EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

El Transistor de Unin Bipolar (Bipolar Junction Transistor-BJT)

El trmino bipolar hace referencia al hecho de que en la conduccin de la corriente
intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El trmino junction
(unin) hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como veremos
a continuacin tenemos dos uniones "p-n" en el transistor, y mediante la polarizacin
de estas uniones conseguiremos controlar el funcionamiento del dispositivo.

Estructura del Transistor

El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona
dematerial tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se
denominatransistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada
lado, en cuyocaso estaramos hablando de un transistor npn.

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una
de las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales
serepresentan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y
C(colector).

La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de
emitir o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de
untransistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp. La base tiene un nivel de
dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una zona con un
espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misin es la de dejar pasar la
mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.



Parmetros importantes en el funcionamiento del Transistor BJT.







La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger
ocolectar los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar
labase. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.

Estamos ante un dispositivo que tiene dos uniones, una unin entre las zonas de
emisor y base (que denominaremos a partir de ahora unin de emisor) y otra unin
entre las zonas de base y colector (de que denominaremos unin de colector), cada
una de las cuales puede ser polarizada de dos maneras: polarizacin en directa y
polarizacin en inversa. As, desde el punto de vista global del dispositivo tenemos
cuatro zonas de funcionamiento posibles en funcin del estado de polarizacin de las
dos uniones.


Si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor est trabajando
en la zona de saturacin.

En el caso de que la unin de emisor la polaricemos en directa y la unin de colector
en inversa, estaremos en la zona activa.

Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor est en
lazona.
de corte

Por ltimo, si la unin de emisor se polariza en inversa y la unin de colector
en directa, el transistor se encuentra en activa inversa.

De las cuatro zonas, las 3 mencionadas en primer lugar son las ms interesantes
desde el punto de vista del funcionamiento del transistor, siendo la zona activa inversa
una zona puramente terica y sin inters prctico.



Anlisis de Corrientes en la Zona Activa:

Un transistor est trabajando en la zona activa cuando la unin de emisor se polariza
en directa y la unin de colector en inversa.

En el caso de un transistor pnp, para polarizar la unin de emisor en directa habr
que aplicar una tensin positiva del lado del emisor, negativa del lado de la base,
o lo que es lo mismo una tensin VBE positiva. De igual manera, para polarizar la
unin de colector en inversa hay que aplicar una tensin VCB negativa. (Ver figura)








En el caso de un transistor npn, para polarizar la unin de emisor en directa habr
que aplicar una tensin negativa del lado del emisor, positiva del lado de la base,
o lo que es lo mismo una tensin VBE negativa. De igual manera, para polarizar la
unin de colector en inversa hay que aplicar una tensin VCB positiva.








De manera que el transistor bipolar funciona como un interruptor o switch, permitiendo
activar o desactivar una carga conectada en el Colector (NPN) y en el Emisor (PNP),
siempre y cuando se configure con la polarizacin especfica para cada uno de ellos.

Tanto el transistor NPN, como el PNP, poseen una caracterstica comn,
denominadaGanancia del Transistor, expresada por hfe (Beta) y depende del
fabricante del mismo (con un valor comprendido entre 80 y 300). La ganancia del
transistor depende de la relacin entre la Corriente del Colector (Ic) y la
Corriente de la Base (Ib) y se expresa as: hfe = Ic / Ib. Est expresin permite
determinar el nivel de amplificacin de corriente del transistor.

EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR DE SEALES:



















ZONA DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BJT


Tutorial Electrnica Bsica. 06. El Transistor



ndice

-Qu es un transistor, para que sirve
-Corte y saturacin
-Modos de uso: conmutacin, amplificacin
-Uso de disipadores
-Curva caracterstica
-Datos importantes de un transistor
-Configuracin de un transistor
-Conocer los datos de un transistor
-Simbolos utilizados para los transistores
-Tipos de transistor
Bipolar (BJT) (npn y pnp)
Uniunin (UJT)
Efecto de campo (FET)
Mosfet
Darlington
Fototransistor
-Cmo comprobar un transistor

Rincn de la TEORA
Analgico y Digital




Que es un transistor, para que sirve

Un transistor es un componente electrnico de tres terminales, al que se le aplican
pequeas variaciones de corriente, y devuelve esas mismas variaciones de corriente
ampliadas. Es decir, trabaja como una vlvula, pero adems con efecto amplificador.

Cuatro tipos distintos de transistores de los muchos que existen

En el siguiente dibujo vemos cmo un transistor est formado por tres cristales. Cada
uno de ellos da lugar a un terminal cuya denominacin cambia segn el tipo de
transistor.



En el ejemplo de transistor del smbolo anterior, la corriente ingresara por el emisor y
circulara hasta el colector... siempre y cuando en la base haya aplicada una tensin
ligeramente positiva respecto del emisor

Abajo a la derecha, en la imagen anterior, vemos el concepto "encapsulado", as como
cuatro encapsulados distintos. El encapsulado es la envoltura utilizada para contener a
los tres cristales que componen al transistor. Hay muchos tipo de encapsulado, cada
uno con un orden o disposicin de terminales distinto. El encapsulado puede ser de
plstico, cermico, metlico...



Corte y saturacin

Una vez polarizado un transistor, cuanto mas alta sea la tensin base-emisor, tanto
mayor ser la conduccin, y as hasta llegar al estado conocido como saturacin: El
transistor conduce al mximo. Cuando por el contrario la tensin base-emisor baja de
cierto nivel, la corriente cesa completamente: Se dice entonces que el transistor est
en estado de "corte". Entre esos dos estados extremos, un transistor puede conducir
en mayor o menor medida.



Modos de uso: conmutacin, amplificacin

Un transistor puede trabajar en dos modos:

1) Conmutacin: Al transistor se le hace trabajar mantenindolo en uno de sus dos
estados extremos: Corte o saturacin. No hay estados intermedios. Esto tiene
mltiples aplicaciones, por ejemplo, almacenar informacin en formato digital, lo cual
es la base de la informtica. Un transistor puede significar un bit, que estar al valor
binario "0" o "1" segn este en corte o en saturacin. Es necesario que haya una
diferencia clara entre ambos estados para que no puedan confundirse. En la prctica,
un transistor en corte o en saturacin supone una diferencia de varios voltios que no
deja lugar a dudas.

