A.

ANTECEDENTES TERICOS.

A.1 Variables Fsicas del Problema.

Las variables fsicas que se utilizan para comprender las propiedades elctricas
del medio y la metodologa de medicin de stas son bsicamente: el Voltaje, la
Intensidad de Corriente y la Resistencia.
El Voltaje (V) o Fuerza Electromotriz es la causante del movimiento de cargas a
travs de un medio, su unidad de medida es el volt [v]. La tasa a la cual estas
cargas pasan a travs de una seccin, o tambin llamado flujo de electrones, se
denomina Corriente o Intensidad de Corriente (I) y su unidad de medida es el
ampere [amp].
Este flujo de electrones producido por la fuerza electromotriz provoca friccin en
el medio por el cual estas cargas fluyen, a esta capacidad de producir friccin o
impedir el movimiento de cargas se le denomina Resistencia (R) y su unidad de
medida es el ohm []. Existe una relacin entre estas tres variables que esta dada
por la Ley de Ohm:
RI=V
Distintos materiales ofrecen distintas resistencia al flujo de electrones que pasa
a travs de ellos. Por ejemplo un alambre de cobre deja pasar ms fcilmente la
corriente que un alambre de hierro, es decir, el hierro ofrece una mayor resistencia
al flujo de electrones. Esta diferencia es debida a una propiedad intrnseca de
cada material que se denomina Resistividad () y su unidad de medida es [ohmm]. Una amplia gama de mtodos elctricos usados en prospeccin geofsica,
apuntan a la medicin de la resistividad de los materiales del subsuelo. La
interpretacin de estos datos pretende una caracterizacin del medio geolgico en
cuestin, en base a su resistividad elctrica.

A.2 Resistividad de las rocas.

Una roca, en general, se comporta como un aislante elctrico con resistividades
elctricas del orden de 105 107 [m], exceptuando el caso de algunos metales de
ocurrencia extraa con resistividades del orden de 10-5-10-7 [m] (La resistividad
del cobre comercial por ejemplo es 1.72 x 10-8 [m]).
La resistividad de una roca no depende solo de su litologa, sino que tambin su
capacidad de alojar en sus poros, soluciones salinas que favorezcan la
conduccin elctrica a travs de iones en solucin. Para la resistividad de una
roca, resultan entonces importantes factores como su porosidad, salinidad de las
soluciones, compactacin, y variables de ambiente como presin y temperatura.
La resistividad en las rocas vara entonces en un amplio rango dependiendo de
cmo interacten las variables antes mencionadas.
La figura A.1 presenta un diagrama con valores de resistividad de distintos
medios geolgicos.

Figura A.1: Resistividad en distintos medios geolgicos comunes.

A.3 Factores que afectan la Resistividad de las Rocas.

Porosidad: es el cuociente entre el Volumen de Poros y el Volumen total. En
ambientes someros cerca de la superficie terrestre, la porosidad de las rocas est
ocupada por soluciones acuosas que facilitan la conduccin inica. La resistividad
elctrica disminuye con mayor interconexin entre poros, y en general se tiene que
a mayor porosidad efectiva menor es la resistividad.
Salinidad de las soluciones acuosas: a mayor salinidad de las soluciones,
mayor es el contenido de iones que pueden conducir corriente elctrica.
Porcentaje de Saturacin: es el porcentaje del Volumen de Poros ocupado por
Soluciones Acuosas. Si los poros no estn ocupados por soluciones acuosas, el
medio tendr una mayor resistividad. La resistividad disminuye con el grado de
saturacin segn la Ley de Archie:

= a m S n
100
donde 100 = resistividad de mxima saturacin.
n = nmero entero ( 2).
m, a = constantes en rango variable, dependen del tipo de roca.
(0.5<a<2.5; 1.3<m<2.5)
= porosidad.
S = saturacin.
Temperatura: a mayor temperatura, disminuye la viscosidad de las soluciones
acuosas, facilitando la movilidad de los iones y por lo tanto, disminuye la
resistividad.
Presin: Para rocas sedimentarias, a mayor Presin, aumenta el grado de
compactacin, disminuyendo la porosidad y aumentando potencialmente la
resistividad. Mientras que para rocas muy compactas (rocas gneas y
metamrficas) la presin provoca fracturamiento, disminuyendo potencialmente la
resistividad de las rocas.

