-> paginas 61-63.
1.-Cuntos protones contiene el ncleo de un tomo
de cobre?
a) 1
c) 18
b) 4
d) 29
2. La carga resultante de un tomo neutro de cobre es.
a) 0
c) -1
b) +1
d) +4
3. Si a un tomo de cobre se le extrae su electrn de Valencia, la carga resultante
vale
a) 0
C) -1
b) +I
d) t4
4. La atraccin que experimenta hacia el ncleo del Electrn de valencia de un
tomo de cobre es
a) Ninguna
b) Dbil
c) Fuerte
d) Imposible de describir
5.cuntos electrones de valencia tiene un tomo de silicio?
a) 0
c) 2
b) 1
d) 4
6. El semiconductor ms empleado es
a) Cobre
c) Silicio
b) Germanio d) Ninguno de 10s anteriores'
7. Qu nmero de protones posee un tomo de silicio?
a) 4
c) 29
b) 14
d) 32
8. Los tomos de silicio se combinan en una estructura Ordenada que recibe el
nombre de
a) Enlace covalente
b) Cristal
c) Semiconductor
d) Orbital de valencia
9. Un semiconductor intrnseco presenta algunos Huecos a temperatura ambiente
causados por
a) El dopaje
b) Electrones libres
c) Energa trmica
d) Electrones de valencia
10. Cada electr6n de valencia en un semiconductor intrnseco establece un
a) Enlace covalente
c) Hueco
b) Electrn libre
d) Recombinacin.
11. La unin de un electrn libre con un hueco recibe el nombre de
a) Enlace covalente
c) Recombinaci6n
b) Tiempo de vida
d) Energa trmica
12. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrnseco se comporta como
a) Una batera
c) Un aislante
b) Un conductor
d) Un hilo de cobre
13. El tiempo que. Transcurre entre la creacin de un Hueco y su desaparici6n se
conoce como
a) Dopaje
c) Recombinaci6n
b) Tiempo de vida d) Valencia
14. Al electrn de valencia de un conductor se le denomina tambin por
a) Electrn ligado
b) Electrn libre
c) Ncleo
d) Protn
15. cuntos tipos de flujo de portadores presenta un Conductor?
a) 1
c) 3
b) 2
d) 4
16. Cuntos tipos de flujo de portadores presenta un Semiconductor?
a) 1
c) 3
b) 2
d) 4
17. Cuando se aplica una tensi6n a un semiconductor, 10s huecos circulan
a) Distancindose del potencial negativo
b) Hacia el potencial positivo
c) En el circuito externo
d) Ninguna de las anteriores
18. Cuntos huecos presenta un conductor?
a) Muchos
b) Ninguno
c) solos los producidos por la energa trmica
d) El mismo nmero que de electrones libres.
19. En un semiconductor intrnseco, el nmero de Electrones libres es:
a) Igual a1 nmero de huecos
b) Mayor que el nmero de huecos
c) Menor que el nmero de huecos
d) Ninguna de las anteriores
20. La temperatura de cero absoluto es igual a
a) -273 C
c) 25 C
b) 0 C
d) 50 C.
21. A la temperatura de cero absoluto un semiconductor
Intrnseco presenta
a) Pocos electrones libres
b) Muchos huecos
c) Muchos electrones libres
d) Ni huecos ni electrones libres
22. A temperatura ambiente un semiconductor intrnseco
Tiene:
a) Algunos electrones libres y huecos
b) Muchos huecos
c) Muchos electrones libres
d) Ningn hueco
23. El nmero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrnseco
aumenta cuando la temperatura:
a) Disminuye
b) Aumenta
c) Se mantiene constante
d) Ninguna de las anteriores
24. El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda
Significa que 10s huecos circulan hacia
a) La izquierda
b) La derecha
c) En cualquier direccin
d) Ninguna de las anteriores
25. Los huecos se comportan como
a) tomos
b) Cristales
c) Cargas negativas
d) Cargas positivas
26. cuantos electrones de valencia tienen 10s tomos
Trivalentes?
a) 1
b) 3
c) 4
d) 5
27 Qu nmero de electrones de valencia 'tiene un
atom0 donador?
