eLab, Laboratorio Remoto de Electrnica
ITESM, Depto. de Ingeniera Elctrica
PRCTICA PF2
MODOS DE OPERACIN DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO
OBJETIVOS
Conocer los diferentes modos de operacin del transistor de efecto de campo y las
caractersticas que presenta este dispositivo al operar en cada uno de estos modos (zonas de
operacin).
Analizar tericamente y de forma experimental circuitos de polarizacin con transistores de
efecto de campo e identificar la zona de operacin en cada caso.
1.1 INTRODUCCIN
Caractersticas de salida para un JFET
En la Figura 1(a) se muestra un JFET con voltajes de polarizacin aplicados entre compuertafuente y drenador-fuente. Al aplicar un voltaje de compuerta de cero VGG=VGS= 0V (corto circuito), la
corriente en el drenador ID se incrementa rpidamente conforme se incrementa el voltaje VDD=VDS,
hasta llegar al valor mximo establecido por IDSS (corriente drenador-fuente de saturacin). Este valor
mximo se obtiene cuando el voltaje entre drenador-fuente es igual a VDS=Vp, este ltimo se conoce
como voltaje de estrangulamiento del JFET. A partir de este voltaje el comportamiento de la corriente
ID se estabiliza y se vuelve casi constante (observe la Figura 1(b)).
ID
iD
D
G
Transistor
Q
VGS = 0
IDSS
+
VDD
VGG
+
(a)
Vp
vDS
(b)
Figura 1 (a) Polarizacin de un JFET canal N b) Curva caracterstica que ilustra la corriente drenador
fuente de saturacin (IDSS) y el voltaje de estrangulamiento VP.
La Figura 2 muestra el conjunto de curvas caractersticas y la caracterstica de transferencia para
un JFET canal N, en ella se indican las diferentes zonas de operacin: regin de corte, zona activa;
regin hmica y voltaje de ruptura o avalancha.
-1-
PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
Zona activa.. La zona activa del JFET se localiza aproximadamente entre los voltajes
VDS ( sat ) < VDS < VDS (max) ; donde VDS(sat) es el voltaje drenador-fuente de saturacin, cuando VDS supera
este valor el canal se estrecha y la corriente ID se vuelve casi constante. A medida que VGS se vuelve
ms negativa (o ms positiva para un JFET canal P) el estrangulamiento ocurre a valores inferiores de
VDS y la corriente de saturacin se vuelve ms pequea. El lmite superior de la zona activa lo impone
el voltaje VDS (max) que se conoce como voltaje de ruptura o avalancha y es funcin tanto de VDS como
de VGS (observe la Figura 2). La zona activa de operacin tambin se conoce como regin de
operacin de amplificacin, regin de saturacin o regin de estrangulamiento (pinch-off region). En
esta regin el JFET acta aproximadamente como una fuente de corriente con un valor de ID casi
constante, siendo ID=IDSS el valor mximo alcanzado siempre que VGS=0V. Este dato es uno de los ms
importantes del JFET ya que proporciona su limitacin de corriente.
Limite entre zona activa
y hmica
Voltajes de
estrangulamiento
iD
Caracterstica
de
transferencia
IDSS
Regin
hmica
VGS = 0
Regin de ruptura
o avalancha
ZONA
ACTIVA
Regin
de corte
VGS = VGS(corte)
vGS
VGS(corte)
Vp
vDS
VDS(max)
VDS(sat)
Figura 2. Curvas caractersticas del JFET en el que se muestran las zonas de operacin.
Caracterstica de transferencia. En la Figura 2 tambin se aprecia la caracterstica de transferencia, la
cual es una grfica de la corriente de drenador ID como funcin del voltaje compuerta-fuente VGS,
independiente del valor de VDS. Se advierte que la curva no es lineal dado que la corriente aumenta
rpidamente cuando VGS se aproxima a cero. La ecuacin para esta grfica es dada por:
VGS
I D = I DSS 1
V
GS ( corte )
Regin hmica. Esta zona tambin se denomina regin controlada por voltaje. Cuando un JFET opera
en la zona hmica acta como una resistencia la cual puede ser controlada con el voltaje de compuertafuente VGS. Un valor aproximado de esta resistencia se puede evaluar como RDS=Vp/IDSS. En la Figura
2 se puede observar que su anchura depende del voltaje VGS y su comportamiento es casi lineal hasta
antes de alcanzar el voltaje de estrangulamiento.