A.4 Arreglos de Electrodos, Factor Geomtrico y Resistividad

Aparente.
La determinacin de la resistividad del subsuelo, requiere medir la respuesta de
ste a una perturbacin elctrica conocida que podemos controlar a voluntad. Esto
se consigue inyectando corriente al medio, y midiendo en forma independiente el
campo elctrico que ella genera a travs de diferencias de potencial (voltaje) entre
diversos puntos del medio. Para inyectar corriente, normalmente se usan dos
electrodos C1 y C2 ubicados en la superficie y conectados a una fuente de poder.
La intensidad de corriente se mide con un ampermetro conectado en serie. La
medida de diferencias de potencial entre puntos del medio se lleva a cabo
mediante electrodos independientes P1 y P2 tambin en la superficie y
conectados a un voltmetro. La Figura A.2 muestra esquemticamente un arreglo
de electrodos tpico (dipolo-dipolo) usado en prospeccin geoelctrica, con igual
separacin (a) para los electrodos (dipolo) de corriente y potencial, y una
separacin na entre ellos. El flujo de corriente ir desde el electrodo C1 al
electrodo C2, y alrededor de cada uno de ellos se crear un campo elctrico con
lneas equipotenciales concntricas (Figura A.3a). El resultado final ser la suma
de la contribucin de ambos electrodos, uno positivo y otro negativo, como
muestra la Figura A.3b.

Figura A.2: Arreglo de electrodos dipolo-dipolo.

Figura A.3a: Lneas de Flujo y Equipotenciales en torno a un electrodo de corriente en

la superficie de un semiespacio homogneo.

Figura A.3b: Equipotenciales (Volts) para un semiespacio homogneo de 1 Ohm-m, un

flujo de corriente de 1 A, y electrodos de corriente separados por 1 m.

Utilizando teora electromagntica bsica, se demuestra que para electrodos de

corriente y potencial ubicados en la superficie de un semiespacio homogneo de
resistividad constante , la diferencia de voltaje V medida entre los electrodos de
potencial P1 y P2 es:

V =

I
k

Donde I es la corriente que circula entre los electrodos de corriente C1 y C2, y

k es el factor geomtrico que depende de las distancias entre los electrodos de
corriente y potencial rC1P1 , rC2P1 , rC1P2 , rC2P2 ,que viene dado por:

Entonces, medidos ciertos valores de corriente I y voltaje V, la resistividad

elctrica del medio viene dada por:

=k

V
I

Si el medio es efectivamente homogneo, el valor de resistividad dado por esta

ltima ecuacin es el valor verdadero. Si el medio es heterogneo, sin embargo,
el valor de resistividad dado por esta ecuacin es solo un valor de resistividad
aparente a que en general representa algn tipo de promedio de las diferentes
resistividades presentes en el medio.
Existen diversos arreglos de electrodos y por consiguiente un factor geomtrico
para cada uno de ellos. En la figura A.4 se muestran los ms utilizados.

Figura A.4: Arreglos de electrodos ms utilizados con su respectivo factor

geomtrico.

10

A.5 Principio de Funcionamiento del Ohmmapper.

El arreglo de electrodos utilizado por el Ohmmapper es similar a un arreglo
dipolo-dipolo, donde el transmisor inyecta corriente al suelo, asemejando a los
electrodos de corriente, mientras que el receptor mide la diferencia de potencial,
cumpliendo las funciones de los electrodos de potencial (ver Fig. A.5).
Lo que diferencia al Ohmmapper de los mtodos tradicionales de medicin, es la
no conexin fsica del instrumento con el medio, es decir, no hay electrodos
clavados al suelo por donde se inyecte corriente o se mida voltaje.
El principio de funcionamiento, es el acoplamiento capacitivo que existe entre
los cables electrodos del instrumento y el medio en estudio. Este principio se
utiliza, tanto como para inyectar corriente al medio, como para medir la respuesta
de ste. Para comprender el acoplamiento capacitivo, utilizado por el Ohmmapper,
es necesario introducir algunos conceptos elctricos adicionales como lo es la
respuesta de un Condensador a la aplicacin de una Corriente Alterna.

