UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Universidad del Per, Decana de Amrica

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRNICA, ELCTRICA Y TELECOMUNICACIONES

EL GERMANIO
CURSO PROFESOR ALUMNO CODIGO : : : : CIRCUITOS ELECTRONICOS I [Link] PARIONA CURI MARVIN

10190235

Ciudad universitaria, Enero del 2013

EL GERMANIO
El germanio es un elemento qumico no metal sino submetallic con nmero atmico 32 y con masa atmica 72.59 y tiene contenido en el suelo y en la planta.

Caractersticas principales: Es un metaloide slido duro, cristalino, de color blanco grisceo lustroso, quebradizo, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que el diamante y resiste a los cidos y lcalis.

Forma gran nmero de compuestos organometlicos y es un importante material semiconductor utilizado en transistores y fotodetectores. A diferencia de la mayora de semiconductores, el germanio tiene una pequea banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma eficaz a la radiacin infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja intensidad.

El germanio forma parte de los elementos denominados metaloides o semimetales. Este tipo de elementos tienen propiedades intermedias entre metales y no metales. En cuanto a su conductividad elctrica, este tipo de materiales al que pertenece el germanio, son semiconductores. Smbolo qumico Nmero atmico Grupo Periodo Aspecto Bloque Densidad Masa atmica Radio medio Radio atmico Radio covalente Configuracin electrnica Electrones por capa Estados de oxidacin xido Estructura cristalina Estado Punto de fusin Germanio Ge 32 14 4 blanco grisceo p 5323 kg/m3 72.64 u 125 pm 125 122 pm [Ar]3d10 4s2 4p2 2, 8, 18, 4 4 anftero cbica centrada en las caras slido 1211.4 K

Punto de ebullicin Calor de fusin Presin de vapor Electronegatividad Calor especfico Conductividad elctrica Conductividad trmica

3093 K 36.94 kJ/mol 0,0000746 Pa a 1210 K 2,01 320 J/(Kkg) 1,45 S/m 59,9 W/(Km)

Descubierto en: 1886 Descubierto por: C. Winkler Fuentes: Refinado de cobre, cinc, plomo. Productos de combustin de ciertos carbones. Minerales: argirodita [4Ag2S.GeS2], germanita [FeCu6GeS8, que contiene hasta un 8% del elemento y galio, arsnico y cinc]. Usos: Semiconductores y transistores. En forma de monocristales para la fabricacin de elementos pticos (lentes, prismas y ventanas) para espectroscopa infrarroja: Espectroscopios, detectores de infrarrojos. El alto ndice de refraccin del xido de germanio lo hace til para la fabricacin de lentes gran angular de cmaras fotogrficas y objetivos de microscopio. Aleaciones (alguna con niobio y aluminio es superconductora a 20,7 K). Catalizador

Usos del Germanio: El germanio es una sustancia dura de color blanco grisceo que se encuentra con los minerales de zinc, plata, plomo y cobre. Un qumico alemn llamado Clemens Winkler descubri este elemento en el ao 1886 y la llam as en referencia a Alemania. La produccin principal de germanio es como un subproducto de la obtencin del mineral de zinc y no se producen ms de 100 toneladas al ao. Es es muy demandado por sus importantes aplicaciones. Si alguna vez te has preguntado para qu sirve el germanio, a continuacin tienes una lista de sus posibles usos:

