Electrnica de Potencia

Universidad Tecnolgica Nacional

Facultad Regional Crdoba
Departamento Electrnica

Documento UTN N

EP-05-01

T.P. N 5: Fuente conmutada simtrica

Se estudiar el diseo de una fuente de alimentacin tipo off-line forward simtrica en medio puente de potencia 50W.-

1.1.

Especificaciones

Topologa.
Lnea de entrada.
Salida.
Lmite de corriente.
Ripple de tensin
Regulacin de lnea.
Regulacin en la carga

Half Bridge Forward Converter (Convertidor medio puente simtrico Forward)

200 a 240V RMS, 50 Hz
Tensin:
20V DC (puede ser de otro valor )
Corriente:2,5A
(puede ser de otro valor )
3.5A
400mVPP Mx
1%
1%

Otras especificaciones:
Eficiencia:
Aislacin de lnea
Frecuencia de conmutacin:

75% mn
2200V
80khz

__________________________________________________________________________________________

2.

Diagrama en bloques

Estos estn clasificados de acuerdo al ciclo de histresis que sufra el material en el diagrama B-H. Si permanece siempre
en un solo cuadrante, se denomina ASIMTRICO. Si utiliza los dos cuadrantes, se denomina SIMTRICO.

Circuitos auxiliares
de
proteccin

Entrada
Vlinea
Filtro RFI + arranque
suave

Rectificador
y
filtro

Fig. 1 Diagrama en bloques

fuente conmutada Off-Line

Elementos
de
conmutacin

Transformador de
potencia
Rectificador y
Filtro

V0

Realimentacin
aislada y lgica
de control

El trmino Off-Line significa que el regulador (PWM) va en el primario del transformador de potencia y opera en forma
independiente de la lnea. Aunque, el regulador PWM puede estar conectado en el lado de la carga. Adems, no utiliza
transformador de alimentacin adicional, ya que se rectifica la lnea y se convierte a la tensin de salida V0 sin utilizar
transformador adicional.__________________________________________________________________________________________
EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

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Electrnica de Potencia

3. El circuito de Entrada de lnea:

El circuito de entrada tiene un supresor de RFI (Interferencia de Radiofrecuencia), ya que la norma internacional VDE
871, 872 exige un filtro como el que se ilustra la fig. 02 para evitar que la fuente conmutada genere ruido en la lnea.
Adems posee una proteccin de sobretensiones transitorias de lnea (TVS), un circuito de arranque suave con un triac y
R1 ; un circuito de adaptacin 110V o 220V a travs de conmutar la llave U1 ; y por ltimo, un circuito vlido para el
semipuente o el puente completo, conectando el convertidor entre 0V, 130V y 320V picos.

X1
D1-D4
.

C1

R1
1

Open=220V

C4
C3

R2

SW1

close=110V

C6

R3
TX1

C2

C5

Fig. 2 El circuito de entrada de lnea para aplicaciones de 110/220V, en

convertidores of-line de medio puente, forward, y fly-back.

Chokes for EMC

filters

Typical data

La red supresora de RFI tiene los capacitores de alta tensin (> 500V ) y de alta frecuencia. C5 C6, oscilan en los
valores de 0,1 a 2 F. Los capacitores C4 C5 tienen un valor tpico de 2200pF a 0,033F.
El transformador TX1 tiene un valor de 1,8mH a 25 A de entrada, a 47mH 0,3 A de entrada.
La resistencia R1 conectada en serie con la lnea tiene el fin de arranque suave. Cuando el circuito se enciende, la
resistencia est conectada y el triac X1 est bloqueado.
Luego de un instante inicial y una vez que los capacitores
se cargaron, el triac se satura y la resistencia serie de la lnea es, ahora R=0.
Los diodos D1 a D4 funcionan como puente rectificador en el caso de la llave SW1 abierta (220V), o como un circuito
duplicador de tensin junto con los capacitores C1 y C2 si la llave SW1 est cerrada (110V).
El clculo de los capacitores C1 y C2 es el siguiente:

C=

I t
VRIPPLE

I= corriente de carga
t = tiempo en el que el capacitor suministra corriente
VRIPPLE = mx tensin de ripple permitido
_______________________________________________________________________________________________

donde

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

Pg. 2

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4.

