UNIDAD TEMTICA No.

3
EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
A los dispositivos que se construyen con combinaciones de bloques formados
de semiconductores N y P se les llama genricamente transistores (de:
Transfer Resistor).
Durante 1945 a 1949 el grupo de la compaa Bell desarroll la teora de los
transistores, la verific experimentalmente y fueron construidos diodos y
triodos.
En el ao de 1956 Bardeen, Shockley y Brattain recibieron el Premio Nobel de
Fsica por el brillante trabajo que desemboc en la invencin del transistor.
Hemos de mencionar que Bardeen recibi en 1972 nuevamente el Premio
Nobel de Fsica, ahora en compaa de J. R. Schrieffer y L. N. Cooper, por
haber desarrollado la teora de la superconductividad.
Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vaco:
En primer lugar, para que funcione un tubo al vaco su ctodo debe
calentarse, y esto se logra pasando una corriente por un filamento cercano a l.
El voltaje tpico que se requiere para lograr esto es de 250 V. Una vez
conectado este voltaje se necesita esperar determinado tiempo hasta que se
caliente el ctodo.
Por tanto, cualquier aparato que use tubos al vaco no funciona
inmediatamente despus de haberse conectado.
El transistor no requiere este calentamiento, por lo que empieza a funcionar
inmediatamente despus de su conexin. En consecuencia, el uso de un
transistor en lugar de tubos al vaco ahorra mucha energa, y por tanto, resulta
ms econmico.
En segundo lugar, la respuesta del transistor a seales de frecuencias
muy altas es muy efectiva, lo cual no ocurre con los tubos al vaco.
Como el tamao de un transistor es mucho menor que el de los tubos al vaco,
con l se inici la miniaturizacin de los aparatos electrnicos.
El invento del transistor abri una nueva era en la civilizacin moderna, ya que
se le pudo utilizar de manera muy general en una gran variedad de aparatos.
En las dcadas de 1950 y 1960 se construyeron radios, computadoras
electrnicas, aparatos de control industrial, etc., que gracias a los transistores
adquirieron un tamao relativamente pequeo, porttiles, con necesidades de
energa muy reducidos y de larga vida.
En gran medida, en las dcadas mencionadas los transistores sustituyeron a
los tubos al vaco. Sin embargo, para ciertas aplicaciones muy especficas los
tubos han tenido ventajas sobre los transistores. As, se emplean para
transmisores de radio de potencia alta y mediana, para amplificadores de
microondas y osciladores, para tubos de rayos catdicos como los que se usan
en los televisores, monitores, pantallas de diversos aparatos, en equipos
profesionales de audio, etctera.

REPRESENTACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Los siguientes esquemas muestran la representacin del transistor en su forma
de construccin y smbolo circuital. El transistor PNP se puede interpretar como
dos diodos unidos por su ctodo. El transistor NPN se puede interpretar como
dos diodos unidos por su nodo. Estas representaciones permiten idear la
forma de probar el buen estado del transistor midiendo las uniones con un
multmetro.
Sus terminales son denominados:
E = Emisor (ingresa las cargas al dispositivo)
C = Colector (recibe las cargas que provienen del emisor)
B = base (controla el flujo de cargas al colector)
Para obtener el efecto amplificador del transistor se hace que la base sea
angosta en comparacin con las regiones de colector y emisor. Adicionalmente,
la concentracin de impurezas es menor en la base para lograr que las
regiones de transicin sean mayores en ella, lo cual permite reducir su ancho
efectivo y aumentar la ganancia.
P

N
C

C
PNP

NPN

Esquemas del transistor bipolar

REGIONES DE TRABAJO EN EL TRANSISTOR BIPOLAR:
Como el BJT posee dos uniones P-N y sabemos que ellas pueden ser
polarizadas en forma directa o inversa, surgen 4 formas posibles de
polarizacin, las cuales se indican en la siguiente tabla:
Je = Juntura de emisor
PD = Polarizacin directa
Jc = Juntura de colector
PI = Polarizacin inversa

TENSION Je
VEB > 0, PD
V
CB

>
0
VEB < 0,
V

TRANSISTOR PNP
Jc
ZONA
CARACTERISTICA
PD SATURACIN Se comporta como
interruptor
cerrado

PI

PI

CORTE

Se comporta como
interruptor
abierto

PD

PI

ACTIVA

Se comporta como
amplificador

PI

PD

ACTIVA

CB

<
0
VEB > 0,
V
CB

<
0
VEB < 0,
V

INVE
RSA

CB

>
0

TENSION Je
VBE > 0, PD
V
BC

>
0
VBE < 0,
V

TRANSISTOR NPN
Jc
ZONA
CARACTERISTICA
PD SATURACIN Se comporta como
interruptor
cerrado

PI

PI

CORTE

Se comporta como
interruptor
abierto

PD

PI

ACTIVA

Se comporta como
amplificador

PI

PD

ACTIVA

Se comporta como
amplificador
con
muy
baja
ganancia

BC

<
0
VBE > 0,
V

Se comporta como
amplificador
con
muy
baja
ganancia

BC

<
0
VBE < 0,
V
BC

>
0

INVE
RSA

 Las zonas de corte y saturacin son empleadas comnmente en los

circuitos digitales.
La zona activa se emplea comnmente en circuitos analgicos debido a
que ah el transistor puede amplificar seales.
La zona activa inversa se emplea tambin en algunos tipos de circuitos
digitales, tales como las compuertas lgicas TTL
Modelo matemtico del transistor bipolar:
Uno de los modelos muy usados en el anlisis de circuitos es el de Ebers-Moll.
Como el transistor es formado por dos uniones P-N, las ecuaciones tienen la
forma de la del diodo, tanto para la unin de emisor como la de colector:
IE = [IEBO / (1 - NI)](VBE/VT- 1) + [IICBO / (1 - NI)](VBC/VT- 1)
IC = [NIEBO / (1 - NI)](VBE/VT- 1) - [ICBO / (1 - NI)](VBC/VT- 1)
Adems, se tiene mediante las leyes de Kirchhoff:
IE = IB + IC
VCE = VCB + VBE
En la zona activa las ecuaciones de Ebers-Moll se reducen a:
IE = [IEBO / (1 - NI)]VBE/VT - [IICBO / (1 - NI)]
IC = [NIEBO / (1 - NI)]VBE/VT + [ICBO / (1 - NI)]
Definiendo:
= N / (1 - N)
Se llega a la siguiente ecuacin para IC:
IC = IB + (1 + )ICBO
Curvas del transistor bipolar:
El transistor posee un conjunto de curvas que representan la relacin entre sus
corrientes y tensiones externas.
Curva de transferencia:
Se emplea como entrada la juntura base-emisor. Por ello, las curvas de entrada
tendrn mucha similitud con la curva del diodo. En realidad son una familia de
curvas que dependen de la tensin colector-emisor, pero se considera una sola
porque tienden a estar muy juntas.
En la siguiente grfica se le muestra:

