Universidad Mayor de San Andrs
Ingeniera Electrnica
SISTEMAS DIGITALES II LABORATORIO, ETN621L
INFORME I
Tema:
GENERADOR DE CARACTERES Y REGISTROS DE
DESPLAZAMIENTO
Integrantes:
UNIV. CATACORA GRUNDY RAUL
UNIV. ERGUETA CARVAJAL ARNY
UNIV. URUCHI QUISPE NELSON
Grupo: G-15
Docente:
ING. LEON
Fecha de entrega:
25 de septiembre de 2013
GENERADOR DE CARACTERES Y REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO
1. OBJETIVO
Familiarizar al estudiante en el manejo de flip-flop D y JK para registros de
desplazamiento.
Familiarizar al estudiante en el manejo de memorias semiconductoras, en sus
procesos de lectura y escritura.
2. FUNDAMENTO TEORICO
a) REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO
Un registro de desplazamiento es un circuito digital secuencial (es decir, que los
valores de sus salidas dependen de sus entradas y de los valores anteriores)
consistente en una serie de biestables, generalmente de tipo D, conectados en
cascada (Fig. 1), que basculan de forma sincrnica con la misma seal de reloj.
Segn las conexiones entre los biestables, se tiene un desplazamiento a la izquierda
o a la derecha de la informacin almacenada. Es de sealar que un desplazamiento a
la izquierda de un conjunto de bits, multiplica por 2, mientras que uno a la derecha,
divide entre 2. Existen registros de desplazamiento bidireccionales, que pueden
funcionar en ambos sentidos. Los registros universales, adems de bidireccionales
permiten la carga en paralelo.
Tipos de registros de desplazamiento
Dependiendo del tipo de entradas y salidas, los registros de desplazamiento
se clasifican como:
Serie-Serie: slo la entrada del primer flip-flop y la salida del ltimo son
accesibles externamente. Se emplean como lneas de retardo digitales y en
tareas de sincronizacin.
Paralelo-Serie: son accesibles las entradas de todos los flip-flops, pero slo
la salida del ltimo. Normalmente tambin existe una entrada serie, que slo
altera el contenido del primer flip-flop, pudiendo funcionar como los del grupo
anterior.
Serie-Paralelo: son accesibles las salidas de todos los flip-flops, pero slo la
entrada del primero. Este tipo y el anterior se emplean para convertir datos
serie en paralelo y viceversa, por ejemplo para conexiones serie como
el RS232.
Paralelo-Paralelo: tanto las entradas como las salidas son accesibles. Se
usan para clculos aritmticos.
Un registro de desplazamiento muy utilizado, que es universal (se llama as
porque puede utilizarse en cualquiera de las cuatro configuraciones
anteriormente descritas) y bidireccional (porque puede desplazar los bits en
un sentido u otro) es el 74HC194, de cuatro bits de datos.
Otros registros de desplazamiento conocidos, fabricados tambin con la
tecnologa CMOS, son el 74HC165 (entrada paralelo, salida serie) y
74HC164 (entrada serie, salida paralelo).
Aplicaciones
Adems de la conversin serie-paralelo y paralelo-serie, los registros de
desplazamiento tienen otras aplicaciones tpicas:
Generador pseudoaleatorio. Se construye con un registro de
desplazamiento, realimentando a la entrada una combinacin de varias
salidas, normalmente un or exclusivo entre ellas.
Multiplicador serie. Se realiza la multiplicacin mediante sumas y
desplazamientos. Un ejemplo es el 74LS384.
Registro de aproximaciones sucesivas. Se usa en conversores A/D. Se
van calculando los bits sucesivamente, empezando por el ms significativo.
Mediante un conversor DAC se compara la entrada analgica con los
resultados parciales, generando el siguiente bit.
Retardo. Se pueden utilizar para retardar un bit un nmero entero de ciclos
de reloj (consiste simplemente en un conjunto de biestables en cascada,
tantos como ciclos de reloj deseemos retardar los bits).
Formas de construir registros de desplazamiento
Registro de entrada paralelo y salida serie. Puede construirse con un
multiplexor digital combinacional y un contador. Las entradas de datos del
multiplexor se conectan a los datos a transmitir, y las entradas de control, a
las salidas del contador (el bMs del MUX conectado al bMs del contador),
dicho contador deber estar en modo de carrera libre.
