UNIVERSIDAD NACIONAL DE MAR DEL PLATA FACULTAD DE INGENIERIA DEPARTAMENTO INGENIERIA ELECTRNICA
ASIGNATURA CDIGO/PLAN OBJETIVOS
Dispositivos Electrnicos 444/ 96 Brindar al alumno conocimientos sobre dispositivos electrnicos bsicos.
CONTENIDOS MNIMOS
Diodos semiconductores, Shotky y rpidos. Transistor bipolar de juntura. Amplificacin lineal y conmutacin. Darlington. Amplificador operacional real. Transistor de efecto de campo. Mosfet. IGBT. Dispositivos de disparo. Tiristores y triacs. Optoelectrnica.
CARGA HORARIA
CREDITOS DE GRADO CARRERA/S DIAS Y HORA DE CLASE DIAS Y HORA DE CONSULTA DOCENTE RESPONSABLE
Terica Resolucin de problemas de ingeniera Trabajo en Laboratorio y/o campo Actividad de Proyecto y diseo Prctica supervisada Total Total Obligatoria Teora Teora CARCTER-CUATRIMESTRE Obligatoria/Optativa/Recursada par/impar Lunes 17-18:30 Prctica Jueves 17-18:30 4 horas por semana Prctica A confirmar Par Lunes 18:30-21 Jueves 18:30-21 6 horas por semana A confirmar
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Firma
Aclaracin
PROGRAMA ANALITICO Unidad Temtica I FSICA DEL SEMICONDUCTOR: Revisin de conceptos bsicos de la fsica del semiconductor: slidos cristalinos semiconductores; el proceso de conduccin en los semiconductores: conductividad, arrastre en un campo elctrico; bandas de energa; efecto Hall. Unidad Temtica II DIODOS SEMICONDUCTORES: II.1. Revisin de conceptos bsicos de la fsica de la juntura. II.2. Efecto tnel. Diodo semiconductor por efecto tnel. II.3. Diodo inverso. II.4. Diodo Zener. II.5. Diodo Schottky. II.8. Comportamiento elctrico de los diodos. Unidad Temtica III FSICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA Y DEL UNIPOLAR O DE EFECTO DE CAMPO: III.1. Fsica del transistor bipolar de juntura: modelo de Ebers-Moll; caractersticas elctricas; modos de funcionamiento; efecto Early. III.2. Control de la conductancia de un canal semiconductor por un campo elctrico transversal. III.3. Transistor de efecto de campo de juntura: principio de funcionamiento; caractersticas elctricas. III.4. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada: principio de funcionamiento; estructura MOS; canal inducido; canal preformado; caractersticas. Unidad Temtica IV POLARIZACIN DE TRANSISTORES BIPOLARES Y UNIPOLARES O DE EFECTO DE CAMPO: IV.1. Factores que intervienen en la seleccin de un punto de polarizacin. IV.2. Diseo de una red de polarizacin para un TBJ teniendo en cuenta las variaciones producidas por efecto de la temperatura y las tolerancias de fabricacin. IV.3. Polarizacin de transistores unipolares o de efecto de campo. Unidad Temtica V MODELOS DE SEAL DE TRANSISTORES: V.1. Modelo dinmico para transistores TBJ, MOS y JFET. V.2. Modelos incrementales para transistores TBJ, JFET y MOS. V.3. Modelos elctricos cuadripolares. V.4. Anlisis de circuitos amplificadores con transistores mediante los modelos elctricos descritos. Unidad Temtica VI RESPUESTA A LAS VARIACIONES DE FRECUENCIA DE LOS CIRCUITOS ELECTRNICOS CON TRANSISTORES: VI.1. Respuesta en baja frecuencia. VI.2. Respuesta en alta frecuencia. Unidad Temtica VII RESPUESTA DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRNICOS A LAS CONDICIONES EXTREMAS DE TRABAJO: VII.1. Condiciones elctricas extremas: fenmenos de ruptura por tensin en los transistores: primera, y segunda ruptura; condiciones lmites para la corriente; zona de operacin segura. VII.2. Condiciones trmicas extremas: mecnica de la evacuacin del calor: conduccin, conveccin, radiacin; anlisis trmico del comportamiento de un dispositivo; fuga trmica; mecanismos para prevenir la sobreelevacin de temperatura: disipadores de calor. Unidad Temtica VIII DISPOSITIVOS ELECTRNICOS PARA CONTROL DE POTENCIA: VIII.1. Diodo de cuatro capas o Schockley. VIII.2. Diodo de cuatro capas bilateral (DIAC). VIII.3. Rectificador controlado de silicio (SCR) o tiristor. VIII.4. Transistor tridico bidireccional (TRIAC). VIII.5. Transistor monojuntura (UJT) o diodo de doble base: programables, complementarios y equilibrados. VIII.6. IGBT. VIII.6. Otros dispositivos.
