Circuito integrado
Definicin:
Un circuito integrado (CI) es un cristal semiconductor de silicio, llamado pastilla, que contiene componentes elctricos tales como transistores, diodos, resistencias y capacitores, los diversos componentes estn interconectados dentro de la pastilla para formar un circuito electrnico. La pastilla est montada en un empaque plstico (cermico) con sus conexiones soldadas a las patillas externas para conformar el circuito integrado
Vista interna de un circuito integrado
El primer circuito integrado o chip fue desarrollado en 1958 por el ingeniero Jack Kilby, justo meses despus de haber sido contratado por la firma Texas Instruments. Se trataba de un dispositivo que integraba seis transistores en una misma base semiconductora. En el ao 2000 Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica por la contribucin de su invento al desarrollo de la tecnologa de la informacin.
Vienen en dos clases de pastillas
Pastilla de hilera doble (DIP)
Pastilla Plana
Clasificacin
Atendiendo al nivel de integracin - nmero de componentes - los circuitos integrados se clasifican en: SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel: de 10 a 100 transistores MSI (Medium Scale Integration) medio: 101 a 1.000 transistores LSI (Large Scale Integration) grande: 1.001 a 10.000 transistores VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10.001 a 100.000 transistores ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: 100.001 a 1.000.000 transistores GLSI (Giga Large Scale Integration) giga grande: ms de un milln de transistores En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se clasifican en dos grandes grupos:
Circuitos integrados analgicos (lineales).
Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin unin entre ellos, hasta dispositivos completos como amplificadores , osciladores o incluso receptores de radio completos. Operan con seales continuas para producir funciones electrnicas
Circuitos integrados digitales .
Pueden ser desde bsicas puertas lgica s (Y, O, NO) hasta los ms complicados microprocesadores o microcontroladores .Operan con seales binarias y se hacen compuertas digitales interconectadas stos son diseados y fabricados para cumplir una funcin especfica dentro de un sistema. En general, la fabricacin de los CI es compleja ya que tienen una alta integracin de componentes en un espacio muy reducido de forma que llegan a ser microscpicos. Sin embargo, permiten grandes simplificaciones con respecto los antiguos circuitos, adems de un montaje ms rpido
Tipos:
En una primera clasificacin los circuitos integrados se dividen en dos grandes grupos: los circuitos integrados monolticos y los circuitos integrados hbridos. En los circuitos integrados monolticos todos los elementos constituyentes del circuito, tanto activos como pasivos, estn contenidos en un substrato comn de silicio. En los circuitos integrados hbridos se depositan los componentes pasivos en un substrato, normalmente de almina, y los elementos activos son soldados despus; es decir, en un circuito integrado hbrido existe uno o ms componentes discretos en combinacin con un circuito integrado monoltico. Una segunda clasificacin divide a los circuitos integrados segn diferentes procesos de fabricacin, tales como circuitos monolticos aislados, circuitos integrados de pelcula gruesa, circuitos integrados de pelcula fina, circuitos integrados de tcnica MOS, etc. De todos ellos se tratar a lo largo del presente captulo.
Circuitos integrados monolticos
Un circuito integrado monoltico est formado por un solo cristal de silicio en cuyo seno estn integrados todos los componentes (activos y pasivos) del circuito. A los componentes que forman el circuito integrado se les bautiza con el nombre de componentes integrados, con el fin de diferenciarlos de los convencionales, los cuales son designados con el nombre de componentes discretos. El material de partida es, como decimos, una placa semiconductora de silicio que, debido a diversos tratamientos que recibe, se divide en varias zonas o islas dopadas que reciben el nombre de bloques funcionales. La figura 3a muestra un circuito sencillo y la figura 3b su construccin en forma integrada. Debido a que aqu se trata de un corte, se debe uno imaginar que cada una de las zonas forman estratos circulares unos dentro de los otros. Por estar todos
los componentes del circuito sobre la misma placa semiconductora de silicio, debe procurarse que queden aislados entre s por uniones PN.
