INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA

MECNICA Y ELCTRICA
U.A
INGENIERA MECNICA

ELECTRONICA DE POTENCIA APLICADA

5MM3

PROFESOR: GALVAN JUAREZ AGUSTIN

ALUMNO: MARCIAL CARLON SERGIO CIRLO

OPTOELECTRONICA

5.1 ABSORCION OPTICA DE UN SEMICONDUCTOR

Una manera de estudiar el comportamiento de un superconductor consiste en hacerle
incidir fotones de energa conocida que exciten electrones desde estados de menor
energa hasta estados de mayor energa.
Para esto puede usarse un sistema de medicin de transmisin ptica con el que se
mide el coeficiente de transmisin de una muestra fina semiconductora. El dispositivo
se conoce con el nombre de espectro-fotmetro
El principio de la medicin consiste en incidir radiacin monocromtica sobre la
muestra semiconductora. Para esto, el espectro-fotmetro contiene un
monocromador para filtrar luz de longitud de onda bien definidas. Cuando la energa
de los fotones incidentes sea tal que favorece la excitacin de electrones, se observa
un cambio en la respuesta de la transmisin de radiacin en funcin de la longitud de
onda
Si incide luz monocromtica de longitud de onda e intensidad I0 sobre una muestra
de espesor x, emerge una intensidad transmitida I.
Se define el coeficiente de transmisin
T = I / I0, relacionado con el coeficiente de absorcin ptica

Donde
R es el coeficiente de reflexin ptico en la interface aire-semiconductor.
El mecanismo predominante de la absorcin proviene de las transiciones electrnicas
desde la banda de valencia a la banda de conduccin cruzando la banda de energa
prohibida de ancho Eg. Si el semiconductor es de gap directo, es decir, si un fotn
incidente solo crea un par electrn-hueco, el coeficiente de absorcin est dado por:

Donde
A es una constante dependiente del material
E es la energa del fotn incidente
5.1.1 Emisin de luz

Emisores del haz de luz

Estos dispositivos se encargan de convertir la seal elctrica en seal luminosa,
emitiendo el haz de luz que permite la transmisin de datos, estos emisores
pueden ser de dos tipos:

LEDs. Utilizan una corriente de 50 a 100 mA, su velocidad es lenta, solo se

puede usar en fibras multimodo, pero su uso es fcil y su tiempo de vida es
muy grande, adems de ser econmicos.
Lser. Este tipo de emisor usa una corriente de 5 a 40 mA, son muy rpidos, se
puede usar con los dos tipos de fibra, monomodo y multimodo, pero por el
contrario su uso es difcil, su tiempo de vida es largo pero menor que el de los
LEDs y tambin son mucho ms costosos.
Conversores luz-corriente elctrica

Este tipo de dispositivos convierten las seales luminosas que proceden de la

fibra ptica en seales elctricas. Se limitan a obtener una corriente a partir
de la luz modulada incidente, esta corriente es proporcional a la potencia
recibida, y por tanto, a la forma de onda de la seal moduladora.
Se fundamenta en el fenmeno opuesto a la recombinacin, es decir, en la generacin
de pares electrn-hueco a partir de los fotones. El tipo ms sencillo de detector
corresponde a una unin semiconductora P-N

5.1.2 FOTOCELDAS Y FOTORRESISTENCIAS

Fotocelda o fotorresistencia cambia su valor resistivo conforme la intensidad de luz
que incide en su superficie sensitiva.
Una fotocelda, clula fotoconductora, o foto detector es una resistencia, cuyo valor en
ohmios vara ante las variaciones de la luz incidente. Tambin llamadas
fotorresistencias o LDRs (Light Dependent Resistor, resistencia dependiente de la luz),
estn construidas con un material sensible a la luz, de tal manera que cuando la luz
incide sobre su superficie, el material sufre una reaccin fsica, alterando su
resistencia elctrica.
Una fotocelda presenta un bajo valor de su resistencia ante la presencia de luz, y, un
alto valor de resistencia ante la ausencia de luz. La fotocelda se emplea para controlar
el encendido automtico del alumbrado pblico.