-2-
PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
Regin de corte. La regin de corte ocurre cuando el voltaje compuerta-fuente VGS es igual o mayor en
magnitud a VGS(corte)=VGS(off)= -Vp, este valor de voltaje de compuerta-fuente reduce la corriente de
drenador casi a cero. Por lo que el canal de conduccin del JFET desaparece.
Regin de ruptura. La Figura 2 tambin muestra que los voltajes de ruptura o avalancha varan
conforme se modifican los voltajes VGS y VDS. El voltaje de ruptura decrece conforme se incrementa la
magnitud del voltaje compuerta-fuente (ms negativo para un JFET canal N o ms positivo para un
JFET canal P). Al incrementar el voltaje entre drenador-fuente ms all del voltaje de ruptura VDS(max),
la corriente de drenador ID se incrementa rpidamente con un pequeo incremento en VDS (cabe aclarar
que este fenmeno de ruptura o avalancha tambin ocurre en los diodos y transistores BJT).
Bibliografa
Libro de Texto:
Microelectronics; Circuit Analysis and Design
Donal A. Neamen, McGraw Hill, 3rd Edition, 2007
Libros de Consulta:
Electronic Devices
Thomas L. Floyd, Prentice Hall, 6th Edition, 2002
Electronic Circuits; Analysis, Simulation, and Design
Norbert R. Malik, Prentice Hall, 1995
Electronic Devices and Circuits
Robert T. Paynter, Prentice Hall, 7th Edition, 2006
1.2 ACTIVIDAD PREVIA
Instrucciones
Siga detalladamente las instrucciones para cada uno de los puntos que se presentan en la
presente actividad. Conteste y/o resuelva lo que se le pide en los espacios correspondientes para cada
pregunta. Hgalo de manera ordenada y clara, un punto muy importante es el respeto a las reglas de
ortografa. En el reporte agregue en el espacio asignado grficas comparativas, anlisis de circuitos,
simulaciones en computadora, ecuaciones, referencias bibliogrficas, ejemplos, aplicaciones, segn sea
el caso.
No olvide colocar una portada con sus datos de identificacin as como los datos relacionados
con la prctica en cuestin, como nmero de prctica, titulo, fecha, etc.
Desarrollo de la actividad previa
I) Lea detenidamente el capitulo correspondiente de su libro de texto y conteste lo siguiente:
Polarizacin de los JFETs. El propsito principal de la polarizacin de un transistor de efecto de
campo consiste en la seleccin de un voltaje de CD de compuerta-fuente adecuado para establecer un
valor deseado de la corriente de drenador, y por consecuencia, un punto de operacin Q apropiado. Este
-3-
PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
punto de operacin puede ubicarse en la zona activa, en la regin de corte o en la regin hmica. A
continuacin se presentan algunas configuraciones bsicas de los circuitos de polarizacin de JFETs
canal N.
+VDD
+VDD
+VDD
RD
RD
+
VG=0
VGS
RG
VDS
+
VDS
VGS
RG
RS
ID
VG
VDS
RD
R1
ID
IS
R2
RS
IS
RE
IE
-VEE
a)
Autopolarizacin
b) Polarizacin con
divisor de voltaje
c) Polarizacin mediante
fuente de corriente
Figura 3. Circuitos de polarizacin bsicos para JFETs canal N
a) Mencione cada una de las caractersticas principales de estos circuitos de polarizacin.
b) Analice cada uno de estos circuitos y establezca las ecuaciones para el clculo de los voltajes VGS,
VDS, VG. Realice el anlisis para la corriente ID y en el circuito con polarizacin con fuente de corriente
establezca la ecuacin para calcular IE.
