EL SCR:
El rectificador controlado de silicio que significa SCR: Silicon
Controlled Rectifier, es un tipo de tiristor formado por cuatro
capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien
NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn y Transistor.
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La
puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre
el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo
rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un
solo sentido.
Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR
no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique
dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. El pulso de
disparo ha de ser de una duracin considerable, o bien,
repetitivo. Segn se atrase o adelante ste, se controla la
corriente que pasa a la carga.
Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el
tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de
carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento.
Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada
alternancia o semi ciclo.
Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de
bloqueo forzado.
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre
nodo y ctodo de un tiristor, ste puede dispararse y entrar
en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da
como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que
permite mantener bloqueado el SCR.
Este efecto se produce debido al condensador parsito
existente entre la puerta y el nodo. Los SCR se utilizan en
aplicaciones de electrnica de potencia, en el campo del
control, debido a que puede ser usado como interruptor de
tipo electrnico.
El Tiristor es un dispositivo semiconductor de 4 capas que
funciona como un conmutador casi ideal. El smbolo y
estructura son:
FUNCIONAMIENTO BSICO
El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR
para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una
corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se
producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base
del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector
de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2
(IB2) , este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo
mismos que IB1 en la base de Q1.
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2
causando el encendido del tiristor.
Los parmetros del SCR son:
VRDM: Mxima tensin inversa de cebado (VG = 0)
VFOM: Mxima tensin directa sin cebado (VG = 0)
IF: Mxima corriente directa permitida.
PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y
ctodo.
VGT-IGT: Mxima tensin o corriente requerida en la
compuerta (G) para el cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener
cebado el tiristor
dv/dt: Mxima variacin de tensin sin producir cebado.
di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de
destruir el tiristor.