Esta manera de hacer trabajar al transistor en la modalidad de "todo" o "nada"
tambin es til para fijar dos estados posibles en numerosas aplicaciones en donde no
se permite un estado intermedio, por ejemplo, en un control de alumbrado pblico
donde, segn sea de da o de noche, las luces se apagan o se encienden, no se
mantienen a media luz si hay penumbra.

El siguiente circuito se monta y pone a prueba en el vdeo, en el minuto 11:45,
comprobando que funciona satisfactoriamente.


Interruptor crepuscular: Circuito donde se hace trabajar a un transistor en modo conmutacin

En el circuito anterior, un hecho que sealo en el vdeo y del que hablo aqu tambin
es relativo al condenador C3 de 470f. Supongamos que es de noche, este circuito
est activado alimentando al alumbrado. Y hay una tormenta. Un relmpago es
captado por la LDR y provoca el apagado momentneo de las luces. Esto resulta
molesto.

La funcin de C3 es evitarlo: Cuando llega a la base de T1 un impulso proveniente de
la patilla 6 de IC1, si ese impulso es breve (relmpago) es absorbido por C3
impidiendo que llegue a T1. Slo si el impulso tiene la duracin suficiente llenar
(cargar) a C3 y entonces si: actuar sobre la base de T1 provocando la orden de
apagado de las luces.


Tambin trabajan los transistores en modo conmutacin para numerosos circuitos por
ejemplo: Osciladores, que son la base de los circuitos conocidos como "relojes". Los
hay que generan onda senoidal, diente de sierra u onda cuadrada. Estos ltimos son
un ejemplo en donde el transistor debe pasar de la conduccin a la no conduccin de
forma rpida (conmutacin) para poder formar una onda cuadrada.


2) Amplificacin: Aqu se hace trabajar al transistor de forma continua, recorriendo su
curva de forma progresiva. Esta modalidad es la utilizada por excelencia en el mundo
de las telecomunicaciones, donde es necesario aumentar el valor de tensin y/o
intensidad de seales elctricas.

Tambin se monta en protoboard este circuito para probarlo, en el minuto 14:52 del
vdeo:



Sencillo amplificador transistorizado de dos etapas



Uso de disipadores. El problema del calor.

Como consecuencia de la corriente que recorre al transistor, se genera
calor. En los transistores mas pequeos el propio transistor puede
vrselas para disipar ese calor y que la temperatura no suba
peligrosamente.

No se puede decir lo mismo de los transistores que tienen que manejar
cierta potencia. Su tamao, o mejor dicho, su superficie no permiten
evacuar el calor al ritmo que se genera, y el transistor se destruye en un
corto plazo de tiempo, a veces de menos de un segundo.

Para evitar esto, se utilizan disipadores o radiadores. Son piezas de
forma y tamao variado, normalmente de aluminio, que se fijan al
transistor y que permiten una transferencia eficaz del calor generado,
normalmente al aire circundante. En la foto siguiente se muestran unos
cuantos disipadores.



Estos disipadores se fijan al transistor a veces con tornillo y tuerca, a
veces con un clip que lo presiona. En todos los casos es recomendable
usar pasta trmica para asegurar un buen contacto trmico entre el
transistor y el disipador. El formato de jeringuilla es bastante prctico y
te durar aos.


Pasta trmica en formato jeringuilla, para semiconductores y disipadores


Curva caracterstica

Un transistor tiene no una sino varias curvas caractersticas que relacionan tensin e
intensidad en cada uno de sus tres terminales. Tambin hay curvas para la ganancia
(amplificacin), curvas para la temperatura...

Son tantos datos que no pueden incluirse en una sola grfica.

Normalmente tendremos mas que suficiente con conocer algunos datos numricos
sencillos tipo "tensin mxima soportable entre colector y emisor, o corriente mxima
que puede circular por la base...". Si fuese necesario consultar alguna curva, se puede
ver en la hoja de especificaciones (datasheet) correspondiente.


Curva caracterstica de un transistor relacionando tres variables:
1 Tensin emisor-colector, 2 Intensidad base, 3 Intensidad colector



Datos importantes de un transistor

Si estamos diseando algn circuito, para la gran mayora de aplicaciones nos ser
suficiente con conocer estas caractersticas:

- Configuracin de los terminales del transistor
- La tensin mxima soportable entre colector y emisor
- Idem para los terminales base-emisor
- Corriente mxima Emisor-Colector
- Ganancia

Datos que siempre vienen detallados en la hoja de especificaciones.




Configuracin de un transistor

Un transistor puede conectarse siguiendo uno de estos tres esquemas:


Las tres configuraciones de un transistor



Conocer los datos de un transistor.
Hoja de especificaciones (DataSheet)

Siempre que necesitemos conocer alguna caracterstica no slo de un transistor sino
de cualquier semiconductor (diodo, diac, triac, tiristor, IC,) consultaremos la hoja de
especificaciones. Suele estar disponible en internet. Una buena pgina es:

Hoja de especificaciones (Datasheet)

All podemos teclear el cdigo de nuestro componente y consultar la informacin. No
en todos los componentes sale la misma informacin. Algunos componentes vienen con
informacin exhaustiva, otros slo lo justo.


Hoja de especificaciones del transistor BD157 al BD159




Smbolos utilizados para los transistores en los esquemas

La tabla siguiente contiene los smbolos utilizados en los esquemas para representar a
la mayora de tipos de transistor.

Smbolos utilizados en los esquemas para los transistores



- Tipos de transistor

1) Bipolar (BJT)

Transistor bipolar. Smbolo y transistor real TIP31C

Transistor de unin bipolar, es uno de los primeros tipos de transistor, an en pleno
uso y es el mas sencillo. Consisten en tres cristales con una configuracin NPN o PNP lo
que da dos nuevos subtipos de transistor. La base es siempre el cristal central. Es un
transistor "multiuso". Se utiliza para prcticamente todas las aplicaciones, aunque
cuando las exigencias son altas, se opta por emplear un tipo de transistor mas
especfico.


2) Uniunin (UJT)



Transistor Uniunin (UJT)

Son transistores que nos recuerdan una caracterstica del diodo tnel: Tienen una zona
de resistencia negativa, lo que los hace especialmente indicados para circuitos de
conmutacin. Muy utilizados para gobernar tiristores y triacs.



