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html Servomotor dc Motor paso a paso Rele
omo conectar un mosfet de potencia a un microcontrolador
En este artculo describo en modo simple y ejemplificado, la conexin de mosfets a microcontroladores u otros circuitos digitales para controlar motores, leds o cualquier dispositivo de potencia que trabaje con baja tensin continua (DC). Los mosfets de potencia (power mosfets) son componentes electrnicos que nos permiten de controlar corrientes muy elevadas. Como en el caso del los mosfets comunes, tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate (D, S y G). La corriente principal pasa entre Source y Drain (ISD) mientras que el control de esta corriente se obtiene aplicando una tensin sobre el terminal Gate (respecto al terminal Source), conocida como VGS.
Conexin directa de un Mosfet a un microcontrolador
En condiciones de reposo, la corriente de Gate es prcticamente nula porque al interno del componente, el terminal Gate se encuentra conectado a una especie de capacitor. Por lo tanto circula corriente de Gate solo cuando cambiamos el nivel de tensin de entrada (cambio de estado lgico) y este es el motivo por el cual el consumo de los mosfet (como en el caso de todos los circuitos lgicos MOS) aumenta en proporcin a la frecuencia de conmutacin. Existen power mosfets de dos tipos: los de canal N y los de canal P. La diferencia entre estos est en la polaridad de conexin Source-Drain y en el hecho que la tensin de Gate de los mosfet de canal P es negativa (las mismas diferencias que existen entre los transistores NPN y PNP).
Smbolos de los mosfet
En base a la aplicacin, un mosfet de potencia puede trabajar en la regin lineal o en saturacin. En los sistemas analgicos, como por ejemplo en las etapas de salida de los amplificadores de audio, los mosfets trabajan en la regin lineal mientras que en los sistemas digitales, en los cuales se usan como interruptores digitales de potencia, estos trabajan en corte (OFF) o saturacin (ON). En este artculo analizaremos solamente los mosfet usados como interruptores digitales. Cuando un mosfet se encuentra en saturacin, el valor de resistencia interno entre Source y Drain (Rsd) es muy bajo y por lo tanto, la disipacin de potencia en l ser poco significativa no obstante la corriente que lo atraviesa pueda ser muy elevada.
Mosfet usado como simple interruptor de potencia
Para llevar un mosfet a la saturacin, es necesario que la tensin de control en el terminal Gate sea suficientemente alta y esto podra ser un problema si usramos directamente la baja tensin de salida de un microcontrolador. Me explico mejor con un ejemplo. Para saturar un transistor bipolar (tipo BC548) se necesita superar la tensin de umbral de la base que es solamente de 0,6V. Una tensin de control de 0,6V se pueden obtener con cualquier sistema digital alimentado con 5V, 3,3V y hasta 1,8V. Por el contrario, la tensin necesaria para poner en conduccin un mosfet (llamada tensin de umbral o Vth) es mucho ms elevada (algunos volts) y depende del modelo de mosfet. Es ms, aunque si alcanzramos este valor, no sera suficiente porque deberamos salir de la regin lineal de trabajo para llevarlo a la saturacin. Si no fuera as, la conduccin no sera plena y por lo tanto parte de la potencia se disipara en el mosfet en forma de calor porque la potencia disipada por el mosfet es el resultado de la multiplicacin entre la cada de tensin y la corriente que pasa por l (Pmosfet = Vsd * Isd).
Curvas de conduccin de un hipottico mosfet con las dos regiones de trabajo (lineal y saturacin) para distintas tensiones de Gate
En el diseo podemos ver las curvas de conduccin de un tpico mosfet de canal N con distintas tensiones de Gate en las dos regiones de trabajo (regin lineal a la izquierda del grfico y saturacin a la derecha). Como podemos observar, si quisiramos obtener una corriente de salida mxima, la tensin de Gate (VGS) debera ser de 7,5V. Este valor vara en base al modelo de mosfet usado. Para resolver este problema existen dos posibilidades: usar un adaptador que aumente los niveles de salida del microcontrolador o conseguir un mosfet que trabaje con tensiones de Gate ms bajas. Los mosfets con baja tensin de Gate son conocidos con el nombre de logic level power mosfet (mosfet de potencia para nivel lgico).
Comparacin entre un mosfet Logic level y un mosfet comn
En el diseo podemos ver la curva de conduccin de un mosfet logic level IRL530 (en verde) comparada con un clsico mosfet IRF530 (en azul). La lnea vertical a rayas indica un nivel lgico de 4,75V (tpico nivel de salida de un microcontrolador alimentado con 5V). Como podemos observar, la corriente de salida mxima con el IRF530 no supera los 2,6A no obstante este modelo sea en grado de entregar mucha ms corriente mientras que el IRL530 supera ampliamente los 20A (plena conduccin). Si nuestro microcontrolador trabajara con 3,3V el IRF530 no lograra ni siquiera entrar en conduccin.
