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Polarización FET Canal N en Electrónica II

Este documento presenta una práctica de laboratorio sobre la polarización de un transistor de efecto de campo (FET) de canal N en configuración de autopolarización. El objetivo es comprobar el funcionamiento del circuito y calcular valores de tensiones y corrientes. Se implementará el circuito con un FET 2N5457, se obtendrá su punto de operación y curva de carga, y se responderán preguntas sobre la zona de trabajo del FET y los efectos de la resistencia de puerta de 1MΩ.

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Polarización FET Canal N en Electrónica II

Este documento presenta una práctica de laboratorio sobre la polarización de un transistor de efecto de campo (FET) de canal N en configuración de autopolarización. El objetivo es comprobar el funcionamiento del circuito y calcular valores de tensiones y corrientes. Se implementará el circuito con un FET 2N5457, se obtendrá su punto de operación y curva de carga, y se responderán preguntas sobre la zona de trabajo del FET y los efectos de la resistencia de puerta de 1MΩ.

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PARACTICA N 2 ELECTRONICA II

DOCENTE: MSc. CARLOS VIDES


POLARIZACIN EN C.C. DE UN FET CANAL N
OBJETIVO
Comprobar el funcionamiento de la configuracin de autopolarizacin con un FET 2N5457 de canal N. Proceder
al clculo/obtencin de ciertos valores de tensiones y corrientes del circuito mostrado en la figura.
CONOCIMIENTOS PREVIOS
El alumno/a necesita conocer los siguientes conceptos: configuracin de autopolarizacin de un FET, ecuaciones
de tensiones y corrientes de un FET, curvas de drenador y regiones de trabajo de un Transistor de efecto de
campo.
ACTIVIDAD
Implementar una configuracin de autopolarizacin del transistor de efecto de campo 2N5457.
Comprobar su regin de trabajo.
calcular el punto de operacin para esta configuracin.
Obtener la recta de carga para la configuracin dada
DESARROLLO
Monte el circuito y tome los datos de funcionamiento que se solicitan en la prctica. El resto de datos que
pueda necesitar, los obtendr de los anexos n 1 y 5. Compruebe la zona de trabajo del FET. Dibuje la curva de
drenador en estas circunstancias.
Obtenga los valores de IDSS y VP de las hojas de caractersticas.
CIRCUITO PRCTICO

MEDIDAS REALIZADAS

PARACTICA N 2 ELECTRONICA II
DOCENTE: MSc. CARLOS VIDES

Curvas de drenador del montaje FET


LISTA DE MATERIALES
RG = 1M RD = 4K7 RS = 390
J1 = 2N5457 Vcc = 18V
Investigue e implemente un procedimiento para obtener la curva de transferencia del JFET (VGS vs ID).
PREGUNTAS
a) En cul zona se encuentra trabajando el FET?. Justifique su respuesta.
b) A partir de cul valor el FET entra en saturacin en este circuito?. Justifique su
respuesta.
c) Porqu la corriente de puerta es tan pequea en el JFET?. Le afecta algo que la
resistencia de puerta sea de 1M?. Justifique sus respuestas.

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