El germanio se utiliza como material semiconductor. Se usa generalmente, junto al silicio, en los circuitos integrados de alta velocidad para mejorar su rendimiento. En algunos casos se est planteando sustituir al silicio por germanio para hacer chips miniaturizados. Tambin se utiliza en las lmparas fluorescentes y algunos diodos LED. Algunos pedales de guitarra contienen transistores de germanio para producir un tono de distorsin caracterstico. Se puede utilizar en los paneles solares. De hecho, los robots exploradores de marte contienen germanio en sus clulas solares. El germanio se combina con el oxgeno para su uso en las lentes de las cmaras y la microscopa. Tambin se utiliza para la fabricacin del ncleo de cables de fibra ptica. Tambin se utiliza en aplicaciones de imgenes trmicas para uso militar y la lucha contra incendios. El germanio se utiliza en el control de los aeropuertos para detectar las fuentes de radiacin. Hay algunos indicios de que puede ayudar al sistema inmunolgico de pacientes con cncer, pero esto todava no est probado. Actualmente el germanio est considerado como un peligro potencial para la salud cuando se utiliza como suplemento nutricional.

Caractersticas del diodo de germanio y del diodo de silicio.

Los diodos rectificadores son dispositivos electrnicos que se utilizan para controlar la direccin del flujo de corriente en un circuito elctrico. Dos materiales comnmente utilizados para los diodos son el germanio y el silicio. Mientras que ambos diodos realizan funciones similares, existen ciertas diferencias entre los dos que deben ser tomadas en consideracin antes de instalar uno u otro en un circuito electrnico. Diodos de silicio La construccin de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del nodo y arsnico o fsforo en el lado del ctodo), y la articulacin donde las impurezas se unen se llama la "unin pn". Los diodos de silicio tienen un

voltaje de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezar a conducir la corriente elctrica a travs de su unin pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unin pn detendr la conduccin de la corriente elctrica, y el diodo dejar de funcionar como una va elctrica. Debido a que el silicio es relativamente fcil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio son ms frecuentes que los diodos de germanio. Diodos de germanio Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los diodos de germanio tambin utilizan una unin pn y se implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensin de polarizacin directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco comn que se encuentra generalmente junto con depsitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza, el germanio es ms caro, por lo que los diodos de germanio son ms difciles de encontrar (y a veces ms caros) que los diodos de silicio. Qu diodo debo usar? Los diodos de germanio se utilizan mejor en circuitos elctricos de baja potencia. Las polarizaciones de voltaje ms bajas resultan en prdidas de potencia ms pequeas, lo que permite que el circuito sea ms eficiente elctricamente. Los diodos de germanio tambin son apropiados para circuitos de precisin, en donde las fluctuaciones de tensin deben mantenerse a un mnimo. Sin embargo, los diodos de germanio se daan ms fcilmente que los diodos de silicio. Los diodos de silicio son excelentes diodos de propsito general y se pueden utilizar en casi todos los circuitos elctricos que requieran de un diodo. Los diodos de silicio son ms duraderos que los diodos de germanio y son mucho ms fciles de obtener. Mientras que los diodos de germanio son apropiados para circuitos de precisin, a menos que exista un requisito especfico para un diodo de germanio, por lo general es preferible utilizar diodos de silicio cuando se fabrique un circuito.