Ao 2003
Docente responsable Ing. Jorge Galatro
Validez Jefe de rea Ing. Carlos A. Gayoso
Departamento Ingeniera Electrnica
REGLAMENTO DE CURSADA El rgimen de aprobacin de la materia el siguiente: * Se tomarn 3 ( tres ) parciales terico-prcticos, siendo el puntaje acumulativo. Adems tambin se tomar un examen integrador al finalizar el cursado de la materia. * Promocionarn la materia aquellos alumnos que hayan sumado 21 ( veintin ) o ms puntos y que hayan obtenido 5 ( cinco ) o ms puntos en cada uno de los parciales. La nota final de los alumnos aprobados depender de la nota obtenida en los tres exmenes parciales y en el examen integrador. * Los alumnos que sumen entre 15 ( quince ) y 21 ( veintin ) puntos, y hayan aprobado el examen integrador con mas de 4 (cuatro) puntos sern alumnos habilitados. Tambin sern considerados habilitados los alumnos que hayan sumado 21 ( veintin ) o ms puntos, hayan aprobado el coloquio con mas de 4 (cuatro) puntos pero hayan obtenido menos de 5 ( cinco ) puntos en algn parcial. * Los alumnos que sumen menos de 15 (quince) puntos o sumen entre 15 ( quince ) y 21 ( veintin ) puntos y hayan sacado menos de 4 (cuatro) puntos en el examen integrador, desaprobarn la materia.
Ao 2003
Docente responsable Ing. Jorge Galatro
Validez Jefe de rea Ing. Carlos a. Gayoso
Departamento Ingeniera Electrnica
BIBLIOGRAFIA TITULO Dispositivos y circuitos electrnicos Principios de electrnica Integrated electronics Electrnica del estado slido Circuitos integrados y dispositivos semiconductores Circuitos electrnicos Microelectrnica. Circuitos Integrados CMOS Digitales, Teora y Prctica AUTOR J. Millman y C. Halkias Searle y Gray Millman & Halkias Angel D. Tremosa G. Deboo y C. Burrous AO BIBL.
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Docente responsable Ing. Jorge Galatro
Schilling, Belove Galatro, Jorge A.; Gayoso,Carlos A.; Gonzlez, Claudio M.; Arnone, Leonardo J. Validez Jefe de rea Departamento Ing. Carlos A. Gayoso Ingeniera Eectrnica
ASIGNACIN DE FUNCIONES DOCENTES DOCENTE SALAS, Eduardo G. GALATRO, Jorge ARNONE, Leonardo SOLAVAGGIONE, Rubn BARBARINO, Luciano CARGO Prof. Asociado Prof. Asociado Ayudante de Primera Ayudante de Primera Ayudante de Segunda DEDICACION Simple Parcial Exclusivo Simple Simple CUATRIMESTRE Segundo Segundo Segundo Segundo Segundo
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Docente responsable Ing. Jorge Galatro
Validez Jefe de rea Ing. Carlos A. Gayoso
Departamento Ingeniera Electrnica
CRONOGRAMA Sem N 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Fecha 18/8 21/8 25/8 28/8 1/9 4/9 8/9 11/9 15/9 18/9 22/9 25/9 29/9 2/10 6/10 9/10 13/10 16/10 20/10 23/10 27/10 30/10 3/11 6/11 10/11 13/11 17/11 20/11 24/11 27/11 1/12 16 Ao 2003 Docente responsable Ing. Jorge Galatro Validez Jefe de rea Ing. Carlos A. Gayoso Departamento Ingeniera Electrnica Tema Terico Diodos de Juntura Diodos de Juntura Diodos de Juntura Transistor bipolar de juntura Transistor bipolar de juntura Transistor bipolar de juntura Transistor bipolar de juntura Transistores unipolares Transistores unipolares Transistores unipolares-Clase repaso Primer parcial Modelos de pequea seal Modelos de pequea seal Modelos de pequea seal Modelos de pequea seal Respuesta en frecuencia Respuesta en frecuencia Respuesta en frecuencia Clase de repaso Segundo parcial Circuitos especiales Circuitos especiales Circuitos especiales Dispositivos Electrnicos de disparo Dispositivos Electrnicos de disparo Dispositivos Electrnicos de disparo Dispositivos Electrnicos de disparo Dispositivos Optoelectrnicos Dispositivos OptoelectrnicosClase de repaso Tercer parcial Examen integrador Fecha 18/8 21/8 25/8 28/8 1/9 4/9 8/9 11/9 15/9 18/9 22/9 25/9 29/9 2/10 6/10 9/10 13/10 16/10 20/10 23/10 27/10 30/10 3/11 6/11 10/11 13/11 17/11 20/11 24/11 27/11 1/12 Tema de Prctica Diodos de Juntura Diodos de Juntura Diodos de Juntura Transistor bipolar de juntura Transistor bipolar de juntura Transistor bipolar de juntura Transistor bipolar de juntura Transistores unipolares Transistor bipolar de juntura Transistores unipolares-Clase repaso Primer parcial Modelos de pequea seal Modelos de pequea seal Modelos de pequea seal Modelos de pequea seal Respuesta en frecuencia Respuesta en frecuencia Respuesta en frecuencia Clase de repaso Segundo parcial Circuitos especiales Circuitos especiales Circuitos especiales Dispositivos Electrnicos de disparo Dispositivos Electrnicos de disparo Dispositivos Electrnicos de disparo Dispositivos Electrnicos de disparo Dispositivos Optoelectrnicos Dispositivos Optoelectrnicos- Clase de repaso Tercer parcial Examen integrador
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ACTIVIDADES DE TRABAJO EXPERIMENTAL
Ensayo y medicin de diferentes circuitos rectificadores Ensayo y medicin de diferentes polarizaciones de transistores bipolares de juntura Ensayo y medicin de un control de potencia usando TRIAC
PROCEDIMIENTOS DE SEGURIDAD
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Validez Jefe de rea Ing. Carlos A. Gayoso
Departamento Ingeniera Electrnica
