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Análisis de Circuitos Electrónicos

Este documento presenta cuatro ejercicios de cálculo de circuitos electrónicos. El primer ejercicio calcula la tensión de salida para diferentes configuraciones de entrada en un circuito con diodos. El segundo ejercicio determina valores de resistencias para lograr puntos de funcionamiento específicos en un circuito con transistores. El tercer ejercicio calcula valores para polarizar un circuito con FET en saturación u óhmica. El cuarto ejercicio presenta un borrador sin completar.
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Análisis de Circuitos Electrónicos

Este documento presenta cuatro ejercicios de cálculo de circuitos electrónicos. El primer ejercicio calcula la tensión de salida para diferentes configuraciones de entrada en un circuito con diodos. El segundo ejercicio determina valores de resistencias para lograr puntos de funcionamiento específicos en un circuito con transistores. El tercer ejercicio calcula valores para polarizar un circuito con FET en saturación u óhmica. El cuarto ejercicio presenta un borrador sin completar.
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EJERCICIO 1 (realizar los clculos con una precisin de 5 cifras significativas)

Calcular la tensin a la salida del circuito de la figura (V


O
) e indicar el estado de los diodos para las siguientes tensiones de entrada:

DATOS: V

=0,6V R
f
=100 R
r
=

V
1
V
O
1K
D1
9K
V
2
1K
D2

(0,5) a) V
1
=10V y V
2
=0V

En este caso D1 conduce y D2 est en corte claramente, y por lo tanto el circuito equivalente sera:

V
1 V
O
1K 100
9K
0,6V

( ) V
K K K
K
V V V
O
3762 , 8
9 1 1 , 0
9
6 , 0
1
=
+ +
=



V
O
=8,3762 V




(0,5) b) V
1
=5V y V
2
=0V

En este caso las condiciones siguen siendo las mismas que en el apartado a). Slo cambia el valor de V
1
.
V
1 V
O
1K 100
9K
0,6V

( ) V
K K K
K
V V V
O
9207 , 3
9 1 1 , 0
9
6 , 0
1
=
+ +
=


V
O
=3,9207 V



(0,5) c) V
1
=10V y V
2
=5V

En esta caso pueden surgir dudas del estado de los diodos ya que como V
2
=5 V puede ser que el diodo D2 est polarizado en
directa. Pero si nos fijamos en el apartado a) con V
1
=10 V y V
2
=0 V se tena que V
O
=8,3762 V que es la tensin que existe en el
ctodo del diodo D2 mientras est en corte. Por lo tanto, para que empiece a conducir el diodo D2 en esas condiciones se tendra que
aplicar en el nodo de ese diodo (V
2
) una tensin superior a esos 8,3762 V en una cantidad que supere la tensin umbral, es decir,
que D2 no empezara a conducir hasta una tensin V
2
=8,3762 V +0,6 V =8,9762 V.

Por lo tanto, en este caso el diodo D1 conduce y el diodo D2 estara en corte y el circuito equivalente sera el mismo que en los
apartados a) y b):

V
1 V
O
1K 100
9K
0,6V

( ) V
K K K
K
V V V
O
3762 , 8
9 1 1 , 0
9
6 , 0
1
=
+ +
=


V
O
=8,3762 V



(0,5) d) V
1
=5V y V
2
=5V

En este caso D1 y D2 estaran claramente conduciendo. El circuito equivalente sera:

V
1
V
O
1K 100
9K
0,6V
V
2
1K 100
0,6V
I
1
I
2
I
1
+I
2

( )
( )
A mA
K
K I V
I
A mA I K
K
K I V
K I V
K
K I V
I
K I K I K I I K I V V V
K I K I K I I K I V V V

37 , 230 23037 , 0
9
1 , 10 4 , 4
37 , 230 23037 , 0 1 , 10
9
1 , 10 4 , 4
9 4 , 4
9
1 , 10 4 , 4
1 , 10 9 9 1 , 1 4 , 4 6 , 0
9 1 , 10 9 1 , 1 4 , 4 6 , 0
1
2
1
1
1
1
2
2 1 2 1 2 2
2 1 2 1 1 1
= =

=
= =

+ =

+ = + + = =
+ = + + = =


( ) ( ) V K mA K I I V
O
1466 , 4 9 23037 , 0 23037 , 0 9
2 1
= + = + =


V
O
=4,1466 V



EJERCICIO 2 (realizar los clculos con una precisin de 5 cifras significativas)
(1) a) Determinar el valor de R1 y R2 para que el punto de funcionamiento del transistor T2 del circuito de la figura sea I
C2
=10 mA
y V
CE2
=10 V.

DATOS: Vcc =20 V
Transistores T1 y T2 idnticos: V
BEon
=0,7 V V
CEsat
=0,2 V =100
Diodo: V
Z
=5V
R
1
V
CC
R
2
1 M
T
1
T
2

I
C2
=10 mA y V
CE2
=10 V =>T2 est en activa =>zener regula.