II) Dibuje un circuito de polarizacin que permita a un JFET operar en la regin hmica. Explique la
operacin de este circuito. Explique el mecanismo que permite el control de la resistencia en dicha
regin?
III) Considere el circuito de la Figura 3(a) con VDD=20V, RD=2K, RS=200 y RG=50K. Los
parmetros del JFET son IDSS=10mA y VGS(corte)=-5V (Vp=5 V). En base a esta informacin determine
el punto de operacin Q con los valores de IDQ, VGSQ y VDSQ. Grafique las lneas de carga y la
caracterstica de transferencia e indique en que zona de operacin se encuentra operando el JFET.
-4-
PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
1.3 PROCEDIMIENTO
En esta seccin se analiza un circuito en polarizacin de compuerta para un transistor de efecto
de campo y se determinan, a partir de las mediciones realizadas, los modos de operacin en la regin
hmica, zona activa y en la regin de corte. Este anlisis se llevara a cabo realizando mediciones de
voltaje y corriente, en varios puntos de inters del circuito bajo prueba y a travs de la interfase grfica
del Laboratorio Remoto de Electrnica (eLab). Se realiza tambin un anlisis terico del circuito bajo
prueba y se comparan posteriormente estos resultados con los que arrojan las mediciones del mismo.
Para cada una de las mediciones y/o clculos efectuados se deben agregar enseguida las
unidades respectivas, por ejemplo: para mediciones de voltaje utilizar V, mV, V (rms), etc; para las de
corriente A, mA, A (rms), etc; para frecuencia utilizar Hz o rad/s, segn el caso.
JFETcanal N con polarizacin fija
A continuacin se presenta el procedimiento que servir de gua durante el anlisis del circuito
de polarizacin con JFET que se ilustra en la Figura 4. Los valores de las fuentes VDD y VGG, se
determinaran dentro de la interfase grfica del Laboratorio Remoto de Electrnica (eLab).
VDD
0.00 V
Los valores exactos de los resistores son
los siguientes:
RD
VD
2
D
1
RG
VGS
Los parmetros del JFET son los
siguientes:
2N4220A
RD=68
RS=68
RG=1 M
IDSS=3.7 mA
VGS(corte)=-3V
Vp=3 V
0.00 V
VS
RS
Gnd
Figura 4. Circuito de polarizacin de compuerta para un transistor JFET canal N
I) Operacin en la regin hmica
En esta seccin del procedimiento se observar el comportamiento del JFET en la regin
hmica. Se medir la resistencia hmica que presenta el JFET en esta regin, y adems, se controlar
su valor mediante el voltaje de compuerta VGS. La importancia de esta aplicacin radica en el hecho de
que es la base para el diseo de resistencias variables o fijas que son embebidas en circuitos integrados.
a) Resistencia en la regin hmica para VGS=0. Basado en el circuito que se muestra en la figura 4,
realice los siguientes ajustes en las fuentes de alimentacin:
-5-
PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
Ajuste el voltaje de la compuerta a cero volts, VGS=0V
Ahora, ajuste el voltaje VDD como se indica en la siguiente tabla, para cada valor de VDD, mida el
voltaje entre drenador y fuente VDS y el voltaje en la resistencia de drenador. A partir de la
medicion de voltaje en la resistencia calcule la corriente de drenador ID.
Tabla I. Regin hmica para VGS= 0 V
Voltaje de drenador a fuente, VDS
Voltaje en R, VR
Corriente de drenador, ID
VDD = 0.3 V
VDS1=
VR1=
ID1=
mA
VDD = 0.5 V
VDS2=
VR2=
ID2=
mA
VDD = 0.7 V
VDS3=
VR3=
ID3=
mA
b) Grafica ID contra VDS en la regin hmica. Con los datos de la tabla anterior realice una grafica
que muestre el comportamiento de ID contra VDS. Anexe esta grafica en el siguiente espacio.
