Captulo 3

Diseo de amplificadores

Captulo 3: Diseo de amplificadores

3.1. Introduccin
En este captulo, haremos un breve repaso sobre la teora existente en el diseo de amplificadores de microondas. De esta forma, el captulo consta de dos secciones principales. La primera de estas secciones se centrar en los principios del diseo de amplificadores de microondas en pequea seal, haciendo especial nfasis en las consideraciones de estabilidad y ganancia, que son las que nos ocuparn en un captulo posterior. Y en la segunda de estas secciones nos embarcaremos en el diseo de los amplificadores de potencia de microondas, enfocndonos en dos casos concretos, el de un amplificador Clase A y el de un amplificador Clase B. Una vez presentado el captulo, comenzamos con la primera de las secciones mencionadas, el diseo terico de amplificadores de microondas en pequea seal, o en sentido clsico. Pgina 61

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3.2. Diseo terico de amplificadores en pequea seal

En esta seccin se desarrollan varios principios bsicos usados en el anlisis y diseo de amplificadores clsicos de microondas. Basndonos en los parmetros S del transistor (esto es, amplificacin de pequea seal) y en ciertos requisitos de rendimiento, se desarrolla un procedimiento sistemtico para el diseo de un amplificador clsico. El diseo de amplificadores en pequea seal est ampliamente tratado en mltiples referencias, en esta seccin nos apoyaremos fundamentalmente en [3.1]. Las consideraciones de diseo ms importantes en un amplificador en pequea seal son la estabilidad, la ganancia en potencia, el ancho de banda, el ruido, y los requisitos de DC. En esta seccin se tratan principalmente los problemas de estabilidad y ganancia en potencia en amplificadores de banda estrecha. Un diseo comienza con un conjunto de especificaciones y la eleccin de un amplificador apropiado. Despus, una solucin matemtica sistemtica, ayudada de mtodos grficos, se desarrolla para determinar el acompaamiento del transistor (por ejemplo, los coeficientes de reflexin de la fuente y de la carga) para unos criterios particulares de estabilidad y ganancia. Un transistor incondicionalmente estable no oscilar con ninguna terminacin pasiva. En cambio, un diseo que utiliza un transistor condicionalmente inestable requiere de ms anlisis y consideraciones prudentes para que las terminaciones pasivas produzcan un amplificador estable. Se discutirn procedimientos de diseo para el caso de transistores unilaterales y bilaterales, basados en requisitos de estabilidad y ganancia. Se har un pequeo anlisis para el diseo de redes de polarizacin de un FET de GaAs, como caso cercano al HEMT de GaN. Es importante seleccionar el punto correcto de trabajo DC y la topologa de red apropiada con el fin de obtener el funcionamiento AC deseado.

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3.2.1. Ecuaciones de ganancia de potencia Varias ecuaciones de ganancia de potencia aparecen en la literatura y se utilizan en el diseo de amplificadores clsicos. En la figura 3.1 se ilustra un diagrama de flujos de seal de un amplificador en pequea seal con sus distintas potencias.

Fig. 3.1. Diferentes definiciones de potencia [3.1].

Con esto, podemos definir la ganancia de transduccin GT, la ganancia de potencia Gp (tambin llamada ganancia de potencia operativa), y la ganancia de potencia disponible GA, como:
GT = P PL P , GP = L , GA = AVN PAVS PIN PAVS (3.1)

donde PIN es la potencia de entrada a la red, PL la potencia entregada a la carga, PAVS la potencia disponible en la fuente, y PAVN la potencia disponible de la red. Podemos definir tambin estas ganancias en funcin de los parmetros S ( Sii), y de los coeficientes de reflexin (i) como sigue:
GT = Gp = GA = 1 s 1 1 IN 1 s
2 2 2 2 2 2 L 2 2 2 2 2 L

1 IN s

S 21
2

1
2

1 S 22 L 1 L
2 L

1 s

1 S11 s

S 21

1 L

1 OUT

(3.2) (3.3) (3.4)

S 21

1 S 22
2

1 S11 s

S 21

1 1 OUT
2

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donde los coeficientes de reflexin de entrada y de salida se definen a su vez como:

IN = S11 + S12 S 21 L 1 S22 L S12 S21 s 1 S11 s (3.5) (3.6)

OUT = S22 +

donde podemos apreciar, GT es una funcin de s, L, y los parmetros S del transistor. En trminos del amplificador mostrado en la figura 3.2, la red de adaptacin de entrada transforma la impedancia del generador Z1 (normalmente 50 ) en la impedancia Zs, o en otras palabras, en el coeficiente de reflexin de la fuente s. La red de adaptacin de salida transforma la impedancia Z2 (usualmente 50 ) en la impedancia de carga ZL o en el coeficiente de reflexin L.

Fig. 3.2. Diagrama de un amplificador en pequea seal [3.1].

Las redes de adaptacin pasivas producen valores de s y L tales que |s| < 1 y |L| < 1. Es decir, que las partes resistivas asociadas a Zs y ZL son positivas. Sin embargo, de (3.5) y (3.6) tenemos que es posible que para ciertos valores de los parmetros S (donde |s| < 1 y |L| < 1), se cumpla |IN| > 1 o |OUT| > 1. Cuando esto

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se produce, los puertos de entrada o de salida del transistor presentan una resistencia negativa y pueden ocurrir oscilaciones. Obviamente, sta es una situacin que debemos evitar en el diseo de un amplificador. A partir de aqu analizaremos ciertas consideraciones de diseo, en las que en principio supondremos el caso de un transistor unilateral, esto es, que | S12| = 0, o que es despreciable en cualquier caso. En caso de no suponer un transistor unilateral, se citar expresamente. 3.2.2. Consideraciones de estabilidad La estabilidad de un amplificador (su oposicin a oscilar) es una consideracin muy importante a la hora del diseo, y puede estar determinada por los parmetros S, las redes de adaptacin, y las terminaciones. Dicho sea esto, es importante mencionar que la estabilidad depende de la frecuencia, as que un amplificador puede ser estable a ciertas frecuencias y hacerse inestable a otras frecuencias, manteniendo las mismas impedancias de generador y carga. En una red de dos puertos, las oscilaciones son posibles cuando cualquiera de los dos puertos, el de entrada o el de salida, presenta una resistencia negativa. Esto ocurre cuando |IN| > 1 o |OUT| > 1, lo que en el caso de un transistor unilateral ocurre cuando |S11| > 1 o |S22| > 1. En el primer caso el transistor presentara una resistencia negativa a la entrada, y en el segundo caso el transistor presentara una resistencia negativa a la salida. De una red de dos puertos, como la de la figura 3.3, se puede decir que es incondicionalmente estable a una frecuencia dada si las partes reales de ZIN y ZOUT son positivas para todas las impedancias de fuente y de carga. En caso contrario, se dice que la red de dos puertos es condicionalmente inestable, es decir, que algunas

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impedancias de fuente y de carga pueden producir impedancias de entrada y de salida con parte real negativa.

Fig. 3.3. Estabilidad en una red de dos puertos [3.1].

En trminos de los coeficientes de reflexin, las condiciones para que una red sea incondicionalmente estable a una frecuencia dada, son las siguientes:
s <1 L <1 IN = S11 + S12 S 21 L <1 1 S22 L S12 S 21 s <1 1 S11 s (3.7) (3.8) (3.9) (3.10)

OUT = S22 +

donde se ha supuesto que todos los coeficientes estn normalizados a la misma impedancia caracterstica Z0. Las ecuaciones (3.7) y (3.8) establecen que la fuente y la carga son pasivas, mientras que (3.9) y (3.10) establecen que las impedancias de entrada y de salida tambin deben ser pasivas.

