Investigacin sobre Transistor 2N2222
Transistor 2N222
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn,
construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para las
aplicaciones de amplificacin lineal conmutacin. Puede amplificar pequeas
corrientes a tensiones pequeas o medias y trabajar a frecuencias medianamente
altas. es fabricado en diferentes formatos, los ms comunes son los TO-92, TO18, SOT-23 y SOT-223.
Principales Caractersticas.
Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
Corriente de colector constante 800mA (Ic)
Potencia total disipada 500mW(Pd)
Ganancia o hfe 35 mnima
Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
Encapsulado de metal TO-18
Estructura NPN
Su complementario PNP es el Transistor 2N2907
Zona de corte:
Corresponde a un punto Q con una IC prcticamente nula y un voltaje VCE
elevado. Si hacemos nula la IB, la IC=ICEO, es decir tendr un valor muy
pequeo, y por lo tanto la c.d.t. en RC ser mnima con lo que VCE=VCC. El
transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y
emisor. La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturacin es
mnima, ya que uno de los coeficientes en ambos casos es prcticamente nulo.
Zona de saturacin:
Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un
voltaje VCE muy pequeo no menor a un valor denominado de saturacin VCEsat.
Los valores tpicos de VCEsat son del orden de 0,3v. Cuando el transistor est
saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre colector y emisor.
Zona activa:
Es una amplia regin de trabajo comprendida entre corte y saturacin, con
unos
valores
intermedios
tanto
de
IC
como
de
VCE.
El transistor trabajando en la zona activa se suele utilizar en la electrnica de las
comunicaciones. La potencia disipada ahora es mayor, ya que ambos trminos
tienen un valor intermedio.
Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mnima
(prcticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) mximo (casi igual
al voltaje de alimentacin). Un transistor en saturacin tiene una corriente de
colector (Ic) mxima y un voltaje colector emisor (VCE) casi nulo (cero oltios).
En la regin de corte las uniones de emisor y colector estn polarizadas en
inversa; la VBE y la VBC tienen tensiones inferiores a 100mV.
En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll pueden ser simplificadas a:
Estas corrientes son extremadamente bajas y pueden ser despreciadas; a
efectos prcticos se puede considerar al transistor como si no existiese.
En la figura 1.5 se muestra grficamente la relacin entre la VBE y la IC en donde
se puede observar como por debajo de 0.58 V (typ) la corriente de colector es de
bajo valor (<100).
Zonas de Operacin del Transistor
1.- Regin activa: en donde el transistor esta en el punto Q, es cuando no est ni
en saturacin ni en corte pero est conectado con todos su voltajes de
polarizacin.
2.- Regin inversa: el transistor esta polarizado inversamente, lo que hace que la
ganancia disminuya.
3.- Regin de corte: el transistor no conduce. por lo tanto la corriente colectoremisor es igual a (0) el voltaje entre emisor y colector es igual al de la fuente de
alimentacin con la respectiva perdida de las resistencias que se encuentran
polarizando. No conduce, pero si esta polarizado y con sus fuente de voltaje, de
acuerdo al diseo que se desee.
4.- Regin de saturacin: el transistor ha recibido un voltaje en su entrada, y ha
entrado al modo de conduccin entre emisor y colector, en donde la corriente en
esos puntos es la misma que la de la fuente de acuerdo a las resistencias de
polarizacin utilizando la ley de ohm, el voltaje entre emisor y colector es igual a
(0).
