Panca 1 ejerc 2) -Se tiene una muestra de silicio q esta dopada con fosforo sabiendo que
el nivel sabiendo q el nivel de los tomos dadores
a 300K esta a 0.158eV por debajo de E y el nivel de fermi esta a 0.028eV sobre el nivel de
dador Ed.
a) Calcular la concentracin de electrones y huecos
b) Si hace incidir radiacin ionizante, q genera una concentracin de portadores en exceso
distribuidos uniformemente en toda la muestra ,
calcular los pseudoniveles de fermi de los electrones y huecos, si la velocidad de pares
electrn - hueco
G=10^(17)cm^(-3)s^(-1)
(n)=()=10^(-5)s
ni=1.510^(10)cm^(-3)
Eg=1.13eV
solucion
Ec-Ef=(Ec-Ed)-(Ef-Ed)
Ec-Ef=0.158-0.028
Ec-Ef=0.13eV
Ef-Ei=0.565-0.13
Ef-Ei=0.435eV
a)--> n=nie^(((Ef-Ei)/(KT)))
n=1.510^(10)e^(((43.5)/(26)))
n=2.7710^(17)cm^(-3)
--> P=nie^(-((Ef-Ei)/(KT)))
P=1.510^(10)e^(-((43.5)/(26)))
P=8.1210^(-2)cm^(-3)
b) G=10^(17)cm^(-3)s^(-1) ; (n)=()=10^(-5)s
n=G.(n)=(10^(17))(10^(-5))=10^(12)cm^(-3)
P=G.()=(10^(17))(10^(-5))=10^(12)cm^(-3)
de:
n=nie^(((Ef-Ei)/(KT)))
n=n+n
n=2.7710^(17)+10^(12)
n=277.0110^(17)
((Efn-Ei)/(KT))=ln(((n)/(ni)))
Efn-Ei=0.026ln(((277.0110^(17))/(1.510^(10))))
Efn-Ei=43510^(-3)
Efn-Ei=0.435eV
-->P=P+P=8.1210^(-12)+10^(12)
P=10^(12)cm^(-3)
ahora:
P=nie^(((Ei-Ep)/(KT)))
Ei-Efp=[Link](((P)/(ni)))
Ei-Efp=0.026ln(((10^(12))/(1.210^(10))))
Ei-Efp=109.210^(-3)
Ei-Efp=0.109eV
Panca 1 ejerc 4)-Al medir la concentracin en exceso de los electrones n(x) en un
semiconductor tipo P
en funcin de la distancia a partir del punto iluminado, se encuentra que n se divide entre 3
cada
vez q la distancia en 0.25mm.
determine la longitud de difusin
solucin
x-x=0.25mm
n(x)=((1)/(3))n(x)
==> ((n(x))/(n(x)))=3
como:
n(x)=ne^(-((x)/(Ln)))....(1)
n(x)=ne^(-((x)/(Ln)))....(2)
dividienfo (1)/(2)
((n(x))/(n(x)))=e^(((x-x)/(Ln)))
ln(((n(x))/(n(x))))=((x-x)/(Ln))
ln(3)=((x-x)/(Ln))
ln=((x-x)/(ln(3)))=((0.25)/(ln(3)))
Ln=0.228mm
Panca 2 ejerc 1 .. se parece)Se desea fabricar una resistencia de 600 con una barra
de silicio tipo n la barra tiene una rea de seccin transversal de 10-2cm2 y una longitud de
1cm.
a) Determinar la concentracin de impurezas(T=300K)
Datos:
n=1500cm2v-1s-1
=500cm2v-1s-1
ni=1.51010cm-3
Nd=?
Solucin
R=((L)/(A))
=R((A)/(L))=((60010^(-2))/(1))=[Link]
=((1)/(q*(n*n +P*)))
n*n + P*=((1)/(q*))...(1)
n.P=ni2
si n>>P, entonces:
n((1)/(q..n))=((1)/((1.610^(-19))(6)(1.510^(-3))))
n6.910^(14)cm^(-3)
==>
nNd==6.91014cm-3
panca 2 ejerc3 muy parecido (panca 3 ejercicio4) ) .Se tiene una barra SC de Ge
tipo n. A esta barra se ilumina con flujo luminoso muy intenso como se muestra en la fig.
resultando que la concentracin de portadores en el extremo iluminado suba en 10;=cm=
Hallar la densidad de corriente a una distancia de 3.4310=cm del extremo iluminado.