Figura A.5: Arreglo Dipolo-Dipolo para el Ohmmapper.

A.5.1

Condensador y Corriente Alterna.

El condensador es un dispositivo elctrico que almacena cargas elctricas,

constituido por un material aislante en medio de dos placas conductoras. La carga
almacenada (Q) en cada placa es proporcional a la diferencia de potencial (V)
entre stas, donde la constante de proporcionalidad se denomina Capacitancia
(C) y se define como la capacidad del Condensador de almacenar cargas
elctricas. Su unidad de medida es el Faraday (Farad = [Coulomb*Volt]).

Q = C V

11

En el momento de carga y descarga del condensador, una placa induce una

corriente elctrica o flujo de cargas en la otra. Esto se logra debido a que las dos
placas estn lo suficientemente cerca una de la otra.
Al aplicar una Corriente Alterna (CA), que produce una diferencia de potencial
alterna entre las placas del condensador, se logra que el condensador se cargue y
descargue en una y otra direccin, produciendo as, un flujo permanente de cargas
de una placa a otra.
El condensador presentar una oposicin al paso de corriente alterna que se
denominar Reactancia Capacitiva que es equivalente a una Resistencia. Esta
oposicin es de carcter electrosttico, es decir, la carga almacenada en el
condensador se opone a que ste siga cargndose y esta oposicin ser mayor
cuanto ms carga acumule el condensador. Por lo tanto cuando el condensador
est totalmente descargado, esta oposicin, se comporta como un cortocircuito y,
cuando est totalmente cargado, se comporta como una resistencia de valor
infinito. Para valores intermedios de carga se comportar como una resistencia de
valor intermedio, limitando la corriente a un determinado valor.
Como se mencion anteriormente, el condensador est continuamente
cargndose y descargndose, mientras ms lentamente vare el Voltaje
(frecuencia baja), ms tiempo estar el condensador en estado de casi carga que
en estado de casi descarga, con lo que presentar una oposicin alta al paso de la
corriente. Mientras que para variaciones rpidas del Voltaje (frecuencias altas) el
efecto ser el contrario y, por tanto, presentar una oposicin baja al paso de la
corriente. La Reactancia Capacitiva se puede calcular como:
Xc =

1
2 f C

donde f es la frecuencia de la CA y C la Capacidad del Condensador.

Al igual que una Resistencia, cumple la Ley de Ohm
Xc = V I

En la Figura A.6 se presenta un grfico de la variacin de la Corriente en un

circuito con un Condensador de 1000 [F] y un Voltaje Alterno sinusoidal con una
Amplitud (Vo) de 10 [v] y una frecuencia f = 50 [Hz].

V = Vo sen(2 f t )
I=

(Voltaje en funcin del tiempo).

Vo
sen(2 f t + 2) (Corriente en funcin del tiempo).
Xc

12

Figura A.6: Variacin temporal de la Corriente y Voltaje en un condensador.

En la figura anterior podemos notar que la Corriente esta adelantada en un
desfase /2 de la diferencia de Potencial.
Un circuito ms real es el que se compone de una Resistencia y de un
Condensador conectados en serie (ver Fig. A.7), por lo que se introduce un nuevo
concepto denominado Impedancia (Z) que es la suma de la Resistencia y de la
Reactancia Capacitiva.
Z = R + Xc

Figura A.7: Circuito RC en serie.

La Figura A.8 muestra la corriente (i), voltaje alterno de alimentacin (vg), y el
voltaje entre las placas del Condensador (vc) para un caso donde R = 3 [], C =
100 [F], f = 1 [kHz], y una amplitud Vo = 10 [v] para el Voltaje de alimentacin
(vg). La corriente esta adelantada en un ngulo 90 con respecto al Voltaje
de Alimentacin, en un ngulo = 90 con respecto al Voltaje del Condensador
(vc), y en fase con respecto al Voltaje de la Resistencia.