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Estas ecuaciones definen las condiciones requeridas para satisfacer la estabilidad incondicional. Sin embargo, antes de discutir los pormenores de las condiciones necesarias y suficientes de la estabilidad incondicional, presentamos un anlisis grfico con la casta de Smith, que es especialmente til en el anlisis de transistores condicionalmente inestables. Para transistores condicionalmente inestables, existen valores de Zs, ZL (s, L) menores a la unidad, que pueden hacer ZIN, ZOUT (s, L). Se puede demostrar que el caso lmite, |IN| = 1 o |OUT| = 1, forman unas circunferencias que limitan los llamados crculos de estabilidad, en los planos L y s respectivamente. As tenemos que el crculo de estabilidad a la salida (que son los valores de L para |IN|=1) viene dado por un radio y un centro de:
rL = CL = S12 S 21 S22
2 2 2 ( S22 S11 )

(3.11) (3.12)

S22

mientras que el crculo de estabilidad a la entrada (que son en este caso los valores de s para |OUT|=1) viene dado por un radio y un centro de:
rs = Cs = S12 S 21 S11
2 2 2 ( S11 S 22 )

(3.13) (3.14)

S11

donde = S11S22 S12S21. Por tanto, dados los parmetros S del transistor, se pueden dibujar los crculos que definen dnde se encuentran |IN| = 1 o |OUT| = 1. A un lado de la circunferencia de estos crculos se tendr que verificar |IN| < 1 o |OUT| < 1, mientras que al otro lado Pgina 67

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ocurre |IN| > 1 o |OUT| > 1. Por este motivo es por el que se denominan crculos de estabilidad. Lo siguiente que tenemos que hacer es determinar cul es la regin estable, la que est dentro o la que est fuera del crculo de estabilidad. Para ello es preciso hacer las siguientes consideraciones: Suponiendo que slo se estudia la entrada, si se toma ZL = Z0, entonces estamos en el punto L = 0, y con (3.5) tenemos que |IN| = |S11|. Esto supone que si tenemos |IN| < 1, entonces |S11| < 1, en el punto L = 0 (centro de la carta de Smith). Por tanto, hemos demostrado que el centro de la carta de Smith sera un punto estable (Figura 3.4(a)). En cambio, si tenemos |IN| > 1, entonces |S11| > 1, en el punto L = 0 (centro de la carta de Smith). Por tanto, el centro de la carta de Smith sera un punto estable (Figura 3.4(b)).

Fig. 3.4. Carta de Smith ilustrando el plano L con las regiones estables como zonas rayadas [3.1]. a) Centro de la carta de Smith estable. b) Centro de la carta de Smith inestable.

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Suponiendo ahora que slo se estudia la salida, si se toma Zs = Z0, entonces estamos en el punto s = 0, y con (3.6) tenemos que |OUT| = |S22|. Esto supone que si tenemos |OUT| < 1, entonces |S22| < 1, en el punto s = 0 (centro de la carta de Smith). Por tanto, hemos demostrado que el centro de la carta de Smith sera un punto estable (Figura 3.5(a)). En cambio, si tenemos |OUT| > 1, entonces |S22| > 1, en el punto s = 0 (centro de la carta de Smith). Por tanto, el centro de la carta de Smith sera un punto estable (Figura 3.5(b)).

Fig. 3.4. Carta de Smith ilustrando el plano s con las regiones estables como zonas rayadas [3.1]. a) Centro de la carta de Smith estable. b) Centro de la carta de Smith inestable.

Alternativamente, tambin se puede demostrar que el amplificador es incondicionalmente estable si se satisfacen las siguientes condiciones necesarias y suficientes:
K= 1 S11 S22 + 2 S12 S 21
2 2 2

>1

(3.15a) (3.15b)

<1

donde K es el llamado factor de estabilidad.

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3.2.3. Crculos de ganancia constante: Caso unilateral Dijimos que una red de dos puertos era unilateral cuando S12 = 0. Por ello, en un transistor unilateral tenamos que IN = S11, OUT = S22, y la ganancia de potencia de transduccin (3.2), para el caso unilateral queda:
GTU = S 21 2 2 1 S11 s { 1 S22 L G 1 4 24 3 o 14 24 3
Gs GL
2 2 2

1 s

1 L

(3.16)

Vemos que el primer factor depende del parmetro S11 del transistor y del coeficiente de reflexin de la fuente. Como stos dependen de la red de adaptacin de la entrada, el primer factor Gs representa la ganancia/prdida de potencia por desajuste de impedancias a la entrada. El segundo factor depende del parmetro S12 del transistor. Por tanto, el segundo factor Go representa la ganancia en potencia del transistor. Por ltimo, el tercer factor depende del parmetro S22 del transistor y del coeficiente de reflexin de la carga. Como estos dependen de la red de adaptacin de la salida, el tercer factor GL representa la ganancia/prdida de potencia por desajuste de impedancias a la salida. De esta manera, podemos representar el amplificador como un sistema formado por tres bloques de ganancia distintos, como mostramos en la figura 3.5.

Fig. 3.5. Diagrama de bloques de ganancia de la potencia de transduccin unilateral [3.1].

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Si optimizamos s y L para conseguir ganancias mximas en Gs y GL, nos referimos a la ganancia como la ganancia de potencia de transduccin unilateral mxima, GTU,max. Para el caso de un transistor unilateral incondicionalmente estable, los valores mximos de Gs y GL se obtienen para s = S11* y L = S22*, resultando:
GTU ,max = 1 2 S 21 2 1 S11 { 1 S22 G 1 4 24 3 o 1 4 24 3
2

(3.17)

Gs ,max

GL ,max

Observando que en el caso unilateral IN = S11 y OUT = S22, de (3.3) y (3.4) se desprende que el valor de GTU,max que ocurre en s = S11* = IN y L = S22* = OUT, es igual al mximo valor de Gp y GA. Esto es GTU,max = Gp,max = GA,max. Las expresiones de Gs y GL podemos escribirlas de manera genrica para un bloque de ganancia Gi como:
Gi = 1 i
2 2

1 Sii i

(3.18)

estando basado el diseo para una ganancia especfica en (3.18). Dos casos han de ser considerados en el anlisis de (3.18), el caso de incondicionalmente estable, donde se tiene que |Sii| < 1, y el segundo caso, el condicionalmente inestable, donde |Sii| > 1. Caso incondicionalmente estable, |Sii| < 1 El mximo valor de (3.18) es obtenido cuando i = Sii*, que se da para unas denominadas terminaciones ptimas, y resulta en:
Gi ,max = 1 1 Sii
2

(3.19)

de modo que Gi est comprendida entre un valor mnimo de cero cuando |i| = 1, y un valor mximo de Gi,max cuando i = Sii*.

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Los valores de i que producen un valor constante de Gi mostrarn una forma de circunferencia en la Carta de Smith. Para verlo, definimos el factor normalizado de ganancia gi como:
1 i Gi 2 2 gi = = Gi (1 Sii ) = (1 Sii ) 2 Gi ,max 1 Sii i
2

(3.20)

de modo que 0 gi 1. Con esto, los valores de i que producen un valor constante de g i se puede demostrar que forman circunferencias, con centro y radio:
Cgi = rgi =
gi Sii

1 Sii (1 gi ) 1 gi 1 Sii 1 Sii

2

(3.21)

(1

gi )

(3.22)

donde cada valor de gi genera una nueva circunferencia de Gi constante, es por lo que se llaman crculos de ganancia constante. La distancia desde el origen al centro de estos crculos est dada por |Cgi|, y el ngulo de inclinacin i, que est dado por la fase Cgi = Sii*, tal como se ilustra en la figura 3.6.

