Transistores Bipolares

Usos de los transistores

Los transistores bipolares estn basados
en los semiconductores y tiene mltiples
aplicaciones entre las que se destacan:
Amplificador de Seales
Osciladores
Circuitos de Conmutacin
Circuitos Digitales
Control y Automatismo
Transistores Bipolares
El transistor bipolar de juntura (BJT) se puede
definir como la unin de tres zonas dentro de un
trozo Silicio o Germanio intrnseco dopadas
alternativamente para formar material tipo P o N
como se muestra en la figura para un transistor
tipo NPN.
Fsica del Transistor Bipolar
A cada material dopado se conecta un terminal
metlico al que llamaremos terminal de Emisor,
terminal de Base y terminal de Colector.
Sin embargo, cada material tiene un rea y
cantidad de dopaje diferente entre s.
Fsica del Transistor Bipolar
a) El Emisor es el material ms dopado del
transistor y su rea es mediana. La funcin
principal del Emisor es Emitir electrones. Hacia
el colector.
b) La Base es el material menos dopado y de rea
ms pequea. Su funcin es de servir como
Base o referencia para los otros terminales.
c) El Colector es el material de mayor rea y
medianamente dopado. Su funcin es de
Colectar o recibir los electrones provenientes
del Emisor.
Fsica del Transistor Bipolar
Como podemos observar, entre los terminales Emisor y Base
se tiene el equivalente a un diodo de unin o Juntura que
denominaremos Jbe por Juntura base-emisor. Una situacin
similar se produce entre la Base y Colector que denominamos
Jbc por Juntura base-colector.
Eso es, si imaginariamente dividimos la base en dos partes,
Eso es, si imaginariamente dividimos la base en dos partes,
obtendremos la equivalencia a dos diodos seg
obtendremos la equivalencia a dos diodos seg

n se muestra
n se muestra
en al figura siguiente
en al figura siguiente
Fsica del Transistor Bipolar
Sin embargo, debemos decir
Sin embargo, debemos decir
que debido a la diferencia de
que debido a la diferencia de
dopaje que existe en cada uno
dopaje que existe en cada uno
de los terminales, es que la
de los terminales, es que la
barrera de potencial producida
barrera de potencial producida
en la uni
en la uni

n Base
n Base

Emisor es
Emisor es
mayor que la barrera de
mayor que la barrera de
potencial producida en la uni
potencial producida en la uni

n
n
Base
Base

Colector, lo que es
Colector, lo que es
fundamental para determinar
fundamental para determinar
cada uno de los terminales
cada uno de los terminales
utilizando un multitester
utilizando un multitester
seleccion
seleccion

ndolo como prueba

ndolo como prueba
de diodo.
de diodo.
Simbologa del Transistor
Electr
Electr

nicamente, el transistor tiene su propia simbolog

nicamente, el transistor tiene su propia simbolog

a
a
dependiendo si es tipo NPN o bien es PNP como se
dependiendo si es tipo NPN o bien es PNP como se
muestra en la figura , donde:
muestra en la figura , donde:
E =Emisor B =Base C =Colector.
E =Emisor B =Base C =Colector.
PNP
NPN
En ambos casos la flecha indica el sentido de
En ambos casos la flecha indica el sentido de
circulaci
circulaci

n de la corriente convencional.
n de la corriente convencional.
Encapsulados de Transistores
Los diferentes encapsulados disponibles de transistores
Los diferentes encapsulados disponibles de transistores
define la potencia m
define la potencia m

xima que puede disipar el

xima que puede disipar el
transistor
transistor
Polarizacin del Transistor
Polarizar al transistor, significa entregar una
diferencia de potencial o voltaje entre sus
terminales. La polarizacin es necesaria para
establecer una regin de operacin apropiada
para la amplificacin de seal alterna.
Polarizacin del Transistor
Para el caso del transistor, se requerir que la
juntura Base-Emisor (Jbe) est polarizada en
forma directa, mientras que la juntura Base-
Colector (Jbc) ) est polarizada en forma
inversa. Como se muestra en la figura para un
transistor tipo NPN.
Operacin del Transistor
En la figura se ha redibujado el transistor PNP sin
la polarizacin base a colector. Ntense las
similitudes entre esta situacin y la del diodo
polarizado directamente.
El ancho de la
El ancho de la
regi
regi