CURVA DE TRANSFERENCIA DEL TRANSISTOR

0.09
0.08
0.07
0.06

IE

0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0

10

15

20

25

VBE / VT

CURVAS DE SALIDA:
Las curvas ms usadas son la que relacionan I C vs VCE usando como parmetro
la corriente de base (IB)

Vemos que posee varias zonas de operacin:

En la zona de saturacin, acta como interruptor cerrado (tensin pequea,
corriente alta)
En la zona de corte, acta como interruptor abierto (tensin alta, corriente
pequea)
En la zona activa acta como amplificador, Para seales de entrada pequea
se comporta linealmente.
En la zona de ruptura maneja tensiones y corrientes altas, con una gran
disipacin de potencia. Comnmente se evita trabajar en esta zona para evitar
la destruccin del transistor.
El punto de operacin:
Dado que el BJT posee varias zonas de trabajo, es necesario darle una
coordenada en base a tensiones y corrientes constantes para ubicarlo en una
de ellas. A esta coordenada se le denomina punto de operacin (Q).

En nuestro curso estudiamos su uso como amplificador. Por ello, debemos

ponerlo en la zona activa. Sabemos que, en este caso, debe tener su unin
base-emisor polarizada directamente y su unin base-colector polarizada
inversamente.
A este proceso, de darle un punto de operacin, se le llama polarizacin.
Mtodos de polarizacin. Comparacin entre los diferentes mtodos:
A continuacin veremos diferentes formas de polarizar al transistor.
VBC

RC

VCB

RB

RC
RB

NPN

PNP

VBE

VEB

POLARIZACIN BASICA
RB Y RC limitan las corrientes que circulan en el transistor. Este mtodo
requiere dos fuentes y por ello no es prctico.
Los mtodos prcticos son los siguientes:
Polarizacin fija:
Este mtodo es sencillo, fcil de disear y utiliza slo una fuente. Su
inconveniente est en que el punto de operacin vara mucho con la
temperatura, es decir, no tiene estabilidad. Esto se debe a la gran sensibilidad
de los semiconductores a los cambios de temperatura.
Para poder hacer buenos amplificadores, un requisito es que el punto de
operacin tenga estabilidad trmica.
RB

RC

RB

RC

VCC
NPN

VCC
PNP

POLARIZACIN FIJA

Polarizacin Colector-Base:
Este mtodo es un poco ms complejo que el anterior, pero posee mejor
estabilidad. Tambin utiliza una sola fuente.

RC

RB

RC

RB
VCC

VCC

NPN

PNP

POLARIZACIN COLECTOR-BASE
Autopolarizado:
Este mtodo es muy usado porque posee muy buena estabilidad trmica,
aunque su diseo es ms complejo.
R1

RC

R1
VCC

NPN

R2

RC

PNP

RE

R2

VCC

RE

AUTOPOLARIZADO

Obsrvese que en el caso de transistores PNP, la fuente de alimentacin y las

corrientes estn invertidas respecto al NPN.
Los mtodos anteriores permiten otras formas basadas en combinaciones entre
ellos:
RB

RC

RB

RC

RC

RB

VCC

NPN

VCC
PNP

RE

RC

RB

VCC

RE

NPN

VCC

PNP

RE

RE

METODOS ALTERENATIVOS

Polarizacin mediante fuentes de corriente:

Estos mtodos son muy usados, especialmente en circuitos integrados, porque
permiten economizar espacio, muy buena estabilidad y lograr la mxima
amplificacin.

RC

RC

RB
IC

VCC

NPN

PNP

VCC
IE

NPN

VCC
VCC

PNP
RE

IE

IE

RB

RE

POLARIZACION CON FUENTE DE CORRIENTE

Estabilizacin del punto de operacin:

Como ya se ha mencionado, es necesario que el punto de operacin sea
constante y no vare por efectos de la temperatura, rizado de la fuente de
alimentacin, cambio de los parmetros del transistor, etc.
Las tcnicas que permiten estabilizar el punto de operacin pueden clasificarse
en dos categoras:
1) Tcnicas de estabilizacin: Utilizan circuitos de polarizacin resistivos que
mantienen IC relativamente constante ante variaciones de I CBO, VBE y .
2) Tcnicas de compensacin: Utilizan dispositivos sensibles a la
temperatura como termistores, transistores, diodos, etc. que entregan
corrientes y tensiones de compensacin que mantienen al punto de operacin
prcticamente constante.
Tcnicas de estabilizacin:
El punto de operacin de un transistor puede variar por cambios sufridos en la
corriente inversa de la juntura ColectorBase (I CBO), por las variaciones de la
tensin Base-Emisor (VBE), la ganancia (), variaciones de la fuente de
alimentacin, los componentes del circuito.
La variacin de la corriente de colector debido a estos parmetros podemos
expresarla aproximadamente por:
IC = SI ICBO + SV VBE + S + SVCC VCC + SR1R1 + ....
SI = Factor de estabilidad de corriente.
SV = Factor de estabilidad de tensin.
S = Factor de estabilidad de ganancia.
SVCC = Factor de estabilidad de la fuente.
SR1 = Factor de estabilidad de la resistencia R1.
IC = Variacin total de la corriente de colector.
ICBO = Variacin total de la corriente ICBO
VBE = Variacin total de la tensin Base-Emisor
= Variacin total de ganancia de corriente
VCC = Variacin total de fuente de alimentacin.
R1 = Variacin total de resistencia R1
Cada factor de estabilidad puede determinarse asumiendo que las dems
variables Se mantienen constantes.