Fig. 3.6. Crculo de Gi constante en la carta de Smith [3.1].

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Se observa que cuando gi = 1 (Gi = Gi,max), obtenemos un crculo que degenera en un punto situado en Sii*. Adems, el crculo de ganancia constante de 0dB (Gi = 1), es un crculo que pasa siempre por el origen de la carta de Smith. Caso condicionalmente inestable, |Sii| > 1 En este caso tenemos |Sii| > 1, y por tanto es posible para una terminacin pasiva producir un valor infinito de Gi. El valor infinito de Gi en (3.18) es consecuencia de un valor crtico de i dado por:
i ,c = 1 Sii (3.23)

La ecuacin (3.23) establece bsicamente que la parte real de la impedancia asociada con i,c es igual a la magnitud de la resistencia negativa asociada con S ii. Por tanto, la resistencia total del bucle de entrada o de salida es cero, lo que dar lugar a oscilaciones. Adems de todo esto, tambin puede ocurrir que gi resulte negativo. Estas condiciones supondran inestabilidad y deben descartarse. Teniendo en cuenta que se cumple la identidad Cgi = Sii* = 1/Sii, los centros de los crculos de ganancia constante yacen sobre la recta que conecta el origen con el punto i,c = 1/Sii que definimos antes. Adems, se puede obtener la resistencia negativa asociada con Sii, siendo |Sii| > 1, a partir de la Carta de Smith localizando el punto 1/Sii*, interpretando los crculos de resistencia constante como de resistencia negativa y los de reactancia constante como aparecen. Para evitar que aparezcan oscilaciones en el puerto de entrada o de salida i debe escogerse de tal manera que la parte real de la impedancia de terminacin sea mayor que la magnitud de la resistencia negativa asociada con el punto 1/Sii. Cuando

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aparece resistencia negativa a la entrada, la regin estable es el lugar de los valores de s que producen una resistencia de fuente tal que se cumple:
e { Z s } = e { Z IN } (3.24)

De forma anloga, cuando aparece resistencia negativa a la salida, el valor de L debe escogerse de manera que se cumpla:
e { Z L } = e { Z OUT } (3.25)

Toda esta discusin sobre los crculos de ganancia constante la hemos hecho suponiendo un transistor unilateral. En caso de que el transistor no fuera unilateral, esto es S12 0, puede demostrarse que el error que se comete al aproximar los crculos de ganancia constante por las expresiones anteriores est acotado por:
1 GT 1 < GTU ( 1 X

( 1+
donde:
X=

<

(3.26)

S12 S21 s L (1 S11 s )(1 S 22 L )

(3.27)

Cuando s = S11* y L = S22*, la ganancia de transduccin unilateral GTU toma un valor mximo. En este caso, el mximo error que se introduce al aproximar la ganancia de transduccin por GTU est acotado por la expresin:
1 GT 1 < GTU ( 1 U ) 2

(1+ U )
donde:
U=

<

(3.28)

S12 S21 S11 S22 1 S11

2

)(

1 S22

(3.29)

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En algunos diseos este error es lo suficientemente pequeo como para justificar la suposicin unilateral, y por tanto, pueden aplicarse los mtodos de diseo que hemos visto para bajo esta suposicin. 3.2.4. Adaptacin conjugada simultnea: Caso bilateral De nuevo, cuando S12 0, no se puede hacer la suposicin del caso unilateral, y los coeficientes de reflexin de entrada y de salida estarn dados por (3.5) y (3.6) respectivamente, con lo que el desarrollo se complica [3.2]. Las condiciones requeridas para obtener la ganancia de transduccin mxima son:
s = IN L=
OUT

(3.30) (3.31)

condiciones referidas como condiciones de adaptacin simultnea conjugada. Cuando entrada y salida estn adaptadas, se sigue que (VSWR)in = (VSWR)out = 1. De (3.5), (3.6), (3.30) y (3.31), podemos deducir que:
s = S11 + L = S22 + S12 S21 L 1 S22 L S12 S21 s 1 S11 s (3.32) (3.33)

Resolviendo (3.32) y (3.33) simultneamente obtenemos los valores de s y L requeridos para una adaptacin conjugada simultnea. Llamando a estos valores como Ms y ML, obtenemos:
Ms = ML = B1 B2 B12 4 C1 2C1 B2 2 4 C2 2C2
2 2

(3.34) (3.35)

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donde los valores de B1, C1, B2, y C2 vienen dados por:

B1 = 1 + S11 S22 B2 = 1 + S 22 S11
2 2 2 2 2 2 , C1 = S11 S22 , C2 = S 22 S11

(3.36) (3.37)

En lo que sigue en el desarrollo, mostraremos que para una red de dos puertos incondicionalmente estable, las soluciones de (3.34) y (3.35) con el signo menos son las tiles [3.3], [3.4]. Asociadas con Ms y ML estn unas impedancias de fuente y de carga. Las partes reales de estas impedancias son positivas si |Ms| < 1 y |ML| < 1. En trminos del factor de estabilidad K, la condicin para que una red de dos puertos est adaptada a la entrada y a la salida con |Ms| < 1 y |ML| < 1, es que K > 1. La condicin K > 1 es slo una condicin necesaria para el caso de una red incondicionalmente estable. Por tanto, una adaptacin conjugada simultnea con estabilidad incondicional es posible si K > 1 y || < 1. Como || < 1 implica que B1 > 0 y B2 > 0, los signos menos deben ser utilizados en (3.34) y (3.35) cuando se calcula la adaptacin conjugada simultnea para una red de dos puertos incondicionalmente estable. Hemos visto que el diseo por adaptacin conjugada simultnea consigue el mximo valor de ganancia de transduccin. Pero si el diseo persigue una ganancia de transduccin distinta de la mxima, se puede recurrir a un procedimiento de crculo de ganancia constante basado en (3.2). Pero este procedimiento no es recomendable para un diseo prctico por ciertas razones. Primeramente las funciones de ganancia se hacen dependientes entre ellas, originando que los crculos de ganancia constante no estn centrados en el valor mximo de la ganancia de

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transduccin. De hecho, el enfoque grfico se vuelve muy tedioso porque el proceso es sumamente iterativo. Toda la discusin que hemos hecho de la adaptacin conjugada simultnea ha sido bajo el supuesto del caso incondicionalmente estable. Para una situacin condicionalmente inestable, el diseo resulta mejor hacerlo en trminos de Gp y GA, como veremos en la siguiente subseccin. 3.2.5. Crculos de ganancia de potencia operativa y disponible Cuando S12 no puede ser despreciada, tambin se puede recurrir a un diseo basado en la ganancia de potencia operativa Gp. Esta ganancia es independiente de la impedancia de fuente, y por tanto, un procedimiento con crculos de ganancia de potencia operativa tanto para transistores incondicionalmente estables como para condicionalmente inestables es simple y recomendable para diseos prcticos. Por tanto, tenemos que la ganancia de potencia operativa es, como hemos comentado, independiente de la impedancia de fuente:
Gp = S21
2