=

= = k
mA
V V
I
V V
R R I V V
C
CE CC
C CC CE
1
10
10 20
2
2
2 2 2 2

V V V V V V
BE Z CE
7 , 5 7 , 0 5
2 1
= + = + = =>T1 est en activa
=

= =
= + = + =
= = =
= = = =

= + =
k
mA
V V
I
V V
R V R I V
mA mA mA I I I
mA
mA I
I
mA A I I A
K
V V
K
V V
I V K I V
R
CC
R CC
C B R
C
B
B C
BE CC
B BE B CC
0443 , 7
03 , 2
7 , 5 20 7 , 5
7 , 5
03 , 2 93 , 1 1 , 0
1 , 0
100
10
93 , 1 3 , 19 100 3 , 19
10
7 , 0 20
10
10
1
1 1 1
1 2 1
2
2
1 1
3 3
1
1 1
3
1






R
1
=7,0443 k
R
2
=1 k













I
B1
I
C1
I
C2
I
B2
I
R1
+ V
Z
-
(1) b) Si R2 tiene un valor de 5 k, determinar el valor de R1 para que los dos transistores estn saturados.

Los dos transistores nunca van a estar saturados a la vez, ya que si T1 est saturado =>V
CE1
=0,2 V =>T2 estara en corte ya que
esta tensin es insuficiente para polarizar al zener en su zona de regulacin =>zener en corte =>T2 en corte.



















(1) c) Si R1 =R2 =1 k y sustituimos la resistencia de 1 M de la base del transistor T1 por una resistencia R
B1
, cul sera el
valor mximo de esta resistencia R
B1
para que el transistor T2 est en corte?.


T2 en corte =>V
CE1
<V
Z
+V
BE
=5 V +0,7 V =5,7 V

mA
K
V V
R
V V
I V R I V V
CC
C C CC CE
3 , 14
1
7 , 5 20 7 , 5
7 , 5
1
1 1 1 1
=

> < =

Como T1 estara en activa:

=

< >

=
= = > > =
k
mA
V V
mA
V V
R mA
R
V V
I
A mA
mA
I mA I I
BE CC
B
B
BE CC
B
B B C
96 , 134
143 , 0
7 , 0 20
143 , 0
143 , 0
143 143 , 0
3 , 14
3 , 14
1
1
1
1
1
1 1 1






R
B1
<134,96 k


EJERCICIO 3 (realizar los clculos con una precisin de 5 cifras significativas)
El circuito de la figura utiliza un FET de canal N con V
P
=-2V e I
DSS
=1,65 mA. Se desea polarizar el circuito para que I
D
=0,8 mA
con una tensin de polarizacin V
CC
=24V.

V
CC
R
D
R
S
R
G

(1,5) a) Calcular V
GS
, R
S
y R
D
para que el transistor est funcionando en saturacin y con las condiciones indicadas en el enunciado.

El transistor est saturado =>
( )

= = = = =

=
V
V
V V
mA
mA
I
I
V
V
V
V
I I
P GS
DSS
D
P
GS
P
GS
DSS D
60738 , 0
3926 , 3
69631 , 0 1 69631 , 0
65 , 1
8 , 0
1 1
2

V
GS
=- 3,3926 V no puede ser ya que |V
GS
| >|V
P
| y entonces el transistor estara en corte.
V
GS
=- 0,60738 V es el resultado correcto ya que |V
GS
| <|V
P
| y el transistor estara conduciendo y perfectamente podra estar en
saturacin.

Por otro lado tenemos:

= =

= = = 22 , 759 22 , 759 , 0
8 , 0
60738 , 0
K
mA
V
I
V
R R I V
D
GS
S S D GS


Para que el FET est saturado se tiene que cumplir:

V V V V V V
GS P DS
3926 , 1 60738 , 0 2 = =

Analizando el circuito se obtiene:

( ) ( )
K K K R K R
K
mA
V V
I
V V
R R V R R I V V
S D
D
CC
S D S D D CC DS
498 , 27 75922 , 0 258 , 28 258 , 28
258 , 28
8 , 0
3926 , 1 24 3926 , 1
3926 , 1
= =
=

+ + =




V
GS
=-0,60738 V
R
S
=759,22
R
D
27,498 k






(1,5) b) Calcular V
GS
, R
S
y R
D
para que el transistor est funcionando en hmica y con las condiciones indicadas en el enunciado.

El transistor est en hmica =>
K
mA
V
I
V
r
DSS
P
DS
2121 , 1
65 , 1
2
= = =

V K mA r I V
DS D DS
96968 , 0 2121 , 1 8 , 0 = = =

Para que el FET est en hmica se tiene que cumplir:

V V V V V V V V V V
GS GS GS GS P DS
0303 , 1 2 96968 , 0 2 < < = <

Como el FET es canal N, entonces V
GS
tiene que ser negativa =>-1,0303V <V
GS
0V

Analizando el circuito se tiene:

K
mA
V
I
V
R V R I V R I V
D
S S D GS S D GS
2878 , 1
8 , 0
0303 , 1 0303 , 1
0303 , 1 = = < < = =


Analizando el circuito se obtiene:

( ) ( )
( )
K R K R
K K K R K R K R R
K
mA
V V
I
V V
R R R R I V V
S D
S D S D
D
DS CC
S D S D D CC DS
787 , 28 787 , 28
499 , 27 2878 , 1 787 , 28 787 , 28 787 , 28
787 , 28
8 , 0
96968 , 0 24
< =
= > = = +
=

= + + =







-1,0303 V <V
GS
0 V
R
S
<1,2878 k
27,499 <R
D
28,787 k
R
D
+R
S
=28,787 k





BORRADOR

BORRADOR

BORRADOR

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