evento, clasificar a los demas
inercial que se mueva respecto al primero lo pres- eventos: en (1) pasado, (2) futuro y (3) resto

de eventos (ni pasados ni futuros). En mecanica reposo(energa potencial), esta es la cantidad de

clasica esta u
ltima categora esta formada por los energa que puede medir un observador en resucesos llamados simultaneos, y en mecanica rela- poso de acuerdo con lo postulado por Einstein.
tivista eventos no relacionados causalmente con el Esta energa en reposo no causaba conflicto con
primer evento. Sin embargo, la mecanica clasica lo establecido anteriormente por Newton, porque
y la mecanica relativista difieren en el modo con- esta es constante y ademas persiste la energa en
creto en que esa division entre pasado, futuro y movimiento.
otros puede hacerse y en si dicho caracter es absoluto o relativo de dicha particion.

Einstein lo describio de esta manera: Bajo

esta teora, la masa ya no es una magnitud inalterable pero s una magnitud dependiente de (y

1.6 Momento relativista

En la relatividad especial la relacion energa-

asimismo, identica con) la cantidad de energa.

1.7 Masa y energa

momento es la ecuacion que relaciona las componentes del vector energa-momento con la masa
en reposo. La ecuacion es la siguiente:
E 2 p2 c2 = m2 c4

El concepto de masa en la teora de la relatividad especial tiene dos bifurcaciones: la masa invariante y la masa relativista aparente. La masa

Donde E es la energa, p el modulo del mo- relativista aparente es la masa aparente que va
mento lineal y m su masa en reposo. Esta relacion a depender del observador y se puede incremende energa momento formulada en la relatividad tar dependiendo de su velocidad, mientras que la
nos permite observar la independencia del obser- invariante es independiente del observador e invador tanto de la energa como de la cantidad [Link] hecho, Einstein siempre se refirio a la
de momento. Para velocidades no relativistas, la masa invariante cuando escriba la letra m en sus
energa puede ser aproximada mediante una ex- ecuaciones. Es decir, Einstein ignoro el concepto
de masa relativista.
pansion de una serie de Taylor as:
E mc2 + 21 mv 2
encontrando as la energa cinetica de la mecanica

La masa relativa tiene el mismo valor que la

de Newton. Lo que nos indica que esa mecanica masa invariante pero si esta es comparable con la
no era mas que un caso particular de la actual velocidad de la luz existe una variacion entre amrelatividad. El primer termino de esta aproxi- bas. Conforme la velocidad se vaya aproximando
macion es lo que se conoce como la energa en a la velocidad de la luz, la masa relativista ten-

tambien relatividad particular o restringida, es

dera a infinito.

una teora que describe bien el movimiento de los

Al existir una variacion en la masa relativista cuerpos, pero solo a velocidades constantes, y en
aparente, la cantidad de movimiento de un cuerpo un espacio plano, de tres dimensiones espaciales
tambien debe ser redefinida. Seg
un Newton, la y una temporal.
cantidad de movimiento esta definida por donde
era la masa del cuerpo.

Como esta masa ya

no es invariante, nuestra nueva cantidad de

movimiento relativista tiene el factor de Lorentz
incluido as:
La relatividad especial postula una ecuacion
para la energa, la cual inexplicablemente llego a
ser la ecuacion mas famosa del planeta, E = mc2 .
A esta ecuacion tambien se la conoce como la
equivalencia entre masa y energa.

Fig. 1.8 Albert Einstein (14 de marzo de 187918 de abril de 1955) fue un fsico aleman de ori-

Esta relacion es considerada un Principio de- gen judo, nacionalizado suizo y despues estabido a que no tiene una demostracion general y se dounidense. Es considerado como el cientfico
comprobo que es valida universalmente para toda mas conocido y popular del siglo XX.
forma de energa.
En el universo la gravedad acelera a todos los
En 1907 Albert Einstein llego a la conclusion cuerpos, poniendolos en movimiento. Ademas, la
de que a su teora de relatividad especial le faltaba gravedad es una fuerza universal, en el sentido de
algo que no estaba de acuerdo con la realidad que encontrarse en todo lugar. Entonces, dada esta
vivimos. Es por eso que tuvo que ir un poco mas realidad, podemos afirmar que nada esta en realla y realizar una nueva teora: la teora de la poso: todo en el universo se mueve y con acelrelatividad general.

1.8 Relatividad general

eracion.
Einstein se dio cuenta entonces de que era
necesario generalizar su teora. La teora general de la relatividad de Albert Einstein es uno

La teora de la relatividad especial, llamada de los logros mas imponentes de la fsica del siglo

veinte. Publicada en 1916, explica lo que percibi- luz es siempre la misma, independientemente del
mos como fuerza de gravedad. De hecho, esta movimiento de la persona que lo mide. La relafuerza surge de la curvatura del espacio y del tividad especial implica que el espacio y el tiempo
se entrelazan en un grado nunca antes imaginado.

tiempo.
Einstein propuso que los objetos como el Sol
y la Tierra variaban la geometra del espacio.
En presencia de materia y energa, el espacio
se puede deformar y estirar,formando cordilleras,
monta
nas y valles que causan que los cuerpos se
muevan por estas rutas curvas. As que aunque
la Tierra parezca moverse alrededor del Sol a
causa de la gravedad, en realidad, tal fuerza no
existe. Es simplemente la geometra del espaciotiempo alrededor del Sol la que dice como debe
moverse la Tierra.
La teora de la relatividad general tiene consecuencias de largo alcance. No solo explica el
movimiento de los planetas, sino que tambien

puede describir la historia y la expansion del Uni- Fig 1.8.2 La aproximacion postnewtoniana perverso, la fsica de los agujeros negros, la curvatura mite a los astronomos calcular con suma precision
de la luz de las estrellas y las galaxias distantes.

la posicion y el movimiento de los planetas del

Sistema Solar, teniendo en cuenta los efectos rel-

La relatividad general: la percepcion de Ein- ativistas

stein
A partir de 1907, Einstein comenzo a tratar
En 1905, a la edad de 26 a
nos, Albert Ein- de ampliar la relatividad especial para incluir la
stein propuso su teora de la relatividad espe- gravedad. Su primer exito vino cuando estaba
cial. La teora conciliaba la fsica de los cuerpos trabajando en una oficina de patentes en Berna,
en movimiento desarrollada por Galileo Galilei Suiza. De repente un pensamiento me golpeo,
y Newton, con las leyes de la radiacion electro- recordo. Si un hombre cae libremente, no senmagnetica.

Se postula que la velocidad de la tira su peso ... Este experimento mental simple

... me llevo a la teora de la gravedad. Se dio

En 1919, el astronomo ingles Arthur Edding-

cuenta de que existe una profunda relacion entre ton viajo a la isla de Prncipe situada en la costa

occidental para ver si poda detectar la

los sistemas afectados por la gravedad y los que de Africa
lente de la luz predicha por la relatividad general.

estan acelerando.

Su plan era observar un c

umulo brillante de esEl proximo paso adelante se produjo cuando trellas llamadas las Hades en el momento en el
Einstein introdujo las matematicas geometricas que el Sol pasaba delante de ellas. Para ver la luz
desarrolladas por los matematicos alemanes del de las estrellas, Eddington necesitaba un eclipse
siglo XIX Carl Friedrich Gauss y Bernhard Rie- total de Sol para suprimir el resplandor del nuesmann.

Einstein aplico su trabajo para es- tra estrella.

cribir las ecuaciones que relacionan la geometra

del espacio-tiempo con la energa que contiene.

Si la teora de Einstein es correcta, las posi-

Ahora conocidas como las ecuaciones de campo ciones de las estrellas de las Hades deberan
de Einstein, fueron publicadas en 1916, y susti- cambiar en un porcentaje aproximado de una
nalar
tuyeron a la ley de la Gravitacion Universal de parte entre dos mil de un grado. Para se
Newton. Estas ecuaciones siguen utilizandose hoy la posicion de las Hades en el cielo, Eddington
primero tomo una fotografa en la noche de Ox-

en da.

ford.
Usando la ley de la relatividad general, Einstein formulo una serie de predicciones.

De-

Luego, el 29 de mayo de 1919, fotografio a las

mostro, por ejemplo, como su teora explicaba Hades mientras yacan casi directamente detras
el movimiento del planeta Mercurio. Tambien del Sol durante el eclipse total que se produjo ese
predijo que un objeto masivo,como el Sol, debe da en la isla de Prncipe. Comparando las dos
distorsionar el camino que recorre la luz al pasar mediciones, Eddington fue capaz de demostrar
cerca de el. La geometra del espacio se com- que el cambio fue como Einstein haba predicho
porta entonces como si fuera una lente. Einstein y demasiado grande para ser explicado por la
tambien sostuvo que la longitud de onda de la luz teora de Newton. Tras la expedicion del eclipse,
emitida por una fuente cercana a un objeto ma- hubo cierta controversia en creer que los datos del
sivo se debera estirar, es decir, debera sufrir un analisis de Eddington haban sido correctos.
corrimiento hacia el rojo, ya que sale del espaciotiempo curvado cercano al objeto masivo. Estas

Pero en la decada de 1970, cuando las pla-

tres predicciones ahora se llaman las tres pruebas cas fotograficas fueron analizadas nuevamente, el
clasicas de la relatividad general.
analisis de Eddington demostro ser correcto. El

periodico The Times de Londres publico: triunfa describe la geometra del espacio-tiempo alredela Teora de Einstein. A partir de entonces, a dor de estrellas muy densas, teniendo algunas carnas. Para empezar, justo
medida que se han demostrado mas consecuen- actersticas muy extra
cias de su teora, la relatividad general se ha ar- en el centro de tales organismos, la curvatura
raigado en el saber popular, con su descripcion de del espacio-tiempo se hace infinita, formando una
un Universo en expansion y los famosos agujeros caracterstica llamada singularidad.
negros.
Una caracterstica a
un mas extra
na es una suEn 1959, Robert Pound y Glen Rebka anun- perficie esferica invisible, conocida como el horiciaban la comprobacion del corrimiento al rojo de zonte de sucesos, alrededor de dicha singularidad.
la luz (corrimiento de la longitud de onda), emi- Nada, ni siquiera la luz, puede escapar del hortida por una estrella que se aleja de la Tierra a izonte de sucesos. Casi se puede pensar en la
gran velocidad, lo que constitua la tercera prueba singularidad de Schwarzschild como un agujero
clasica, propuesta por Einstein en 1907.

en el tejido del espacio-tiempo. En la decada de

1960, el matematico neozelandes Roy Kerr des-

La teora general de la relatividad de Ein- cubrio una clase mas general de soluciones para
stein ha revelado que el Universo es un lugar ex- las ecuaciones de campo de Einstein.
tremo. Ahora sabemos que era caliente y denso,
y que se ha expandido durante los u
ltimos 13,7

Describen objetos densos que estan girando,

nos que la solucion de

mil millones a
nos. Tambien dedujo la existencia y son incluso mas extra
de regiones tan densas que deforman el espacio- Schwarzschild.

Los objetos que las soluciones

tiempo, llamadas agujeros negros que atrapan de Schwarzschild y de Kerr describen se conotodo lo que entra en sus garras.

cen como agujeros negros. Aunque todava no

se ha visto directamente ning
un agujero negro,

Agujeros negros en la Teora General de la hay pruebas abrumadoras de su existencia. Normalmente se detectan a traves de los efectos
Relatividad.
que tienen en las inmediaciones de cuerpos astro
Poco despues de que Einstein propusiera su fsicos tales como las estrellas o el gas.
teora de la relatividad general, un fsico aleman
llamado Karl Schwarzschild encontro una de las

El universo en expansion

primeras y mas importantes soluciones a las ecuaciones de campo de Einstein. Ahora conocida

Una de las predicciones mas sorprendentes de

como la solucion de Schwarzschild, este resultado la relatividad general la obtenemos si tenemos

en cuenta lo que ocurre en el Universo en su

conjunto.

Hemos obtenido una medida exacta de la tasa

Poco despues de que Einstein pub- de expansion del Universo y de la temperatura de

licara su teora, el meteorologo y matematico la radiacion remanentes del Big Bang, y hemos
ruso Alexander Friedmann y el sacerdote belga podido observar galaxias jovenes cuando el UniGeorges Lematre demostraron que el Universo verso estaba en su infancia. Ahora se acepta que
debe evolucionar en respuesta a toda la energa el Universo tiene aproximadamente 13,7 mil milnos.
que contiene. Argumentaron que el Universo de- lones de a
bera tener un inicio peque
no y denso, para expandirse y diluirse con el tiempo. Como resul-

La relatividad general predice que el Universo

tado, las galaxias se alejaran unas de las otras. esta lleno de fenomenos exoticos.
Einstein no confiaba en esta conclusion de Friedmann y Lematre, sino que el crea en un Universo
estatico.

El espacio-tiempo puede temblar como la superficie de un estanque y parece estar lleno de una
misteriosa forma de energa que esta expandiendo

Pero un descubrimiento realizado por el el Universo.

astronomo estadounidense Edwin Hubble hizo
que cambiara de idea.

Hubble analizo el ale-

Tambien es posible que el espacio-tiempo este

jamiento de las galaxias de la Va Lactea. De- tan deformado que sea posible viajar hacia atras
scubrio que las galaxias distantes se alejan mas en el tiempo.
rapido que aquellas que estan relativamente cerca.
Las observaciones de Hubble demostraron que el
Universo se esta expandiendo

Bibliografa

Este modelo del cosmos fue conocido mas

tarde como el Big Bang. En los u
ltimos 20 a
nos, [Link]
un gran n
umero de observaciones de gran alcance [Link]
realizadas por los satelites y los grandes tele- [Link]
scopios han aportado a
un mas evidencias de la [Link]
evolucion y expansion del Universo.

[Link]

UNIDAD 2:
EL AMANECER DE LA MECNICA CUNTICA.

2.1 Radiaci
on de cuerpo negro

mision necesitan de la presencia de alg

un medio
que se encuentre en contacto con el cuerpo que se
considera.

Cuando la luz incide sobre un cuerpo

cualquiera, una parte es absorbida por el y otra

No obstante, si aislamos completamente un

parte o bien se refleja en la superficie o bien cuerpo caliente de cualquier medio que pueda esatraviesa el cuerpo se representa en la figura 2.3.1. tar en contacto con el (es decir, hacemos el vacio)
Los detalles particulares de este proceso para cada podemos comprobar que la temperatura tambien
cuerpo concreto se manifiestan por ejemplo en su disminuye con el tiempo y que el cuerpo pierde
color. Un objeto de color blanco refleja casi toda energa.
la radiacion que recibe, mientras que uno de color
negro absorbe casi toda ella. Esta interaccion en-

El tipo de transmision de energa registrado

tre los cuerpos y la luz no se restringe a la luz en estos casos es completamente distinta al de los
visible, sino que se extiende a todo el espectro dos anteriores y se conoce con el nombre de raelectromagnetico.

diacion termica. Para que un cuerpo pierda en-

erga por radiacion no es necesario que se caliente.

Por otra parte, los cuerpos no solo responden La radiacion termica forma parte de un fenomeno
a la radiacion que les llega, tambien ellos emiten. mas general, conocido con el nombre de energa
radiante.
Lo que sucede es que, a las temperaturas ordinarias, la mayor parte de la energa que radian se

Existen varias teoras para explicar la trans-

emite en longitudes de ondas propias del infrar- mision de energa por radiacion. Una de ellas
rojo o mas largas, no es visible.
sostiene que el cuerpo emite paquetes o cuantos de energa y sirve para explicar el efecto
La temperatura de un cuerpo que esta mas fotoelectrico, la radiacion termica, etc. Otra
caliente que su entorno tiende a decrecer con el afirma que la radiacion puede representarse por
tiempo, lo que equivale a decir que el cuerpo esta un movimiento electromagnetico ondulatorio; con
emitiendo energa.

esta base explica los fenomenos de interferencia y

polarizacion de la luz, etc. En la actualidad se

Esta perdida de energa por parte del cuerpo acepta una teora hbrida en la que se asignan a
se puede producir mediante los mecanismos de la vez, a la energa radiante, las caractersticas
conduccion y de conveccion, en los que la mag- del movimiento ondulatorio y de la emision disnitud del intercambio energetico es proporcional continua.
a la diferencia de temperatura entre el cuerpo y
el entorno. Ademas estas modalidades de trans-

A temperaturas ordinarias, los cuerpos se ven tada al polo negativo de la pila, y una placa A
por la luz que reflejan, no por la que [Link] (anodo), conectada al polo positivo de la pila.
embargo, a temperaturas altas los cuerpos son
auto luminosos y es posible verlos brillar en cuar-

Al iluminarse la placa K, entre esta y la

tos oscuros. Si se eleva uniformemente la temper- placa A se produce una corriente (corriente
atura de un cuerpo caliente, se observa: A mayor fotoelectrica) que puede medirse con el galtemperatura, mayor radiacion termica emitida.
vanometro G. Como en el recipiente existe un
vacio, la corriente se produce exclusivamente por
los electrones (fotoelectrones) que se desprenden
de la placa iluminada.

Fig. 2.4.1

Fig. 2.3.1

Hay tres caractersticas fundamentales del efecto

fotoelectrico.
2.2 El efecto fotoel
ectrico
La corriente fotoelectrica de saturacion (o
sea, el numero maximo de electrones liberados
Se llama efecto fotoelectrico a la liberacion por la luz en 1 s) es directamente proporcional
(total o parcial) de los electrones de enlaces con al flujo luminoso incidente.
atomos y moleculas de la sustancia bajo accion
de la luz (visible, infrarroja y ultravioleta). Si

La velocidad de los fotoelectrones crece con

los electrones salen fuera de la sustancia el efecto el aumento de la frecuencia de la luz incidente y
fotoelectrico se denomina externo.
no depende de su intensidad.
El efecto fotoelectrico se observa en los met-

Independientemente de la intensidad de la

ales, la figura.2.4.1 muestra un recipiente provisto luz el efecto fotoelectrico comienza solo con frede una ventanilla de cuarzo que es transparente cuencia mnima determinada (para el metal dado)
para la radiacion optica, dentro del recipiente se de la luz que se denomina frecuencia de corte o
encuentra una placa metalica K (catodo), conec-

umbral.

La parte ab de la curva indica, que aunque

se invierte la polaridad de la diferencia de po-

La figura 2.4.1. muestra la grafica de la cor- tencial, la corriente fotoelectrica no se reduce

riente fotoelectrica en funcion de la diferencia de instantaneamente a cero, lo que hace deducir que
potencial V entre las placas A y K. La intensi- los electrones emitidos por la placa K tienen una
dad de la corriente fotoelectrica, cuando la com- determinada velocidad inicial. Estos electrones
posicion y la intensidad de la luz incidente sobre dejan de llegar a la placa A cuando el trabajo del
la placa K permanecen constantes, depende de campo electrico eV0 , que frena a los electrones, se
la diferencia de potencial V que existe entre las hace igual a su energa cinetica inicial (la energa
placas A y K. En esta grafica se observan dos cinetica maxima)Ec,max = (mv 2 )/2
particularidades:
eV0 =

mv 2
2

Al aumentar la diferencia de potencial V la

corriente fotoelectrica llega a la saturacion

De la fig. 2.4.1 se ve que para ambas curvas,

que corresponden a diferentes intensidades de la

Existe un valor de la diferencia de potencial luz incidente, el potencial retardador es el mismo,

retardadora (potencial retardador)V0 ,llegando al o sea, el potencial retardador no depende de la incual cesa la corriente i.

tensidad de la radiacion incidente, lo que implica

que la energa cinetica maxima es independiente

La corriente fotoelectrica alcanza un valor lim- de la intensidad de la luz.

ite is(la corriente de saturacion) para el cual todos
los fotoelectrones desprendidos del catodo llegan

La segunda y tercera ley del efecto fo-

hasta la placa A. La practica demuestra que con toelectrico esta en contradiccion con la teora onun esta teora una onda
el aumento de la intensidad de la luz incidente dulatoria de la luz. Seg
aumenta tambien la corriente de saturacion, pero electromagnetica al incidir sobre el cuerpo que
solamente a causa de que son emitidos mas elec- contenga electrones debera provocar en ellos vitrones. La intensidad de la luz incidente para braciones forzadas de amplitud proporcional a las
la curva 2 es mayor que para la curva 1. Como amplitudes de las propias ondas luminosas. La
la corriente i = en, , donde n es el numero de intensidad de la luz es proporcional al cuadrado
electrones arrancados en la unidad de tiempo, se de la amplitud de la onda electromagnetica, por
deduce que el numero de electrones arrancados en lo tanto, la luz de cualquier frecuencia, pero de
la unidad de tiempo aumenta con el aumento de intensidad suficientemente grande, debera arranla intensidad de la luz incidente.

car los electrones del metal, es decir, no debera

existir la frecuencia umbral para el efecto fo-

toelectrico.

metal.

Para frecuencias menores que esta de-

saparece el efecto fotoelectrico, por intensa que

Esta conclusion no concuerda con la tercera sea la [Link] tres caractersticas menley del efecto fotoelectrico. La amplitud de las cionadas anteriormente se interpretan facilmente,
ondas luminosas determina la potencia del flujo basandose en la teora cuantica de la luz.
luminoso, la velocidad de los electrones desprendidos debera aumentar con el crecimiento de la

Einstein demostro que todas las regularidades

intensidad de la luz incidente; en otras palabras, fundamentales del efecto fotoelectrico se explican
cuanto mas intensa fuera la luz, tanta mayor en- directamente si se admite que la luz es absorbida
erga cinetica debera recibir de ella el electron. en las mismas porciones (cuantos)E = hv en que,
un Planck, es emitida.
Pero en realidad esto no ocurre: al aumentar la seg
potencia de la luz incidente lo que aumenta es el
numero de electrones que se desprenden; la ve-

Cuando un foton choca con un electron en

locidad de los electrones depende exclusivamente la superficie o en un punto interior infinitamente

de la frecuencia de la luz.
proximo a la superficie de un metal, puede transmitir su energa al electron. Despues del choque
La fig.2.4.2, muestra la grafica obtenida ex- con el electron el foton desaparece. La energa
perimentalmente, del potencial retardador en adquirida por el electron se gasta en el trabajo
funcion de la frecuencia de la luz incidente. necesario para arrancar el electron E0 y en comunicarle una energa cinetica(mv 2 /2. De acuerdo
con la ley de la conservacion de la energa tendremos que:
hv =

mv 2
2

+ E0

Esta es la formula de Einstein. Expresando la

energa cinetica del electron por medio del trabajo
del campo electrico , se puede escribir la formula
de Einstein de la forma:
Fig. 2.4.2
Cuanto mayor sea la frecuencia de la luz, tanto
mayor debe ser el potencial retardador.

hv = eV0 + E0

Ade-

mas, la grafica pone de manifiesto que existe una

frecuencia de corte V0 , caracterstica para cada

De esta ultima igualdad se deduce que:

V0 = he v +

E0
e

Esta formula es la expresion analtica de la

grafica 2.4.2,V0 = f (v) .

El hecho de que la

energa cinetica de los fotoelectrones es funcion

lineal de la frecuencia se deduce de la hipotesis
seg
un la cual la absorcion de la luz se realiza en
porciones de energa E = hv .
De la misma forma se explica la proporcionalidad que existe entre la corriente de saturacion y
la potencia de la luz que incide.
Al aumentar la potencia del flujo luminoso aumenta tambien el numero de porciones de energa
E = hv y por consiguiente el numero n de elec- Fig. 2.8.1 Arthur Holly Compton (Wooster,
trones arrancados en la unidad de tiempo. Como Ohio, Estados Unidos,1892-1962) fue un fsico esi0 es proporcional a n, esta claro que la corriente tadounidense galardonado con el premio Nobel de
de saturacion es tambien proporcional a la poten- Fsica en 1927.
cia de la luz.
El efecto Compton es el cambio de longitud
2.3 El efecto Compton

de onda de la radiacion electromagnetica de gran

energa al ser difundida por los electrones. Ya

El efecto Compton consiste en el aumento de

la longitud de onda de un foton de rayos X cuando
choca con un electron libre y pierde parte de su
energa. La frecuencia o la longitud de onda de
la radiacion dispersada depende u
nicamente de la
direccion de dispersion. El desplazamiento de la
longitud de onda de los fotones no depende por
tanto de la naturaleza del medio en el que se produce la dispersion, sino u
nicamente de la masa de
la partcula que deflecta el foton (generalmente
electrones) y de la direccion de deflexion.

que el efecto Compton constituyo la demostracion

final de la naturaleza cuantica de la luz tras
los estudios de Planck sobre el cuerpo negro y
la explicacion de Albert Einstein del efecto fotoelectrico.

Descubierto por Arthur Compton,

este fsico recibio el Premio Nobel de Fsica en

1927 por la importancia de su descubrimiento, ya
que el efecto Compton constituyo la demostracion
final de la naturaleza cuantica de la luz tras los estudios de Planck sobre el cuerpo negro y la explicacion de Albert Einstein del efecto fotoelectrico.

En el efecto fotoelectrico consideramos que Las colisiones en las que le energa no se conserva
el electron tena una energa E = hv. Ahora, producen deformaciones permanentes de los cuerpara explicar el efecto Compton, vamos a tener pos y se denominan inelasticas. Tras el choque
en cuenta tambien que el foton tiene un momento la situacion de ambas partculas vara. El foton
lineal p = E/c. Suponemos que tenemos un foton dispersado vara su energa y su momento lineal
que golpea a un electron, tal y como indica la en funcion del angulo de dispersion. El electron,
siguiente figura:

al verse desplazado por el choque, adquiere momento lineal.

Teniendo en cuenta que en un choque elastico
se conserva el momento lineal y la energa del sistema, es decir, que su valor es el mismo antes y
despues del choque, vamos a obtener las formulas
del efecto Compton. Cuando se analiza la radiacion electromagnetica que ha pasado por una
region en la que hay electrones libres, se observa
que ademas de la radiacion incidente, hay otra de

Fig. 2.8.2 Colision de un foton a un electron

Antes del choque tenemos que el foton se en-

frecuencia menor.
La frecuencia o la longitud de onda de la ra-

cuentra con una energa E = hv y con un mo- diacion dispersada dependen de la direccion de
mento lineal, p = hv/c. En cuanto al electron, su la dispersion. Sea la longitud de onda de la
0
energa es equivalente a E = mc2 , mientras que radiacion incidente, y la longitud de onda de
al estar inmovil, su momento lineal es cero. El la radiacion dispersada. Compton encontro que

foton colisiona con el electron mediante un choque la diferencia entre ambas longitudes de onda estaba determinada u
nicamente por el angulo de
elastico.
dispersion, del siguiente modo:
En fsica, se denomina choque elastico a una
0
colision entre dos o mas cuerpos en la que estos = c(1 cos)

no sufren deformaciones permanentes durante el

impacto. En una colision elastica se conservan

Donde

es

una

constante

que

vale

12
m. Se explica el efecto Compton en
tanto el momento lineal como la energa cinetica 2.4262X10
del sistema, y no hay intercambio de masa entre terminos de la interaccion de la radiacion electro-

los cuerpos, que se separan despues del choque. magnetica con electrones libres, que suponemos

inicialmente en reposo en el sistema de referen- descubrimiento represento la prueba experimencia del observador. Hemos obtenido el valor de la tal de la existencia de los fotones.

El efecto

constante de proporcionalidad c a partir de las Compton permite medir la intensidad de los rayos
constantes fundamentales h, mc y c.

gamma, lo que resulta de gran utilidad en fsica

de partculas.