3) Transistor de Efecto de Campo. FET


Transistor de Efecto de Campo (FET)

Mientras que los transistores bipolares se dividan en NPN y PNP, los FET o transistores
de efecto de campo pueden ser de canal N o de canal P. Una diferencia importante de
los FET frente a los bipolares es que su impedancia de entrada es mucho mas alta, su
consumo es muy reducido. Sus terminales no se denominan igual y tienen esta
equivalencia con el bipolar:


Emisor - Source (Fuente), se utiliza la letra S
Base - Gate (Puerta), letra G
Colector - Drain (Drenador), letra D

Estos transistores, por sus propiedades, son ampliamente utilizados en electrnica
digital y forman parte -agrupados en gran nmero- de circuitos integrados. Hoy da se
construyen transistores FET de tamao microscpico de slo unos pocos nanmetros
de tamao, de modo que hay circuitos integrados que contienen mas de mil millones
de esos transistores.



4) Transistor MOSFET


Transistor MOSFET. Smbolo y ejemplar real (IRF822)
En este modelo, el terminal D (Drenador) tambin es la aleta refrigeradora

Los MOSFET son utilizados en circuitos de conmutacion, en aplicaciones de potencia y
forman parte de fuentes de alimentacin, inversores, control de motores...

Los mosfet pueden ser de tipo enriquecimiento o agotamiento. A su vez, cada uno de
esos tipos pueden ser del subtipo Canal N o Canal P.


4) Darlington


Transistor tipo Darlington

Este tipo consiste en dos transistores bipolares montados dentro de un mismo
componente, de modo que parece UN transistor, pero realmente son dos. La
caracterstica principal es su alta ganancia, que es el producto de la ganancia de cada
uno de los dos transistores que lo componen. Si cada uno de ellos tiene una ganancia
de -digamos- 70, la ganancia del conjunto sera 70 x 70 = 4.900. En la prctica, esta
ganancia resulta ser inferior. Se utilizan en aplicaciones donde la ganancia debe ser
alta, permitiendo grandes variaciones de corriente por medio de pequeas variaciones
en la base del primer transistor.

Tienen el inconveniente de que la tensin emisor base que hay que superar para entrar
en conduccin, que en un transistor nico es de 0.7 voltios, en un darlington es la
suma de ambos transistores, es decir, 1.4 voltios.


5) Fototransistor

Fototransistor

Tienen una ventana con una pequea lente por donde capta la luz. Esa luz hace el
papel de electrodo base, de modo que el electrodo real de la base suele dejarse al aire,
sin conectar.

Iluminar al fototransistor equivale a polarizar la base en un transistor comn.

Pero tambin puede ignorarse esa caracterstica de ser sensible a la luz y polarizar su
base como en un transistor comn: Entonces se comporta como un transistor BJT
normal.

A veces se usa de forma mixta: Se le somete a iluminacin pero tambin se polariza su
base para aumentar su sensibilidad en caso de que la iluminacin sea escasa.

Un transistor recuerda a un fotodiodo, pero con la caracterstica aadida de la
amplificacin (ganancia) propia de un transistor que un diodo no tiene.




Cmo comprobar un transistor

MEDIR UN TRANSISTOR BIPOLAR (BJT):

Esto se puede ver a partir del 29:04 del vdeo.

Hay dos formas:

1) Forma tradicional. Usando las puntas del tester:

Procedimiento:

1.1) Seleccionamos la escala "resistencia" en el tester. Si NO es autorango,
seleccionaremos un valor elevado de resistencia, varios mega-ohms.

1.2) Identificamos los terminales del transistor (emisor, base, colector)

1.3) Colocamos una punta en la base. Medimos la resistencia entre base-emisor y
base-colector. Debemos obtener un valor de resistencia infinito (o muy alto, de
Kohms). Esto depende de la punta que hayamos elegido para poner en la base y del
tipo de transistor (NPN PNP). No tiene importancia el orden en que hagamos las
medidas.

1.4) Ahora colocamos la otra punta del tester en la base. Repetir ambas medidas
(base-emisor y base-colector). Debemos obtener un valor de resistencia infinito (o
muy alto, de Kohms). Si en el paso 1.3) obtuvimos infinito, ahora obtendremos un
valor alto, o viceversa.

Para estar completamente seguros, haremos otra medida:

1.5) Mediremos la resistencia entre colector-emisor, dos veces, cambiando el orden de
las puntas de prueba del tester. Debe dar infinito en ambos casos.

Si en alguna de las medidas anteriores obtenemos un valor cero o cercano a cero
ohms, es que el transistor est cruzado (cortocircuitado) y ser inservible.


2) Forma alternativa de medir un transistor bipolar:

Usando el zcalo que algunos tester llevan para medir transistores.

Aprovecharemos las prestaciones de los multmetros modernos: Muchos llevan un
zcalo para "pinchar" transistores y el propio tester te dice de una sola vez y sin tener
que estarhaciendo medidas ni cambiando las puntas de prueba, si el transistor est
bien o no y adems proporciona un dato til: La ganancia del transistor. Si dicha
ganancia se sale de un margen correcto el transistor estar mal.

Por supuesto, tendremos que conocer la ubicacin de los terminales: emisor, base y
colector. Si es necesario, consultaremos la hoja de especificaciones.


MEDIR UN TRANSISTOR MOSFET:

Debido a que un mosfet funciona de manera distinta a un bipolar, el sistema anterior
no nos sirve. Hay varias formas de probar un MOSFET, mi preferida es usar una pila o
fuente de 12V y una lamparita de incandescencia de 12v ayudndonos de unos
pequeos cables con pinzas de caimn. Ponemos la pila, la lamparita y el mosfet en
serie segn el siguiente dibujo.


Montaje con 12 volts y lamparita de 12 volts para probar MOSFET

Hay que identificar los terminales del mosfet: source, drain y gate. Respetaremos las
polaridades aplicando el positivo al drain y el negativo al source.

La prueba consiste en:

1) Comunicar el gate con el drenador. La bombilla debe encenderse aunque dejemos
de hacer contacto entre gate-drenador.

2) Comunicar gate con source: La bombilla debe apagarse aunque dejemos de hacer
contacto gate-source




Rincn de la TEORA
Analgico y Digital

Dos formas distintas de manejar y guardar la informacin

Cmo guardar la informacin? Centrmonos por ejemplo, en el sonido. Cuando un
objeto vibra: Las cuerdas de una guitarra, la lengeta de un instrumento de viento, las
cuerdas vocales de una persona, ese objeto al vibrar desplaza a las partculas del
medio que lo rodea y las hace vibrar al comps del objeto que vibra. Ese movimiento
se desplaza esfericamente en el medio. Normalmente el aire.


