DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

ELEMENTOS SEMICONDUCTORES
Los tomos en los Semiconductores
tomo segn el modelo de Bohr [fig. 1.1]

- Electrones (-) forman las rbitas del tomo

FIG U RA

1.1

TO M O D E B O H R

FIG UR A 1.2 REP R ESEN TA CI N

SIMPLIFICADA DE LOS TOMOS
D E Si o G e

Solo los electrones de valencia intervienen en las reacciones qumicas.

Los otros electrones estn estrechamente vinculados al ncleo. Los
electrones de valencia junto con el ncleo constituyen un centro inico
estable desde el punto de vista qumico, que exhibe una carga elctrica
positiva neta [fig. 1.2].
Estados en los que se Presenta la Materia.-Cuando los tomos de un material
se encuentran muy separados se tiene el estado gaseoso. Cuando los
tomos estn ms prximos, el estado puede ser lquido o slido.
En los conductores [metales], los tomos se compactan a tal grado
que los electrones de valencia quedan muy prximos a los tomos vecinos,
por tanto no podra decirse a qu tomo pertenecen esos electrones.
As, todos los centros inicos comparten los electrones de valencia.
De modo que se los puede considerar como electrones libres, porque,
en respuesta a fuerzas externas, estn en libertad de moverse dentro
del conductor. Cuando una diferencia de potencial establece un campo
elctrico en el conductor, el movimiento global de los electrones libres
constituye la corriente elctrica.
Cuando no hay un campo elctrico, los electrones dentro del conductor
se mueven en forma errtica [en todas las direcciones] con velocidades
errticas, cuyo valor medio depende de la temperatura. La densidad
de electrones libres en un conductor es del mismo orden que la de los
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Can

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23

- 2 -3

propios tomos, 10 cm , independiente de la temperatura [nmero de

Avogadro, NA = 6,02x1023 molculas/mol].
VALORES DE ALGUNAS CONSTANTES FSICAS
Constante
Carga del electrn
Masa del electrn
Masa del protn
Constante de Planck
Constante de Boltzmann
Constante de Stefan-Boltzmann
Nmero de Avogadro

Smbolo
q
m
mp

Valor
1,602x10

-19

9,109x10

-31

kg

1,1673x10

-27

-34

kg

6,626x10

1,381x10-23 J/K
8,620x10-5 eV/K

5,670x10-8W/(m2 K4 )

NA

J.s

6,023x1023molcuclas/mol

Velocidad de la luz

2,998x108 m/s

Permitividad en el espacio libre

8,849x10-12 F/m

En los aislantes, los electrones de valencia estn fuertemente unidos

a sus tomos originales. En presencia de un campo elctrico, pocos
son los electrones que pueden moverse a travs del material. El aislante
es un muy mal conductor, dentro de muy amplios rangos de temperatura.
Los semiconductores, ocupan una posicin intermedia entre los
conductores y los aislantes. Los electrones de valencia no estn
demasiado sueltos de sus tomos originales como en los conductores
ni tan unidos como en los aislantes. En los semiconductores, la unin
de estos electrones depende fuertemente de la temperatura. A temperatura
ambiente el semiconductor no es ni un buen conductor ni un buen aislador.
La influencia de la temperatura sobre la conductividad de un
semiconductor es tal que a muy bajas temperaturas es un buen aislador,
mientras que a temperaturas muy altas, es un conductor bastante bueno.
Estructura
[Link]
configuraciones
geomtricas
tridimensionales, regulares y peridicas. Se dice que son peridicas
porque la forma geomtrica bsica se repite continuamente en las 3
direcciones. Cuando esta condicin se cumple en toda la masa del cuerpo,
entonces se tiene un monocristal. Cuando el material se presenta en
forma de aglomeraciones de pequeos cristales [no discernibles a simple
vista] se tiene un material policristalino. Los semiconductores
utilizados en los dispositivos electrnicos deben ser monocristalinos.

Modelo de Bandas de Energa .- La teora de bandas est relacionada

con el concepto de energa, ms que con los de velocidad y posicin.
Cada uno de estos puntos de vista complementa al otro. Algunas veces
se utilizar el modelo de enlaces de valencia, otras el de bandas de
energa. Sin embargo, cualquiera de los 2 puntos de vista es adecuado
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Can

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- 3 -

para comprender claramente la mayora de las propiedades de los materiales semiconductores y de los dispositivos de estado slido.

FIG UR A 1.3

N IVELES D E EN ER G A

Niveles y Bandas de Energa.- El tomo segn el modelo de Bohr estudiado

anteriormente se muestra en ms detalle en la fig. 1.3. En ella se
muestran los electrones distribuidos en rbitas discretas. Adems se
muestra una rbita de excitacin que no tiene electrones.
El electrn tiene dos tipos de energa: cintica y potencial [con
respecto al ncleo]. Para sacar un electrn de la rbita de valencia
a la de excitacin hay que realizar un trabajo contra la fuerza de
atraccin del ncleo. La energa potencial del electrn aumenta cuando
se aleja del ncleo.
Cada una de las rbitas est asociada con cierta cantidad de energa
[cintica ms potencial], entonces los electrones que se encuentran
en esas rbitas tienen cierto nivel de energa. Dependiendo del tomo,
pueden existir muchos niveles de energa posibles, cada uno de ellos
perfectamente determinado. Los ms elevados son los niveles de excitacin
y se hallan ocupados transitoriamente, mientras existan electrones
excitados.
Un electrn puede pasar del nivel de energa E1 al nivel E2 si gana
un cuanto de energa igual a E2 E1, o pasar a un nivel ms alto E3,
si gana un cuanto adicional igual a E3 E2, o tambin puede pasar del
nivel 1 al 3 directamente si el cuanto tiene una energa E3 E1.
Entonces, un electrn puede pasar de su nivel normal de energa a uno
ms alto en una o en varias etapas.

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Nivel de energa es otra forma de decir radio orbital

Slo hay valores discretos de energa y dimetro orbital

Cuando el nivel de energa es suficientemente alto, el electrn puede

alejarse tanto del ncleo como para escapar por completo a su influencia.
Es decir, el electrn se desprende del tomo y ste se ioniza. El
electrn pasa a ser un electrn libre y el tomo, un ion positivo.
La energa mnima necesaria para desprender un electrn del tomo se
llama energa de ionizacin.
Entre el nivel de valencia y el de ionizacin existen niveles
adicionales permitidos, que normalmente no estn ocupados por electrones.

FIG U R A 1.4

FO R M A CI N D E LA S B A N D A S D E VA LEN CIA

Si dos tomos idnticos al anterior se acercan lo suficiente como

para formar una molcula diatmica, el diagrama de niveles de energa
de la combinacin adopta la forma ideal ilustrada en la fig. 1.4. Cada
uno de los niveles originales permitidos se descompone en dos, muy
prximos a los iniciales, y se forma una depresin en la curva de energa
entre los dos ncleos. Este desdoblamiento de los niveles de energa
y la depresin de la curva de energa son el resultado de un proceso
de acoplamiento. Adems de ser atrado por su propio ncleo, cada
electrn tambin es atrado por el ncleo del tomo vecino. As, el
efecto del segundo tomo es el de reducir la energa necesaria para
desplazar el electrn entre los dos ncleos. Los dos tomos comparten
los niveles de energa ms elevados. Al compartir los niveles de
valencia, los electrones de valencia ya no se localizan en ninguno
de los tomos en particular sino que pueden moverse dentro del espacio
ocupado por la molcula y sirven as para estabilizar la estructura
molecular enlazando un tomo con el otro.
El desdoblamiento de los niveles de energa permitidos se incrementa
cada vez que se renen ms tomos, que llegan a estar tan prximos
los unos a los otros que la diferencia de energa entre ellos deja
de ser significativa, por lo que en su conjunto se los considera como
una banda de energa permitida.
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FIG U R A 1.5

- 5 -

B A N D A S D E EN ER G A

La banda formada por la particin del primer nivel de excitacin

se denomina banda de conduccin, mientras que la del nivel de valencia
banda de valencia. Cuando no hay excitacin, la banda de conduccin
est vaca.
Entre las bandas permitidas existen bandas prohibidas, en ellas no
hay niveles de energa permitidos. La altura de la banda prohibida
entre la banda de valencia y la de conduccin tiene mucha importancia
en la teora de semiconductores, y se la denomina brecha de energa
Eg (Energy gap = Brecha de Energa) que es la que se necesita para romper
el enlace de valencia y producir un electrn libre. El valor de Eg es
una caracterstica de cada material. La brecha de energa Eg en un
semiconductor depende de la temperatura; se ha encontrado en forma
experimental emprica y se la expresa mediante la siguiente ecuacin.