Llegamos entonces a la conclusion de que

podemos explicar la dispersion de la radiacion

Otra consecuencia practica del efecto Comp-

electromagnetica por los electrones libres como ton, esta vez negativa, es que provoca en las radiouna colision elastica entre un foton y un electron grafas un ensoberbecimiento de la imagen debido
en reposo en el sistema de referencia del obser- a la degradacion de los rayos X y a la emision de
vador.

electrones parasitos.

2.4 Dualidad onda partcula

En el contexto de la fsica clasica, el modelo corpuscular de la luz (el cual esta constituido por fotones) y el modelo ondulatorio (el
cual consiste en la propagacion del campo electromagnetico) son incompatibles. En el mundo
2.8.2 Dispersion de la radiacion electro- macroscopico resulta muy evidente la diferencia
entre una partcula y una onda; dentro de los
magnetica
Fig.

dominios de la fsica cuantica, ambos comporA partir de las ecuaciones de conservacion del tamientos de la luz, que parecan contradictorios,
momento lineal y de la energa, llegamos a la se pudieron integrar en un modelo coherente. Un
ecuacion.

conjunto de partculas, como un chorro de electrones moviendose a una determinada velocidad

un todas las propiedades

Consecuencias y aplicaciones del efecto Comp- puede comportarse seg
y atributos de una onda, es decir: puede refleton
jarse, refractarse y difractarse. Por otro lado, un
El efecto Compton es la difusion de fotones rayo de luz puede, en determinadas circunstandebido a interacciones entre la radiacion elec- cias, comportarse como un chorro de partculas
tromagnetica y la materia.

En su epoca, su (fotones) con una cantidad de movimiento bien

definida. As, al incidir un rayo de luz sobre la su-

perficie lisa de un metal se desprenden electrones de 1987), fue galardonado en 1929 con el Premio
de este (efecto fotoelectrico).

Nobel de Fsica, por su descubrimiento de la naturaleza ondulatoria del electron.

La energa de los electrones arrancados al

metal depende de la frecuencia de la luz incidente

Cada partcula en movimiento lleva asoci-

y de la propia naturaleza del metal. Un avance ada una onda, de manera que la dualidad ondafundamental que permitio esta integracion e im- partcula puede enunciarse de la siguiente forma:
pulso el desarrollo de la fsica cuantica fue una una partcula de masa m que se mueva a una vehipotesis, la hipotesis de De Broglie, atribuyo a locidad v puede, en condiciones experimentales
toda partcula con impulso, p para una partcula, adecuadas, presentarse y comportarse como una
de masa m, y velocidad v, p = mv, una onda onda. La relacion entre estas magnitudes fue esasociada, cuya longitud de onda es = h/p (h tablecida por el fsico frances Louis de De Broglie
es una constante universal, llamada constante de en 1924.
Planck). La fsica cuantica generalizo la hipotesis
de De Broglie, para considerar que toda entidad

mv = p = h/

fsica (las partculas y tambien los fotones) tiene

una naturaleza dual, de tal forma que su com-

Cuanto mayor sea la cantidad de movimiento

portamiento global presenta dos aspectos comple- (mv) de la partcula menor sera la longitud de
mentarios: ondulatorio y corpuscular.
onda (), y mayor la frecuencia (n) de la onda
asociada. As, el hecho de que un electron, por
ejemplo, tenga masa y cantidad de movimiento
(propiedades corpusculares), pero tambien una
longitud de onda (propiedad ondulatoria), supone
que en una colision con otro electron, predomine
el comportamiento corpuscular de ambos, pero
tambien ocurre que un haz de electrones se
difracta cuando pasa por un peque
no orificio circular de tama
no comparable a su longitud de
onda.
Tambien dos haces de electrones pueden producir interferencias y as se comprueba en un exFig. 2.6.1 Louis Victor de De Broglie(Dieppe, perimento consistente en hacerlos pasar a traves
ultiple. Estas interferenFrancia; 15 de agosto de 1892- Pars, 19 de marzo de una rendija doble o m

cias se producen aunque los electrones se lancen se puede aplicar a toda materia. Los cuerpos
de uno en uno hacia las rendijas, de manera que el macroscopicos, tambien tendran asociada una
resultado observado en la pantalla no es fruto de onda, pero, dado que su masa es muy grande,
un proceso estadstico producido por la inciden- la longitud de onda resulta tan peque
na que en
cia de un n
umero elevado de electrones, sino que ellos se hace imposible apreciar sus caractersticas
realmente cada electron interfiere consigo mismo. ondulatorias.
Historia
Louis de De Broglie fue el primero en abrir
camino a la mecanica cuantica.

Sugirio que

toda la materia, incluido los electrones, tienen

un comportamiento caracterstico por una longitud de onda. Este comportamiento no se observa en objetos macroscopicos, porque la longitud de onda asociada a ellas es extremadamente
peque
na. Para ilustrar este comportamiento se
usan experimentos de difraccion de partculas y
ondas, as como simulaciones de difraccion de
Fig. 2.6.2 Dualidad onda-partcula en el cual se electrones que justifican el caracter ondulatorio
observa como un mismo fenomeno puede tener de estos
dos percepciones distintas.
Las teoras de Bohr y Sommerfeld no podan
Este mismo concepto de dualidad onda- explicar los detalles de los espectros de atomos de
partcula se aplica a los fotones, las entidades de muchos electrones.
masa nula que forman la luz. Un foton tiene
un comportamiento corpuscular, por ejemplo,

Para resolver el problema era necesario de-

cuando colisiona con otros fotones, como ocurre ducir previamente una mecanica aplicable al
en el efecto fotoelectrico, con partculas (elec- mundo microscopico del atomo. A esta nueva
trones, protones...), pero un haz luminoso (un mecanica se le llama Mecanica Cuantica.
haz de fotones) manifiesta un comportamiento
ondulatorio (onda electromagnetica) cuando, por

Schr
odinger postulo una ecuacion apoyandose

ejemplo, se difracta, se polariza o produce inter- en la hipotesis de De Broglie sobre la naturaleza

ferencias luminosas. La ecuacion de De Broglie, de la luz.

Teora Corpuscular

pendicular a las direcciones de propagacion.

Esta teora se debe a Newton (1642-1726). La

luz esta compuesta por diminutas partculas materiales emitidas a grandes velocidades en lnea
recta por cuerpos luminosos.

La direccion de

propagacion de estas partculas recibe el nombre

de rayo luminoso.
Seg
un esta teora la luz de propagara con
mayor velocidad en medios mas densos. Es uno
de los puntos debiles de la teora corpuscular.
La teora de Newton se fundamente en estos
puntos:
Propagacion rectilnea

Fig. 2.6.3 Principio de Huygens

La teora ondulatoria explica perfectamente
los fenomenos luminosos mediante una con-

Reflexion

struccion geometrica, llamada principio de Huygens. Ademas esta teora, afirma que la luz se

Refraccion

propaga con mayor velocidad en los medios menos

densos, a pesar de esto, la teora de Huygens fue

Teora Ondulatoria.

olvidada durante un siglo debido a la gran autoridad de Newton.

Fue idea del fsico holandes C. Huygens. La

luz se propaga mediante ondas mecanicas emitidas por un foco luminoso. La luz para propagarse

2.5 El
atomo de Bohr y los modelos

necesitaba un medio material de gran elasticidad,

at
omicos

impalpable que todo lo llena, incluyendo el vaco,

puesto que la luz tambien se propaga en el. A
este medio se le llamo eter. La energa luminosa
no esta concentrada en cada partcula, como en
la teora corpuscular sino que esta repartida por
todo el frente de onda. El frente de onda es per-

Que es un modelo atomico?

Cuando

hablamos de modelo hablamos de una representacion o esquema de forma grafica que nos
sirve como referencia para entender algo de forma
mas sencilla.

Empedocles

de

Agrigento

h.495/490

- de Elea o de Pitagoras. A ellos dos se les atribuye

h.435/430 a. C. Fue un filosofo y poltico griego la fundacion del atomismo mecanicista.

que postulo la teora de las cuatro races, a las que
Aristoteles mas tarde llamo elementos Aristoteles

atomismo mecanicista

nego la existencia de los atomos de Democrito y

reconocio la teora de los 4 elementos, que, gracias

Nos dice que la realidad esta formada tanto

al prestigio que tena, se mantuvo vigente en el por partculas infinitas, indivisibles, de formas
pensamiento de la humanidad durante 2000 a
nos. variadas y siempre en movimiento, los atomos.
Hoy sabemos que aquellos 4 elementos iniciales Los atomos son unas partculas materiales indeno forman parte de los 106 elementos qumicos structibles, desprovistas de cualidades, que no se
actuales.
distinguen entre s mas que por la forma y dimension, y que por sus diversas combinaciones
en el vaco constituyen los diferentes cuerpos. La
concepcion de la naturaleza fue absolutamente
materialista.
La teora atomista de Democrito y Leucipo se
puede esquematizar as:
Los atomos son eternos, indivisibles, homogeneos,
incompresibles e invisibles.
Los atomos se diferencian solo en forma y tama
no,
Fig 2.5.1 Elementos

pero no por cualidades internas.

Las propiedades de la materia varan seg
un el

Leucipo (siglo V a. C.) fue un filosofo griego al agrupamiento de los atomos.

que se atribuye la fundacion del atomismo. Pensaba que solo haba un tipo de materia. Sostena

Democrito pensaba y postulaba que los

que si dividamos la materia en partes cada atomos son indivisibles, y se distinguen por
vez mas peque
nas, acabaramos encontrando una forma, tama
no, orden y posicion. Se cree en que
porcion que no se podra seguir dividiendo.

la distincion por peso, termino introducido por

Epicuro a
nos mas tarde o que Democrito men-

Se dice que Democrito invento a Leucipo como ciono esta cualidad sin desarrollarla demasiado.
su maestro para ganar prestigio y para que respaldasen su teora, ya que se supona que Leucipo era

Epicuro (Atenas 341 a. C. - , 270 a. C)Toda

un gran fsico, discpulo de Parmenides, de Zenon la realidad esta formada por dos elementos fun-

damentales. De un lado los atomos, que tienen combinar en proporciones distintas y formar mas
forma, extension y peso, y de otro el vaco, que de un compuesto.
no es sino el espacio en el cual se mueven esos 7. Los compuestos qumicos se forman al unirse
atomos.

Introduce un elemento de azar en el atomos de dos o mas elementos distintos. Para

na
movimiento de los atomos, llamado clinamen, una Dalton un atomo era algo as como una peque
desviacion de los atomos en su cada en el vaco, esfera.
es decir, una desviacion de la cadena de las causas
y efectos, con lo que la libertad queda asegurada
y se anticipa a la evolucion.
John Dalton qumico y matematico britanico
(1766 y 1844), Primero en desarrollar un modelo atomico con bases cientficas propuesto entre
1803 y 1807. Basandose en la idea de Democrito,
Dalton concluyo que el atomo era algo parecido
a una esfera peque
nsima, tambien indivisible e
inmutable.
Postulados de Dalton
fig 2.5.2 Varios atomos y moleculas representados
1. La materia esta compuesta por partculas en A New System of Chemical Philosophy (1808
diminutas, indivisibles e indestructibles llamadas de John Dalton)
atomos.
2.

Los atomos de un mismo elemento son

Insuficiencias del modelo

identicos entre s (es decir, con igual masa y

propiedades).

La hipotesis de Dalton, que afirmaba que los

3.

Los atomos de diferentes elementos tienen elementos en estado gaseoso eran monoatomicos
masas y propiedades distintas.
y que los atomos de los elementos se combina4. Los atomos permanecen sin division, incluso ban en la menor proporcion posible para formar
cuando se combinan en reacciones qumicas.

atomos de los compuestos (moleculas) genero al-

5.

Los atomos, al combinarse para formar gunas dificultades. Por ejemplo, Dalton penso
compuestos (lo que hoy llamamos moleculas) que la formula del agua era HO. En consecuenmantienen relaciones simples.
cia de esto se realizaron calculos erroneos sobre la
6. Los atomos de elementos diferentes se pueden masa y peso de algunos compuestos basicos.

Joseph John Thomson (1856-1940)

Fsico y qumico estadounidense, realizo el

Diagrama De Punto esta basado en un cubo,

El modelo es una teora sobre la estructura donde deca que los electrones de un atomo se
ubica, es decir, los electrones
atomica propuesta en 1904. Descubrio el electron colocaban de forma c
y los isotopos. Gano el Premio Nobel de Fsica de un atomo estaban colocados en los vertices de
en 1906 y su teora sobre el atomo deca que un cubo. Gracias a esta teora se conocio el conlos atomos estaban compuestos por electrones de cepto de valencia de un electron es decir, esos
ltimo nivel de energa de un elecarga negativa en un atomo positivo, es decir, electrones en el u
como si tuvieramos una bola cargada positiva- mento que pueden reaccionar o enlazarse con otro
mente rellena de electrones (carga negativa), Pos- elemento.
tulaba que los electrones se distribuan uniformemente en el interior del atomo suspendidos en una
nube de carga positiva.

En 1916 formulo el modelo del atomo c

ubico,
y la idea que un enlace covalente consiste en un
par de electrones compartidos y creo el termino

El atomo se consideraba como una esfera con molecula impar cuando un electron no es comcarga positiva con electrones repartidos como partido. Sus ideas fueron desarrolladas por Irvpeque
nos granulos. La herramienta principal con ing Langmuir y sirvieron de inspiracion para los
no
la que conto Thomson para su modelo atomico fue estudios de Linus Pauling. Ademas, en ese a
la electricidad. Tambien conocido como Modelo enuncio la importante Regla del octeto.
del Pudin De Pasas porque parece un bizcocho
relleno de pasas.

En

1919,

estudiando

las

propiedades

magneticas de soluciones de oxgeno en nitrogeno

El nuevo modelo atomico uso la amplia ev- lquido, encontro que se haba formado una
idencia obtenida gracias al estudio de los rayos molecula de O4. Esta fue la primera evidencatodicos, sugera que esos atomos contenan cia del oxgeno tetraatomico. En 1923, formulo la
partculas electricas de carga negativa. El error teora del par electronico para las reacciones acido
no el termino foton para la
que cometio Thomson fue que hizo suposiciones - base. En 1926 acu
incorrectas de como se distribua la carga positiva menor unidad de energa radiante. Lewis fue el
en el interior del atomo. Otro hecho que el mod- primero en producir una muestra pura de oxido
umero toelo de Thomson haba dejado por explicar era la de deuterio (agua pesada) en [Link] n
regularidad de la tabla periodica de Mendeleiev tal de electrones representados en un diagrama
de Lewis es igual a la suma de los electrones de
(1869).
valencia de cada atomo.
Gilbert Newton Lewis (1875-1946)

Fsicodanes que se baso en las teoras de

Rutherford para explicar su modelo atomico. Es
un modelo clasico del atomo, pero fue el primer
fig. 2.5.3 diagrama de punto y raya diagonal,
modelo de Lewis

modelo atomico en el que se introduce una cuantizacion a partir de ciertos postulados. Fue propuesto en 1913. En el modelo de Bohr se introdujo

Ernest Rutherford (1871-1937)

Qumico y fsico neozelandes que dedico gran
parte de su vida a estudiar las partculas radioactivas (partculas alfa, beta y gamma) y fue el
primero de todos en definir un modelo atomico
en el que pudo demostrar que un atomo esta compuesto de un n
ucleo y una corteza. Por sus trabajos en el campo de la fsica atomica esta considerado como uno de los padres de esta disciplina.
Tras el descubrimiento de la radiactividad en 1896

ya la teora de la mecanica cuantica que pudo explicar como giraban los electrones alrededor del
n
ucleo del atomo.
Los electrones al girar entorno al n
ucleo
definan unas orbitas circulares estables que Bohr
explico como que los electrones se pasaban de
unas orbitas a otras para ganar o perder [Link] que cuando un electron pasaba de
una orbita mas externa a otra mas interna emita
radiacion electromagnetica. Cada orbita tiene un
nivel diferente de energa.

Demostro (1908) que las partculas alfa son

n
ucleos de helio. Gano el Premio Nobel De La
Qumica en 1908.
Sus estudios demostraron que el atomo estaba
vacio en su mayor parte ya que el n
ucleo abarcaba
casi el total de la masa del atomo. Los resultados
de Rutherford demostraron que ese era sin du- fig. 2.5.4 modelo atomico de bohr
dar el modelo bueno, puesto que permita prever
con exactitud la tasa de difusion de las partculas

Postulados de Bohr

alfa en funcion del angulo de difusion y de un orden de magnitud para las dimensiones del n
ucleo
atomico.

primer postulado: Los electrones describen

orbitas circulares en torno al n
ucleo del atomo
sin irradiar energa.

Niels Henrik David Bohr (1885 - 1962)

La causa de que el electron no irradie energa

en su orbita es, de momento, un postulado, ya a , n

umero cuantico principal, obtenemos los raque seg
un la electrodinamica clasica una carga dios de las orbitas permitidas. Al primero de ellos
con un movimiento acelerado debe emitir energa (con n=1), se le llama radio de Bohr:
en forma de radiacion. Para mantener la orbita
circular, la fuerza que siente el electron debe ser

a0 =

h2

kme e2

= 0.52amstrongs

igual a la fuerza centrpeta. Esto nos da la siguiente expresion:

tercer postulado: El electron solo emite o absorbe energa en los saltos de una orbita permitida

2
k Ze
r2

m2 v 2
r

a otra. En dicho cambio emite o absorbe un foton

cuya energa es la diferencia de energa entre am-

podemos despejar el radio as:

bos niveles. Este foton, seg

un la ley de Planck
tiene una energa:

Ze2

r = k m2 v2
E = hv = Enf Eni
segundo postulado:

No toda orbita para

electron esta permitida, tan solo se puede encon-

donde ni es el orbital inicial, nf el final y v es

trar en orbitas cuyo radio cumpla que el momento la frecuencia.

angular, L, del electron sea un m
ultiplo entero
de
h=

h
2

Esta condicion matematicamente se es-

cribe:

Entonces las frecuencias de los fotones emitidos o absorbidos en la transicion seran:

L = me vr = n
h

v=

k2 me Z 2 e4
( n1 2
2h
h
n
i

Con n=1,2,3,. . . A partir de esta condicion

1
)
n2f

La frecuencia se puede dar como la inversa de

y de la expresion para el radio obtenida antes, la longitud de onda:

podemos eliminar y queda la condicion de cuantizacion para los radios permitidos:

v=

k2 me Z 2 e4
( n1 2
2h
h
n
i

rn =

n2
h2
kme Ze2

1
)
n2f

Esta u
ltima expresion fue muy bien recibida
porque

explicaba

teoricamente

la

formula

Con n=1,2,3,. . . ; subndice introducido en fenomenologica hallada antes por Balmer para
esta expresion para resaltar que el radio ahora describir las lneas espectrales observadas desde
es una magnitud discreta, a diferencia de lo que finales del siglo XIX en la desexcitacion del
deca el primer [Link], dandole valores Hidrogeno, que venan dadas por:

v=

= RH ( 212

1
)
n2

scribe como es el n
ucleo atomico ni su estabilidad.
Las soluciones estacionarias de la ecuacion de

Donde RH es la constante de Rydberg.

Schrodinger en un campo central electrostatico,

umeros cuanticos
Arnold Johannes Wilhelm Sommerfeld (1868- estan caracterizadas por tres n
(n, l, m) que a su vez estan relacionados con lo
1951).
que en el caso clasico corresponderan a las tres
La aportacion mas importante de este fsico integrales del movimiento independientes de una
aleman fue cambiar el concepto de las orbitas cir- partcula en un campo central.
culares que definan los electrones en el modelo
atomico de Bohr por orbitas elpticas. Lo que hizo

2.6 Rayos X

Sommerfeld fue perfeccionar el modelo de Bohr

con las orbitas elpticas lo que dio lugar al descubrimiento del numero cuantico Azimutal (o se-

La denominacion rayos X designa a una

cundario). Cuanto mayor era este n

umero mayor radiacion electromagnetica, invisible, capaz de
era la excentricidad de la orbita elptica que de- atravesar cuerpos opacos y de impresionar las
pelculas fotograficas. La longitud de onda esta

scriba el electron.

entre 10 a 0,1 nanometros, correspondiendo a freErwin Rudolf Josef Alexander Schrodinger cuencias en el rango de 30 a 3,000 Hz (de 50 a
5,000 veces la frecuencia de la luz visible). Los
(1887-1961)
rayos X surgen de fenomenos extra nucleares, a
fsico austriaco cuyo modelo cuantico y no nivel de la orbita electronica, fundamentalmente
relativista explica que los electrones no estan producidos por des aceleracion de electrones. La
en orbitas [Link] la evolucion energa de los rayos X en general se encuentra endel electron alrededor del n
ucleo mediante ecua- tre la radiacion ultravioleta y los rayos gamma
ciones matematicas pero no su [Link] producidos naturalmente. Los rayos X son una
que su posicion no se poda determinar con radiacion ionizante porque al interactuar con la
Schrodinger propuso entonces una materia produce la ionizacion de los atomos de
ecuacion de onda que ayuda a predecir las re- la misma, es decir, origina partculas con carga
giones donde se encuentra el electron, que se (iones).
exactitud.

conoce como ecuacion de Schrodinger.

El

modelo de Schrodinger explica solo la estructura

Historia

electronica del atomo y su interaccion con la estructura electronica de otros atomos, pero no de-

La historia de los rayos X comienza con

los experimentos del cientfico britanico William

Crookes, (17 de junio de 1832-4 de abril de 1919)

que investigo en el S. XIX los efectos de ciertos
gases al aplicarles descargas de energa. Estos experimentos se desarrollaban en un tubo vaco, y
electrodos para generar corrientes de alto voltaje.
lo llamo tubo de Crookes.
El
El tubo de Crookes es un cono de vidrio
con 1 anodo y 2 catodos.

Es una invencion

del cientfico William Crookes en el siglo XIX.

Consiste en un tubo de vaco por el cual circulan una serie de gases, que al aplicarles electricidad adquieren fluorescencia, de ah que sean
llamados fluorescentes. A partir de este experimento (1878) Crookes dedujo que dicha fluo-

Fig. 2.7.1 La fuente de bajo voltaje (A) esta

conectada al catodo caliente (C) mientras que la
fuente de alto voltaje (B) provee energa al anodo
revestido de fosforo(P). La energiza del mascara
(M) se conecta al potencial del catodo y su imagen
se visualiza en el fosforo como area sin iluminar.

rescencia se debe a rayos catodicos, que consisten en electrones en movimiento, y, por tanto,
tambien descubrio la presencia de electrones en
los atomos. Al final del cono de vidrio, una banda
calentada electricamente, llamada catodo, pro-

Pues bien, este tubo, al estar cerca de placas fotograficas, generaba en las mismas algunas imagenes borrosas. Pese al descubrimiento,
Crookes no contin
uo investigando este efecto.

duce electrones.
Es as como Nikola Tesla, (Smiljan, 10 de julio
Al lado opuesto, una pantalla tapada de
fosforo forma un anodo el que esta conectado al
terminal positivo del voltaje (unos cien voltios),
del cual su polo negativo esta conectado al catodo.

de 1856- Nueva York, 7 de enero de 1943) en 1887,

comenzo a estudiar este efecto creado por medio
de los tubos de Crookes. Una de las consecuencias
de su investigacion fue advertir a la comunidad
cientfica el peligro para los organismos biologicos
que supone la exposicion a estas radiaciones.
Pero hasta el 8 de noviembre de 1895 no se
descubrieron los rayos X; el fsico Wilhelm Conrad Rontgen (Lennep; 27 de marzo de 1845 10 de
febrero de 1923), realizo experimentos con los tubos de Hittorff-Crookes (o simplemente tubo de

Crookes) y la bobina de Ruhmkorff. La bobina de nuevo descubrimiento: las placas fotograficas que
Ruhmkorff es un generador electrico que permite tena en su caja estaban veladas. Intuyo la accion
obtener tensiones muy elevadas, del orden de los de estos rayos sobre la emulsion fotografica y el
miles o decenas de miles de voltios a partir de una resultado fue sorprendente.
fuente de corriente continua. Fue inventada hacia
1850 por Heinrich Daniel Ruhmkorff, mecanico de
precision parisino de origen aleman.

El rayo atravesaba la madera e impresionaba

la imagen de las pesas en la fotografa. Hizo varios experimentos con objetos como una br
ujula

non de una escopeta. Para comprobar la

Analizaba los rayos catodicos para evitar y el ca
la fluorescencia violeta que producan los rayos distancia y el alcance de los rayos, paso al cuarto
catodicos en las paredes de un vidrio del tubo. de al lado, cerro la puerta y coloco una placa foPara ello, crea un ambiente de oscuridad, y cubre tografica. Obtuvo la imagen de la moldura, el
el tubo con una funda de carton negro. Al conec- gozne de la puerta e incluso los trazos de la pintar su equipo por u
ltima vez, llegada la noche, tura que la cubra.
se sorprendio al ver un debil resplandor amarilloverdoso a lo lejos: sobre un banco proximo haba

El 22 de diciembre, se decide a realizar la

un peque
no carton con una solucion de cristales primera prueba con humanos. Puesto que no
de platinocianuro de bario, en el que observo un poda manejar al mismo tiempo su carrete, la
oscurecimiento al apagar el tubo. Al encender de placa fotografica de cristal y exponer su propia
nuevo el tubo, el resplandor se produca nueva- mano a los rayos, le pidio a su esposa que colocase
mente.

la mano sobre la placa durante quince minutos.

Al revelar la placa de cristal, aparecio una ima-

Retiro mas lejos la solucion de cristales y com- gen historica en la ciencia. Los huesos de la mano
probo que la fluorescencia se segua produciendo, de Berta, con el anillo flotando sobre estos: la
as repitio el experimento y determino que los primera imagen radiografica del cuerpo humano.
rayos creaban una radiacion muy penetrante, pero As nace una de las ramas mas poderosas y exciinvisible.

Observo que los rayos atravesaban tantes de la medicina: la Radiologa

grandes capas de papel e incluso metales menos

densos que el plomo.
En las siete semanas siguientes, estudio con
gran rigor las caractersticas propiedades de estos
nuevos y desconocidos rayos. Penso en fotografiar
este fenomeno y entonces fue cuando hizo un

La produccion de rayos X se da en un tubo de

rayos X que puede variar dependiendo de la fuente
de electrones y puede ser de dos clases: tubos con
filamento o tubos con gas.
El tubo con filamento es un tubo de vidrio al
vaco en el cual se encuentran dos electrodos en
sus extremos. El catodo es un filamento caliente
de tungsteno y el anodo es refrigerado continuamente mediante la circulacion de agua, pues la
energa de los electrones al ser golpeados con el
blanco, es transformada en energa termica en un
Fig. 2.7.2 Rayos X de la mano de Berta

gran porcentaje. Los electrones generados en el

catodo son enfocados hacia un punto en el blanco

El descubridor de estos tipos de rayos tuvo

tambien la idea del nombre. Los llamo rayos
incognita, o lo que es lo mismo: rayos X

(que por lo general posee una inclinacion de 45o )

y como producto de la colision los rayos X son
generados.

porque no saba que eran, ni como eran producidos. Este genio no quiso patentar su descubrimiento cuando Thomas Alva Edison se lo propuso,
manifestando que lo legaba para beneficio de la

El tubo con gas se encuentra a una presion de

aproximadamente 0.01 mmHg y es controlada mediante una valvula; posee un catodo de aluminio
concavo, el cual permite enfocar los electrones y

humanidad.

un anodo. Las partculas ionizadas de nitrogeno y

Produccion de rayos X Los rayos X son producto de la des aceleracion rapida de electrones
muy energeticos (del orden 1000eV) al chocar
con un blanco metalico.