La fotocelda o fotorresistencia tiene la propiedad de variar su resistencia con la incidencia de la luz.

Son fabricadas de sulfuro de cadmio (SCd) y de seleniuro de Cadmio (SeCd).
Para SCd la mxima respuesta espectral ocurre a 5100 A con un tiempo de respuesta de 100ms y
para SeCd a 6150 A el tiempo de respuesta es de 10 ms.
Generalmente la resistencia de una fotocelda puede variar de unos 100a plena luz hasta unos
100ka oscuridad
5.2 EMISORES Y DETECTORES INFRAROJOS
Los sensores infrarrojos detectan la radiacin emitida por los materiales calientes
y la transforman en una seal elctrica.
Para una amplia gama de aplicaciones se utilizan pticas que reducen el campo visual
con el agregado de un valor predeterminado de temperatura de conmutacin. Con
esto se logra una localizacin y un posicionado preciso de objetos calientes
Por ejemplo
En aceras, laminaciones, forjas, fundicin, industrias del vidrio y cermica. Las partes
calientes pueden ser localizadas a varios metros de distancia, el control de llama
permite remover dichos objeto detectado.
La lnea de productos incluye versiones compactas con procesamiento electrnico
integrado, como as tambin los modelos para ambientes de hasta + 290 C , con cable
de fibra ptica entre esta y la electrnica.
Los Sensores infrarrojos reconocen la radiacin natural de objetos calientes a gran
distancia. Ellos se aplican cuando otros sensores de proximidad no pueden operar
correctamente dada la alta radiacin o altas temperaturas del ambiente.
5.2.1 LEDS INFRAROJOS
LED viene de las siglas en ingls de Light-EmittingDiode(diodo emisor de luz), los leds
bsicamente son lmparas de estado slido, o sea sin filamento ni gas inerte que lo
rodee, ni cpsula de vidrio que lo recubra. El led es un semiconductor unido a dos
terminales ctodo y nodo (negativo y positivo respectivamente) recubierto por una
resina epoxi transparente. Cuando una corriente circula por el led se produce un
efecto llamado electroluminiscencia o sea el led emite luz monocromtica en
frecuencias que van desde el infrarrojo pasando por todo el espectro de luz visible y
llega hasta el ultravioleta.
Un led infrarrojo es un tipo de diodo emisor de luz, solo que esta luz no es visible al
ojo
humano.
El led infrarrojo es un tipo de diodo emisor de luz infrarroja, IRED (Infra-Red

EmittingDiode), y el hecho de que este tipo de seal no se pueda ver a simple vista es
porque la longitud de onda de los rayos infrarrojos es muy pequea (850-900 nm), es
por eso que la seal infrarroja se puede ver interrumpida por casi cualquier cosa,
como una puerta, una persona, una hoja de papel.

5.2.2 FOTO DIODOS

El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una
caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de
corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).
Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama
corriente de fuga. El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues
convierte la luz en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para
informar que hubo un cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo.
Si el fotodiodo es polarizado en directa, la luz que incide no tendra efecto sobre l y se
comportara como un diodo semiconductor normal. (Recuerde, el fotodiodo trabaja en
inversa).
La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad
de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de
oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en
circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo
Aplicaciones de Fotodiodos
Transmisiones rpidas de datos
Aparatos de medicin pticos
Cortinas de luz
5.2.3 FOTO TRANSISTORES
.Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:
- Como un transistor normal con la corriente de base (IBn), modo normal.
- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (I), (modo de iluminacin). Se pueden utilizar las dos en forma
simultnea, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el terminal de la