[T es la temperatura absoluta]

Bandas de Energa para los Conductores, Semiconductores y Aislantes

CONDUCTOR es un slido que a temperatura ambiente tiene muchos
electrones en la banda de conduccin. No hay una regin de banda
prohibida entre las bandas de valencia y de conduccin [fig. 1.6].
En un buen conductor las dos bandas se superponen, y los electrones
de valencia se convierten en electrones de conduccin [libres].

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FIG U R A

- 6 -

1.6

SEMICONDUCTOR es un slido que tiene una banda de energa prohibida,

que es mucho ms pequea que en el caso de un aislador, pero mayor
que la de un conductor. Puesto que tiene una banda prohibida, se debe
suponer que el semiconductor no tiene electrones en su banda de
conduccin. No obstante el calor del medio ambiente es suficiente para
que algunos electrones de la banda de valencia salten la brecha prohibida
y pasen a la banda de conduccin. Entonces, a temperatura ambiente,
los semiconductores pueden conducir algo de corriente elctrica. Para
el caso del silicio, la banda de energa prohibida tiene un ancho de
1,1eV1 y para el germanio es de 0,72eV a temperatura ambiente [Eg =
1,1eV (Si); Eg = 0,72eV (Ge)].

Energa [eV]

FIG U R A 1.7

AISLADOR es un material que tiene una banda de energa prohibida

bastante ancha [$5eV]. Los aisladores prcticos tiene muy pocos

eV = electrn-Voltio.
W [energa] = P[potencia] x t[tiempo]
P = VI , W = VIt , W = QV
[I = Q/t]
, W = 1,6 x 10 -19 coul x 1 V = 1,6 x 10 -19 Joules = 1eV

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electrones de conduccin y conducen una corriente muy pequea.

Tabla de la Resistividad de los Materiales
A IS LA D O R ES :

S EM ICO N D U CTO R ES :

CO N D U CTO R ES :

CU A RZ O FU N D ID O

1 019

H U LE EN D U R ECID O

1 018

N YLO N

4 X 10 1 4

VID R IO

1 ,7 X 10 1 3

P O R CELA N A

3 X 10 1 1

S ILICIO [P U R O ]

2 X 10 5

G E RM A N IO [P U R O ]

65

CA R B O N O

4 X 10 - 3

P LA TIN O

1 0 -5

A LU M IN IO

2 ,8 X 10 - 6

CO B R E

1 ,7 X 10 - 6

P LA TA

1 ,6 X 10 - 6

R ESISTIVID A D [X CM ]

Semiconductores Intrnsecos [Puros]

Los materiales semiconductores se agrupan en forma de cristales tridimensionales. Para facilitar su estudio a los cristales de los
semiconductores se los representar en forma bidimensional [fig. 1.8].

FIG U R A

1 .8

C R IS TA L D E S ILIC IO P U R O

Cuando se tiene un cristal puro [formado por el mismo tipo de tomos]

o cuando la cantidad de impurezas es muy pequea, cuyo efecto sobre
la conductividad es despreciable, entonces se tiene un material
intrnseco, porque la conductividad es una propiedad intrnseca del
material original.
La estructura cristalina de la fig. 1.8 es verdadera para temperaturas
muy bajas [prximas al cero absoluto]. Al aumentar la temperatura,
algunos electrones se liberan al romper los enlaces covalentes. Este
es un proceso de ionizacin que genera electrones libres que pueden
moverse a travs del cristal, dejando tomos ionizados [con exceso
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de carga +]. La vacante dejada por el electrn se la conoce como hueco

y representa una carga unitaria [fig. 1.9]. El hueco puede ser llenado
por un electrn de un enlace vecino con lo que se produce la
transferencia del hueco positivo a otra posicin de la estructura
cristalina, es decir, el hueco tambin se mueve al azar dentro del
cristal.
Concentracin Intrnseca de Portadores n i.- Un material intrnseco se define
como un material puro, es decir, que no est contaminado con otra clase
de tomos o impurezas, ni es la concentracin intrnseca de portadores
[electrones o huecos] en un material intrnseco, que es muy dependiente
de la temperatura [fig. 1.9].

FIG U R A

1.9

CR ISTA L D E SILICIO

Por experimentacin se tiene que

donde:
n i = Concentracin intrnseca de portadores
k = Constante de Boltzmann = 8,62x10 -5eV/ K
T = Temperatura absoluta
E g = Energa de la brecha
E g = 1,10eV [Si]
E g = 0,72eV [Ge]
A O = Constante independiente de la temperatura

Conforme aumenta la temperatura, aumenta la concentracin de pares

electrn-hueco2, lo que a su vez aumenta la probabilidad de recombinacin
hasta llegar a un equilibrio para cada temperatura particular. La

Los enlaces que form an los electrones de valencia de los sem iconductores, se denom inan
enlaces cov alentes porque los tom os vecinos com parten sus electrones de valencia. Cuando
se increm enta la tem peratura los enlaces se rom pen y form an electro n es lib res y huecos en
parejas, de ah el nom bre de p a r elec tr n -h u ec o .

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variacin de ni en funcin de la temperatura T, es muy rpida. Para

temperaturas mayores que unos 50K, la concentracin ni es

Para 300K, [temperatura ambiente], se tiene

A la temperatura ambiente (25C . 300K), en el silicio n i es tres rdenes de magnitud

menor que en el germanio. A temperatura ambiente, en el silicio hay 1 electrn
libre por cada 10 13 tomos y en el germanio, 1 por cada 10 10 tomos.

En un conductor, el flujo de corriente se debe exclusivamente al

desplazamiento de electrones en presencia de una fuente de voltaje.
En un semiconductor, la corriente total corresponde a la contribucin
del desplazamiento de electrones hacia el terminal positivo y de huecos
hacia el terminal negativo de la fuente de voltaje, es decir:
. Como se muestra en la fig. 1.10.

Energa [eV]

FIG UR A 1.1 0

FLU JO D E ELECTR O N ES Y H U ECO S

Semiconductores Extrnsecos [Dopados]

DOPING Excitacin [contaminacin]
Los semiconductores ms tiles se obtienen agregando al material idealmente puro, cantidades controladas [del orden de algunas partes por
milln] de ciertas impurezas. En el proceso de contaminacin, los tomos
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de impureza reemplazan a los tomos de silicio o de germanio en la

estructura cristalina.
Impurezas Donadoras.- Como material contaminante se utiliza un elemento
qumico de valencia-5 [pentavalente]: fsforo (P), arsnico (As),
antimonio (Sb), bismuto (Bi). 4 de los 5 electrones de valencia del
tomo extrao forman los 4-enlaces con tomos vecinos requeridos por
las leyes de la estructura cristalina original. El quinto electrn
de valencia del tomo de impureza no encaja en la estructura cristalina,
por tanto, para que el electrn se separe del tomo original, se requiere
muy poca energa de ionizacin. En consecuencia, a temperaturas del
orden de los 100K, la probabilidad de que pase a ser un electrn libre
es alta [95% en el Ge].
El tomo de impureza pentavalente ha donado un electrn libre al
cristal sin generar un hueco, es por esto que al tomo de impureza
pentavalente se lo denomina DONADOR [fig. 1.11].