Procesamiento ANALGICO de la informacin (sonido en este caso)

Si representamos en un par de ejes el movimiento de cada partcula de aire, veremos
que segn avanza el tiempo (eje X), la partcula realiza un desplazamiento oscilante
(eje Y), con una frecuencia, una intensidad y un conjunto de armnicos (timbre) que
caracterizan a cada sonido y que sigue fielmente el patrn de vibracin del objeto que
origina el sonido.


Guardar un sonido en formato analgico. Ejemplo: Disco de vinilo

La expresin "analgico" viene de "analoga". La informacin se guarda siguiendo una
analoga con la forma en que se manifiesta dicha informacin.

En un disco de vinilo, los surcos tienen la misma forma que la representacin grfica
del sonido. Si dejamos la aguja del "pick-up" sobre el disco y lo hacemos girar
podremos escuchar el sonido proveniente de la aguja incluso sin encender el equipo.
La informacin de ese sonido (una cancin) se ha guardado de forma ANLOGA,
similar, equivalente a la forma de onda de ese sonido.

Otra forma analgica de guardar sonido muy utilizada es la cinta magntica. Aqu, a la
hora de grabar sonido en esa cinta, las partculas magnticas de dicha cinta se
orientan siguiendo el patrn del sonido, por medio de una cabeza grabadora. Para
reproducir esa informacin se usa otra cabeza lectora que en contacto con la cinta
"lee" o detecta no solo la orientacin de las partculas magnticas sino tambin su
intensidad de imantacin.

Esto tambin est sujeto a ruido, a degradacin de la informacin. Por ejemplo: Si el
motor que arrastra a la cinta no tiene una velocidad exacta y estable, el tono en que
se escucha la cancin no es el original. Esto no tiene importancia para una audicin
normal. El que una cancin est medio tono arriba o abajo respecto de la original no se
nota mucho. Pero si vas a utilizar cinta magntica para hacer mezclas entre distintos
aparatos, te encontrars con que cada uno reproduce una nota distinta, segn la
velocidad del motor que arrastra la cinta. Esto supone una grave limitacin a la hora
de la "afinacin".


Inconvenientes de lo analgico: Ruido, degradacin de la informacin.

Es fcil adivinar qu suceder si en un disco de vinilo se posan partculas de polvo. Una
mota de polvo, es como una piedra cuando hablamos de cosas tan pequeas como un
microsurco en un disco de vinilo. Cuando la mota de polvo llegue a la aguja la har
producir un crujido o chasquido que falsear la informacin original.

Es el ruido.

En electrnica se conoce como "ruido" no slo al concepto de sonido (que tambin)
sino a cualquier informacin o seal ajena y no deseada. Es un sinnimo de
"interferencia". El ruido puede venir externamente del sistema que estamos utilizando,
y tambin internamente generado por el propio equipo. En el caso del disco de vinilo,
un ejemplo de ruido externo sera el polvo que cae sobre el disco. Un ejemplo de ruido
interno sera el desgaste del propio disco: con el tiempo, las paredes de los
microsurcos del disco (y la aguja lectora) se erosionan y el sonido se degrada.

En el caso de las transmisiones ANALGICAS por radio, el ruido interno puede venir
dado por la degradacin de la seal a medida que se aleja de la emisora. Mientras que
un ejemplo de ruido externo puede ser la existencia de una tormenta cuya actividad
electromagntica (rayos) se superpone a la seal de radio, falsendola.


-Guardar un sonido en formato digital: CD, DVD, Memoria...

Los inconvenientes anteriores se pueden evitar procesando la seal (sonido en este
caso) de forma digital. Ahora no se graba la seal tal cual es, sino que se realiza un
"muestreo".

Vayamos otra vez a nuestra representacin grfica de un sonido:

Procesamiento DIGITAL de la informacin (Sonido en este caso)

Vemos que el valor de tensin de la onda de sonido cambia segn el tiempo. Un
muestreo consiste en tomar el valor de la tensin X veces por segundo. Cuantas mas
veces por segundo se tome una muestra, mas "definicin" tendr la lectura.

En el dibujo anterior se ve una onda de sonido sometida a muestreo. En el standard de
la industria musical, se realizan 44100 muestras cada segundo (44100 Hz). Cada una
de esas muestras consiste en un byte de 16 bits. Con 16 bits se pueden expresar
65.536 estados distintos, que corresponden a 65536 valores de tensin posibles.

Es decir, un sonido guardado en formato digital consiste en 44100 nmeros (por cada
segundo de grabacin), y cada uno de esos 44100 nmeros representa un valor
bastante exacto de tensin merced a los 65536 valores posibles que se pueden
expresar con 16 bits.

Con tal definicin y nivel de discriminacin, un sonido queda bastante bien
representado.

Esto tiene un coste, y es que hace falta bastante memoria para representar un slo
segundo de sonido. Este es el famoso formato .WAV. Usando algoritmos, es posible
representar un sonido digitalmente de forma aceptable usando mucha menos
memoria, basndose en hechos fsicos y las limitaciones de nuestro sentido del odo.
Tales son los formatos MP3 y similares.

Ahora, el sonido no es una forma de onda. Es una sucesin de nmeros... y esto se
presta maravillosamente bien a la computacin, el tratamiento informtico,
matemtico, matricial y tantas formas de proceso.

Pero...Cmo se almacenan nmeros en un equipo?

Usando memorias.

Un CD es un claro ejemplo de memoria masiva que almacena la informacin en
formato numrico, concretamente el binario: 0 y 1. Lo mismo para las memorias Flash
de los USB y los MP4, telfonos mviles, etc.

Un equipo que procese la seal de sonido (o cualquier otra seal) de forma digital, por
modesto que sea, est basado en un P (microprocesador) que ser el que gestione
esa informacin.