base sin conectar. (IB = 0), incluso en algunos fototransistores no esta disponible
dicho terminal.
La corriente de base total es igual a corriente de base (modo normal) + corriente de
base (por iluminacin): IBT = IBn + I
Si se desea aumentar la sensibilidad del fototransistor, debido a la baja iluminacin, se
puede incrementar la corriente de base (IB), con ayuda de polarizacin externa
El circuito equivalente de un fototransistor, es un transistor comn con un fotodiodo
conectado entre la base y el colector, con el ctodo del fotodiodo conectado al colector
del transistor y el nodo a la base.
Aplicaciones para fototransistores
Conmutadores pticos (p. e. Barreras de luz)
Sensores claro-oscuro
Transmisin simple de datos de baja velocidad
5.2.4 FOTO DIACS
Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor
que presenta cierto tipo de conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las
tensiones presentes en sus terminales son suficientemente altas se utiliza
principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos.
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos
terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en
sentidos opuestos.

Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay
que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las
partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen
por qu ser simtricas.

5.3 Opto aisladores y foto acopladores

Opto acoplador en
encapsulado

Smbolo electrnico

DIL-8

Tipo

Semiconductor

Principio de
Efecto
funcionamiento fotoelctrico

Un opto acoplador, tambin llamado optoaislador o aislador acoplado pticamente, es

un dispositivo de emisin y recepcin que funciona como un interruptor excitado
mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente opto electrnico,
normalmente en forma de fototransistor o fototriac. De este modo se combinan en un
solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor y un fotorreceptor cuya conexin entre
ambos es ptica. Estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo
general es del tipo DIP. Se suelen utilizar para aislar elctricamente a dispositivos muy
sensibles.
Estos dispositivos se llaman optoacopladores, son ms necesarios en situaciones
donde se desea proteccin contra altos voltajes y aislamiento de ruidos, as como
cuando el tamao de dispositivo es un factor a considerar. Al realizar un acople entre
dos sistemas mediante la trasmisin de energa radiante (fotones), se elimina la
necesidad de una tierra comn, es decir que ambas partes acopladas pueden tener
diferente voltajes de referencia, lo cual constituye la principal ventaja de los
optoacopladores.

El opto acoplador combina un LED y un fototransistor.

La figura de la izquierda muestra un opto acoplador 4N35 formado por un LED y un
fototransistor. La tensin de la fuente de la izquierda y la resistencia en serie
establecen una corriente en el LED emisor cuando se cierra el interruptor S1. Si dicha
corriente proporciona un nivel de luz adecuado, al incidir sobre el fototransistor lo
saturar, generando una corriente en R2. De este modo la tensin de salida ser igual
a cero con S1 cerrado y a V2 con S1 abierto.
Si la tensin de entrada vara, la cantidad de luz tambin lo har, lo que significa que la
tensin de salida cambia de acuerdo con la tensin de entrada. De este modo el
dispositivo puede acoplar una seal de entrada con el circuito de salida, aunque hay
que tener en cuenta que las curvas tensin/luz del LED no son lineales, por lo que la
seal puede distorsionarse. Se venden optoacopladores especiales para este
propsito, diseados de forma que tengan un rango en el que la seal de salida sea
casi idntica a la de entrada.
La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento elctrico entre los
circuitos de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el nico contacto entre
ambos circuitos es un haz de luz. Esto se traduce en una resistencia de aislamiento
entre los dos circuitos del orden de miles de M. Estos aislamientos son tiles en
aplicaciones de alta tensin en las que los potenciales de los dos circuitos pueden
diferir en varios miles de voltios.
Tipos
En general, los diferentes tipos de optoacopladores se distinguen por su diferente
etapa de salida. Entre los principales cabe destacar el fototransistor, ya mencionado,
el fototriac y el fototriac de paso por cero. En este ltimo, su etapa de salida es un triac
de cruce por cero, que posee un circuito interno que conmuta al triac slo en los cruce
por cero de la fuente.

Etapa de salida a fototransistor.

Etapa de salida a fototriac.

5.3.1 Opto aisladores con transistor de salida

Fototransistor: o lineal, conmuta una variacin de corriente de entrada en una variacin de
tensin de salida. Se utiliza en acoplamientos de lneas telefnicas, perifricos, audio ..

Etapa de salida a fototransistor.