FIG U R A

1 .1 1

IM P U R EZ A D O N A D O R A

Portadores Mayoritarios y Minoritarios.- En los materiales semiconductores,

la concentracin de tomos de impureza del tipo donador es tal que,
dentro de amplios mrgenes de temperatura, los electrones resultan
mucho ms numerosos que los huecos. Es decir, la mayor parte de la
corriente se debe a los electrones. Los materiales semiconductores
contaminados con impurezas pentavalentes se clasifican como de tipo-n,
porque la mayora de los portadores de corriente son negativos
[electrones]. En los materiales tipo-n, los electrones son los portadores
mayoritarios, y los huecos, mucho menos numerosos, son los portadores
minoritarios. El cristal, en conjunto, sigue siendo elctricamente
neutro, pues la concentracin de electrones, nn es igual a la suma de
la concentracin de huecos (pn) ms la concentracin de iones donadores
positivos.
nn =

p n + iones donadores

nn =

concentracin total de electrones en el m aterial tipo-n

pn =

concentracin total de huecos en el m aterial tipo-n

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- 11 -

E C = energa de cond uccin

E D = energa del donador
E V = energa de valencia

Energa [eV]

FIG U R A 1.1 2

N IVELES D E EN ER G A D EL M A TE R IA L TIP O -n

La fig. 1.12 muestra un diagrama de niveles de energa de los

electrones en un semiconductor tipo-n.
Las im purezas pentavalentes no generan huecos sino iones positivos, fijos en la estructura cristalina.

Disminucin de Portadores Minoritarios. La presencia de impurezas donadoras,

aumenta la probabilidad de que los huecos se recombinen con electrones.
El aumento de concentracin de electrones reduce la concentracin de
huecos a un valor menor que el que se tendra si el material fuese
puro. Para una temperatura dada se puede demostrar que
nn x pn U ni2 = constante para una temperatura dada
donde nn y pn son, respectivamente, las concentraciones de electrones
y huecos en el material tipo-n, y ni es la concentracin de portadores
[electrones o huecos] en el material intrnseco, o concentracin
intrnseca.
Impurezas Aceptoras. En este caso, el material contaminante es un
elemento de valencia-3 [trivalente]: boro (B), aluminio (Al), galio
(Ga), indio (In). Cada tomo de impureza solo cuenta con 3 electrones
de valencia para formar enlaces con 4 tomos vecinos. Por tanto, se
genera una vacante en la estructura cristalina [fig. 1.13].
La vacante creada por la impureza es muy atractiva para los electrones
de los enlaces de los tomos vecinos. Por tanto, la energa de ionizacin
necesaria para que un electrn de un enlace vecino ocupe aquel hueco,
es mucho menor que la requerida para romper el enlace covalente en
el material intrnseco. Puesto que el tomo de impureza trivalente
acepta un electrn de los tomos del material original, a este tipo
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- 12 -

de impureza se la denomina ACEPTOR. Cuando se aplica un campo elctrico,

la corriente es el resultado del desplazamiento de los huecos creados
por los tomos de impureza y de los electrones y huecos generados por
la ruptura de enlaces covalentes.

FIG U R A

1 .1 3

IM P U R E Z A A C EP TO R A

Puesto que los huecos [positivos] llevan la mayor parte de la

corriente, vienen a ser los portadores mayoritarios y se tiene un
material tipo-p. Como en el caso de las impurezas donadoras, el cristal
en su conjunto sigue siendo elctricamente neutro pues la concentracin
de huecos pp es igual a la suma de la concentracin de electrones np
ms la concentracin de iones negativos.
Pp =

n p + iones aceptores

pp =

concentracin total de huecos en el m aterial tipo-p

np =

concentracin total de electrones en el m aterial tipo-p

Al aumentar la concentracin de huecos como resultado de las impurezas,

disminuye la concentracin de electrones minoritarios. Para este caso
tambin se cumple que
pp x np U ni2 = constante para una temperatura dada
La fig. 1.14 muestra un diagrama de niveles de energa de los huecos
en un semiconductor tipo-p.

E C = energa de cond uccin

E A = energa del aceptor
E V = energa de valencia

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Energa [eV]

Can

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FIG U R A 1.1 4

- 13 -

N IVELES D E EN ER G A D EL M A TE R IA L TIP O -p

Las im purezas trivalentes no generan electrones sino iones negativos, fijos en la estructura cristalina.

Conductividad en los Semiconductores .- La corriente elctrica es un

flujo de cargas a travs de una superficie imaginaria por unidad de
tiempo, por tanto depende de la cantidad de cargas mviles [libres]
y de la velocidad con que se mueven. En los semiconductores se presentan
dos tipos de corriente: de difusin y de corrimiento.
Corriente de Difusin.- Cuando la concentracin de cargas mviles vara
de un punto a otro [fig. 1.15] en el semiconductor, se produce una
gradiente de concentracin (dp/dx, o dn/dx) en la densidad de portadores,
esto har que la densidad en el material trate de equilibrarse [las
cargas tienden a distribuirse en forma homognea] y en un intervalo
de tiempo se producir una corriente neta de portadores denominada
corriente de difusin. Es poco conocida pero es muy importante en los
semiconductores.

FIG U R A 1 .15 Corriente

d e d ifusin

Corriente de Corrimiento o de Deriva (Drift).- Este tipo de corriente se genera

por la presencia de un campo elctrico externo, es ms conocida que
la de difusin. La energa trmica hace que los iones vibren, por lo
que las cargas no pueden desplazarse libremente, puesto que chocan
con los tomos en vibracin. La presencia de impurezas ionizadas, tambin
disminuye la movilidad de las cargas en magnitud y direccin. De la
misma manera, las imperfecciones del cristal [defectos de
cristalizacin], disminuyen el movimiento de las cargas, electrones
o huecos. Tambin las impurezas elctricamente neutras. La siguiente
tabla muestra algunos de los factores que influyen en la cantidad de
movimiento de las partculas mviles, tanto en direccin como en
magnitud.

FIG U R A 1.1 6

Carlos Novillo Montero

Can

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- 14 -

- Energa trm ica [vibracin trm ica]

- tom os de im purezas [donadores y/o aceptores]
- Defectos [im perfecciones] de cristalizacin
- tom os de im purezas elctricam ente neutros

En ausencia de un campo elctrico, la cantidad de movimiento debido

a estos factores se neutraliza y la corriente neta es cero.
Cuando hay un celctrico, las cargas se desplazan en el sentido en
que obran las fuerzas causadas por el campo porque son aceleradas por
stas.
Las colisiones con los tomos limitan la velocidad de deriva
[corrimiento], generando una corriente constante. Se puede imaginar
que los portadores se aceleran a partir del reposo, hasta que chocan
con los tomos de la estructura cristalina y ceden a estos toda la
energa cintica que ganaron, lo que se manifiesta en forma de calor
de Joule y es el origen de ste.

Diodos Semiconductores
Juntura P-N.- Este dispositivo est conformado por un semiconductor
tipo-P y otro tipo-N, los dos semiconductores en una sola unidad P-N.
La caracterstica ms notable es que cada mitad de la unidad P-N
tiene portadores mayoritarios y minoritarios diferentes, y debido a
ello, la resistencia de dicha unidad a la corriente que fluye en una
direccin es mucho mayor que su resistencia a la circulacin de corriente
en direccin opuesta. Por consiguiente, este dispositivo funciona como
un rectificador de ac.

FIG U R A 1.1 7

Carlos Novillo Montero

Can

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V D = 0,6V [Si]

- 15 -

V D = 0,2V [Ge]

FIG U R A 1.1 8

Barrera de Potencial.- Debido a la existencia de una gradiente de

concentracin a travs de la juntura, los huecos se difunden hacia
la derecha y los electrones hacia la izquierda atravesando la juntura.
Se ve que los huecos de los iones aceptores en las cercanas de la
juntura en el material tipo-P, han desaparecido como resultado de la
combinacin con los electrones que se han difundido a travs de la
juntura. De igual forma, los electrones del material tipo-N se combinan
con los huecos que atraviesan la juntura desde el material tipo-P.
As, una vez formada la regin, en las proximidades de la juntura,
las secciones P y N del diodo tienen cargas iguales y opuestas. El
voltaje o diferencia de potencial que se genera entre las dos secciones,
inhibe toda interaccin de los electrones y de los huecos en la juntura
del dispositivo. De este modo se genera una barrera que no permite
que las cargas sigan difundindose, por eso el nombre de barrera de
potencial.

Diagrama Esquemtico de una Juntura P-N

d 1 = 0,5m
d 2 = 0,5cm

Densidad de carga
Espacial [Coul/m 2]
Distancia desde
la juntura

Carlos Novillo Montero

Can

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- 16 -

[V/m ]
Intensidad de
Cam po Elctrico

Potencial electrosttico
V [Barrera de Potencial]
V = 0,5 - 0,7V

[Si]

V = 0,2 - 0,3V [Ge]

Barrera de Energa
Potencial E, para
los electrones.

