DIODO TUNEL
Diodo tunel. Es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Descubrimiento Este diodo fue inventado en 1958 por el fsico japons Leo Esaki, por lo cual recibi un Premio Nobel en 1973. Descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez ms rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Efecto tunel Los diodos de efecto tunel son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado. Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente de alimentacin. El efecto tunel es un fenmeno nanoscpico por el que una partcula viola losprincipios de la mecnica clsica penetrando una barrera potencial o impedancia mayor que la energa cintica de la propia partcula. Una barrera, en trminos cunticos aplicados al efecto tunel, se trata de una cualidad del estado energtico de la materia anlogo a una "colina" o pendiente clsica, compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino ms corto de un mvil entre dos o ms flancos debe atravesar su
correspondiente cresta intermedia si dicho objeto no dispone de energa mecnica suficiente como para imponerse con la salvedad de atravesarlo. A escala cuntica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teora cuntica, un cuanto movindose en direccin a una "colina" potencialmente energtica puede ser descrito por su funcin de onda, que representa la amplitud probable que tiene la partcula de ser encontrada en la posicin allende la estructura de la curva. Si esta funcin describe la posicin de la partcula perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de partida, existe cierta probabilidadde que se haya desplazado "a travs" de la estructura, en vez de superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima energtica relativa. Descripcin del diodo tunel El Diodo tunel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tunel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. Los diodos Tunel son generalmente fabricados en Germanio, pero tambin en silicio y arseniuro de galio. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo(amplificador/oscilador). Una caracterstica importante del diodo tunel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tunel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin. Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado, se puede lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos construidos de esta manera, se conocen como diodos tunel. Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente de alimentacin. Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky. Curva caracterstica del diodo tunel
Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y despus volver a incrementarse. esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin. Los diodos tunel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky. Aplicaciones Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia Diodo T nel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiestorpidamente al observar su curva caracterstica , la cual se ve en el grfico. En lo querespecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente , pero enel sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad dela corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a lacresta (C) desdedonde , alrecibir mayor tensin , se produce una prdida de intensidad hastaD que vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin. Smbolo R epresentacin en circuito Grfica Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN , sensible a la incidencia dela luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polarizainversamente ,
con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando seaexcitado por la luz. Debido a suconstruccin , los fotodiodos se comportan comoclulas fotovoltaicas , es decir , en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con elpositivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luzrecibe el nombre de corriente de oscuridad.Lafuncinde los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar lainformacin grabada en el surco hipottico delCDtransformando laluzdel hazlser reflejada en el