Una gran ventaja de la informacin digital es su inmunidad frente al ruido. Aqu los
valores de la seal grabada no son continuos como en el caso analgico. Los valores
son "0" "1",; "Alto" o "bajo", es decir, son valores bien diferenciados, por lo que el
ruido no hace que el "1" deje de ser "1" o el "0" deje de ser "0". Es ms, si eso
ocurriera, si un bit "1" se convirtiera en un "0" por una interferencia: Hay circuitos
programados mediante un cdigo detector-autocorrector que no slo son capaces de
detectar un error sino que son capaces de saber dnde est el error (qu bit de los 16
que componen un byte es el errneo)... y corregirlo ellos mismos. De esta forma se
evita el pedir el reenvo del paquete de informacin defectuoso, lo cual agiliza el
proceso.

Hay que dejar claro que un equipo de sonido, por muy digital que sea, tiene que
acabar procesando la seal de forma analgica, ya que los altavoces son analgicos
por naturaleza.


Ventajas de lo digital: Inalterabilidad, manipulacin sin lmites.

Queda clara la superioridad del mtodo digital frente al analgico en cuanto a
invulnerabilidad a los errores, as como el tratamiento informatizado de la informacin:
Presentacin de mens, organizacin en carpetas y subcarpetas, por temas, autor,
gnero; tambin se puede tratar digitalmente esa informacin por medio de editores
de sonido y otro software relativo al audio...



TRANSISTORES: BIPOLARES, JFET Y
MOSFET

2.0. TRANSISTORES BIPOLARES
Vamos a centrarnos en los transistores tipo N-P-N y luego explicaremos los P-N-
P. Cada una de las tres secciones que forman el transistor recibe un nombre: la de
la derecha es el colector, la del centro la base y la de la izquierda el emisor.


Este algo son electrones o huecos a travs de las uniones P-N, segn el tipo de
transistor del que hablemos. La zona de semiconductor que est en medio, es
decir, la base, siempre es ms pequea que las dos de los extremos, emisor y
colector, bien sea en transistores P-N-P o N-P-N. Como podemos ver, aunque su
estructura no sea excesivamente complicada, sera un tanto pesado tener que
dibujarla en un circuito cada vez que nos refirisemos a ellos, as pues, este tipo
de transistores se representan esquemticamente con el smbolo que aparece en la
ilustracin correspondiente.
Como vimos en las uniones P-N para que este tipo de dispositivos funcione, es
necesario aplicarles una diferencia de potencial externa. Segn se conecte este
potencial, vamos a obtener una polarizacin inversa o directa. Pues bien, ahora,
como tenemos dos uniones, todo se multiplica por dos, vamos a tener que
conectar dos bateras externas, una por cada unin, y podemos tener cada unin
polarizada de una forma, es decir, las dos polarizadas inversamente, las dos
directamente, o una inversa y la otra directamente. Segn tengamos polarizadas
estas uniones, el transistor se comportar de una manera distinta. Diremos
entonces que estamos trabajando en una u otra zona.
A la unin de la base y el colector la denominaremos a partir de ahora J
C
, y a la
unin de la base y el emisor J
E
. Podemos trabajar en tres zonas, segn como estn
polarizadas estas uniones: si la unin J
E
est directamente polarizada y la
J
C
inversamente polarizada, se dice que el transistor est funcionando en
zona ACTI VA. Si las dos uniones estn directamente polarizadas se denomina
zona de SATURACI N, y si estn inversamente polarizadas se dice que el
transistor est en zona de CORTE.
Segn como conectemos las dos bateras al transistor podemos conseguir cuatro
combinaciones diferentes: El emisor conectado al borne positivo de la batera 1 y
el colector al borne positivo de la batera 2. Otra combinacin sera el emisor al
borne positivo de la batera 1 al borne negativo de la batera 2; en la tercera
combinacin tendramos el emisor al borne negativo de la batera 1 y el colector
al borne positivo de la 2 y, por ltimo, el emisor conectado al borne negativo de
la 1 y el colector al borne negativo de la 2.
2.1. TRANSISTOR NPN.
A partir de ahora, vamos a basarnos en los transistores n-p-n. conectamos el
emisor con el borne negativo de una batera, y el colector con el borne positivo
de la otra. Haciendo un inciso, diremos que a la corriente del emisor la
llamaremos I
E
, a la del colector I
C
y a la de la base I
B
.
Para entender el modo de funcionamiento de un transistor vamos a recordar cmo
se comportan las uniones p-n al conectarlas a una batera. Primeramente
supondremos conectada la batera a y desconectada la b, luego conectaremos la b
desconectando la a, para finalizar conectando las dos a la vez.

Este es un transistor bipolar del tipo N-P-N. Con las dos bateras conectadas conseguimos que la
corriente circule a traves de l.
Si slo tenemos la batera a con su borne negativo conectado al emisor y el
positivo conectado a la base, y dejsemos al colector sin unir a la base (al tener
desconectada la batera b), tendramos una unin p-n, es decir, un diodo,
polarizada directamente. Los electrones (portadores mayoritarios) pasan del
emisor (n) a la base (p), al ser atrados por el borne positivo de la batera
produciendo una corriente bastante intensa.
Si desconectamos la batera a (que une a la base con el emisor) y conectamos la b
(para unir el colector con la base), colocando el borne positivo con el colector y
el negativo con la base, tenemos una unin p-n inversamente polarizada y, por
tanto, no se produce paso de corriente elctrica.
Pero qu ocurre al conectar las dos bateras a la vez? La unin del emisor con la
base (je) est polarizada directamente (emisor conectado al borne negativo y la
base al borne positivo de la batera a) por lo que la barrera de potencial que hay
entre ellos es muy estrecha. Sin embargo, en la unin base-colector, J
C
, al estar
polarizado inversamente (colector conectado al borne positivo y base al borne
negativo de la batera b), la barrera de potencial es bastante ancha. Al haber
conectado las dos bateras empieza el movimiento, los electrones (portadores
mayoritarios en el material tipo n) se empiezan a desplazar desde el emisor (tipo
n) a la base tipo (p), aproximndose al colector (tipo n), y consiguen atravesar la
unin base-colector gracias a la atraccin que les produce el borne positivo de la
batera a la que est conectado el colector.
Por qu no se recombinan los electrones y los huecos de la base? La base es
mucho ms estrecha que el emisor y el colector; tambin est mucho menos
dopada, por lo que los huecos libres (portadores mayoritarios) son muy escasos.
As que es muy difcil que un electrn encuentre un hueco para recombinarse, por
lo que seguir su camino atrado por el potencial. la corriente de base va ser
pequea al haber pocos electrones y huecos que se recombinen, la del emisor y el
colector sern ms grandes al producirse electrones en el borne negativo de la
batera unida con
El emisor, que van a atravesar a ste, para pasar despus por la base y acabarn
atravesando al colector para ir a para al borne positivo de la otra batera.
Segn incrementamos la polarizacin directa va a aumentar el nmero de
electrones del emisor que se desplazan, creciendo a la vez la corriente de
colector, emisor y base. Si disminuimos esta polarizacin bajarn todas las
corrientes hasta llegar a un punto en que el transistor puede quedar cortado y no
conducir la corriente.
Al potencial conectado al emisor se le llama vee y al conectado al colector vcc,
aumentando su valor o disminuyndolo es la forma que tenemos para aumentar o
disminuir las polarizaciones.