5.3.2 Opto aisladores con SCR de salida

5.3.3 Opto aisladores con triac de salida

Fototriac: se compone de un opt acoplador con una etapa de salida formada por un triac
Fototriac de paso por cero: Opt acoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce
por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac slo en los cruce por cero de la
corriente alterna.

Etapa de salida a fototriac

5.3.4 Interruptores pticos

Un interruptor ptico sirve para trasmitir en una determinada direccin seleccionada,
un tren de ondas proyectados sobre el. Como parte de un interruptor ptico es
apropiado un material permeable a la luz en el que se genera una estructura
tridimensional de difraccin al aplicar un campo elctrico, mediante el cual se puede
modificar la direccin del tren de ondas. El interruptor ptico de la invencin presenta
un material con propiedades pticas no lineales, en el que esta almacenada la
estructura de difraccin tridimensional. El material forma al menos una capa nica
que se extiende por encima de un substrato. Existen electrodos mediante un campo
elctrico aplicable sobre el se puede modificar la estructura de difraccin en la capa.
Una parte del tren de ondas proyectada sobre la capa se desva de acuerdo con la
intensidad del campo elctrico existente entre los dos electrodos.
Las dos partes que forman un interruptor ptico.
Todos los optos estn compuestos de dos partes; un emisor y un receptor. El emisor
es un LED de infrarrojos (LED significa diodo emisor de luz). El receptor es un
fototransistor sensible a la luz infrarroja. Una vez que se enciende el pinball, los
emisores estn emitiendo continuamente la luz infrarroja hacia el receptor, cuando el
rayo de luz es interrumpido por el paso de la bola (o de algn mecanismo), esto es
interpretado como interruptor "activado" o "abierto" (los optos trabajan al revs que
el resto de interruptores, aqu abierto es activado). Debido a que el emisor est
siempre emitiendo luz (y de esta forma calor) es la parte que falla el 98 % de la veces
que un opto se estropea, el receptor raramente falla.
En optos de pie, normalmente el LED emisor se monta con un pie BLANCO de plstico
en una pequea tarjeta VERDE. El receptor se suele montar con un pie NEGRO en una
pequea tarjeta AZUL
5.3.5 Foto detectores y fibras pticas
La definicin bsica de un fotodetector radica en su funcionamiento como transductor
de luz que proporciona una seal elctrica como respuesta a la radiacin ptica que
incide sobre la superficie sensora.
Existen dos tipos fundamentales de detectores de luz, los trmicos y los fotnicos que
operan con mecanismos de transduccin diferentes.
Los detectores trmicos absorben (detectan) la energa de los fotones incidentes en
forma de calor con lo que se produce un incremento en la temperatura del elemento
sensor que implica tambin un cambio en sus propiedades elctricas como por
ejemplo la resistencia. El cambio en esta propiedad elctrica en funcin del flujo
radiante recibido es lo que permite su medida a travs de un circuito exterior. La
mayora de esta clase de fotodetectores son bastante ineficientes y relativamente
lentos como resultado del tiempo requerido para cambiar su temperatura, lo que les
hace inadecuados para la mayor parte de las aplicaciones fotnicas.

Fig. 4.1 Esquema bsico de un dispositivo fotodetector

Los detectores fotnicos no utilizan la energa del fotn en forma de calor, sino que la
invierten en incrementar la energa de sus portadores de carga, con lo que se
modifican las propiedades de conduccin elctrica de los sistemas detectores en
funcin del flujo de fotones recibido. Este proceso de conversin implica la
transformacin de los fotones incidentes en electrones, pero esta respuesta simple no
tendra ninguna relevancia si esos electrones no se ponen en movimiento para
generar una corriente, que es la magnitud que realmente podemos medir, para ello en
ocasiones hay que aplicar un campo elctrico, dando lugar a un esquema como el de la
figura 4.1. Dado su origen, la corriente as generada recibe el nombre de fotocorriente.
Es a esta clase de detectores a la que nos vamos a dedicar en este tema.
2. Propiedades de los detectores fotnicos
Son los ms utilizados en los sistemas de comunicaciones, y como ya se ha dicho, estn
basados en la capacidad de ionizacin de un material semiconductor, de forma que los
diferentes dispositivos que veremos no son ms que variaciones de este mismo
principio. Para caracterizar el comportamiento de estos detectores, existen unos
parmetros fundamentales a tener en cuenta en el proceso de seleccin para cada
aplicacin particular. Estos parmetros son
Eficiencia cuntica
Responsividad
Tiempo de respuesta
Caractersticas de ruido
En general, los fabricantes de dispositivos proporcionan datos relacionados con estas
caractersticas fundamentales, aunque en ocasiones no se den stos de manera