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Figura A.8: Corriente (i) (verde), el Voltaje de Alimentacin (vg) (rojo) y el

Voltaje entre las placas del Condensador (vc) (azul) para un circuito RC en
serie.

La corriente (i) esta adelantada en un ngulo 90 con respecto al Voltaje de

Alimentacin (vg), en un ngulo =90 con respecto al Voltaje del Condensador
(vc) y en fase con respecto al Voltaje de la Resistencia.

A.5.2

Acoplamiento Capacitivo.

14

El acoplamiento capacitivo consiste en el acople entre los cables electrodos y la

superficie del medio para conformar un Condensador o Capacitor, donde el
escudo coaxial del cable electrodo que cubre el centro conductor acta como una
placa del Condensador, mientras que la superficie del medio es la otra placa, en
medio de stas, est la cubierta de plstico del cable que acta como el centro
aislante del Condensador. La figura A.9 muestra la analoga entre un condensador
y el acople capacitivo antes mencionado.

Figura A.9: Acoplamiento Capacitivo entre los Cables Electrodos y la

superficie del medio en estudio y su Condensador Equivalente.
El Transmisor emite una Corriente Alterna de 16 kHz de frecuencia para que el
Condensador Equivalente este siempre en carga y descarga. Esto permite la
inyeccin permanente de Corriente (Alterna) al medio en estudio.
La Capacitancia de este Condensador Equivalente esta determinada en primer
orden por el largo del cable electrodo, as, a mayor longitud del cable electrodo,
mayor Capacitancia y por lo tanto mayor capacidad para acoplar corriente al
medio.

15

Tanto, los cables electrodos conectados al transmisor, como al receptor,

conforman este Condensador Equivalente, el primero, para inyectar corriente al
medio y el segundo, para recibir esta corriente y medir la diferencia de potencial.
Por medio de una seal de baja frecuencia (2 kHz), el transmisor le enva al
receptor, la informacin de la corriente que esta transmitiendo. As el receptor
tiene ambas informaciones, la diferencia de potencial medida por l (en v) y la
corriente inyectada al medio por el transmisor medida en mA. Adems si se
considera la informacin de la geometra del arreglo de electrodos ingresada en el
equipo, se puede realizar el clculo de la resistividad aparente del medio.
Los cables electrodos conectados al transmisor y receptor se denominan
electrodos lineales, ya que actan a lo largo de todo el cable y no solamente en
un punto como en el caso de los electrodos tradicionales. Para que esto ocurra se
necesita que los cables electrodos tengan una resistencia muy baja, sean
homogneos, el dimetro sea constante y que el Voltaje requerido para que la
corriente pase a travs del electrodo al medio sea mucho ms grande que el
Voltaje requerido para producir un flujo de corriente al interior del ste. Por esto el
centro conductor esta hecho de cobre y la manufacturacin de ste, debe ser de
calidad.
Con estas condiciones se tiene entonces que, tanto la Capacitancia, como la
reactancia Capacitiva por unidad de largo son constantes a travs de todo el
electrodo, y por consiguiente, la corriente por unidad de largo tambin lo es.
Cualquier inhomogeneidad en el cable electrodo producir una inhomogeneidad
en la inyeccin de corriente y por consiguiente la geometra del arreglo de
electrodos no ser la misma que la considerada para el equipo, por lo tanto la
medida de resistividad estar distorsionada.

16

A.6 Profundidad de Investigacin.