El Germanio es un slido que revoluciono la industria de la electrnica, ya que con el se pudieron fabricar diversos dispositivos que contribuyeron muchsimo con el desarrollo tecnolgico, a continuacin, un artculo del uso del germanio en la fabricacin de algunos dispositivos electrnicos. UNA vez que se acab la segunda Guerra Mundial se inici en los Bell Laboratories, en Estados Unidos, un programa de investigacin bsica sobre teora de slidos. Uno de los resultados de este esfuerzo fue el transistor. En esa poca la teora cuntica, es decir, la teora fsica que describe los fenmenos microscpicos ya estaba bien establecida.1 La teora cuntica haba abierto la posibilidad de entender las propiedades de los slidos a partir de su estructura atmica. La direccin de los laboratorios Bell esperaba que a travs de un proyecto de investigacin interdisciplinaria se adquirieran suficientes conocimientos acerca de los slidos para disear y fabricar materiales que se utilizaran en el desarrollo de nuevos y mejorados componentes y elementos para sistemas de comunicaciones. Se form el grupo para investigar los semiconductores, que estuvo integrado por los fsicos Walter H. Brattain (1902- ), William Schockley (1910-1990), John Bardeen (1909), Gerald Pearson y el fsico-qumico Robert Gibney. Tanto Shockley como Barden haban estudiado a fondo la teora cuntica mientras que Brattain haba llevado un curso de posgrado en la materia. En 1945 formaron otros grupos de estudio de semiconductores para estar al da en el campo. Se dieron cuenta de que durante la guerra se haban logrado notables avances en la utilizacin de los semiconductores silicio y germanio como detectores para el radar. Se haba tenido que recurrir a estos semiconductores porque en el radar se empleaban seales elctricas de muy alta frecuencia que los tubos al vaco, con todos los adelantos logrados, no podan manejar adecuadamente. Recordemos que en la primera parte del presente siglo ya se haban usado semiconductores (la galena, por ejemplo) como detectores de ondas electromagnticas antes del invento del tubo al vaco. Durante la guerra varios laboratorios haban logrado progresos en la comprensin del comportamiento de los semiconductores, as como en la preparacin de muestras de silicio y germanio. Las propiedades elctricas de las sustancias dependen del grado de libertad que tengan sus electrones. Para esto baste decir que los electrones de los tomos estn acomodados alrededor del ncleo en capas, y en cada una hay un nmero mximo de electrones: dos en la primera capa, ocho en la segunda, 18 en la tercera, etc. Los electrones de un tomo van ocupando sucesivamente las capas, a partir de la interior, hasta llegar a agotar los electrones. Entonces, si un tomo tiene, digamos, ocho electrones (que corresponde al elemento oxgeno), dos ocupan la primera capa y los seis restantes ocupan la segunda; por lo tanto, en el oxgeno la ltima capa no queda completa. En la figura 47 se muestra un diagrama esquemtico de la estructura de capas de los primeros once tomos de la tabla peridica. As, el litio (Li) tiene solamente un electrn en su capa externa; el boro (B) tiene tres; el carbn, cuatro; el nen, ocho, o sea que queda completa. Con base a estos hechos se construye la tabla peridica de los elementos. Hemos de mencionar que en el siglo pasado el ruso Dimitri Mendelev

(1834-1907) ide esta tabla en forma emprica, y que slo pudo ser explicada con fundamento una vez que se aplic la mecnica cuntica a la estructura atmica en el presente siglo.

Figura 47. Estructura de las capas electrnicas de algunos tomos. Los electrones que estn en capas completas quedan fuertemente atrapados al tomo, mientras que la atraccin es dbil para los electrones de la ltima capa, si sta no est completa; as, mientras menos electrones haya en la ltima capa, menor ser la fuerza con la que queden atrapados. Por lo tanto, en aquellos elementos con un solo electrn en su ltima capa, como ste est muy dbilmente unido al tomo podr separarse de l con mucha facilidad, y as este electrn quedar disponible para que el elemento conduzca muy bien electricidad. tomos con un solo electrn en su capa externa son el sodio, el cobre, la plata, el oro, etc., elementos que son buenos conductores de electricidad. Los tomos que tienen capas externas llenas de electrones ejercen una fuerte atraccin sobre ellos y por tanto no son buenos conductores de electricidad. Para que sirvieran a este propsito se requeriran fuerzas muy elevadas sobre los electrones externos, que implicara aplicar voltajes muy altos a la sustancia. Los elementos que tienen sus capas externas completas son el helio, el nen, el argn, etc., llamados gases nobles. Los tomos y molculas son entes que tienen niveles de energa bien definidos para cada uno de ellos. El estado que tiene el valor ms bajo de la energa se llama base, mientras que los estados con valores mayores de la energa se llaman excitados (Figura 48). A la secuencia de niveles mostrada en la figura se le llama el espectro de energa del tomo en cuestin. Distintos tomos tienen diferentes espectros de energa. En cualquier instante el tomo solamente puede tener una de las energas de sus niveles, es decir, el tomo no puede poseer una energa que tenga un valor que se encuentre entre dos valores de sus niveles. Se dice que la energa est cuantizada. Si el tomo experimenta determinado proceso es posible que cambie su energa, por ejemplo, a causa de una colisin con otro tomo, de una descarga elctrica, de calentamiento, etc. En este caso, el tomo puede pasar del nivel de energa en que se encuentra a otro nivel, por ejemplo pasar del estado base al primer estado excitado, o al segundo, etc., pero solamente puede empezar y terminar en l alguno de sus niveles permitidos. Esto significa que en las transiciones del tomo, los cambios de energa que puede experimentar son iguales a las separaciones (DE)1, (DE)2 etc., que corresponden a las