Las uniones elctricas entre los diferentes componentes del circuito se establecen a travs de pistas de aluminio que han sido vaporizadas sobre una pelcula de dixido de silicio (Si 02) Mediante la distribucin y conexin adecuada de los diferentes bloques funcionales en el seno del cristal de silicio, se forma el circuito integrado, el cual tiene un comportamiento anlogo al circuito equivalente constituido por componentes discretos. El aislamiento entre los bloques funcionales se realiza mediante diodos polarizados en sentido inverso durante el funcionamiento normal del circuito integrado, es decir un circuito integrado posee ms diodos que su homlogo discreto. Estos diodos aisladores sern por tanto elementos parsitos del circuito integrado. Los circuitos integrados monolticos resultan particularmente apropiados cuando contienen como componentes solamente transistores, diodos y resistencias, aunque tambin es posible integrar condensadores; no as inductancias. Veamos a continuacin cmo se integra cada uno de los componentes citados.
Transistor integrado
El colector se aisla elctricamente por medio de una zona P1, (Fig. 4) que forma, con aqul, un diodo parsito, llamado diodo aislante. Cuando este diodo est polarizado en sentido inverso (lo cual se logra conectando la zona P1, al potencial ms bajo de todo el circuito integrado) el colector queda elctricamente aislado de los bloques funcionales contiguos. El terminal de conexin del colector debe efectuarse en la parte superior del substrato, ya que el nodo del diodo aislante cubre completamente el fondo. Como consecuencia, la resistencia del colector aumenta y no pueden obtenerse tensiones de saturacin colector emisor tan bajas como en los transistores discretos. Por el contrario.la estabilidad trmica es buena debido a la proximidad de los contactos de colector, emisor y base. Adems de lo expuesto, el diodo aislante produce dos efectos perjudiciales sobre la caracterstica del transistor integrado: introduce una capacidad en paralelo con el colector y aumenta la corriente parsita del colector.
Diodos integrados
Los diodos integrados se obtienen usando dos capas o conectando transistores en la debida forma .Pueden utilizarse los diodos colector- base o emisor - base de un transistor integrado. Los diodos colector - base poseen una tensin de ruptura mayor que las de los diodos emisor - base
En las figuras 5 y 6 se muestran dos configuraciones utilizadas en los circuitos integrados para la formacin de diodos.
La configuracin de la figura 5 corresponde a un par de diodos colector - base con ctodo comn y la de la figura 6 a la de un par de diodos colector - base con nodo comn.
Resistencias integradas
Las resistencias estn formadas por pistas de semiconductor. Su valor hmico depende de la seccin y longitud de la pista as como de su resistencia especfica. De esta forma pueden lograrse resistencias de, aproximadamente, 10 Oh. hasta 30 koh.
Por otro lado, las tolerancias que deben admitirse son bastante elevadas, del orden del :+- 10 %. Otro inconveniente es, desde luego, la dependencia del valor de la resistencia respecto a la temperatura. Sin embargo, debido a que todas las resistencias de un circuito integrado varan en la misma medida, la interdependencia de sus valores hmicos prevalece. En la figura 7 se muestra la constitucin de una resistencia integrada y el esquema de su circuito. La resistencia consiste en una zona P marcada con (1) en la figura, dentro de una zona N que hemos marcado con (2). Estas dos zonas (1) y (2) forman una unin PN distribuida a lo largo de la resistencia, tal como est indicado en el esquema equivalente de la figura 7. La zona (2) y la zona (3) forman entre s un diodo de aislamiento.
Condensadores integrados
Los condensadores pueden integrarse tambin. Para ello hay dos procedimientos: en uno de ellos la capacidad la constituye la zona de bloqueo de una unin PN, que trabaja en sentido de bloqueo. En la figura 8 se muestra la forma constructiva de un condensador integrado y su esquema equivalente. En el otro procedimiento se emplea como dielctrico del condensador una pelcula de Si 02 sobre la que se ha condensado un delgado estrato de aluminio como placa exterior. La placa interna la forma la misma plaquita semiconductora. Con ello se alcanza capacidades de unos 500 pF/mm2.
Conexiones entre los componentes integrados
Las conexiones entre los distintos bloques funcionales de un circuito integrado se realizan mediante metalizaciones obtenidas por evaporacin de aluminio en el vaco. Estas metalizaciones se efectan sobre la capa de xido de silicio que protege la superficie de las difusiones P o N. Como ejemplo vase en la figura 9 la seccin longitudinal de un circuito integrado monoltico que consta de un transistor, una resistencia y un condensador. En la misma figura puede ver una vista superior en la que pueden observarse las conexiones entre los tres bloques funcionales, efectuadas mediante metalizacin sobre la capa de. Si 02.