FIG U R A 1.1 9

= r 0 Perm itividad
r = C onstante dielctrica relativa
0 = Perm itividad en el vaco
Regin de carga espacial

Regin de ag otam iento

Regin desrtica

Barrera de potencial

La diferencia de potencial generada de esta forma se denomina barrera

de potencial y es igual a la que se obtendra entre los terminales
de una batera, [el terminal negativo en el lado P y el positivo en
el lado N].
Polarizacin Directa [Flujo de Corriente Directa If].- El flujo de electrones
en una juntura P-N en circuito abierto es de corta duracin y cesa
al establecerse la barrera de potencial. Por tanto, a fin de obtener
un flujo continuo, hay que superar el voltaje de la barrera de potencial,
lo cual puede hacerse conectando el diodo a una batera externa. [Fig.
1.20].

Carlos Novillo Montero

Can

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- 17 -

FIG U R A 1.2 0

La polaridad de la batera debe ser tal que los portadores mayoritarios

en ambas secciones sean impulsados hacia la juntura. Cuando la batera
est conectada de esta forma, suministra una polarizacin directa y
origina un flujo de corriente [If] bastante alta ya que constituye el
flujo de los portadores mayoritarios. En esta condicin, el diodo
presenta una resistencia [RF, rf] baja al paso de la corriente.
Polarizacin directa
El voltaje externo V hay que conectarlo como se indica en la fig.
1.20
La barrera de potencial se reduce hasta que se elimina si V > VD
Si la corriente directa es muy grande [If > ID,mx], se destruye
el diodo
El flujo de corriente se debe exclusivamente a los portadores
mayoritarios
La impedancia del diodo es muy baja
El comportamiento del diodo polarizado directamente es equivalente
a un interruptor cerrado [idealmente], fig 1.21.
FIG U R A 1.2 1

Polarizacin Inversa [Flujo de Corriente Inversa IR ].- Ahora bien,

si las conexiones de la batera se invierten, el potencial positivo
en el lado N atraer los electrones y har que se alejen de la juntura;
as mismo, el potencial negativo del lado P har que los huecos se
desplacen de la juntura. Con esta conexin de batera la barrera de
potencial se hace ms grande, y los portadores mayoritarios no pueden
combinarse en la juntura y tampoco fluir la corriente mayoritaria.
Por esta razn el nombre de polarizacin inversa, fig. 1.22.

Carlos Novillo Montero

Can

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FIG U R A 1.2 2

Sin embargo, la polarizacin inversa puede originar el flujo de una

corriente inversa aprovechando los portadores minoritarios que se
encuentran en las dos secciones del semiconductor. Los electrones libres
[generados por agitacin trmica] en la seccin P, as como los huecos
libres [producidos por electrones de valencia liberados por la agitacin
trmica] en la seccin N, son portadores minoritarios que al aplicarles
la polarizacin inversa son repelidos hacia la juntura en donde se
combinan. Entonces, otros electrones pueden entrar en el diodo P-N
y salir de l, exactamente de la misma manera que lo hicieron los
portadores mayoritarios.
Sin embargo, en el diodo P-N hay muy pocos portadores minoritarios
y la corriente minoritaria o inversa es muy reducida; en efecto, es
mucho menor que la corriente mayoritaria o directa. En esta condicin
el diodo presenta una resistencia (RR, rr) muy alta al paso de la
corriente.
Polarizacin inversa
Al voltaje externo VD hay que conectarlo como se indica en la fig.
1.22
La barrera de potencial se hace ms grande
La corriente inversa es muy pequea y se debe exclusivamente a
los portadores minoritarios
La impedancia del diodo es muy alta
El comportamiento del diodo polarizado inversamente es equivalente
a un interruptor abierto [idealmente], fig. 1.23.
FIG U R A 1.2 3

Caractersticas Estticas V-I del Diodo Semiconductor.- Mediante el uso de

la fsica de estado slido puede demostrarse que las caractersticas
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generales de un diodo semiconductor pueden definirse por la siguiente

ecuacin, tanto para la regin de polarizacin directa como para la
inversa.
donde

ID =
IS =

Corriente del diodo [A]

C o rrie n te d e s a tu ra c i n inve rs a , c o n s ta n te d e p e n d e d e la s
caractersticas fsicas del diodo [vara entre 10 -6A - 10 -15A]

VD =
=

Voltaje sobre el diodo [V]

Constante [factor de linealidad, que depende del cristal utilizado:

1 para G e

2 para Si [vara desde 1,1 hasta 1,8]

VT =
VT =
T =

Voltaje trm ico = k.T/q [V]

T/11600K [V]
Tem peratura absoluta

, para 300K [temperatura ambiente], se tiene:

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FIG U R A 1.2 4

Voltaje umbral [Threshold Voltage] = V [0,6V para silicio y 0,3V

para germanio].
Efectos de la temperatura.- En la ecuacin puede verse que la
caracterstica del diodo depende de la temperatura, puede demostrase
que, en polarizacin directa, como se indica en las siguientes
ecuaciones, las curvas caractersticas se ve afectada de la manera
que se muestra en la fig. 1.25.

FIG U R A 1.2 5

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donde V = Voltaje de difusin [en la Barrera de Potencial]

T = Temperatura absoluta [K]
El voltaje del diodo disminuye al aumentar la temperatura. Lo que a
su vez significa que al aumentar la temperatura, disminuye V, como
se puede ver en la fig. 1.25.
Ejemplo.- Si V = 0,65V a 25C, cunto valdr V a 50C para diodos
de silicio?
V = -2mV/C (50C - 25C) = -50mV
por tanto, V = 0,65V - 0,05V = 0,6V.
En polarizacin inversa

donde
k = 0,071/K;
k = 0,049/K;

para Si
para Ge

Corriente Inversa I S [A]

FIG U R A 1.2 6

La corriente de saturacin inversa Is, aumentar cerca del doble en

magnitud por cada 10C de incremento de temperatura.
Capacitancia Parsita.- Cuando el diodo est polarizado inversamente, las
cargas acumuladas en la barrera de potencial producen una capacitancia
parsita que est dada por

Donde: = 0r
0 = 8,849 x 10-12 [F/m]
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A = rea de la juntura
w = ancho de la barrera de potencial
Circuito Equivalente del Diodo para Bajas Frecuencias

Sm bolo
Equivalente lineal de la cara cte rs t ic a

vo ltaje-

corriente de un diodo p-n

circuito

equivalente

polarizacin directa

en circuito equivalente en
polarizacin inversa

El Diodo como Elemento de un Circuito

FIG U R A 1.2 7

FIG U RA 1 .2 8

Ecuacin de la recta de carga.

resistencia esttica

resistencia dinmica

Niveles de Resistencia.- A medida que el punto de operacin del diodo

se mueve desde una regin a otra, la resistencia cambia debido a la
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forma no lineal de la curva caracterstica esto se conoce como

resistencia (impedancia) dinmica. El tipo de seal o voltaje que se
aplique, es el que define el nivel de resistencia de inters. Esto
es de mucha importancia y se utilizar otra vez cuando se estudien
otros dispositivos semiconductores.
Tipo

Ecuacin

C aractersticas especiales

DC o

D efinida com o un p unto Q

esttica

sobre la curva caracterstica

ac o

D eterm inacin grfica

Definida por una lnea tangente

dinm ica

en el punto Q

Average o

D efinida por una lnea recta

prom edio

entre los lm ites de operacin

Resistencia de
contacto [hm ica]

FIG U R A 1.2 9

Circuitos Equivalentes o Modelos del Diodo.- A continuacin se proporcionan

los modelos del diodo utilizados para el mbito de los parmetros de
circuitos y aplicaciones, con sus caractersticas de segmentos lineales.
Siempre hay excepciones a la regla general, pero es casi seguro decir
que el modelo equivalente simplificado se utilizar con mayor frecuencia
en el anlisis y diseo de sistemas electrnicos, mientras que el diodo
ideal se aplica comnmente en el anlisis de sistemas de suministro
de energa donde se encuentran voltajes mayores.
Un modelo o circuito equivalente es una combinacin de elementos
escogidos de manera adecuada para representar de la mejor forma las
caractersticas reales de un dispositivo o sistema en una regin
particular de operacin. Se puede decir que, una vez que se ha definido
el circuito equivalente, el smbolo del dispositivo puede eliminarse
del diagrama y sustituirlo por el circuito equivalente, sin que afecte
mucho el comportamiento real del sistema. El resultado con frecuencia
es una red que puede resolverse con las tcnicas tradicionales del
anlisis de circuitos.