Clculo de los componentes

4.1.

Clculo de C1 y C2

Calcular el valor de los capacitores C1 y C2 trabajando a 115V, 50Hz y con una potencia de conmutacin de 50W.
=70% en el peor de los casos. Entonces:
Pin =

P0 50W
=
=71,5W
0,7

ICARGA =

Pin 71,5W
=
= 0,22A
V0 320V

V0 =2 * (115 * 2 )=320 VCA

Se asumir un ripple mx de 30VPP y que el capacitor deber mantener
la corriente durante el semiperodo (8ms para lnea de 60Hz).

0,22A*8,33* 10 3 s
=61,11F
Entonces, C1 y C2 podrn valer 100F cada uno.
30 V
Debido a que tienen que funcionar tambin en la configuracin de doblador (110V), C=C1 +C2 , entonces C1 y C2 =
C1 =C 2 =150F
61,11*2= 122,22 F
C12 =

Los diodos TVS (marca reg. MOTOROLA) de entrada, sirven para suprimir los transitorios de tensin de lnea que suelen ser del orden
de los 5KV o ms. Pero, son de corta duracin, por lo que los diodos cumplen la funcin en forma efectiva.
Tambin se pueden utilizar los diodos TRISIL de SGS-THOMSON que son bidireccionales.

________________________________________________________________________________________
Lay-out correcto en la plaqueta impresa, por ejemplo de una fuente para PC.

Fig. 3. EMC filter Lay-out

When using off-the-shelf filters, observe the following rules:

* Ensure a proper electrically conductive connection between the filter case and/or filter ground and the metallic case of the
interference source or disturbed equipment, and
* provide sufficient RF decoupling between the lines at the filter input (line causing the interfer-ence) and the filter output (filtered line), if
necessary by using shielding partitions.

______________________________________________________________________________________________
Filtro EMC (Electromagnetic compatibility) externo:

Fig. 4 External EMC filter

_______________________________________________________________________________________________
EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

Pg. 3

Electrnica de Potencia

4.2.

Los transistores de potencia

Estimacin de la corriente pico del transistor en una fuente conmutada semipuente simtrica forward
En el semiperiodo de la frecuencia de conmutacin, la corriente de trabajo es el doble.
ID =

2P0
. Si = 80% DMAX = 0,8 (2 * 0,4), entonces:
DMAX Vin

IDMAX 3,125

P0
VinMIN

= 3.125

50
=0.6 A
258

VCEV o VDSS VinMAX =339,4 V

ID MAX 3,125

P0
VinMIN

ID MAX 0,6A

Se elige el IRF820, con una corriente mxima de 2,5A y una tensin mxima

VDSS=500V; o el IRF830 con una corriente mxima de 4,5A; o el IRF840 con una corriente mxima de 8A
__________________________________________________________________________________________

4.3.

Los rectificadores de salida

VRRM

IF( AV )

( V0 + VF ) Vin

MAX

D MAX VinMIN

I0MAX
2

+ perdidasinductivas =

(20 + 0.8)339.4 =34,2V

0.8 *258

=2.5 / 2 = 1,25 A

__________________________________________________________________________________________

4.4.

El transformador de potencia

1. Seleccionar el tipo de material, tipo de cazoleta. Los materiales Siemens ms usados en fuentes conmutadas son:
Material

Rango de Frecuencia

N27 y N41
N67

25 a 150 KHz
100 a 300 KHz

Los tipos de cazoletas ms utilizados son:

2.

Tipo

Usado en

RM
ETD
Pot
PM
EC y ER
E
U
Toroides

Transmision de mediana y baja potencia (preferentemente sin agujero central)

Mediana potencia (posibilidades de bobinado automtico)
Tcnicas de filtros de baja perdidas de flujo
Potencias en rangos de 250W a 2KW
Potencia mediana. Permite gran rea de bobinado. Puede ser montado horizontal o verticalmente
Idem anterior
Gran potencia. Hasta 20 KW
Drivers y filtros de salida. Bajas prdidas. Baja potencia.