Ejemplo de conexin directa de un mosfet logic level
Por lo tanto, elegir un mosfet de tipo logic level es la mejor eleccin cuando trabajamos con circuitos digitales. En la figura podemos observar la conexin de un mosfet logic level a un microcontrolador para encender una tira de leds. Como explicado al principio de este artculo, cuando cambia el nivel lgico de control, por un instante el mosfet absorbe una cierta corriente que carga el capacitor interno del terminal Gate. La resistencia de 4,7K sirve para limitar esta corriente inicial. Podramos usar cualquier valor de resistencia pero un valor bajo permite la carga rpida de este capacitor y por lo tanto una conmutacin ms veloz del mosfet, til si quisiramos usar una regulacin de potencia por impulsos (PWM). En este tipo de regulacin, si la conmutacin del mosfet fuera lenta, este se encontra ra por ms tiempo en la zona lineal y por lo tanto aumentara la disipacin de potencia en l, especialmente si trabajamos con frecuencias elevadas. Una vez que el mosfet ha conmutado, el Gate no absorbe ms corriente. Por lo tanto si pensamos de usar nuestro mosfet para simples encendidos y apagados, el valor de esta R puede ser de 10K. Por el contrario, si deseamos modular la potencia de salida a travs de la modulacin PWM, nos conviene un valor de resistencia de 4,7K, 3,3K o 1,2K inclusive. La mejor eleccin depende fundamentalmente de la frecuencia PWM. La resistencia de 100K a masa sirve para definir un estado lgico preciso en el caso que el micro no lo hiciese como por ejemplo en la fase de inicializacin del mismo. Si tuviramos la necesidad de conectar un mosfet no logic level a un circuito digital, podemos agregar un transistor que nos permita aumentar la tensin de control como podemos observar en la figura siguiente.
Ejemplo de conexin de un mosfet no logic level de canal N
El principio de funcionamiento es muy simple. Cuando la salida del microcontrolador tiene un nivel lgico bajo (0 volt), el transistor no conduce y por lo tanto, su colector, que se encuentra conectado al Gate del mosfet tendr un potencial positivo de 12V a travs de la resistencia a positivo. Cuando la salida del microcontrolador pasa a nivel alto, (1,8V, 3,3V o 5V), el transistor conduce y lleva el Gate del mosfet a 0V, por lo tanto el mosfet deja de conducir. Como podrn observar, este circuito tiene el defecto que trabaja al contrario es decir, se activa cuando el nivel de salida del micro es bajo. No obstante esto, tiene la ventaja que la tensin de Gate alcanza la tensin mxima de alimentacin garantizando la completa saturacin de cualquier tipo de mosfet que conectemos. El valor de la resistencia de gate conectada a positivo modifica la velocidad de conmutacin del mosfet como explicado en el caso anterior. (valores altos para conmutaciones lentas y valores bajos para conmutaciones veloces (modulacin PWM).
Ejemplo de conexin de un mosfet no logic level de canal P
Si quisiramos usar un mosfet comn (no logic level) con lgica de control no invertida, podemos cambiarlo por uno de canal P como se observa en la figura. Noten que la potencia de salida (en el ejemplo, la tira de leds) se conecta hacia masa (negativo) en lugar del positivo. El nico problema que presenta esta ltima solucin es no se puede usar si quisiramos controlar una tira de leds RGB con 3 canales porque estas tiras, generalmente tienen el nodo en comn (positivo nico) mientras que a nosotros nos servira una tira RGB con ctodo comn (negativo comn). De cualquier manera,
esta solucin es muy til en numerosos casos. Como en los otros ejemplos, el valor de la resistencia de gate conectada a positivo modifica la velocidad de conmutacin del mosfet (valores altos para conmutaciones lentas y valores bajos para conmutaciones veloces (modulacin PWM). Los contenidos de este blog son originales y estn bajo una licencia Creative Commons BY_NC_SA
Aprende ELEKTRONICA! INTERRUPTOR ACTIVADO POR LUZ
Descripcin general
El interruptor activado por luz es un circuito que tiene como misin abrir o cerrar un interruptor (rel) al alcanzarse unos ciertos niveles de luz ambiente.
Esquema del circuito
He aqu el diagrama de bloques del circuito en cuestin.
Puede observarse que est dividido en tres bloques o o o Bloque sensor: cuya misin es captar luz y generar una tensin que vara de acuerdo con el nivel luminoso detectado. Bloque comparador: cuya misin es generar un impulso digital de valor 0 1 segn sea el nivel de tensin generado por el bloque sensor. Bloque actuador: cuya misin es la abrir o cerrar un interruptor o rel con el control del impulso digital generado por el bloque comparador.
El bloque sensor.
En cuanto al esquema elctrico, el bloque sensor est formado por el transistor Q101 (BC109), la resistencia R101 (1M), y el elemento sensor LDR, que puede ser uno cualquiera de los que se encuentran en los comercios de electrnica.