Seg
un la mecanica

clasica, una carga acelerada emite radiacion electromagnetica, de este modo, el choque produce un

oxgeno, presentes en el tubo, son atradas hacia el

catodo y anodo. Los iones positivos son atrados
hacia el catodo e inyectan electrones a este. Posteriormente los electrones son acelerados hacia el
anodo (que contiene al blanco) a altas energas
para luego producir rayos X.

espectro continuo de rayos X (a partir de cierta

longitud de onda mnima). Sin embargo experi-

Espectro continuo

mentalmente, ademas de este espectro continuo,

se encuentra lneas caractersticas para cada material.

El tubo de rayos X esta constituido por dos

electrodos (catodo y anodo), una fuente de elec-

trones (catodo caliente) y un blanco. Los elec- tienen una sensibilidad distinta a la radiacion, el
trones se aceleran mediante una diferencia de po- riesgo relacionado con la radiacion en las difertencial entre el catodo y el anodo.

entes partes del cuerpo, proveniente de un procedimiento de rayos X vara.

La radiacion es producida justo en la zona

de impacto de los electrones y se emite en todas

El termino dosis efectiva se refiere a la do-

direcciones. Los diferentes electrones no chocan sis promedio en todo el cuerpo. La dosis efeccon el blanco de igual manera, as que este puede tiva toma en cuenta la sensibilidad relativa de
ceder su energa en una o en varias colisiones, pro- los diversos tejidos expuestos.
duciendo un espectro continuo.

A
un mas, per-

mite cuantificar el riesgo y compararlo con fuentes

mas comunes de exposicion que van desde la ra-

Espectro caracterstico

diacion de fondo natural hasta los procedimientos

radiograficos con fines medicos.

Cuando los electrones que son acelerados en

el tubo de rayos X poseen cierta energa critica,

La exposicion a las dosis bajas de rayos X no

pueden pasar cerca de una subcapa interna de los es perjudicial para el ser humano. La exposicion a
atomos que componen el blanco. Debido a la en- cantidades altas de rayos X puede producir efecerga que recibe el electron, este puede escapar tos tales como quemaduras de la piel, cada del
del atomo, dejando al atomo en un estado suma- cabello, defectos de nacimiento, cancer, retraso
mente excitado.

mental y la muerte.

Eventualmente, el atomo regresara a su estado

en equilibrio emitiendo un conjunto de fotones de

Bibliografia

alta frecuencia, que corresponden al espectro de

lneas de rayos X. Este indiscutiblemente va a depender de la composicion del material en el cual
incide el haz de rayos X.

[Link]
[Link]
[Link]

Riesgos en la salud

[Link]
[Link]

Debido a que los distintos tejidos y organos [Link]

UNIDAD 3:
LA MECNICA CUANTICA.

Ejemplo:

3.1 La funci
on de onda

= (x, y, z, t) en coordenadas cartesianas.

Para explicar el comportamiento de los sistemas microscopicos, Heisenberg y Schrodinger
formularon

independientemente

la

Para un sistema de partculas:

mecanica

cuantica. En ella se introduce una serie de postulados.

= (x1 , y1 , z1 , ..., xi , yi , zi , ..., xn , yn , zn , t)

En general, la funcion puede ser compleja:
= f + ig, donde i =

El producto es siempre una funcion real:

= ||2 = (f + ig) (f ig) = f 2 + g 2
1

(||2 ) 2 Es el valor absoluto de

Fig.

3.1.1 Erwin Rudolf Josef Alexander

Sch
odinger (1887-1961)
Fue un fsico austraco, naturalizado ir-

Es el complejo conjugado de
La funcion de densidad de probabilidad

landes, que realizo importantes contribuciones en

los campos de la mecanica cuantica y la termodinamica. Recibio el Premio Nobel de Fsica
en 1933 por haber descubierto la ecuacion que
mas tarde se llamo la ecuacion de Schrodinger.

En un experimento de difraccion de electrones,

la probabilidad de llegada de electrones a un
punto de la pantalla viene determinada por la intensidad de la onda asociada del electron (Onda
De Broglie) en ese punto. La intensidad de la

El estado de un sistema esta definido por una

onda es el cuadrado de su amplitud.

funcion de las coordenadas y del tiempo, (psi

may
uscula) que se denomina funcion de onda o
funcion de estado.
Esta funcion contiene toda la informacion accesible sobre el estado del sistema.

Difraccion: es un fenomeno tpico de las ondas, debido a los de interferencia.

Born fue, junto con Heisenberg, uno de los

pocos fsicos que construyo la estructura filosofica
de la mecanica cuantica.
Su principal contribucion fue, como se sabe,
la interpretacion probabilista de las ondas de
Schrodinger, una interpretacion que sit
ua el concepto de probabilidad en el papel principal y deja
ampliamente indeterminado el comportamiento
Fig. 3.1.2 Difraccion

de un sistema individual, abriendo as el camino

a una descripcion causal.

En fsica, la difraccion es un fenomeno caracterstico de las ondas que se basa en la desviacion

de estas al encontrar un obstaculo o al atravesar
una rendija.
La difraccion es justo con la interferencia un
fenomeno tipicamente ondulatorio. La difraccion
se observa cuando se distorsiona una onda por
un obstaculo cuyas dimensiones son comparables
a la longitud de onda. El caso mas sencillo corresponde a la difraccion de Fraunhofer, en el que
obstaculo es una rendija estrecha y larga, de modo
que podemos ignorar los efectos de los extremos.
Supondremos que las ondas incidentes son normales al plano de la rendija y que el observador se

Fig. 3.1.3 Max Born

encuentra a una distancia grande en comparacion

de la anchura de la misma.

No fue por coincidencia por lo que Born empezo a considerar la idea de causalidad en fsica

Max Bon (Breslau, 11 de diciembre de 1882;

Gotinga, 5 de enero de 1970) fue un matematico y

ya en 1920, mucho antes incluso de interesarse por

la teora cuantica.

fsico aleman. Obtuvo el Premio Nobel de Fsica

en 1954 por sus trabajos en mecanica cuantica.

Max Born en 1926 postulo que la funcion

2

|| (valor absoluto de al cuadrado) es la densi-

dad de probabilidad (probabilidad por unidad de

Probabilidad:

volumen) de encontrar el sistema de partculas en

cierto lugar del espacio.

Para una partcula en una sola dimension, la

probabilidad de encontrarla entre las coordenadas

Born fue uno de los firmantes en 1955 del man- x1 y x2 sera:

ifiesto Russell-Einstein, un escrito pacifista contra la proliferacion de armas de destruccion ma-

pr (x1 x2 ) =

R x2
x1

dx

siva(armas nucleares).
Para 3 dimensiones:
pr (x1 x x2 ; y1 y y2 ; z1 z z2 )
=

R x2 R y2 R z2
x1

y1

z1

dxdydz

Para 2 partculas a y b en una dimension:

pr (x1 xa x2 ; x3 xb x4 )
=

Fig. 3.1.4 Grafica del ejemplo

R x2 R x4
x1

x3

(xa , xb , t) (xa , xb , t) dxa dxb

La probabilidad de encontrar un sistema de n

partculas independientes cada una de ellas en el
interior de un volumen determinado vendra dada

Ejemplo:

por el producto de las probabilidades individuales

Para una partcula cuya funcion de onda es:

de cada partcula.
Para el ejemplo anterior: 2 partculas a y b

(x, y, z, t)

independientes:

Entonces, la probabilidad de encontrar la

(xa , xb , t) = (xa , t) (xb , t)

partcula en un instante t0 en el interior de un

volumen infinitesimal d = dxdydz situado en las

pr (x1 xa x2 ; x3 xb x4 )

coordenadas (xa , ya , za , t0 ) viene dada por:

| (xa , ya , za , t0 ) | dxdydz

R x2
x1

(xa , t) (xa , t) dxa

(xb , t) dxb

R x4
x3

(xb , t)

= pr (x1 xa x2 ) pr (x3 xb x4 )

De donde, despejando, se puede determinar la

constante de normalizacion como:

Si las partculas no son independientes lo anterior no se cumple y la funcion de onda no se

C = qR

puede factorizar.

1
d

Aceptabilidad de la funcion de onda:

Normalizacion:
La funcion de onda debe de cumplir 3 condiLa probabilidad para todos los valores posibles de las coordenadas es 1:
Para una dimension.
pr ( x ) =

ciones para ser fsicamente aceptable, es decir,

que pueda representar un sistema fsico:
Univoca: un u
nico valor para cada valor de

dx = 1

las variables independientes (la probabilidad no

puede tener dos valores en las mismas coordenadas).

Para 3 dimensiones:
Continua: la funcion y su primera derivada

z (x, y, z, t) (x, y, z, t)dxdydz = 1

R R R
x y

no deben presentar discontinuidades. (Esto viene

impuesto por que la funcion de onda debe satis-

En general:

facer la ecuacion de Schrodinger, que implica las

segundas derivadas).

d = 1
De cuadro integrable: la integral

Cuando la funcion de onda cumple esta ex- debe tener un valor finito.(La probabilidad total
presion se dice que esta normalizada, y a la no puede ser infinita)
expresion se le llama condicion de normalizacion.
La aceptabilidad de la funcion de onda da luSi una funcion de onda no esta normal- gar a la cuantizacion.
izada, se puede multiplicar por una constante C
elegida de forma que el producto C satisfaga la
condicion de normalizacion. A esto se le llama
normalizar la funcion.
R

(C) Cd = |C|2 d = 1
R

ecuacion de una onda plana monodimensional:

h

= A cos2

vt + isen2

i

vt

= Aei2( vt)
Donde A es la amplitud maxima de la onda,
es la longitud de onda y v es la frecuencia. (Se ha
usado la formula de Euler: ei = cos + isen)
Seg
un De Broglie: = h/px y ademas E =
Fig.

3.1.5 Partculas y campos, clasicos y hv.

cuanticos
Si derivamos 2 veces la funcion con respecto
a t, se cumple que:

3.2 La ecuaci
on de Schr
odinger

2
x2

x2

= i 2
;

x2

x2

= 2mE

h2

= i2v = i Eh

2

= i 2

2

= hpx2

La funcion de onda de un sistema mecano

cuantico,, debe satisfacer la ecuacion diferencial:
= i
H
h
t
Despejando E en ambas expresiones e iguaEcuacion de Schrodinger dependiente del lando:
tiempo.
h2 2

= i
2m
= H
h
x2
t

es el operador hamiltoniano del sistema.

H
Ecuacion de Schrodinger dependiente del
Justificacion: supongamos que una partcula tiempo para una partcula que se mueve libreque se mueve libremente en la coordenada x seg
un mente en una dimension. En el lado izquierdo
De Broglie esta partcula tendra asociada una de la ecuacion reconocemos el operador hamilEn general
onda cuya funcion se puede representar por la toniano de una partcula libre.

los sistemas mecanocuanticos estan sometidos a tanto, la energa potencial es solo funcion de las
fuerzas y por tanto la funcion energa potencial, coordenadas:
V (x, y, z, t) es distinta de cero y estara incluida
en el operador hamiltoniano.

V = V (xi , yi , zi ).

Schrodinger postulo:

Supongamos una u
nica partcula en una dimension en el seno de un campo de fuerzas esta-

que todos los sistemas mecanocuanticos, y no cionario, de forma que V = V (x):

solo una partcula libre, satisfacen esta ecuacion
2

2m
+ V (x) = ih
x2
t

diferencial.
Para una partcula en 3 dimensiones:

Vemos que los operadores que act

uan sobre
a cada lado de la ecuacion dependen bien de las

=
H

2m

2
x2

2
y 2

2
z 2

+ V (x, y, z, t) coordenadas (x) o bien del tiempo (t). En este

caso particular la ecuacion diferencial puede sep-

= i
H
h
t

ararse en variables. En estos casos se puede proponer una solucion a la ecuacion diferencial de la

Esta ecuacion es el analogo mecanocuantico de forma: (x, t) = (x) f (t).

la ecuacion de Newton. Por tanto, integrandola
con respecto al tiempo permite predecir el estado

Seg
un esto:

futuro (x, y, z, t) de un sistema si conocemos

el estado mecanocuantico inicial, (x0 , y0 , z0 , t0 ).

=
H

h2 2 (f (t)(x))

2m
x2

+ V (x) f (t) (x)

Como vemos, nuestro conocimiento del sistema en

cualquier instante se reduce a la funcion de onda.
Ecuacion de Schrodinger independiente del

= f (t) h2 2 (x)
H
+ V (x) (x)
2m x2
h

= f (t) H
(x)
H

tiempo.
i
h

2 (f (t)(x))

= (x) ih ft(t)

Separacion de variables.
Igualando y separando variables a ambos laEn muchos sistemas, tales como atomos o dos de la ecuacion:
moleculas aislados, las fuerzas que act
uan sobre
las partculas que los forman dependen solo de
sus coordenadas y no dependen del tiempo. Por

H(x)
(x)

i
h f (t)
f (t) t

Como los miembros a cada lado de esta

As se obtiene que:

ecuacion dependen exclusivamente de variables

independientes, para que se cumpla la igualdad

i (x, t) = i (x) e

iEt
h

ambos lados deben ser iguales a una constante

cuyas dimensiones son de energa, que llamamos

donde la constante A se ha incluido en i (x).

E, y que veremos que corresponde a la energa del

sistema.

En general, para n partculas en tres dimensiones:

i
h df (t)
f (t) dt

= E , (1)
i (x1 , y1 , z1 , . . . , xn , yn , zn , t) e

H(x)
(x)

iEi t
h

= E , (2)
Las soluciones i (x, y, z) de la ecuacion de

La ecuacion (1) es una ecuacion diferencial or- Schrodinger independiente del tiempo son fundinaria que al integrarla nos da:

ciones de una onda independientes del tiempo,

que describen estados estacionarios.

f (t) = Ae

iEt
h

Para cada estado estacionario definido de un

donde A es una constante.

sistema por cada una de las autofunciones del

hamiltoniano, i (x, y, z), se cumple:

La ecuacion (2) se puede escribir:

La energa Ei es constante e igual a un valor
(x) = E (x)
H
Esta es la ecuacion de Schrodinger indepen-

preciso.
La funcion densidad de probabilidad es solo

diente del tiempo para una partcula en una di- funcion de las coordenadas y no del tiempo:
mension.
|i |2 = i i
Como puede apreciarse esta es una ecuacion
de autovalores para el operador correspondiente

|i |2 = i e

iEi t
h

i e

iEi t
h

a la energa total del sistema, as llamado hamiltoniano.

Cada autofuncioni (x, y, z) describe un estado posible del sistema.

Resolviendola se conocera el conjunto de las

autofunciones, Ei , del operador hamiltoniano, H.

La paradoja del gato de Schodinger

Fig. 3.2.1 Sistema de caja cerrada

El experimento del gato de Schrodinger o

Fig. 3.2.2 Probabilidad en la mecanica clasica

Al terminar el tiempo establecido, hay una

paradoja de Schrodinger es un experimento imag- probabilidad del 50% de que el dispositivo se haya
inario concebido en 1935 por el fsico austraco activado y el gato este muerto, y la misma probErwin Schrodinger para exponer una de las abilidad de que el dispositivo no se haya activado
consecuencias menos intuitivas de la mecanica y el gato este vivo.
cuantica.
Seg
un los principios de la mecanica cuantica,
Erwin Schrodinger plantea un sistema que se la descripcion correcta del sistema en ese moencuentra formado por una caja cerrada y opaca mento (su funcion de onda) sera el resultado de
que contiene un gato en su interior, una botella la superposicion de los estados vivo y muerto
de gas venenoso y un dispositivo, el cual contiene (a su vez descritos por su funcion de onda).
una partcula radiactiva con una probabilidad del
50% de desintegrarse en un tiempo dado, de manera que si la partcula se desintegra, el veneno se
libera y el gato muere.

El paso de una superposicion de estados a un

estado definido se produce como consecuencia del
proceso de medida, y no puede predecirse el estado final del sistema: solo la probabilidad de
obtener cada resultado.
Una curiosa caracterstica de la cuantica es
que el mero hecho de observar contamina el experimento y define una realidad frente a las demas.
Fig. 3.2.3 Probabilidad en la mecanica cuantica

Einstein expresaba as su desconcierto:quiere

esto decir que la Luna no esta ah cuando nadie

Sin embargo, una vez que se abra la caja para

la mira?

comprobar el estado del gato, este estara vivo o

muerto.
Sucede que hay una propiedad que poseen los
electrones, de poder estar en dos lugares distintos al mismo tiempo, pudiendo ser detectados por
los dos receptores y dandonos a sospechar que el
gato esta vivo y muerto a la vez, lo que se llama
Superposicion.

conclusion
Cuando el sistema cuantico se rompe, la realidad se define por una de las opciones. Solo veremos al gato vivo o muerto, nunca ambas. Este
proceso de transito de la realidad cuantica a nuestra realidad clasica se llama de coherencia, y es la
responsable de que veamos el mundo tal y como
lo conocemos.

Pero cuando abramos la caja y queramos comprobar si el gato sigue vivo o no, perturbaremos este estado y veremos si el gato esta vivo,
o muerto.

Lo mas difcil de aceptar quiza sea la implicacion de que nuestra observacion no solo crea
una realidad presente, sino que tambien crea un
pasado congruente con esa realidad (que cuando

Ah radica la paradoja. Mientras que en la descripcion clasica del sistema el gato estara vivo o

nuestra observacion colapsaba el estado de superposicion del gato en vivo o muerto.

muerto antes de que abramos la caja y comprobemos su estado, en la mecanica cuantica el sistema

Problemas

se encuentra en una superposicion de los estados

posibles hasta que interviene el observador.

1.- Evaluar la densidad de probabilidad para

la funcion del estado de menor energa de un

oscilador armonico simple, que consiste de una fsica.

partcula de masa m actuada por una fuerza de
restitucion lineal con una constante de fuerza C.
la funcion de onda de este oscilador se puede ex-

3.3 Una partcula en un pozo rectangular

finito

presar como:

(x, y) = Ae(

Cm/2
h)

x2

(i/2)

C/m t

Abordaremos unos terminos antes de entrar de

lleno al tema, ya que seran necesarios para poder

donde la constante real A puede tener comprender de la mejor forma todos los conceptos
cualquier valor.
que manejaremos en esta unidad.
2.- La funcion de onda (x,t) para el estado de

Hamiltoniano cuantico

energa mas bajo de un oscilador armonico simple,

que consiste de una partcula de masa actuada por
una fuerza de restitucion lineal con constante de
fuerza, se puede expresar como:

(x, y) = Ae

( Cm/2
h)x2 (i/2)

El hamiltoniano cuantico H es el observable

que representa la energa total del sistema. los
posibles valores de la energa de un sistema fsico

vienen dados por los valores propios del operador

C/m t

hamiltoniano:

donde la constante real puede tener cualquier

H(|
= E |)

valor. Verificar que esta expresion es una solucion

a la ecuacion de Schrodinger para el potencial

Operador hamiltoniano
H

apropiado.
Estado propio del operador hamiltoniano
Bibliografia
E Energa de estado
Tipler-Llewellyn, Modern Physics.

W.H.

Freeman adn Company

Ecuacion de Schrodinger dependiente del

tiempo

Levine, [Link] (quinta edicion)

Mc [Link] 18.

La ecuacion de Schrodinger, en su forma mas

general, indica la variacion que sufre un estado

[Link]/sbweb/fisica/[Link] con ordenador.

fsico, a lo largo del tiempo, cuando el sistema

Curso interactivo de que describe se encuentra sometido a un hamilto-

- Energa propia, valor propio del hamiltoni-

niano de la forma:

ano asociado a su n-estimo estado propio.

((t)| = H|(t))
ih x

Condiciones de validez
Ecuacion de Schrodinger independiente del
La ecuacion de Schrodinger es u
til en aquellas

tiempo

situaciones en que la accion del sistema es muy

na, comparable con la constante de Plank.
En los casos en que el hamiltoniano es inde- peque
pendiente del tiempo, el estado puede descomponerse en una combinacion lineal de los estados

condiciones generales:

propios del hamiltoniano.

(t)| =

N
X

Por otra parte, esta deja de ser valida en las

- Cuando la energa cinetica, es comparable a

e

hEn t

|n

n=1

la energa en reposo, en cuyo caso son importantes

las correcciones relativistas.

Donde el estado propio del hamiltoniano con

energa, que son la solucion a al ecuacion de
Schrodinger independiente del tiempo, que en
general se escribe de la forma:
n | = En|n )
H(
Parametros

- Cuando existe creacion y destruccion de

partculas, en cuyo caso deben usarse los metodos
de la teora cuantica de campos.
El pozo de potencial rectangular de profundidad finita.
Resuelve un problema que tenamos en el estudio del pozo de potencial de profundidad infinita

las diferentes versiones de la ecuacion de

y que hasta ahora habamos relegado.

Schrodinger contienen los siguientes parametros:

Si vamos a suponer el caso hipotetico de una
-Constante de Planck, es la energa por unidad
de frecuencia de cada cuanto de [Link] en la
ecuacion de Schrodinger para satisfacer las relaciones de conmutacion canonica.
- Constante imaginaria, indica el caracter
complejo de las funciones de onda.

partcula en una caja de paredes impenetrables,

como entonces llega a dar adentro de la caja la
partcula si le es tan imposible entrar en la caja
como salir de ella?
El pozo de potencial rectangular de profun-

didad finita abre la probabilidad de que una

partcula viajera libre que pase por dicho pozo
de potencial pueda quedar atrapada. O puesto
de otra manera, en terminos probabilisticos, con
un pozo de potencial de profundidad finita cierta
cantidad X de partculas que pasen por dicho
pozo dejaran una cantidad Y de partculas que
quedaran atrapadas en el mismo, siendo la probabilidad de quedar atrapadas igual a Y/X.
Si bien para el caos de una partcula atrapada
entre 2 paredes rgidas, la cantidad posible de es- Fig. 1.2
tados cuanticos infinita(figura 1.1).
El caso de una partcula que pasa por la cercana del pozo de potencial rectangular es similar
al de una partcula que pasa por una barrera de
potencial rectangular de altura finita y de anchura
finita, excepto que en este caso el potencial es
V0 en lugar de +V0 . Para la solucion mecanicocuantica a este problema desde el aspecto ondulatorio, recurriremos nuevamente a la ecuacion de
onda de Schrodinger independiente del tiempo.
Problema 1.1
Fig. 1.1

Supongase que una partcula cuyo movimiento

es de izquierda a derecha as por un pozo de poten-

En el caso de una partcula atrapada en un cial rectangular especificado de la siguiente manpozo de potencial de profundidad finita el numero era:
posible de estados cuanticos debera ser necesariamente finito(figura 1.2)

V (x) = { 0 para|x| > a

V para|x| < a
Describase lo que ocurre en un caso as re-

solviendo el sistema mediante la aplicacion de la

siendo:

ecuacion de onda de Schrodinger, suponiendo que

la energa de la partcula es negativa siendo de

k1 =

2mE
h

cualquier manera la energa mayor que el potencial V0 o sea que E > V0

una cantidad real y positiva (en virtud de que

la energa es negativa, el signo dentro del radical

Subdividiendo el espacio bajo consideremos en termina siendo positivo). La solucion matematica

tres regiones que deben ser tomadas en consid- general en la region 1 de la ecuacion diferencial de
eracion tenemos la siguiente situacion(figura 1.3) onda viene siendo:
1 (x) = Aek1 x + Bek1 x
Para la region x < a, el primer termino se
convierte en una exponencial decreciente, mientras que el segundo termino explota exponencialmente al tomar la exponencial un signo positivo
constante para cuando x tiende hacia un valor infinitamente negativo. El primer termino es por lo
tanto una solucion fsicamente admisible mientras
que el segundo termino no lo es ya que hace crecer
a la funcion de onda 1 (x) sin lmite. Por lo tanto,
Fig. 1.3

tenemos que asignar al coeficiente B un valor de

cero, con lo cual la u

nica solucion fsicamente adUsaremos la misma colocacion de las coorde- misible en la primera region viene siendo:
nadas que la que utilizamos en la resolucion del
problema anterior. Para la region x-a en donde

1 (x) = Aek1 x

el potencial V(x) es igual a cero, la ecuacion de

Schrodinger independiente del tiempo para las
region x-a (region 1) en donde la energa potencial es igual a cero y la energa es negativa esta
dada por:

x < +a (la region 2), en donde la energa E de

la partcula es negativa aunque mayor que la energa potencial (negativa) V0 dentro del pozo de

h d

= E
2m
dx2

d2
dx2

En lo que cabe a la region intermedia a <

potencial, la ecuacion de Schrodinger independiente del tiempo para esta region |x| < a es igual
a:

k12

h d

2m
V0 = E
dx2

al coeficiente G un valor de cero, con lo cual la

u
nica solucion fsicamente admisible en la primera

d2
dx2

= k22

region viene siendo:

3 (x) = F ek1 x

siendo:

k2 =

2m(E+V0 )
h

Para x mayor que a. El siguiente paso consiste

en la imposicion de las condiciones de frontera, las

Es importante se
nalar que, aunque la energa cuales son para este problema de tres regiones:
E de la partcula es negativa, para un estado ligado (con la partcula atrapada dentro del pozo de

1 (a) = 2 (a)

potencial) dicha energa tiene que seguir siendo

mayor que V0 .

La solucion general para la

d1 (a)
dx

d2 (a)
dx

ecuacion diferencial de onda que corresponde a

la region intermedia puede ser enunciada como:

2 (a) = 3 (a)

2 (x) = Csen(k2 x) + Dcos(k2 x)

d2 (a)
dx

Tenemos por u
ltimo a la region 3 en donde el

Podemos simplificar la resolucion del prob-

d3 (a)
dx

potencial vuelve a ser igual a cero. La solucion lema dandonos cuenta de que el potencial V(x)
matematica general de la ecuacion de onda para es una funcion par, esto es:
esta region viene siendo:
V (x) = V (x)
3 (x) = F e

k1 x

k2 x

+ Ge

lo cual debe ser obvio ya que V(+a) = V(-a).

Para la region x > +a, el primer termino se Esto nos permite deducir de antemano que las
convierte en una exponencial decreciente, mien- soluciones deben ser ya sea pares o impares, lo
tras que el segundo termino explota exponencial- cual nos permite imponer las condiciones de fronmente al tomar la exponencial un valor exponen- tera en u
nicamente uno de los lados del pozo de
cialmente creciente para x +. El primer potencial, ya sea el lado a en el sentido negativo
termino es por lo tanto una solucion fsicamente o el lado a en el sentido positivo, obteniendose el
admisible mientras que el segundo termino no lo otro lado en forma automatica ya que:
es ya que hace crecer a la funcion de onda 3 (x)
sin lmite.