Determinar la excursin de la densidad de flujo

El transformador se deber disear para operar en el mayor valor de B posible, resultando en una cantidad de vueltas
menor en el devanado, incrementando el rango de potencia y obtenindose menores prdidas de inductancia debidas al
devanado. El valor mximo de B est limitada por el valor de saturacin.

Del manual Siemens SIFERRIT:

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

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Selected curve: material N27T25

Fig. 5 Hysteresis curve: 25KHz, 25C

Se utilizar un B de 300mT. A medida que aumenta la frecuencia se debe reducir la excursin mxima de densidad de
flujo.
3.

Determinar el tamao de la cazoleta.

Este ser un procedimiento iterativo que permitir seleccionar un ncleo especfico que sea capaz de soportar los voltios
por segundos sin saturar y con prdidas en el ncleo y en el devanado aceptables.
Un mtodo til es aplicar la ecuacin del rea de producto, AP que es el producto del rea de la ventana del ncleo
AW multiplicada por el rea efectiva del ncleo Ae . El valor de AP del ncleo seleccionado deber ser mayor o igual.
La ecuacin 6.1.a se utiliza cuando el valor de B est limitado por el valor de saturacin, y la ecuacin 6.1.b se utiliza
cuando est limitada por las prdidas en el ncleo.

donde,

AP = A W A e

Pout 10 4
=
K t K u K p 420 B 2 f t

AP = A W A e

Pout 10 4
=
K 120 B 2 f t

Pout
KT =
Ku =
Kp =

1.58

1.31

11.1 Pout
=
K B f t

. k H f t + k E f t2

0.66

[ ]

cm 4

[cm ]
4

Ec. 6.1.a

Ec. 6.1.b

Potencia de salida
Iin(DC )
IP(RMS )
A' w
Aw
Ap
A' w

relac. I entrada /I primario, y depende de la topologa

factor de utilizacin de la ventana
factor de rea del primario (el rea relativa del primario respecto al rea
total de todos los devanados, proporcionados )

K =K t Ku Kp
J
ft

densidad de corriente (420 A/cm2)

frecuencia de operacin del transformador

Ku es la fraccin del rea de la ventana del ncleo que est llenada ahora con el bobinado. Ku se reduce por la aislacin,
por la distancia en el final del recorrido de la bobina en aplicaciones de alta tensin, y por el factor de llenado (forma
del rea del cableado y capas). Ku es tpicamente entre 0.4 y 0.3en fuentes off-line de alta aislacin.
KP es el rea relativa del primario respecto al rea total de todos los devanados, proporcionados de manera tal que todos
los devanados operen a la misma densidad de corriente RMS y la misma densidad de potencia.
Para la mayora de los materiales ferrites, el coeficiente de histresis es k H = 4.10 5 y el coeficiente de corriente de
Eddy es k E = 4.10 10
EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

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Electrnica de Potencia

En las ecuaciones 6.1.a y 6.1.b se asume que el bobinado ocupa el 40% del rea de la ventana, que las reas del primario
y el secundario estn proporcionadas por igual densidad de potencia y que las prdidas del conductor y del ncleo
resultan en una subida de 30 con enfriamiento por conveccin natural.
La tabla siguiente muestra los valores tpicos de las constantes K:
Table I. K factors
Forward converter
Bridge / Half Bridge
Full wave center-tap
Note:

SE/SE
SE/CT
CT/CT

K
0.141
0.165
0.141

Kt
0.71
1.0
1.41

Ku
0.40
0.40
0.40

Kp
0.50
0.41
0.25

Throughout the following calculations:

Half-bridge Vin equals 1/2 the rail-to-rail input voltage
C.T. primary All primary references are to 1/2 the total primary
SE/SE: Single-ended primary / secundaries (forward converter, fly-back, boost)
SE/CT: Single-ended primary / center- tap secundaries (Half bridge, Bridge)
CT/CT: Center-Tap primary / secundaries (Full Wave Center-Tap)

Push pull feed forward converter at 100khz

Potencia
(W)