(1 )
2 L 2

S L 1 11 1 S22 L

1 S22

= S 21 g p
2 L

(3.38)

donde se define el valor normalizado gp como:

gp = Gp S 21
2

1 1 S 22
2 L

2 L 2 L

S11

1 S11 +

2 L

(S

1 L
2 22

2 2

) 2 e {

L C2 }

(3.39)

y donde el valor de C2 viene dado por:

C2 = S22 S11

(3.40)

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Se puede demostrar que el lugar geomtrico de los puntos de L que dan lugar a una misma ganancia gp es una circunferencia cuyo centro y radio son, respectivamente:
Cp = 1 + g p S 22
g p C2 2 2

)
2 2

(3.41)

rp =

1 2 K S12 S 21 g p + S12 S21 g 2 p 1 + g p S 22

(3.42)

Ntese que de acuerdo con (3.41), todos los crculos de ganancia de potencia se apoyan en la recta de inclinacin C2* . Adems, la mxima ganancia de potencia ocurre cuando rp = 0 , condicin que sucede cuando el crculo degenera en un punto:
S12 S 21 g 2 p ,max 2 K S12 S 21 g p ,max + 1 = 0
2

(3.43)

cuya solucin, para estabilidad incondicional, y tras desnormalizar, es:

G p ,max = S 21 K S12

K2 1

(3.44)

As mismo, el menor valor de la ganancia de potencia se corresponde con el de Gp = 0, que ocurre cuando L = 1 . En ocasiones puede resultar ms interesante trabajar con crculos de ganancia de potencia disponible (sobre la Carta de Smith de s). La derivacin de este proceso es totalmente anloga pero acudiendo al concepto de ganancia de potencia disponible:
GA = S21
2

( 1 )
2 s 2

S s 1 22 1 S11 s

1 S11 s

= S 21 g a
2

(3.45)

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donde se define el valor normalizado ga como:

ga = GA S21
2

1 s
2

2 2

1 S11 s S 22 s

1 S 22 + s

1 s
2

2 2

S11

2 e { s C1}

(3.46)

y donde el valor de C1 viene dado por:

C1 = S11 S 22

(3.47)

Se puede demostrar que el lugar geomtrico de los puntos de s que dan lugar a una misma ganancia ga es una circunferencia cuyo centro y radio son, respectivamente:
Ca = 1 + g a S11 g a C1
2 2

)
2 2

(3.48)

ra =

2 1 2 K S12 S 21 g a + S12 S 21 g a

1 + g a S11

(3.49)

Ntese que de acuerdo con (4.24) todos los crculos de ganancia de potencia disponible se apoyan en la recta de inclinacin C1*. 3.2.6. Redes de polarizacin DC Se suele decir que el factor menos considerado en el diseo de amplificadores de en pequea seal es la red de polarizacin [3.5]. Aunque se dedica un considerable esfuerzo en disear amplificadores para una determinada ganancia, figura de ruido o ancho de banda, se dedica menos esfuerzo en disear redes de polarizacin DC. El coste por decibelio de la ganancia de potencia en microondas es alto, y no se puede sacrificar el rendimiento del amplificador por haber realizado un diseo pobre de polarizacin DC.

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El propsito de un buen diseo de polarizacin DC es elegir un punto de trabajo apropiado, y mantener este punto de trabajo constante frente a variaciones en los parmetros del transistor y la temperatura. Una red de polarizacin resistiva se puede utilizar con buenos resultados frente a variaciones moderadas de temperatura. Sin embargo, una red de polarizacin activa suele ser preferible para grandes variaciones de temperatura. En la discusin que sigue, consideraremos el diseo de polarizacin DC para FETs de GaAs, ya que resulta muy similar al transistor centro de nuestro proyecto, un HEMT de GaN. Los FETS de GaAs se pueden polarizar de numerosas y variadas maneras. Cinco configuraciones bsicas de redes DC para FETs de GaAs se muestran en la figura 3.7 [3.6]. La red de polarizacin DC de la figura 3.7(a) requiere una fuente de potencia bipolar, mientras que las redes de las figuras 3.7(b) a 3.7(e) requieren de una fuente unipolar. La columna How indica la polaridad de las fuentes, as como la secuencia en la que los voltajes deben ser aplicados para prevenir quemaduras transitorias del FET de GaAs durante el encendido. Por ejemplo, en la red de polarizacin DC en la figura 3.7(a), si el drenador se polariza positivamente antes que la puerta, el transistor operar momentneamente ms all de su regin de operacin segura. Es por esto que la secuencia de encendido adecuada es: aplicar primero una polarizacin negativa a la puerta (VG < 0) para despus poder aplicar la tensin de drenador (VD > 0). Un mtodo para conseguir el procedimiento de encendido previo es encender ambas fuentes al mismo tiempo, e incluir una red de larga constante de tiempo RC para el suministro de VD y una red de corta constante de tiempo RC para el suministro negativo de VG.

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Fig. 3.7. Cinco redes bsicas de polarizacin DC [3.6].

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Las redes de polarizacin en las figuras 3.7(d) y 3.7(e) usan una resistencia de fuente. La resistencia de fuente proporciona una proteccin del transistorio automtica. Sin embargo, la resistencia de fuente degradar la figura de ruido, y el condensador de desvo de la fuente puede provocar oscilaciones de baja frecuencia. Los condensadores de desacoplamiento en la figura 3.7 se acompaan a veces por diodos zener en paralelo, que proporcionan una proteccin adicional contra los transitorios, las polarizaciones inversas y las sobrecargas de tensin. La red de polarizacin DC de un FET de GaAs debe proporcionar un punto estable de trabajo. No es difcil de comprobar que la resistencia de realimentacin negativa Rs disminuye el efecto de las variaciones de la corriente ID con respecto a la temperatura y con IDSS. La seleccin del punto de trabajo DC en un FET de GaAs depende de la aplicacin particular [3.7]. La figura 3.8 muestra las curvas caractersticas de un FET de GaAs con cuatro puntos de trabajo situado en A, B, C y D.

Fig. 3.8. Curvas caractersticas de un FET de GaAs y puntos de trabajo recomendados [3.1].

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Para aplicaciones de bajo ruido y baja potencia, se recomienda el punto de trabajo A. Aqu el FET opera en un valor bajo bajo de corriente (IDS 0.15IDSS). Para aplicaciones de bajo ruido y mayores ganancias de potencia, el punto recomendado de trabajo es el B. Se mantiene la misma tensin de polarizacin que para el punto A, pero la corriente se incrementa a IDS 0.90IDSS. El nivel de potencia de salida del FET de GaAs se puede incrementar eligiendo el punto de trabajo en C, donde IDS 0.50IDSS. Este punto de trabajo es idneo para para un funcionamiento en Clase A (muy lineal). Por ltimo, si se buscan mayores eficiencias, o que el FET de GaAs opere en Clase AB o B, la corriente de drenador a fuente se debe disminuir, por lo que el punto de trabajo D es el recomendable.