Por lo tanto, tenemos que asignar

(x) = (x)

V (x) =

en donde el signo de mas/menos es tomado

como positivo para el caso de funciones pares 0
mientras que es tomado como negativo en el caso V0

para
para

para

x<0

0<x<a
x>a

de funciones impares. De este modo, la funcion

cosenoidal es una funcion par:

Puesto que la funcion de onda se desvanece

por completo en la pared vertical izquierda al ser

f (x) = cos(x) = cos(x)

impenetrable, hay una ligera simplificacion en los

calculos. Las soluciones, obtenidas resolviendo la

Mientras que la funcion senoidal es impar:

ecuacion independiente del tiempo de Schrodinger

para cada region requiriendose continuidad tanto

g(x) = sen(x) = sen(x)

para las funciones de onda como para las primeras

derivadas en los puntos de encuentro entre re-

Este contraste lo podemos apreciar mejor con giones distintas, conducen a una ecuacion trascendental de la forma:
las siguientes ilustraciones(figura 1.4)
q

tan( E = V0EE

En donde:
=

2ma2
h2

Quiza la forma mas expedita de resolver la

ecuacion trascendental consiste en recurrir a soluFig. 1.4

ciones graficas, trazando en una misma grafica

las funciones tangente y la funcion cuadratica que

Pozo de potencial semi-infinito

nos permite determinar las energas eigen en los

puntos de cruce entre ambas graficas. Para el

El pozo de potencial semi-infinito se refiere a caso en el cual V0 =1.5,(figura 1.5) se encuentra

un pozo de potencial donde una de cuyas paredes que hay cuatro energas discretas (las curvas de
es impenetrable y la otra tiene una altura infinita. la funcion tangente se muestran de color obscuro
mientras que la grafica de la funcion cuadratica
Podemos especificar un potencial de este tipo se muestra de color verde):
de la siguiente manera:

Fig. 1.5
Mientras que para el caso en el cual V0 = 0.5

Fig. 1.7
Para x menor que a negativo en la region 1

se encuentra que hay 2 energas eigen discretas en donde tenemos partculas libres, la funcion de
(figura 1.6)

onda 1 (x) en su forma mas general esta dada por

la relacion:
1 (x) = Aeik1 x + Beik1 x
En donde, al igual que como se hizo arriba:

k1 =

2mE
h

En la region intermedia, la funcion de onda

Fig. 1.6
de lo cual se concluye, como era de esperarse,
que para el pozo de potencial semi-infinito entre
mayor sea la profundidad del pozo tanto mayor
sera la cantidad posible de estados discretos que
el pozo pueda contener.
Habiendo visto todo lo anterior, estamos en
mejores condiciones para poder tratar en detalle
el caso de transmision de partculas sobre un pozo
de potencial cuando la energa E de la partcula
es superior al nivel de potencial V=0:(figura 1.7)

2 (x) esta dada por:

2 (x) = Csen(k2 x) + Dcos(k2 x)
En donde, al igual que como se hizo arriba:

k2 =

2m(E+V0 )
h

Y por ultimo, para x a en la tercera region:

3 (x) = F eik1 x

En la lnea de transicion de la primera region

Csen(k2 a) + Dcos(k2 a) = F eik1 a

a la segunda region, la condicion de continuidad

requerida de la funcion de onda al pasar de una
region a otra especifica lo siguiente:

La solucion del conjunto de ecuaciones

obtenidas no es asunto difcil, aunque es algo tedioso requiriendo de cierta paciencia e ingenio.

1 (a) = 2 (a)

Una forma de llevarlo a cabo consiste en usar dos

de las ecuaciones obtenidas para eliminar C y D,

Aeik1 x + Beik1 x = Csen(k2 x) + Dcos(k2 x)

y usar las otras dos ecuaciones para B y F. Para

ello, tomamos la ecuacion:

Aeik1 a + Beik1 a

Csen(k2 a) +
Csen(k2 a) + Dcos(k2 a) = F eik1 a

Dcos(k2 a)
Aeik1 a + Beik1 a = Csen(k2 a) + Dcos(k2 a)

Y la multiplicamos por (k2 a)

Por otro lado, en el mismo lugar, la condicion

k2 [Ccos(k2 a) Dsen(k2 a)] = ik1 F

de continuidad de que la derivada de la funcion de

onda 1 (x) sea igual a la derivada de la funcion

Multiplicamos por cos(k2 a)/k2 sumando am-

de onda 2 (x) (ambas deben tener la misma pen- bas:

diente) especifica lo siguiente:
Csen2 (k2 a)
d1
dx

d2
dx

ik1 [Aeik1 a Beik1 a ]

Dsen(k2 a)cos(k2 a)

Dsen(k2 a)cos(k2 a)

F eik1 a sen(k2 a)
=

k2 [Ccos(k2 a +

Dsen(k2 a)]
En lo que toca a la frontera de transicion de la

Ccos2 (k2 a)
ik1
F eik1 a cos(k2 a)
k2

Para obtener:

region 2 a la region 3 en donde se conectan las

funciones de onda 2 (x) y 3 (x), la condicion de

C = [sen(k2 a) +

ik1
cos(k2 a)]F eik1 a
k2

continuidad de las mismas especifica lo siguiente:

Del mismo modo:
2 (a) = 3 (a)
Csen(k2 a) + Dsen(k2 a) = F eik1 a
Csen(k2 x) + Dcos(k2 x) = F eik1 x
Por cos(k2 a)

k2 [Ccos(k2 a) Dsen(k2 a)] = ik1 F eik1 a

ciones las restamos, obtenemos lo siguiente para

B:

Multiplicamos por cos(k2 a)/k2 sumando am2 a)

B = i sen(2k
(k12 ) + (k22 )F
2k1 k2

bas:
D = [cos(k2 a) + ikk21 sen(k2 a)]F eik1 a

El coeficiente de transmision T para un flujo

de partculas que van de izquierda a derecha, ex-

Poniendo ambas relaciones para C y D en la presado en funcion de las densidades de probabilidad, es:
ecuacion:
|F |2
|A|2

Aeik1 a + Beik1 a = Csen(k2 a) + Dcos(k2 a)

T =

Asimismo, llevando a cabo un procedimiento

T 1 =

|A|2
|F |2

F F
AA

= | FA |2

similar sobre la relacion:

Usando lo obtenido anteriormente para F, veik1 [Aeik1 a Beik1 a ]

k2 [Ccos(k2 a) + mos que:

Dsen(k2 a)]
2 a)
T 1 = cos(2k2 a) i sen(2k
(k12 + k22 ) =
2k1 k2

cos2 (2k2 a +

Se obtiene:
Aeik1 a

+ Beik1 a

[cos(2k2 a) +

sen2 (2k2 a
(2k1 k2 (k12
(2k1 k2 )2

+ k22 )2

Se tiene que:

ikk21 sen(2k2 a)]F eik1 a

(k2 +k2 )2

2
T 1 = 1 + sen2 (2k2 a)[ (2k1 1 k2)
2 1]

Sumando las dos relaciones obtenidas eliminando el termino con B, se tiene entonces:

Por otro lado, usando las relaciones explicitas

para k1 y k2 en funcion de la energa y el poten-

2Aeik1 a

[2cos(2k2 a) i](k1 a)/k2 + cial, se tiene:

(k2 a)/k1 )sen(2k2 a)]F eik1 a

2k2 a =

2a
h

2m(E + V0 )

De lo cual, despejando F:
0
k12 k22 = 2mV
h

F =

Ae2ik1 a
sen(2k a)
cos(2k2 a)i 2k k2 (k12 )+(k22
1 2

Del mismo modo, si en vez de sumar las rela-

con lo cual tenemos:

V02
4E(E+V0 )

fundidad diferente):

Para as finalmente llegar a lo siguiente:

T 1 = 1 +

V02
sen2
4E(E+V0 )

( 2a
) 2m(E + V0 )
h

Usando el resultado obtenido, podemos construir una grafica tpica del coeficiente de transmision de partculas a traves del pozo de potencial
en funcion de la energa para cierta combinacion
de valores de las constantes fsicas involucradas es

Fig. 1.9

la siguiente:
Intuitivamente, podemos suponer que dentro
de cada pozo de potencial rectangular se podra
admitir una cantidad finita de estados discretos
de energa, con el estado de energa basal en cada
pozo ocupando el nivel mas bajo (cerca del fondo
del pozo).
La cantidad de estados discretos de energa
dependera de la profundidad de los pozos, con un
Fig. 1.8

gran n
umero de estados discretos cuanto mayor
sea la profundidad del pozo.

El caso contrario al caso de la doble barrera de

potencial es el caso del pozo de potencial doble.

Del mismo modo, intuitivamente, podemos

Esencialmente, son dos pozos de potencial sep- suponer que en el caso en el cual la anchura de
arados por una barrera de potencial intermedia. la barrera que separa ambos pozos tiende a cero
A continuacion se muestra una ilustracion de un hasta el punto de desvanecerse, o sea cuando b.
potencial de este tipo en donde ambos pozos que 0, se tendra el equivalente de un solo pozo de posupondremos rectangulares tienen la misma an- tencial de anchura 2a. Y si la anchura de la barchura a y la barrera intermedia de separacion rera que separa ambos pozos es muy grande, o sea
entre ambos pozos tiene una anchura b (en un cuando b , se tendran dos pozos de potencial.
analisis mas elaborado, cada pozo de potencial
puede tener una anchura diferente, y del mismo

Sin entrar a fondo en los detalles matematicos

modo cada pozo de potencial puede tener una pro- que se nos revelan mediante la solucion de la

ecuacion de Schrodinger, y tomando el caso en las regiones de color azul claro son las que correel cual la anchura de la barrera es igual a cero, sponden a la solucion de decaimiento exponencial:
se tiene un solo pozo de potencial rectangular.
Suponiendo que la profundidad de dicho pozo sea
suficiente para admitir dos estados discretos, el
estado basal (fundamental) E1 y el primer estado
excitado E2, al estado basal le correspondera una
funcion de onda 1 (x) que dentro del pozo debe
ser el equivalente aproximado de una media longitud de onda (correspondiendo a una solucion par
de la ecuacion de onda, sin un nodo en el punto
intermedio central del pozo en donde la funcion Fig. 1.10
de onda pudiera tomar el valor de cero), mientras
que al primer estado excitado le correspondera

Supongase que ahora se interpone una barrera

na en el centro
una funcion de onda 2 (x) que dentro del pozo de potencial de anchura muy peque
debe ser el equivalente aproximado de una lon- del pozo de potencial, una barrera casi inexistente
gitud de onda completa (correspondiendo a una pudiendo tomarse como una lnea vertical imagisolucion impar de la ecuacion de onda, con un naria.
nodo en el punto intermedio central del pozo en
donde la funcion de onda toma el valor de cero).

El pozo de anchura 2a queda efectivamente

subdividido en dos mitades iguales de anchura a

Puesto que el pozo de potencial de anchura 2a cada una de ellas. Cada mitad tendra dos niveles
no tiene las paredes verticales infinitamente altas, energeticos E1 y E2 por encima del potencial V0 ,
algo de la funcion de onda 1 (x) as como de la iguales en magnitud a los niveles energeticos del
funcion de onda 2 (x) debera escaparse hacia pozo de anchura 2a.
los lados fuera del pozo.
Las energas para los estados discretos de un
Esto es lo que corresponde a una solucion que pozo de potencial de anchura 2a pueden ser aproxen el exterior del pozo tiene un decaimiento ex- imadas mediante la relacion que se obtuvo arriba:
ponencial mientras que en el interior del pozo
tiene un comportamiento cosenoidal para 1 (x)

En + V0

n2 2
h2
2m(2a)2

y senoidal para 2 (x).

La energa del estado basal sera:
En las figuras que se muestran a continuacion,

E1 + V0

12 2
h2
2m(2a)2

Q
4

uno de los sistemas modelo mas importantes en

la mecanica cuantica, ya que cualquier potencial

Mientras que la energa del primer estado sera: se puede aproximar por un potencial armonico en
las proximidades del punto de equilibrio estable.
E2 + V0

22 2
h2
2m(2a)2

ademas, es uno de los sistemas mecanico cuantico

que admite una solucion analtica sencilla.

Siendo:
Se puede obtener la ecuacion de Schrodinger
Q=

2
h2
2ma2

de un oscilador armonico, utilizando el potencial

en un resorte clasico.

Para el caso en el cual la barrera de separacion

entre ambos pozos no es muy grande, ni siquiera

V (x) = 12 kx2 = 12 mwx2

grande, por ejemplo cuando ba, la solucion general debe ser tal que al ir aproximando los dos po-

w=

k
m

Frecuencia angular

zos de potencial rectangulares se van uniendo

las funciones de onda de cada estado fundamen-

w = 2f

tal propio de los pozos separados para formar la

nueva funcion de onda que corresponde al estado
fundamental del doble pozo con dos jorobas.
Esta es la solucion par del doble pozo de po-

La ecuacion de Schrodinger con esta forma de

potencial es:
2

h d (x)

2m
+ 12 mwx2 (x) = E
dx2

tencial que corresponde a la funcion de onda 1

del doble pozo de potencial (no confundir!).

Dado que la derivada de la funcion de onda,

debe devolver el cuadrado de x mas una constante

La solucion impar del doble pozo de potencial multiplicada por la funcion original, se sugiere la
es la que llamaremos 2 .

siguiente forma:
(x) = Ce

ax2
2

3.4 Oscilador Arm

onico
Tengase en cuenta que esta forma, satisface
el requisito de ir a cero en el infinito, por lo
Hay dos tipos principales de oscilador
armonico: el clasico y el cuantico, de los cuales
se hablara en esta unidad. El oscilador armonico
cuantico es el analogo del oscilador clasico. Es

que es posible normalizar la funcion de onda.

Sustituyendo esta funcion en la ecuacion de
Schrodinger y estableciendo las condiciones de

contorno, resulta la energa del estado fundamen- n, la gaussiana es multiplicada por un polinomio
tal del oscilador armonico cuantico.

de orden n, llamado polinomio de [Link] expresiones se simplifican mediante la sustitucion:

E0 =

w
h
2

y=

x donde =

mw
h

Aunque este proceso muestra que esta energa

satisface la ecuacion de Schrodinger, nos demues-

La formula general de las funciones de onda

tra que es la energa mas baja. Una forma intere- normalizada es:
sante de verlo, es demostrar que es la energa mas
baja permitida por el principio de incertidumbre.
El principio de incertidumbre nos revela una

n (y) = ( ) 4 21n n! Hn (y)e

y 2
2

El oscilador armonico cuantico tiene implica-

caracterstica distinta a la mecanica cuantica que ciones mas alla de la simple molecula diatomica.
no existe en la mecanica newtoniana. Como la Es la base para la comprension de los modos comdefinicion simple, podemos se
nalar que se trata plejos de vibracion en las moleculas mas grandes,
de un concepto que describe que el acto mismo el movimiento de los atomos en una red solida,
de observar cambia lo que se esta observando. En la teora de la capacidad calorfica, etc. En los
1927, el fsico aleman werner Heisenberg se dio sistemas reales, los espaciamientos de energa son
cuenta de que las reglas de la probabilidad que solamente iguales en los niveles mas bajos, donde
gobiernan las partculas subatomicas nacen de la el potencial es una buena aproximacion al potenparadoja de que dos propiedades relacionadas de cial armonico del tipo de masa sobre un resorte.
una partcula no pueden ser medidas exactamente Los terminos armonicos que aparecen en el potenal mismo tiempo.

cial de una molecula diatommica, son u

tiles para
mapear el potencial detallado de tales sistemas.

La solucion general de la ecuacion de

Schrodinger, conduce a una secuencia de niveles

Oscilador armonico mono-dimensional

de energa uniformemente espaciados, que se caracterizan por el numero cuantico n.

El hamiltoniano es un termino cientfico, en

honor del matematico y fsico irlandes William

Las funciones de onda del oscilador armonico Rowan [Link] Hamiltoniano H tiene dos
cuantico, contienen la forma gaussiana que les significados distintos, aunque relacionados. En
permite satisfacer las condiciones de contorno mecanica clasica,es una funcion que describe el
necesarias en el infinito. En la funcion de onda estado de un sistema mecanico en terminos de
asociada con un valor dado del numero cuantico variables de posicion y de momento, y es la base

para la re formulacion de la mecanica clasica [Link] el fin de obtener los estados estatambien conocida como mecanica hamiltoniana. cionarios (es decir, las auto funciones y los auto
En mecanica cuantica , el operador Hamiltoniano valores del Hamiltoniano o valores de los nivees el correspondiente al observable energa , y les de energa permitidos), tenemos que resolver
puede referirse a:

la ecuacion de Schrodinger independiente del

tiempo.

- al Hamiltoniano clasico , una funcion relacionada con la energa de un sistema clasico , que

>= E|
H|

permite hallar sus ecuaciones de movimiento

- al Hamiltoniano cuantico , un operador relacionado con la energa de un sistema cuantico
- al Hamiltoniano molecular , el operador
hamiltoniano de los electrones de una molecula
.
En el problema del oscilador armonico unidimensional, una partcula de masa m esta Fig. 1 funciones de onda
sometida a un potencial cuadratico.
En la imagen anterior podemos observar funV (x) =

1
kx2
2

ciones de onda para los ocho primeros auto

estados,v = 0a7.
2

En mecanica clasica k = mw se denomina

constante de fuerza o constante elastica , y de-

Las ocho primeras soluciones se muestran en

pende de la masa m de la partcula y de la fre- la figura 1. Las funciones Hn son los polinomios
cuencia angular w.
de Hermite:
=
H

p2
2m

+ 12 mw2 x2

Donde x es el operador de posicion y p es el

d
operador momento (
p = ih dx
) el primer ter-

mino representa la energa cinetica de la partcula,

mientras que el segundo representa su energa

Hn (x) = (1)n ex

dn x2
e
dxn

Schrodinger independiente del tiempo para un

cuerpo de masa m moviendose dentro de un
campo potencial V sera:
2

[ 2m
2 + ] = E

Fig. 2 Densidad de probabilidad

En la figura 2 se puede observar como son
las densidades de probabilidad de los primeros
auto estados (dimension vertical, con los de
menor energa en la parte inferior) para las diferentes localizaciones espaciales (dimension horizontal). Resolveremos aqu el problema del oscilador armonico simple mediante la ecuacion de
Schrodinger. El punto de partida sera la ecuacion
diferencial siguiente:
= E|
H|

Fig. 3 Esfera describiendo el movimiento de un

oscilador armonico simple
En la grafica se ha colocado una esfera dentro de la parabola que nos puede describir a
la perfeccion el comportamiento del oscilador
armonico simple. Clasicamente, si la esfera se
encuentra en re poso en el fondo del recipiente
parabolico, all permanecera por siempre sin ir
jamas a ning
un lado.

Sin embargo, si la es-

fera se encuentra inicialmente en reposo en un

punto como el mostrado en la figura que corresponde a una energa potencial V(x)= 5 estando

En donde H es un operador diferencial que

representa la energa total del sistema con las
variables clasicas re formuladas como operadores
diferenciales, y E son los valores eigen que resultaran de la solucion a la ecuacion diferencial.

Para este caso, la ecuacion de onda de

sujeta a un campo gravitacional, la esfera empezara a perder energa potencial y a ganar energa de movimiento (cinetica) al caer al fondo
de la parabola. Suponiendo que no hay friccion
alguna entre la esfera y la parabola (y por lo
tanto no hay perdidas de energa por rozamien-

tos), al llegar al fondo de la parabola toda la en-

dy =

mw
dx
h

erga potencial de la esfera se habra convertido

en energa cinetica. Pero la cosa no para all. La

Observese que esta sustitucion limpia el co-

esfera contin
ua su movimiento, pero esta vez en eficiente de la derivada de segundo orden , haascenso, perdiendo energa cinetica al ir ganando ciendo que el cambio de variable al sustituirlo en
energa potencial hasta llegar a una altura igual a la ecuacion se pueda reagrupar.
la que tena inicialmente en el lado opuesto de la
parabola, tras lo cual el ciclo volvera a repetirse

y
h
= ( mw
)( mw
) = y2
hw

k 2
x
w
h

indefinidamente.
De este modo, la ecuacion diferencial es ahora,
Con una energa potencial V (x) =

kx2
,
2

la puesta en funcion de la variable y:

ecuacion de Schodinger se nos convierte en lo sigud2 (y)
dy 2

iente:
2

y 2 (y) + (y) = 0

h d

[ 2m
+ 12 kx2 ] = E
dx2

La solucion de esta ecuacion diferencial de segundo orden es simplemente (indicaremos aqu

Removiendo los parentesis para que los proporcionalidad en lugar de igualdad a espera de
terminos del operador combinado puedan actuar completar posteriormente la solucion agregandole
directamente sobre el operando :
2

el factor que le falte):

y2

h d

2m
+ 12 kx2 ] = E
dx2

e 2

Podemos hacer la siguiente substitucion de

Lo cual se puede comprobar de la siguiente

variables:

manera:

h d (x)

2m

dx2

kx4
hw

En donde =

= (x)

2E
w
h

Para un oscilador armonico simple se sabe que

w=

k
m

o bien k = mw2 . Por otra parte, pode-

mos hacer el siguiente cambio de variable:

y=

mw
x
h

y2

e 2
d
dy

y2

ye 2

y2

d2
dy 2

y 2 e 2

d2
dy 2

y 2

La

dependencia

asintomatica

es

valida

u
nicamente para un signo negativo en el expo- hace cero para un entero s = n, o sea:
nencial, porque con un signo positivo la funcion
de onda adquiere valores infinitamente grandes

2n + 1 = 0

y no puede ser normalizada. Por otra parte, la

funcion (y) mantendra la cada asintomatica

= 2n + 1

(debido a la cada rapida producida por la exponencial) si es multiplicada por un polinomio finito
H(y). La solucion tentativa sera entonces:
2

Pero ya habamos echo previamente =

2E
.
w
h

Regresando a la notacion normal tenemos:

(y) = H(y)e y2

2E
w
h

Sustituyendo esta solucion tentativa en la

Despejando para E tenemos entonces el sigu-

ecuacion diferencial, obtenemos lo siguiente:

= 2n + 1

iente resultado que nos indica que los valores de la

energa E que puede tomar un oscilador armonico

d2 H(y)
dy 2

2y dH(y)
dy

+ ( 1)H(y) = 0

simple no pueden tomar cualquier valor dentro de

un rango continuo, estan cuantizados:

Supongase ahora una solucion polinomica, en

la forma de un polinomio finito:

E = (n + 21 )
hw

H(y) = a0 + a1 y + a2 y 2 + .... + ap y p
En donde el sub-ndice en la sumatoria especifica que la sumatoria corre desde i = 0 hasta
un entero i = p Si sustituimos este polinomio en
la ecuacion diferencial despues de haber tomado
la primera y segunda derivadas, e igualamos las
sumas de los coeficientes con exponentes iguales
a cero, obtenemos la siguiente relacion recursiva:
Fig. 4 Diagrama de los niveles para la energa
as+2 =

2s+1
a
(s+2)(s+1) s

s0

Para que no tengamos un polinomio infinito,

se requiere ponerle un tope, lo cual se logra
cuando el numerador de la relacion recursiva se

cinetica del oscilador armonico cuantico

Este es exactamente el mismo resultado que
el que obtuvimos mediante la Mecanica Matricial
de Heisenberg. Sin embargo, en la Mecanica Ma-

tricial no se tuvo que recurrir a ecuaciones difer- H3 = 8y 3 12y

enciales ni a

H4 = 16y 4 48y 2 + 12
H5 = 32y 5 160y 3 + 120y

ninguno de los elementos del calculo infinitesimal, todo se llevo a cabo haciendo uso de las ma-

Todos los polinomios de Hermite de orden

trices en combinacion con la extra

na ecuacion n2 se pueden expresar en terminos de los dos
de Max Born. El haber obtenido el mismo re- primeros polinomios H0 (x) y H1 (x), de orden
sultado puede y debe despertar sospechas de que cero y uno respectivamente, mediante la siguiente
no se trata de una simple coincidencia, y de que relacion de recurrencia.
hay un mar de fondo que conecta ambas formas
de hacer la Mecanica Cuantica. Si bien en la res-

Hn (x) = 2xHn1 (x) 2(x 1)Hn2 (x)

olucion del problema del oscilador armonico simple mediante la Mecanica Ondulatoria no se ha

Estos polinomios son ampliamente conocidos

recurrido a la ecuacion de Born, ello no implica en las matematicas como los polinomios de Herque dentro de toda la estructura matematica de la mite (en honor al matematico frances Charles
Mecanica Ondulatoria no este operan do en forma Hermite (1822-1901) quien investigo en el campo
oculta dicha ecuacion a grado tal que sin ella todo de la teora de los n
umeros y en el algebra), siendo
lo que hemos logrado aqu se nos vendra abajo. las graficas de los mismos las siguientes:
Lo menos que podramos esperar en este momento
es que la ecuacion de Schrodinger nos conduzca
tarde o temprano a la conclusion de que el momento angular esta cuantizado de la misma manera en la que lo esta bajo el modelo atomico planetario de Bohr y bajo la Mecanica Matricial de
Heisenberg. Investigaremos posteriormente este
asunto que no es un asunto superficial sino un
asunto de fondo.
En el caso de los polinomios finitos que nos resultan arriba como parte de la solucion del prob-

Fig. 5 Graficas de los polinomios ortogonales de

Hermite

lema, los primeros polinomios resultan ser:

H0 = 1
H1 = 2y
H2 = 4y 2 2

Una formula ampliamente utilizada para

generar los polinomios de Hermite es la formula
de Rodrigues descubierta por el matematico

frances Benjamn Olinde Rodrgues (nos volver- cuanticos principales n:

emos a encontrar esta misma formula, aplicada
al caso de los polinomios de Legendre en la en-

Cn =

1
2xn!

n=0,1,2,3,4...

trada titulada Polinomios de Legendre: aspectos

matematicos):

En la siguiente figura tenemos una grafica

tridimensional en la cual tenemos en un plano el
n 2

Hn (y) = (1) e
2

= (1)1 e (

2
dn e

d 2

d n 2
( d
) e

diagrama de los niveles de energa del oscilador

)n

armonico cuantico y en el cual aparecen superimpuestos en tercera dimension las amplitudes de

Problema: Obtenga los primeros cuatro poli- probabilidad para las funciones de onda de los esnomios de Hermite con la formula de Rodrigues. tados del oscilador armonico cuantico:
0 (e2 )

H0 () = (1)0 e ( d
2

d 0

1 (e2 )

H1 () = (1)1 e ( d

) = (e )(e ) = 1

) = (e )(e ) =

2
2

2 (e2 )

H2 () = (1)2 e ( d

d 2

) = (e )(e ) =

4 2 2
2

2 (e2 )

H3 () = (1)3 e ( d

d 3

) = (e )(e ) =

8 3 12

Fig. 6 Grafica en tres dimensiones del diagrama

de los niveles de energa del oscilador armonico

Las funciones de onda (x) correspondientes

cuantico

a cada uno de los n

umeros cuanticos del oscilador
armonico simple seran iguales al producto de cada

Los polinomios de Hermite son polinomios

uno de los polinomios de Hermite dados arriba ortogonales, en el sentido de que si tomamos
multiplicados por la funcion exponencial decre- cualquier par de dichos polinomios e integramos
ciente que se sobrepone rapidamente a los expo- el producto de los mismos desde un rango que
nentes de los polinomios logrando que (x) 0 vaya desde -1 a 1 resultado sera igual a cero.
cuando x tanto para los valores positivos Esto se parece mucho a los vectores ortogonales
como los valores negativos de x, multiplicadas que encontramos al empezar con el estudio de la
por una constante de normalizacion dada por la Mecanica Matricial, y de hecho si a cada una
siguiente expresion para cada uno de los n
umeros de estas funciones polinomicas Hermitianas las

llamamos vectores, en cierta forma (aunque posicion de equilibrio y que aumenta su velocidad
no aplique aqu la geometra vectorial ordinaria) , la energa potencial elastica del resorte se transestan a angulos rectos cada una de ellas con forma en energa cinetica de la masa. Cuando la
respecto a las demas.

masa llega a su posicion de equilibrio, la fuerza

sera cero, pero como la masa esta en movimiento,

Oscilador armonico clasico

continuara y pasara del otro lado. La fuerza se

invierte y comienza a frenar la masa. La energa

Se dice que un sistema cualquiera, mecanico, cinetica de la masa que va transformandose ahora
electrico, neumatico, etc.
es un oscilador en energa potencial del resorte o muelle hasta que
armonico si cuando se deja en libertad, fuera de la masa se para. Entonces este proceso vuelve a
su posicion de equilibrio, vuelve hacia ella descri- producirse en direccion opuesta completando una
biendo oscilaciones sinusoidales , o sinusoidales oscilacion. Si toda la energa cinetica se transamortiguadas en torno a dicha posicion estable. formase en energa potencial y viceversa, podemos ver que la oscilacion seguira eternamente con
la misma amplitud. En la realidad, siempre hay
una parte de la energa que se transforma en otra
forma, debido a la viscosidad del aire o por que el
resorte no es perfectamente elastico. As pues, la
amplitud del movimiento disminuira mas o menos
lentamente con el paso del tiempo. Se empezara
tratando el caso ideal, en el cual no hay perdidas.
Se analizara el caso unidimensional de un u
nico
oscilador (para la situacion con varios osciladores,
Fig. 7 La masa colgada del resorte forma un oscilador armonico
El ejemplo es el de una masa colgada a un resorte. Cuando se aleja la masa de su posicion de
reposo, el resorte ejerce sobre la masa una fuerza
que es proporcional al desequilibrio (distancia a
la posicion de reposo) y que esta dirigida hacia
la posicion de equilibrio. Si se suelta la masa, la
fuerza del resorte acelera la masa hacia la posicion
de equilibrio. A medida que la masa se acerca a la

vease movimiento armonico complejo).

