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Union P-N

Este documento describe tres applets interactivos relacionados con diodos de unión P-N. Explica cómo visualizar y modificar parámetros en los applets para simular el comportamiento de diodos bajo diferentes condiciones de polarización y conmutación.

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UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

UNION P-N
Ingresa

a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego

redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada


applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.
[Link]
PN_en_equilibrio_y_polarizada/[Link]
[Link]
_de_Shockley/[Link]
[Link]
[Link]

Suscrbete y Publica tu trabajo en :

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Enva la direccin de tu publicacin a tu profesor

Los applets son animaciones interactivas, para que puedas


visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java
en tu computador, descrgalo gratis en [Link]

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Diodo de unin P-N polarizado


La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le
aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se
ve, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del
diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n).

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En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:


Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son
empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da
lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona
de transicin.
El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin
Eu.

As, se reduce el campo elctrico de la unin

y,

consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que, como


vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es
VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la
forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin.

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La ley de Shockley

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos


estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia.
No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p,
dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin
de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para

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pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta


alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo
desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se
incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio
en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la
corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo
aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente,
mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II,
hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A).

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Conmutacin del diodo

En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo


cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a
negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un
circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra
negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que
incluye una resistencia) y un diodo de unin.
Este esquema se situa en la parte superior derecha del applet y
se puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el
ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la
aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la
mencionada zona sensible.

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El usuario puede modificar todos los


parmetros del circuito presionando
el botn del panel superior con el
texto

"Parmetros

ciscuito".

Al

presionarlo aparecer una ventana


con tres campos editables donde se
pueden

introducir

los

valores

numricos deseados para la tensin


directa (VF), la tensin inversa (VR)
y la resistencia de polarizacin (R).
Tras introducir los nuevos valores es
necesario pulsar el botn "Aceptar"
de la ventana de los parmetros del
circuito para que tengan efecto los
cambios.
Debajo del circuito aparecen cuatro
grficas que varan en el tiempo y
donde

se

representan

los

parmetros ms importantes que


controlan el comportamiento del
diodo.
La primera grfica representa la
tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula
por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del
diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica
es la tensin que cae en bornas del diodo. Esta cuatro grficas se van
actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha
conforme avance el tiempo.

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En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones


que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula.
Se muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin
en bornas del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y
al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las
mismas pero sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en
la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo
(hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros se modifican
instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha
de las grficas, se muestran los valores instantneos para estas
funciones temporales.

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