3.3. Diseo terico de amplificadores de potencia

En esta seccin se presentan varios conceptos bsicos relacionados con los amplificadores de potencia, y se expondrn dos ejemplos de diseo de amplificadores de potencia, uno en Clase A, y otro en Clase B. Todo este material se puede encontrar en numerosas fuentes, pero esta seccin se apoyar fundamentalmente en [3.8]. Un comienzo lgico para esta seccin sera definir qu es realmente un amplificador de potencia (PA, Power Amplifier). Una definicin tcnica sera la de un amplificador diseado para proporcionar la mxima potencia de salida para una seleccin dada de dispositivo activo. Pero realmente de lo que estamos hablando es

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de transistores con salidas RF de ms de 1W, niveles de seal capaces de hacer resentirse el instrumental de laboratorio, y por tanto, un tipo de dispositivo que se debe tratar con sumo cuidado. Una de las mayores diferencias entre el diseo de un amplificador de potencia y el diseo de un amplificador en pequea seal (que analizamos en la seccin anterior) es que para una potencia ptima, la salida del dispositivo no se realiza con una impedancia calculada por adaptacin conjugada. Esta diferencia es lo suficientemente importante como para discutirla antes de entrar en las discusiones y los anlisis centrales de esta seccin. La restriccin que aade el diseo de un PA es que la fuente tendr lmites fsicos, tanto en trminos de corriente que puede proporcionar, como especialmente en la tensin que puede mantener entre ambos terminales. Si esta fuente de corriente fuera la salida de un transistor, es muy probable que si ajustsemos la resistencia de carga por adaptacin conjugada, la tensin que aparece entre ambos terminales exceda el lmite del dispositivo. Para un observador exterior, slo capaz de observar la potencia en la resistencia de carga (pero no las formas de las ondas de corriente y de tensin), el dispositivo le mostrara un rendimiento limitado a una corriente considerablemente menor de la mxima, Imax, como se puede ver en la figura 3.9.

Fig. 3.9. Ajuste por adaptacin conjugada de impedancias y por potencia [3.8].

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Esto es claramente una situacin indeseable, ya que el transistor no estara utilizndose a su completo rendimiento. Con el fin de utilizar los mximos rangos de corriente y tensin del transistor, se necesitara escoger un menor valor de resistencia de carga. Valor conocido comnmente como ajuste de la lnea de carga (loadline) Ropt, y su forma ms simple de calcular es:
Ropt = Vmax I max (3.50)

donde hemos supuesto que Rgen >> Ropt, en caso de contrario, tendramos que tener en cuenta el paralelo, y resolver la ecuacin:
Rgen Ropt Rgen + Ropt = Vmax I max (3.51)

Este resultado, el ajuste por potencia, resulta importante antes de comenzar con la teora del diseo de amplificadores de potencia. 3.3.1. Amplificadores de potencia lineales En esta subseccin empezaremos viendo algunos conceptos bsicos sobre amplificadores lineales, para poder as abordar despus un ejemplo de diseo de un amplificador Clase A. Est muy extendido el uso indistinto de los trminos Clase A y lineal para los transistores, sobre todo en PAs en RF, cuando ambos trminos no son totalmente sinnimos. Una explicacin clara del concepto de Clase A se obtiene recurriendo a su definicin clsica, como se muestra en la figura 3.10. Si un amplificador se disea con un punto de polarizacin situado en el centro exacto del rango lineal (limitado a ambos lados por las zonas de corte y saturacin), y con una componente RF cuya amplitud no supere los lmites de este rango lineal, tendramos un amplificador cuya Pgina 85

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corriente de salida a una entrada sinusoidal sera una rplica de esta seal sinusoidal. Esto sera un amplificador Clase A. Sin embargo, aunque este amplificador Clase A sera idealmente lineal al no superar los lmites del rango lineal de su funcionamiento, en la prctica esta regin presenta tambin efectos no lineales dbiles, como tambin se puede apreciar en la figura 3.10.

Fig. 3.10. Punto de polarizacin de un FET Clase A. La lnea continua representa un rango lineal ideal, y la discontinua un caso ms realista con efectos no lineales dbiles [3.8].

Una vez discutidos los conceptos definitorios podemos entrar en el tema del diseo. Bsicamente, el diseo de PAs lineales se puede hacer utilizando los mismos principios bsicos que para uno de pequea seal, pero sustituyendo la clsica adaptacin conjugada de impedancias con el ajuste por potencia. En el caso de un PA lineal, el dispositivo debe de presentar un ajuste por potencia a la salida para poder obtener la mxima potencia del dispositivo en cuestin. Para ver la diferencia entre la adaptacin conjugada de impedancias y el ajuste por potencia nos fijaremos en la figura 3.11. En ella mostramos la transferencia de potencia caracterstica de un amplificador Clase A con los dos casos distintos de

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ajuste a la salida. La lnea continua muestra la respuesta de un amplificador que ha sido diseado con adaptacin conjugada de impedancias a la salida para niveles menores de potencia. El punto A se refiere al punto de mxima potencia lineal y el punto B al punto de compresin de 1 dB. La lnea discontinua muestra el caso del mismo amplificador pero con un diseo con ajuste a la salida por potencia, siendo los puntos A' y B' los puntos anlogos para este caso. Se muestra claramente como este segundo diseo obtiene unas mejores ganancias para potencias mayores, siendo patente la mejora tanto del punto de mxima potencia lineal como del punto de compresin de 1dB.

Fig. 3.11. Curvas de ganancia para adaptacin conjugada (lnea continua) o ajuste por potencia (lnea discontinua) a la salida [3.8].

Las dos tomas de medidas por barrido de potencia de la figura 3.11 indican que hay cierto tipo de relacin entre la potencia de salida y el ajuste de potencia. El siguiente paso lgico sera tomar ms de dos puntos de medida. Con este propsito, en el tema del ajuste por potencia surgieron las tcnicas load-pull, que consisten en ir modificando la impedancia de salida mientras se va midiendo el comportamiento del

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dispositivo y que constituyen tcnicas muy tiles para el diseo de amplificadores de potencia. As, una toma tpica de medidas load-pull tiene la apariencia que se muestra en la figura 3.12, en lnea continua.

Fig. 3.12. Contornos de potencia experimentales (lnea continua) y tericos (lnea discontinua) [3.8].

Lo primero que llama la atencin es que los contornos de potencia constante, representados en una carta de Smith, no son circunferencias, que es a lo que venamos acostumbrados en la teora de amplificadores de pequea seal. La explicacin de este hecho viene con el desarrollo de la teora loadline, en la que no ahondaremos mucho. All por 1983, mucho antes de la aparicin de herramientas de simulacin no lineales, se demostr que los conceptos ms bsicos de la teora loadline eran suficientes para predecir los contornos obtenidos mediante tcnicas load-pull a frecuencias de microondas, en el rango lineal del dispositivo [3.9]. La mayor sorpresa fue que los contornos eran el resultado de la interseccin en la carta de Smith de crculos de resistencia constante y crculos de conductancia constante,

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como se mostraban en lnea discontinua en la figura 3.12. En los aos siguientes, se hicieron varios intentos para pulir esta teora, eliminando varias de las suposiciones idealizadas realizadas en el anlisis ideal [3.10]. Sin embargo, la sencillez de la teora original sobrevivi a los intentos de perfeccionarla, y permanece como un mtodo de diseo a priori muy til como punto de partida en el diseo de PAs. 3.3.2. Ejemplo de diseo de un amplificador de potencia Clase A Ahora propondremos un ejemplo de diseo para ilustrar los pasos bsicos para disear un amplificador Clase A. El objetivo se podra definir como transformar un problema desafiante de diseo no lineal en un problema que se pueda resolver con las herramientas de diseo ms bsicas. Aqu, la red de adaptacin a la salida est basada completamente en el enfoque loadline y la construccin de contornos load-pull de 1dB en la carta de Smith. El diseo est basado en un MESFET tpico de GaAs de 1W a una frecuencia de 1.9 GHz. Por ltimo, comentar tambin que al ser un diseo de Clase A, no se puede esperar del diseo final unos valores buenos de eficiencia, pero sirve como ilustracin de los principios de diseo que queremos presentar.
Paso 1: Definir especificaciones objetivo, elegir dispositivo, determinar Ropt.