El factor de estabilidad SI se obtiene con la siguiente ecuacin:

SI = IC / ICBO ,
cuando: VBE = 0 y = 0
Mientras ms grande es SI, el punto de operacin es ms inestable. El mnimo
valor posible de SI es 1.
Los circuitos que estabilizan el punto de operacin respecto a variaciones de
ICBO, tambin se comportan satisfactoriamente ante variaciones de V BE, , etc.
Por ello, basta obtener un buen factor de estabilidad S I.
La ecuacin general que gobierna la corriente de colector del transistor es:
IC = IB + (1 + ) ICBO
Derivando respecto a IC obtenemos:
SI = (1 + ) / (1 dIB / dIC)
De esta ecuacin concluimos que para valores grandes de , SI se aproxima a
la unidad.
El trmino dIB / dIC se obtiene a partir del circuito que utilicemos. Para el clculo
de SI se considera que VBE, , etc. no varan.
Tomemos como ejemplo el circuito autopolarizado, cuyo equivalente de
thevenin se encuentra a continuacin:
R1

RC
RBB

VCC

NPN
R2

RC

RE

VCC

NPN
VBB

RE

RBB = R1//R2
VBB = VCC R2/(R1 + R2) = VCC RBB/R1

En la malla Base-Emisor podemos plantear la siguiente ecuacin:

VBB = IB RB + VBE + (IC + IB) RE
Derivando esta ecuacin respecto a IC:
dIB / dIC = - (Re / (Re + RBB))
Reemplazando en la ecuacin de SI obtenemos:
SI = (1 + RBB / Re) / (1 + (RBB / (1 + )Re))
Si hacemos: RBB = (1 + ) Re / 10, tendremos: SI = (11 + ) / 11
Para un valor de = 50 , se tiene: SI = 5.55; el cual es un buen factor, siendo 3
el valor ptimo. Tambin observamos que si es ms grande, el factor de
estabilidad empeora. Por ejemplo, si: = 100, S I = 10.1. En este caso el factor
de estabilidad ha aumentado y tendremos que elegir otra relacin de R BB con
RE para mantener SI pequeo.
Tcnicas de compensacin:
Para obtener mejor regulacin y compensacin de temperatura con la red
resistiva, se puede conectar un diodo entre las base y referencia de los
transistores. Estos diodos deben elegirse cuidadosamente para permitir la

exacta cada de voltaje necesaria. Pero, si esta polarizacin cambia con la

edad del equipo, la polarizacin tambin sufrir cambios.
Si por cualquier motivo (variacin de temperatura ambiente, calentamiento del
transistor, etc.) la temperatura del transistor vara, esto causa una variacin de
la tensin base-emisor (aproximadamente 2.5mV/C).
Una forma de evitar estos efectos indeseables es haciendo que la tensin de
polarizacin vare de manera similar a la variacin de V BE con la temperatura, lo
cual se logra colocando, en paralelo con R2, un termistor NTC (Negative
Temperature Coefficient) de similar coeficiente de temperatura que el diodo
base-emisor. De esta forma la tensin en el termistor disminuir del mismo
modo como VBE disminuye manteniendo siempre la corriente de colector
(proporcional a la corriente de base) en un valor casi constante.
A continuacin se muestran formas tpicas de polarizacin con compensacin
de temperatura. En la figura a se coloca una resistencia en paralelo con el
termistor con el fin de aproximar el coeficiente de temperatura equivalente al
del diodo base-emisor.
En la figura b es mostrada la polarizacin por diodo, estos trabajan polarizados
en sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de temperatura que el
correspondiente al diodo base-emisor del transistor.
Se aumenta mucho ms la estabilidad contra variaciones de temperatura
colocando un resistor en el emisor del transistor (figuras a, b y c).
R1

RC

R1

RC

VCC

R1

RC

VCC

NPN

VCC

NPN

NPN

R2
RE

R2

RE

Q2

RE

(a)
(b)
(c)
La compensacin puede hacerse ms efectiva cuando se emplea un transistor
regulador. Dado que el punto de operacin es difcil de mantener, podemos
usar un transistor regulador de voltaje y lograr controlar fcilmente al punto de
operacin ajustndolo mediante un potencimetro.
En la figura c el transistor Q2 se encarga de controlar en forma precisa el punto
de operacin del transistor principal, actuando como regulador. Tambin
compensa automticamente contra variaciones de temperatura.
Rectas de carga: Recta de carga DC. Recta de carga AC.
Para el estudio de los circuitos utilizamos las leyes de Kirchhoff y la ley de
Ohm.
En el siguiente circuito usado como amplificador:

R1

RC

VCC
R2

Vg

RE

CE

La corriente de colector est formada por la corriente del punto de operacin y

la corriente de seal:
IC = ICQ + ic
En forma anloga para la tensin:
VCE = VCEQ + vce
Planteando la ley de Kirchhoff en la malla colector-emisor:
VCC + 0 = ICQ RC + VCEQ + IEQ RE + ic RC + vce
Aqu se han considerado muy pequeas las reactancias de los condensadores
a la frecuencia de la seal.
Los 3 primeros trminos de la derecha son DC y se cumple:
VCC = ICQ (RC + (1 + 1 /)RE) + VCEQ
Y recibe el nombre de Recta de carga esttica (o DC)
Los 2 trminos siguientes de la derecha son AC y se cumple:
0 = + ic RC + vce
Y recibe el nombre de Recta de carga dinmica (o AC)
Lo anterior indica que podemos estudiar al amplificador slo en DC y
luego slo en AC.
Estas ecuaciones pueden ser graficadas en las curvas de salida del transistor y
son un par de rectas.
Configuraciones del transistor: Emisor comn, colector comn y base
comn.
El transistor posee 3 terminales y podemos considerarlo como un cuadripolo,
siempre que tomemos un terminal comn a la entrada y a la salida, como se
observa en las siguientes figuras.
ic
ib
B

ie
C

+
vce
-

+
vbe
-

ie
ib

C
+
vcb
-

+
veb
E

EMISOR COMUN

ic

E
+
vec
-

+
vbc
-

BASE COMUN

COLECTOR COMUN

En cada una de ellas el transistor posee diferentes propiedades, por lo que es

necesario estudiarlas.
En emisor comn (EC):
La entrada es la unin base-emisor y la corriente de base.
La salida es entre colector-emisor y la corriente de colector.
En base comn (BC):
La entrada es la unin emisor-base y la corriente de emisor.
La salida es en la unin colector-base y la corriente de colector.