n de
n de
agotamiento
agotamiento
se ha reducido
se ha reducido
debido a la polarizaci
debido a la polarizaci

n
n
directa aplicada, lo que
directa aplicada, lo que
produce un denso
produce un denso
flujo de
flujo de
portadores mayoritarios
portadores mayoritarios
(huecos) del material tipo P
(huecos) del material tipo P
al tipo N
al tipo N
Operacin del Transistor
Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del
transistor PNP de la figura , para dejar la polarizacin
inversa que se presenta en la unin base - colector
como se indica en la figura.
Recu
Recu

rdese que para

rdese que para
una
una
polarizaci
polarizaci

n
n
inversa
inversa
, el flujo de
, el flujo de
portadores mayoritarios
portadores mayoritarios
es
es
cero
cero
, por lo que s
, por lo que s

lo
lo
se presenta un
se presenta un
flujo de
flujo de
portadores minoritarios
portadores minoritarios
y la zona desierta o
y la zona desierta o
regi
regi

n de agotamiento
n de agotamiento
se ensanchar
se ensanchar

. .
Operacin del Transistor
Consideremos ahora el funcionamiento del transistor
polarizado como se muestra en la figura . En la cual, una
unin P-N del transistor est polarizada inversamente,
en tanto que la otra unin presenta polarizacin directa.
Operacin del Transistor
Observamos en la figura que ambos potenciales de
polarizacin se han aplicado a un transistor PNP, con un
flujo de portadores mayoritario y minoritario que se
indica.
Como se ve, un gran
Como se ve, un gran
n
n

mero de portadores
mero de portadores
mayoritarios
mayoritarios
que salen
que salen
desde el emisor se
desde el emisor se
difundir
difundir

n a trav
n a trav

s de la
s de la
uni
uni

n P
n P
-
-
N polarizada
N polarizada
directamente
directamente
hacia
hacia
la
la
base dentro del material
base dentro del material
tipo N.
tipo N.
Operacin del Transistor
Puesto que el material tipo N
(Base) es sumamente delgado
y tiene una baja conductividad
al tener un nmero muy
pequeo portadores
mayoritarios, es que el mayor
nmero de estos portadores
mayoritarios se difundir
pasando a travs de la unin
polarizada inversamente hacia
adentro del material tipo P
conectado a la terminal del
colector
Esto produce finalmente una
Esto produce finalmente una
CORRIENTE
CORRIENTE
desde
desde
EMISOR hacia COLECTOR, que es causada por la
EMISOR hacia COLECTOR, que es causada por la
corriente de base
corriente de base
-
-
emisor inicial
emisor inicial
Operacin del Transistor
En otras palabras, ha habido
una inyeccin de portadores
minoritarios al interior del
material de la regin base de
tipo N. Combinando esto con
el hecho de que en un diodo
polarizado inverso, la corriente
se produce por los portadores
minoritarios, se explica el flujo
que se indica en la figura.
Aplicando la ley de corriente
de Kirchhoff al transistor de la
figura como si fuera un solo
nodo, obtenemos:
IE= IC + IB
Parmetros del transistor
Ganancia de corriente Alfa del transistor ( ).
Dependiendo del dopaje, se puede conocer de
antemano el porcentaje de portadores mayoritarios que
son inyectados desde el Emisor y que llegan al colector.
A este porcentaje, dado en tanto por uno tiene el
nombre de Alfa (), es as por ejemplo, que si en un
transistor tipo NPN tiene = 0,9.
Por lo tanto podemos afirmar que: IC= x IE
En el ejemplo, esto quiere decir que el noventa por
ciento (90%) de los electrones inyectados desde el
Emisor llegan al colector y el resto, es decir, el 10%
llegar a la Base. En general siempre < 1.
Parmetros del transistor
Ganancia de corriente Beta del transistor ( ).
Los valores de IC e IB se relacionan por una cantidad
muy importante denominada Beta. Si despreciamos la
corriente producto de los portadores minoritarios,
podemos decir que.
IC = x IB o = IC / IB
Es decir la ganancia es el cociente entre las corrientes
de Colector y de Base. Adems se puede demostrar que
ambas ganancias se relacionan por:
Los valores t
Los valores t