En este caso, se trata de un transistor especificado para dar 29 dBm de potencia tpica en su punto de compresin de 1dB. Los datos del fabricante muestran que esta potencia se obtiene a una polarizacin DC Clase A de 4.8 V y 375 mA. La banda de frecuencia del diseo es 1.75-1.85 GHz. Suponiendo un valor de tensin de encendido Vk de 1 V para un MESFET de GaAs tpico tenemos:
Ropt = Vdc Vk 4.8 1 = = 10.1 I dc 0.375 (3.52)

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Paso 2: Esquemtico y topologa de adaptacin a la salida para dar Ropt en el plano A.

Refirindonos a la figura 3.13, se da por supuesto que conocemos los valores de la capacidad de salida del transistor, y las parsitas del dispositivo. El problema de adaptacin es entonces presentar una impedancia de 10.1 en el plano A, un punto situado dentro del dispositivo, y la capacidad de salida del dispositivo.

Fig. 3.13. Esquemtico del diseo de un amplificador de potencia lineal de 1W a 1.9 GHz [3.8].

La estrategia inicial de adaptacin es presentar la impedancia ptima en la frecuencia central de la banda de diseo, y despus utilizar un anlisis por barrido de frecuencia para determinar el ancho de banda de operacin. Una sencilla seccin paso de baja es mostrada, consistente en una lnea microstrip en serie de 50 y una capacidad en paralelo. Los valores se pueden ajustar para conseguir una adaptacin en la banda apropiada, como se muestra en la figura 3.14. Mirando el barrido, se puede apreciar que aunque esta topologa de adaptacin es de banda estrecha por naturaleza, el pequeo ancho de banda que conseguimos

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resulta ms que satisfactorio para esta aplicacin en concreto, por lo que no se trata de un problema para el diseo.

Fig. 3.14. Barrido de impedancias del plano A, con contorno de potencia de 1dB [3.8].

Ya en la figura 3.15 se muestra cunto ancho de banda podemos conseguir, si fuera necesario, utilizando una red de adaptacin de dos secciones.

Fig. 3.15. Adaptacin de potencia de banda ancha (parsitos de condensadores no incluidos) [3.8].

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Como vemos, todo el rango de frecuencias de 1.5-2.5 GHz mostrara una buena adaptacin de potencia, estando completamente dentro del contorno de 1dB. Este tipo de adaptacin utiliza componentes extra y representa un posible exceso para los anchos de banda tpicos en las comunicaciones inalmbricas. No obstante, es una prueba del drstico aumento de ancho de banda que ofrece una red de dos secciones, y tambin de la utilidad de las tcnicas load-pull. La red de adaptacin de una seccin se puede conseguir utilizando un segmento de lnea microstrip y un condensador de montaje superficial. Estos condensadores suelen presentar sustancias parsitas que necesitan ser incluidas en la simulacin del circuito a 2GHz. En este caso, se incluyen unas inductancias en serie de 0.6nH. Para un diseo de banda estrecha de este tipo, el efecto de unos parsitos de este tipo es simplemente el de bajar el valor original de diseo de los condensadores de 4pF a un valor efectivo de 2.7pF. Esta simplificacin de los efectos parsitos deja de ser vlida para diseos con mayores anchos de banda, donde la solucin puede ser el uso de componentes con menores cargas parsitas. A estas alturas del diseo merece la pena echar una ojeada a las tolerancias de los elementos utilizados en el circuito. Como el diseo es el de un amplificador de potencia, uno de los temas ms importantes es cunto variar la potencia en funcin de las tolerancias que nos dan los fabricantes para los dos elementos clave de la adaptacin en la salida, el condensador y la lnea microstrip. Suponiendo que el ancho de la lnea y la constante dielctrica del material tienen tolerancias muy estrictas, los valores de la capacidad y de la longitud de la lnea variarn como mucho un 10%. Una tolerancia de ese tipo no suele desviar la potencia conseguida fuera del contorno de 1dB, pero si suele mostrar que existe un mejor centrado del diseo. Pgina 92

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Paso 3: Disear la adaptacin de la entrada utilizando mtodos lineales (parmetros S).

Habiendo diseado la adaptacin por potencia ptima a la salida, resulta ahora adecuado completar el diseo utilizando tcnicas lineales estndar. Esto lleva a una seccin paso de baja de seccin simple para la entrada similar. Se puede representar la respuesta lineal completa del transistor, junto con los coeficientes VSWR de entrada y de salida, como se muestra en la figura 3.16.

Fig. 3.16. Ganancia y prdidas de retorno de un amplificador Clase A de 1W [3.8].

Se debe notar que el VSWR de salida medido en trminos de S22 es pobre, mostrando alrededor de 3dB de prdidas de retorno. Esto es debido en parte a la adaptacin de entrada reactiva, donde el factor de estabilidad K es cercano a la unidad, pero es principalmente debido a la adaptacin de potencia de la salida. Incluso si el factor Q se reduce utilizando un elemento con prdidas, la salida seguira desadaptada a 50 . sta es realmente la principal diferencia entre el diseo ahora completado y un simple diseo de adaptacin conjugada de impedancias. Este ltimo dara mejores valores de VSWR a la salida, pero 2 3 dB menos de potencia tambin a la salida. Pgina 93

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Paso 4: Construir el amplificador.

El paso siguiente sera ya el montaje propiamente dicho del amplificador, pero se ser el tema de otro captulo de la memoria. En lo que respecta, el diseo terico de un amplificador Clase A termina aqu. 3.3.3. Amplificadores de potencia de alta eficiencia En esta subseccin introduciremos los denominados amplificadores de alta eficiencia, o amplificadores de ngulo de conduccin reducido. Estas son las configuraciones en Clase AB, Clase B y Clase C. Una vez explicados sus conceptos bsicos, nos introduciremos en el ejemplo de diseo de un amplificador Clase B. Para discutir sobre este tipo de amplificadores, antes tenemos que presentar algunas figuras de potencia que nos sern importantes a la hora de hacer comparaciones entre ellos. La primera que debemos presentar por ser la ms bsica, es la eficiencia de salida, que se define como:
=
P 1 Pdc (3.53)

donde P1 es la potencia de la componente fundamental a la salida y Pdc es la potencia de continua suministrada. A no ser que se exprese lo contrario, esta definicin de eficiencia es la que usaremos. Aunque algunos autores prefieren tener en cuenta la excitacin de potencia requerida, que en un amplificador de potencia en RF puede ser sustancial. Esto nos lleva a una definicin alternativa, de la denominada eficiencia de potencia aadida (PAE, Power Added Efficiency):
PAE = P 1 P IN Pdc (3.54)

donde PIN es la potencia RF de entrada. Pgina 94

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Con todo esto, todava podemos aadir una figura ms de potencia interesante a la hora de comparar el comportamiento de los amplificadores de alta eficiencia. Esta figura es el factor de utilizacin de potencia (PUF, Power Utilization Factor) que es bsicamente la relacin entre la potencia RF entregada por un dispositivo con la que entregara un amplificador Clase A. Esta figura resulta interesante porque da una idea del coste/eficiencia de un dispositivo. Una vez presentadas todas estas figuras, podemos entrar en la teora de los amplificadores de alta eficiencia. El concepto clave en los amplificadores de alta eficiencia es el ngulo de conduccin, , que se trata de la parte del ciclo RF en la que el transistor conduce (en el caso de los amplificadores Clase A recordamos que el transistor conduca en el ciclo completo de la seal). El proceso bsico por el que se reduce el ngulo de conduccin se ilustra en la figura 3.17.