En la figura 10 se muestra la fotografa de un circuito integrado y en la figura 11 el esquema del circuito equivalente. Dicho circuito corresponde a un amplificador completo de baja frecuencia.
Fig. 10 Fotografa de un circuito integrado Fig. 11.-Esquema del circuito amplificador para aplicaciones lineales. Correspondiente a la figura anterior
Transistor Darlington
El transistor Darlington es, en realidad, un circuito integrado constituido por un transistor final, un transistor de control y algunas resistencias (Fig. 12). En la figura 13 se muestra la estructura de un transistor de potencia Darlington monoltico de base epitaxial que muestra las secciones excitadoras El B1 y de potencia E2 B2. La fabricacin se inicia con una plaquita de silicio muy dopada sobre la que se hace crecer una capa epitaxial de resistividad ms elevada. Esta capa constituye el colector del componente. A continuacin se aade una segunda capa sobre el colector, ligeramente dopada y homognea, que forma la base. El emisor se difunde dentro con ayuda de las tcnicas usuales de mscara fotogrfica. La ventaja esencial de un Darlington es la de alojar en un mismo cristal dos transistores, con lo que se obtiene una mejor estabilidad de funcionamiento.
Los transistores Darlington se fabrican tanto en versin PNP como en versin NPN.
Circuitos Integrados monolticos aislados
Los circuitos integrados monolticos aislados no se diferencian mucho de los circuitos integrados monolticos estudiados anteriormente. En ellos existen porciones del bloque semiconductor original (substrato) aisladas entre s por medio de capas de xido de silicio. Esta tcnica ofrece la ventaja, con respecto a la anteriormente estudiada, de reducir las corrientes parsitas, adems de ofrecer la posibilidad de realizar transistores PNP y NPN en un mismo substrato.
Circuitos integrados de pelcula fina
Los circuitos integrados de pelcula fina se obtienen por evaporacin y de posicin, en el vaco, de metales y dielctricos sobre una superficie lisa de cermica vitrificada o de vidrio (substrato), mediante el aumento de la temperatura por encima del punto de ebullicin en el vaco del material que debe depositarse. El vapor del material que debe depositarse sobre el substrato se condensa sobre ste en forma de capas o pelculas muy finas, de ah el nombre con el cual se bautiza este tipo de circuito integrado. El vapor del material a depositar se hace pasar a travs de mscaras de geometra adecuada. Mediante el empleo de diferentes mscaras se pueden obtener distintos componentes integrados. Con la tcnica de pelcula fina se construyen principalmente componentes pasivos como resistencias, condensadores y alambrados o conexionados. Como material para las resistencias se emplea, por ejemplo, el tntalo o el cromonquel. El valor de la resistencia depende de la resistividad del material y de las dimensiones y grosor del depsito
Para los condensadores se utiliza una pelcula de aluminio, a continuacin una de monxido de silicio y, finalmente, otra de aluminio (Fig. 15). Cada una de las pelculas queda unida al circuito mediante pistas de oro o aluminio. Los circuitos integrados de pelcula fina presentan ventajas e inconvenientes. Como ventajas cabe citar la posibilidad de obtener altos valores de resistencias, precisin de estos valores, independencia del valor de las capacidades con respecto a la tensin, obtencin de condensadores de placas mltiples de elevados valores (alternando las pelculas metal-aislante varias veces) mayor aislamiento de los diferentes componentes integrados puesto que el substrato es un material aislante, etc.
. Fig. 14.Resistencia de pelcula fina
Fig.15.- Condensador de pelcula fina
Como inconvenientes podemos decir que, aunque se pueden obtener componentes activos (diodos, transistores), stos no ion, en general, de suficiente calidad para usos comerciales, el aislante de los condensadores es muy fino y, por lo tanto, cualquier defecto puede hacer descender la tensin de ruptura a valores muy bajos.