Registro de entrada serie y salida paralelo. Similar al caso anterior, se
sustituye el muliplexor por un demultiplexor, ahora las salidas de ste sern
las salidas paralelos.
Biestables en cascada. Con esto y la lgica combinacional adecuada, se
pueden construir incluso registros de desplazamiento bidireccionales y
universales, aunque en este caso es ms aconsejable disponer del
74HC194, dado que ocupa mucho menos espacio (y el precio del integrado
es muy asequible) y en un solo integrado incluye las cuatro posibles
configuraciones y la funcionalidad de desplazar los bits en ambos sentidos.
b) MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES
Desde 1972 el tipo de memoria universalmente empleada como memoria
principal es la memoria de semidonductores. Las memorias de
semiconductores almacenan la informacin en forma electrnica, mediante
circuitos simples, que pueden ser construidos automticamente y en forma
masiva con la cada vez ms sofisticada tecnologa de integracin de gran
escala. Lamentablemente, stas memorias son voltiles. Dado
que almacenan la informacin electrnicamente, al quitarse la alimentacin
la misma se pierde.
Todas las memorias que se considerarn son de direccionamiento
cableado y, por lo tanto, son de acceso aleatorio.
Se puede establecer la siguiente clasificacin:
De lectura y escritura o RAM
o Estticas (SRAM)
o Dinmicas o con refresco (DRAM)
De slo lectura ROM
3. REALICE LA JUSTIFICACION DE LAS MEJORAS Y MODIFICACIONES
INTRODUCIDAS EN LOS CIRCUITOS ORIGINALES.
En la prctica se obtuvo logro apreciar de manera exitosa el manejo de
compuertas de la primera parte del laboratorio as tambin el uso de FF-T
que se obtuvo cortocircuitando el FF-JK y de esta manera se trabaj en
frecuencias bajas, pero bien sabemos que nuestra forma de trabajo en
general se la realiza a frecuencias altas y es cuando la forma de la onda de
salida de nuestra compuerta es de diferente manera como se muestra en la
siguiente figura:
Observamos que la onda sufre una deformacin es por eso que la forma de
mejorar modificando dicho circuito es aadiendo un capacitor en la entrada
de la compuerta AND para lograr una especie de retardo y modelar la forma
de la onda. Por otra parte la segunda solucin que el grupo propone es
manejar de manera adecuada el manual de los TTL, para poder ver la
mxima frecuencia de trabajo, ya que existen TTL que pueden trabajar a
FRECUENCIAS ALTAS.
En la segunda parte del laboratorio se sugiere intercambiar el uso de la
memoria RAM por una memoria EEPROM ya que esta memoria realiza la
misma funcin que la RAM es decir el proceso de escritura y el de lectura a
diferencia que en la memoria EEPROM esta es una memoria no voltil. Como
podemos apreciar en el grfico.
4. ANALOGIAS DE LOS CIRCUITOS ARMADOS CON OTROS
DISPOSITIVOS
En el primer circuito armado en laboratorio se lo realizo con FF-T este tipo de
FF puede ser utilizado tambin como un clock, la diferencia es que este clock
es retardado y puede ayudarnos en los posteriores laboratorios.
En el segundo circuito armado en laboratorio se asemeja muchsimo a todas
los paneles que muestran mensajes, nmeros, tiempo, etc. Estos se los
puede encontrar en los bancos, autos, cines, relojes, partidos de futbol. Pero
a diferencia de estos generadores de caracteres, el realizado en laboratorio
fue con REGISTROS y UNA MEMORIA, y no asi en los otros que son
realizados de manera ms practica y se utiliza PICS.
5. DIAGRAMA DE TIEMPOS DE LECTURA Y ESCRITURA DEL CIRCUITO
INTEGRADO DE LA MEMORIA UTILIZADA, CON UNA EXPLICACION
COMPLETA DE LOS PARAMETROS QUE INTERVIENEN.
Los siguientes diagramas de tiempos para el proceso de lectura y escritura se
los obtuvo de la hoja de datos de la memoria EEPROM AT28C16.