diferencias de las energas entre cualquier pareja de sus niveles (Figura 48). As, se dice que hay una transicin entre los niveles involucrados. Por otro tipo de motivos que no vienen al caso, puede ocurrir que alguna de estas transiciones est prohibida.

Figura 48. Espectro de energa de un tomo. Ahora bien, si la transicin es de un nivel bajo a otro superior, se dice que el tomo absorbe energa (igual a la diferencia entre los valores de las energas de dichos niveles); mientras que si pasa de un nivel alto a otro ms bajo, se dice que el tomo emite energa (igual a la diferencia entre los valores de las energas de dichos niveles). Lo anterior significa que un tomo solamente puede absorber o emitir energa en cantidades perfectamente determinadas, que son iguales a los valores de las diferencias de las energas entre las parejas de niveles cuyas transiciones sean permitidas. Hasta este momento hemos hablado solamente de tomos aislados, que no experimentan ninguna fuerza. Sin embargo, cuando los tomos forman un slido ocurren fenmenos colectivos entre ellos puesto que sus densidades son muy altas, lo que significa que estn muy juntos, por lo que las fuerzas que ejercen unos sobre otros son de gran consideracin; como consecuencia, los niveles de energa de los electrones se modifican considerablemente. Ahora, en lugar de tener un conjunto de valores bien precisos, se forman intervalos de energas permitidas separados por valores de energa que son prohibidos. En la figura 49 se muestra un diagrama de la energa de un slido hipottico. En este caso, los electrones pueden tener energas entre los valores E1 y E2, entre E3 y E4 etc. Sin embargo, no pueden tener energas entre E2 y E3. Al dominio de energas que s pueden ser adquiridas se les llama bandas permitidas y al dominio en que no pueden tenerlas se les llama bandas prohibidas. Se dice que los slidos tienen una estructura de bandas. Ahora bien, los electrones que tienen los tomos de un slido van ocupando las bandas permitidas de abajo hacia arriba consecutivamente, de manera

anloga a como lo hacen en tomos aislados. Una vez que se ocupa una banda, los electrones restantes, si es que los hay, empiezan a ocupar la siguiente banda permitida.

Figura 49. En un slido, el espectro de energa forma bandas tanto permitidas como prohibidas. Hay varias posibilidades, una de ellas es que los tomos de una sustancia vayan llenando las capas permitidas y que todava queden electrones que al empezar a ocupar la ltima banda permitida no la llenen completamente. Los electrones que estn en la ltima banda incompleta podrn desprenderse de los tomos con mucha facilidad, por tanto, podrn conducir muy bien electricidad y la sustancia es, en consecuencia, un buen conductor de electricidad. A las bandas que se ocupan completamente se les llama bandas de valencia y a las que se ocupan parcialmente se les llama de conduccin. Otra posibilidad es que los electrones de un slido llenen completamente las bandas permitidas y al completar la ltima ya no haya ms electrones disponibles. Por la tanto la siguiente banda permitida, que sera de conduccin, queda vaca. Pueden ahora darse dos casos. 1) En el primero, la separacin de DE entre la ltima banda de valencia (completa) y la de conduccin (vaca) es muy grande. En este caso, para que un electrn que est en la parte superior de la banda de valencia pueda pasar a la de conduccin tiene que adquirir por lo menos la energa DE, que en general es muy difcil de dar externamente. Hay varias maneras de proporcionar esta energa: por medio de un voltaje, que en nuestro caso sera extremadamente alto, o bien, aumentando la temperatura del slido, que tambin tendra que ser un aumento desproporcionado. En consecuencia, los electrones quedan bien unidos a los tomos y no pueden dar lugar a una corriente elctrica. Este es el caso de un aislador.