100W

B150mT

RM8
Material= N27 & N41

Volumen (Cm )
Fig. 6 Power capacity Vs Volume
(including component & winding)

Un mtodo simple es utilizar el software EPCOS (EPCOS - Ferrite Magnetic Design Tool, Version 3.0, 3/2000 Published by
EPCOS AG) para verificar si la cazoleta seleccionada cumple los requisitos manejo de potencia con material N27, por
ejemplo.
De la Fig. 6 se puede ver que con una pot de 50W/0,8=62.5W se puede utilizar el RM8 con un volumen efectivo con
agujero central de VEFECTIVO =1840mm3 (sin agujero central 2430 mm3). Por disponibilidad, se buscar en el manual una
cazoleta E que tenga un volumen efectivo mayor o igual que 1840mm3. La cazoleta EE25.4/10/7 tiene un volumen
efectivo de 1910 mm3 por lo que puede ser la cazoleta candidata.
Se selecciona la cazoleta EE25.4/10/7 con material N27. Luego se verificar con el software, con los valores de
cantidad de capas totales y cantidad de vueltas totales si la potencia que puede transferir este transformador es
suficiente.
El B del material N27 que se utilizar ser de 200mT (por ejemplo, ver la curva de magnetizacin esttica de la Fig.5
para f=25KHz. Este valor se degrada conforme aumenta la frecuencia) ( se aplica en fuentes simtricas: BTOT =
300mT)

4.
Calcular la cantidad de vueltas del devanado primario. Este es el clculo ms crtico. Por lo que deber
ajustarse al valor definitivo por ensayo y error en laboratorio. EE25.4/10/7 con Amin= 38,4mm2 ,
La frmula utilizada es la Ley de Faraday modificada, donde V es la tensin pico, si se considera que Dmax=0.45 por
cada semiciclo,
0,225 V 10 9
0,225*160 *10 9
=
= 39.06
Se adopta en el primer ensayo NP = 40
NP
f Sw B max A min
f Sw 300 * 38,4
EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

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Electrnica de Potencia

NS =

(Vout + VFdiodo )NP (40 + 0.8)40

=
=7,9
VinprimMIN *DMAX

258 * 0.8

Se adoptar NS =8

En las figuras anteriores se puede mostrar cmo interviene la cantidad de vueltas totales, la cantidad de capas del
bobinado total, la temperatura y el modo del convertidor para el clculo de potencia. Si se puede disminuir la cantidad
de capas, y la cantidad de vueltas posibles, se puede obtener mayor potencia en una determinada cazoleta.
Adoptando una densidad de corriente de 4.2A / mm 2 , los dimetros de los conductores ser:
4I
4 * 0,6
P =
=
= 0,42
.J
* 4.2
El dimetro del primario ser de P = 0,45 mm
Por el secundario se reparte la mitad en un sector, y la mitad en el otro. Por lo que, si IOut=2,5A:
Si Dmax=0.8
IRMS =2,5

DMAX
=1,581A
2

4I
4 * 1,581
=
= 0,69
S = 0,7 mm
.J
* 4.2
__________________________________________________________________________________________
S =

4.5.

Clculo del choke L de salida

Este deber tener las siguientes caractersticas:

Material de alto valor de saturacin de densidad de flujo en el

material
Alta capacidad de almacenamiento de energa
Entrehierro inherente y calibrado (si es necesario), ya que
ste operar en CC.

Fig.7 Clculo de L

El inductor operar con CC superpuesta que no se anular, y adems, trabajar en un slo cuadrante del ciclo B-H
Tpicamente se disea con una capacidad del 50% mas que la que requiere la carga, durante el ciclo de operacin.