Para el proceso de LECTURA:
1. Como podemos observar CE y el OE se habilitan con un 0, en la primera
parte del diagrama de tiempos se observa claramente que estos se inician
en 1 lgico.
2. Al momento de introducir la direccin de lectura conmutamos el CE y el
OE a 0 lgico para iniciar la etapa de lectura.
3. Al terminar el tiempo (tACC) se logra transmitir a la salida los datos
guardados en la memoria.
Para el proceso de ESCRITURA:
1. Para el proceso de lectura utilizaremos la forma de CE controlado.
2. Para esto conmutamos el OE de 0 a 1 para inhabilitar la salida y
habilitar la entrada.
3. Introducimos la direccin en la que vamos a guardar la informacin
(ADDRESS).
4. Conmutamos el WE de 1 a 0 para habilitar el proceso de escritura.
5. Para guardar la informacin tenemos que conmutar el CE de 1 a 0.
6. Se guarda los datos en el tiempo (tWC) en la direccin destinada.
7. Termina el proceso de escritura.
6. DIBUJAR LOS DIAGRAMAS DE TIEMPO DEL PUNTO 3.1. PROPONER
UNA SOLUCION PARA LA DISTORSION QUE SE PRODUCE EN ALTA
FRECUENCIA.
Para el FF-T ascendente
Para el FF-T descendente
El diagrama de tiempos es el siguiente
Para el FF-T ascendente en el punto A-C
Frecuencia a 1 K [Hz]
Frecuencia a 100 K [Hz]
Frecuencia a 2 M [Hz]
Para el FF-T ascendente en el punto A-B
Frecuencia a 1 K [Hz]
Frecuencia a 100 K [Hz]
Frecuencia a 2 M [Hz]
Para el FF-T descendente en el punto D-F
Frecuencia a 1 K [Hz]
Frecuencia a 100 K [Hz]
Frecuencia a 2 M [Hz]
Para el FF-T descendente en el punto E-F
Frecuencia a 1 K [Hz]
Frecuencia a 100 K [Hz]
Frecuencia a 2 M [Hz]
Como vemos en las grficas obtenidas en laboratorio en el FF-T ascendente existe una
gran deformacin, mientras que en el FF-T descendente no se aprecia gran
deformacin por tanto se puede corregir esa deformacin no tan apreciable con un
capacitor, pero la mejor manera de arreglar la distorsin es trabajar con TTL que
trabajan a frecuencias altas y de todas las anteriores la mejor solucin es trabajar con
tecnologa CMOS.
7. EXPLICAR EL MODO DE FUNCIONAMIENTO DE LOS FLIP-FLOP D, JK
SINCRONO
a) FLIP FLOP J K
Existen dos entradas adicionales en el biestable o flip flop JK muy importantes:
- La entrada PRESET (poner), que sirve para poner directamente en el biestable un "1"
en la salida Q y
- La entrada CLEAR (borrar), que sirve para poner en "0" en la salida Q.
Estas entradas son asincrnicas, lo que significa que tendrn efecto sin importar el
estado del reloj y/o las entradas J y K.
Es importante no activar simultneamente estas dos entradas.
Importante: Los biestable pueden "TENER o NO" una pequea burbuja (esfera, bolita)
en las entradas PRESET o CLEAR.
- Cuando NO la tienen significa que la seal es activa cuando est en nivel ALTO.
- Cuando SI la tienen significa que la seal es activa cuando est en nivel BAJO.
El diagrama completo del biestable JK ser como se muestra en el diagrama anterior.
Tabla de verdad del Flip Flop JK
De la tabla de verdad anterior se puede ver que las entradas CLEAR (CLR) y PRESET
son activas en bajo (ver la pequea esfera en estas entradas) y se imponen en la
salida Q sin importar el estado del reloj y de las entradas J y K. (ver las entradas J, K y
el reloj con una X)
Para que las entradas J y K y el reloj sean funcionales, las entradas Clear y Preset
deben de estar en nivel "alto" (no activas), entonces:
- Memorizar: Con J = 0 y K = 0, hay un estado de memoria o retencin (mantiene la
salida que tena antes de que las entradas hayan cambiado).
- Reset: Con J = 0 y K = 1, se pode en Q un "0" y en Q un "1".
