Ejercicios y Cuestiones Repaso de Semiconductores:
1. La probabilidad de que un estado en el extremo inferior de la banda de
conduccin (E
c
) est ocupado es precisamente igual a la probabilidad de que un
estado en el extremo superior de la banda de valencia (E
v
) est vaco. Cul es la
posicin del nivel de Fermi?.
2. Una muestra de Si est dopada con 10
14
tomos de B por cm
3
.
a) Cul es la concentracin de portadores en la muestra de Si a
temperatura ambiente (300 K)?
b) Cul es la concentracin de portadores a 470 K?
Datos: n
i
= 1.18 10
10
cm
-3
a temperatura ambiente, n
i
= 10
14
cm
-3
a 470 K
3. Para cada una de las condiciones del ejercicio anterior determinar la posicin de
E
i
, calcular E
F
- E
i
y dibujar a escala el diagrama de bandas de energa para la
muestra de Si. Tener en cuenta que E
G
= 1.08 eV a 470 K y suponer que m
*
p
/m
*
n
es independiente de la temperatura.
Datos: m
*
p
/m
*
n
= 0.69
4. Un semiconductor est caracterizado por el diagrama de bandas de energa
siguiente:
a) Si el semiconductor de Si se mantiene a temperatura ambiente (300 K),
E
G
= 1.12 eV, n
i
= 1.18 10
10
cm
3
y KT = 0.0259 eV, determinar la
resistividad del semiconductor para la regin x > W/2.
b) Un electrn localizado en x = W/2 intenta moverse a la regin x < -W/2,
sin modificar su energa total. Cul es la mnima energa cintica que
debe tener el electrn para conseguir este objetivo?
c) Dibujar el potencial electrosttico interno (V) en funcin de x.
d) Dibujar el campo elctrico () en el interior del semiconductor en
funcin de x.
e) El semiconductor est en equilibrio. Cmo se deduce este hecho del
diagrama de bandas de energa?.
f) Cul es la densidad de corriente de electrones (J
N
) y la densidad de
corriente de huecos (J
p
) en x = 0?
g) Existe corriente de arrastre de electrones en x = 0?. Si as fuera, cul es
la direccin del flujo de corriente?
h) Existe corriente de difusin de electrones en x = 0?. En tal caso, cul
es la direccin del flujo de corriente?
E
F
E
i
E
c
E
v
W/
2
-W/
2 0
E
G
/4
E
G
/4
5. En un semiconductor determinado, la probabilidad de que los electrones ocupen
estado de energa KT, por encima del extremo inferior de la banda de
conduccin es e
-10
. Determinar la posicin del nivel de Fermi en dicho material.
6. El mecanismo dominante de la dispersin de portadores en el Si ligeramente
dopado a temperatura ambiente es:
a) dispersin de portadores
b) dispersin por la red cristalina
c) dispersin por impurezas ionizadas
d) dispersin piezoelctrica
Razonar la respuesta.
7. Indicar como se representa la congelacin de los electrones en los niveles
donadores cuando T 0K, utilizando el diagrama de bandas de energa.
8. La resistividad de un material tipo n es por lo regular ms pequea que la
resistividad de un material tipo p de dopado comparable. Explicar por qu.
9. Utilizando el diagrama de bandas de energa indicar como se explica la
recombinacin por centros R-G.
10. Interpretacin de un diagrama de bandas de energa:
a) Cul sera la forma del potencial electrosttico (V) en el interior del
semiconductor?. Dibujarla y explicarla.
b) Cul sera la forma del campo elctrico () en el interior del
semiconductor?. Dibujarlo y explicarlo.
c) Se dan condiciones de equilibrio?
d) El semiconductor es degenerado en algn punto?
e) En x = x
2
, a qu es igual p?
f) A qu es igual la densidad de electrones J
N
que fluye en x = x
1
?
g) A qu es igual la densidad de corriente de arrastre de huecos J
parrastre
que
fluye en x = x
1
?
h) A qu es igual la energa cintica del hueco que aparece en el diagrama?
11. El siguiente esquema de banda de energa representa la situacin de un
semiconductor tipo n a una temperatura aproximada de: a) T < 100 K, b) T =
300 K, c) T > 400 K, d) T = 0K.
E
i
E
c
E
v
E
F
x
L
0
x
1
L/3
x
2
2L/3
E
G
/3
Hueco
12. Si consideramos la siguiente variacin de la concentracin de electrones con la
temperatura para una muestra de Si tipo n.
A T > 500 K Cul es el comportamiento de la muestra?
13. Cul es la probabilidad de que un estado de energa KT por debajo del nivel de
Fermi est ocupado por un hueco?
14. Una muestra de Si est dopada con 10
16
tomos donadores y 5 10
15
tomos
aceptores por cm
3
. Cul es la concentracin de huecos a temperatura
ambiente?.
15. Se sabe que
p
= 500 cm
2
/V s a 300 K. Si el semiconductor es no degenerado,
cunto vale D
p
?
16. Se tiene una muestra de Si tipo p dopada uniformemente con N
A
= 10
15
cm
-3
y
uniformemente iluminada, de modo tal que n = p = 10
14
cm
2
/V s. Calcular la
resistividad de la muestra iluminada. Suponer
n
= 1350 cm
2
/V s y
p
= 460
cm
2
/V s.
17. Una muestra de Si uniformemente dopada con N
D
= 10
15
cm
-3
tomos dadores.
Dentro de una pequea regin de la misma, n = 10
14
cm
-3
y p = 10
4
cm
-3
. En esta
regin como son las velocidades de los procesos de [Link].
18. Una barra semiinfinita de Si tipo n que aparece a continuacin est sometida a
una perturbacin tal que p
n
(0) = p
n0
> 0. Se mantiene la barra a temperatura
ambiente en condiciones estacionarias y N
D
= 10
14
cm
-3
para todo x. La barra es
especial en el sentido de que se han eliminado todos los centros de R-G de la
regin 0 x L. En ningn lugar de la barra tienen lugar otros procesos,
incluyendo la fotogeneracin.
E
v
E
i
E
c
T
n
500 K
0 =
Trmica
G R
t
p
a) Determinar la concentracin de electrones en el equilibrio n
0
.
b) Si p
n0
= 10
14
cm
-3
, se dan condiciones de bajo nivel de inyeccin?
c) Considerando que p
n0
es tal que prevalecen las condiciones de bajo nivel de
inyeccin demostrar que :
p
p
n n
L L
L
p L p
+
=
0
) (
donde L
p
es la longitud de difusin de los portadores minoritarios en la regin x
L de la barra. Tanto p
n
(x) como dp
n
(x)/dx deben ser continuas en x=L.
p
n
(0) = p
n0
> 0
x
0 L