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

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Ipk

iL(high)

iL(low)

Vin
40V

Imin
T

2T

t
t

ton
toff

La cantidad de energa que almacena el inductor durante cada ciclo es:

1
2
E= L (iPK imin )
2
La cantidad de energa remanente en el ncleo est dada por:
1
E resid = Li 2min
La frecuencia aplicada en L es el doble que la de la fuente conmutada.
2
V
1 out 1 20
Vin
40 = 3,125S
=
t off (MAX ) =
2* 80E3
2f
L=

Vout t off ( MAX )

20 * 3,125 * 106
= 100H
0,25 * 2 ,5

0,25 * Iout
1
1
PL = L I 2L f = 100 * 10 6 2 * 160 * 10 3 = 32W
2
2
Usando el E20/6, con un AL = 900nH
AL =

L
N2

Si Dmax=0.8

N=

PL 32W

100 * 10 6
L
=
= 10,54 vueltas
AL
900 * 10 9

IRMS =2,5

N=11 vueltas

DMAX
=1,581A
2

4I
4 * 1,581
=
= 0,69
choke = 0,7 mm
.J
* 4.2
__________________________________________________________________________________________
choke =

Clculo de C4:
Iout(MAX ) Toff (MAX ) 2,5 * 3.125 * 10 6
=
=19,6F
C 4(min) =
VRipple(MAX )
400 * 10 3

C 4(min) =19,6F

Se usar tres capacitores de 10F en paralelo para disminuir la ESR

__________________________________________________________________________________________

4.6.

El capacitor C3

La topologa medio puente es muy usada en convertidores off-line debido a que la tensin de bloqueo de los transistores
no es el doble de la alimentacin, como en el caso de los convertidores forward de simple switch, y la topologa pushpull. Otra ventaja de sta topologa es que permite balancear los Volts/segundo de cada transistor de conmutacin
automticamente para prevenir la saturacin utilizando un mtodo sencillo de balanceo del intervalo de cada transistor
sin emplear ncleos con entrehierro, y sin correctores de simetra. La Fig. siguiente muestra el diagrama en bloques del
convertidor de medio puente simtrico.

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

Pg. 8

Electrnica de Potencia

D1

+
Q1
Vin
2

C4

C1

Vout

C3

Vin

Vin
2

PWM

D2
Q2
Fig. 8 Convertidor half bridge

C2

Este capacitor de acoplamiento es normalmente del tipo sin polaridad capaz de manejar la corriente del primario.
Deber, adems, tener un valor bajo de ESR para evitar el calentamiento.
Puede usarse un bloque de capacitores en paralelo.
Criterio de seleccin:
Un aspecto importante relacionado con el valor del capacitor de acoplamiento es la tensin de carga de ste.
Debido a que el capacitor se carga y descarga todos los semiciclos de fS, la componente en continua se adicionar a
Vin
.
2
I=[Link]
I
es la tensin de carga del capacitor. C=valor delcapacitor
VC = t
C
t=int ervalodetiempodec arg adelcapac.
1
fS
Para un convertidor de 80Khz, el ciclo de trabajo DMAX = 0,8.
El intervalo de carga es:

t = T DMAX = tON

y T=

t = T DMAX = 12,5 * 10-6 * 0,8 = 10 s.

La tensin de carga deber tener un valor mximo razonable, del 10 al 20% de

Vin
V
. Esto es, si in = 160VNOMINAL
2
2

entonces:
16 VC 32V
Esto ser, para una buena regulacin del convertidor.
dt
C=I
dVC

C=

I=corr. primario promedio

dt = int ervalo de c arg a
dVC =valor arbitrario entre10%y 20%Vin

IDMAX DMAX T 0,6 * 0,8 * 10 * 10 6

=
=300nF
VC
20

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

C=330nF/400V

Pg. 9

Electrnica de Potencia

4.7. Los diodos en paralelo con la llave.

El circuito del convertidor en medio puente, deber tener diodos en paralelo con los transistores. En algunos casos, los
transistores ya tienen incorporado en forma parsita los diodos (caso de los transistores MOSFET. En otros casos,
deber incluirse en el circuito.
EL diodo D ya
est intrinseco en
el dispositivo

En otros casos (transistor

bipolar), deber
incorporarse.

Fig. 9 Los diodos en paralelo con el

transistor de potencia

Estos diodos tienen doble funcin:

1.

Cuando se bloquea el transistor que estaba saturado, estos diodos (hay uno en cada transistor)
enclavan el sobrepico de tensin con la tensin de la lnea Vin .