explcita. Aparte de la informacin de los dispositivos como detectores de radiacin,

tambin hay que tener en cuenta sus propiedades elctricas en virtud de las
caractersticas de componente electrnico que presentan. A lo largo del tema
podremos ver algunos ejemplos de cmo trabajar con estos datos.
Detector ptico
En los sistemas de comunicacin por fibra ptica se utilizan fundamentalmente dos
tipos de detectores de luz en el extremo receptor. La dbil seal ptica que llega al
final de la fibra debe ser convertida a una seal elctrica, antes de que contine su
paso por etapas de amplificacin, demodulacin, demultiplexaje, etc. Un detector de
luz es, entonces, el primer elemento de la cadena de dispositivos que propiamente
conforman al equipo receptor.
Los dos tipos de detectores que se emplean son, ambos, fotodiodos. De acuerdo con lo
dicho, su funcin es transformar la potencia ptica de entrada a una corriente
elctrica de salida.
Al igual que las fuentes luminosas, los detectores pticos estn fabricados con
semiconductores de estado slido, que en base a la teora de las uniones P-N generan
un flujo de corriente cuando captan un fotn; su grado de respuesta depende de los
materiales empleados y de la longitud de onda de trabajo. La explicacin de los
principios fsicos bajo los cuales funcionan los fotodiodos es un anlisis amplio en
electrnica.
Entre otros parmetros de operacin, es deseable que los fotodiodos sean altamente
eficientes, que tengan un bajo nivel de ruido, un amplio ancho de banda (es decir, que
respondan de manera uniforme y rpida en todas las longitudes de onda de la seal),
que sean poco sensibles a las variaciones de temperatura, baratos, pequeos, etc.
La eficiencia de un fotodiodo est relacionada con su responsividad, es decir, la
cantidad de electrones que es capaz de generar en relacin con los fotones recibidos.
Dicho de otra forma, es la corriente elctrica que entrega a la salida en relacin con la
potencia ptica de entrada.
Los tipos de fotodiodos que se emplean son el fotodetector PIN y el fotodiodo de
avalancha (APD). La responsividad de un fotodiodo de avalancha es mayor que la de
un fotodector PIN. Sin embargo, el primero es ms sensible a los cambios de
temperatura y ms caro que el segundo. El detector PIN se usa ms comnmente en
enlaces de corta distancia y el ADP es muy til en transmisiones de larga distancia,
donde la seal ptica de llegada es muy dbil y se requiere alta responsividad. Por lo
que se refiere a la velocidad de respuesta, ambos fotodiodos pueden trabajar
actualmente a velocidades muy altas de transmisin digital.
Detectores Fotnicos: tipos y caractersticas

