INGENIERIA DE SISTEMAS

UNION N-P
Una de las claves cruciales en la electrnica de estado slido es la
naturaleza de la unin P-N. Cuando los materiales de tipo p y tipo n se
colocan en contacto uno con otro, la unin se comporta de manera muy
diferente a como lo hacen cada uno de los materiales por si solos.
Especficamente, la corriente fluir fcilmente en una direccin
(polarizacin directa) pero no en la otra (polarizacin inversa), creando un
diodo bsico. Este comportamiento no reversible, surge de la naturaleza
del proceso de transporte de carga en los dos tipos de materiales.


Los crculos vacos en el lado izquierdo de la unin de arriba a la derecha,
representan "huecos" o deficiencias de electrones en la red, que pueden
actuar como portadores de carga positiva. Los crculos slidos a la derecha
de la unin representan los electrones disponibles desde el dopante de tipo
n. Cerca de la unin, los electrones se difunden a su travs y se combinan
con los agujeros, creando una "regin de deplecin". El croquis de nivel de
energa de arriba a la derecha, es una forma de visualizar la condicin de
equilibrio de la unin P-N. La direccin ascendente en el diagrama
representa la energa creciente de electrones.
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Es un espacio que se recomienda visitar ya que se observa con mayor claridad la
animacin
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_en_equili
brio_y_polarizada/Applet3.html














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LA LEY DE SHOCKLEY
Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: uno de bloqueo o de alta
impedancia y de conduccin o baja impedancia.
Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas alternadamente.
Es un tipo de tiristor.
La caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La regin I es la regin de
alta impedancia y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado apagado al de
conduccin, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar la tensin de conmutacin,
denominada V
s
. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente
que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la
regin III (Punto B). Para volver al estado apagado, se disminuye la corriente hasta la corriente
de mantenimiento, denominada I
h
. En ese instante el diodo aumenta su impedancia,
reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando
la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). La tensin inversa
de avalancha es denominada V
rb
.
Este dispositivo fue desarrollado por el fsico estadounidense William Bradford Shockley


Se recomienda visitar la pg.
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_de_Shockley/
Applet4.html
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CONMUTACION DEL DIODO
En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin
aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del
esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un
conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de
unin.
El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del
panel superior con el texto "Parmetros circuito". Al presionarlo aparecer una
ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos
deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de
polarizacin (R).
Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se
representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del
diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda
la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas
neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica
es la tensin que cae en bornas del diodo. Esta cuatro grficas se van actualizando en
el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.
En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el
comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las
ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los
perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas
ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por al valor
actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el
tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros se modifican
instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las
grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones temporales.
Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior
"Parmetros Diodo". Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se
podrn modificar los parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el
ctodo, los tiempos medios de vida de los minoritarios, las contantes de difusin de
los huecos y electrones, el rea de la unin, la tensin de disrupcin y la capacidad
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media equivalente de la unin para inversa. Tras introducir los nuevos valores es
necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para
que tengan efecto los cambios.

Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente,
los perfiles de minoritarios que hay en el nodo y en el ctodo, as como la anchura de
la zona espacial de carga. El valor de los perfiles para x=0 (junto a la zona dipolar) se
muestra tambin, as como el valor de los que penetra la zona dipolar en las zonas N
y P del diodo. Debajo, para todo momento, aparece el estado en que se encuentra el
diodo (Directa, Inversa o Disrupcin).


Recomendamos visitar la pg.
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let.html.