Fig. 8 En esta imagen se observa el movimiento

oscilatorio de una masa que cuelga de un resorte,
formando funciones senoidales.
Casos
Oscilador armonico sin perdidas
Se denominara ya la distancia entre la posicion
de equilibrio y la masa, a la que se le denominara Fig. 9 Robert Hooke
Se supondra que la fuerza del resorte es estrictamente proporcional al desequilibrio: F = ky (

La segunda ley de Newton nos dice:

ley de Hooke ). Donde la Ley de Hooke nos describe fenomenos elasticos como los que exhiben
los resortes. Esta ley afirma que la deformacion
elastica que sufre un cuerpo es proporcional a la

F = ma = m dv
= m ddt2y
dt
Reemplazando la fuerza obtenemos:

fuerza aplicada que produce tal deformacion producida, siempre y cuando que esta no sobrepase
el lmite de elasticidad. Donde F es la fuerza y
k la constante elastica del resorte. El signo negativo indica que cuando y es positiva la fuerza esta
dirigida hacia las negativas. Robert Hooke (16351703), estudio, entre otras cosas, el resorte. Su ley
permite asociar una constante a cada resorte. En
1678 publica la ley conocida como Ley de Hooke:
La Fuerza que devuelve un resorte a su posicion
de equilibrio es proporcional al valor de la distan-

m ddt2y = ky
La solucion de esta ecuacion diferencial ordinaria es inmediata: las u
nicas funciones reales
(no complejas ) cuya segunda derivada es la
misma funcion con el signo invertido son seno
y coseno .

Las dos funciones corresponden al

mismo movimiento. Escogemos arbitrariamente

coseno. La solucion se escribe :

cia que se desplaza de esa posicion.

y = Acos(wt + )
- y es la elongacion o diferencia respecto al
estado de equilibrio, sus unidades son las de A.
- A es la amplitud, maxima diferencia respecto
a la posicion de equilibrio.

- w = 2f es la pulsacion y f la frecuencia.

funcion del tiempo (curva de arriba), la velocidad

en funcion del tiempo (en medio) y las energas

- t es el tiempo.

potenciales y cineticas (abajo).

- es la fase inicial (para t=0).

Oscilador armonico amortiguado

Es facil comprobar que el valor de w es:

A
nadiendo perdidas de energa, se consigue
modelar una situacion mas proxima a la reali-

w=

dad. As, notese que la oscilacion descrita en

k
m

el apartado anterior se prolongara indefinidaEl periodo de oscilacion es

mente en el tiempo (la sinusoide que describe la

posicion no converge a cero en ning
un momento).

T = 2

m
k

Una situacion mas verosmil se corresponde con

la presencia de una fuerza adicional que frena el
movimiento.
Esa fuerza puede ser constante (pero siempre
con signo tal que frene el movimiento). Es el caso
de rozamientos secos: la fuerza no depende ni de
la velocidad ni de la posicion. Otra situacion que
se produce en la realidad es que la fuerza sea proporcional a la velocidad elevada a una potencia
, entera o no. As sucede cuando la fuerza que
frena proviene de la viscosidad o de las perdidas

Fig. 10 La curva morada de la posicion del os- aerodinamicas . Se tratara u

nicamente el caso
cilador en funcion del tiempo. La curva verde da mas simple, es decir, cuando la fuerza sea prola velocidad. En la azul esta la energa cinetica porcional a la velocidad. En este caso la fuerza
1
mv 2
2
1
ky 2
2

y en rojo la energa potencial del resorte sera:

Como ya hemos dicho, durante un cuarto de

una oscilacion la energa potencial se transforma
en energa cinetica. Durante otro cuarto, la energa cinetica se transforma en energa potencial.
En la figura de arriba se ha trazado la posicion en

Ff = bv = b dy
dt
Donde b lo denotamos como el coeficiente que
mide el amortiguamiento debido a la viscosidad.
Si es peque
no, el sistema esta poco amortiguado.

Notese si el signo negativo que se indica, como con la que se produce este regreso depende de la
antes, entonces la velocidad es positiva, la fuerza magnitud del amortiguamiento, pudiendose dar
tiene la direccion opuesta a la velocidad . De dos casos distintos: el sobreamortiguamiento y el
acuerdo a la segunda ley de Newton, con este movimiento crticamente amortiguado.
termino complementario la ecuacion diferencial
del sistema es:
2

m ddt2y = ky b dy
dt
Se trata de una ecuacion diferencial ordinaria,
lineal, de segundo orden(no hay termino independiente de y).
Tiene tres tipos de soluciones seg
un el valor
de b2 4km
- Si b2 4km > 0 el sistema esta sobreamortiguado.
- b2 4km = 0 el sistema tiene amortiguamiento critico.
- b2 4km < 0 el sistema oscila con amplitud

Fig. 11 Oscilador armonico con amortiguador. La

fuerza viscosa es proporcional a la velocidad.
Oscilador sobreamortiguado

decreciente.
En este caso el sistema no es realmente un osTodos los osciladores reales estan sometidos a
alguna friccion. Las fuerzas de friccion son disipativas y el trabajo que realizan las mismas es
transformado en calor que es disipado fuera del

cilador, ya que no oscila. La solucion es de la

forma:
y = A1 e1 t + A2 e2 t

sistema. Como consecuencia, el movimiento esta

amortiguado, salvo que alguna fuerza externa lo
mantenga. Si el amortiguamiento es mayor que
cierto valor crtico, el sistema no oscila, sino que
regresa a la posicion de equilibrio. La rapidez

Donde los coeficientes de las exponenciales son

menores que cero y reales(por lo que no hay oscilacion):

1 =
y
2 =

b b2 4km
2m

b+ b2 4km
2m

En este caso es el limite entre un sistema oscilante y uno no oscilante. Ocurre cuando b2 <
4km. La solucion u
nica es:
b

y = A1 e 2m t + A2 te 2m t

A1 y A2 dependen de las condiciones iniciales

(es decir, de la situacion del sistema para t=0).
La posicion no es oscilante y tiende hacia la

Como antes, A1 y A2 son constantes que de-

posicion de equilibrio de manera asintotica . Las penden de las condiciones iniciales. (Siendo A1
dos exponenciales decrecientes de las soluciones la posicion inicial y A2 La velocidad inicial). El
tienen constantes de tiempo diferentes. Una es amortiguamiento crtico corresponde a la tendenpeque
na

1
1

corresponde a la rapida cancelacion cia mas rapida hacia la situacion de equilibrio

del efecto de la velocidad inicial . La segunda 12 cuando no sobrepasa esa posicion. Si se dismines mas grande y describe la lenta tendencia hacia uye un poco el amortiguamiento el sistema se acla posicion de equilibrio.

erca mas rapidamente a la posicion de equilibrio,

pero sobrepasando la posicion oscila en torno a ese
punto (tomando valores positivos y negativos).
Oscilador con amortiguamiento debil
En este caso, que es mas interesante, tenemos
un oscilador que oscila alrededor de la posicion
de equilibrio con amplitud decreciente. Sucede
cuando: b2 = 4mk
La solucion es:

Fig. 12 Posicion en funcion del tiempo de un oscilador armonico amortiguado

y = Ae 2m t cos(wt + )
Curva azul: amortiguamiento critico.
Como antes, A y phi son constantes que de-

Curva rojo: amortiguamiento doble que el critico.

Curva verde: amortiguamiento igual a 90 por penden de las condiciones iniciales. La pulsacion
ciento del amortiguamiento critico.
Oscilador con amortiguamiento critico

es:
w=

k
m

b 2
( 2m
)

periodico o bien movimiento armonico no amortiguado, en el que el periodo depende tanto de

la masa como de la constante del resorte, la constante del resorte depende de factores fsicos del
mismo, para obtener su valor, solo basta con despejar de la formula del periodo.
Problema

Fig. 13 Oscilaciones amortiguadas. La amplitud

Una

partcula

efect
ua

un

movimiento

de la sinusoide esta controlada por la exponencial armonico simple cuyo periodo es igual a 1s. Sabiendo que en el instante t = 0 su elongacion es
Por u
ltimo, debemos tener en cuenta que, para

0.7cm y su velocidad 4.39cm/s, calcule:

los casos con amortiguamiento, tomar la fuerza

como proporcional a la velocidad es, de nuevo,

a)La amplitud y la fase inicial.

una aproximacion. En este caso, la expresion del b)La maxima aceleracion de la partcula.
rozamiento viscoso es difcil de obtener, y una
aproximacion como la que utilizamos suele ser
u
til, tan solo, en regimen laminar, lo que se suele
traducir en pedir que la velocidad de la oscilacion
no sea excesivamente alta.
En la fsica se ha idealizado que el movimiento
de un oscilador armonico, en el que se considera
que sobre el sistema no existe la accion de las

Interpretacion de los datos del problema: Pe-

fuerzas de rozamiento, es decir, no existe disi- riodo T=1s. La pulsacion es:

pacion de energa y el movimiento se mantiene
invariable, sin necesidad de comunicarle energa

2pi
= 2 rad
T
s

a este. Este movimiento se llama movimiento

armonico simple.

Si t = 0, la elongacion x es 0.70 cm. Por

tanto x0 =0.070m. La partcula se encuentra a la

El movimiento que presentan los objetos que derecha de la posicion de equilibrio pues la elonoscilan mientras que no hay una fuerza externa gacion es positiva.
que influya en el sistema, se llama movimiento

Si t=0, la velocidad v es 4.39 cm/s. Por tanto

V0 =0.0439 m/s. La partcula se mueve hacia la

3.5 Reflexi
on y transmisi
on de las ondas
electr
onicas: penetraci
on de barrera

derecha pues la velocidad es positiva. a) las ecuaciones de movimiento armonico simple son:
Es importante tomar los temas anteriores:
x = Acos(t + )

una partcula en un pozo rectangular finito y oscilador armonico, en donde ya se han analizado

v = Asen(t + )

problemas de estados ligados en los cuales la enSustituyendo los valores conocidos:

erga potencial es mayor que la energa total para

valores grandes de x. En este tema consideraremos algunos ejemplos simples de estados no

0.007 = Asen(20 + ) = Asen

0.0439 = 2Acos(20 + ) = 2Acos

ligados en los cuales E es mayor que U(x). La energa potencial es el tipo de energa mecanica asociada a la posicion de energa mecanica asociada

Dividimos miembro a miembro las dos ecuaciones:

0.007
0.0439

a la posicion o configuracion de un objeto. Podemos pensar en la energa potencial como la energa almacenada en el objeto debido a su posicion

Asen
2Acos

0.01m

y que se puede transformar en energa cinetica o

trabajo.

b) la ecuacion de la aceleracion del m.a.s

planteado es:
a = A 2 sen(t + )
a = 0.395sen(2t + 0.79)
Ahora bien, la aceleracion es maxima cuando
el seno en la expresion tiene un valor de 1. En
este caso:
amax = 0.395m/s2

Fig. 2.1 Energa potencial y cinetica

El concepto energa potencial U, se asocia con
las llamadas fuerzas conservadoras. Cuando una
fuerza conservadora, como la fuerza de gravedad,
act
ua en un sistema u objeto; la energa sonetico

ganada por el sistema u objeto es compensada

por una perdida de una cantidad igual de energa
potencial. Esto ocurre cuando los elementos del
sistema u objeto cambian de posicion, como se
puede observar en la imagen 2.1
Considere una pelota cayendo. La fuerza de
gravedad realiza trabajo en la pelota. Como la direccion de la fuerza de gravedad esta en direccion
del desplazamiento de la pelota, el trabajo real-

Fig. 2.2 Energa potencial y cinetica

izado por la gravedad es positivo. El que el trabajo sea positivo significa que la energa cinetica
aumentara seg
un la pelota cae. Es decir, la velocidad de la pelota aumentara.

La energa cinetica es un concepto fundamental de la fsica que aparece tanto en la

mecanica clasica como el la mecanica relativista
y la cuantica. La energa cinetica es una magni-

Seg
un la energa cinetica aumenta, la ganancia
debe ser compensada por una perdida de una cantidad igual en energa potencial. Es decir, seg
un
la pelota cae, la energa cinetica aumenta mientras que la energa potencial disminuye, observa-

tud escalar asociada al movimiento de cada una

de las partculas de un sistema. Esta magnitud
es extensiva por lo que la energa de un sistema
puede expresarse como la suma de las energas de
las partes.

mos la imagen 2.1 Se define la energa potencial

como: U = mgh
La energa cinetica es la energa que un objeto posee debido a su movimiento. La energa
cinetica depende de la masa y la velocidad del objeto seg
un la ecuacion E=(1/2)mv 2 donde m es la
masa del objeto y v la la velocidad del mismo elevado al cuadrado. El valor de E tambien puede
derivarse de la ecuacion: E=(ma)d donde a es la
aceleracion de la masa m.

Potencial Escalon
El termino energa tiene diversas captaciones
y definiciones relacionadas con la idea de una
capacidad para obrar, transformar o poner en
movimiento.

En fsica, se define como la ca-

pacidad de realizar un trabajo. En tecnologa

y economa, se refiere a un recurso natural, incluyendo a la tecnologa asociada para extraerlo,
transformarla y luego darle un uso industrial o
[Link] una partcula de energa
E que se mueve en funcion escalon tal como se
muestra en la siguiente figura.

minada altura y despues descendera y se movera

a la izquierda a su velocidad original. Si E es
mayor que mgh, la bola ascendera hasta lo alto
de la cuesta y seguira hacia la derecha con menor
velocidad.

Fig. 2.3 Funcion escalon

Veamos lo que ocurre cuando se mueve la
partcula a la izquierda o derecha y encuentra un
escalon.
Respuesta clasica: a la izquierda del escalon,

Fig. 2.4 Pelota en movimiento

la partcula se mueve con una velocidad v =

q

2E/m. En x = 0, una fuerza impulsiva act

ua

Planteamiento del problema

sobre la partcula.
Necesitamos calcular los n
umeros de onda k1
E menor que U0 : La partcula cambiara de y k2 para determinar el coeficiente de reflexion R.
umeros de onda estan relacionados con la
sentido y se movera hacia la izquierda con su ve- Los n
locidad original, es decir la partcula se vera re- energa cinetica por:
flejada por el escalon.
E0 =
E mayor que U0 :

h2 k2
2m

la partcula continuara

moviendose hacia la derecha pero con velocidad

reducida dada por:

p2
2m

2(E U0/m)

Una analoga de este problema clasico es de

La probabilidad de reflexion es el coeficiente

de reflexion
R=

(k1 k2 )2
(k1 +k2 )2

una bola que rueda sobre una superficie horizontal

y se encuentra con una cuesta de altura h dad por

Calcular k1 a partir de la energa cinetica ini-

U=mgh. Si la energa cinetica de la bola es menor cial E0 :

que mgh, la bola ascendera solo hasta una deter-

E0 =

h2 k12
2m

ciones no decrece inmediatamente a cero en la

barrera, si no que decae exponencial mente en la
region 0 x a.

despejamos a:
q

k1 = 2mE0 /h2 = 1.41 mE0 /h2

Relacionamos k2 con la energa cinetica final
Ec2 :
E0 =

h2 k12
2m

= 0.8E0

despejando k2 :
q

k2 = 2m0.8E0 /h2 = 1.26 mE0 /h2

Fig. 2.5 Penetracion de una barrera

Al sustituir estos valores en la ecuacion del

coeficiente de reflexion obtenemos lo siguiente:
R=

3.6 Efecto t
unel

(1.411.26)2
(1.411.26)2

Es un fenomeno que solo ocurre en la mecanica

Penetracion de una barrera

cuantica pero que tiene repercusiones en la fsica

clasica, se refiere a la probabilidad de que una

Suponga una barrera de potencial rectangular

de altura U0 y anchura dada por:

partcula atraviese una barrera de potencial la

cual no podra atravesar bajo condiciones de energa normales. Usando el efecto fotoelectrico de

(x) = 0, x 0

Einstein como base, junto con la relacion entra la

U (x) = U0 , 0 x a

longitud de onda, vector de onda y la frecuencia:

U(x)=0, xa
E = hf , = 2f
Consideraremos en la siguiente figura una k = 2, h
= h/2
partcula de energa E, ligeramente menos que
U, que incide sobre la barrera desde la izquierda.
basicamente, la partcula siempre seria reflejada.
sin embargo, una onda incidente en estas condi-

Cada partcula con masa m y velocidad c se

debe asociar una onda real, relacionada con el
momento:

h
p

h
mv

v2
c2

Obtenemos la energa y el momento:

sion:
n (z) = (0)eikz

2m(EU )
h

E=h
, p = h
k

k=

En 1925 Schrodinger sugirio la funcion de

Lo cual es la energa cinetica negativa que

onda:

representa a la region prohibida. La probabilidad de que la partcula se refleje esta dada por la

ei(kxwt)
Tomando la derivada de la funcion de onda

ecuacion:
P |n (0)|2 e2kW

con respecto del tiempo:

d

dt

= iw

Bibliografia

Y la derivada de con respecto de la posicion:

1.- Fisica cuantica:atomos, moleculas, solidos,
d

dt

= ikx

Puede ser reescrita con terminos de momento

y energa:

nucleos y particulas.
2.-Fisica moderna:mecanica cuantica, relatividad y estryctura de la materia,tipler mosca, sexta
edicion.

E = h

3.- [Link] [Link]
px = h
kx
Llegando a la ecuacion de Schrodinger:

/2009/08/oscilador-armonico -[Link].
4.-Fisica:para la ciencia y la [Link]
Paul Allen Tipler, Gene Mosca. Editorial:Reverte

2 d2 n (x)
h
2m
dx2

+ U (z)n (z) = En (z)

5.-Mecanica Cuantica, volumen 3.

Resolviendo la ecuacion en una sola dimen- B.G. Levich. Editorial: Reverte

Autor:

UNIDAD 4:
LA FSICA DE ESTADO SLIDO.

4.1 Estructuras cristalinas

La estructura fsica de los solidos es consecuencia de la disposicion de los atomos, moleculas o

iones en el espacio, as como de las fuerzas de interconexion de las partculas:
Estado amorfo: Las partculas componentes
del solido se agrupan al azar.

pando los nudos o puntos singulares de una red

espacial geometrica tridimensional. Ademas Al
romperse se obtienen caras y planos bien definidos
y presentan puntos de fusion definidos, al calentarlos suficientemente el cambio de fase ocurre de
una manera abrupta. Los metales, las aleaciones
y determinados materiales ceramicos tienen estructuras cristalinas, Ejemplos: NaCl, Sacarosa,
Sales en general, Metales, Algunos polmeros.
Celda unitaria

Sus caractersticas principales: -Sus partculas

presentan atracciones lo suficientemente fuertes
para impedir que la sustancia fluya, obteniendo
un solido rgido y con cierta dureza. -No presentan arreglo interno ordenado sino que sus
partculas se agregan al azar. -Al romperse se
obtienen formas irregulares. -Se ablandan dentro
de un amplio rango de temperatura y luego funden o se descomponen. -Ejemplos: vidrios, los
polmeros, cauchos, plasticos, papeles, protenas,
etc; pueden involucrar miles de moleculas similares.

Los atomos que pertenecen a un solido cristalino se pueden representar situandolos en una red
tridimensional, que se denomina retculo espacial
o cristalino. Este retculo espacial se puede definir
como una repeticion en el espacio de celdas unitarias y, esta formado por la repeticion de ocho
atomos.

Fig. 4.2 Celda

El cristal se puede representar mediante puntos en los centros de esos atomos.
Fig. 4.1 Redes
El tama
no y la forma de la celda unitaria se esEstado cristalino: Los atomos (moleculas o pecifica por la longitud de las aristas y los angulos
iones) que componen el solido se disponen seg
un entre las caras. Cada celda unitaria se caracteriza
un orden regular. Las partculas se sit
uan ocu-

por seis n
umeros llamados Parametros de Red,
Constantes de Red o Ejes Cristalograficos. La
longitud de las aristas se expresa en manometros o
Angstrom, esta longitud depende de los diametros
de los atomos que componen la red.
Red Cristalina

plata,...
d) Redes hexagonales compactas (HC): La celda
unitaria es un prisma hexagonal con atomos en
los vertices y cuyas bases tiene un atomo en el
centro. En el centro de la celda hay tres atomos
mas. En este caso cristalizan metales como cinc,
titanio y magnesio.

Redes de Bravais
Es el ordenamiento espacial de atomos y
moleculas que se repite sistematicamente hasta
formar un Cristal. Seg
un la posicion de los
Son paraleleppedos que constituyen la menor
atomos en los vertices de la celda unitaria de la subdivision de una red cristalina que conserva las
red cristalina existen:
caractersticas generales de toda la retcula, de
modo que por simple traslacion del mismo, puede
reconstruirse el solido cristalino completo. De la
superposicion de planos se generan catorce celdas
morfo logicamente distintas.

Fig 4.3 Sistema cristalinos

a) Redes c
ubicas sencillas (CS): Los atomos ocupan solo los vertices de la celda unidad.
b) Redes c
ubicas centradas en el cuerpo (BCC):
Los atomos, ademas de ocupar los vertices, ocupan el centro de la celda. En este caso cristalizan
el hierro y el cromo.
c) Redes c
ubicas centradas en las caras (FCC):
Fig. 4.4 Redes de Bravais
Los atomos, ademas de ocupar los vertices, ocupan el centro de cada cara de la celda. Cristalizan en este tipo de redes el oro, cobre, aluminio,

Estas estructuras se pueden ver de 2 formas:

-posiciones atomicas
-esferas rgidas

Factor de empaquetamiento = (atomos por

celda)x(volumen atomo)/(volumen celda)
Densidad.

Parametro de red.
A partir de las caractersticas de la red, puede
Es posible determinar el valor del parametro obtenerse la densidad teorica mediante la sigude red (longitud de los lados de la celda unitaria) iente expresion:
sin mas que localizar en la celda la direccion a lo
(atomosporcelda)(masaatomica)
largo de la cual los atomos entran en contacto.
densidad = (numerodeAvogrado)(volumencelda)
A estas direcciones se las denomina direcciones
compactas.
N
umero de coordinacion.
Es el n
umero de atomos que se encuentran en
contacto con un atomo en particular, o el n
umero
de atomos mas cercanos. El maximo es 12.

4.2 Simetra e indices de Miller

A veces es necesario referirse a los planos reticulares especficos de los atomos que se encuentran
en una estructura cristalina, o puede ser interesante conocer su orientacion cristalografica en los
planos de una red cristalina. Entendemos por
planos y direcciones cristalograficos a planos y
direcciones que contienen atomos de un cristal
dado. Consideramos que un atomo pertenece a un
plano (direccion) cuando el centro de ese atomo
esta en dicho plano (direccion).

Fig 4.5 Numero de coordinacion = 6

Direcciones cristalograficas
Factor de empaquetamiento.
Los ndices de Miller de las direcciones cristaFraccion del espacio de la celda unitaria ocu- lograficas se utilizan para describir direcciones espada por los atomos, suponiendo que estos son pecficas en la celda unitaria. Las direcciones
esferas solidas.
cristalograficas se usan para indicar determinada
orientacion de un cristal. Como las direcciones

son vectores, una direccion y su negativa representan la misma lnea, pero en direcciones opuestas. Una direccion y su m
ultiplo son iguales, es
necesario reducir a enteros mnimos
Entendemos por planos y direcciones cristalograficos a planos y direcciones que contienen
atomos de un cristal dado. Consideramos que un
atomo pertenece a un plano (direccion) cuando Fig 4.6 ejemplo
el centro de ese atomo esta en dicho plano (direccion).
Planos cristalograficos
Procedimiento para determinar las direcciones
cristalograficas.
-Determinar las coordenadas del punto inicial
y final.
-Restar las coordenadas del final menos el inicial.
-Eliminar las fracciones o reducir los resultados
obtenidos a los enteros mnimos.
-Encerrar los ndices entre corchetes rectos [ ], los
signos negativos se representan con una barra horizontal sobre el n
umero
Ejemplo:
A = (1-0, 1-0, 0-0) = [1 1 0]
B = (1/2-0, 1-0, 0-0) = [1/2, 1, 0] = [1 2 0]
C = (1-0, 1-0, 1-0) = [1 1 1]
D = (0-1, 0-0, 1-0) = [-1, 0, 1] = [1 0 1 ]
E = (1-0, 1-1, 1-0) = [1, 0, 1] = [ 0 1]

-Un plano es un conjunto de atomos ubicados

en un area determinada
-Los ndices de Miller sirven para identificar
planos especficos dentro de una estructura
cristalina
-Este sistema sirve para identificar planos de deformacion o de deslizamiento
-Se utiliza para determinar diferentes niveles de
energa superficial
-Sirven para determinar el sentido de crecimiento
de cristales en algunos materiales
Procedimiento para identificar planos.
-Identificar los puntos en donde el plano cruza los
ejes x, y, z.
-Si el plano pasa por el origen de coordenadas,
este se debe mover para poder ubicar una distancia.
-Determinar los recprocos de esas intersecciones.
-Simplificar las fracciones, sin reducir a enteros
mnimos.
-Los tres n
umeros del plano se representan entre parentesis, los negativos se identifican con una

lnea horizontal sobre el n

umero

esencial es que tiene una formula qumica. Por

ejemplo, el agua es un compuesto formado por
Ejemplo: Determinar los ndices de Miller de hidrogeno y oxgeno en la razon de dos a uno (en
volumen). En general, esta razon fija es debida
los siguientes planos
a una propiedad intrnseca. Un compuesto esta
formado por moleculas con enlaces estables y no
A: x=1, y=1, z=1
obedece a una seleccion humana arbitraria. Por
B: x=1, y=2, z= (El plano no cruza el eje z)
C: x=, y=-1, z= (El plano pasa por el ori- este motivo el bronce o el chocolate se denominan
mezclas o aleaciones pero no compuestos. Los elgen, mover a y=1)
ementos de un compuesto no se pueden dividir
Entonces obtenemos
o separar por metodos fsicos sino solo mediante
A: 1/1, 1/1, 1/1 - > (1 1 1)
reacciones qumicas.
B: 1/1, 1/2, 1/ - > (2 1 0)
C: 1/, 1/-1, 1/ - > (0 1 0)

Acido:
Es todo compuesto capaz de ceder proLos planos y sus negativos son iguales (0 2 tones.
0) = (0 2 0) Los planos y sus m
ultiplos no son Desde el punto de vista qumico se pueden dividir
iguales. En cada celda unitaria, los planos de en 2 grupos: Oxacidos e Hidracidos.
una familia representan grupos de planos equivaPropiedades generales de los acidos:
lentes, se representan con corchetes En los sistemas c
ubicos, una direccion que tiene los mismos -Presentan sabor agrio
ndices que un plano es perpendicular a ese plano. -La mayora son solubles en agua
-En solucion acuosa conducen corriente electrica
Planos de la familia 110=(110), (101), (011), -Reaccionan con ciertos metales desprendiendo
gas de Hidrogeno
(110), (101), (011)
-No atacan al oro, plata, platino y cobre
Ejemplo: Planos de la familia 1 1 1 =(111),
Los compuestos se dividen en tres grandes ra(111), (111), (111), (111), (111), (111), (111)
mas:binarios, ternarios y cuaternarios.
Son paralelos los Planos 111 y (111)
Ternarios:Son compuestos formados por 3 ele4.3 Compuestos ternarios y cuaternarios mentos qumicos diferentes; destacan Orto, Meta,
Piro.
Y se clasifican en:
Un compuesto es una sustancia formada por Hidroxidos(OH)
la union de dos o mas elementos de la tabla - oxidos metalicos + H 2 O
periodica, en una razon fija. Una caracterstica

Sales de amonio
-hidracidos cambia su H por NH+4
Oxacidos o acidos ternarios
-anhdridos + H 2 O (H 2 - no metal - O2 )
Oxsales o sales ternarias
acidos ternarios + OH (metal - no metal - O2 )
Cuaternarios: Son compuestos formados por 4
electrones; en esta rama estan comprendidos los
radicales.
Y se clasifican en:
Sales acidas
-metal + H 2 + no metal + O2
Oxisales de amonio
amonio(NH+4)+ no metal + O2
Sales dobles
2 cationes + no metal + O2
Sales cuaternarias
anion + oxido / OH + cation

4.4 Bandas de energa

Una forma u
til de visualizar la diferencia entre conductores, aislantes y semiconductores, es
dibujar las energas disponibles de los electrones
en el material. En lugar de tener energas discretas como en el caso de atomos libres, los estados
de energa disponibles en forma de bandas.