a) 1 c) 4
b) 3 d) 5
28. Si quisiera producir un semiconductor tipo p,
Qu empleara?
a) tomo aceptador
b) tomos donadores
c) Impurezas pentavalentes
d) Silicio
29. Los huecos son minoritarios en un semiconductor
tip0
a) Extrnseco c) Tipo n
b) Intrnseco d) Tipo p
30. Cuntos electrones libres contiene un semiconductor
tip0 p?
a) Muchos
b) Ninguno
c) Solo los producidos por la energa trmica
d) El mismo nmero que de huecos
31. La plata es el mejor conductor. Cul es el numero
de electrones de valencia que tiene?
a) 1 c) 18
b) 4 d) 29
32. Si un semiconductor intrnseco tiene un billn
de electrones libres a la temperatura ambiente,
Cuntos presenta a la temperatura de 75 C?
a) Menos de un billn
b) Un billn
c) ms de un billn
d) Imposible de contestar
33. Una fuente de tensin es aplicada a un semiconductor
tipo p. Si el extremo izquierdo del cristal es positivo, en que sentido circulan 10s
portadores mayoritarios?
a) Hacia la izquierda
b) Hacia la derecha
c) En ninguna diiecci6n
d) Imposible de contestar
34. Cules de las siguientes conceptos est6 menos relacionado
con los otros tres?
a) Conductor
b) Semiconductor
c) Cuatro electrones de valencia
d) Estructura cristalina
35. Cules de las siguientes temperaturas es aproximadamente
Igual a la temperatura ambiente?
a) 0 C
c) 50 C
b) 25 C
d) 75 C
36. Cuantos electrones hay en la orbital de valencia
de un homo de silicio dentro de un cristal?
a) 1
c) 8
b) 4
d) 14
37. Los iones positivos son 6tomos que
a) Han ganado un protn
b) Han perdido un protn
c) Han ganado un electrn
d) Han perdido un electrn
38. Cul de los siguientes conceptos describe un semiconductor
tipo n?
a) Neutro
b) Cargado positivamente
c) Cargado negativamente
d) Tiene muchos huecos
39. Un semiconductor tipo p contiene huecos y
a) Iones positivos
b) Iones negativos
c) tomos pentavalentes
d) tomos donadores
40. cul de los siguientes conceptos describe un semiconductor
tipo p?
a) Neutro
b) Cargado positivamente
c) Cargado negativamente
d) Tiene muchos electrones libres
41. Cul de los siguientes elementos no se puede
Mover?
a) Huecos
b) Electrones libres
c) Iones
d) Portadores mayoritarios
42. La que se debe la zona de deplexin?
a) Al dopaje
b) A la recombinacin
c) A la barrera de potencial
d) A 10s iones
43. La barrera de potencial de un diodo de silicio a
temperatura ambiente es de:
a) 0,3 V
b) 0,7 V
c) 1 V
d) 2 mV por C
44. Para producir una gran comente en un diodo de
silicio polarizado en directa, la tensi6n aplicada
debe superar
a) OV
c) 0,7 V
b) 0,3 V d) 1 V
45. En un diodo de silicio la corriente inversa es nor- .
malmente:
a) Muy pequea
b) Muy grande
c) Cero
d) En la regin de ruptura
46. La corriente superficial de fugas es parte de
a) La corriente de polarizacin directa
b) La comente de ruptura en polarizacin directa
c) La comente inversa
d) La comente de ruptura en polarizacin inversa.