- Set: Con J = 1 y K = 0, se pode en Q un "1" y en Q un "0".
- Bascular: Con J = 1 y K = 1, el biestable bascula pasando de un nivel a otro ("0" a "1"
o "1" a "0").
Lo anterior slo tiene efecto en el momento en que el pulso de reloj est en el flanco
descendente o posterior (ver la flecha en la columna "Reloj")
b) FLIP FLOP TIPO D
La diferencia entre el flip-flop D y el biestable D es que el flip-flop copia la entrada D a
la salida Q en el flanco del pulso de reloj, el biestable lo hace por nivel
El flip-flop tipo D es un elemento de memoria que puede almacenar informacin en
forma de un "1" o "0" lgicos. Este flip-flop tiene una entrada D y dos salidas Q y Q.
Tambin tiene una entrada de reloj, que en este caso, nos indica que es un FF
disparado por el borde o flanco descendente (ver el tringulo y la pequea esfera en la
entrada en los diagramas inferiores).
Si el flip flop se disparara por el borde ascendente slo aparecera el tringulo (no hay
la pequea esfera).
El flip-flop tipo D adicionalmente tiene dos entradas asincrnicas que permiten poner
a la salida Q del flip-flop, una salida deseada sin importar la entrada D y el estado del
reloj.
Estas entradas son:
- PRESET (poner)
- CLEAR (Borrar)
Es importante notar que estas son entradas activas en nivel bajo (ver la bolita o burbuja
en la entrada)
Ser activo en nivel bajo significa que:
- Para poner un "1" en la salida Q se debe poner un "0" en la entrada PRESET
- Para poner un "0" en la salida Q se debe poner un "0" en la entrada.
8. ENUMERE Y DESCRIBA LOS TIPOS DE MEMORIa
a) MEMORIA RAM
Concepto
RAM: Siglas de Random Access Memory, un tipo de memoria a la
que se puede acceder de forma aleatoria; esto es, se puede acceder
a cualquier byte de la memoria sin pasar por los bytes precedentes.
RAM es el tipo ms comn de memoria en las computadoras y en
otros dispositivos, tales como las impresoras.
Hay dos tipos bsicos de RAM:
DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica
SRAM (Static RAM), RAM esttica
Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar
los datos. La RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de veces
por segundo, mientras que la RAM esttica no necesita ser
refrescada tan frecuentemente, lo que la hace ms rpida, pero
tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son voltiles, lo
que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta
la alimentacin.
En el lenguaje comn, el trmino RAM es sinnimo de memoria
principal, la memoria disponible para programas. En
contraste, ROM (Read Only Memory) se refiere a la memoria especial
generalmente usada para almacenar programas que realizan tareas
de arranque de la mquina y de diagnsticos. La mayora de los
computadores personales tienen una pequea cantidad
de ROM (algunos Kbytes). De hecho, ambos tipos de memoria ( ROM
y RAM )permiten acceso aleatorio. Sin embargo, para ser precisos,
hay que referirse a la memoria RAM como memoria
de lectura y escritura, y a la memoria ROM como memoria de solo
lectura.
Se habla de RAM como memoria voltil, mientras que ROM es
memoria no-voltil.
La mayora de los computadores personales contienen una pequea
cantidad de ROM que almacena programas crticos tales como
aquellos que permiten arrancar la mquina (BIOS CMOS). Adems,
las ROMs son usadas de forma generalizada en calculadoras
y dispositivos perifricos tales como impresoras laser, cuyas 'fonts'
estan almacenadas en ROMs.
TIPOS DE MEMORIA RAM
1) DRAM (Dynamic RAM)
2) VRAM (Vdeo RAM)
3) SRAM (Static RAM)
4) FPM (Fast Page Mode)
5) EDO (Extended Data Output)
6) BEDO (Burst EDO)
7) SDRAM (Synchronous DRAM)
8) DDR SDRAM SDRAM II (Double Data Rate SDRAM)
9) PB SRAM (Pipeline Burst SRAM)
10) RAMBUS
11) ENCAPSULADOS
12) SIMM (Single In line Memory Module)
13) DIMM (Dual In line Memory Module)
14) DIP (Dual In line Package)
15) Memoria Cach RAM Cach
16) RAM Disk
b) MEMORIA ROM
Concepto
ROM, por las siglas de Read Only Memory, en castellano Memoria de
Slo Lectura.