Fig 4.7 Bandas de energa

La mayora de las sustancia solidas son aislantes, y en terminos de la teora de bandas de
solidos esto implica, que hay un gran espacio prohibido entre las energas de los electrones de valencia, y la energa a la cual se pueden mover los
electrones libremente por el material (la banda de
conduccion).
En los semiconductores intrnsecos como el silicio y el germanio, el nivel de Fermi esta esencialmente a mitad de camino entre las bandas de valencia y conduccion. Aunque no ocurre
conduccion a 0o K, a temperaturas superiores un
n
umero finito de electrones pueden alcanzar la
banda de conduccion y proporcionar algo de corriente. En un semiconductor dopado, se agregan
niveles de energa extras. El aumento de la conductividad con la temperatura, se puede modelar
en terminos de la funcion Fermi, la cual, permite
calcular la poblacion de la banda de conduccion.
En terminos de la teora de bandas en solidos,

los metales son u

nicos como buenos conductores
La velocidad Fermi de estos electrones de conde la electricidad. Esto puede verse como el re- duccion, se puede calcular por la energa de Fermi.
sultado de que sus electrones de valencia estan
q
2Ef
esencialmente libres. En la teora de bandas, esto
Vf =
m
se dibuja como una superposicion de la banda de
valencia con la banda de conduccion, para que al
La distribucion Fermi-Dirac
menos una fraccion de los electrones de valencia
puedan moverse a traves del material.
La distribucion de Fermi-Dirac se aplica a los
fermiones, partculas con espn semientero, que
El nivel de Fermi
obedece el principio de exclusion de Pauli. Cada
tipo de funcion de distribucion tiene un termino
Es el termino utilizado para describir la parte de normalizacion multiplicando el denominador
superior del conjunto de niveles de energa de elec- del exponente, que puede ser dependiente de la
trones a la temperatura de cero absoluto. Este temperatura. Para el caso de Fermi-Dirac, ese
concepto proviene de las estadsticas de Fermi- termino se suele escribir:
Dirac. Los electrones son fermiones y por el principio de exclusion de Pauli no pueden existir en
eEf /kt
estados de energas identicas.
Energa de Fermi
El nivel de Fermi es la superficie de ese mar en
el cero absoluto, donde no hay electrones que tengan suficiente energa para elevarse por encima de
esa superficie. El concepto de la energa de Fermi
es de importancia crucial para la comprension
de las propiedades electricas y termicas de los
solidos.

La importancia de la energa de Fermi se ve

mas claramente estableciendo T=0. En el cero
absoluto, la probabilidad es =1 para energas
menores que la energa de Fermi y cero para energas mayores que la energa de Fermi. Se puede
imaginar todos los niveles hasta la energa de
Fermi llenos, pero ninguna partcula tiene una energa mayor. Esto es totalmente coherente con el
principio de exclusion de Pauli, donde cada estado cuantico no puede tener mas que una sola
partcula.

El nivel de Fermi juega un papel importante

en la teora de bandas de solidos. En los semiconductores dopados de tipo p y tipo n, el nivel
de Fermi se desplaza por las impurezas, seg
un lo
ilustran bandas prohibidas. En los metales, el
nivel de Fermi proporciona informacion sobre las
La naturaleza basica de esta funcion dice que
velocidades de los electrones que participan en la
a temperaturas ordinarias, estan llenos la mayora
conduccion electrica ordinaria.
de niveles de hasta el nivel de Fermi EF, y hay

relativamente pocos electrones con energas por

encima del nivel de Fermi. Este nivel es del orden
de electron-voltios (por ejemplo, 7 eV. en el cobre), mientras que la energa termica kT, es solo
alrededor de 0,026 eV a 300o K. Si se ponen estos
n
umeros en la funcion de Fermi a temperatura
ordinaria, se encuentra que su valor es esencialmente 1 hasta el nivel de Fermil, y rapidamente
se aproxima a cero por encima de el.

debe ser ponderado por el n

umero de estados
de energa disponibles para determinar la cantidad de electrones que alcanzan la banda de conduccion. Esta densidad de estados es la densidad
de estados de electrones, pero hay diferencias en
sus implicaciones en los conductores y semiconductores.

4.5 Masa efectiva

La teora de bandas de solidos, da la imagen de

La aceleracion que experimenta un electron en
que hay una diferencia considerable entre el nivel
de Fermi, y la banda de conduccion del semicon- un cristal entre dos interacciones es:
ductor. A temperaturas mas altas, una mayor
fraccion de los electrones pueden puentear este
a = dv
dt
vaco y participar en la conduccion electrica.
Por otro lado con objeto de establecer la analoga con la segunda ley de Newton se iguala la
fuerza que experimenta un electron en el solido
de cierta masa por su aceleracion.
F =

dp
dt

con la expresion de a indicada en la ecuacion

queda
dk
dt

= m0 (
h1 2 E(k)) dk
dt

y el valor de m0 resultante es
Fig. 4.8 La funcion de Fermi en la conductividad
electrica de un semiconductor

m0 =

h2

2 E(k)

este parametro, que es funcion del diagrama

La funcion de Fermi da la probabilidad de ocude bandas, Ek se llama masa efectiva del electron
par un estado de energa disponible, pero esto
en la banda correspondiente.

4.6 Campo el
ectrico de un metal,
diel
ectrico y semiconductor

los aislantes son materiales que presentan gran resistencia a que las cargas que lo forman se desplacen y los conductores tienen cargas libres y que
pueden moverse con facilidad.

Atendiendo a la posicion relativa de los niveles de conduccion y de valencia se pueden distinEn un aislador hay pocos electrones libres o
guir, en general dos tipos de materiales, en los que
ninguno y la carga electrica no se puede desplazar
se solapen las bandas de valencia y conduccion
libremente por todo el material. En un aislante
y aquellos cuyas bandas se encuentran separadas
el nivel de Fermi cae en una banda esto significa
por la banda de energa prohibida.
que se han llenado todos los estados situados en
las bandas permitidas de energas menores que la
A temperatura del cero absoluto, un matede Fermi.
rial cuyo diagrama de bandas presentara la banda
de valencia totalmente llena y la de conduccion
Semiconductores
podran estar totalmente vaca o parcialmente
llena. Estara totalmente vaca si todos los elecCiertos materiales llamados semiconductores
trones de cada atomo caben en los estados permitidos en la banda de valencia y estara par- tienen propiedades que son intermedias entre la
cialmente llena si no hay estados permitidos sufi- de los conductores y los aisladores.
cientes en la banda de valencia para alojar todos
La diferencia entre un semiconductor y un aislos electrones.
lante es la diferencia en el tama
no del gap entre
la banda de valencia y la banda de conduccion.
Metal

Casi todos los metales son buenos conducon y densidad

tores; en cambio la mayor parte de los no metales 4.7 Funciones de distribuci
de estado.
son aisladores. Dentro de un metal solido como el
cobre, uno o mas electrones de cada atomo puede
desprenderse y moverse libremente en todo el material del mismo modo que un gas se mueve a
La fsica estadstica estudia la distribucion de
traves de los espacios entre granos de un cubo de una cantidad fija de energa entre un numero de
arena.
partculas que son identicas e indistinguibles de
cualquier forma o partculas identicas que son
Aislante
distinguibles en el limite clasico de estrechos paquetes de ondas de partculas y baja densidad de
La diferencia de los distintos materiales es que partculas.

A continuacion se presentara 3 funciones de pretacion de la teora cinetica de los gases, con la

distribucion:
denominada funcion de distribucion de MaxwellBoltzmann, que establece la probabilidad de hallar una partcula con una determinada velocidad
Distribucion de Maxwell-Boltzmann
en un gas ideal diluido y no sometido a camPromedios de propiedades atomicas fue pro- pos de fuerza externos. Justicio las hipotesis de
porcionada en la segunda mitad de los 1800s por Ahogadero y de Ampre; demostro la relacion directa entre la viscosidad de un gas y su tempertres fsicos:
atura absoluta, y enuncia la ley de equiparable de
la energa. Descubrir la birrefringencia temporal
de los cuerpos elasticos translucidos sometidos a
tensiones mecanicas y elabora una teora satisfactoria sobre la percepcion cromatica, desarrollando
los fundamentos de la fotografa tricolor.

Fig. 4.9 James Clerk Maxwell

Maxwell, un profesor escoces en Cambridge

estaba extremadamente impresionado por la obra
de Rudolf Clausius que explica la aparente contradiccion entre la alta velocidad de las moleculas
de un gas a temperatura ambiente y la baja velocidad de difusion de un gas. Clausius haba explicado este enigma al deducir que no todas las
moleculas de un gas se desplazan con una velocidad alta, sino que en un gas hay una distribucion bien definida de velocidades moleculares
que depende de la temperatura de este; es mas,
sus moleculas chocan entre se, por lo que siguen
largas trayectorias en zigzag de un punto a otro.

James Clerk Maxwell (Fsico britanico) , nacio

en el seno de una familia escocesa de la clase media, hijo u
nico de un abogado de Edimburgo. Tras
la temprana muerte de su madre a causa de un
cancer abdominal la misma dolencia que pondra
fin a su vida, recibio la educacion basica en la
Edimburg Academy, bajo la tutela de su ta Jane
A partir de esta idea, Maxwell pudo deducir la
Cay.
forma funcional de la distribucion de velocidades
en el equilibrio, la que es el numero de moleculas
Maxwell aplico el analisis estadstico a la inter- por unidad de volumen.

pesaba ms la tradicin, afect profundamente

a Boltzmann. Pero quizs sea un poco precipitado y excesivamente simplista atribuir por entero a este motivo las causas de una decisin tan
drstica, en la que es posible que jugara tambin
un papel fundamental alguna enfermedad mental causante de su [Link] trabajo cientco estuvo marcado por la disputa que haba en
la poca entre aquellos que defendan la hiptesis atmica y concedan a los tomos una existencia real y aquellos que, como Wilhem Ostwald y Ernst Mach, negaban su existencia y su
papel fundamental en la descripcin del mundo
fsico. En la poca de Boltzmann haca tiempo
ya que se haba recuperado el concepto de tomo
como constituyente discreto de toda la materia;
Bernoulli estableci la relacin de proporcionalidad entre la presin de un gas y el cuadrado de
la velocidad de sus molculas en 1738. Tambin
se haba desarrollado la estadstica y el concepto
de probabilidad. Sin embargo, fue Boltzmann
el primero en combinar mtodos estadsticos con
leyes deterministas como las de la mecnica newtoniana. Boltzmann fue, as, uno de los fundadores de la mecnica estadstica, labor que realiz independientemente de Willard Gibbs.

Ludwig Boltzmann
Fsico austriaco cuyas aportaciones en el
campo de la teora cintica de gases marcaron
el desarrollo posterior de diversos campos de la
Fsica. Su novedosa aplicacin de mtodos probabilsticos a la mecnica permiti una fundamentacin terica de las leyes fenomenolgicas
de la termodinmica y marc el camino para el
desarrollo posterior de la termodinmica del no
equilibrio.
En 1872, Boltzman un profesor austriaco en
la Universidad de Viena, profundamente impresionado por las ideas evolucionistas de Darwin,
llevo ms adelante la obra de Maxwell. No
solo buscaba establecer las propiedades de la
distribucin en el equilibrio o distribucin ms
probable, sino que tambin deseaba describir la
evolucin temporal de un gas hacia la distribucin de Maxwell.
La causa del suicidio de Boltzmann se ha
atribuido a la falta de aceptacin de sus ideas. El
compromiso de Boltzmann con la bsqueda de la
verdad, y la escasa repercusin que tena el resultado de esta bsqueda en una sociedad en la que

Josiah Willard Gibbs

2

Fsico y qumico estadounidense. A la edad de

quince aos ingres en la Universidad de Yale,
donde obtuvo el primer doctorado en ingeniera
concedido por la mencionada institucin. Durante un viaje a Europa entr en contacto con
los fsicos y matemticos de mayor prestigio de
la poca, cuyas novedosas aportaciones estudi
con inters.
Gibbs, al contrario de Boltzmann, llevo una
vida apacible y aislada como profesor en la
Universidad de Yale. Hijo de un profesor de
Yale, pas su vida adulta en la misma casa en
Newhaven donde creci, estableciendo discretamente la mecnica estadstica y la teora cintica
de los gases sobre una rigurosa base matemtica.
Gibbs dedujo la regla de las fases, que permite determinar los grados de libertad de un
sistema sicoqumico en funcin del nmero de
componentes del sistema y del nmero de fases
en que se presenta la materia involucrada. Tambin deni una nueva funcin de estado del sistema termodinmico, la denominada energa libre o energa de Gibbs (G), que permite prever la
espontaneidad de un determinado proceso sicoqumico (como puedan ser una reaccin qumica
o bien un cambio de estado) experimentado por
un sistema sin necesidad de interferir en el medio
ambiente que le rodea.
En 1871 fue designado profesor de fsica
matemtica en Yale, tras la publicacin de su
labor fundamental, que incluy los ttulos Mtodos grcos en termodinmica de uidos y Sobre
el equilibrio de sustancias heterogneas, este ltimo de importancia trascendental para la posterior evolucin de la fsica y la qumica modernas.
La descripcin adecuada de los procesos termodinmicos desde el punto de vista de la fsica
llev a Gibbs a desarrollar una innovadora herramienta cientca, la mecnica estadstica, que
con posterioridad se revel til para la moderna

mecnica cuntica.

Distribucin de Maxwell Boltzmann

La distribucin de Boltzmann o distribucin
de Maxwell-Boltzmann es una distribucin de
probabilidad de las velocidades de un gas asociada a la estadstica de Maxwell-Boltzmann para
dicho sistema.
Tcnicamente el trmino distribucin de
Boltzman se reserva para la funcin de probabilidad de la energa de las partculas, mientras que
el trmino distribucin de Maxwell-Boltzmann
se reserva para la distribucin de probabilidad
de la velocidad de las partculas (obviamente existe una relacin matemtica ja entre ambas).
Las partculas son idnticas pero distinguibles
y no existe lmite para el nmero de partculas
en un estado energtico dado.
La frmula de Maxwell para la distribucin de
velocidades en equilibrio, o para el nmero de
molculas con velocidades entre v y v + dv en un
gas a temperatura T , puede encontrarse usando
la distribucin de Maxell-Boltzmann en su forma
continua.
!mv 2

3
2k T
4&N
m
n(v)dv =
(
) 2 v 2e B dv
v 2&kB T
Ecuacin 1

Como vimos anteriormente la energa de cada

molcula slo consta de energa cintica de
traslacin y se tiene que:
E = 12 mv 2 ; para cada molcula.
Como las molculas del gas poseen velocidades
distribuidas de manera continua desde 0 hasta
1 , la distribucin de energa de las molculas
tambin es continua y el nmero de molculas
3

por unidad de volumen con energa entre E y

Al sustituir esta expresin para G(E)dE en la
E + dE puede escribirse como:
expresin para n(E)dE, se obtiene:

n(E)dE = g(E)fM B (E)dE = g(E)Ae

!mv 2
2kB T

!mv 2

n(E)dE = A4&v 2 e 2kB T dE

dE

Para encontrar la densidad de estados, g(E),

se introduce el concepto de espacio de velocidad.

!mv 2

n(E)dE = n(v)dv = A4&v 2 e 2kB T dv

Ecuacin 3
Para encontrar A se considera que el nmero
total de partculas por unidad de volumen es N
V :
N
=
V

n(v)dv

!mv 2

4&Av 2 e 2kB T dv

Debido a que:
Z

2j "az 2

z e

1 " 3 " 5 " " " (2j # 1)

dz =
2j+1 aj

j = 1; 2; 3; : : :
Con j = 1 y a =
Espacio de velocidad .El nmero de estados
con velocidades entre v y v + dv es proporcional
al volumen de un cascarn esfrico de radio v y
grosor dv.

N
4&A
= 2 m
V
2 ( 2kB T )

m
2kB T

&
a

se encuentra:

&2kB T
&2kB T 3
= A(
)2
m
m

O bien
A=

f (v)dv = C4&v dv

N m 3
(
)2
V 2kB T

En consecuencia, el coeciente de normalizacin A depende del nmero de partculas por

unidad de volumen, de la masa de la partcula y
de la temperatura. Al sustituir este valor de A
en la ecuacin 3, se obtiene nalmente el famoso
resultado que Maxwell encontr en 1859:

Ecuacin 2
Debido a que E = 12 mv 2 , cada velocidad v
corresponde a una sola energa E , y el nmero
de estados de energa g(e)dE, es el mismo que el
mismo nmero de estados con velocidades entre
v y v + dv as:

!mv 2

g(E)dE = f (v)dv = C4&v 2 dv

n(E)dE = n(v)dv = A4&v 2 e 2kB T dv

4

n(v)dv = (

n(v)dv =

!mv 2
N m 3
(
) 2 )4&v 2 e 2kB T dv
V 2kB T

2
4&N m 3 2 !mv
(
) 2 )v e 2kB T dv
V 2kB T

fermiones son el electrn, el protn y el neutrn,

todos con espn 12 .
Cuando se consideran grandes cantidades de
partculas cunticas, es posible deducir rigurosamente funciones de distribucin continuas tanto
para el caso de Bose-Einstein (BE) como para
y el de Fermi-Dirac (F D).

Distribuciones de Bose-Einstein
Fermi-Dirac.
La estadstica de Bose-Einstein es un tipo
de mecnica estadstica aplicable a la determinacin de las propiedades estadsticas de conjuntos grandes de partculas indistinguibles capaces de coexistir en el mismo estado cuntico
(bosones) en equilibrio trmico. A bajas temperaturas los bosones tienden a tener un comportamiento cuntico similar que puede llegar
a ser idntico a temperaturas cercanas al cero
absoluto en un estado de la materia conocido
como condensado de Bose-Einstein y producido
por primera vez en laboratorio en el ao 1995.
Como se ha visto, hay dos distribuciones para
partculas indistinguibles que surgen de los requerimientos de paridad de las funciones de onda
del sistema, la Distribucin de Bose-Einstein y la
Distribucin de Fermi-Dirac.
Para obtener la distribucin de Bose Einstein, se mantiene la hiptesis de M B de que
no hay lmite terico para el nmero de partculas en cada estado. Las partculas que satisfacen
la distribucin de Bose-Einstein se denominan
bosones, y se observa que tienen espn entero.
Algunos ejemplos de bosones son: la partcula
alfa (S = 0), el fotn (S = 1) y el deutern
(S = 1).
Para obtener la distribucin de Fermic-Dirac
se estable que slo una partcula puede ocupar
un estado cuntico dado. Las partculas que obedecen la distribucin de Fermic-Dirac se denominan fermiones , y se observa que tienen espn
semientero . Algunos ejemplos importantes de

fBE (E) =
Be

E
kB T

He

E
kB T

:::(1)
#1

fF D (E) =

:::(2)
#1

n(E)dE = g(E)fBE (E)[Link](3)

n(E)dE = g(E)fF D (E)[Link](4)
Donde f (E) es la probabilidad de encontrar
una partcula en un estado particular de energa
E a una temperatura absoluta dada T .
Como ya se observ, el nmero de partculas
por unidad de volumen con energa entre E y
E + dE.
As, los parmetros B y H en las ecuaciones (1) y (2) pueden determinarse a partir del
nmero total de partculas, N , ya que al integrar
las ecuaciones (3) y (4) se obtiene:
N
( )bosones =
V

N
( )f ermiones =
V

g(E)
E

g(E)
E

He kB T # 1

As para fotones o fonones.

1

f (E) =
e
5

[Link](5)

Be kB T # 1

E
kB T

#1

[Link](6)

Para el caso de la distribucin de FermiDirac,H depende en gran medida de la temperatura, y a menudo se escribe en una forma
explcitamente dependiente de la temperatura

n(E) " dE = f (E)N (E) " dE

La densidad de electrones en la banda de conduccin

se obtendr integrando el producto anteEf
kB T
como H = e
donde Ef se denomina energa rior para valores comprendidos entreEc y ET OP ,
de Fermi. Con esta sustitucin, la ecuacin (1) donde ET OP es el nivel superior de la banda de
toma la forma ms comn:
conduccin. Tomando Ec = 0 por simplicidad
como el origen de energas en la banda de con1
duccin:
f (E) =
FD

(E!Ef )
kB T

#1

Aplicaciones:
La distribucin de energa de la radiacin del
cuerpo negro se deduce de la aplicacin de la estadstica de Bose-Einstein a los fotones que componen la radiacin electromagntica.
La capacidad calorica de los slidos tanto a
altas como a bajas temperaturas puede ser deducida a partir de la estadstica de Bose-Einstein
aplicada a los fonones, cuasipartculas que dan
cuenta de las excitaciones de la red cristalina.
En particular la ley de Dulong-Petit puede ser
deducida de la estadstica de Bose-Einstein.

n=

ET OP

n(E)"dE =

ET OP

fc (E)Nn (E)"dE

En la mayor parte de los casos prcticos se

satisface la condicin E # EF > 3KT y, por
tanto, se podr realizar la aproximacin f (E) $
fc (E) vista con anterioridad. Por otro lado y
sin prdida de generalidad y considerando que
fc (E) decrece exponencialmente con E el valor
de ET OP puede ser substituido por innito. De
esta forma y considerando las expresiones de
Nn (E) y fc (E):

Concentracin de portadores.

n=4"&

2 " mn
h2

$3 Z
2

1p

Ee

E!EF
kT

" dE

Para obtener la densidad de electrones (es deE

con el cambio x = KT
se obtiene:
cir, el nmero de electrones por unidad de volumen) en un material semiconductor se calcular
primeramente dicha densidad por unidad de vol#
$3
Z 1
2
p "x
3 EF
umen y de energa. Esta densidad, que llamare- n = 4 " & 2 " mn
2
kT
(k " T ) e
xe " dx
2
h
0
mos n(E), se obtiene mediante el producto de la
densidad de estados energticos permitidos por
La integral anterior es estndar y su valor es
unidad de volumen y de energa N (E) por la p;
:
probabilidad de que ese intervalo energtico est 2
#
$3
ocupado por electrones f (E).
2&mn kT 2 EF
n=2
e kT
h2
n(E) = f (E)N (E)
Si ahora se pone de maniesto el nivel ms
En un intervalo de energa dE:
bajo de la banda de conduccin Ec en lugar de
6

cero, se obtiene la densidad de electrones en la de valencia. Por otra parte, se observa que el
banda de conduccin:
nmero de electrones en la banda de conduccin
coincide con el nmero de huecos en la banda de
valencia.
#
$3
Ec !EF
2&mn kT 2 " Ec !EF
"
Concentraciones de portadores.
n=2
e kT = Nc " e kT
h2
Puede producirse 2 situaciones:
1.- Aadir impurezas de tipo n a un semiconcon
ductor Intrnseco (sin dopar), para formar un
#
$3
semiconductor Extrnseco (tipo n), produce que
2&mn kT 2
Nc = 2
2
los huecos disminuyan.
h
2. Aadir impurezas de tipo p a un semiconLa cantidad Nc es la densidad efectiva de estaductor Intrnseco (sin dopar), para formar un
dos en la banda de conduccin. A temperatura
semiconductor Extrnseco (tipo n), produce que
ambiente (300K), Nc toma los valores
disminuya la cantidad de electrones libres.
Nc = 2:8 & 1019 cm"3 para Si
Entonces podemos deducir de estos dos
Nc = 4:7 & 1017 cm"3 para GaAs
apartados, que esos huecos que disminuyen y
De forma anloga, para los huecos en la banda
esos electrones que tambin se reducen van dide valencia, considerando fv (E) y Np (E):
rectamente ligados con la energa cintica que
les permite moverse.
#
$3
Pero el tiempo de vida de esos portadores no
2
E
!Ev
E
!E
2&mp kT
" FkT
" FkT v
p=2
e
=
N
"
e
v
es
innito y una parte importante de ellos esta
h2
sometida a procesos de recombinacin, mediante
con
los cuales un electrn pasa a ocupar el nivel cor#
$3
2&mp kT 2
respondiente a un hueco, desapareciendo tanto
Nv = 2
h2
el electrn como el hueco y liberando al mismo
La cantidad Nv es la densidad efectiva de esta- tiempo energa.
dos en la banda de conduccin. A temperatura
La multiplicacin de las concentraciones de
ambiente (300K), Nv toma los valores:
electrones libres y huecas (una vez determinada
Nv = 1:04 & 1019 cm"3 para Si
la posicin de fermi), podemos deducir que esNv = 7 & 1018 cm"3
para GaAs
tas dos concentraciones de portadores son toEn la banda de conduccin hay una gran canti- talmente independientes respecto del nivel de
dad de estados permitidos, sin embargo, la prob- fermi (Tambin llamado dopado del semiconabilidad de que sean ocupados f (E) es muy baja. ductores) y eso hace que podamos armar que
En la banda de valencia tambin hay gran canti- ests concentraciones slo depende de la temperdad de estados permitidos pero, en contraste con atura.
la de conduccin, la probabilidad de que sean
Bibliografa.
ocupados por electrones es elevada (casi la
Raymond A. Serway, John W. Jewunidad). Su diferencia hasta la unidad indica
y
[Link],
que hay algunos estados no ocupados por elec- ett:Electricidad
2005
trones, es decir, presencia de huecos en la banda
7

UNIDAD 5:
LOS PORTADORES DE CARGA EN SEMICONDUCTORES.