47. La tensin que provoca el fundamento de avalancha
es
a) La barrera de potencial
b) La zona de deplexin
c) La tensi6n de cod0
d) La tensi6n de ruptura
48. La difusin de electrones libres a travs de la
unin de un diodo produce:
a) Polarizacin directa
b) Polarizacin inversa
c) Ruptura
d) La zona de deplexin
49. Cuando la tensin inversa crece de 5 V a 10 V, la
zona de deplexin:
a) Se reduce c) No le ocurre nada
b) Crece
d) Se rompe
50. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinaci6n
de electrones libres y huecos puede
Producir:
a) Calor
b) Luz
c) Radiacin
d) Todas las anteriores
51. Si aplicamos una tensi6n inversa de 20 V a un
diodo, la tensi6n en la zona de deplexin serie de
a) 0 V
b) 0,7 V
c) 20 v
d) Ninguna de las anteriores
52. Cada grado de aumento de temperatura en la
unin decrece la barrera de potencial en
a) 1 mV c) 4 mV
b) 2mV
d) 10 mV
53. La comente inversa de saturacin se duplica
cuando la temperatura de la unin se incrementa
a) 1 C
b) 2 C
c) 4 C
|d) 10 C
54. La comente superficial de fugas se duplica cuando
la tensin inversa aumenta:
a) 7 por 100
b) 100 por 100
C) 200 por 100
d) 2mV
-> pginas de 89-90
l. Cuando la representacin de la comente en funcin
de la tensin es una lnea recta, el dispositivo
se conoce como
a) Activo
b) Lineal
c) No lineal
d) Pasivo
2. Qu clase de dispositivo es una resistencia?
a) Unilateral
b) Lineal
C) NO lineal
d) Bipolar'
3. Qu clase de dispositivo es un diodo?
a) Bilatera
b) Lineal
c) No lineal
d) Unipolar
4. Cmo est polarizado un diodo que no conduce?
a) Directamente
b) Alreves
c) Insuficientemente
d) Inversamente
5. Cuando la comente por el diodo es grande, la
Polarizacin es:
a) Directa
b) Alreves
c) Escasa
d) Inversamente
6. La tensin umbral de un diodo es aproximadamente
Igual a:
a) La tensin aplicada
b) La barrera de potencial
c) La tensin de ruptura
d) La tensin con polarizacin directa
7.- La corriente inversa consiste en la corriente de
Portadores minoritarios y
a) La comente de avalancha
b) La comente con polarizaci6n directa
c) La comente superficial de fugas
d) La comente Zener
8.-En la segunda aproximacin, Qu tensin hay en
un diodo de silicio polarizado en directo?
.a) OV
b) 0,3 V
c) 0,7 V
d) 1V
9.-En la segunda aproximaci6n, iquC comente hay
en un diodo de silicio polarizado en inversa?
a) 0
b) 1mA
c) 300 mA
d) Ninguna de las anteriores
10.En la aproximacin ideal, cul es la tensin en
el diodo polarizado en directa?
a) 0 V
b) 0,7 V
c) Mayor que 0,7 V
d) 1 v
11.La resistencia interna de un 1N4001 es
a) 0 homs
C) 10 homs
b) 0,23 homs d) 1 homs
12.Si la resistencia interna es nula, la curva por encima
de la tensin umbral es
a) Horizontal
b) Vertical
c) Inclinada 45"
d) Ninguna de las anteriores
13. El diodo ideal es generalmente adecuado para
a) Deteccin de averas
b) Hacer clculos precisos
c) Cuando la tensin de la fuente es pequea
d) Cuando la resistencia de carga es pequea
14. La segunda aproximacin funciona bien para
a) Detecci6n de averas
b) Cuando la resistencia de carga es grande
c) Cuando la tensin de la fuente es grande
d) Todas las anteriores
15. La nica ocasin en la que es necesario utilizar la
Tercera aproximaci6n es cuando
a) La resistencia de carga es pequea
b) La tensi6n de la fuente es muy grande
C) Se detectan averas
d) Ninguna de las anteriores
16. Cul es la corriente en el circuito de la Figura
3-19 si el diodo es ideal?
a) 0
c) 15 mA
b) 14,3 rnA
d) 50mA
. . Figura 3-19
17. Cul es la corriente en el circuito de la Figu- .
ra 3-19 si se emplea la segunda aproximacin?
a) 0
b) 14,3 mA
c) 15 mA
d) 50mA
18. Cul es la corriente por la resistencia de carga
en la Figura 3-19 si se emplea la tercera aproximacin?