Dentro de la categora de detectores fotnicos podemos encontrar una gran variedad

de dispositivos, cada uno de ellos presentar unas caractersticas particulares. En este
apartado, veremos algunos ejemplos de detectores teniendo en cuenta las
propiedades ms importantes. El conocimiento de estas propiedades podr ayudarnos
en la eleccin del fotodetector adecuado para cada aplicacin concreta.
Fotoconductores
Constituye el caso ms simple de la aplicacin de materiales semiconductores a la
deteccin de radiacin ptica, pues consiste simplemente en la absorcin de luz por
parte de un trozo de semiconductor con contactos elctricos, tal y como aparece en la
figura 4.5a. Cuando un fotn alcanza al semiconductor y es absorbido, se produce la
generacin de un par eh. La influencia del campo elctrico que hay entre los contactos
provoca la migracin de electrones y huecos hacia ellos, con lo que se produce un
cambio en la resistencia del material en funcin de la cantidad de luz que reciben, es
decir, su conductividad aumenta proporcionalmente al flujo de electrones recibido,
con lo que se obtiene una fotocorriente medible en el circuito de la figura 4.5a. Con
este tipo de fotodetectores se puede registrar esa fotocorriente o bien medir la cada
de tensin en una resistencia de carga colocada en serie con el dispositivo.

Fig.4.4. a) Esquema bsico de del funcionamiento de un fotoconductor. b)

Configuracin ms habitual para fotoconductores comerciales.
Una configuracin usual de esta clase de detectores es la que se muestra en la figura
4.5b, donde el nodo y el ctodo se encuentran sobre la misma superficie del material
de forma que el tiempo de transicin entre uno y otro se minimiza al tiempo que se
maximiza la transmisin de luz. Aqu encontramos una caracterstica til para los
detectores en general, y es que cuanto menor sea su tamao, su comportamiento en
conmutacin ser mejor, aunque esta reduccin en las dimensiones hace que
recolecte menos luz.
Fotodiodos: configuraciones bsicas

De la misma forma que en el caso de los fotoconductores, el fenmeno que interviene

es la absorcin de radiacin por parte de un material semiconductor, generando pares
de portadores de carga que contribuyen a la fotocorriente. Existen diferentes
configuraciones para los fotodiodos, cada una de ellas con caractersticas especficas.
En este apartado vamos a ver las ms comunes, que adems presentan propiedades
que tambin encontraremos en fotodetectores ms complejos.
Fotodiodo pn

Fig. 4.7 Esquema bsico del funcionamiento de un fotodiodo pn

A grandes rasgos, podemos definir un fotodiodo pn como una unin pn en la que la
corriente inversa aumenta con el flujo de fotones incidente.
En principio, los fotones pueden ser absorbidos en toda la estructura como en el caso
de los fotoconductores, pero aqu aparece el efecto de la unin de forma que existe un
campo elctrico intenso en la zona de la unin con la direccin np (figura 4.7) que es
capaz de separar los pares de portadores generados rpidamente, disminuyendo as la
probabilidad de que se produzcan recombinaciones que impidan la contribucin a la
fotocorriente. Ser en esta zona donde ser deseable que se produzca la absorcin. A
temperatura ambiente existe una cierta probabilidad de que se produzcan
transiciones espontneas entre bandas an en ausencia de iluminacin, con lo que se
puede generar una pequea corriente que recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Esta corriente de oscuridad depender de la temperatura y de las condiciones
elctricas de operacin del fotodiodo (figura 4.8).

Fig 4.7 a)Corriente de oscuridad en funcin de la tensin aplicada al diodo y b) En

funcin de la temperatura para una tensin fija.
3.2.2 Fotodiodo pin
En este caso, la zona de la unin se ensancha mediante la adicin de un material
intrnseco o ligeramente dopado entre las zonas p y n. Con ello conseguimos una zona
de transicin extensa que favorece la absorcin de fotones y su conversin a corriente
til. En principio, este dispositivo, que aparece de forma esquemtica en la figura 4.15,
puede funcionar bajo las mismas condiciones que el fotodiodo pn, y presentan una
serie de ventajas sobre stos
Aumenta la probabilidad de absorcin de fotones dado el significativo aumento del
volumen de material absorbente.
El ensanchamiento de la zona de transicin disminuye la capacitancia de la misma,
con lo que la respuesta del dispositivo ser ms rpida por la reduccin de la
constante de tiempo RC.
Pueden conseguirse tiempos de respuesta del orden de decenas de ps,
correspondiente a anchos de banda de . 50 GHz.