5.1: HUECOS Y ELECTRONES

Introduccin
En fsica, un portador de carga es una partcula libre de moverse, que lleva una carga elctrica, especialmente las partculas que transportan corrientes elctricas en los conductores
elctricos.

En un vaco, electrones libres pueden actuar

como portadores de carga. stos a veces se llaman rayos catdicos. En un tubo de vaco, la
nube de electrones mvil es generado por un
ctodo de metal calentado, por un proceso llamado emisin termoinica.
Portadores m ayoritarios y m inoritarios
en semiconductores

En la fsica de semiconductores, los huecos

producidos por falta de electrones son tratados
como portadores de carga. De ejemplos tenemos electrones, iones y agujeros. En un medio
conductor, un campo elctrico puede ejercer
una fuerza sobre estas partculas libres, causando un movimiento neto de las partculas a
travs del medio; esto es lo que constituye una
corriente elctrica.

Los electrones y los huecos actan como los

portadores de carga. Los ms abundantes son
llamados portadores mayoritarios. En los semiconductores tipo N son los electrones, y en los
semiconductores tipo P son los huecos. Los
portadores de carga menos abundantes son llamados portadores minoritarios; en semiconductores tipo N son los huecos y en los semiconductores tipo P son los electrones.

Existen distintos medios en los que diferentes

partculas actan como portadores de carga
como lo son:
En los metales, los portadores de carga son
electrones.
Uno o dos de los electrones de valencia de cada
tomo de exteriores es capaz de moverse libremente dentro de la estructura cristalina del
metal. Los electrones libres se denominan electrones de conduccin, y la nube de electrones
libres se llama un gas de Fermi.

Los portadores minoritarios desempean un

importante papel en los transistores bipolares y
en las clulas solares.
Cuando un electrn se encuentra con un hueco,
se recombinan y desaparecen. La energa desprendida puede ser trmica, calentando el semiconductor (recombinacin trmica) o emitida como fotones (recombinacin ptica, usada
en los diodos emisores de luz (LEDs) y los lseres).
Portador m inoritario

En electrolitos, tales como agua salada, los

portadores de carga son iones, tomos o
molculas que han ganado o perdido electrones
por lo que estn cargadas elctricamente. Los
tomos que han ganado electrones por lo que
tienen carga negativa se llaman aniones, tomos que han perdido electrones por lo que
tienen carga positiva se denominan cationes.

En electrnica y especficamente en los

semiconductores, se denominan portadores minoritarios a las partculas cunticas encargadas del transporte de corriente elctrica que
se encuentran en menor proporcin en un
material semiconductor dopado como tipo N o
tipo P.

En un semiconductor tipo N, el cual consiste

en un material semiconductor puro al cual se le
han agregado tomos de otro elemento qumico
que posea al menos un electrn adicional al
que posee naturalmente dicho semiconductor
(usualmente Fsforo, Arsnico o Antimonio);
hay en total mas electrones libres debido a los
tomos de las impurezas agregadas, que huecos, por lo cual en este tipo de material semiconductor, los electrones son los portadores
mayoritarios, mientras que los huecos (carencia
de un electrn), son los portadores minoritarios.
Para el caso de un semiconductor tipo P, que
consisten en un material semiconductor puro al
cual se le han agregado tomos de otro elemento qumico que pertenece al grupo III de la
tabla peridica de los elementos (usualmente
Aluminio, Galio, e Indio) los portadores mayoritarios son los huecos (o carencia de electrones), mientras que los portadores minoritarios
son los electrones.
Portador m ayoritario
En electrnica y especficamente en los semiconductores, se denominan portadores mayoritarios a las partculas cunticas encargadas del
transporte de corriente elctrica que se encuentran en exceso en un material semiconductor
dopado como tipo N o tipo P.
En un semiconductor tipo N, el cual consiste
en un material semiconductor puro al cual se le
han agregado tomos de otro elemento qumico
que posea al menos un electrn Fsforo, Arsnico o Antimonio); hay en total mas electrones
libres debido a los tomos de las impurezas
agregadas, que huecos, por lo cual en este tipo
de material semiconductor, los electrones son

los portadores mayoritarios, mientras que los

huecos (carencia de un electrn), son los portadores minoritarios adicional al que posee naturalmente dicho semiconductor.
Para el caso de un semiconductor tipo P, que
consisten en un material semiconductor puro al
cual se le han agregado tomos de otro
elemento qumico que pertenece al grupo III de
la tabla peridica de los elementos (usualmente
Aluminio, Galio, e Indio) los portadores mayoritarios son los huecos (o carencia de electrones), mientras que los portadores minoritarios
son los electrones.
5.2: CONCENTRACIONES DE PORTADORES
Concentracin de portadores libre
Concentracin de portadores libre es la concentracin de portadores libres en un semiconductor dopado. Es similar a la concentracin de
portadores en un metal y para los fines de
calcular las corrientes o velocidades de deriva
puede ser utilizado de la misma manera. Portadores libres son electrones que se han introducido directamente en la banda de conduccin
por dopaje y no se promueven trmicamente.
Por esta razn electrones no actuar como
portadores dobles dejando tras de s agujeros
en la otra banda.

Concentracin de portadores
Para obtener la densidad de electrones (es decir, el nmero de electrones por unidad de volumen) en un material semiconductor se calcular primeramente dicha densidad por unidad
de volumen y de energa.

Esta densidad, que llamaremos (), se

obtiene mediante el producto de la densidad de
estados energticos permitidos por unidad de
volumen y de energa () por la probabilidad
de que ese intervalo energtico est ocupado
por electrones ():

se obtiene:
2 !
=4
!

!
!

!
!

!!

!!"

!!

La integral anterior es estndar y su valor es:

/2

() = () ()
2 !
=2
!

En un intervalo de energa :
() = () ()
La densidad de electrones en la banda de
conduccin se obtendr integrando el producto
anterior para valores comprendidos entre ! y
!"# , donde !"# es el nivel superior de la
banda de conduccin. Tomando = 0 por
simplicidad como el origen de energas en la
banda de conduccin:
=

!!"#

!!"#

=4

!
! !
!

!!!!
! !"

!!

!!"

Si ahora se pone de manifiesto el nivel ms

bajo de la banda de conduccin ! en lugar de
cero, se obtiene la densidad de electrones en la
banda de conduccin:
2 !
=2
!

!
!

!!

!!" = !

con:
2 !
! = 2
!

! !

En la mayor parte de los casos prcticos se

satisface la condicin > 3 y, por
tanto, se podr realizar la aproximacin
() ! ) vista con anterioridad. Por otro
lado y sin prdida de generalidad y considerando que ! () decrece exponencialmente con
el valor de !"# puede ser substituido por
infinito. De esta forma y considerando las expresiones de ! () ! ():

!
!

La cantidad ! es la densidad efectiva de

estados en la banda de conduccin. A temperatura ambiente (300), ! toma los valores:
! = 2.8 1019 3 para
! = 4.7 1017 3 para
De forma anloga, para los huecos en la banda
de valencia, considerando ! () ! ():

2 !
=2
!

!
!

!!

con el cambio:

!"

!!

!!" = ! !!"

con:
!

!
!

2 !
! = 2
!

!
!

La cantidad ! es la densidad efectiva de

estados en la banda de valencia. A temperatura ambiente (300), ! toma los valores:
! = 1.04 1019 3 para
! = 7.0 1018 3 para
En la banda de conduccin hay una gran
cantidad de estados permitidos, sin embargo,
la probabilidad de que sean ocupados () es
muy baja. En la banda de valencia tambin
hay gran cantidad de estados permitidos pero,
en contraste con la de conduccin, la probabilidad de que sean ocupados por electrones es
elevada (casi la unidad). Su diferencia hasta la
unidad indica que hay algunos estados no
ocupados por electrones, es decir, presencia de
huecos en la banda de valencia. Por otra parte,
se observa que el nmero de electrones en la
banda de conduccin coincide con el nmero
de huecos en la banda de valencia.
5.3: SEM ICONDUCTORES INTRINSECOS, DOPADOS Y COM PENSADOS
Semiconductores intrnsecos y extrnsecos
Se dice que un semiconductor es intrnseco si
es qumicamente puro, es decir, no contiene
impurezas o sustancias distintas de las que
constituyen el material semiconductor.
Desde un punto de vista ms riguroso, en un
semiconductor a temperatura se producen
por agitacin trmica rotura de enlaces en la
red y hay electrones en la banda de conduccin
y huecos en la de valencia.
Se dice tambin que el semiconductor es
intrnseco cuando la can-tidad de impurezas
que contiene es pequea comparada con los

electrones y huecos gene-rados trmicamente

().
Concentracin intrnseca, producto N-P
y nivel de Ferm i extrnseco.
Semiconductores intrnsecos
Para un semiconductor intrnseco la concentracin de electrones en la banda de conduccin coincide con la de huecos en la banda
de valencia, es decir = = donde ni es la
densidad o concentracin de portadores intrnseca. Igualando las expresiones de N y de P,
puede obtenerse el nivel de Fermi para un semiconductor intrnseco:
=
! !

!! !!!
!"

! = ! =

= ! !

!! !!!
!"

! + !
!
+

2
2
!

!
! + ! 3
+

2
4
!

Donde se han utilizado la relaciones:

2 !
! = 2
!
2 !
! = 2
!

!
!

!
!

A temperatura ambiente el segundo trmino de

! es mucho ms pequeo que el primero y, de
esta forma, el nivel de Fermi para un semiconductor intrnseco se encuentra muy cerca de la
mitad de la banda prohibida, es decir, a medio

camino entre la banda de conduccin y la de

valencia. La concentracin de portadores intrnsecos ni puede obtenerse de la forma:
= !! = ! !
!! = ! !

!! !!!
!"

! !

!!
!!" ; !

!! !!!
!"

= ! !

por lo tanto:

con:

! =

!!

! ! !!!"

tidades de determinadas impurezas al semiconductor intrnseco. Esta adicin produce efectos

considerables en las propiedades de conduccin
del material semiconductor.
El efecto de aadir impurezas va a ser
incrementar la concentracin de uno de los dos
tipos de portadores de carga (electrones o huecos) y, en consecuencia, afectar considerablemente a la conductividad elctrica. Este proceso no es efectivo en materiales que son buenos
conductores, como el cobre, ya que la concentracin de electrones es tan grande que apenas
se ve variada por la adicin de impure-zas.

! = ! !
Esta ecuacin es la llamada ley de accin de
masas la cual, como se observa slo depende
del tipo de sustancia empleada (! , ! ! ) y
de la temperatura absoluta (). Bajo equilibrio
trmico es vlida tanto para semiconductores
intrnsecos como para semiconductores extrnsecos. En este ltimo el aumento de la concentracin de un tipo de portadores produce la
disminucin del otro tipo por fenmenos de
recombinacin de forma que la cantidad
permanece constante a una temperatura dada.
Semiconductores extrnsecos.
Cuando un semiconductor intrnseco es dopado con impurezas, el semiconductor se convierte en extrnseco. La aparicin de impurezas,
como se ver a continuacin, crea en el diagrama de bandas nuevos niveles de energa. Hay
tres tipos de procesos para la adicin de impurezas a la red cristalina: difusin, implan-tacin
de iones y crecimiento epitaxial.
Como se ha comentado, los semiconductores
extrnsecos se forman al aadir pequeas can-

A estas impurezas tambin se las conoce como

sustancias dopantes y al proceso de adicin de
impurezas se le llama dopado del semiconductor. El dopado produce dos tipos de semiconductores extrnsecos, identificados segn el tipo
de portador de carga cuya concentracin se ha
visto incrementada: semiconductor de tipo N si
se ha incrementado la concentracin de electrones o de tipo P si se ha incrementado la de
huecos.
Semiconductor de tipo N
Si se introducen sustancias dopantes de tipo
pentavalente (5 electrones de valencia, columna de la tabla peridica), cuatro tomos de
la sustancia dopante formarn enlaces covalentes con sus vecinos de , el quinto electrn se
convierte en un electrn que no comparte enlaces, es un electrn de conduccin el cual ser
dado (donado) a la banda de conduccin. Se
dice que el semiconductor de silicio es de tipo
N debido a que recibe una cantidad adicional
de portadores de carga negativa (Fig. 1) y la
sustancia pentavalente (tal como , , ) se
llama dador.

El semiconductor dopado con sustancias trivalentes se llama de tipo P y dichas sustancias

(tales como , , ) se denominan aceptores.

Fig. 1

En un semiconductor de tipo N, vamos a

llamar ! a la energa necesaria para llevar el
quinto electrn de la sustancia pentavalente a
la banda de conduccin de manera que este se
convierta en un electrn libre dando lugar a un
tomo dador ionizado (cargado positivamente).
Esta energa es, por tanto, la necesaria para la
ionizacin del tomo dador.
Semiconductor de tipo P
De forma similar, si se introducen en la red de
silicio impurezas de tipo trivalente (tres electrones de valencia, columna III de la tabla peridica), aparece un enlace covalente con el
resto de los tomos de silicio sin formar, es un
enlace roto o una ausencia de electrn de valencia para llenar un enlace.
Este defecto de electrn en los enlaces que
puede formar el tomo trivalente provoca que
sea aceptado un electrn de los enlaces
covalentes de los tomos de silicio, formndose
en consecuencia un hue-co en la banda de
valencia Fig. 2.

Fig. 2

Una vez capturado el electrn (el cual proviene

de la banda de valencia del semiconductor), el
tomo aceptor queda ionizado negativamente.
La condicin para la ionizacin de los tomos
aceptores es similar a la vista con anterioridad
para los tomos dadores.
La energa ! necesaria para la ionizacin del
tomo aceptor est localizada en un nivel energtico ligeramente superior a la banda de valencia (Fig. 2) a temperatura ambiente, hay suficiente energa trmica para excitar los electrones desde la banda de valencia hasta el nivel ! .
Energa de ionizacin
Se define la energa de ionizacin como la
energa necesaria para ionizar un tomo dador
o un tomo aceptor. Las siguientes grficas re-

presenta las energas de ionizacin para varios

tipos de impurezas en semiconductores de y
. Las energas indicadas corresponden a
las energas de ionizacin de la sustancia dopante. Aparecen algunos tomos que poseen
varios niveles de energa.
Existen otras impurezas cuyos niveles energticos distan ms de los lmites de las bandas
que en las sustancias dopantes utilizadas habitualmente.

(a menos que se indique con una que se

trata de un nivel aceptor).

Condicin de ionizacin completa

A temperatura ambiente, la energa trmica
debida a la propia vibracin de las partculas
es suficiente para que todos los tomos dadores
estn ionizados positivamente y cada tomo
aceptor lo est negativamente.
Es decir, cada tomo dador ha proporcionado
un electrn li-bre a la banda de conduccin y
cada tomo aceptor ha generado un hueco en
la banda de valencia.

Grfica 1

En un semiconductor de tipo N, por tanto, se

produce el mismo nmero de electrones que de
sustancia dadora. Esta condicin se denomina
condicin de ionizacin completa. Bajo estas
condiciones puede decirse con respecto a la
concentracin de electrones:

= ! = ! !
Grfica 2

En las grficas 1 y 2 se muestran las energas

de ionizacin correspondientes a diferentes impurezas en y . Los niveles por debajo
del centro de la banda prohibida son medidos
desde la parte superior de la banda de valencia
y son niveles aceptores (a menos que se indique con una que se trate de un nivel dador).
Los niveles por encima del centro de la banda
prohibida se miden desde la parte inferior de
la banda de conduccin y son niveles dadores

!! !!!
!"

Siendo ! la concentracin de tomos dadores.

A partir de la condicin anterior y de la expresin obtenida previamente para la concentracin de electrones en la banda de conduccin
N, se puede obtener:

! ! =

!
!

Que nos da el nivel de Fermi para el semiconductor de tipo N, con respecto al nivel ! .

Se ha supuesto que >> (la concentracin de electrones en la banda de conduccin

producidos por la introduccin de impurezas es
mucho mayor que la producida por efecto trmico, ).
De forma similar, en un semiconductor de tipo
P, se cumple la condicin de ionizacin
completa, para la concentracin de huecos:
= ! = ! !

!! !!!
!"

Siendo ! la concentracin de tomos aceptores. A partir de la condicin anterior y de la

expresin obtenida previamente para la concentracin de huecos en la banda de valencia
P, se puede obtener:
! ! =

!
!

banda de valencia conforme la concentracin

de impurezas aceptoras aumenta.
Desde un punto de vista prctico, el nivel de
Fermi es importante conocerlo pues, Desde un
punto de vista prctico, el nivel de Fermi es
importante conocerlo pues, determina la magnitud del campo que existe en una unin P-N
y en consecuencia la capacidad de la unin.
Esta capacidad constituye uno de los parmetros ms importantes en los dispositivos de unin.
Con respecto a la situacin del nivel de Fermi
en un semiconductor extrnseco, se dice que el
semiconductor es degenerado cuando el nivel
de Fermi coincide con uno de los bordes de las
bandas permitidas o se interna en ellas. Ello se
da cuando las concentraciones de impurezas
son muy elevadas, cuantitativamente ocurre si:
! ! < 3

Que nos da el nivel de Fermi con respecto al

nivel ! en un semiconductor de tipo P. Se ha
supuesto que >> (la concentracin de
huecos en la banda de valencia producidos por
la introduccin de impurezas es mucho mayor
que la producida por efecto trmico, ) .

Bibliografia:

Nivel de Ferm i extrnseco

[2] Sidney, Borowitz. Fundamentos de Mec-

De las dos expresiones anteriores para el nivel

de Fermi se deduce en primer lugar que, para
un semiconductor de tipo N, el nivel de Fermi
se sita cada vez ms cerca del nivel mnimo
! de la banda de conduccin a medida que la
concentracin de impurezas dadoras aumente.
Para un semiconductor de tipo P, el nivel de
Fermi se aproxima al nivel superior ! de la

[1] Michael Shur, Introduction to Electronic

Devices, Jhon Wiley and Sons.

nica Cuntica, Partculas, Ondas y Mecnica

de las ondas. Editorial Revert, S.A. Barcelona
6ta. Ed. 2010.
[3] Tipler-Mosca, Fsica para la Ciencia y la
Tecnologa, Volumen Fsica Moderna: Mecnica Cuntica, Relatividad y Estructura de la
Materia. Editorial Revert, S.A. Barcelona 6ta Ed.
2010.

5.4 Mecanismos de transportes en un

semiconductor (arrastre y difusi
on)
Es producido por la aplicaci
on de un campo electrico
externo o variacion de potencial. Es similar al que tiene
lugar en los metales y matem
aticamente se expresa por
la ley de Ohm.

Los electrones:
vn : Velocidad de arrastre de los electrones
vn = n E Siendo n =

qc
mn

n : Movilidad de los electrones

Los huecos:

Movilidad
vp : Velocidad de arrastre de los huecos

Resistividad

vp = p E Siendo p =

Efecto Hall
Movilidad
En un cristal semiconductor, sin fuerzas externas, los
portadores de carga se mueven, como partculas cuasilibres, considerando su masa efectiva; As:

qc
mp

p : Movilidad de los huecos

Resistividad
Consideremos un semiconductor tipo n homogeneo
en el seno de un campo electrico :

1 2
1
m vth = 3 kT
2
2
m : masa efectiva
vth : velocidad termica media ( 107

cm
s )

c : tiempo libre medio ( 10 12s)

vth c: recorrido libre medio ( 10 5s)
i
q = Ep q = dE
dx =

1
q

El potencial electrostatico se define:

d
dx =

Ei
q

Corrientes de arrastre para los electrones:

Jn =

In
A

n
X
=
(qvi ) = qnvn = qnn E
i=0

Si aplicamos un campo electrico:

qEc = mn vn = vn = (

qc
)E
mn

Para los huecos:

Jp = qpvp = qpp E

j = Jn + Jp = (qnn + qpp )E
Conductividad:
[] =

cm2
vs

dEi
dx

 = n + p = (qnn + qpp )E

ocasiona a su vez la aparicion de una fuerza electrica Fe

de direccion contraria a Fm .

Resistividad:
1
=

qnn + qpp
1
1
=
=
qpn
qpn
L
R = Resistencia
A
1

F e = F m = q E = q v B = E = v B =
V H/d = v B = V H = v B d
La fsica cl
asica del efecto Hall
Se sabe que un campo magnetico act
ua sobre las
cargas en movimiento (fuerza de Lorentz).

EJEMPLO

Una corriente I que atraviesa un material consiste

en cargas (electrones) que se desplazan (en direcci
on
Una muestra de silicio a 300K con L=2,5cm y
contraria
a
la
corriente)
con
una
velocidad
que
se
denoA=2mm2 se dopa con 1017cm3 de f
osforo y 9
mina v. Si se sumerge esa corriente de electrones en un
3
1016cm de boro. Calcule:
campo magnetico B, cada uno de los electrones que forman la corriente estara sometidos a la fuerza de Lorenz
A) Las conductividades de la muestra debidas a hueFm = e v B (como en el dibujo se cambio la direcci
on
cos y electrones
de v, ya que se esta considerando un electr
on, no debera considerarse el signo negativo de la carga). Donde
B) La resistencia de la muestra
-e corresponde a la carga de un electron, v el vector
velocidad del electron y B el vector campo magnetico
EL EFECTO HALL
aplicado.
Se conoce como efecto Hall a la aparici
on en el interior de un conductor por el que circula una corriente
en presencia de un campo magnetico perpendicular al
movimiento de las cargas de un campo electrico por
separacion de cargas que tambien es perpendicular al
movimiento de las cargas y al campo magnetico aplicado y que se denomina campo Hall. Lleva el nombre
de su primer modelador, el fsico estadounidense Edwin
Herbert Hall (1855-1938).
En epocas contempor
aneas (1985) el fsico aleman
Klaus Von Klitzing y sus colaboradores descubrieron
el hoy conocido como efecto Hall cu
antico, lo que les
valio la obtencion del premio Nobel de Fsica en 1985.
En 1998, se otorgo un nuevo premio Nobel de Fsica a
los profesores Laughlin, Stromer y Tsui por el descubrimiento de un nuevo fluido cu
antico con excitaciones de
carga fraccionarias. Este nuevo efecto ha trado grandes
problemas a los fsicos te
oricos y actualmente constituye
uno de los campos de investigaci
on de mayor interes y
actualidad en toda la fsica del estado s
olido.
Explicaci
on cuantitativa del efecto Hall cl
asico
Sea el material por el que circula la corriente con
una velocidad v al que se le aplica un campo magnetico
B. Al aparecer una fuerza magnetica Fm , los portadores
de carga se agrupan en una regi
on del material, ocasionando la aparicion de una tensi
on VH y por lo tanto de
un campo electrico E en la misma direcci
on. Este campo

Difusi
on
La difusion ocurre como consecuencia de la nohomogeneidad de concentracion los portadores se difunden desde donde la concentracion es mas alta hacia
donde es mas baja.
Proceso de difusion
Relacion de Einstein
La difusi
on
Las diferencias de concentracion en las soluciones
tienden a desaparecer con el tiempo. Un soluto tiende
a distribuirse uniformemente a lo largo del volumen del
solvente. En otras palabras, si la concentraci
on del soluto es diferente en una y otra porcion de una soluci
on,
las moleculas del soluto se moveran de la soluci
on mas
concentrada hacia la mas diluida. Este movimiento se
detendra hasta cuando sean iguales las dos concentraciones. Se denomina difusion al transporte de materia

en donde la misma fuerza conductora es el gradiente

de concentracion o un gradiente de potencial quimico.
El estado final del sistema,en donde es igualla concentracion en todas las partes de la soluci
on, es llamado
equilibrio de difusion. Cuando se establece el equilibrio
de difusion, este no puede moverse sin la aplicacion de
energia externa. Por lo anterior, a la difusion se le considera un proceso irreversible que lleva a la eliminacion
de las diferencias de concentraci
on encontradas en un
principio y es un proceso natural en el sentido termodinamico. La difusion puede utilizarse como ejemplo de
Si las partculas poseen carga electrica el flujo trae
la segunda ley de la termodinamica. Para comenzar la
consigo una corriente:
descripcion cuantitativa de la difusi
on, podemos citar
el comportamiento estadistico de las moleculas en diJ = qparticula F = qparticula Dc
fusion. Un modelo visible de este comportamiento es
el movimiento browniano. Este movimiento de partiSi trasladamos dicha ecuacion al caso de los electroculas peque
nas y visibles en suspension se origina por
un impacto aparatoso de las moleculas moviendose ci- nes y los huecos:
neticamente en el medio. La mas conocida de las leyes
Jn,dif usion = qDn n
de difusion fue desarrollada por Adolf Eugen Fick en
1955, empiricamente. Fick encontro una analoga entre
la difusion de particulas en soluci
on y la transferencia
Jp,dif usion = qDp p
de calor en la materia salida. La ley de Fick establece:
Teniendo en cuenta que en un semiconductor existen
dm
dC
en general e y h+ , resulta:
= DA
dt
dX
Jdif usion = [Link] usion + Jp,dif usion = q(Dn n
Las corrientes de difusi
on de electrones y de huecos,
D
p)
se pueden calcular partiendo del flujo como:
p
In = eAF = eADn dn
dx
dp
Ip = eAF = eADp dx

La constante de proporcionalidad, D, parametro fundamental en el mecanismo de difusion recibe el nombre

de Coeficiente de Difusion.

Dn : coeficiente de difusi
on de electrones

Relaci
on de Einstein

Dp : coeficiente de difusi
on de huecos

D=

kT
q

El coeficiente de difusion, D es por lo tanto, una

Los signos indican que la corriente de difusion de
caracterstica del semiconductor, del portador y de la
huecos es opuesta a su gradiente.
temperatura. Y al igual que depende tambien de la concentracion total de impurezas sus unidades habituales
Corrientes TOTALES (arrastre + difusi
on)
son:
La corriente total en un semiconductor en general
cm2
(con ambos tipos de portadores) debe obtenerse por la
s
suma de las componentes de arrastre m
os las de difusion
de ambos tipos de portadores:
Corrientes totales de electrones y huecos
dn
)
dx
dn
Ip = eA(p E + Dp )
dx
In = eA(n E + Dn

I = In + IP

Resumiendo todo lo dicho anteriormente, y teniendo en cuenta que en un semiconductor, en el caso m

as
general, pueden darse ambos mecanismos, resulta que:
JT otal = Jn + Jp = Ja,n + Jd,n + Ja,p + Jd,p

JT otal = + q(dn n Dp p)
Se infiere que, aunque tengamos los mismos gradientes en las concentraciones de e yh+ , el termino
correspondiente a la difusi
on no es generalmente nulo
ya que Dn > DP por la relaci
on de Einstein. Ademas,
es de se
nalar que la ley de Ohm s
olo se cumple en semiconductores dopados de forma homogenea en los cuales
n = p = 0.