En colector comn (CC):

La entrada es la unin base-colector y la corriente de base.
La salida es entre emisor-colector y la corriente de emisor.
Modelos de baja frecuencia y pequea seal del transistor:
Cuando trabaja en la zona activa, con seales pequeas, el transistor puede
ser representado por un modelo de cuadripolo lineal. Esto podemos explicarlo
en la siguiente forma:
IE = [IEBO / (1 - NI)]VBE/VT = IESVBE/VT
IC = IEsVBE/VT
Si:
VBE = VBEQ + vbe
VBEQ = Tensin DC del punto de operacin
vbe = Tensin de seal
Reemplazando en Ic:
Ic = Ies e(VBEQ + vbe) / VT = Ies eVBEQ / VT e vbe / VT
Si vbe es pequea seal: Ic = IEQ e vbe / VT
El desarrollo de la exponencial en series de potencia es:
x = 1 + x/1! + x2/2! + x3/3! + .....
Si se cumple:
x = vbe / VT << 1, la exponencial se puede representar por
una recta y el transistor tendr un comportamiento lineal:
e vbe / VT = 1 + vbe / VT
Reemplazando:
Ic = IEQ (1 + vbe / VT) = IEQ + IEQ vbe / VT = ICQ + gm vbe
Donde:

gm = transconductancia para pequea seal = I EQ / VT

ICQ = IEQ
Entonces, para seales pequeas el transistor se comporta en forma lineal y
podemos usar la teora de cuadripolos lineales para representarlo.
Para tener operacin con pequea seal, debe cumplirse que la amplitud
mxima de la seal sea mucho menor que VT:
vbe << VT
A temperatura ambiente: vbe << 25.8 mV
Tomando una relacin de 10 1:
vbe 2.6 mV
Cuando trabajemos con seales pico menores o iguales a 2.6 mV, estaremos
trabajando con seales pequeas. Cuando se pueda aceptar un nivel de
distorsin mayor, podremos utilizar ms tensin de seal, pero sin sobrepasar
los 26 mV a temperatura ambiente.
Los modelos de cuadripolos ms usados para representar al transistor son los
de parmetros hbridos (H), los parmetros admitancia (Y), los parmetros
impedancia (Z) y los parmetros K. De estos 4, los ms usados son los
parmetros hbridos y los parmetros admitancia.
MODELO T:
El modelo T se caracteriza porque est basado en la estructura fsica del
transistor y permite expandirse al modelo -hbrido (o de Giacoletto). El
modelo se muestra a continuacin, para el caso de un transistor NPN:

Ib

B Ib

Ib

B Ib
B

Ib

re

E
(A)

(B)

(C)

En la figura (A) se muestra la forma de construccin del transistor. Cuando el

transistor acta como amplificador, debe ser polarizado en la zona activa. Para
ello, la juntura base-emisor debe polarizarse directamente y la juntura basecolector inversamente.
La figura (B) muestra el comportamiento del transistor en El caso indicado
anteriormente. La juntura base- emisor acta como un diodo y presenta
comportamiento no lineal. La juntura base-colector acta como una fuente de
corriente controlada por Ib, la corriente de base.
Si el transistor trabaja con pequea seal, al diodo base emisor podemos
reemplazarlo por su resistencia dinmica, tal como se muestra en la figura (C).
Esta resistencia se puede hallar fcilmente en la misma forma que la del diodo:
re = VT / IEQ
Donde:
VT = Tensin trmica (25.8 mV a temperatura ambiente).
IEQ = Corriente de emisor en el punto de operacin.
Modelo de parmetros admitancia del transistor. Frmulas de conversin de los
parmetros de las tres configuraciones del transistor.
Modelo de parmetros hbridos:
Este modelo se usa bastante en baja frecuencia
Las variables independientes son: La corriente de entrada y la tensin de
salida.
Modelo de emisor comn:

ib

ic

+
vbe
-

+
vce
-

vbe = hie ib + hre vce

ic = hfe ib + hoe vce

notacin matricial:
vbe

hie

hre

ib

ic

hfe

hoe

vce

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros hbridos en emisor

comn es: Dhe = hie hoe hfe hre
Estas ecuaciones pueden ser representadas por un modelo de circuito que
emplea fuentes dependientes, como se muestra a continuacin:
ib
B

ic

hie

+
vbe
-

+
hre vce

+
vce
-

1 / hoe
hfe ib

Modelo de base comn:

ie

ic

+
veb
-

+
vcb
veb = hib ie + hrb vcb
ic = hfb ie + hob vcb

notacin matricial:
veb

hib

hrb

ie

ic

hfb

hob

vcb

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros hbridos en base

comn es: Dhb = hib hob hfb hrb
La representacin con circuito es la siguiente:

ie
E

+
veb
-

ic

hib

+
hrb vcb
-

1 / hob
hfb ie

+
vcb
-

Modelo de colector comn:

ib

ie

+
vbc
-

+
vec
vbc = hic ib + hrc vec
ie = hfc ib + hoc vec

notacin matricial:
vbc

ib
hic
hrc
hrc
ie
vec
hfc
hoc
hoc
El determinante de la matriz cuadrada de parmetros hbridos en colector
comn es: Dhc = hic hoc hfc hrc
La representacin con circuito es la siguiente:
ib
B

ie

hic

+
vbc
-

+
hrc vec

+
vec
-

1 / hoc
hfc ib

Pueden hacerse conversiones de parmetros de una configuracin a otra.