DATOS:Dp=47cm/s y
n=p=10@ s
Solucion
tipo p
B=10;=cm=
x=3.4310=cm
Dp=47cm/s
n=p=10@ s
Entonces:
Pn=Pn+P'n
P'n=Pn-Pn
P'n(x=0)=10;=cm=, nn=nn
nn:Concentracion de portadores en equilibrio .En la frontera la concentracin es 10;=cm=
se sabe que J=-[Link].((dPn)/(dx)) y P(x)=P(0)-P'(x)
derivando ambos miembros con respecto a x ((dP(x))/(dx))=((dP'(x))/(dx)) pero tambien se
sabe
P'(x)=Be^(-x/Lp) entonces ((dP'(x))/(dx))=-((B)/(Lp))e^(-x/Lp) y P'(x=0)=B=10;=cm=
reemplazando para J:
J=[Link].((B)/(Lp))e^(-x/Lp)
Luego hallamos Lp de:
Lp=(Dp.p)^(1/2)
Lp=(4710@)^(1/2)=6.910=cm
luego reemplazando en J para x=3.4310=cm
J=(1.610;C)(47)(((10;=)/(6.910=)))e^(-(3.4310=)/(6.910=))
J=6.610 A/Cm
Panca 1 y 2 ejerci 1 y 4 respectivamente)se tiene uns barra de GaAs
tipo p de
resistividad igual a [Link] con: (n)=(p)=510^(-5)s una seccionttasnversaldr 1mm y una
longitud de 1cm posteriormente la barra se ilumina con 17 Fot/s supongase q cada foton
genera un par electron hueco y q estos estan distribuidos en toda labarra:
a)hallar la resistencia de la barra antes y despues de estar bajo excitacion continua deluz a
300K
b)encuentre los pseudoniveles de fermi de los electrones y huecos
datos:
(m)=8500cm<v;s;
(p)=500cm<v;s;
ni=210^(6)cm^(-3)
solucion
tipo ^p^
=[Link]
(n)=(p)=510^(-5)s
A=1mm=0.01cm
(m)=8500cm<v;s;
(p)=500cm<v;s;
ni=210^(6)cm^(-3)
L=1cm
10;A Fot/s
T=300K
entonces:
conductividad:
=((1)/())=((1)/([Link]))=0.05(.cm)^(-1)
R=((L)/(A))=((L)/(.))=((1)/((0.05)(0.01)))=210^(3)
luego:
R=((L)/(.))=((L)/(e(nn+p)A))
poe ser materisl del tipo p
p=N ==>np=ni^(2)
n=((ni^(2))/(N))
entonces:
R=((L)/(e((((ni^(2))/(N)))n+N^(2).)A))
eRA=((L)/(((ni^(2).n+N^(2).)/(N))))=((N.L)/(ni^(2)+N^(2).))
eRA(ni^(2).n)+eRA(N^(2).)=N.L
eRA(N^(2).)-N.L+eRA(ni^(2).n)=0
N^(2)-(((L)/(eRA.)))N+(([Link]^(2).n)/(eRA.))=0
N^(2)-(((L)/(eRA.)))N+((ni^(2).n)/())=0
N=((((L)/(eRA.))(((L^(2))/(L^(2)R^(2)A^(2)^(2)))-4((n)/())ni^(2)))/(2))
reemplzando valores
N=((6.2510^(14)(3.9062510^(29)-2.7210^(14)))/(2))
N=6.2510^(14)
el signo nrgativo se descarta N>0
a)antes de la excitacion
R=((L)/(A))=[Link]((1cm)/(0.01cm^(2)))
R=210^(3)
despues de la excitacion
((P)/(t))=-Un((PE)/(x))+D(h)((^(2)P)/(t))-(((Pn-Pn))/(()))
((P)/(x))=0 E=constante
=> ((P)/(t))=(((P-P))/(()))
P=constante
(((P-P))/(t))=(((P-P))/(()))
(((1)/(P-P)),(P-P)=)(((1)/(())),t)
ln(P-P)=-((t)/(()))+C
P-P=e^(C)e^(-((t)/(())))
P-P=A.e^(-((t)/(())))
tenemos:
(((PP))/(()))=10^(7)((Fot)/(s))((1par)/(Fot))((1)/(0.01cm^(3)))=10^(19)((pares)/(cm^(3).s))
(((P-P))/(()))=10^(19)((pares)/(cm^(3).s))
P-P=510^(14)cm^(-3)
=> P-P=510^(14)e^(-((t)/(())))
P=510^(14)e^(-((t)/(())))+P
de igual manera para los electrones
n()=510^(14)e^(-((t)/((n))))+n()
luego:
N>>ni => PN=6.2510^(14)cm^(-3)
n()=((ni^(2))/(N))=6.410^(-3)cm^(-3)
entonces:
P=510^(14)e^(-((t)/(())))+6.2510^(14)
n()=510^(14)e^(-((t)/((n))))+6.410^(-3)