picos de
picos de

para los transistores

para los transistores
son altos 80 <
son altos 80 <

< 200
< 200
Parmetros del transistor
(beta) es la ganancia en corriente en continua del
transistor que en las hojas de caractersticas del
fabricante se representa algunas veces por hFE que
describe mejor su operacin con tensin alterna. Muy
til para el manejo de seales pequeas.
Este parmetro tendr una clara dependencia con la
temperatura como lo muestra la figura.
Configuraciones del Transistor
Los transistores son dispositivos de 3 terminales
por lo cual podemos describir su operacin
considerando que cualquiera de estos
terminales puede ser comn a la entrada y
salida, esto nos lleva a 3 configuraciones de
conexin que se conocen como:
- Base Comn
- Emisor Comn
- Colector Comn
Configuraciones del Transistor
Base Comn.
La base es el terminal com
La base es el terminal com

n entre la entrada y la
n entre la entrada y la
salida, esta configuraci
salida, esta configuraci

n proporciona una
n proporciona una
ganancia de
ganancia de
tensi
tensi

n grande y la ganancia de corriente es

n grande y la ganancia de corriente es
aproximadamente 1. Su aplicaci
aproximadamente 1. Su aplicaci

n es en osciladores
n es en osciladores
Configuraciones del Transistor
Emisor Com
Emisor Com

n
n
El emisor es el terminal com
El emisor es el terminal com

n entre la entrada y la
n entre la entrada y la
salida, esta configuraci
salida, esta configuraci

n proporciona una
n proporciona una
ganancia de
ganancia de
corriente grande y la ganancia de tensi
corriente grande y la ganancia de tensi

n es tambi
n es tambi

n
n
grande. Su aplicaci
grande. Su aplicaci

n es en amplificaci
n es en amplificaci

n de se
n de se

ales
ales
peque
peque

as.
as.
Configuraciones del Transistor
Colector Com
Colector Com

n
n
El colector es el terminal comn entre la entrada y la
salida, esta configuracin proporciona una alta
resistencia de entrada y es muy til para separar o
acoplar etapas con diferentes resistencia de entrada
salida, funcionando como adaptador de impedancias.
Circuitos de Polarizacin
Polarizacion Simple
Relaciones de
voltaje:
Relaciones de corriente:
Curvas caractersticas
Caracter Caracter stica de entrada stica de entrada Caracter Caracter stica de salida stica de salida
La entrada muestra una caracter
La entrada muestra una caracter

stica t
stica t

pica de un
pica de un
diodo en conducci
diodo en conducci

n (Juntura B
n (Juntura B
-
-
E), mientras que la
E), mientras que la
salida muestra un juego de curvas para cada corriente
salida muestra un juego de curvas para cada corriente
de base posible en la entrada (
de base posible en la entrada (
Ic
Ic
=
=

x
x
Ib
Ib
)
)
La recta de carga
Si Vce=0 entonces :
Ecuacin de una recta:
Si Ic=0 entonces :
El punto Q
Zonas de Operacin del Transistor
Zona de Saturacin: Ic max, Vce=0
Zona Activa Lineal: Ic y Vce <> 0 , punto Q
Zona de Corte: Ic = 0, Vce=max
Mejorando la estabilidad trmica
El resistor de emisor RE proporciona estabilidad
trmica al hacer que la corriente Ic (=Ie) sea
independiente de la corriente Ib y de las
variaciones de
Polarizacin por divisor de tensin (PDT)
El PDT permite proporcionar una tensin de polarizacin
estable con solo una fuente de alimentacin
Transistores
Gracias