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Tipo

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Condiciones

M odelo

C aractersticas

M odelo de segm entos lineales

La batera V T representa nicam ente el

desplazam iento horizontal de las caractersticas que debe excederse para que se establezca la conduccin

M odelo sim plificado

Tiene una cada V T sin im portar la corriente
del diodo (dentro de los valores nom inales)

Dispositivo ideal
C on esta aproxim acin la prdida de exactitud es pequea.
FIG U R A 1.3 0

Diodos de Ruptura [Breakdown].- Las caractersticas de polarizacin

inversa de un diodo semiconductor, incluida la regin de ruptura, se
muestran en la fig. 1.31. Los diodos diseados con capacidades de
disipacin de potencia adecuadas para operar en la regin de ruptura
pueden emplearse como dispositivos de voltaje de referencia, y se los
conoce como diodos de avalancha, ruptura (breakdown), o Zner.

FIG U R A 1.3 1

a)

b)

Generalmente se los usa de la manera indicada en la fig. 1.31 b).

La fuente V y la resistencia R se seleccionan para que, inicialmente,
el diodo opere en la regin de ruptura. Aqu el voltaje del diodo,
que tambin es el voltaje en la carga RL, es VZ, como en la fig. 1.31
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a), y la corriente del diodo es IZ. Ahora el diodo regular el voltaje

de la carga, en oposicin a las variaciones del voltaje de entrada
V, y tambin a las variaciones de la resistencia de la carga, porque,
en la regin de ruptura, grandes cambios de la corriente del diodo,
solo producen pequeos cambios en el voltaje del diodo. Adems, conforme
cambie la corriente en la carga o el voltaje de entrada, la corriente
del diodo se acomodar a estos cambios para mantener, aproximadamente
constante, el voltaje de la carga. El diodo mantendr la regulacin
hasta que la operacin del circuito requiera que la corriente del diodo
caiga a IZK en la cercana del codo de la curva caracterstica del diodo.
El lmite superior de la corriente del diodo est determinado por la
capacidad de disipacin de potencia del diodo.
Multiplicacin por Avalancha.- Se conocen dos mecanismos para incrementar
el voltaje inverso del diodo de ruptura VZ. Un portador generado
trmicamente [en la parte de la corriente de saturacin inversa] cae
en la barrera de la juntura y adquiere energa del potencial aplicado.
Este portador colisiona con un in del cristal e imparte suficiente
energa para romper una juntura covalente. Adems del portador original,
ahora se ha generado un par electrn-hueco. Estos portadores tambin
pueden adquirir suficiente energa del campo aplicado, colisionan con
otros iones del cristal y crean otros pares electrn-hueco. As, cada
nuevo portador, a su vez, puede producir portadores adicionales mediante
colisiones y ruptura de junturas covalentes. A este proceso acumulativo
se lo conoce como multiplicacin por avalancha. Esto produce una gran
corriente inversa y se dice que el diodo est en la regin de ruptura
por avalancha.
Ruptura ZNER.- Aun si los portadores disponibles inicialmente no
adquieren suficiente energa para romper junturas, es posible iniciar
el proceso mediante una ruptura directa de la juntura. Debido a la
existencia de un campo elctrico en la juntura, el campo puede ejercer
una fuerza suficientemente grande sobre un electrn de juntura para
sacarlo de su juntura covalente. El nuevo par electrn-hueco creado
incrementa la corriente inversa. Note que este proceso, llamado ruptura
Zner, no involucra colisiones de portadores con los iones del cristal
[como en el caso de la multiplicacin por avalancha].
La intensidad de campo elctrico incrementa conforme la concentracin
de impurezas se incrementa para un voltaje fijo aplicado. Se ha
encontrado que la ruptura zner ocurre con un campo de aproximadamente
2x107V/m. Este valor se alcanza por debajo de 6V para diodos altamente
dopados. Para diodos ligeramente dopados el voltaje de ruptura es ms
alto, y predomina el efecto avalancha. Sin embargo, generalmente se
utiliza el trmino zner para los diodos de ruptura o de avalancha
aun para voltajes ms altos. Los diodos de silicio operados en la ruptura
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de avalancha, se encuentran disponibles con voltajes de mantenimiento

desde unos voltios hasta varias centenas de voltios y con potencias
de hasta 50W.
Caracterstica de Temperatura.- Un asunto de inters con relacin a los
diodos zner [y a los dispositivos semiconductores en general], es
su sensibilidad a las variaciones de temperatura. El coeficiente de
temperatura est dado como el porcentaje de cambio en el voltaje de
referencia por grado centgrado de cambio en la temperatura del diodo.
El coeficiente puede ser positivo o negativo y normalmente estar en
el rango de 0,1%V/C. Si el voltaje de referencia est sobre los 6V,
donde el mecanismo fsico involucrado es el de multiplicacin por
avalancha, el coeficiente de temperatura es positivo. Sin embargo,
por debajo de los 6V, donde se presenta la verdadera ruptura zner,
el coeficiente de temperatura es negativo.
A continuacin se da una explicacin cualitativa del signo [positivo
o negativo] del coeficiente de temperatura del voltaje zner. Una juntura
que tiene una barrera de potencial estrecha, y por tanto una intensidad
de campo alta, se romper por el mecanismo zner. Un incremento en
la temperatura incrementar la energa de los electrones de valencia,
esto hace que los electrones escapen ms fcilmente de la junturas
covalentes, entonces se requiere menos voltaje para sacarlos de su
estructura cristalina y convertirlos en electrones de conduccin. Por
tanto el voltaje de ruptura zner decrece con el aumento de la
temperatura.
Una juntura con una barrera de potencial grande, y de aqu una baja
intensidad de campo, se romper con el mecanismo de avalancha. En este
caso, se confa que los portadores intrnsecos colisionen con los
electrones de valencia para crear la multiplicacin por avalancha.
Cuando aumenta la temperatura, tambin crece el desplazamiento de los
tomos por vibracin, lo que incrementa la probabilidad de las colisiones
de las partculas intrnsecas con los tomos del cristal, conforme
cruzan la barrera de potencial. Entonces, los electrones y huecos
intrnsecos tienen menos oportunidad de ganar suficiente energa entre
las colisiones para empezar el proceso de avalancha. Por tanto, el
valor del voltaje de avalancha debe incrementar con el aumento de
temperatura.
Referencia Adicional.- Los diodos zner se encuentran disponibles con
voltajes tan bajos como 2V. Por debajo de este voltaje es costumbre,
para propsitos de referencia y regulacin, usar diodos normales conectados en serie y con polarizacin directa [fig. 1.32]. Las conexin
de diodos en serie, empaquetados como una sola unidad, estn disponibles
con voltajes de hasta 5V, y deben preferirse a los diodos zner
polarizados inversamente, puesto que a bajos voltajes stos tienen
una resistencia dinmica muy grande.
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- 27 -

FIG U R A 1.3 2

Anlisis por Recta de Carga.- La carga aplicada normalmente tendr un

impacto importante sobre el punto o regin de operacin de un
dispositivo. Si el anlisis se realiza de manera grfica, puede trazarse
una recta sobre la curva caracterstica del dispositivo que representa
la carga aplicada. La interseccin de la recta de carga con la curva
caracterstica determina el punto de operacin del sistema. Un anlisis
de esta naturaleza se denomina, por obvias razones, anlisis por recta
de carga.
Como ejemplo se analizar la red de la fig. 1.33. La curva caracterstica del diodo se muestra en la misma figura. De acuerdo con el circuito
se ve que el diodo est polarizado directamente, por tanto habr una
corriente convencional en direccin de las manecillas del reloj. Se
puede decir que la corriente que circular por el diodo es positiva
as como su cada de voltaje.