El funcionamiento es como sigue. Al incidir luz sobre la fotorresistencia LDR, el valor de la resistencia disminuye. La corriente de base del transistor es aproximadamente constante y de un valor pequeo (aprox 1uA). Como el BJT est pensado para que trabaje en zona activa, la corriente de colector ser unas 200 a 300 veces superior a la de base (apenas 1 mA) y tambin constante. La caida de tensin perteneciente a la alimentacin se dividir entre la resistencia LDR y entre el colector y emisor del transistor. A menor cantidad de luz, mayor resistencia en el LDR, mayor ser la fraccin de tensin de la alimentacin que le corresponda, con lo que disminuir la tensin entre el colector y el emisor, que es precisamente la tensin de salida del bloque. Contrariamente, a mayor cantidad de luz, mayor tensin de salida.
El bloque comparador.
El esquema elctrico del sensor est compuesto por un operacional de uso general AO201, tipo uA741, un potencimetro P201 (4K7), una resistencia R201 (1K) y una resistencia R202 (330 Ohms).
Este bloque compara la tensin de salida del bloque sensor ( Vs, en adelante), con una tensin de referencia (Vref) ajustable a travs del potencimetro P201. El comparador mostrado el del tipo de histresis, que significa que para que la salida del operacional ( Vcomp) cambie de Vcc a 0 voltios, es necesario que la tensin de salida Vs alcance un valor mnimo Vref1, mientras que para realizar el cambio de 0 a Vcc voltios en Vcomp, se requiere que Vs descienda por debajo de un nivel Vref2, que es mayor que Vref1. El comportamiento del bloque se puede resumir con este grfico.
De esa manera, supuesto que Vcomp es 0 voltios (lo cual implica escasa luz y que Vs es pequea), y conforme vaya aumentando la cantidad de luz ambiente, llegar un momento en que la cantidad de luz alcanzar un nivel que har que Vcomp pase a valer Vcc. Si disminuyese la cantidad de luz, para que Vcomp pase a ser o voltios, debera oscurecerse el ambiente de manera que haya un nivel de luz menor que para hacer cambiar la salida del comparador a Vcc. De esa manera aseguramos que en el caso de tener un nico nivel de comparacin (Vref), se produzcan transitorios extraos. Los niveles de las referencias Vref1 y Vref2, se pueden desplazar simultaneamente, aportndoles una cierta componente de la alimentacin del circuito, mediante el ajuste del potencimetro. Adems es interesante ver que las referencias tienen una componente de la tensin de comparacin, y otra componente de la tensin de alimentacin, como fcilmente puede determinarse analizando el siguiente circuito.
El bloque actuador.
Este otro mdulo est formado por un conjunto de transistores en configuracin Darlington, Q301 (BC547) y Q302 (BD139), adems de una resistencia R301 (3K3), una resistencia R302 (10K) y un rel de 12 voltios REL301 (Omron G5V-1), como los que se puede encontrar en cualquier comercio de electrnica.
La misin de este bloque es la de activar el rel que contiene a partir de la tensin Vcomp generada por el bloque anterior. En caso de que Vcomp sea 0 voltios, los dos transistores estarn en situacin de corte, y por el rel no circular corriente, y por consiguiente, el interruptor que controla el rel permanecer abierto. Sin embargo, cuando Vcomp sea Vcc, ambos transistores conducirn y por el bobinado de control del rel circular corriente, lo cual implicar que el interruptor que controla el rel permanecer cerrado. La razn por la que se ponen dos transistores, es sencilla. Uno slo no podra drenar la corriente que necesita el rel, por lo cual se deber colocar uno (el BD139) con algo ms de capacidad de disipacin que un transistor convencional. No obstante su factor beta es relativamente pequeo, por lo que deber utilizarse otro de baja potencia (el BC547), pero de alta ganancia, con objeto de poder realizar la conmutacin de ON a OFF con los niveles de tensin adecuados. A la entrada del conjunto Darlington, se tiene que emplear un divisor de tensin, para evitar que la componente de Vcc que se introduce a travs de la resistencia R202 y del P201 haga que los transistores siempre conduzcan. As pues, es necesario reducir la salida del comparador con ese divisor.
Esquema conjunto
En la siguiente figura se ve el conjunto del circuito, con sus tres bloques.
A modo de resumen podemos decir que si hay luz abundante, Vs es grande, Vcomp vale Vcc y que el rel cierra el circuito que se desea controlar, Mientras que si hay poca luz, Vs es pequea, Vcomp vale 0 voltios y el rel tendr abierto el circuito a controlar. La tensin a la que deber ir alimentado es a 12 voltios.
Aplicaciones
Entre los posibles usos que podamos darle al circuito, destacan como: o o o o Control automtico de luminosidad en exteriores (jardines, alumbrado pblico, etc.) Interruptor fotoelctrico industrial (detectores de presencia, control de acceso a garajes, etc.) Control de luminosidad en interiores. Y todas aquellas aplicaciones que se le ocurran al ser humano, destinadas a un buen fin.