2.2. TRANSISTOR PNP.
Los otros transistores que hemos nombrado son los P-N-P, cuyo funcionamiento
es muy parecido al de los que acabamos de explicar (N-P-N). En los P-N-P el
emisor es un semiconductor de tipo P, por lo que sus portadores mayoritarios van
a ser los huecos en vez de los electrones, la base es del tipo N (portadores
mayoritarios los electrones) y el colector es de tipo P (portadores mayoritarios los
huecos). Las bateras tambin van a estar colocadas de distinta forma, el borne
positivo de una batera va a estar unido al emisor, y el borne negativo de esta
misma batera va a estar unido a la base, por lo que esta unin va a estar
polarizada directamente; por otro lado el colector y la base van a estar unidos por
otra batera con su borne negativo conectado al colector y el positivo a la base,
aqu la polarizacin va a ser inversa.
El funcionamiento en estos transistores es prcticamente igual al de los
anteriores, la diferencia ms notable es que en el P-N-P lo que se est moviendo
son los huecos, en lugar de los electrones, desde el emisor, atravesando la base
hasta llegar al colector, por tanto el sentido de la corriente exterior va a ser
inverso al ser inversos los sentidos del movimiento de huecos y de electrones.
En los P-N-P tambin nos encontramos con que la base es muy estrecha y est
muy poco dopada, por lo que la recombinacin de huecos y electrones vuelve a
ser pequea y, en consecuencia, la corriente de base tambin lo ser. Sin
embargo, las corrientes de emisor y colector son grandes, como en el caso
anterior.


TRANSISTORES: BIPOLARES, JFET Y
MOSFET

3.0. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. (FET)
Es evidente que las formas en que podemos juntar los dos tipos de
semiconductores son numerosas y variadas, y cada una de ellas, seguramente,
tendra unas caractersticas particulares. Sin embargo no se trata de formar
uniones P-N y N-P a nuestro antojo, lo que realmente nos interesa de esta gran
cantidad de combinaciones de semiconductores son aquellas cuyas propiedades
sean tiles de cara a nuestros propsitos en los circuitos electrnicos y que as
podamos usarlas.
As pues, vamos ahora a ver dos nuevos tipos de transistores. Se trata
del JFET cuyo nombre proviene del ingles (Junction Field Effect Transistor, o
bien, transistor de efecto de campo de unin) y del MOSFET(Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor, es decir, transistor de efecto de campo
con semiconductor de xido de metal). Al MOSFET tambin se le conoce con el
nombre de IGFET (Isolated Gate FET, FET de puerta aislada). En general
cuando queramos referirnos a ambos en conjunto se les agrupar con el nombre
de FET.

3.1. TRANSISTORES JFET.
El primero de ellos, el JFET, ya no se trata de una combinacin tan sencilla entre
los semiconductores como en el caso de los transistores N-P-N, P-N-P. Ahora la
forma de obtenerlos es algo ms rebuscada. Sin embargo, sus propiedades hacen
que merezca la pena su fabricacin, ya que son utilizados en gran medida por los
fabricantes de circuitos electrnicos.
A su vez existen dos tipos de transistores JFET. La razn es sencilla: si tomamos
uno de ellos y cambiamos los tipos de semiconductores, es decir, donde hay
semiconductores de tipo P ponemos semiconductores de tipo N y viceversa,
obtenemos otro transistor JFET pero de caractersticas distintas. As pues, para
distinguirlos, llamaremos FET de canal p al primero y FET de canal n al
segundo.

Veremos cmo las propiedades de ambos no slo son distintas sino que son ms
bien opuestas. Para explicar su funcionamiento hay que tener en cuenta que
tenemos dos tipos distintos de voltajes. Esto es debido a que el FET consta de
tres semiconductores unidos y por tanto existen dos zonas de unin entre ellos.
As pues, vamos a considerar la diferencia de potencial entre drenaje y fuente a la
que llamaremos V
DS
, y la diferencia de potencial entre puerta y fuente la cual
estar representada por V
GS
.
Estudiar las caractersticas de un transistor consiste en jugar con las dos tensiones
de que disponemos, aumentndolas, disminuyndolas y observando qu pasa con
la corriente que lo atraviesa.
Para estudiar su comportamiento, vamos a dejar fija la tensin entre la puerta y la
fuente, V
GS
, y vamos a suponer que variamos la tensin entre el drenador y la
fuente, V
DS
. La respuesta del transistor a este tipo de variaciones las podemos ver
en la grfica.
Se pueden distinguir tres zonas segn vamos aumentando el potencial V
DS
, estas
son: zona hmica, zona de saturacin y zona de ruptura.

En la grfica se observa el comportamiento de un JFET segn vamos aumentando la tensin Vds.
En la zona hmica, el transistor se comporta como una resistencia (hmica), es
decir, si aumentamos el potencial, V
DS
, crece la corriente (I) en la misma
proporcin; esta situacin se mantiene as hasta que el potencial alcanza un valor
aproximadamente de unos cinco voltios. A partir de este valor, si seguimos
aumentando esa diferencia de potencial entre drenador y fuente, es decir, si
seguimos aumentando V
DS
, el transistor entra en la zona de saturacin. Aqu su
comportamiento es totalmente distinto al anterior, ya que, aunque se siga
aumentando V
DS
, la corriente permanece constante. Si seguimos aumentando el
potencial V
DS
de nuevo, llegamos a un valor de ste a partir del cual el
comportamiento del transistor vuelve a cambiar. Este valor viene a ser del orden
de 40 voltios. Decimos entonces que hemos entrado en la zona de ruptura. A
partir de este punto la corriente I puede circular libremente, independientemente
de que sigamos aumentando el valor de V
GS
. Es esta la razn por la cual los JFET
se pueden utilizar como interruptores de encendido y apagado (ON/OFF);
propiedad esta fundamental en la computacin. Un JFET se encuentra en estado
OFF (interruptor cerrado) cuando V
DS
es cero, ya que no pasa corriente alguna, y
en estado ON (interruptor abierto) cuando V
DS
pasa de los 40 voltios.
Evidentemente, estos valores reales dependern del tipo de transistor del que
hablemos, ya que existen FET para circuitos integrados y FET de potencia; estos
ltimos con valores algo mayores que los primeros.