5.5 ECUACIONES BASICAS

DE UN
SEMICONDUCTOR
Ecuaci
on de Posici
on:
1

2=  =  (p+ND nNA )
Ecuaciones de Continuidad de los e yh+
dn
1
= Gn Un + divjn
dt
q
dp
1
= Gp up divJp
dt
q
Ecuaciones de Transporte de e yh+
Jn = q n n + q Dn n
Jp = q n p q Dp p
Estas cinco ecuaciones constituyen un conjunto de
ecuaciones diferenciales no lineales acopladas. Su resolucion numerica implica, generalmente, un alto coste de
almacenamiento de datos y de tiempo de ejecucion precisando para ello de complejos programas de ordenador
y potentes estaciones de trabajo.
Sin embargo, es posible obtener soluciones analticas
en ciertos casos particulares sin perder por ello significado fsico.
Y RECOMBINACION

5.6 GENERACION

En terminos de la teora de bandas de energa, una

generacion supone la transicion de un e desde la B.V.
a la B.C. (para lo cual sera necesario suministrar una
energa EG) y una recombinacion la transicion contraria
(proceso por el cual se liberara una energa EG).
Existen diferentes modos de suministrar al material
la energa necesaria para los procesos de generaci
on, y
de liberar dicha energa en los procesos de recombinacion. Por ejemplo, variando la temperatura se producen
procesos de generacion-recombinacion termica, si iluminamos se produce la fotogeneracion y tambien podemos
bombardear al material con otras partculas. El n
umero
de generaciones por unidad de tiempo y de volumen, G,
depende del semiconductor y de la temperatura, mientras que el n
umero de recombinaciones por unidad de
tiempo y de volumen, R, dependen del semiconductor,
de la temperatura y de la concentracion de portadores
existente (ya que R vendra tambien dado por la probabilidad de encuentro de un e con un h+ ). Ante todo,
hay que comprender que la generacion y la recombinacion termica de portadores son procesos que nunca
finalizan. En equilibrio termico, el n
umero de generaciones y recombinaciones es el mismo y, por lo tanto, la
concentracion media de portadores permanece constante, es decir, Gth = Rth .

La generacion-recombinaci
on es quiz
as el m
as imporTanto la generacion como la recombinaci
on de portante de los tres tipos de respuesta de los portadores.
tadores pueden producirse en el volumen del semiconFormalmente se puede definir:
ductor y en las superficies; en este u
ltimo caso se habla
Generacion (G) es el proceso por el que se crean de generacion y recombinacion superficiales.
nuevos portadores, electrones y huecos.
La generacion-recombinacion afecta directamente al
Recombinacion (R) es el proceso inverso, por el cual flujo de corriente en los semiconductores, modificando
las concentraciones de portadores implicados en los proun electron y un hueco desaparecen simult
aneamente.
cesos de arrastre y difusion.

Mecanismos de inyecci
on de portadores:

Inyeccion directa (uni

on polarizada)

Excitacion optica

Nivel de inyeccion:
Es la magnitud relativa de la concentraci
on de portadores en exceso respecto de la concentraci
on de portadores mayoritarios se considerar
an siempre bajos niveles
de Inyeccion.

Es importante resaltar como en equilibrio, ambos

fenomenos se compensan:

Rth = Gth
Ta

En equilibrio termico: Para una

dada, los portadores poseen una energa termica: Algunos electrones
de la BV pueden alcanzar la BC, dejando un hueco en
la BV Se genera un par e-h: fen
omeno de generacion.

n0 p0 = n2i
(De manera que se mantiene la validez de la ley de
accion de masas).

Este fenomeno se caracteriza por un n

umero:
Siendo n0 y p0 son las densidades de electrones y de
Gth (n
umero de pares generados por unidad de volu- huecos en la BC y BV en equilibrio.
men y de tiempo).
En situaciones de NO equilibrio termico:
Tambien un electr
on de la BC puede pasar a la BV
(desaparece un par electr
on-hueco) fen
omeno de recombinacion.

OPTICA
EJEMPLO INYECCION
Hacemos incidir sobre el SC un rayo de luz cuya
energa es igual o superior que el GAP del material
= hv > GAPs c
h: Cte de planck:4,141015

ev
s

v: Frecuencia de la radiacion.

Este fenomeno se caracteriza por un n

umero: Rth
n
umero de pares recombinados por unidad de volumen
y de tiempo.

Si la energa de los fotones es absorbida por un

electron de la BV que pasa a la BC, se produce el
fenomeno ADICIONAL de generacion llamado FOTO que aumento de la cantidad de portaGENERACION
dores (tanto electrones como huecos) Este fen
omenos es
la base de los foto detectores: La consecuencia es que
tiene lugar un aumento de la conductividad que depende de la iluminacion FOTO-CONDUCTIVIDAD.

De modo, que en total, bajo situaciones de NO equilibrio termico:

En situaciones de NO equilibrio termico: Inyeccion
optica

EJEMPLO de Inyecci
on
optica
Finalmente, debemos considerar las 4 componentes
mencionadas

Tenemos una nueva componente g-r:

FOTOGENERACION
Este fenomeno se caracteriza por un n
umero:
El n
umero de portadores generados GLOBAL por
GL n
umero de pares generados por unidad de volufoto-conductividad se puede expresar como:
men y de tiempo.
n = Gl
Ahora el n
umero de electrones y de huecos en las
bandas de valencia y conducci
on ser
a

p = Gl
GL : N
umero de portadores que se generan (m3 s)
: Tiempo de vida media por recombinaci
on(s).
REFERENCIAS
[Link] Fsicapara la ciencia y la tecnologa, Volumen 2- Paul Allen Tipler,
Gene Mosca
[Link] -Introduccion a la
electronica c
uantica - Paul Hlawiczka

De manera que ahora ya no se cumple la ley de accion

de masas n p > n2i

Debido a esa generaci

on extra los g-r intentaran reestablecer el equilibrio: aumentar
an los fen
omenos de
recombinacion: RECOMBINACION RADIATIVA: U
Al final habra una densidad estacionaria de portadores
(diferente de equilibrio).

[Link]
quimica/[Link]
[Link]
(Fisica del estado solido).
[Link]
ki/67/[Link]

eswi-

[Link]
[Link]
tema4/imagenes/[Link]

UNIDAD 6:
LA UNIN P-N

 P-N SIN POLARIZACION

6.1 UNION
semiconductor para poder aumentar el n
umero
de portadores de carga libres.
Se denomina union PN a la estructura funCuando el material dopante es a
nadido,
damental de los componentes electronicos este libera los electrones mas debilmente vincom
unmente denominados semiconductores.
culados de los atomos del semiconductor. Este
agente dopante es tambien conocido como impurezas aceptoras.
El proposito del dopaje tipo P es el de crear
abundancia de huecos. En el caso del silicio,
una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que, por difusion,
uno de los atomos vecinos le ceda un electron
completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los huecos. Cada hueco esta asociado con un ion cercano cargado negativamenIMAGEN 1: Estructura de la uni
on p-n
te, por lo que el semiconductor se mantiene
electricamente neutro en general. No obstanEsta formada por la union metal
urgica de dos
te, cuando cada hueco se ha desplazado por la
cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque
red, un proton del atomo situado en la positambien se fabrican de Germanio (Ge), de nacion del hueco se ve expuesto y en breve se ve
turalezas P y N seg
un su composicion a niequilibrado por un electron. Por esta razon un
vel atomico. Estos tipos de cristal se obtienen
hueco se comporta como una cierta carga posial dopar cristales de metal puro intencionadativa. Cuando un n
umero suficiente de aceptores
mente con impurezas, normalmente con alg
un
son a
nadidos, los huecos superan ampliamente
otro metal o compuesto qumico.
la excitacion termica de los electrones. As, los
Los cristales de Silicio estan formados a ni- huecos son los portadores mayoritarios, mienvel atomico por una malla cristalina basada en tras que los electrones son los portadores mienlaces covalentes que se producen gracias a noritarios en los materiales tipo P.
los 4 electrones de valencia del atomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que
SEMICONDUCTOR TIPO N
cabe mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevanun electron cuando deja la capa de valencia do a cabo un proceso de dopado a
nadiendo un
y se convierte en un electron libre. Esto es lo cierto tipo de elemento, normalmente pentavaque se conoce como pares electron - hueco y lente, es decir con 5 electrones en la capa de
su generacion se debe a la temperatura (como valencia, al semiconductor para poder aumenuna aplicacion, al caso, de las leyes de la ter- tar el n
umero de portadores de carga libres (en
modinamica) o a la luz (efecto fotoelectrico). este caso, negativos, electrones libres).
En un semiconductor puro (intrnseco) se cumCuando el material dopante es a
nadido,
ple que, a temperatura constante, el n
umero de este aporta sus electrones mas debilmente vinhuecos es igual al de electrones libres.
culados a los atomos del semiconductor. Este
tipo de agente dopante es tambien conocido como impurezas donantes ya que cede uno de sus
SEMICONDUCTOR TIPO P
electrones al semiconductor.
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando
El proposito del dopaje tipo N es el de proa cabo un proceso de dopado, sustituyendo- ducir abundancia de electrones libres en el male algunos de los atomos de un semiconductor terial. Para ayudar a entender como se produce
intrnseco por atomos con menos electrones de el dopaje tipo N considerese el caso del silicio
valencia que el semiconductor anfitrion, nor- (Si). Los atomos del silicio tienen una valenmalmente trivalente, es decir con 3 electrones cia atomica de cuatro, por lo que se forma un
en la capa de valencia (normalmente boro), al enlace covalente con cada uno de los atomos

de silicio adyacentes. Si un atomo con cinco

ZONA P: semiconductor tipo P (impuelectrones de valencia, tales como los del grurezas aceptoras, Na)
po VA de la tabla periodica (ej. fosforo (P),
ZONA N: semiconductor tipo N (impuarsenico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora
rezas dadoras, Nd)
a la red cristalina en el lugar de un atomo de
silicio, entonces ese atomo tendra cuatro enlazona de transicion ( 1m)
ces covalentes y un electron no enlazado. Este
electron extra da como resultado la formacion
de electrones libres, el n
umero de electrones en
el material supera ampliamente el n
umero de
huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los atomos con cinco electrones de valencia tienen un
electron extra que dar, son llamados atomos
IMAGEN 2: zona de huecos (P)
donantes. Notese que cada electron libre en el
y zona de electrones (N)
semiconductor nunca esta lejos de un ion dopante positivo inmovil, y el material dopado Zona p
tipo N generalmente tiene una carga electrica
Portadores mayoritarios huecos (pP)
neta final de cero.
Concentracion pP Na
Portadores minoritarios electrones (nP)
BARRERA INTERNA DE
Concentracion nP 0
POTENCIAL
Zona N:
Portadores mayoritarios electrones (nN)
Al unir ambos cristales, se manifiesta una Concentracion nN Nd Portadores minoridifusion de electrones del cristal n al p (Je). Al tarios huecos (pN) Concentracion pN
establecerse estas corrientes aparecen cargas fi- 0 Aparece un campo electrico E dirigido desde
jas en una zona a ambos lados de la union, zo- la zona N hacia a la zona P
na que recibe diferentes denominaciones como
1. Diferencia de potencial (V0 )
barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de
2. Corriente de arrastre
deplexion, de vaciado, etc.
de huecos (Iap )
A medida que progresa el proceso de difusion, la zona de carga espacial va incrementande electrones (Ian )
do su anchura profundizando en los cristales a
ambos lados de la union. Sin embargo, la acumulacion de iones positivos en la zona n y de
iones negativos en la zona p, crea un campo
electrico (E) como se muestra en imagen 3, que
actuara sobre los electrones libres de la zona n
con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondra a la corriente de electrones
y terminara deteniendolos.
Este campo electrico es equivalente a decir
IMAGEN 3: Campo electrico
que aparece una diferencia de tension entre las
zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0 ) La presencia del campo electrico en la zona de
es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los la union debido a la presencia de cargas fijas,
cristales son de germanio.
orientado en sentido contrario al movimiento
Union P-N: Mono cristal semiconductor do- de cada uno de los portadores por difusion, crea
a su vez una corriente de arrastre.
pado con impurezas donadoras y aceptoras


EQUILIBRIO DINAMICO:
ID + IA = 0

positivo de la batera y se desplaza de

atomo en atomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el
hilo conductor y llega hasta la batera.

IMAGEN 4: Equilibrio din

amico
IMAGEN 5: Union P-N en polarizacion directa

6.2 Uni
on P-N Bajo polarizaci
on
polarizaci
on directa: En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la
zona de carga espacial, permitiendo el paso de
la corriente de electrones a traves de la union;
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de
la union P - N y la negativa a la N. En estas
condiciones podemos observar que

CONSECUENCIAS:

IMAGEN 6: Zona de transicion

en polarizacion directa

El polo negativo de la batera repele los

electrones libres del cristal n, con lo que La barrera de potencial V disminuye
0
estos electrones se dirigen hacia la union
La reduccion de la barrera de potencial
p-n.
cuando la polarizacion es directa hace que la
El polo positivo de la batera atrae a los corriente de difusion predomine sobre la de
electrones de valencia del cristal p, es- arrastre. Esto permite que los portadores mato es equivalente a decir que empuja los yoritarios atraviesen la union, convirtiendose
entonces en minoritarios y dando lugar a una
huecos hacia la union p-n.
corriente mensurable. Se tiene, por tanto, una
Cuando la diferencia de potencial entre inyeccion de portadores minoritarios, es decir,
los bornes de la batera es mayor que la de electrones en la zona P y de huecos en la N.
diferencia de potencial en la zona de carE y W disminuyen
ga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para
La corriente de arrastre disminuye poco
saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia
INVERSA
POLARIZACION
la union p-n.
Una vez que un electron libre de la zona
n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los m
ultiples huecos de la zona p convirtiendose
en electron de valencia. Una vez ocurrido esto el electron es atrado por el polo

En este caso, el polo negativo de la batera se

conecta a la zona p y el polo positivo a la zona
n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tension en dicha zona hasta que se
alcanza el valor de la tension de la batera, tal
y como se explica a continuacion:

El polo positivo de la batera atrae a los

electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en
el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida
que los electrones libres abandonan la zona n, los atomos pentavalentes que antes
eran neutros, al verse desprendidos de su
electron en el orbital de conduccion, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y atomo) y una carga electrica neta de +1, con
lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los atomos trivalentes de
la zona p. Recordemos que estos atomos
solo tienen 3 electrones de valencia, con
lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los atomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de valencia,
siendo el electron que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran
en la zona p, caen dentro de estos huecos
con lo que los atomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital
de valencia) y una carga electrica neta de
-1, convirtiendose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere
el mismo potencial electrico que la batera.

En esta situacion, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formaran pares electronhueco (ver semiconductor) a ambos lados de la
union produciendo una peque
na corriente (del
orden de 1 A) denominada corriente inversa
de saturacion. Ademas, existe tambien una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una
peque
na corriente por la superficie del diodo;
ya que en la superficie, los atomos de silicio
no estan rodeados de suficientes atomos para
realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios
para obtener estabilidad. Esto hace que los atomos de la superficie del diodo, tanto de la zona
n como de la p, tengan huecos en su orbital
de valencia con lo que los electrones circulan
sin dificultad a traves de ellos. No obstante, al
igual que la corriente inversa de saturacion, la
corriente superficial de fugas es despreciable.
CONSECUENCIAS
0

V0 = V0 V = V0 + |V |
La barrera de potencial V0 aumenta
Corriente de difusion disminuye MUCHO (pocos portadores saltan la barrera).
E y W aumentan corriente de arrastre
aumenta POCO
Problema: Consideremos una union p-n
de silicio inicialmente polarizada en directa con
0.6 V a la temperatura de 300 K.
Supongamos que se produce un incremento
de temperatura de 10 o C. Calcule que variacion se requiere en la tension de polarizacion
directa para mantener constante la corriente a
traves de la union.
REFERENCIAS
[Link] Fsica
para la ciencia y la tecnologa, Volumen
2- Paul Allen Tipler, Gene Mosca

IMAGEN 7:Uni
on P-N en polarizaci
on inversa

[Link] -Introduccion
a la electronica cuantica - Paul Hlawiczka

6.3 CAPACITANCIA DE

AGOTAMIENTO Y DIFUSION.

aumento del potencial de polarizacion inversa,

la capacitancia de transicion que resulta disminuira.

La capacidad o capacitancia electrica es la propiedad que tienen los cuerpos para mantener
una carga electrica, tambien es una medida de
la cantidad de energa electrica almacenada para un potencial electrico dado. El dispositivo
mas com
un que almacena energa de esta forma es el capacitor. La relacion entre la diferencia de potencial (o tension) existente entre las
placas del capacitor y la carga electrica almacenada en este.

Relaci
on entre carga de almacenamiento y tensi
on inversa.

Cuando el dispositivo se polariza en inverso

y la variacion de la se
nal alrededor del punto
de polarizacion es peque
na como se ilustra en
la figura anterior. Se puede usar una aproximacion de capacitancia lineal. Desde esta aproximacion a peque
na se
nal, la capacidad de agotamiento o transicion es simplemente la pendiente de la curva qj versus VR en el punto de
polarizacion.

Tiempo de conmutacion de transistores

Cj =

dqs
dVR

(1)

Los dos efectos de capacitancia son:

Derivando se puede hallar una expresion

Capacitancia de transicion o de agota- para Cj. Si se trata la capa de agotamiento comiento.
mo un condensador de placas planas paralelas
se obtendra una expresion identica para Cj .
Capacitancia de difusion o de almacenamiento.
s A
Cj =
(2)
Wagot

En la region de polarizacion inversa se tiene

Donde:
la capacitancia de la region de transicion o de
agotamiento (CT ). En la region de polarizacion
Cj : Capacitancia de union de transicion o
directa se tiene la capacitancia de difusion o
de
agotamiento
de almacenamiento (CD ).
Capacitancia de transici
on o de
agotamiento.
En la region de polarizacion inversa existe
una region de agotamiento (libre de portadores) que se comporta como un aislante entre las
capas de carga opuesta. Debido a que el ancho
de esta region (d) se incrementara mediante el

s : Permisibilidad del semi-conductor

Wagot : Ancho de la region de agotamiento.

A: Area
de la union
La expresion resultante para Cj se puede

escribir en una forma conveniente.

Cjo
Cj = r
VR
1+
VO

(3)

Donde:
Cjo : Capacitancia de union de transicion o
de agotamiento
VR : Permisibilidad del semi-conductor
VO : Ancho de la region de agotamiento.

variaci
on de CT en funci
on de VR para dos diodos tpicos..

El analisis precedente y la expresion para

Cj se aplican para uniones en las que la concentracion de portadores se hace cambiar abrupta
mente en la frontera de la union. Una formula
mas general para Cjo es :

Se observa que cuanto mayor sea la tension

inversa, mayor es el ancho Wagot de la region de
agotamiento o de carga espacial, y como consecuencia, menor la capacidad Cj . De manera
analoga, si aumenta la tension directa, Wagot
disminuye y Cj aumenta.

Cj = 

Cjo
1+

VR
VO

m

(4)

Donde m es una constante cuyo valor depende de la manera en que cambia la concentracion del lado P al lado N de la union. Se
denomina coeficiente de distribucion, y su valor es de 1/3 a 1/2 Tambien se conoce Cj = CT .
A medida que un voltaje de polarizacion inversa se aplica a una union p-n, ocurre un transitorio durante el que la capacitancia de agotamiento se carga al nuevo voltaje de polarizacion. Una vez que gradualmente desaparezca el
transitorio, la corriente inversa de estado estable es simplemente IS . En realidad, corrientes
de hasta unos pocos nanoamper 109 A circulan en direccion inversa, en dispositivos para
los que IS es del orden 1015 A. Esta gran diferencia se debe a fuga y otros efectos. Ademas,
la corriente inversa depende en cierta medida
de la magnitud del voltaje inverso, contrario al
modelo teorico, que expresa que I = IS . Independiente del valor del voltaje inverso aplicado.
No obstante lo anterior, debido a que intervienen corrientes muy bajas, por lo general no se
toma en cuenta los detalles de la curva caracterstica i-v del diodo en la direccion inversa.

O
CAPACITANCIA DE DIFUSION
DE ALMACENAMIENTO..
El efecto tambien se encuentra en la region
de polarizacion directa, pero este es mucho menor que un efecto de capacitancia directamente
dependiente de la velocidad a la que la carga
es inyectada hacia las regiones justo fuera de
la region de agotamiento. El resultado es que
niveles crecientes de corriente resultaran niveles crecientes de la capacitancia de difusion. De
la descripcion de la operacion de la union p-n
en la region de sentido directo se observa que,
en estado estable, cierta cantidad de exceso de
carga de portadores minoritarios se almacena
en la mayor parte de cada una de las regiones
p y n con carga neutra. Si cambia la tension
entre terminales, este cambio finaliza antes de
que se alcance un nuevo estado estable. Este
fenomeno de carga y almacenamiento da lugar
a otro efecto capacitivo, muy diferente del que
se debe al almacenamiento de carga en la region de agotamiento.
Para peque
nas variaciones de carga situadas alrededor de un punto de polarizacion, podemos definir la capacitancia
de difusion a peque
na se
nal Cd como:

EL EFECTO AVALANCHA

dQ
Cd =
dV

(5)

y

Cd =

T
VT


I

(6)

Donde I es la corriente del diodo en el punto

de polarizacion. Es de notar que Cd es directamente proporcional a la corriente I del diodo y
es, por lo tanto, tan peque
na que es despreciable cuando el diodo se polariza inversamente.
Tambien para mantener una Cd peque
na,
el tiempo de transito T debe hacerse peque
no,
lo cual es un requisito importante para diodos
destinados para operacion a alta velocidad o
alta frecuencia.
6.4 VOLTAJE DE RUPTURA
El voltaje de ruptura es el valor de tension
inversa que, aplicado en los terminales del diodo, genera una importante circulacion de corriente, mucho mas grande que la corriente de
saturacion, IS .
Este fenomeno de ruptura puede ser generado por dos fenomenos distintos:

Mientras que el efecto avalancha se da para

tensiones menores a dicho margen. La explicacion de estos fenomenos tiene que ver con
la alta intensidad del campo electrico en las
junturas polarizadas inversamente. Cuando el
campo electrico es lo suficientemente intenso,
este arranca los electrones de los portadores,
permitiendo as la circulacion de corriente. Dicho de otra manera es un fenomeno que ocurre
con tensiones inversas elevadas en una union
pn. Los electrones libres se aceleran a velocidades tan altas que son capaces de desalojar
a los electrones de valencia. Cuando se produce esta situacion, los electrones de valencia se
convierten en electrones libres que desalojan
a otros electrones de valencia. Produciendose
una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo
sin apenas incremento de la tension.

1.-El efecto Zener (de all el nombre del

diodo Zener)
2.-El efecto avalancha
EL EFECTO ZENER
Con la aplicacion de un voltaje inverso suficiente, una union p-n experimentara una rapida rotura de avalancha, y fluira corriente en
direccion inversa dentro del diodo. Los electrones de valencia que se liberan bajo la influencia
del campo electrico aplicado, se pueden acelerar lo suficiente para que puedan golpear otros
electrones sueltos, y las subsiguientes colisiones se convierten rapidamente en una avalancha. Cuando tiene lugar este proceso, cambios
muy peque
nos en el voltaje, pueden producir
cambios muy grandes en la corriente. El proceso de rotura depende del campo electrico aplicado, de modo que cambiando el grosor de la
capa donde se aplica el voltaje, se pueden formar diodos zener que trabajen desde alrededor
de 4 volts, hasta varios cientos de volts.

PN
6.5 MODELOS DE LA UNION
Una union p-n y un capacitor cargado, son
cosas parecidas. La carga almacenada en la region de la union proviene del movimiento de los
electrones de la region n, lo cual ocasiona donadores. Al completarse los enlaces covalentes
de los atomos aceptores de un material tipo p
se producen cargas negativas permanentes. El
que exista un movimiento de portadores libres

cerca de la union provoca una region desertica

la cual tolera un exceso de cargas y un campo
electrico. En el semiconductor p-n existen dos
efectos de capacitancia que deben considerarse.
Ambos tipos de capacitancia se encuentran en
las regiones de polarizacion directa y polarizacion inversa, pero una sobrepasa la otra de tal
manera que en cada region solo se consideran
los efectos de una sola capacitancia.
DIRECTA.
POLARIZACION
Si el terminal positivo de la fuente esta conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente esta conectado al material
tipo n. Diremos que estamos en Polarizacion
Directa.

Lo que le sucede al electron: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente, se desplaza a traves de la zona n como electron libre. En
la union se recombina con un hueco y se convierte en electron de valencia. Se desplaza a
traves de la zona p como electron de valencia.
Si se polariza la union p-n en sentido directo,
la tension U de la pila contrarresta la barrera
de potencial creada por la distribucion espacial de cargas en la union, desbloqueandola, y
apareciendo una circulacion de electrones de
la region n a la region p y una circulacion de
huecos en sentido contrario. Tenemos as una
corriente electrica de valor elevado, puesto que
la union p-n se hace conductora, presentando
una resistencia electrica muy peque
na. El flujo
de electrones se mantiene gracias a la pila que
los traslada por el circuito exterior circulando
con el sentido electrico real, que es contrario
al convencional establecido para la corriente
electrica.
INVERSA.
POLARIZACION
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal negativo de la batera conectado al lado p
y el positivo al n, esta conexion se denomina
Polarizacion Inversa.

polarizaci
on directa

En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga
a que los electrones libres y huecos fluyan hacia
la union. Al moverse los electrones libres hacia
la union, se crean iones positivos en el extremo
derecho de la union que atraeran a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo.
As los electrones libres pueden abandonar el
terminal negativo de la fuente y fluir hacia el
extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del
electron.

movimiento de los electrones en Polarizaci

on Directa

polarizaci
on inversa

El terminal negativo de la batera atrae a

los huecos y el terminal positivo atrae a los
electrones libres, as los huecos y los electrones
libres se alejan de la union y la z.c.e. se ensancha. Cuando la union se polariza en forma
inversa los materiales libres tipo n: electrones
son atrados por la terminal positiva de la fuente y por esto los aleja de la union. Lo mismo
sucede con los huecos = p, en base a esto la barrera de energa se vuelve mas ancha llegando

a ser de la misma magnitud que la fuente apliPROBLEMAS.

cada y el flujo de corriente es extremadamente
1.1.-En el circuito de la figura los diodos
peque
no debido a la escasa cantidad de portadores libres y se llama corriente de saturacion son ideales, calcular la intensidad que circula
inversa. A mayor anchura de la z.c.e. mayor di- por la fuente v1 en funcion de la entrada V1 .
ferencia de potencial, la zona de deplexion deja
de aumentar cuando su diferencia de potencial
es igual a la tension inversa aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de alejarse
de la union.

2.1.- Calcular los puntos de rupturas y trazar las caractersticas de transferencia del recortador de dos niveles de la fig 1,. Supongase
diodos ideales.

A mayor la tensi
on inversa aplicada mayor ser
a la z.c.e.

A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexion deja de

aumentar cuando su diferencia de potencial es
igual a la tension inversa aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de
la union. Existe una peque
na corriente en polarizacion inversa, porque la energa termica crea
continuamente pares electron-hueco, lo que hace que haya peque
nas concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor
parte se recombina con los mayoritarios pero
los que estan en la z.c.e. pueden vivir lo suficiente para cruzar la union y tenemos as una
peque
na corriente. La zona de deplexion empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco
a la izquierda, se crea as una corriente Inversa
de Saturacion (IS ) que depende de la temperatura

3.1.- Los diodos de la figura son ideales. Trazar la caracterstica de transferencia

V0 =f(Vi ), indicando los diferentes estados de
los diodos y puntos caractersticos de la funcion de transferencias. Si la entrada es una onda senoidal de 50 Voltios de valor maximo y
una frecuencia de 50 HZ. Expresar analticamente y graficamente la salida.

REFERENCIAS
[Link] Fsica para la ciencia y la tecnologa, Volumen 2- Paul
Allen Tipler, Gene Mosca
[Link] -Introduccion a la electronica cuantica - Paul Hlawiczka