Captulo 8.
En los esquemas estudiados que funcionan como fuente de
tensin, es evidente que la tensin de salida depende de la
batera exclusivamente.
En los circuitos reales existe una prdida de tensin en los
semiconductores y en el cableado que aumenta ligeramente
con la carga. Esto es particularmente cierto en la
configuracin con transformador de toma media debido a la
resistencia de los devanados.
Un requerimiento muy comn de los inversores prcticos es
la posibilidad de mantener constante el valor eficaz de la
tensin de salida frente a las variaciones de la tensin de
entrada y de la corriente de la carga, o incluso poder variar la
tensin de salida entre unos mrgenes ms o menos amplios.
Las soluciones existentes para este ltimo problema se
pueden agrupar en tres procedimientos:
Control de la tensin continua de entrada.
Regulacin interna en el propio inversor.
Regulacin en la tensin de salida.
La regulacin de la tensin de salida consiste en disponer a la
salida del inversor de un autotransformador de relacin de
espiras regulables, bien mecnicamente mediante escobillas
o elctricamente mediante tiristores.
Tiene los inconvenientes de ser de respuesta lenta y de
suponer un aumento de volumen considerable cuando se
necesita una relacin de tensin elevada.
Con respecto al primer problema de mantener constante la
salida frente a variaciones de entrada o carga, se resuelve con
un circuito de regulacin en cadena cerrada adecuada.
A continuacin vamos a estudiar ms detenidamente la
variacin de la tensin de salida por medio de la regulacin
interna del propio inversor.
El mtodo ms eficiente para la regulacin interna del inversor
consiste en modular la anchura de los pulsos (PWM). Las
tcnicas ms utilizadas son:
Modulacin en anchura de un pulso por semiperodo.
Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.
Modulacin senoidal.
Modulacin senoidal modificada.
Modulacin con alternancias positivas y negativas en cada
semiperodo.
Modulacin en modo de control de la corriente (Por banda de
histresis).
Modulacin en anchura de un pulso por semiperodo.
En un control de este tipo slo
existe un pulso por cada semiciclo,
y variando la anchura de este pulso
controlamos la tensin de salida
del inversor. En la figura se
muestra la generacin de las
seales
de
puerta
de
los
transistores y la tensin de salida
de
un
inversor
en
puente
monofsico.
Seal portadora
Seal de referencia
Seales de base para
los transistores Q1 y
Q2
Ac
Ar
g1
g2
VS
Tensin de salida
t
_
2
+
2
Modulacin en anchura de un pulso por semiperodo.
Dicha generacin de seales de
puerta se obtienen por comparacin
de una onda rectangular (onda de
referencia) de amplitud Ar con una
onda triangular (portadora) de
amplitud Ac.
La frecuencia de la seal de
referencia determina la frecuencia de
la tensin de salida, y variando Ar
desde 0 hasta Ac conseguimos variar
la anchura del pulso desde 0
hasta 180.
Seal portadora
Seal de referencia
Seales de base para
los transistores Q1 y
Q2
Ac
Ar
g1
g2
VS
Tensin de salida
t
_
2
+
2
Modulacin en anchura de un pulso por semiperodo.
La relacin entre Ar y Ac determina la
amplitud del "ndice de modulacin
M".
A
M r
Ac
La tensin eficaz de salida viene
dada por:
2
2
2
VoRMS
V
d
V
S
S
2 2
Seal portadora
Seal de referencia
Seales de base para
los transistores Q1 y
Q2
La tensin instantnea de salida se
expresa en series de Fourier de la
siguiente forma:
vo t
Ac
Ar
g1
g2
VS
Tensin de salida
t
_
2
+
2
4 VS
n
sen
2 sen nt
n
n1,3,5...
Modulacin en anchura de un pulso por semiperodo.
Fundamental y armnicos en funcin de .
Evolucin de los armnicos.
nmero de pulsos
1.0
DF
0.8
Vo1
Von
VS
0.6
9
8
0.8
6
5
0.7
0.9
DF (%)
0.2
Vo5
Vo7
0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
V 03
4Vs /
0.6
0.5
Vo3
V 01
4Vs /
4
0.4
2
1
0.4
0.2
THD
V 05
4Vs /
0.3
V 07
0.1
4Vs /
Indice de modulacin M =
Ar
Ac
1
THD
Vo1
20
n3,5,7...