ID
VDS
0
Figura 5. Caracterstica voltaje VDS contra corriente de drenador ID en la Regin
hmica.
Observe la grafica obtenida en la Figura 5 que puede concluir?
___________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________
c) Calculo de la resistencia en regin hmica. Con los datos de la tabla anterior calcule la resistencia
hmica para VGS=0 V. Realice las operaciones que se indican a continuacin.
Resistencia en zona hmica RDS
RDS=
VDS 3 VDS1
=___________________.
I D 3 I D1
d) Resistencia en la regin hmica para VGS=-0.2 V. En esta seccin se calcular el cambio en la
resistencia hmica a medida que se incrementa la magnitud del voltaje de compuerta (ms negativo).
Basado en el circuito que se muestra en la figura 4, realice los siguientes ajustes en las fuentes de
alimentacin:
-6-
PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
Ajuste el voltaje de la compuerta a VGS=-0.2V
Ahora, ajuste el voltaje VDD como se indica en la siguiente tabla. Para cada valor de VDD, mida el
voltaje entre drenador y fuente VDS y el voltaje en la resistencia de drenador. A partir de la
medicion de voltaje en la resistencia calcule la corriente de drenador ID.
Tabla II. Regin hmica para VGS= -0.2 V
Voltaje de drenador a fuente, VDS
Voltaje en R, VR
Corriente de drenador, ID
VDD = 0.3 V
VDS1=
VR1=
ID1=
mA
VDD = 0.5 V
VDS2=
VR2=
ID2=
mA
VDD = 0.7 V
VDS3=
VR3=
ID3=
mA
e) Calculo de la resistencia en la regin hmica. Con los datos de la tabla anterior calcule la
resistencia hmica para VGS=-0.2 V. Realice las operaciones que se indican a continuacin.
Resistencia RDS para VGS=-0.2 V
RDS=
VDS 3 VDS1
=___________________.
I D 3 I D1
f) Resistencia en regin hmica para VGS=-0.6 V. En esta seccin se calcular el cambio en la
resistencia hmica a medida que se incrementa la magnitud del voltaje de compuerta (ms negativo).
Basado en el circuito que se muestra en la figura 4, realice los siguientes ajustes en las fuentes de
alimentacin:
Ajuste el voltaje de la compuerta a VGS=-0.6V
Ahora, ajuste el voltaje VDD como se indica en la siguiente tabla. Para cada valor de VDD, mida el
voltaje entre drenador y fuente VDS y el voltaje en la resistencia de drenador. A partir de la
medicion de voltaje en la resistencia calcule la corriente de drenador ID.
Tabla III. Regin hmica para VGS= -0.6 V
Voltaje de drenador a fuente, VDS
Voltaje en R, VR
Corriente de drenador, ID
VDD = 0.3 V
VDS1=
VR1=
ID1=
mA
VDD = 0.5 V
VDS2=
VR2=
ID2=
mA
VDD = 0.7 V
VDS3=
VR3=
ID3=
mA
g) Calculo de la resistencia en regin hmica. Con los datos de la tabla anterior calcule la resistencia
hmica para VGS=-0.6 V. Realice las operaciones que se indican a continuacin.
-7-
PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
Resistencia RDS para VGS=-0.6 V
RDS=
VDS 3 VDS1
=___________________.
I D 3 I D1
h) Conclusiones. En base a los resultados anteriores determine el intervalo en el que varia RDS
(resistencia en la regin hmica) a medida que el voltaje VGS cambia de 0V a -0.6V.
Variacin de RDS con respecto a VGS
_________ RDS ___________
Para -0.6V <VGS< 0V la resistencia en la
regin hmica varia en el intervalo:
Este resultado indica que el objetivo de polarizar a un JFET en la regin hmica es para usarlo como un
resistor variable controlado por voltaje. En este caso el voltaje de control es VGS y su resistencia se
determina variando el punto de operacin. Un circuito equivalente para el circuito bajo anlisis al
operar en la regin hmica se ilustra en la Figura 6.