2) El segundo caso es cuando la separacin entre la ltima banda de valencia (completa) y la de conduccin (vaca) es muy pequea. Si la temperatura es relativamente baja no hay electrones en la banda de conduccin y por consiguiente la sustancia se comporta como un aislador. Sin embargo, con una energa muy pequea que se le proporcione, por ejemplo, con un pequeo voltaje o bien con un ligero aumento de temperatura, varios electrones pasarn a la banda de conduccin sin llenarla, y por tanto, la sustancia se comportar como un conductor. A este tipo de slidos se les llama semiconductores. En su fase slida el germanio y el silicio son ejemplos de semiconductores. Otra forma de explicar lo anterior es la siguiente: los semiconductores estn constituidos por tomos que tienen cuatro electrones en su ltima capa. Cuando forman un slido (Figura 50), cada electrn es compartido por dos tomos vecinos. Se puede decir que el electrn de un tomo se mueve hacia el hueco que hay en la ltima capa (que no est llena) del tomo vecino. A este tipo de comportamiento se le llama ligadura covalente. Por tanto, en esta sustancia no hay electrones disponibles para conducir electricidad. En esta situacin la banda de conduccin del slido est vaca. Si se le aumenta un poco la temperatura al semiconductor, algunos de los electrones se escaparn y ya no formarn la ligadura covalente; estos electrones pasaron a la banda de conduccin y estn disponibles para conducir electricidad.

Figura 50. La ltima capa de un semiconductor (en este caso germanio, Ge) tiene cuatro electrones, que son compartidos con el tomo vecino. Esto es la covalencia. Los crculos negros denotran electrones. Supongamos ahora que en el semiconductor se sustituye uno de los tomos por otro que tenga cinco electrones de valencia, por ejemplo un tomo de fsforo (Figura 51). En este caso, cuatro de los electrones de su capa exterior se ocuparn de formar ligaduras covalentes con los tomos de germanio vecinos, mientras que el quinto electrn, por decirlo as, queda libre. Este puede servir para conducir electricidad. En consecuencia, se puede mejorar la capacidad de conducir electricidad de un semiconductor introducindole impurezas o, como se dice en la jerga de los especialistas, "dopndolo" (del ingls dope).A un semiconductor as dopado se le llama N.

Figura 51. Una impureza de fsforo (P) permite que haya un electrn libre, que sirve para conducir la electricidad. Otra posibilidad sera reemplazar uno de los tomos del semiconductor por otro que tenga solamente tres electrones en su capa externa, como por ejemplo, el boro (Figura 52). En este caso, los tres electrones del boro sirven de ligaduras con tomos vecinos, quedando la cuarta de las ligaduras vaca. Ahora uno de los electrones de un tomo vecino forma la ligadura faltante, pero al hacerlo deja un hueco en el tomo que ocupaba originalmente. En seguida, un electrn de otro tomo pasa a ocupar el lugar faltante, dejando a su vez un hueco y as sucesivamente. Nos damos cuenta de que el hueco o agujero se ha ido propagando. Estos agujeros tienen la misma masa que el electrn, pero debido a que efectivamente es una ausencia de electrn, o sea de carga negativa, el agujero tiene carga efectiva positiva. Por tanto, este semiconductor con impurezas de boro da lugar a una corriente elctrica de agujeros positivos que tiene sentido opuesto a la de una corriente de electrones. Los agujeros se comportan como si fueran partculas. A este tipo de semiconductor se le llama P. Lo que ocurre es algo similar a cuando se tiene una hilera de monedas (Figura 53) con una faltante. Cuando cada moneda se mueve para ocupar el espacio vaco, el agujero se mueve a lo largo de la hilera en sentido opuesto a las monedas.

