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Funcionamiento de la unión PN y diodos

La unión PN se forma cuando un material semiconductor tipo N entra en contacto eléctrico con uno tipo P. Esto causa que los electrones libres en la región N rellenen los huecos en la región P, creando una zona de agotamiento cargada entre ambas regiones. Como resultado, la corriente puede fluir fácilmente a través del diodo en un sentido pero es bloqueada en el otro, lo que permite su uso como rectificador.

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Funcionamiento de la unión PN y diodos

La unión PN se forma cuando un material semiconductor tipo N entra en contacto eléctrico con uno tipo P. Esto causa que los electrones libres en la región N rellenen los huecos en la región P, creando una zona de agotamiento cargada entre ambas regiones. Como resultado, la corriente puede fluir fácilmente a través del diodo en un sentido pero es bloqueada en el otro, lo que permite su uso como rectificador.

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la unin PN.

Se dice que la unin PN se puede formar simplemente pegando un material


semiconductor N con otro p, pero esto no es asi, adems de estar en contacto, deben
tener contacto elctrico.
Bueno en la zona N tenemos electrones libres y en la zona P tnemos huecos en espera
de ser rellenados por electrones.
Si ahora los unimos, los electrones del material N, que estn ms cerca de la region de
agotamiento, sern atrados por los huecos de la zona P que estn tambin ms cerca de
la region. Estos electrones pasarn a rellenar los huecos de las impurezas ms cercanos
a la zona de deplexion.
Esto provoca que en la franja de la unin P-N tengamos por un lado carga negativa y por
el otro positiva. Negativa en la zona P, que antes de la unin era neutra y positiva en la
zona N, que antes tambin era neutra. Esta franja con cationes y aniones se llama regin
de agotamiento o zona de difusin.
Llega un momento que un nuevo electrn de la zona N intenta pasar a la zona P y se
encontrar con la carga negativa de la regin de agotamiento en P (los iones negativos
formados), que le impedirn el paso (cargas iguales se repelen). En este momento se
acabar la recombinacin electrn-hueco y no habr ms conduccin elctrica.
Adems la zona N que antes era neutra ahora tendr carga positiva, ya que han se han
ido de ella electrones, y la zona P, que antes tambin era neutra, ahora ser negativa, ya
que ha recogido los electrones que abandonaron la otra zona. La unin P-N deja de ser
elctricamente neutra
Aun asi en la parte N, fuera de la regin de agotamiento , seguir teniendo electrones
libres que no formaron enlaces con tomos de semiconductor puro. Y en la parte p
seguir teniendo huecos.

Si la cada de tensin es nula diremos que el diodo esta polarizado en directa. Bajo
polarizacin directa la corriente fluye en el sentido nodo - ctodo y puede tomar cualquier
valor positivo. Esto quiere decir que el diodo se comporta como un cortocircuito.
Si la caida de tensin entre el nodo y el ctodo es negativa el diodo opera en su regin
inversa de funcionamiento y esto quiere decir que el la corriente es nula para cualquier
valor negativo de la tensin y el dispositivo acta como circuito abierto.
A esta propiedad de permitir el paso de corriente en un solo sentido e impedirlo en el
sentido contraria le llamamos rectificacin.

El modelo lineal a tramos


El modelo lineal por tramos se obtiene como aproximacin del modelo ideal del diodo de
unin PN, considerando las siguientes simplificaciones
*en inversa, l corriente atravez de la unin es nula.
*en directa, la cada de tencin en la unin PN (Von) es constante e independiente de la
intensidad que circula por el diodo.

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