VDD
0.70 V
RD
2
VD
RDS
VS
RS
Figura 6. Circuito equivalente de polarizacin para el JFET cuando opera en la regin hmica.
II) Operacin en la zona activa
En esta seccin del procedimiento se observar el comportamiento del JFET en la zona activa.
Se seleccionan 3 puntos de operacin en esta zona y se calcula en base a mediciones de voltaje el
comportamiento de la corriente de drenador ID y el del voltaje entre compuerta y fuente VDS .
a) Operacin en la zona activa con VGS=0. Basado en el circuito que se muestra en la figura 4, realice
los siguientes ajustes en las fuentes de alimentacin:
Ajuste el voltaje de la compuerta a cero volts, VGS=0V
Ahora, ajuste el voltaje VDD como se indica en la siguiente tabla. Para cada valor de VDD, mida el
voltaje entre drenador y fuente VDS y el voltaje en la resistencia de drenador. A partir de la
medicion de voltaje en la resistencia calcule la corriente de drenador ID.
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PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
Tabla IV. Zona activa para VGS= 0 V
Voltaje de drenador a fuente, VDS
Voltaje en R, VR
Corriente de drenador, ID
VDD = 3 V
VDS1=
VR1=
ID1=
mA
VDD = 5 V
VDS2=
VR2=
ID2=
mA
VDD = 7 V
VDS3=
VR3=
ID3=
mA
Observe la tabla anterior Explique el comportamiento de la corriente de drenador ID? Cul es la
relacin entre este comportamiento y el voltaje de estrangulamiento?
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________
b) Corriente de saturacin. Calcule tericamente el valor de la corriente de saturacin para estos
puntos de operacin y comprela con las corrientes de drenador (ID1, ID2 e ID3) obtenidas directamente
de las mediciones.
Corriente de drenador para los tres puntos de
operacin Q1, Q2 y Q3
VGS
I D = I DSS 1
V
GS ( corte )
ID=
(Resultado analtico)
Que tan diferente es el valor analtico en relacin a los obtenidos de las mediciones? cul es la
causa o causas principales de estas diferencias? Tendr relacin con las pendientes de las curvas
caractersticas presentes en la zona activa?
___________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________
c) Resistencia de corriente alterna entre drenador y fuente rds. El concepto de resistencia de
corriente alterna entre drenador y fuente rds fue tratado ampliamente en la prctica correspondiente a
curvas caractersticas de JFETs. Esta resistencia se calcula con la relacin:
Pendiente de curva
caracterstica
1
=
rds
rds =
VDS VDS 3 VDS1
=
=
I D
I D 3 I D1
donde para su calculo se han tomado los puntos de operacin Q3 y Q1. Evalu la ecuacin anterior y
calcule rds.
Compare esta resistencia con la obtenida en la regin hmica y explique las diferencias.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________
-9-
PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
d) Transconductancia en directa gm. A partir de los datos proporcionados durante la presente practica
y con el valor actual de VGS, calcule la transconductancia para cada uno de los puntos de operacin.
Coloque sus resultados en la siguiente tabla.
Valor de la transconductancia gm para los puntos de operacin
Q1, Q2 y Q3
gm =
2 I DSS
VGS
1
| VGS ( corte ) | VGS ( corte )
gm=
Cul es la causa o causas de que qu este parmetro sea el mismo para los tres puntos de operacin
(Q1, Q2 y Q3)? Justifique su respuesta.
___________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________
e) Voltaje de estrangulamiento VP. Manteniendo el voltaje VGS constante, reduzca el voltaje de la
fuente VDD por debajo de 3V (en intervalos de 0.1 V). Mida el voltaje de drenador a fuente VDS y el
voltaje en la resistencia, y calcule la corriente de drenador ID. Realice este procedimiento hasta que
encuentre el voltaje VDS de estrangulamiento.