2
on
40
60
80
100 120 140 160 180
V32 V52 V72 ...
V1
Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.
Cuando la tensin entregada a la
carga se necesita que sea lo ms
senoidal posible, con o sin filtro de
salida, conviene reducir al mximo
el contenido de armnicos de la
onda de salida.
La seal de salida se obtiene por
comparacin de una seal de
referencia con una portadora tal y
como
se
ve
en
la
figura
conjuntamente con las seales de
puerta que se utilizan para
conmutar a los transistores.
1
fc
Seal
portadora
Generacin
de
seales
Ac
Seal de
referencia
Ar
VS
2
Tensin de salida
m
Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.
La frecuencia fr de la seal de
referencia nos proporciona la
frecuencia f que tendr la seal
de salida, y la frecuencia fc de la
onda portadora nos determina el
nmero
p
de
pulsos
por
semiciclo.
El ndice de modulacin M
controla la tensin de salida,
conocindose
este
tipo
de
modulacin
tambin
como
Modulacin Uniforme de Anchura
de Pulsos (UPWM).
1
fc
Seal
portadora
Generacin
de
seales
Ac
Seal de
referencia
Ar
VS
2
Tensin de salida
m
Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.
El nmero de pulsos por semiciclo lo
obtenemos del siguiente modo:
mf
fc
p
2 f
2
f
mf c
f
La
variacin
del
ndice
de
modulacin de cero a uno, nos
variar el ancho del pulso de 0 a /p
y la tensin de salida desde cero a
VS.
1
fc
Seal
portadora
Generacin
de
seales
Ac
Seal de
referencia
Ar
VS
2
Tensin de salida
m
Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.
Si es la anchura de cada pulso, la tensin eficaz de salida se obtiene a
partir de:
Vo RMS
p
2
p
2 p
2
VS2 d t VS
La tensin instantnea de salida en series de Fourier se expresa como:
vo t
n 1, 3, 5...
senn t
donde el coeficiente Bn se determina al considerar un par de pulsos, tal que
el pulso positivo, de duracin comienza para t = m y el pulso negativo de
la misma anchura comienza para t = m + .
Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.
A medida que aumentamos el nmero de pulsos por ciclo cobran mayor
importancia en amplitud los armnicos superiores, por lo que resulta mucho
ms fcil el filtrado posterior de la seal y obtener una onda senoidal lo ms
perfecta posible.
V
1
01
4Vs /
0.9
0.8
V 03
2
0.7
4Vs /
0.6
0.5
V 05
4Vs /
0.4
3
2
0.3
Tres pulsos por semiperodo
V 07
0.2
4Vs /
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.
1
V 01
4Vs /
0.9
0.8
2
1
V 03
4Vs /
0.7
0.6
3
V 05
4Vs /
0.5
0.4
V 11
4
Seis pulsos por semiperodo
4Vs /
0.3
0.2
0.1
0
V 13
5
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
4Vs /
0.8
0.9
Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.
1
10
4Vs /
0.9
2
0.8
V 01
V 03
4V s /
0.7
V 05
3
0.6
4V s /
0.5
V 07
4V s /
0.4
5
0.3
Diez pulsos por semiperodo
V 11
4Vs /
0.2
3
4
6
0.1
4Vs /
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V 13
0.8
0.9
/ 10
Modulacin senoidal.
Seal portadora A c
mantener Seal de referencia A r
En lugar de
constante la anchura de
todos los pulsos como
en el caso anterior, se
varan en proporcin a
la amplitud de una onda
senoidal; de esta forma Seales obtenidas g
1
el factor de distorsin y de la comparacin
de Ac y Ar
los armnicos de orden
g2
ms bajos son reducidos
significativamente.
Seal de excitacin de
los transistores de
ambas ramas.
t
1
fc
2
Modulacin senoidal.
Las seales de puerta se
obtienen
por
comparacin
entre la citada seal senoidal
(seal de referencia) y una
seal
triangular
(seal
portadora).
El nmero de pulsos por
semiciclo
depende
de
la
frecuencia
de
la
seal
portadora como se puede
observar en la figura.