FIG U R A 1.3 3

Al aplicar la ley de Kirchhoff al circuito de la fig. 1.33 se tendr

, de donde

, por tanto

ecuacin de la recta de carga.

Las dos variables de la ecuacin anterior [ID y VD] son las mismas
que las variables de los ejes de la curva caracterstica. Adems, por
ser variables de primer grado, representan la ecuacin de una recta.
Esta similitud permite graficar la ecuacin anterior, sobre la curva
caracterstica del diodo.
Para graficar la recta de carga es necesario determinar dos puntos
de la recta, que se determinan de la siguiente manera.
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Primer punto,

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cuando ID = 0mA, entonces VD = VCC; o lo que es lo mismo

Segundo punto, cuando VD = 0V, entonces ID = VCC/RL; es decir

En la fig. 1.34 se muestra la curva caracterstica de diodo y la

recta de carga juntas, en ella se incluye la interseccin de las dos.
La interseccin es el punto de operacin para este circuito; de all
se puede deducir la corriente IDQ que realmente circula por el diodo
y el voltaje VDQ que cae sobre el mismo cuando est en polarizacin
directa. El punto de operacin se denomina punto quiesciente (Q) definido
para voltajes DC.

FIG U R A 1.3 4

Aplicaciones del Diodo .- A continuacin se har un uso prctico del

diodo en una diversidad de configuraciones, para esto se utilizar
el modelo apropiado para una aplicacin dada. De modo que el
comportamiento bsico de los diodos en las redes DC y ac debe entenderse
con toda claridad. Los conceptos del diodo sern de mucha utilidad
en el resto de la materia. Los diodos tambin se emplean con frecuencia
en la descripcin de la construccin de los transistores y en el anlisis
de redes de transistores en los dominios de DC y ac.
Recortadores o Limitadores.- Hay una gran variedad de circuitos
electrnicos que utilizan diodos y que tienen la capacidad de recortar
una parte de la seal de entrada, sin distorsionar la parte restante
de la forma de onda alterna. Hay dos categoras generales de
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recortadores: Serie y Paralelo.

[Link] diodo est en serie con la carga.
Paralelo.- El diodo est en una rama parlela a la carga.
Recortadores tipo Serie.- Los siguientes circuito muestran algunos recortadores del tipo serie.
La fig. 1.35 muestra un circuito recortador tipo serie con diodo.
El voltaje de entrada es una onda cuadrada de amplitud V. Para entender
mejor el funcionamiento del circuito, el anlisis, en primera instancia
se lo har para el semiciclo positivo y luego para el semiciclo negativo
en forma separada.

FIG U R A 1.3 5

Semiciclo positivo
Para 0 # t # T/2.- Durante el semiciclo positivo la seal de entrada es
equivalente a una fuente DC de amplitud V. El diodo se polariza
directamente, por tanto su circuito equivalente es un corto circuito
ideal, como se indica en la fig. 1.36. El voltaje de salida, entonces,
es igual al voltaje de entrada.

FIG U R A 1.3 6

Semiciclo Negativo
Para T/2 # t # T.- En el semiciclo negativo la seal de entrada es
equivalente a una fuente DC de amplitud -V. El diodo se polariza
inversamente, por tanto su circuito equivalente es un circuito abierto,
como se indica en la fig. 1.37. El voltaje de salida, entonces, es
igual a cero.

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- 30 -

FIG U R A 1.3 7

Respuesta total del circuito

Para 0 # t # T.- La respuesta del circuito cuando se tiene la onda
completa, se muestra en la fig. 1.38, se ve que se ha recortado el
semiciclo negativo y en la salida se tiene solo la parte positiva de
la seal de entrada.

FIG U R A 1.3 8

La fig. 1.39 muestra cmo sera la respuesta del circuito anterior

para diferentes formas de onda de entrada [Vin] y como se presentara
la onda de salida [VO]: a) onda triangular y b) onda sinusoidal.

a)

b)

FIG U R A 1.3 9

Ideas para la Solucin de este tipo de Recortadores

1.- Mentalmente se bosqueja la respuesta de la red con base en la
direccin de la flecha del diodo y los niveles de voltaje aplicados.
2.- Se determina el voltaje aplicado [voltaje de transicin] que har
que el diodo cambie de estado [empiece la conduccin].
3.- Siempre se debe tener cuidado al definir los terminales y la
polarizacin de VO.
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- 31 -

4.- Puede resultar til, dibujar la seal de entrada sobre la seal

de salida y determinar la salida a los voltajes instantneos de
la entrada.
Vin<t> = Vm sen(t)
para t = t1, Vin<t=t1> = V,
entonces V = Vmsent1

FIG U R A 1.4 0

por tanto

[s]

Las ecuaciones anteriores sirven par diodo ideal, si se trata de

diodo de silicio, en vez de V se pondr V - V.
Para el circuito de la fig. 1.41, determine los tiempos de corte
con el eje del tiempo para VO.

FIG U R A 1.4 1

Vin<t> = Vmsen(t)
para t = t1, Vin<t=t1> = -V
Entonces, -V = Vmsen(t1),
de donde:

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- 32 -

y
Las ecuaciones anteriores sirven par diodo ideal, si se trata de
diodo de silicio, en vez de V se pondr V - V.
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.42, dibujar las formas de onda
de los voltajes de entrada, de salida y del diodo con valores de voltajes
y tiempos.

FIG U R A 1.4 2

En el intervalo entre 0 y t1, el diodo est inversamente polarizado

debido a la presencia de la batera V y debido a la direccin del diodo,
entonces VO es 0, como se indica en la fig. 1.42. Cuando Vin<t> # -V,
el diodo se polariza directamente y conduce, en consecuencia, entre
t1 y t2, VO = Vin<t> + V. Las ecuaciones de los voltajes de salida VO y
sobre el diodo VD son,

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- 33 -

Para t1, Vin<t> = -V = Vm sen(t1)

De donde:

V1 = -Vm + V
La forma de onda para el voltaje sobre el diodo se muestra en la fig.
1.42.
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.43 dibuje la forma de onda de
salida.

FIG U R A

1 .4 3

Recortadores Tipo Paralelo.- Las redes de las siguientes figuras son

las ms simples de las configuraciones de recortadores con diodo en
paralelo con la salida. El anlisis es similar al que se aplica a las
configuraciones en serie.

FIG U R A 1.4 4

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.45, dibujar la forma de onda

de salida VO, con valores de voltajes y tiempos. Asuma que V1 < V.
Solucin.- La fig. 1.45 muestra la forma de onda de salida. En el
intervalo 0 # t # t1, el diodo est polarizado directamente, por tanto
conduce, si se trata de un diodo ideal, entonces, VO = V1. Para el
intervalo t1 # t # t2, el diodo se polariza inversamente, y el voltaje
de salida es igual al voltaje de entrada. Desde t2 hasta T, el diodo
nuevamente se polariza directamente y la salida es igual a V1.
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- 34 -

Las ecuaciones de los voltajes de entrada y de salida son

FIG U R A 1.4 5

Resolviendo estas ecuaciones se obtiene

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.46, dibujar la forma de onda

de salida VO, con valores de voltajes y tiempos. Asuma que V2 < V.

FIG U R A 1.4 6

Se puede demostrar que para el intervalo T/4 # t # t1

al tiempo t = t1, VO<t1> = -V2, entonces

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- 35 -

, de donde

Para el intervalo t2 # t # T, la ecuacin de la recta de voltaje es

, para t2, VO<t2> = -V2, por tanto,

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.47, dibujar la forma de onda

de salida VO, con valores de voltajes y tiempos. Asumir que V1 < V y
que V2 < V.
El procedimiento es similar al del problema anterior, hay que
determinar la ecuacin de la recta para el intervalo 0 # t # T/2, y
resolver la ecuacin pata t1, cuando VO<t1> = +V2. Despus se obtiene
la ecuacin de la recta para el intervalo T/4 # t # 3T/4 y se resuelve
esta ecuacin para t3, cuando VO<t2> = -V1. Los tiempos t2 y t4 se obtiene
por simetra.

FIG U R A 1.4 7

Si se sigue el procedimiento anterior, se obtienen los siguientes

resultados.