2.

Previenen que se torne negativa la tensin VCE del transistor, cuando ste se satura.

Deber utilizarse diodos de rpida recuperacin y alta capacidad de bloqueo, al menos el doble de la tensin de bloqueo
del transistor. Normalmente se usan diodos de 400 a 450 V.
___________________________________________________________________________________________

4.8.

Seleccin del transistor de potencia

Se deber elegir un transistor con una Ic0,6 y una Vds320V

Se puede usar el IRF820/30/40
El catalogo disponible es el de IRFP350. Por lo que slo se usar como ejemplo.
VDSS = 400V
RDS(on) = 0.30
ID = 16A
Ultra Low Gate Charge
Reduced Gate Drive Requirement
Enhanced 30V Vgs Rating
Reduced Ciss , Coss , Crss
Isolated Central Mounting Hole
Dynamic dv/dt Rated
Repetitive Avalanche Rated

Description
This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs.
Utilizing advanced Hexfet technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and
increased total system savings. These device improvements combined with the proven ruggedness and reliability of HEXFETs
offer the designer a new standard in power transistors for switching applications. The TO-247 package is preferred for commercialindustrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier
TO-218 package because of its isolated mounting hole.

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

Pg. 10

Electrnica de Potencia

De la figura 6 de las hojas de datos, y para VGS de 10V, la Q = 55nC

td(on) =14nS
td(off) =33nS
tr =54nS
tf =35nS
El tiempo de conmutacin admitido
deber ser mayor que
td(on) + tr = 68nS, y mayor que
td(off) + tf = 68nS
Se tomar tc =100nS
55 nC
Q
= 0,55A
IG = G =
100 nS
tc

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

Pg. 11

Electrnica de Potencia

Potencia del Driver: Pdrv = Q G VGS f c = 55nC * 10V * 80KHz = 44 mW

Impedancia del Driver: Parte plana: 15nC a casi 40nC
40-15=25nC
VGS( sat ) VGS(plana ) 55 25
=
=54,54
RG =
I G( sat )
0,55
__________________________________________________________________________________________

4.9. Clculo de la etapa de proteccin contra sobrecorriente

En sta etapa se detectar ciclo a ciclo la corriente que circula por ambos MOSFET, interrumpiendo el ciclo si la
corriente supera el valor mximo.
La corriente de salida se toma a partir de un pequeo transformador, cuya salida es completamente rectificada (para
proteccin de los transistores) con un enclavador de pico y una resistencia conversora corriente/tensin.
ID
= 60mA
10
V0(sen s )
=
= 50.
I sen s

I sen s =
R sen s

Se adopta 47

N
ID
= s = 10
N S = 10 NP
I sen s NP
Si NP = 1 , entonces N s = 10
Dimetro del alambre: P( Current transforme r ) = 0,85 mm ; S( Current transforme r ) = 0,25 mm
Las condiciones de clculo son:

Proteger a los transistores por encima de 0,6A

Suministrar una tensin de salida de 3V para dicha corriente

Power transistors

Vin

sonda de corriente

Tensin de
alimentacin
independiente y
flotante

Power transformer,
rectifier & filter

+12V

Power DC input +
filter

realimentac. tensin salida

sobrecorriente
g_Q1

Transformador de
corriente 1:10
(utilizar toroide de
material N27, o
cazoleta E16/5, o
EF16)

s_Q1

s_Q2

Fig. 10 Diagrama en bloques

general

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

SG3525

g_Q2

PWM & Isolated Driver

Pg. 12

Electrnica de Potencia

Por otro lado se recomienda que en el comienzo de los ensayos se utilice un Variac y se comience con 50V por
ejemplo, y se aumente gradualmente la tensin de entrada para prevenir posible saturacin del ncleo del
transformador por excesivo flujo Vin/f, en caso de no estar bien diseado.
Se recomienda tambin utilizar transformador de aislacin
A los fines de este TP, se puede obviar la etapa de filtro EMI/RFI y el arranque suave, pudiendo ser
reemplazado el arranque suave por el variac
No se requiere el circuito de realimentacin, pero tomar precaucin con el ciclo de trabajo mnimo porque se
puede destruir los transistores si la tensin de entrada a los MOSFET de potencia es menor que 8V
Nota: La informacin suministrada en esta gua es slo como informacin para que el alumno pueda desarrollar su propio
diseo y clculo, efectuando todas las mejoras a los circuitos propuestos que el alumno considere necesario.