Se trata de una memoria que usan los equipos electrnicos, como es el
caso de las computadoras. Aquella informacin que se almacene en
esta memoria no puede ser modificada por el propio usuario, de all su
nombre.
Existen los siguientes tipos de memoria ROM:
1) PROM: por las siglas de Programmable Read Only memory, en
castellano ROM programable, se caracteriza por ser digital. En ella,
cada uno de los bits depende de un fusible, el cual puede ser
quemado una nica vez. Esto ocasiona que, a travs de un
programador PROM, puedan ser programadas por nica vez. La
memoria PROM es utilizada en casos en que los datos necesiten
cambiarse en todos o la mayora de los casos. Tambin se recurre
a ella cuando aquellos datos que quieran almacenarse fe forma
permanente no superen a los de la ROM.
2) EPROM: por las siglas en ingls de Erasable Programmable Read-
Only Memory, en castellano, ROM programable borrable de slo
lectura. Esta memoria ROM es un chip no voltil y est conformada
por transistores de puertas flotantes o celdas FAMOS que salen de
fbrica sin carga alguna. Esta memoria puede programarse a
travs de un dispositivo electrnico cuyos voltajes superan a los
usados en circuitos electrnicos. A partir de esto, las celdas
comienzan a leerse como 1, previo a esto se lo hace como 0. Esta
memoria puede ser borrada slo si se la expone a luces
ultravioletas. Una vez que la EPROM es programada, se vuelve no
voltil, o sea que los datos almacenados permanecen all de forma
indefinida. A pesar de esto, puede ser borrada y reprogramada con
la utilizacin de elevados niveles de voltaje. Si bien actualmente
siguen siendo utilizadas, presentan algunas desventajas, entre
ellas que el proceso de borrado del chip es siempre total, es decir
que no se puede seleccionar alguna direccin en particular. Por
otro lado, para reprogramarlas o borrarlas, deben removerse de su
circuito y este proceso lleva por lo menos veinte minutos. Estas
desventajas han sido superadas por memorias flash y EEPROM,
por lo que las EPROM estn cayendo en desuso en ciertos diseos
y aplicaciones.
3) EEPROM: por las siglas en ingls de Electrically Erasable
Programmable Read Only Memory, en castellano ROM
programable y borrable elctricamente. Esta memoria, como su
nombre indica puede ser programada, borrada y reprogramada
elctricamente y no con rayos ultravioleta, como en el caso de las
EPROM, lo que hace que resulten no voltiles. Adems de tener
las puertas flotantes, como las anteriores, cuenta con una capa de
xido ubicado en el drenaje de la celda MOSFET, lo que permite
que la memoria pueda borrarse elctricamente. Como para realizar
esto no se precisan programadores especiales ni rayos
ultravioletas, se puede hacer en el propio circuito. Adems presenta
la posibilidad de reescribir y borrar bytes individualmente, y son
ms fciles y veloces de reprogramar que las anteriores. Las
desventajas que presenta en comparacin a las anteriores son la
densidad y sus costos altos.
9. CONCLUSIONES
Se logr un manejo exitoso de los FF-D y los FF-JK como registros de
desplazamiento de izquierda a derecha conjuntamente con la memoria en la cual
se guard en 37 direcciones diferentes combinaciones que formaban la palabra
CRISTIAN con una matriz hecha por el grupo de 5 por 5.
Utilizamos una memoria no voltil de escritura y lectura, una memoria EEPROM
28C16 ATMEL, con ayuda de la hoja tcnica se obtuvo una grabacin y lectura
exitosa para la demostracin de los caracteres grabados.
Utilizamos contadores para leer los datos guardados en la memoria EEPROM y
una compuerta AND que reiniciaba la generacin de caracteres en la direccin 38.
Observamos que la funcin de salida es distorsionada a grandes frecuencias y que
para evitar este acontecimiento es mejor trabajar con TTL que trabajen a grandes
frecuencias, la inclusin de un capacitor y trabajar con tecnologa CMOS que es la
respuesta mas satisfactoria.