Seal portadora A c
Seal de referencia A r
t
1
fc
Seales obtenidas
de la comparacin
de Ac y Ar
g1
g2
Seal de excitacin de
los transistores de
ambas ramas.
Modulacin senoidal.
Ac
Ar
Podemos observar en la figura que A
M
=
r
Ac
la anchura de cada pulso de la
seal de excitacin corresponde a
2
los intervalos existentes entre los
puntos de corte de la onda
portadora y la de referencia,
obtenindose el doble de pulsos si
utilizamos dos ondas senoidales en
vez de una.
m es la anchura de un pulso p-simo que vara al modificar el ndice de
modulacin y modificando ste se altera la tensin eficaz de salida, que
vendr dada por:
p
Vo RMS VS
p 1
Modulacin senoidal.
1
V 01
Vs
0.9
0.8
Ar
V 05
Ac
Vs
0.7
0.6
V 08
Vs
0.5
0.4
2
4
0.3
V 07
Vs
0.2
0.1
4
0.1 0.2
0.3 0.4
0.5
0.6
Ar
0.7
0.8
0.9
Ac
= M
Modulacin senoidal.
1
V 01
Vs
Ar
0.9
Ac
V03 y V05 son
despreciables
0.8
0.7
V 09
0.6
Vs
0.5
2
0.4
V 07
Vs
0.3
0
V 11
0.2
4
Vs
0.1
4
0.1 0.2
0.3 0.4
0.5
0.6
Ar
0.7
0.8
0.9
Ac
=M
Modulacin senoidal.
1
V 01
Vs
0.9
Ar
1
0.8
V 09
y V 15
Vs
Vs
Ac
0.7
0.6
3
0.5
0.4
3
4
0.3
V 11
y V 13
Vs
Vs
V 23
y V 25
Vs
Vs
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
M=
Ar
Ac
Modulacin senoidal.
1.3
1.2
VS
1.1
1
V01
Ac
Ar
V 03
VS
0.9
0.8
0.7
V05
VS
0.6
0.5
0.4
0.3
V07
VS
0
0.2
0.1
0
0.5
1.5
M=
Ar
Ac
Modulacin senoidal.
En comparacin con el caso anterior, este tipo de modulacin reduce
significativamente el factor de distorsin eliminando todos los armnicos
menores o iguales a 2p-1. Por ejemplo, para p = 5 (cinco pulsos por
semiperodo) el armnico de menor orden es el noveno.
La modulacin en anchura de pulso (PWM) introduce armnicos en
un rango alto de frecuencias alrededor de la frecuencia de disparo fc y sus
mltiplos, es decir, alrededor de los armnicos mf, 2mf, 3mf... La frecuencia
a la que se producen estos armnicos viene dada por:
f n jm f k f c
n jm f k 2 jp k
donde k es el flanco de bajada del armnico n en el instante j para la
proporcin frecuencia-modulacin mf.
para j 1, 2, 3...
k 1, 3, 5...
Modulacin senoidal.
La tensin de pico de salida del fundamental para control PWM y SPWM viene
dada aproximadamente por:
Vo1 d VS
para 0 d 1
para d = 1, la mxima amplitud de pico de la tensin de salida del
fundamental: Vo1(mx) = VS. Pero de la ecuacin:
vo t
4 VS
senn t
n 1, 3, 5... n
Se tiene un mximo, para una onda de salida cuadrada, de:
4 VS
1.278 VS
Modulacin senoidal.
Para aumentar la tensin de salida del
fundamental podemos incrementar el
valor de d ms all de uno, esto es
conocido como sobremodulacin (d es el
ndice de modulacin cuando ste supera
la unidad).
El valor de d en el que se cumple que
Vo1(mx)=1.278 VS , depende del nmero de
pulsos
por
semiciclo
y
es
aproximadamente tres para p=7 como se
muestra en la figura.
Zona lineal
Zona no lineal
Vo1
VS
4
Modulacin senoidal.
La
sobremodulacin
se
emplea
bsicamente para operar con ondas
cuadradas e inyecta ms armnicos que el
modo de operacin en el rango lineal (para
d 1 ), por esto, la sobremodulacin es
normalmente evitada en aplicaciones que
requieren una distorsin baja.
Zona lineal
Zona no lineal
Vo1
VS
4
La modulacin senoidal es muy
usada en aplicaciones industriales y se
conoce como modulacin senoidal de
anchura de pulso (SPWM).