Como el cuadripolo es lineal, sus parmetros no dependen de las variables y
podremos hacer una de las variables cero para calcularlos.
Problema 3.1: Halle Los parmetros hbridos en emisor comn en funcin de
los de base comn.
Modelo en base comn:
ie
E

+
veb
-

ic

hib

+
hrb vcb
-

Lo dibujamos en emisor comn:

1 / hob
hfb ie

+
vcb
-

hfb ie

ib
B

ic
C

hrb vcb

vbe

+
+

1 / hob
hib

vce
-

ie

Las ecuaciones para emisor comn son:

vbe = hie ib + hre vce
ic = hfe ib + hoe vce
Haciendo vce = 0 podemos hallar:
hie = vbe / ib
y
hfe = ic / ib
Efectuando:
hfb ie
ib

ic

B
+
vbe
E

hrb vcb

1 / hob

+
hib

vce = 0
-

ie

En el circuito resultante observamos:

vbe = - veb, vcb = - vbe, ib = - ie - ic

Adems:

- vbe = hib ie + hrb vcb = hib(-ib ic) hrb vbe

vbe = hib(ib + ic) + hrb vbe
(1 hrb)vbe = hib ib + hib ic
........(1)
Tambin:
ic = hfb ie + hob veb = hfb (- ib ic) hob vbe
(1 + hfb)ic = - hfb ib hob vbe ........(2)
Reemplazando 2 en 1:
(1 hrb)vbe = hib ib + hib [ (hfb / (1 + hfb)) ib (hob / (1 + hfb)) vbe
[(1 hrb) (hibhob / (1 + hfb)] vbe = [hib / (1 + hfb)] ib
hib
hib
hie = ----------------------------- = --------1 + hfb hrb + Dhb
Hb
Donde:
Hb =
1 + hfb hrb + Dhb
y
Dhb = hibhob - hrbhfb
A continuacin:
De 2: vbe = - ((1 + hfb) / hob)ic (hfb / hob) ib ................(3)

Reemplazando 3 en 1:
[ - ((1 hrb)(1 + hfb) / hob]ic - (1 hrb)hib ic = [hfb / hob + hib] ib
- (hfb + Dhb)
hfe = ---------------------------1 + hfb hrb + Dhb
Haciendo ib = 0 podemos hallar:
hre = vbe / vce
y
Efectuando:

hoe = ic / vce
1 / hob

ib = 0

ic
-

V3
hrb vcb

+
vbe

C
+

hfb ie

vce

hib

ie

Del circuito obtenemos:

vbe

ie = - ic

vbe = - ie hib hrb vcb

vcb = vce

vce = ic / hob hfb ie/hob + vbe)

vbe = ic hib hrb (vce vbe) ........(4)
(1 + hfb)ic = hob(vce vbe) / (1 + hfb)..........(5)
Reemplazando 5 en 4:
vbe = - hrb vce + hib hob(vce vbe) ....................................(6)
De 6:
Dhb hrb
hre = ---------------Hb
Finalmente,
De 4 y 6:
hob
hoe = ------Hb
Luego:

PROBLEMA 3.2: En el circuito mostrado determine:

a) El valor de hi
b) El valor de hf
c) El valor de hr
V1 = hi I1 + hr V2
I2 = hf I1 + ho V2
100K

I1
+
V1
-

d) El valor de ho

10K

I2

gmV1

100K

+
V2
-

gm = 2mS
Solucin:
a) El valor de hi:
Modelo para hallar hi y hf:
100K

I1
+
V1
-

10K

I2

g mV1

Planteamos ecuaciones:
I1 = V1 / 10K + V1 / 100K
hi = V1 / I1 = 10K //100K = 9.09K

100K

hi = 9.09K

b) El valor de hf:
En el circuito anterior:
I2 = gmV1 V1 / 100K = gm (hi I1) - (hi I1) / 100K
hf = I2/ I1 = gm (9.09K) - (9.09K) / 100K = 9.09K (2mS) 0.091
hf = 18.09
c) El valor de hr:
Modelo para hallar hr y ho:
100K

I1 = 0
+
V1
-

10K

I2

g mV1

100K

+
V2
-

Planteamos ecuaciones:
V1 = V2 (10K) / (10K + 100K)
hr = V1 / V2 = 10K / (10K + 100K) = 0.091
hr = 0.091
d) El valor de ho:
I2 = V2 / 100K + gm V1 + V2 / (100K + 10K) = V2(1 / 100K + 1/110K) + gmhrV2
ho = I2 / V2 = 1 / 100K + 1 / 110K + 0.091(2mS)
ho = 0.20mS
Valores tpicos de los parmetros hbridos:
BASE COMUN
hib = 21.6
hrb = 2.9x10-4
hfb = - 0.98
hob = 0.49x10-6 S

EMISOR COMUN
hie = 1100
hre = 2.5x10-4
hfe = 50
hoe = 25x10-6 S

COLECTOR COMUN
hic = 1100
hrc = 1
hfc = - 51
hoc = 25x10-6S

En la siguiente tabla se muestran las frmulas de conversin de los parmetros

hbridos, de una configuracin a otra:
BASE COMUN

EMISOR COMUN

COLECTOR COMUN

hib
hib = hie / He
hib = hic / Hc

hie = hib / Hb
hie
hie = hic

hic = hib / Hb
hic = hie
hic

hrb
hrb = (Dhe hre) / He
hrb = (1 + hfc) / Hc

hre = (Dhb hrb) / Hb

hre
hre = 1 - hrc

hrc = (1 + hfb) / Hb
hrc = 1 - hre
hrc

hfb
hfb = - (hfe + Dhe) / He
hfb = (hrc 1) / Hc

hfe = - (hfb + Dhb) / Hb

hfe
hfe = - (1 + hfc)