Fig. 4.15 Esquema de un fotodiodo pin

Otros tipos de fotodiodo
Fototransistores
La influencia de la luz sobre los transistores tradicionales es conocida desde el
momento de su invencin, de ah el hecho de que se encapsulen con un material
opaco. Los fototransistores pretenden utilizar esa dependencia con la luz del
transistor para su uso como detector. Dependiendo de donde se produzca la
incidencia de luz, se generarn portadores en diferentes zonas, y el efecto ser
distinto segn la zona en cuestin. El diseo ptimo requiere que la absorcin tenga
lugar en la unin entre el emisor y la base, con lo que se genera un flujo de corriente
en el circuito EB (ver figura 4.16) que se amplifica por la accin del dispositivo como
transistor

.
Figura 4.16 Esquema bsico de un fototransistor
Su funcionamiento es bsicamente equivalente al de un transistor NPN convencional,
aunque en el diseo de fototransistores el rea de la base es ms extensa para
favorecer la absorcin de fotones y generar corrientes elevadas en la unin BC que se
utiliza con polarizacin inversa (la unin BE se polariza en directa). La generacin de

portadores por parte de la radiacin incidente, unida a la inyeccin de electrones por

parte del emisor, produce una corriente que a la salida del dispositivo vendr dada
por

(4.3.7)
As pues, un fototransistor puede entenderse como un transistor bipolar con sus
mismas zonas de trabajo, controlado por la radiacin incidente en la regin activa de
la base.
Ofrece la ventaja de un menor ruido y mayor seal de salida que los APD, sin embargo
su responsividad es inferior a la de los APD y pin. Su respuesta espectral es adecuada
en el rango del visible y NIR, con lo que suelen utilizarse en sistemas de control
remoto, de alarma, etc.
3.3.4 Fotodetectores de cavidad resonante
Una forma de conseguir una alta eficiencia cuntica al tiempo que una muy alta
velocidad de respuesta, consiste en utilizar fotodetectores de cavidad resonante
(RECAP). En stos, un fotodiodo pin con una capa intrnseca delgada, se sita en el
interior de una cavidad FabryPerot como en la figura 4.22. El hecho de que la capa
intrnseca sea delgada hace que la velocidad de respuesta aumente. Para mantener la
eficiencia del dispositivo, lo que se hace es que la luz pase por esa capa un gran
nmero de veces, de forma que la probabilidad de absorcin tambin aumenta. La
cavidad resonante que forman los reflectores de Bragg de la figura 4.20 es altamente
selectiva en , con lo que el detector tambin lo ser. La aplicacin de este tipo de
detectores aparece en los modernos sistemas de comunicaciones pticas basados en
WDM.

Figura 4.22 Fotodiodo resonante

5.6 Aplicaciones en circuitos de control y potencia
Optoelectrnica aplicada a la robtica.
APLICACION DE UN OPTOACOPLADOR
CASO CONCRETO: EL SENSOR OPTICO POR REFLEXION CNY70
Este optoacoplador por reflexin se ha vuelto muy popular en aplicacin educativa y
mini-robtica, adems de que su costo es mnimo (1 dlar moneda americana) por
unidad y fcil de conseguir. Adems de que tanto el emisor y el detector, se
encuentran en el mismo encapsulado con dimensiones de tan solo 7mm x 7mm.
Antes que nada debemos conocer su interior y funcionamiento, sobre todo tener en
mente la aplicacin que implementaremos con l.
En su interior dispone de un diodo emisor de luz infrarroja y un receptor en forma de
fototransistor.
Como pueden darse cuenta no slo es importante que se polaricen adecuadamente,
sino tambin la distancia "d" a la cual estarn colocados de la superficie reflectante, la
cual es recomendable no est a ms de 5mm para este dispositivo.
Proseguiremos con el conexionado, debemos procurar que tanto el emisor como el
receptor operen dentro de las regiones ptimas de funcionamiento. Para ello, el
emisor deber conectarse a una resistencia limitadora de corriente

Obervando las caractersticas del diodo emisor vemos que soporta unos 50mA como
mximo, tendr una cada de tensin de 1,6 volts y una potencia mxima de 100mW.
En la figura 3 vemos que sin ningn problema podemos aplicar un voltaje de 5 volts y
asignar a la resistencia un valor de 220 ohms, si hacemos los clculos la corriente que
circular por ese circuito ser:
Ifr = (5V - 1.6V)/220 ohm = 15 miliamperes
Y aproximadamente disipar 25mW. Con ese valor no tendr ningn problema en el
funcionamiento ya que ha dado muy buenos resultados para poder lograr la
discriminacin entre reas negras y blancas.