0
Modulacin senoidal modificada.
Del apartado anterior se puede deducir que variando el ndice de
modulacin la anchura de los pulsos no varan significativamente. Para
solventar este problema se utiliza la tcnica de modulacin en anchura de
pulsos senoidal modificada (MSPWM).
Esta tcnica aplica la onda portadora durante los primeros y ltimos
60 de cada semiciclo.
Modulacin senoidal modificada.
En la figura se esquematiza este
tipo de control con un ejemplo
en el que la seal portadora
(triangular) se aplica a los
intervalos (0, 60) y (120,
180), obteniendo un pulso
central de mayor anchura.
Seal Portadora
Seal de referencia
180
60
240
300
360
120
Seal que se
aplica en la base
de Q1
t
2
m
Seal que se
aplica en la base
de Q4
t
2
Modulacin senoidal modificada.
Este tipo de modulacin aumenta la componente fundamental y las
caractersticas armnicas son mejoradas con respecto a la tcnica anterior.
Tambin reduce el nmero de conmutaciones del circuito de potencia y por
tanto, las prdidas por disparo son menores.
Para los inversores trifsicos el nmero de pulsos durante los perodos de
60 inicial y final, viene dado por la proporcin:
fc
6 p 3
f
donde p es el nmero de pulsos.
Modulacin con alternancias positivas y negativas en cada semiperiodo.
Las tcnicas de modulacin vistas hasta
ahora tienen el inconveniente de que
hay que aumentar enormemente el
nmero de conmutaciones en cada ciclo
y por otra parte en ciertos intervalos de
tiempo la tensin en la carga es nula.
Estos inconvenientes se evitan haciendo
que en cada semiperodo el impulso de
salida se invierta y la tensin se haga
negativa segn nos indica la figura.
Evidentemente el valor medio de cada
semiperodo depender del valor m.
Modulacin con alternancias positivas y negativas en cada semiperiodo.
Con este tipo de modulacin tambin se
pueden reducir los primeros armnicos.
Para ello si observamos la figura
podremos
desarrollar
la
tensin
instantnea de salida en series de
Fourier como:
vo t
Vs
2
a senn t
n 1, 3, 5...
- Vs
2
1
2
1
2
Modulacin con alternancias positivas y negativas en cada semiperiodo.
vo t
an
a senn t
n 1, 3, 5...
VS senn t d t
VS
- 2
VS
-1
senn t d t
senn t d t
VS senn t d t
1
VS
-1
- 2
senn t d t
1 2 cosn1 2 cosn 2
4
VS
2
n
Si se quieren eliminar el tercer y el quinto armnico bastar con hacer cero la
ecuacin anterior para n = 3 y n = 5. Lo cual se logra s:
1 = 23.62
2 = 33.3
Modulacin en modo de control de corriente (Por banda de histresis).
En aplicaciones como conduccin de servomotores CC y CA, es la corriente
del motor (suministrada por el convertidor o inversor en conmutacin) la que
necesita ser controlada, aunque siempre se emplea un inversor en fuente de
tensin (VSI).
Mediante el control de banda de tolerancia se obtienen las seales
conmutadas de los interruptores para controlar la corriente de salida.
Modulacin en modo de control de corriente (Por banda de histresis).
En la figura se puede observar una
corriente de referencia senoidal iA*,
donde la corriente de fase actual
es comparada con la banda de
tolerancia alrededor de la corriente
de referencia asociada con esa
fase.
Si la corriente actual en la figura
intenta ir ms all de la banda de
tolerancia superior, TA- conduce
(TA+ est en corte).
Modulacin en modo de control de corriente (Por banda de histresis).
La conmutacin opuesta sucede si la corriente actual intenta ir por debajo de la banda
de tolerancia inferior. Acciones similares tienen lugar en otras 2 fases. Este control es
mostrado en forma de diagrama de bloques en la figura.
La frecuencia de conmutacin depende de cmo de rpida cambia la corriente desde
el lmite superior al lmite inferior y viceversa.
Esto, por turnos, depende de Vd, la carga back-emf y la carga reactiva. Por
otra parte, la frecuencia de conmutacin no se mantiene constante, pero vara a lo
largo de la forma de onda de la corriente.