Fig. 3.17. Ondas con ngulo de conduccin reducido [3.8].

El dispositivo es polarizado a un punto de trabajo (reposo) ms all de la condicin de Clase A, hacia el corte. Resulta claro entonces que una excitacin RF de

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la suficiente amplitud har oscilar el comportamiento del dispositivo ms all del punto de corte Vt, en la parte negativa del ciclo RF. Tambin resulta claro que para que la corriente llegue a la zona ideal de saturacin Imax, la potencia de la excitacin se debe de aumentar con respecto a la de la Clase A. Normalizando los valores de polarizacin a Vt = 0, Vo = 1, tenemos que en trminos cuantitativos, la amplitud del voltaje requerido es:
Vs = (1 Vq ) (3.55)

A partir de aqu, tenemos que hacer una serie de suposiciones. La primera es que se debe variar el punto de reposo, para incrementar el voltaje de la seal, de acuerdo con (3.55), y as mantener el pico de corriente en Imax. Tambin que el dispositivo es idealmente transconductivo y que el voltaje de salida se mantiene sobre cero para mantener el dispositivo encendido. Con esto, y considerando la definicin inicial del ngulo de conduccin, podemos definir los modos clsicos de operacin en funcin de su punto de polarizacin y de su ngulo de conduccin, como ilustramos en la figura 3.1.

Tabla 3.1. Modos clsicos de reduccin de ngulo reducido.

Observando de nuevo la onda de corriente en la figura 3.17, parece bastante intuitivo que la componente media, o componente DC, ha decrecido con el ngulo de conduccin. Resulta menos obvio que pasa con la componente fundamental, y adems, parece claro que habr armnicos en general. La respuesta se puede hacer a

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travs de un anlisis de Fourier de las componentes, apoyndonos en las suposiciones antes expuestas. Los resultados a los que se llegan se muestran en la figura 3.18, donde se muestra hasta el caso del quinto armnico.

Fig. 3.18. Distintas componentes en funcin del ngulo de conduccin [3.8].

Examinando las curvas de la figura ms atentamente, queda claro que la componente DC va decreciendo monotnicamente conforme se reduce el ngulo de conduccin. En particular tenemos que comparando los casos de la Clase B ( = ) con la Clase A ( = 2), tenemos que: Idc (Clase B) = Imax/ < Idc (Clase A) = Imax/2. Adems si comparamos la componente fundamental en los mismos casos mencionados, tenemos que: Idc (Clase B) = Idc (Clase A) = Imax/2. Por tanto, desde el punto de vista de las ondas de corriente, parece haber una posibilidad de decrecer el suministro de potencia DC por un facto de /2, sin cambiar la componente fundamental RF. En otras palabras, la eficiencia podra subir de 50% en Clase A a un 78.5% (/4) en Clase B. Pero antes de que estas posibilidades sean estimadas, la terminacin y la onda de tensin deben ser consideradas.

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Para ngulos de conduccin menores que , correspondientes a operacin en Clase C, la componente DC contina cayendo, pero la componente fundamental tambin empieza a caer por debajo de su nivel en Clase A. Esto resulta en la doble combinacin de mayor eficiencia, pero menor PUF. Aunque la Clase C no entrar dentro de nuestros objetivos de estudio. Las amplitudes de los primeros armnicos tambin se han representado en la figura 3.18. Se puede apreciar que en la mayor parte del rango, el mayor armnico a parte del fundamental es el segundo armnico. Est en fase con el fundamental, y desde un punto de vista del dominio frecuencial, la accin del transistor parcialmente cortado es la de generar una gran parte de segundo armnico, que reduce las cadas de la sinusoidal fundamental y agudiza los picos. Los armnicos impares pasan por cero en el punto de Clase B, como se aprecia tambin en la figura 3.18, pero en clase AB el tercer armnico no es despreciable. Sin embargo, en general a niveles menores que 0.1 (en magnitud) habr componentes no lineales dbiles de la caracterstica de la transconductancia que pueden cambiar sustancialmente la visin global en trminos de linealidad. Pero se debe notar que un pequeo ajuste de polarizacin alrededor del punto Clase B ( = ) se puede considerar como un mtodo viable para controlar el nivel del tercer armnico. 3.3.4. Ejemplo de diseo de un amplificador de potencia Clase B Una vez explicados los principios de los amplificadores de alta eficiencia, nos centraremos en el diseo de un amplificador de clase B. Para explicar los conceptos ms importantes en este tipo de diseo, lo mejor es ilustrarlo con un ejemplo concreto de diseo, para lo que elegimos un transistor MESFET de 2W, para una frecuencia de

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850MHz y suponiendo un suministro de tensin de 5V. En la figura (3.19) representamos las curvas caractersticas de su modelo, que utilizaremos posteriormente en el diseo.

Fig. 3.19. Modelo genrico de MESFET [3.8].

Paso 1: Establecer Imax, Ropt (Corriente pico efectiva, impedancia fundamental de carga).

Recordando lo visto en el diseo del amplificador Clase A, el valor de Ropt vena dado por (3.52). El valor de I dc lo podemos sacar como Idc = Imax/2. En concreto nos debemos ir a las curvas caractersticas del transistor en la figura 3.19, donde la clave es suponer que para un diseo realista, el pico de corriente RF coincide con un valor bajo de tensin de salida. Esto tiende a hacer la caracterstica de saturacin efectiva mucho ms difcil de lo que aparece en la representacin I-V. En este ejemplo se usarn 2.5A, que es la corriente a 0.5V de Vds, y 0.5V de Vgs. Con esto:
Ropt = Vdc Vk 5 0.5 = = 3.6 I dc 1.25 (3.56)

Claramente esto es una aproximacin basada en el hecho de que habr un compromiso entre cmo de lejos oscilar la tensin hasta la regin de Vk, y el deseo Pgina 99

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de utilizar el mximo rango de corriente para una buena PUF. Resulta por ello instructivo hacer algunas simulaciones con una simple carga resistiva y un circuito tanque armnico, con el objetivo de observar esta decisin de compromiso de una manera ms cuantitativa. En la figura 3.20 mostramos el simple esquemtico utilizado para la simulacin.

Fig. 3.20. Circuito de simulacin para el amplificador Clase B [3.8].

El resonador en paralelo a la resistencia de carga tienen unos valores irreales para una realizacin prctica, pero resulta una manera simple y conveniente de simular un filtro de armnicos. Adems, en un diseo realista se necesitara un bloqueo de DC para prevenir al resonador filtrar la componente de DC. Cuando tratamos con cargas RF tan bajas como unos pocos ohmios, el valor de este condensador debe ser correspondientemente grande. Una adaptacin sencilla de entrada tambin se ha incluido en la simulacin. Esta red paso de baja transforma la terminacin de 50 a un valor menor, aumentando la oscilacin de la tensin en la puerta del transistor. En la figura 3.21(a) se muestra un set de ondas de corriente para diferentes valores de la carga resistiva RF, para una polarizacin Clase B y una entrada RF

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mxima (sin saturar). Vemos que mayores valores de RL provocan unos pulsos de corriente muy bifurcados, mientras que menores valores de RL provocan mayores picos de corriente y menores oscilaciones de tensin. En la figura 3.21(b) se muestra la disyuntiva resultante entre potencia y eficiencia. Se puede observar que las ondas de corrientes bifurcadas producen mayores eficiencias pero a una potencia de salida relativamente ms baja. Los menores valores de RL muestran una mayor potencia pero una menor eficiencia, debido al reducido rango de oscilacin de la tensin. Este comportamiento general se observa frecuentemente en la prctica, y es en gran parte una funcin de las matemticas de un pulso de corriente bifurcado.