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

Pg. 13

Electrnica de Potencia

Line in_a

V_Power in

0
1
U3

NTC

CB1
2

D5 D1N4007
10

R16
100k

C5
150n

C8
220u

D6 D1N4007
Line in_b

0
1
U4

V_Power in/2

C7
470n
2

C6
150n

L_EMI/RFI
High Voltage
Capacitor

Switch

D7 D1N4007

R17
100k

D8 D1N4007

Eart in

EMI/RFI Filter

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

C9
220u

Line Power Rectifier

Pg. 14

Power Filter

Electrnica de Potencia

+12V

+12V

Ref out_a

16
4

R1
10k

R4
1k

R2
10k

RT

CT

C1

10k

6.3n

1u

VREF
OSC

11
14

V1a
V2a

SHUT

R7
1k

12

R8
330

GND

R6 1k

13

VIN
C
SYNC
CT
RT OUTA
ERR- OUTB
ERR+
DIS
START
COMP

R5 1k
From Optocoupler

U1

10

15
3
5
6
1
2
7
8

Ref out_b

R3
100k

+12V

SG1525

R19
100

V1
Driver
Source
12v

0
0

Realimentation without compensation

Pulse Width Modulator

NOTA:
En primera instancia no cierre el lazo para asegurarse que el
sistema funciona correctamente y controle el ciclo de trabajo con un
preset en lugar de R1 y R2

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

Pg. 15

Driver Power Supply

Electrnica de Potencia

G_M1

+12V

V1a
R10a2
100
TX1

S_M1
V1a
V2a

M4a

G_M1

G_M2
R10b2
100

R10a2
100

IRFD110
R10a
1k

S_M1

S_M2
G_M2

Driver Transformer

R10b2
100

Driver - option 1

S_M2
V2a

M4b
IRFD110

R10b
1k
Driver Transformer

0
Driver - option 2

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

Pg. 16

Electrnica de Potencia

V_Power in

M1
G_M1

Dz1a
15V_0.5W
Dz1b
15V_0.5W

IRF820
R11a
1k

T_Power

L2
D2

S_M1

+Vout

MUR420
C3
100u/63V

HFC

Vout_gnd
C10
M2
G_M2

Dz1a
15V_0.5W
Dz1b
15V_0.5W

V_Power in/2

D3

470n/250V
Polyester

IRF820

MUR420

R11b
1k

S_M2

Power
Transformer

0
Power Switching

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

Pg. 17

Electrnica de Potencia

+Vout

R15
1k5

U2
4N26

Ref out_a

C4
R12
100n
1

12
R14
2k

C2
470p
D4

TL431
6

R13

Ref out_b

330

Vout_Sample

___________________________________________________________________________________________________________________
Oros, Ramn C.
Crdoba, 03-07-2000
archivo: EP-05-01 Rev: A
edicin que reemplaza a las anteriores.
___________________________________________________________________________________________________________________
Bibliografa:
MARTY BROWN:
MAGNETICS & UNITRODE
SGS-THOMSON:
SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS:
GEORGE CHRYSSIS:
SEMIKRON:
INTERNATIONAL RECTIFIER:

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

PRACTICAL SWITCHING POWER SUPPLY DESIGN (MOTOROLA)

POWER SUPPLY DESIGN SEMINAR SEM-900
LINEAR & SWITCHING VOLTAGE REGULATORS
FERRITES AND ACCESSORIES & EPCOS DATA BOOK LIBRARY 2000
HIGH-FREQUENCY SWITCHING POWER SUPPLIES, THEORY AND DESIGN
POWER SEMICONDUCTORS : INNOVATION+ SERVICE
THE HEXFET DESIGNERS MANUAL

Pg. 18