Figura 52. Una impureza de boro (B) da lugar a un dficit de un electrn, que equivale a un agujero positivo.

Figura 53. Al moverse las monedas hacia la izquierda, el agujero se mueve a la derecha. En cualquiera de los dos casos, la conductividad elctrica del semiconductor se aumenta sustancialmente si se le aaden impurezas de cualquiera de los dos tipos en partes por milln. Una consecuencia importante es que en semiconductores con impurezas el nmero de electrones que conducen electricidad puede ser controlado. Juntemos dos bloques, uno de semiconductor P y otro N. La magnitud de la corriente elctrica que fluya depende del sentido del voltaje aplicado. Si el bloque P se conecta a la terminal positiva de una batera (Figura 54) y el N a la terminal negativa, entonces ocurre lo siguiente: como en el bloque P hay agujeros positivos, stos son repelidos hacia el bloque N y atrados hacia la terminal negativa B; por tanto, hay una corriente de agujeros de A a B, es decir, a travs del dispositivo y llegan a la batera. Por otro lado, en el bloqueN hay electrones negativos que son repelidos por B y atrados por A; en consecuencia, los electrones fluyen de B a A cruzando el dispositivo y llegando a la batera. En resumen, hay una doble corriente elctrica: de electrones negativos de B a A y de agujeros positivos de A a B. Estas corrientes son, en general, apreciables.

Figura 54. Un bloque N y otro P unidos permiten el paso de corriente elctrica si estn conectados a la batera como se muestra. Veamos ahora qu ocurre si se conectan los bloques de manera opuesta. En este caso, los agujeros de P son atrados hacia A y repelidos por B, con el resultado de que no cruzan el dispositivo. Por otro lado, los electrones de N son atrados por B y repelidos porA, lo que ocasiona que tampoco crucen el dispositivo. En consecuencia, no hay corriente a travs del dispositivo y el circuito est, de hecho, abierto. En resumen, en el dispositivo mostrado en la figura 54 solamente circula electricidad cuando la polaridad de la batera es la que se muestra en la figura, mientras que si se invierte la polaridad, no hay corriente. Se puede tambin pensar que este fenmeno ocurre debido a que la resistencia del dispositivo no es la misma cuando la corriente circula en un sentido que cuando circula en el opuesto. En un sentido la resistencia es muy pequea y por tanto es fcil que circule electricidad, mientras que en el sentido opuesto la resistencia crece enormemente impidiendo la corriente elctrica. De esta forma se consigue un dispositivo que funciona de manera similar al diodo construido con un tubo al vaco (descrito en el captulo XX) y recibe el nombre de diodo semiconductor; debido a sus propiedades descritas se utiliza como rectificador de corriente (vase de nuevo el captulo XX). Supngase ahora que construimos otro dispositivo como el que aparece en la figura 55, que consiste en dos bloques semiconductores tipo N y uno extremadamente delgado de tipo P; el bloque P, llamado base (denotado por B), queda entre los dos N. Si ahora se conecta uno de los bloques N, llamado emisor (denotado por E), a la terminal negativa de una batera, y el otro bloque N, llamado colector (denotado por C), a la positiva, entonces los electrones del emisor son repelidos por A y atrados por D, por lo que cruzan la base y llegan al colector, dando lugar a que haya una corriente en el circuito a travs de la batera (y si hubiera una carga como una resistencia, la corriente la atravesara). La magnitud de la corriente que llegue a circular depende de varios factores. uno de ellos es el voltaje de la batera; mientras mayor sea ste, mayor ser la corriente. Otro de los factores es la polaridad de la base. Si la base es positiva, los electrones que vienen del emisor sern atrados por la base y se acelerarn, por lo cual habr mayor corriente a travs del dispositivo. Si por otro lado la base es negativa, entonces cierto nmero de electrones que vienen del emisor sern rechazados y se regresarn, disminuyendo la corriente neta; en el caso extremo en que la polaridad de la