, por simetra.

y
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, por simetra.
Can

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- 36 -

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.47 [con diodo ideal], dibuje

las formas de onda de la entrada y de la salida, con valores de voltajes
y tiempos en los puntos notables. Calcule el valor de la componente
DC y el valor RMS de la seal de salida.

FIG U R A 1 .4 7

Asuma que
Vin = 20V sen(t)
f = 100Hz
VB = 7,4V
R1 = 680
RL = 1,5K
Cuando diodo se polariza inversamente, no conduce y las dos resistencias
forman un divisor de voltaje. De modo que la mxima amplitud en la
seal de salida ser

Entonces, la forma de onda de salida se muestra en la fig. 1.48

FIG U R A 1.4 8

Donde

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- 37 -

Clculo de la componente continua [DC o promedio].

Clculo del valor RMS [eficaz]

Por facilidad se resolver cada integral separadamente y despus se

har la suma.

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El sumatorio de las integrales da (203,13 + 275,75 + 31,1)V2 = 510V2,

es decir

y por tanto,

Fijadores o Sujetadores.- El circuito fijador es el que fija una seal

alterna a un nivel de DC diferente. La fijacin es una operacin de
desplazamiento. La red est constituida por un capacitor, un diodo
y una resistencia; pero tambin puede incluir una fuente DC independiente
para producir un desplazamiento adicional. La magnitud de R y C debe
elegirse de tal manera que la constante de tiempo = RC, sea
suficientemente grande [con respecto al perodo de la seal] para
asegurar que el voltaje del capacitor no se descargue significativamente
durante el intervalo en el que el diodo no est conduciendo. Para
propsitos de anlisis [prcticos], se asume que el capacitor se carga
o descarga por completo en t = 5.
La red de la fig. 1.49, sujetar la seal de entrada en el nivel
cero [diodos ideales]. La resistencia R puede representar la carga
o una combinacin en paralelo de la resistencia de carga y la resistencia
diseada para proporcionar el nivel deseado de R.

FIG U R A 1.4 9

Durante el intervalo 0- T/2 la red aparecer como se muestra en la

fig. 1.50, el diodo est polarizado directamente, por tanto es un corto
circuito efectivo en paralelo con R. La constante de tiempo resultante
es tan pequea que el capacitor se cargar rpidamente hasta V voltios.
Durante este intervalo, el voltaje de salida es de VO = 0V, porque el
diodo es un cortocircuito.

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- 39 -

[a ]

[b ]

FIG U R A 1.5 0

Cuando la entrada cambia al estado -V, el diodo se polariza

inversamente y su circuito equivalente es un circuito abierto,
determinado por la seal aplicada y el voltaje almacenado en el
capacitor, la red se ver como se indica en la fig. 1.51. Ahora R
nuevamente est presente en el circuito, la constante de tiempo es
lo bastante grande para establecer un perodo de descarga 5 mucho mayor
que el semiperodo T/2 y puede suponerse, en forma aproximada, que
el capacitor retiene toda su carga y, por tanto, su voltaje [puesto
que V = Q/C] durante ese perodo.
De la fig. 1.51 se deduce que el voltaje de salida es VO = -2V.
El signo negativo se debe al hecho de que la polaridad de 2V es opuesta
a la definida para VO. Las formas de onda de entrada y de salida se
muestran en la fig. 1.51. La seal de salida se ha desplazado -V voltios,
pero mantiene la misma excursin [2V] y la misma forma que la seal
de entrada.

FIG U R A 1.5 1

Los pasos siguientes pueden resultar tiles cuando se analizan este

tipo de redes.
1.- Siempre se inicia el anlisis de los fijadores, considerando aquella
parte de la seal de entrada que polariza directamente al diodo.
Quiz esto requiera saltar un intervalo de la seal de entrada [como
se demuestra en el ejemplo siguiente], pero el anlisis no se extender
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Can

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- 40 -

por una medida innecesaria de investigacin.

2.- Durante el perodo en que el diodo est polarizado directamente
puede suponerse que el capacitor se cargar en forma instantnea
hasta el nivel de voltaje determinado por la red.
3.- Se supone que durante el perodo en que el diodo est polarizado
inversamente [estado de corte], el capacitor mantendr todo su
voltaje.
4.- En todo el anlisis debe tenerse cuidado respecto a la localizacin
y polaridad de referencia para VO, para asegurar que se obtienen
los niveles apropiados de dicha cantidad.
5.- No olvide la regla general que establece que la excursin total
de la salida debe corresponder con la de la seal de entrada.
Ejemplos

FIG U R A 1.5 1

Se empieza el anlisis en el siclo negativo de la seal de entrada

[entre t1 y t2], Vin = -V2, porque ah el diodo se polariza directamente
y representa un cortocircuito, fig. 1.52 [a]. El capacitor se carga
al voltaje V2 + V, con la polaridad indicada en el grfico. El voltaje
de la salida es igual a V [de la batera] con la polaridad indicada
en la misma figura.

FIG U R A 1.5 2

[a ]

En el siguiente semiciclo positivo [entre t2 y t3], el voltaje de

entrada es V1. Ahora el diodo se polariza inversamente y se abre, fig.
1.52 [b], el voltaje de salida ser V1 + VC = V1 + V2. La fig. 1.52 [c]
muestra la forma de onda completa a la salida del circuito, para
cualquier tiempo, a partir de t1.

Carlos Novillo Montero

Can

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FIG U R A 1.5 2

- 41 -

[b ]

FIG U R A 1.5 2

[c]

Ejemplo.-

FIG U R A 1.5 3

Otro Caso

FIG U R A 1.5 4

Carlos Novillo Montero

Can

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- 42 -

FIG U R A 1.5 5

FIG U R A 1.5 6

Multiplicadores de Voltaje.- Los multiplicadores de voltaje se usan para

mantener un voltaje pico de transformador relativamente bajo mientras
se incrementa el voltaje pico de salida a 2, 3, 4 o ms veces el voltaje
pico de rectificado.
Doblador de Voltaje tipo Media-Onda.- Es un multiplicador de voltaje con
un factor de multiplicacin por 2. Un doblador de voltaje de media-onda
se muestra en la fig. 1.57.

FIG U R A 1.5 7

FIG U R A 1.5 8

Durante el medio ciclo positivo del voltaje en el secundario, el

diodo D1 est polarizado directamente y D2 inversamente. el capacitor
C1 se carga al voltaje pico [Vm] del secundario menos la cada de voltaje
en D1, esto se muestra en la fig. 1.58. Durante el semiciclo negativo,
el diodo D2 est polarizado directamente y D1 inversamente, como se
muestra en la fig. 1.59. Puesto que C1 no puede descargarse, el voltaje
de C1 se suma al secundario para cargar C2 a aproximadamente 2Vm.

Carlos Novillo Montero

Can

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- 43 -

FIG U R A 1.5 9

Aplicando las leyes de Kirchhoff alrededor del lazo [fig. 1.59],

se tiene
VC1 - VC2 + Vm = 0
VC2 = VC1 + Vm

de donde

si se desprecia las cadas en D1 y D2, VC1 = Vm, de donde

VC2 = 2Vm
Bajo condiciones sin carga, C2 permanece cargado a 2Vm. Si se pone
una resistencia de carga conectada a la salida, C2 se descarga ligeramente
a travs de la resistencia en el siguiente semiciclo negativo. La salida
resultante es un voltaje de onda-completa, filtrada con un capacitor.
El voltaje pico inverso en cada diodo es 2Vm.
Doblador de Voltaje tipo Onda-Completa.- La fig. 1.60 muestra un doblador
de onda-completa. Cuando el voltaje del secundario es positivo, D1 se
polariza directamente y C1 se carga aproximadamente a Vm, como se indica
en la fig. 1.61. Durante el voltaje semiciclo negativo, D2 se polariza
directamente y C2 se carga aproximadamente a Vm, [fig. 1.62]. De donde
el voltaje de salida es 2Vm, que se toma a travs de los dos capacitores
en serie.