Circuitos integrados de pelcula gruesa
Para la fabricacin de circuitos integrados de pelcula gruesa se emplean materiales que consisten en la combinacin de metal y vidrio. En estos circuitos integrados se obtienen valores de capacidades elevadas as como tensiones de ruptura igualmente elevadas. Como principal inconveniente cabe destacar la imposibilidad, al igual que en los circuitos integrados de pelcula fina, de la realizacin de componentes activos. Cabe tambin decir que en los circuitos integrados de pelcula gruesa se obtiene una precisin de +-1 % en el valor de las resistencias, mientras que en los circuitos integrados de pelcula fina esta precisin es de _: 0,1 % o ms. La principal diferencia entre los circuitos integrados de pelcula fina y los de pelcula gruesa se encuentra en el espesor de las pelculas metlicas depositadas o impresas. As, en los circuitos integrados de pelcula fina se utilizan films metlicos
depositados por evaporacin en vaco u otros medios qumicos hasta un espesor de unos pocos angstrons, mientras que en los circuitos integrados de pelcula gruesa son redes de metales nobles impresas en un substrato cermico hasta lograr un espesor de 0,5 a 2 milsimas de pulgada.
Circuitos integrados MOS
Los circuitos integrados anteriores pertenecen a la denominada tecnologa bipolar. El proceso bipolar es una de las dos tecnologas fundamentales para la fabricacin de circuitos integrados. Un circuito integrado bipolar consta, como ya se ha dicho, de capas de silicio cuyas caractersticas elctricas son diferentes, circula corriente entre las capas si se aplica una tensin a la unin entre ellas. Otro procedimiento para la fabricacin de circuitos integrados es la tcnica semiconductor-xido-metal. En esta tecnologa la parte activa se encuentra en su superficie, donde un electrodo puerta aplica una tensin a una delgada capa situada debajo para crear un canal temporal a travs del cual puede circular corriente. Podemos diferenciar dentro de la tcnica MOS cuatro clases: PMOS, NMOS, CMOS y LOCMOS.
PMOS
En la tecnologa PMOS se emplea un canal de material de tipo P, en el que la circulacin de corriente se hace por medio de cargas positivas.
NMOS
En la tecnologa NMOS se emplea un canal de material de tipo N, donde la corriente circula en forma de cargas negativas. Este tipo de circuito es dos o tres veces ms rpido que los circuitos PMOS, pero el control de fabricacin es ms difcil.
CMOS
El bloque bsico de los circuitos integrados CMOS es el par complementario inversor MOS, que consta de un par de transistores FET de puerta aislada de tipo de enriquecimiento, de canal N y canal P, que utilizan electrodos de puerta de metal (Fig. 16). El inversor CMOS que se muestra en la figura 16, su funcionamiento es el siguiente: al aplicar una tensin positiva a la entrada el transistor de canal N ste pasa a conduccin mientras que el transistor de canal P queda bloqueado, por lo que la tensin de salida es igual a cero. Si la tensin de entrada es nula, el transistor de canal P pasa a conduccin mientras que el transistor de canal N queda bloqueado y a la salida aparecer una tensin.
De todo lo expuesto se deduce que los dos transistores MOS se comportan como conmutadores.
La principal ventaja de un circuito CMOS es que los valores de la resistencia del canal pueden ser pequeos y por consiguiente la conmutacin muy rpida, y la corriente de reposo y por tanto el consumo de potencia en estado de reposo es prcticamente igual a cero. Otras ventajas de los circuitos CMOS comparados con los circuitos PMOS y NMOS son la inmunidad a fluctuaciones en la tensin de entrada o en la tensin de alimentacin. Sin embargo existe una gran desventaja de los transistores CMOS con respecto a los MOS para el proceso de integracin y se encuentra en el hecho de que, con las mismas tolerancias, la densidad de encapsulado es menor en los CMOS. Por todos estos motivos se ha desarrollado una nueva tecnologa de integracin a gran escala denominada LOCMOS.