3.2. TRANSISTORES MOSFET.
Por ltimo, vamos a hablar del transistor ms utilizado en la actualidad,
el MOSFET, mas conocido como MOS. La estructura de este transistor es la
ms complicada de entre todos los vistos hasta ahora. Consta de los ya conocidos
semiconductores P-N, colocados ahora de una nueva forma, y de un original
material aislante, como es el dixido de silicio; esta pequea adicin de la capa
del xido va a cambiar considerablemente las propiedades del transistor respecto
a las que tena el JFET.
Existen dos tipos de MOSFET: cuando tengamos una zona de tipo P y dos de
tipo N lo llamaremos MOSFET de canal n (o NMOS) y, por el contrario, si hay
una sola zona de tipo N y otras dos de tipo P se llamar MOSFET de canal P
(PMOS). Inicialmente, fueron los transistores PMOS ms utilizados que los
NMOS debido a su mayor fiabilidad, mejor rendimiento y mayor sencillez en la
fabricacin. Sin embargo, las mejoras en la tecnologa de produccin de estos
transistores han hecho que los PMOS queden relegados a un segundo plano. La
razn de esto se debe a que los PMOS estn basados en la movilidad de los
huecos, y los NMOS funcionan gracias al movimiento de los electrones, y estos
son aproximadamente tres veces ms rpidos que los huecos.




A pesar de parecer ms complicada, a simple vista, su estructura, son ms fciles
de fabricar que los transistores de unin bipolar BJT y otra de sus ventajas es que
ocupan menos espacio. Esta es una de las razones por las que los sistemas
integrados, es decir, aquellos que poseen un gran nmero de componentes en
muy pequeo espacio, usan principalmente este tipo de transistores en lugar de
los BJT. Otra razn es que los MOSFET se pueden conectar de tal forma que
acten como condensadores o como resistencias. Por tanto, podemos conseguir
resistencias o condensadores del tamao de un MOSFET, el cual es muchsimo
ms pequeo que las resistencias o condensadores que podemos observar al abrir
cualquier aparato electrnico. As pues, existen circuitos completos que estn
exclusivamente compuestos de MOSFET.
Resumiendo, acabamos de conocer varios dispositivos electrnicos para
incorporar a nuestros circuitos; estos son: los transistores de unin bipolar (BJT),
los transistores de efecto de campo (FET) y los FET con una capa de xido
metlico (MOSFET).



TRANSISTORES: BIPOLARES, JFET Y
MOSFET

4.0. APLICACIONES.
Desde que en 1951 Shockley invent el primer dispositivo semiconductor capaz
de amplificar seales de radio y TV la palabra transistor ha estado ligada a la
electrnica como el pincel lo est a la pintura.
A pesar del papel protagonista del transistor debemos estar precavidos pues,
debido al gran auge experimentado por la microintegracin de estos en pequeas
pastillas o "chips", cabe la posibilidad de que los transistores puedan llegar a
desaparecer como tales. No hay ms que recurrir de nuevo al smil anterior y ver
que, gracias a los nuevos sistemas "software" de dibujo y diseo, el pincel
tambin puede llegar a desaparecer como elemento ligado a la pintura.
Pero, previsiones aparte, el tema del transistor debe seguir siendo, de momento,
pieza fundamental en el rompecabezas de la electrnica. La palabra transistor es
de uso comn dentro del mundillo electrnico. Quiz nunca nos hemos planteado
averiguar su origen, el cual proviene de la funcin fundamental del componente.
La descripcin de dicha funcin, de una manera muy intuitiva y sencilla, podra
ser esta: un transistor es un dispositivo de tres patillas, siendo una de ellas la
responsable de aplicar una seal de control que haga variar la resistencia interna
del transistor. Queda claro que de dicha variacin de resistencia se saca el
consabido provecho al colocar el transistor en un circuito y regular as la
intensidad que circula por el mismo (no olvidemos que segn Ohm toda
variacin en la resistencia se traduce en el consiguiente aumento o disminucin
de intensidad). La utilizacin de dicho comportamiento como resistencia variable
a voluntad para bautizar al componente queda clara: proviene del
ingls TRANsfer-reSISTOR o abreviado, TRANSISTOR.

La denominacin transistor ha sido ya asimilada por los tcnicos aunque este smil ayudar a recordar
su origen.
4.1. SEMEJANZAS ENTRE DIODOS Y TRANSISTORES
El tema de los transistores no es ms que la aplicacin de uniones tipo P y tipo N.
Si esto es as el asunto no difiere tanto del ya tratado sobre los diodos fin y al
cabo estos, tambin, no son sino uniones semiconductoras P y por lo tanto hemos
de encontrar un nexo prctico de unin entre ambos. Si le echamos un poco de
imaginacin y tomamos un transistor sea tipo PNP o NPN podemos partirlo por
la mitad y habremos conseguido dos diodos (tericos). En la ilustracin
correspondiente se ve esto de una forma mucho ms grfica.

Si imaginamos un transistor como suma de dos diodos podemos utilizar esto como base para identificar
sus patillas.
Este ejemplo es solo vlido a la hora de hacernos un smil "recordatorio" para
estudiar las conducciones internas del transistor, pero en modo alguno se nos
puede pasar por la cabeza la idea de constituir un transistor a partir de dos diodos.
A pesar de que realmente s conseguiramos dos uniones PN estas no guardaran
ni las dimensiones de base ni la geometra correcta, y ni que decir tiene que los
niveles de dopado son radicalmente distintos. Posteriormente utilizaremos de
nuevo este smil a la hora de realizar ciertas mediciones sobre el transistor. Por
ejemplo, para identificar cul es cul de entre las tres patillas de un transistor slo
tenemos que recordar los smiles de NPN y PNP y comprobar la conduccin ms
o menos "simtrica" que se da entra la base y cada una de las otras dos patillas.