FIG U R A 1.6 0

Carlos Novillo Montero

Can

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- 44 -

FIG U R A 1.6 2

FIG U R A 1.6 1

Triplicador de Voltaje.- La adicin de otra seccin diodo-capacitor al

doblador de voltaje de media-onda, crea un triplicador de voltaje como
el que se muestra en la fig. 1.63.
La operacin es como sigue: con el ciclo positivo del voltaje del
secundario, C1 se carga a Vp a travs de D1. Durante el semiciclo
negativo, C2 se carga a Vp a travs de D2, como se analiz para el
doblador. Durante el siguiente semiciclo positivo, C3 se carga a 2Vp
a travs de D3. La salida del triplicador se toma a travs de C1 y C3,
como se muestra en la fig. 1.63.

FIG U R A 1.6 3

De manera similar, se pueden construir cuadriplicadores, etc. de

voltaje aumentando ms secciones diodo-capacitor conectadas en serie
con las etapas anteriores.

Rectificadores con Diodo Semiconductor.- Existen dos tipos de

rectificadores: de media-onda y de onda-completa, a su vez estos ltimos
se dividen en dos: con transformador con toma central y tipo-puente.
Sirven como base para convertir voltaje alternos [Vac] a voltajes
continuos [VDC].
Rectificador de Media-Onda [M. O.].- La fig. 1.64 muestra el circuito
rectificador de media-anda. La seal de entrada es sinusoidal de la
lnea, generalmente a travs de un transformador para reducir el voltaje
alterno. Los valores nominales de corriente y potencia son relativamente
altos. El voltaje de entrada es Vin = Vm sen(t).

Carlos Novillo Montero

Can

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- 45 -

FIG U R A 1.6 4

La determinacin de la forma de onda de salida, se realiza en dos

partes.
1ra parte durante el tiempo O # t # T/2, es decir durante el semiciclo
positivo de la seal de entrada. En ese caso el diodo se polariza
directamente y su circuito equivalente ideal es un cortocircuito como
se indica en las figs. 1.65 y 1.66.

Es decir

FIG U R A 1.6 5
1 ra .
P A R TE:
P O SITIVO

FIG U R A 1.6 6
1 ra .
P A R T E :
C IR C U IT O
EQ U IVA LEN TE. Y FO R M A D E O N D A
D E SA LID A

SEM ICICLO

2da parte durante el tiempo T/2 # t # T, es decir durante el semiciclo

negativo de la seal de entrada. En ese caso el diodo se polariza
inversamente y su circuito equivalente ideal es un circuito abierto
como se indica en las figs. 1.67 y 1.68.

Es decir

FIG U R A 1.6 7
2d a. P A RTE: SEM ICICLO NEG A TIVO

FIG U R A 1.6 8
2d a. P A RTE: CIRCU ITO EQU IVA LEN TE.
Y FO R M A D E O N D A D E SA LID A

De manera que considerando el ciclo completo lo que se obtiene es

la forma de onda que se muestra en la fig. 1.69.

FIG U R A 1.6 9

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Can

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- 46 -

La ecuacin para la forma de onda del voltaje de salida se indica

a continuacin.

De donde:

Rectificador de Onda Completa con Transformador con Toma Central [O. C.].El circuito se muestra en la fig. 1.70. Como su nombre indica, usa
un transformador que tiene una toma central. Utiliza dos diodos.

FIG U R A 1.7 0

La fig. 1.71 muestra el comportamiento del circuito para el semiciclo

positivo, en cuyo caso el diodo D1 se polariza directamente
[cortocircuito], mientras que D2 se polariza inversamente [circuito
abierto]. A la salida se tiene el pico positivo de la onda de entrada.

FIG U R A 1.7 1

Para el semiciclo negativo, D1 se polariza inversamente [circuito

abierto] y D2 se polariza directamente [cortocircuito]. La fig. 1.72
muestra la forma de onda de salida, en ella se ve que el circuito realiza
la rectificacin completa de la onda de entrada.

Carlos Novillo Montero

Can

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- 47 -

FIG U R A 1.7 2

El diagrama de la fig. 1.73 muestra el comportamiento del rectificador

de onda completa con transformador con toma central para cualquier
tiempo. La ecuacin del voltaje de salida se indica a continuacin.

FIG U R A 1.7 3

, para cualquier tiempo t.

De donde:

El circuito equivalente de la fig. 1.74, sirve para calcular el voltaje

pico inverso [V. P. I.] que soportan los diodos en este tipo de
rectificador y que en la figura se expresa como VD. Puede verse que

FIG U R A 1.7 4

Vd = 2Vm = V. P. I.

Puesto que Vd es el voltaje que cae en el diodo cuando est en

polarizacin inversa, se debe tener cuidado de que

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Can

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- 48 -

V. P. I. < VBR [voltaje de ruptura inversa]

Rectificador de Onda Completa Tipo Puente [O. C.].- El circuito se muestra
en la fig. 1.75. Como su nombre indica, est formado por un puente
que consiste de cuatro diodos.

FIG U R A 1.7 5

Durante el semiciclo positivo los diodos D2 y D3 quedan polarizados

directamente y generan una trayectoria por donde circular la corriente
hacia la resistencia de carga RL. Al mismo tiempo, los diodos D1 y D4
se polarizan inversamente. La fig. 1.76 muestra esta situacin. El
voltaje de salida para este perodo constituye el pico positivo de
la seal de entrada, si se consideran diodos ideales.

FIG U R A 1.7 6

Durante el semiciclo negativo los diodos D1 y D4 se polarizan

directamente y generan una trayectoria por donde circular la corriente
hacia la resistencia de carga RL. Al mismo tiempo, los diodos D2 y D3
se polarizan inversamente. La fig. 1.77 muestra esta situacin. Para
este semiperodo, la salida nuevamente es el voltaje pico de la seal
de entrada, pero invertido. Por tanto, la salida es similar a la del
rectificador tipo toma central. La ecuacin del voltaje de salida
se indica a continuacin.

FIG U R A 1.7 7

Carlos Novillo Montero

Can

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- 49 -

El diagrama de la fig. 1.78 muestra el comportamiento del rectificador

de onda completa tipo puente para tiempos mayores que 0. La ecuacin
del voltaje de salida se indica a continuacin.

FIG U R A 1 .7 8

, para cualquier tiempo t.

De donde:

Para este tipo de rectificador se puede ver que V. P. I. = Vm, para

cada diodo.
Problemas Propuestos
1. Para el circuito de la fig. 1.79, dibuje la forma de onda de salida,
con valores de voltajes y tiempos. Considere que

FIG U R A 1.7 9

V = 15V
V1 = 7,5V
T = 100ms
Diodo ideal
2. Para el circuito de la fig. 1.80, dibuje la forma de onda de salida
con valores de voltajes y tiempos. Considere que la seal de entrada
es Vin = 18V sen(t), V1 = 8,5V, V2 = 11,2V, R1 = 1,5K y RL = 3,9K.
Resuelva con diodos ideales.

Carlos Novillo Montero

Can

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- 50 -

FIG U R A 1.8 0

3. Para el circuito de la siguiente fig. 1.81, dibuje la forma de onda

de salida, con valores de voltajes y tiempos. Considere que

FIG U R A 1.8 1

R
V
V1
V2
T

=
=
=
=
=

1K
5V
10V
20V
200ms

4. Para el circuito de la fig. 1.82 dibujar las formas de onda de entrada

y de salida, con valores de voltajes y tiempos en los puntos notables.
Diodo de silicio. Asumir que

FIG U R A 1.8 2

Donde

Carlos Novillo Montero

Can

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- 51 -

Adems calcular el valor de la componente continua y el valor RMS

de la seal de salida.
5. Para el circuito de la fig. 1.83 se tienen los siguientes datos:

FIG U R A 1.8 3

Donde
Vin = 12,5V sen(t)
f = 500Hz
C = 0,47F
R = 27K
V = 5,4V
Diodo de silicio
Dibujar la forma de onda del voltaje de salida con valores de voltaje
y tiempos, adems, determine el valor de la componente continua y
el valor RMS de la onda de salida.
NOTA Recuerde que usted va a ser ingeniero, por tanto debe hacer muy
bien las cosas, de modo que, resuelva los problemas en FORMA
CLARA Y EN ORDEN, NO DEJE NADA INDICADO. UTILICE LAS UNIDADES
EN TODOS SUS CLCULOS.

Carlos Novillo Montero

Can