a) 0
c) 15 mA
b) 14,3 mA
d) 50 mA
19. Si el diodo est abierto en la Figura 3-19, la tensin
en la carga es
a) 0
C) 20 v
b) 14,3 V
d) -15 V
20. Si la resistencia de la Figura 3-19 no estuviese
Puesta a masa, la tensin medida entre la parte
Superior de la resistencia y la masa sera de
a) OV
c) 20 V
b) 14,3 V
d) , -15 V
21. La tensin en la carga es cero en la Figura 3-19.
El problema puede deberse a
a) Un diodo en cortocircuito
b) Un diodo abierto
c) Una resistencia de carga abierta
d) Demasiada tensin de la fuente de alimentacin
-> paginas 146- 147
1. Si N,IN, = 2 y la tensin en el primario es de
120 V, Cul es el valor de la tensi6n en el secundario?
a) 0 V
c) 40 V
b) 36 V
d) 60 V
2. En un transformador reductor, magnitud es
Mayor?
a) Tensi6n en el primario
b) Tensin en el secundario
c) Ninguno de 10s dos
d) No hay respuesta posible
3. Un transformador tiene una relaci6n de espiras
De 4 : 1. cul es la tensin de pico en el secundario
si se aplican 115 V ms a1 arrollamiento
Primario?
a) 40,7 V
c) 163 V
b) 64,6 V
d) 650 V
4. Con una tensi6n rectificada en media onda en la
resistencia de carga, durante que parte de un ciclo
Circula comente por la carga?
a) 0
c) 180
, b) 90
d) 360
5. Suponga que en un rectificador de media onda la
tensi6n de red puede fluctuar entre 105 y 125 V
rms. Con un transformador reductor 5 : 1, la tensi6n
de pico en la carga es aproximadamente de
a) 21 V
c) 29,6V
b) 25 V
d) 35,4V
6. La tensi6n que se obtiene de un puente rectificador
Es:
a) Una seal de media onda
b) Una seal de onda completa
c) Una seal de puente rectificador
d) Una onda sinusoidal
7. Si la tensi6n de red es de 115 V rms, una relaci6n
de espiras de 5 : 1 significa que la tensin en el
secundario es aproximadamente
a) 15 V
b) 23 V
c) 30 V ,
d) 35 V
8. Cul es la tensi6n de pic0 en la carga en un rectificador
de onda completa si la tensi6n del secundario es de 20 V rms?
a) OV
c) 14,l V
b) 0,7 V
d) 28,3 V
9. Se desea que un puente rectificador proporcione
una tensin de pic0 en la carga de 40 V. cul es el valor rms aproximado de la
tensin en el secundario?
a) OV
b) 14,4 V
c) 28,3 V
d) 56,6 V
10. Si a una resistencia de carga se le aplica una tensi6n
Rectificada de onda completa, Durante que
Parte de un ciclo circula comente por la carga?
a) 0
c) 180
b) 90
d) 360
11 tensi6n de pic0 en la-carga se obtiene de un
Puente rectificador si la tensin en el secundario
es de 15 V rms? (Emplee la segunda aproximacin.)
a) 9,2 V
b) 15 V
c) 193 V
d) 24,3 V
12. Si la frecuencia de red es de 50 Hz, la frecuencia
de salida de un rectificador de media onda es:
a) 25 Hz
c) lOO Hz,
b) 50 Hz
d) 200 Hz
13. Si la frecuencia de red es de 50 Hz, la frecuencia
de salida de un puente rectificador es
a) 25 Hz c) 100 Hz
b) 50 Hz d) 200 Hz
14. Con la misma tensi6n en el secundario y el mismo
filtro, jcu6l de 10s siguientes elementos produce
ms rizado?
a) Un rectificador de media onda
b) Un rectificador de onda completa
c) Un puente rectificador
d) Imposible saberlo
15. Con la misma tensi6n del secundario y el mismo
filtro, Cul de 10s siguientes factores produce la
Menor tensin en la carga?
a) Un rectificador de media onda
b) Un rectificador de onda completa
c) Un puente rectificador
d) Imposible saberlo
16. Si la comente por la carga, filtrada, es de 10 rnA,
Cul de 10s siguientes rectificadores tiene una
Corriente de diodo de 10 mA?