ademas:
R(t)=((L)/(eA[[P(t)+(n).n(t)]]))
R(t)=((L)/((0.01)(1.610^(-19))(500+8500)510^(14)e^(-((t)/()))+3.12510^(17)))
R(t)=((1)/(7.210^(-3)e^(-((t)/()))+3.12510^(17)))
b)
P=6.2510^(14)cm^(-3)
ni=210^(6)cm^(-3)
sabemos:
|P=P+P
n=n+n
entonces:
P=nie^(((Ei-Ef)/(K))) n=nie^(((Ef-Ei)/(K)))
luego:
n=P=510^(14) n=((ni^(2))/(N))=6.410^(-3)
==>
n=6.410^(-3)+510^(14)=5.1410^(14)cm^(-3)
P=6.2510^(14)+510^(14)=6.2510^(14)cm^(-3)
luego:
Ei-Ef=[Link](((P)/(ni)))
Ei-Ef=[Link](((6.2510^(14))/(5.1410^(14))))
Ei-Ef=0.509eV
ahora:
Ef-Ei=[Link](((n)/(ni)))
Ef-Ei=2610^(-3)ln(((510^(14))/(2.010^(16))))
Ef-Ei=0.503eV
Panca 3 ejercicio 4 parecido). Un material extr. SC. tipo n es mostrado en la [Link]
rayo de luz aplicado en la superficie,como se muestra en la fig. crea un incremento de pares ehueco n' y p'.Si la densidad de corriente establecida es de 10 A/cm2.
a)Determine el incremento de pares e-hueco n' y p'a T=300K considerando que n'=p'.
b)Calcular los pseudoniveles de Fermi de los es y huecos a T=300 K.
DATOS:
Nd=5*10;? cm=, ni=1.5*10;: cm= Dn=39cm<s;, Dp=13cm<s;
V=0.5V,a=0.1mm,b=0.1mm
L=1mm
Sol:
a)
J= pero =q(nnn+[Link])
y =V/l
y n=((Dn)/(Vt))=((39)/(26E-3)) y p=((Dp)/(Vt))==((13)/(26E-3))
y nn=non+n'n ,pn=pon+p'n
y se comprueba si:
(((2ni)/(Nd)))^(2)<<1 en este caso es cierto
nonNd=510;? cm
pon((ni<)/(Nd))==4.510>cm=
y por dato n'n=p'n luego
reemplazando todo en J
((L.J)/(V))=q(nnn+[Link])
((L.J)/(V.q))=n(non+n'n)+p(pn=pon+p'n)
peron'n=p'n
entocesreeplazarn'n.
Rptan'n=2.510;?cm=
Panca 1 ejercico 3)Una radiacin de long. de onda de 300nm e intensidad 40W/m
incide normalmente sobre la superficie de un fotodetector de 9mm de superficie que la
absorbe en su totalidad. Sabiendo que el fotodetector est construido con un SC cuyo ancho
de banda prohibida es Eg=2.5eV,y que el rendimiento cuntico es la unidad, determinar el
nmero de pares e-hueco generados por segundo. Determinar el n de fotones.
Sol:
=300nm=3000A
Ef=((12400)/(3000))=4.13eV=4.131.6E-19J
P=I.A=(40((w)/(m<)))(910@m<)
P=3.610> J/s
N de fotones Nf=((P)/(Ef))
Nf=((3.610> J/s)/(6.610;C J))=5.510;>
Nf=5.510;> pares/s
Panca 3 ejercico5 ). Una union p-n abrupta tiene dopados con densidades de impurezas
Na=10^17cm= y Nd=10;B cm= respectivamente los lados p y n.A partir de la ecuacion de
Poisson, calcular para la union de Si lo siguiente:
a)El ancho de la zona de transicin cuando el campo elctrico de la unin alcanza su valor mximo
de 10A V/m.
b)El voltaje de contacto en la zona de transicin debido a este campo.
DATOS:r(si)=12, o=8.85*10;< F/m
Sol:
a) W=xn+xp ,s=r.=128.8510;<
n(x)=((qNd)/(s))(x-xn) y
p(x)=-((qNa)/(s))(xp-x)
max=(x=0) entonces:
max=((qNd)/(s))(xn) y
max=((qNa)/(s))(xp)
xn=(([Link])/(qNd)) y
xp=(([Link])/(qNa)) luego hallar
W=xn+xp=7.310B m
b) W=(((2.s(Na+Nd)V)/([Link])))^(1/2)
V=((W<.[Link])/(2.s(Na+Nd)V))
reemplazando datos:
V=0.36V