hfc = (hrb - 1) / Hb
hfc = - (1 + hfe)
hfc

hob
hob = hoe / He
hob = hoc / Hc

hoe = hob / Hb
hoe
hoe = hoc

hoc = hob / Hb
hoc = hoe
hoc

Dhb = hib hob hrb hfb

Dhe = hie hoe hre hfe

Dhc = hic hoc hrc hfc

Hb = 1 + hfb hrb +Dhb

He = 1 + hfe hre +Dhe

Hc = 1 + hfc hrc +Dhc

La demostracin de todas estas ecuaciones es un buen ejercicio para practicar

las leyes de Kirchhoff, la ley de Ohm y el funcionamiento de las fuentes
dependientes.
PARAMETROS K:
Este modelo tambin se usa para representar al transistor. Las variables se
definen en forma opuesta que en parmetros hbridos. Es til cuando la
excitacin es con fuente de corriente y la salida es una conexin serie.
Las variables independientes son: La tensin de entrada y la corriente de
salida.
Modelo de emisor comn:
ib = kie vbe + kre ic
vce = kfe vbe + koe ic
notacin matricial:
ib
vce

kie

kre

kfe

koe

vbe
ic

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros k en emisor comn

es:
Dke = kie koe kfe kre
Estas ecuaciones pueden ser representadas por un modelo de circuito que
emplea fuentes dependientes, como se muestra a continuacin:

ib

+
vbe
-

koe

1 / kie

kre ic

kfe vbe

ic

+
vce
-

Modelo de base comn:

ie = kib veb + krb ic
vcb = kfb veb + kob ic
notacin matricial:

ie

kib

krb

veb

vcb

kfb

kob

ic

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros k en base comn

es:
Dkb = kib kob kfb krb
La representacin con circuito es la siguiente:
E
+
veb
-

kob

ie

1 / kib

krb ic

kfb veb

ic

+
vcb
B

Modelo de colector comn:

ib = kic vbc + krc ie
vec = kfc vbc + koc ie
notacin matricial:
ib
vec

kic
hrc
kfc
hoc

krc

vbc

koc

ie

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros k en colector

comn es:
Dkc = kic koc kfc krc
La representacin con circuito es la siguiente:

koc

ib

+
vbc
-

1 / kic

krc ie

ie

+
vec
-

kfc vbc

Pueden hacerse conversiones de parmetros de una configuracin a otra.

Como el cuadripolo es lineal, sus parmetros no dependen de las variables y
se puede hacer una de las variables independientes cero para calcularlos.
PARAMETROS ADMITANCIA:
Este modelo tambin se usa bastante en alta frecuencia.
Las variables independientes son: La tensin de entrada y la tensin de salida.
Modelo de emisor comn:
ib = yie vbe + yre vce
ic = yfe vbe + yoe vce
notacin matricial:
ib

yie

ic

yfe

vbe

yre
yoe

vce

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros admitancia en

emisor comn es: Dye = yie yoe yfe yre
Estas ecuaciones pueden ser representadas por un modelo de circuito que
emplea fuentes dependientes, como se muestra a continuacin:
ib

ic

C
+
vbe
-

yie

yre vce

yoe

yfe vbe

+
vce
E

Modelo de base comn:

ib = yib veb + yrb vcb
ic = yfb veb + yob vcb
notacin matricial:
ib

yib

yrb

veb

ic

yfb

yob

vcb

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros admitancia en base

comn es: Dyb = yib yob yfb yrb

La representacin con circuito es la siguiente:

ie

ic

C
+
veb
-

yib

yrb vcb

+
vcb
-

yob

yfb veb

Modelo de colector comn:

ib = yic vbc + yrc vec
ie = yfc vbc + yoc vec
notacin matricial:
ib

vbc
yic
yrc
hrc
ie
vec
yfc
yoc
hoc
El determinante de la matriz cuadrada de parmetros admitancia en
colector comn es:
Dyc = yic yoc yfc yrc
La representacin con circuito es la siguiente:
ib

ie

E
+
vbc
-

yic

yrc vec

+
vec
-

yoc

yfc vec

Tal como en los parmetros hbridos, pueden hacerse conversiones de

parmetros admitancia de una configuracin a otra. Podemos hacer una de las
variables independientes cero para poder calcular los parmetros.
Problema 3.3: Halle los parmetros admitancia en base comn en funcin de
los de emisor comn.
Modelo en emisor comn:
B

+
Vbe
E

ic

ib
yie
yre Vce

Lo dibujamos en base comn:

yoe
yfe Vbe

C
+
Vce
E

yoe
E

ic

ie

yfe Vbe

+
Veb
-

yie

+
Vcb
-

yre Vce

ib

Las ecuaciones para base comn son:

ie = yib Veb + yrb Vcb
ic = yfb Veb + yob Vcb
Haciendo Vcb = 0 podemos hallar:
yib = ie / Veb
y
yfb = ic / Veb
Efectuando:
yoe
E

ic

ie

yfe Vbe
yie

+
Veb
-

+
Vcb = 0
-

yre Vce

ib

Vemos que: Vbe = - Veb

Vce = - Veb
Luego:
ib = - yieVeb yre Veb
Adems:
ic = - yoeVeb yfeVeb
Reemplazando:
ie = - ib ic = yieVeb + yre Veb + yoeVeb + yfeVeb
De donde:
yib = yie + yre + yoe + yfe
De la ecuacin de ic:
yfb = - (yfe + yoe)

ie + ic + ib = 0

Haciendo Veb = 0 podemos hallar:

yrb = ie / Vcb
y
yob = ic / Vcb
Efectuando:
yoe

ie

yfe vbe
yie
yre vce

ib

ic
+
vcb
-

Vemos que: Vbe = - Veb = 0

Vce = Vcb
yfe vbe = 0
Luego:
ie = - yoeVcb yre Vce
Adems:
ic = - yoeVcb
De la ecuacin de ie:
yrb = - (yre + yoe)
De la ecuacin de ic:
yob = - (yoe + yfe)

ie + ic + ib = 0

En la siguiente tabla se muestran las frmulas de conversin de los parmetros

admitancia, de una configuracin a otra:
BASE COMUN

EMISOR COMUN

COLECTOR COMUN

yib
yib = ye
yib = yoc

yie = yb
yie
yie = yic

yic = yb
yic = yie
yic

yrb
yrb = - (yre + yoe)
yrb = - (yfc + yoc)

yre = - (yrb + yob)