Fig. 3.21. Seleccin de resistencia de carga, diseo Clase B [3.8]. a) Ondas de tensin y corriente del dispositivo. b) Compromiso potencia/eficiencia.

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Los menores valores de RL tambin manifiestan mejores caractersticas lineales de entrada-salida hasta un mayor nivel de potencia. La eleccin final de RL tambin depender de la aplicacin; para una seal de envolvente constante, la mayor eficiencia le puede resultar ms atractiva, pero para las situaciones ms frecuentes donde la seal de entrada tiene modulacin de amplitud, un menor valor de RL sera elegido por la linealidad y el PUF, con una inevitable prdida en eficiencia. En este diseo nos quedaremos con un valor de compromiso de RL = 4.
Paso 2: Disear la red de adaptacin fundamental.

Si queremos adaptar una resistencia terminal Ro a una resistencia objetivo RT (que sera la parte real de la impedancia en el plano A), suponiendo RT < Ro, tenemos como figura de diseo el radio de transformacin m = Ro/RT. Con esto, una simple red de adaptacin paso de baja puede ser diseada con:
XC = Ro m 1 (3.57a) (3.57b)

X L = RT m 1

Aunque es importante percatarse de que en nuestro diseo habra que hacer un ajuste con la capacidad de salida, que en este caso resulta ser nuestra capacidad de pequea seal CDS como se puede observar en la figura 3.22. Esta capacidad de salida forma una segunda red paso de baja, que dasafortunadamente transforma la impedancia incorrectamente desde el principio. Aunque en este ejemplo concreto, tenemos la capacidad con un valor de 2.5pF, y tiene un efecto despreciable en la reactancia, pasando la impedancia objetivo de 4 a 3.99. Por tanto, podemos despreciar el efecto de CDS en este ejemplo y movernos al diseo de la red de adaptacin.

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La reactancia del condensador paralelo, XCLP, dada por (3.57a), resulta 14.7, con lo que el condensador CLP = 12.7pF. Procediendo de la misma manera, la induccin serie, XLLP, dada por (3.57b), resulta 13.6, con lo que el condensador LLP = 2.5nH.

Fig. 3.22. Esquemtico del amplificador Clase B: adaptacin paso de baja y filtro armnico [3.8].

Paso 3: Aadir un filtro armnico adecuado y ajustar la adaptacin (si fuera necesario)

El circuito se evaluar inicialmente usando el circuito ideal tanque resonador en paralelo visto en el Paso 1. Filtros armnicos ms prcticos sern evaluados y comparados. As que el nico ajuste inicialmente es absorber la capacidad CDS en el valor calculado para el resonador paralelo.
Paso 4: Hacer la simulacin.

Se debe hacer una simulacin para comprobar que las ondas de corriente y de voltaje se comportan como habamos previsto para la red de adaptacin y la

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resistencia de carga que llevamos diseados hasta ahora. El resultado se muestra en la figura 3.23.

Fig. 3.23. Ondas de corriente y de voltaje con adaptacin paso de baja y filtro armnico ideal [3.8].

Paso 5: Utilizar un filtro armnico ms realizable.

El filtro armnico realizable ms sencillo es un circuito de stub en paralelo (SCSS, Short Circuited Shunt Stub) a la frecuencia fundamental. Se elige 50 de impedancia caracterstica. Si se vuelve a hacer la simulacin, figura 3.24, y vemos que la forma de las ondas ha cambiado debido a la presencia de armnicos impares en la onda de voltaje. Pero estas diferencias son beneficiosas, desaparece la bifurcacin de los pulsos en la onda de corriente pero adems, la potencia del fundamental ha aumentado en torno a 0.5 dB con respecto a la del tanque resonador ideal.

Fig. 3.24. Ondas de corriente y de voltaje con filtro armnico ideal reemplazado por SCSS de 50 [3.8].

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Paso 6: Barrido de frecuencia.

La figura 3.25 muestra el resultado de barrer el circuito sobre un modesto ancho de banda centrado en la frecuencia de diseo. El rendimiento satisfactorio que obtenemos en la frecuencia de diseo vemos que desaparece rpido conforme nos alejamos de ella, hecho que se puede atribuir a la naturaleza de banda estrecha del circuito stub. El ancho de banda se puede mejorar significativamente disminuyendo el valor de Z0 del stub, pero valores tan bajos presentan problemas en el layout, debido al rpido crecimiento del ancho de la lnea.

Fig. 3.25. Funcionamiento en frecuencia, con filtro armnico SCSS de /4 (Z0 = 50) [3.8].

3.4. Resumen y conclusiones

Hemos empezado viendo en este captulo la teora del diseo amplificadores en pequea seal. Comenzamos con las ecuaciones matemticas de ganancia y de potencia, y vimos como un mtodo de diseo con su desarrollo matemtico, y adems complementado con un procedimiento grfico basado en la carta de Smith se haca Pgina 105

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mucho ms sencillo e intuitivo. Analizamos as primero el caso ms sencillo, el unilateral, para posteriormente entrar en el caso bilateral. Se vieron asuntos entre los que podemos destacar las consideraciones de estabilidad, o la necesidad de una red de adaptacin y una red de polarizacin. En la siguiente parte de este captulo, entramos en el diseo de amplificadores de potencia. Primero presentamos los amplificadores lineales, para luego entrar en el ejemplo de diseo de un amplificador Clase A. Se demostr que el diseo se puede reducir a un problema de diseo lineal a travs del uso de tcnicas loadline para determinar el ajuste por potencia ptimo. Luego se explic el conjunto de los amplificadores de potencia de alta eficiencia, y despus se hizo un ejemplo de diseo anlogo para un amplificador de Clase B. Con esto, una vez habiendo estudiado la teora referente al diseo de amplificadores tanto en pequea seal como de potencia, llega el momento de realizar diseos propios utilizando alguna herramienta de simulacin, para lo que dedicaremos el siguiente captulo.

3.5. Bibliografa
[3.1] Guillermo Gonzlez, Microwave Transistor Amplifiers: Analysis and Design, Prentice Hall, 1997. [3.2] D. Woods, Reappraisal of the unconditional stability criteria for active 2-port networks in terms of S parameters, IEEE Transactions on Circuits and Systems, February 1976.

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Diseo de amplificadores

[3.3] K. Kurokawa, Power waves and the scattering matrix, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, March 1965. [3.4] G. E. Bodway, Two port power flow analysis using generalized scattering parameters, Microwave Journal, May 1967. [3.5] Microwave transistor bias considerations, Hewlett-Packard Aplplication Note, 944-1, April 1975. [3.6] G. D. Vendelin, Five basic bias designs for GaAs FET amplifiers, Microwaves & RF, February 1978. [3.7] W. H. Froehner, Quick amplifier design with scattering parameters, Electronics, October 1967. [3.8] S. C. Cripps, RF Power Amplifiers for Wireless Communications , Norwood, MA: Artech House, 2006. [3.9] S. C. Cripps, A method for the prediction of load-pull power contours in GaAs MESFETs, Proc. IEEE Intl. Microw Symp., MTT-S, 1983, pp. 221-223. [3.10] H. Kondoh, FET power performance prediction using a linerized device model, Proc. IEEE Intl. Microw Symp., MTT-S, 1989, pp. 569-572.

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