Resultado de la medicin
Voltaje VDS de estrangulamiento
VP =
f) Operacin en la zona activa con VGS=-0.5 V. Basado en el circuito que se muestra en la figura 4,
realice los siguientes ajustes en las fuentes de alimentacin:
Ajuste el voltaje de la compuerta a VGS=-0.5V
Ahora, ajuste el voltaje VDD como se indica en la siguiente tabla. Para cada valor de VDD, mida el
voltaje entre drenador y fuente VDS y el voltaje en la resistencia de drenador. A partir de la
medicion de voltaje en la resistencia calcule la corriente de drenador ID.
Tabla V. Zona activa para VGS= -0.5 V
Voltaje de drenador a fuente, VDS
Voltaje en R, VR
Corriente de drenador, ID
VDD = 3 V
VDS1=
VR1=
ID1=
mA
VDD = 5 V
VDS2=
VR2=
ID2=
mA
VDD = 7 V
VDS3=
VR3=
ID3=
mA
Observe la tabla anterior y comprela con la obtenida con VGS=0 Por que se redujo el valor de la
corriente de drenador ID en comparacin a la obtenida cuando VGS=0? se modificaron drsticamente
los valores de VDS en comparacin a los obtenidos cunado VGS=0? Conteste estos cuestionamientos
junto con una justificacin para sus respuestas en el siguiente espacio.
- 10 -
PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________
g) Corriente de saturacin. Calcule tericamente el valor de la corriente de saturacin para estos
puntos de operacin y comprelo con las corrientes de drenador (ID1, ID2 e ID3) obtenidas directamente
de las mediciones.
Corriente de drenador para los tres puntos de
operacin Q1, Q2 y Q3
VGS
I D = I DSS 1
V
GS ( corte )
ID=
(Resultado analtico)
En base a las mediciones realizadas Considera que el valor de ID en la zona activa depende en gran
medida del voltaje VDS? Justifique su respuesta.
___________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________
h) Resistencia de corriente alterna entre drenador y fuente rds. Calcule ahora la resistencia de CA
para estos puntos de operacin:
Pendiente de curva caracterstica =
1
rds
rds =
VDS VDS 3 VDS1
=
=
I D 3 I D1
I D
donde para su calculo se han tomado los puntos de operacin Q3 y Q1.
Compare esta resistencia con la obtenida para VGS=0.
Para VGS=0 V
Resistencia de CA rds
rds=
Para VGS=-0.5 V
rds=
Explique el comportamiento que exhibe esta resistencia a medida que VGS se hace ms negativa.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________
i) Transconductancia en directa gm. A partir de los datos proporcionados durante la presente practica
y con el valor actual de VGS, calcule la transconductancia para cada uno de los puntos de operacin.
gm =
2 I DSS
VGS
1
| VGS ( corte ) | VGS ( corte )
Valor de la transconductancia gm para los puntos de operacin
Q1, Q2 y Q3
Compare esta transconductancia con la obtenida para VGS=0 y coloque sus resultados en la siguiente
tabla.
- 11 -
PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
Para VGS=0 V
Transconductancia gm
gm=
Para VGS=-0.5 V
gm=
Explique el comportamiento que exhibe este parmetro a medida que VGS se hace ms negativa.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________
j) Voltaje de saturacin VP. Manteniendo el voltaje VGS constante, reduzca el voltaje de la fuente VDD
por debajo de 3V (en intervalos de 0.1 V). Mida el voltaje de drenador a fuente VDS y el voltaje en la
resistencia, y calcule la corriente de drenador ID. Realice este procedimiento hasta que encuentre el
voltaje VDS de estrangulamiento y comprelo con el obtenido para VGS=0V.
Para VGS=0 V
Voltaje VDS de estrangulamiento
VP =
Para VGS=-0.5 V
VP =
Explique el comportamiento que exhibe este parmetro a medida que VGS se hace ms negativa.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________
III) Operacin en la regin de corte
En esta seccin del procedimiento se observar el comportamiento del JFET en la regin de
corte. Se seleccionan 3 puntos de operacin en esta zona y se calcula en base a mediciones de voltaje el
comportamiento de la corriente de drenador ID y el del voltaje entre compuerta y fuente VDS.
a) Basado en el circuito que se muestra en la figura 4, realice los siguientes ajustes en las fuentes de
alimentacin:
Ajuste el voltaje de la compuerta a VGS=-3V
Ahora, ajuste el voltaje VDD como se indica en la siguiente tabla. Para cada valor de VDD, mida el
voltaje entre drenador y fuente VDS y el voltaje en la resistencia de drenador. A partir de la
medicion de voltaje en la resistencia calcule la corriente de drenador ID.