Yre
yre = - (yic + yrc)

yrc = - (yib + yfb)

yrc = - (yie + yre)
yrc

yfb
yfb = - (yfe + yoe)
yfb = - (yrc + yoc)

yfe = - (yfb + yob)

yfe
yfe = - (yic + yfc)

yfc = - (yib + yrb)

yfc = - (yie + yfe)
yfc

yob
yob = yoe
yob = yc

yoe = yob
yoe
yoe = yc

yoc = yib
yoc = ye
yoc

Dyb = yib yob yrb yfb

Dye = yie yoe yre yfe

Dyc = yic yoc yrc yfc

yb = yib + yrb +yfb +

yob

ye = yie + yre +yfe +

yoe

yc = yic + yrc +yfc + yoc

Matriz de admitancia indefinida:

Para hacer la conversin de parmetros admitancia de una configuracin a
otra, es conveniente el empleo de la matriz de admitancia indefinida. Esta
matriz se define teniendo en cuenta que el transistor no tiene ningn terminal
de referencia y que funciona con pequea seal, como se muestra a
continuacin:
I1

V1

I3

V3

E
I2
V2

Las ecuaciones de parmetros admitancia se pueden resumir con notacin

matricial:
B

I1

y11

y12

y13

V1

I2

y21

y22

y23

V2

I3

y31

y32

y33

V3

Como:
I1 + I2 + I3 = 0 y vbe + vec + vcb = 0
Se cumple:
y11 + y21 + y31 = 0
y12 + y22 + y32 = 0
y13 + y23 + y33 = 0
y11 + y12 + y13 = 0
y21 + y22 + y23 = 0
y31 + y32 + y33 = 0
Conociendo 4 de estas 9 admitancias se pueden hallar las 5 restantes, siempre
que no caigan 3 de las 4, en la misma columna o fila.
Problema 3.4: Si se tienen los parmetros admitancia en emisor comn de un
transistor, halle los parmetros admitancia en base comn y colector comn.
yie = (2 + j2)*10-3
yre = (-2 - j20)*10-6
-3
yfe = (20 - j3)*10
yoe = (20 + j60)*10-6
Solucin:
Estos parmetros los ubicamos en la matriz de admitancia indefinida, en las
ubicaciones que quedan al eliminar la columna y la fila de emisor:
B

I1

yie

y12

yre

V1

I2

y21

y22

y23

V2

I3

yfe

y32

yoe

V3

Calculamos las otras admitancias de la matriz:

y12 = - (yie + yre) = (- 1.998 j 1.98)* 10-3
y32 = - (yfe + yoe) = (-20.02 + j 2.94)* 10-3
y22 = - (y12 + y32) = (22.018 - j 0.96)* 10-3
y21 = - (yie + yfe) = (- 22 + j )* 10-3
y23 = - (yre + yoe) = (- 18 j 40)* 10-6
La matriz resultante es:

(2 + j2)ms

(-1.998 - j1.98)ms

(-2 - j20)us

(-22 + j)ms

(22.018 - j0.96)ms

(-18 - j40)us

(20 - j3)ms

(-20.02 + j2.94)ms

(20 + j60)us

Para hallar los parmetros admitancia en base comn se eliminan la fila y

columna de base y los que quedan son los buscados:
yib = y22 = (22.018 j 0.96)* 10-3
yrb = y23 = (- 18 j 40)* 10-6
-3
yfb = y32 = (- 20.02 + j 2.94)* 10
yob = yoe = (20 + j60)*10-6
Para hallar los parmetros admitancia en colector comn se eliminan la fila y
columna de colector y los que quedan son los buscados:
yic = yie = (2 + j2)*10-3
yrc = (- 1.998 j 1.98)* 10-3
-3
yfc = y21 = (- 22 + j )* 10
yoc = y22 = (22.018 j 0.96)* 10-3
En la siguiente tabla se muestra la ecuaciones de conversin entre parmetros
hbridos, admitancia e impedancia:
TABLA DE CONVERSIN ENTRE MODELOS DE PARMETROS
Z
Y
H
zi
zr
zf
zo

yo / Dy
- yr / Dy
yf / Dy
yi / Dy

Dh / ho
hr / ho
- hf / ho
1 / ho

zo / Dz
- zr / Dz
- zf / Dz
zi / Dz

yi
yr
yf
yo

1 / hi
- hr / hi
hf / hi
Dh / hi

Dz / zo
zr / zo
- zf / zo
1 / zo

1 / yi
- yr / yi
yf / yi
Dy / yi

hi
hr
hf
ho

Dzb = zib zob zrb zfb

Dyb = yib yob yrb yfb

Dhb = hib hob hrb hfb

Dzc = zic zoc zrc zfc

Dyc = yic yoc yrc yfc

Dhc = hic hoc hrc hfc

Dze = zie zoe zre zfe

Dye = yie yoe yre yfe

Dhe = hie hoe hre hfe

El empleo de un modelo u otro depende del circuito, su impedancia de entrada

(Zi), su impedancia de salida (Zo), la impedancia de salida del generador (R G) y
de la impedancia de carga (RL).

MODELO DE PARMETROS -HIBRIDOS:

El modelo de parmetros -hbridos (o de Giacoletto) es una extensin del
modelo T. Se caracteriza porque sus valores permanecen prcticamente
constantes con la frecuencia. Es un modelo fsico del transistor que incluye los
fenmenos capacitivos internos del transistor y se muestra a continuacin:
C
rx
B