a) Un rectificador de media onda
b) Un rectificador de onda completa
c) Un puente rectificador
d) Imposible saberlo
17. Cul es la tensin pico a pico del rizado que se
obtiene de un puente rectificador, si la corriente
Por la carga es de 5 mA y la capacidad del filtro
vale 1.000 pF?
a) 21,3pV
c) 21,3 mV
b) 56,3 nV
d) 41,7mV
18. Cada uno de 10s diodos de un puente rectificador
tiene una limitaci6n de mxima corriente continua
igual a 2 A. Esto significa que la comente continua
por la carga puede tener un valor mximo de
a) 1 A
c) 4 A
b) 2 A
d) 8A
19. cul l es el VIP en cada uno de 10s diodos de un
Puente rectificador si la tensin en el secundario
Es de 20 V rms?
a) 14,l V
c) 28,3 V
b) 20 V
d) 34 V
20. Si en un puente rectificador con filtro con condensador
a la entrada la tensin en el secundario
Aumenta, entonces la tensin en la carga
a) Disminuye
b) Se mantiene constante
c) Aumenta
d) Ninguna de las anteriores
21. Si la capacidad del filtro aumenta, entonces el
Rizado
a) Disminuye
b) Se mantiene constante
c) Aumenta
d) Ninguna de las anteriores
Respuestas
Captulo 2
2-1. -3
2-3. a) Semiconductor. 6) Conductor. c) Semiconductor.
d ) Conductor.
2-5. a) Tipo p. h) Tipo n. c)
Tipo p. d) Tipo n. e) Tipo p.
2-7. 1,77. nA y 320 nA.
2-9. 0.53 FA; 4.47 FA.
Captulo 3
3-1. 182 mA. 3-3.500 mA. 3-5. I0 mA. 3-7. 16 mA.
3-9. 19,3 mA, 19,3 V. 373 mW. 13,5 mW, 386 mW.
3-11.30,4 mA, 14,3 V, 435 mW, 21,3 mW, 456 mW.
3-13. 15 V, 0 mA. 3-17. l5,2 mA. 3-19. Abierto..3-21.
La resistencia est abierta, el diodo esto en cortocircuito,
etc. 3-23. No hay tensin de alimentacin, R, esta
Abierta, R? esto en cortocircuito, conexin abierta entre
la tensin de alimentacin y la unidad medida. 3-25.
Banda del ctodo; la flecha del diodo apunta hacia esta
Banda. 3-27. 1 N914: R, = 100 R, R, = 800 MQ;
1N4001:RF= 1.1 Q. R,=S MQ; lNll85: R,=0,095
R. R, = 21,7 kR. 3-29. 23 kR. 3-31. 4,47 PA. 3-33.
Cuando la fuente de 15 V es normal, el diodo superior
conduce produciendo una tensi6n en la carga de 14,3 V.
Durante esta parte del funcionamiento normal, el diodo
inferior est abierto. Si falla la fuente de 15 V, el
diodo superior se abre. Entonces la batera obliga a1
diodo inferior a conducir. 3-35. La fuente de tensi6n
no cambia, pero todas las dems variables decrecen.
3.37- &, V,. VC, 11, 12, PI, P2; como R es tan grande no tiene efecto en el divisor
de tensin; por tanto, las variables asociadas con el divisor de tensin no cambian.
CAPITULO 4
4-1.70,7 V. 22.5 V.
4-3.70,O V. 22.3 V, 22.3 V.
4-5.VAC. 11.3 V pico.
4-7. 21.21 V. 6,74 V.
4-9. 10 V.14.14 V.
4-11. 11.42 V. 7.26 V.
4-13. 19.81 V, 12.60V.
4-15.0.1 V.
4-17.21,2 mV. 752 mV.
4-19. Reducido
a la mitad.
4-21. 18,85 V, 334 mV.
4-23. 18.85 V.
4.-25. 17.8 V: 17.8 V: no: mayor.
4-27.9.28 mA.
4-29.
18,85 V.
4-31.0.7 V.-5OV.
4-33. 1.4V,-1,4V.
4-35.2.62 V.
4-37. 0.7 V. -89.7 V.
4-39. 3393,6 V.
4-41.4746.4 V.
4-43. 4.51 A.
4-45. 21.21 V. 10,6 V.