El transistor ser conectado como un seguidor de seal, eso es con una resistencia en
el emisor conectada a tierra, como se ven en la figura 4
LA CORRIENTE MAXIMA DEL TRANSISTOR ES DE UNOS 50mA Y LA POTENCIA
MAXIMA ES DE 100mW
Tericamente atravesar por el transistor al conducir unos 0,1mA. El fototransistor
tiene una cada de tensin, de aproximadamente 1V con lo cual la corriente se reduce

un poco. La tensin, al saturarse el transistor, ser aproximadamente de unos 4V, y la

de corte de unos 0V y la potencia disipada rondar los 0,1mW. El valor propuesto del
resistor puede cambiar y puede ser como mnimo de 10 kohms y an da buenos
resultados pero arrojar valores de voltaje que rondarn aproximadamente los 2.5
volts en condiciones de buena reflexin.
Quiz se preguntarn qu ocurre en la transicin entre el blanco y negro, cules sern
las variaciones intermedias y si no presentar a su salida, fluctuaciones que impidan
su conexionado a alguna lgica (TTL o CMOS) lo cual es ideal para aplicaciones
robticas.
Para responder a eso no es necesario recurrir a filtros o circuitos complicados, para
ello podemos recurrir a una etapa de acoplamiento con una compuerta con
disparador Schmitt-Trigger la cual nos ayudar a discriminar las variaciones
indeseadas debidas a ruidos, interferencias u otros. Si se dan cuenta ahora si es
posible acoplarla a una etapa lgica de algn circuito de control o microcontrolador.
En la figura 5 se observa el circuito completo del sensor reflectivo

Y cmo funciona? Al estar sobre una superficie negra, sta absorbe la radiacin
luminosa la cual no llegar al fototransistor o por lo menos no en los niveles
necesarios para entrar en saturacin, como consecuencia la entrada al disparador
estar prcticamente a nivel de 0 volt y su salida estar en un nivel lgico "1" o 5 volts.
Para una superficie blanca las condiciones cambian, se presenta alta reflectividad por
lo cual la radiacin luminosa alcanza al fototransistor llevndolo a saturacin o a
conducir niveles de corriente suficientes que provocarn en el resistor de emisor una
cada de voltaje que superarn el umbral de cambio en el disparador, presentndose a

su salida un nivel lgico "0" o de o volts.

Si analizamos el circuito, su respuesta y su sencillez podemos darle un sinfin de
aplicaciones y no slo la de distinguir entre los colores blanco y negro:
- Siguelneas en mini-robots
- Lector de discos codificados
- Sensor de proximidad
- Sensor de obstculos, etc
Conclusin
La optoelectrnica es el nexo de unin entre los sistemas pticos y los sistemas
electrnicos. Los componentes opto electrnicos son aquellos cuyo funcionamiento
est relacionado directamente con la luz.
Hoy en da parece imposible mirar cualquier aparato elctrico y no ver un panel lleno
de luces o de dgitos ms o menos espectaculares. Por ejemplo, la mayora de los
walkman disponen de un piloto rojo (LED) que nos avisa, siempre en el momento ms
inoportuno, que las pilas se han agotado y que deben cambiarse. Los tubos de rayos
catdicos con los que funcionan los osciloscopios analgicos y los televisores, las
pantallas de cristal lquido, los modernos sistemas de comunicaciones mediante fibra
ptica.
Los dispositivos opto electrnicos se denominan opto aisladores o dispositivos de
acoplamiento ptico.