C
+
V
-

r
r

gm V

rc
E

rx = Es la resistencia de dispersin de base. Su valor es pequeo, del orden de

las decenas de ohmios.
V = Tensin de seal de entrada
r = Resistencia de entrada = hfe VT / IEQ
C = Capacidad de la unin de emisor
r = Resistencia de realimentacin interna
C = Capacidad de realimentacin interna
rc = Resistencia de salida
gm = Transconductancia del transistor = IEQ / VT
TECNOLOGA DEL TRANSISTOR:
El germanio fue descubierto por Winkler en 1886, despus que Mendeleiev
predijera su existencia y muchas de sus propiedades gracias al sistema
peridico de los elementos, en 1869. Mendeleiev le dio el nombre de elkasilicium debido a su analoga con el silicio.
El germanio procede del mineral llamado germanita, en el que se encuentra en
una proporcin aproximada de 7%. Tambin se le encuentra en los
desperdicios procedentes de la extraccin de zinc y de las cenizas de la hulla.
Los semiconductores a emplear deben tener una gran pureza debido a que una
pequea cantidad de impurezas cambia completamente sus propiedades
elctricas. Adems, su estructura cristalina debe ser simtrica (monocristal).
Las impurezas pueden incluirse en el semiconductor de diferentes formas:
a) Por fundicin: Tiene la ventaja de poderse combinar con la extraccin del
monocristal. Las impurezas se aaden en cantidades precisas.
b) Por aleacin: Consiste en poner una gota de impureza a cada lado de un
disco fino de semiconductor y luego calentarlo para que los tomos de
impureza penetren en el semiconductor, cambindolo a tipo P o N
c) Por difusin: El semiconductor se coloca en un recipiente donde la
sustancia que actuar de impureza se halla en estado gaseoso y a alta
temperatura. Los tomos de impureza se difunden en el semiconductor
formando una delgada capa de material tipo P o N.

Estos mtodos se aplican tanto al germanio como al silicio, con la diferencia

que este ltimo es mucho ms activo y puede ser atacado por el material del
crisol, generndose impurezas en forma incontrolable; por ello, requiere el uso
de crisoles especiales.
d) Epitaxial: Se origina el crecimiento del material semiconductor en estado de
cristal sobre otro material semiconductor tambin en estado cristalino.
FORMAS DE CONSTRUCCIN DEL TRANSISTOR:
Transistor de puntas de contacto: Constan de una plaquita de material base
tipo N o P sobre la que estn aplicadas dos puntas metlicas. El material del
colector y del emisor se obtiene al soldar las puntas con el material base
mediante un impulso de corriente, haciendo que se introduzcan impurezas de
tipo opuesto a la de la base. Este mtodo fue uno de los primeros en realizarse
y actualmente est en desuso.
Transistor de unin: Son formados por capas superpuestas de material
semiconductor. Se aplican dos bolitas de impurezas a ambos lados para formar
el colector y el emisor. La penetracin de las impurezas se regula en forma
precisa Debido al grueso de la unin, las capacidades inter.-electrdicas
resultan relativamente elevadas por lo que limita su empleo a frecuencias
menores de 20 MHz.
Transistor planar: Se construye mediante una plaqueta de silicio tipo N o P
que constituir el colector. Uno de sus lados se reviste con una capa de xido
de silicio. A continuacin se hace una ventana por donde se difunden
impurezas para formar la base. Se vuelve a cubrir con una capa de xido de
silicio y se practica otra ventana sobre la base para difundir el emisor. Se
vuelve a cubrir todo con una capa de xido de silicio y se practican otras
ventanas para poner los terminales de base, colector y emisor. Con esta
tcnica pueden construirse los dos tipos de transistores y pueden soportar
tensiones del orden de 100 V y corrientes del orden de 10 A.
Transistor homotaxial o de difusin nica: Se fabrica a partir de una placa
de material tipo P y, al contrario del planar, no se forma capa de oxido. La
impureza penetra, durante el proceso de difusin, por ambos lados de la placa
formando el colector y el emisor. El material tipo P constituye la base. Estos
transistores son muy robustos y adecuados para trabajar con altas corrientes,
por los que se les usa mucho en etapas de potencia de baja frecuencia. Debido
al espesor de la base, su frecuencia de transicin no es muy elevada (1 MHz) y
admiten tensiones del orden de 100 V. Slo se fabrican de tipo NPN.
Transistor mesa: Es fabricado con el proceso epitaxial. Se hace crecer una
delgada capa de silicio poco dopado (que constituir la base) sobre un sustrato
de silicio fuertemente dopado (que constituir el colector). La base se cubre
con una capa de xido de silicio y luego se practica una ventana donde se
difunde el emisor. Debido a que el proceso de formacin de la base es muy
lento, puede controlarse su espesor con mucha exactitud, por lo que se pueden
lograr espesores muy reducidos, permitiendo su empleo en frecuencias altas.

Pueden trabajar con corrientes altas y tensiones del orden de 200 V. Se

fabrican en versiones PNP y NPN.
Transistor mesa semiplanar: La unin base-colector se obtiene mediante
tecnologa mesa y la unin base-emisor mediante tecnologa planar. Se parte
de una plaquita de silicio no oxidado que se expone a un proceso de difusin
(parecido al mtodo homotaxial, con la diferencia que el material intermedio no
constituye la base sino el colector); a continuacin se recubre toda la placa con
xido de silicio y se elimina toda la capa difundida inferior. A continuacin se
difunde en la capa superior el emisor mediante la tcnica planar. Estos
transistores son menos robustos que los mesa, pero poseen una frecuencia de
transicin muy elevada y pueden manejar tensiones muy altas, del orden de
1500 V. Slo se fabrican en versin NPN.
Nomenclatura de los transistores para baja frecuencia:
Nomenclatura americana: Los transistores, sea cual sea su aplicacin, se
designan con el prefijo 2N (dos uniones) seguido por un nmero dado por el
fabricante.
Nomenclatura europea antigua: Se utilizaban 2 3 letras seguidas de un
nmero. La primera letra es una O, que indica que es un semiconductor. La
segunda letra es una A para los transistores.
Nomenclatura europea moderna: Esta nomenclatura es ms acertada que
las anteriores debido a que se puede identificar el tipo de semiconductor y
deducir parte de sus caractersticas. La nomenclatura est compuesta de dos
letras seguidas de un nmero de serie compuesto de tres cifras, para los
dispositivos semiconductores diseados para emplearse en aparatos
domsticos, o una letra y dos cifras, si son para uso industrial.
La primera letra puede ser:
A
para los dispositivos de germanio
B
para los dispositivos de silicio
La segunda letra puede ser:
C
para los transistores de baja frecuencia y baja potencia
D
para los transistores de baja frecuencia y potencia