base, siendo negativa, tenga una magnitud muy grande, rechaza todos los electrones y prcticamente no hay corriente. As, la polaridad de la base controla y modifica la corriente que circula a travs del dispositivo. Asimismo, la corriente puede intensificarse, dependiendo del voltaje de la batera. En consecuencia, este dispositivo amplifica la seal que muestre la base. Pero este comportamiento es precisamente el que tiene el triodo construido con un tubo al vaco, como se vio en el captulo XX. Si comparamos las figuras 37 (b) y 55 vemos que: ctodo equivale al emisor, el nodo equivale al colector, la rejilla equivale a la base.

El dispositivo descrito se llama triodo NPN.

Figura 55. Esquema de un triodo semiconductor NPN. Tambin se puede construir un dispositivo en que un bloque N muy delgado queda entre dos bloques P, llamado triodo NPN. Su funcionamiento es completamente similar al triodoNPN, solamente que las polaridades quedan invertidas. A los dispositivos que se construyen con combinaciones de bloques formados de semiconductores N y P se les llama genricamente transistores. Durante 1945 a 1949 el grupo de la compaa Bell desarroll la teora de los transistores, la verific experimentalmente y construy diodos y triodos. En el ao de 1956 Bardeen, Shockley y Brattain recibieron el Premio Nobel de Fsica por el brillante trabajo que

desemboc en la invencin del transistor. Hemos de mencionar que Bardeen recibi en 1972 nuevamente el Premio Nobel de Fsica, ahora en compaa de J. R. Schrieffer y L. N. Cooper, por haber desarrollado la teora de la superconductividad. Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vaco. Mencionaremos algunas de ellas. En primer lugar, para que funcione un tubo al vaco su ctodo debe calentarse, y esto se logra pasando una corriente cercana a l. El voltaje tpico que se requiere para lograr esto es de 250 V. Una vez conectado este voltaje se necesita esperar determinado tiempo hasta que se caliente el ctodo. Por tanto, cualquier aparato que use tubos al vaco no funciona inmediatamente despus de haberse conectado. El transistor no requiere este calentamiento, por lo que empieza a funcionar inmediatamente despus de su conexin. En consecuencia, el uso de un transistor en lugar de tubos al vaco ahorra mucha energa, y por tanto, resulta ms econmico. En segundo lugar, la respuesta del transistor a seales de frecuencias muy altas es muy efectiva, lo cual no ocurre con los tubos al vaco. Como el tamao de un transistor es mucho menor que el de los tubos al vaco, con l se inici la miniaturizacin de los aparatos electrnicos. El invento del transistor abri una nueva era en la civilizacin moderna, ya que se le pudo utilizar de manera muy general en una gran variedad de aparatos. En las dcadas de 1950 y 1960 se construyeron radios, computadoras electrnicas, aparatos de control industrial, etc., que gracias a los transistores fueron de tamaos relativamente pequeos, porttiles, con requerimientos de energa muy reducidos y de larga vida. En gran medida, en las dcadas mencionadas los transistores sustituyeron a los tubos al vaco. Sin embargo, para ciertas aplicaciones muy especficas los tubos han tenido ventajas sobre los transistores. As, se emplean para transmisores de radio de potencia alta y mediana, para amplificadores de microondas y osciladores, para tubos de rayos catdicos como los que se usan en las televisiones, monitores, pantallas de diversos aparatos, etctera.