4.2. ENCAPSULADOS PARA TRANSISTORES.
Dependiendo de la polaridad empleada para la comprobacin as ser el tipo de
transistor, esto es, PNP o NPN. Pero, aparte de la identificacin de patillas,
tambin est pendiente un tema tanto o ms peliagudo que este: la identificacin
de un transistor debido al gran nmero de encapsulados existentes.
En la ilustracin correspondiente podemos ver diferentes tipos de encapsulados
utilizados para contener transistores, bien sean estos de tipo PNP o NPN.

Como ocurra con los diodos, la gama de encapsulados para transistores es tambin bastante amplia.
Adems de los transistores existen otros componentes que pueden responder a un
tipo similar, por no decir idntico, de encapsulado. Conviene que siempre nos
aseguremos de la nomenclatura que corresponde a cada tipo de componente y
comprobemos la identificacin que figura en dicho encapsulado.
Por ejemplo, los componentes que observamos en la ilustracin correspondiente
parecen de idntico tipo poseen el mismo encapsulado y, sin embargo, uno de
ellos es un triac y el otro un regulador integrado (dispositivo, por cierto, de suma
utilidad).

Un encapsulado como el que aqu vemos puede llevarnos a confusin. Puede tratarse tanto de un
transistor como de un triac o un regulador integrado.
Una herramienta muy til para la identificacin de los diferentes tipos de
transistores (tambin para otro tipo de componentes electrnicos) es la conocida
popularmente como libro de equivalencias. En el mercado existe bibliografa
suficiente sobre todo tipo de familias que incluye normalmente las caractersticas
de cada uno de los transistores, dibujo de su encapsulado y tabla para la
identificacin de cada patilla.

Los conocidos como "Libros de equivalencias" son de suma utilidad para el tcnico electrnico.
El hecho de que un libro de equivalencias para transistores incluya, por una parte,
los dibujos de encapsulados y, por otra, las patillas que corresponden a cada
modelo de transistor no es problema de datos redundantes sino de la posibilidad
(ms echo que posibilidad) de encontrarnos transistores que responden a un
idntico encapsulado. Por ejemplo, los transistores BF494 y BC557B se
encapsulan en plsticos de idntico diseo (en concreto encapsulado TO 92) pero
el primero es de tipo NPN mientras que el otro es un PNP. Y lo que es an ms
importante: sus patillas no guardan similar orden.

A pesar de poseer un encapsulado similar, a veces los patillajes difieren.
La ilustracin correspondiente nos muestra esta diversidad, la cual es factible de
darse en cualquier modelo de transistor. Por esta razn, el transistor es uno de los
componentes ms delicados a la hora de ser implementados en un circuito.
Debemos asegurarnos bien de cul es cada una de las patillas antes de proceder a
la colocacin de este componente en su alojamiento definitivo.
Antes de acabar con el tema de encapsulados hemos de indicar que los diferentes
tipos y tamaos de encapsulados no obedecen a determinado capricho del
fabricante. Normalmente el encapsulado de tipo plstico es muy barato y
apropiado en transistores cuyas funciones permitan dicho "traje". Pero, los
transistores tambin estn sujetos a un determinado paso de corriente a travs de
ellos, lo cual se traduce, como es lgico, en una disipacin trmica de la potencia
consumida. Para ayudar a esta disipacin se opta por fabricar transistores en
cpsulas de mayor tamao, en fabricar estas en material metlico (de ms alto
poder disipador), o en dotar a los transistores de la posibilidad de aadirles
posteriormente un mtodo de disipacin.
Cabe mencionar aqu estos dispositivos. Su denominacin es la de disipadores.
Existen en el mercado multitud de modelos de disipadores y sus dimensiones
estn calculadas en funcin de la potencia que deban disipar estos. La forma en
que los transistores se preparan para utilizar un disipador es incorporando una
aleta refrigeradora -as se la suele denominar de forma coloquial que suele ir
dotada de un agujero que la atraviesa de parte a parte.
En este orificio se colocar el tornillo que se fijar posteriormente a travs del
disipador. Los diferentes modelos y tamaos de los dispositivos electrnicos
responden a las diferentes potencias manejadas.
No solo los transistores utilizan disipadores. Por ejemplo, el encapsulado TO-220
incorpora una aleta de este tipo, por lo que podemos deducir que un mismo
modelo y tamao de disipador podr ser fijado a la aleta de un regulador, un
transistor, un triac, un tiristor, etc.


TRANSISTORES: BIPOLARES, JFET Y
MOSFET


1.0. INTRODUCCIN

En la actualidad, existe una gran variedad de aparatos electrnicos, tales como
televisores, vdeos, equipos musicales, relojes digitales y, cmo no,
computadoras. Aunque, aparentemente sean muy distintos, todos ellos tienen
algo en comn: los dispositivos electrnicos de los que estn constituidos. Los
transistores son unos de los dispositivos ms importantes. Estn construidos con
materiales semiconductores pero con estructuras ms complejas que los diodos.
Son la base de la electrnica y uno de los objetivos actuales es ir reduciendo su
tamao continuamente.
Como ya sabemos, si tenemos un material semiconductor tipo P y uno de tipo N,
y los juntamos, esta unin da lugar al diodo; pieza bsica de cualquier circuito
electrnico. Este tipo de unin P-N no es la nica que se puede hacer con
materiales semiconductores. La ampliacin ms sencilla que se puede hacer a una
unin P-N es simplemente aadirle de nuevo otra capa de semiconductor tipo P o
tipo N. Es as como se obtiene lo que se conoce con el nombre de transistor de
unin bipolar. Un transistor bipolar es la unin de un material semiconductor tipo
P, uno del tipo N y de nuevo otro del tipo P; este sera el caso de un transistor P-
N-P.

Los semiconductores son la base de la electrnica. Las distintas combinaciones de materiales del tipo P
con materiales del tipo N constituyen los diferentes dispositivos electrnicos.
Por el contrario, si unisemos dos materiales tipo N ms uno del tipo P, en medio
de ellos obtendramos un transistor tipo N-P-N. Vemos pues que existen dos tipos
de transistores segn su estructura interna. Aunque, aparentemente, ambos son
muy similares, sus caractersticas de funcionamiento van a ser opuestas.

Para representar a los transistores bipolares usamos los smbolos que se muestran en la figura.