LOCMOS
El desarrollo una tcnica de oxidacin local denominada LOCOS, mediante la cual se puede obtener una reduccin en la superficie y por lo tanto fabricarse circuitos integrados LSI (integracin a gran escala). La tcnica LOCOS aplicada a la fabricacin de circuitos CMOS da origen a la tecnologa denominada LOCMOS (contraccin de los trminos LOCOS y CMOS). Circuitos integrados hbridos Hemos visto anteriormente que la tcnica monoltica por su propia naturaleza es la ms apropiada para los componentes activos, o sea, para transistores o diodos, mientras que la tcnica de pelcula fina se adapta mejor para los componentes pasivos y la tcnica de la pelcula gruesa permite obtener condensadores de elevadas capacidades pero no permite la integracin de componentes activos. De lo expuesto se deduce que cada clase de circuito integrado tiene sus ventajas y sus defectos, como consecuencia de
la tcnica empleada en su fabricacin. Podemos, sin embargo, imaginar un tipo de circuito integrado en el cual se combinen las diferentes tcnicas, con el fin de obtener las ventajas que ofrece cada una de ellas. A esta clase de circuitos integrados, en los que se mezclan varias tcnicas constructivas, se les da el nombre de circuitos integrados hbridos. Los circuitos integrados hbridos permiten la realizacin de muchos circuitos complejos que previamente se consideraron antieconmicos e irrealizables. Como ejemplo de un sencillo circuito integrado hbrido, en la figura 19 se muestra la fotografa de unos de estos circuitos desarrollado por la firma FAGOR ELECTROTCNICA y en el que en un substrato de 25,4 x 25,4 mm hay 3 transistores, un condensador, un diodo y 11 resistencias.
Familias de Circuitos Integrados Lgicos
Existen varias familias de circuitos integrados lgicos que se distinguen por el tipo de dispositivo semiconductor y por la manera como estos dispositivos son interconectados para la conformacin de la compuertas. El circuito bsico en cada familia es una compuerta NAND una NOR. Hay muchas familias lgicas de circuitos integrados digitales que han sido introducidos comercialmente, las ms populares son: TTL: Lgicas de transistores (Transistor-transistor logic) ECL: Lgica de acoplamiento de emisor (emitter-coupled logic) MOS: Semiconductor de xido de metal (Metal-oxide semiconductor) CMOS: Semiconductor de oxido de metal complementario (Complementary metaloxide semiconductor) I 2 L: Lgica de inyeccin integrada (Integrated-injection logic)
Tabla de familias
Comentarios
La familia TTL tiene una lista extensa de funciones digitales y es comnmente la familia lgica ms popular. La ECL se usa en sistemas que requieren operaciones de alta velocidad.
Los MOS e I 2 L se usan en circuitos que requieren alta densidad de
componentes y La CMOS se usa para sistemas que requieren bajo consumo de energa
TECNOLOGA TTL .
TTL. Acrnimo Ingls de Transistor-Transistor Logic o "Lgica Transistor a Transistor". Tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales, en los que los elementos de entrada de la red lgica son transistores, as como los elementos de salida del dispositivo. Las caractersticas de la tecnologa utilizada, en la familia TTL, condiciona los parmetros que se describen en sus hojas de caractersticas segn el fabricante:
Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4.75 V y los 5.25 V como se ve un rango muy estrecho debido a esto, los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0.2 V y 0.8 V para el estado L (bajo) y los 2.4 V y Vcc para el estado H (alto). La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor baza, esta caracterstica le hacer aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS1, S2, etc y ltimamente los TTL: HC3, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco mas de los 250 Mhz
TECNOLOGA CMOS.
CMOS (ingls: Complementary Metal Oxide Semiconductor, MOS Complementario) es una tecnologa utilizada para crear compuertas lgicas. Consiste bsicamente en dos transistores, uno PFET y otro NFET. De esta configuracin resulta el nombre. Los chips CMOS consumen menos potencia que aquellos que usan otro tipo de transistor. Tienen especial atractivo para emplearlo en componentes que funcionen con bateras, como los ordenadores porttiles. Los ordenadores de sobremesa tambin contienen dispositivos de memoria CMOS de bajo consumo de potencia para almacenar la fecha, hora y configuraciones (BIOS). Existen diversos tipos de pros y contras contra estos circuitos, siendo el problema del dao esttico el fantasma que ms afecta el uso comercial de estos integrados. Diversos estudios afirman que dicho planteamiento no es ms que un mito ya que deben darse muchos factores tanto ambientales, fsicos aparte de lo elctrico para daarlos. Dentro de las ventajas ms grandes que tienen los CMOS destacan las dos siguientes: 1. Trabajan con tensiones desde los 3 V hasta los 15 V , por ende no necesitan una fuente de voltaje dedicada para ellos. 2. Se ha demostrado que un CMOS determinado tiene muchas mas aplicaciones (o dichas aplicaciones trabajan mejor en CMOS) que en un TTL