Tabla VI. Regin de corte para VGS= -3 V
Voltaje de drenador a fuente, VDS
Voltaje en R, VR
Corriente de drenador, ID
VDD = 3 V
VDS1=
VR1=
ID1=
mA
VDD = 5 V
VDS2=
VR2=
ID2=
mA
VDD = 7 V
VDS3=
VR3=
ID3=
mA
Observe la tabla anterior Explique el comportamiento de la corriente de drenador ID? Que sucede
con el voltaje VDS?
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PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________
b) Corriente de saturacin. Calcule tericamente el valor de la corriente de saturacin para estos
puntos de operacin y comprelo con las corrientes de drenador (ID1, ID2 e ID3) obtenidas directamente
de las mediciones.
Corriente de drenador para los tres puntos de
operacin Q1, Q2 y Q3
VGS
I D = I DSS 1
V
GS ( corte )
ID=
(Resultado analtico)
Que tan diferente es el valor analtico en relacin a los obtenidos de las mediciones? cul es la
causa o causas principales de estas diferencias?
___________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________
Que aplicaciones de importancia considera usted posibles para esta zona de operacin?
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________
1.4 ACTIVIDADES Y CONCLUSIONES FINALES
1) Con los datos medidos directamente en la regin hmica y que corresponden a los de las Tablas I, II
y III, realice una grafica comparativa en donde se muestre el comportamiento del voltaje VDS contra la
corriente ID para los diferentes voltajes de compuerta aplicados. Esta grafica ilustrar el conjunto de
curvas caractersticas del JFET bajo estudio en la regin hmica. Una vez realizadas estas graficas
comparativas, indique que sucede con la pendiente de cada curva a medida que VGS se vuelve ms
negativo. Para la realizacin de las graficas se sugiere que utilice el Excel, Matlab u algn otro
software.
2) Analice tericamente el circuito bajo prueba en la zona activa para las siguientes condiciones
VDD=5V, VGS=-0.5V. Utilice los datos del JFET dados en la prctica y compare los resultados tericos
con los obtenidos directamente a partir de las mediciones y que se muestran en la Tabla V. Se le pide
llenar la siguiente tabla.
Resultado analtico
Resultado de la medicin
Corriente de drenador ID
Voltaje drenador fuente VDS
Que tan diferentes son los valores analticos en relacin a los obtenidos de las mediciones? cul
es la causa o causas principales de estas diferencias?
___________________________________________________________________________________
_______________________________________________________________
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PT6 Modos de operacin del Transistor de Efecto de Campo
3.- Con los resultados obtenidos directamente de las mediciones (Tablas IV y V) y con los voltajes de
saturacin medidos para cada valor de VGS. Dibuje una aproximacin para las dos curvas caractersticas
de voltaje VDS contra corriente ID. Indique en ella los puntos de operacin Q1, Q2 y Q3 para la zona
activa y de corte; e indique tambin la ubicacin de la regin hmica. Indique los valores de voltaje
(VDS ) y corriente (ID) en cada punto de operacin. Indique tambin el valor del voltaje VGS para cada
curva. Dibuje las curvas caractersticas en el siguiente espacio.
4) El circuito con transistor estudiado en la presente prctica (ver Figura 4) utiliz un transistor de
efecto de campo canal N. Realice las modificaciones necesarias en el circuito de tal forma que ahora
utilice un transistor de efecto de campo canal P. Dibuje el circuito resultante a continuacin.
(Dibuje aqu el circuito con transistor de efecto de campo
canal P)
5) Anote enseguida sus conclusiones generales de la presente prctica:
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________
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