La Profundidad de Investigacin es la profundidad a la que se puede inyectar
corriente al medio y obtener un resultado confiable de la resistividad de ste.
Depende del arreglo de electrodos y de la separacin entre stos (parmetro a,
ver Figura A.4). En la Figura A.10 se muestra como vara la profundidad de
investigacin, normalizada por el parmetro a y por el largo del arreglo, en funcin
del tipo de arreglo de electrodos. Tambin se muestra el clculo del factor
geomtrico, tomando el parmetro a igual a 1 m. Por ejemplo para un arreglo
dipolo-dipolo, si la mxima separacin (a) entre los electrodos es de 5 m, y el
mximo factor n es de 6, entonces el largo total del arreglo ser de 40 m. y por lo
tanto, la profundidad de investigacin mxima se calcular como 40 x 0.216,
aproximadamente igual a 8.5 m.
Para el caso del Ohmmapper, la Profundidad de Investigacin, adems de
depender de los parmetros antes mencionados, depende de la resistividad del
medio. Para medios poco resistivos, se convierte en una limitante debido al efecto
electromagntico. Se define como Skin Depth a la mxima profundidad de
investigacin producto del efecto electromagntico.
Como es sabido, un flujo de corriente produce un campo magntico, si se
cambia el sentido de este flujo de corriente, se produce un campo magntico en
sentido opuesto al anterior. De acuerdo con la ley de Induccin de Faraday por
otro lado, un campo magntico variable induce fuerza electromotriz (diferencia de
voltaje) y en definitiva un flujo de corriente. Al igual que el caso anterior si el
campo magntico se invierte el flujo de corriente tambin lo har.
Un cambio en el flujo de corriente en un alambre, cambiar el campo magntico
asociado y ste cambio a su vez, inducir un voltaje en el alambre. Segn la ley
de Lens, la direccin del voltaje inducido se opondr al cambio de corriente
original. La tendencia de un cambio de corriente a crear un voltaje opuesto se
denomina Inductancia y su unidad de medida es el Henry.
Para el caso de una reactancia capacitiva y de un voltaje CA este efecto es
llamado reactancia inductiva (XL)

XL = 2 f L
donde XL= Reactancia en Ohms
f = frecuencia en Hz.
L = Inductancia en Henrys.
La Reactancia Inductiva, tal como una Resistencia, cumple la Ley de Ohm.
XL I = V

17

Figura A.10: Profundidad de Investigacin ze, normalizada por el parmetro a y

el largo (L) del arreglo de electrodos, y factor geomtrico para
a =1m., para distintos arreglos de electrodos.

18

El flujo de corriente CA causado por el Ohmmapper produce un pequeo

Voltaje que gracias a la Ley de Lens sabemos que trata de evitar el flujo de
corriente CA.
La corriente que fluye en la parte ms superficial del suelo crea un Voltaje que
tiende a bloquear la corriente que viene fluyendo desde partes ms profundas. En
suelos muy resistivos, el voltaje creado por una corriente que fluye al interior del
medio es mucho ms grande comparado con el voltaje causado por la inductancia
del medio, por esta razn el skin depth no es un problema en terrenos muy
resistivos. En cambio en suelos no muy resisitivos el voltaje creado por la
inductancia puede ser lo suficientemente grande para reducir el flujo de corriente
que viene de profundidad.
Una buena aproximacin del Skin Depth es:

SK = 500 ( / f )
Donde es la resistividad del medio y f la frecuencia de transmisin (16.5 [KHz]
para el caso del Ohmmapper). En la Figura A.11 se presenta un grfico de la
variacin del Skin Depth segn la resistividad del medio para una frecuencia de
transmisin de 16 [kHz].

Figura A.11: Skin Depth en funcin de la resistividad del medio.

19

A.7 Interpretacin de Datos.

La interpretacin de los datos obtenidos en terreno depende del tipo de
instrumento utilizado y de la geometra de adquisicin de datos, asumiendo
supuestos para cada caso.
A.7.1

Interpretacin de Sondajes Elctricos Verticales (SEV).

Un Sondaje Elctrico Vertical, como su nombre lo dice, es un conjunto de

medidas tomadas en un mismo punto en la superficie, pero a distinta profundidad,
obteniendo distintas medidas de resistividad aparente. Independientemente del
arreglo de electrodos utilizados, est esta centrado siempre en un mismo punto
(sobre el cual se desea realizar el SEV) y la profundidad de la medida depende de
la separacin entre los electrodos.
Para interpretar los datos de un SEV se tiene que asumir un modelo de capas
del medio en estudio (Modelo Unidimensional), es decir, que la resistividad vara
solo en profundidad y no lateralmente, un supuesto importante, ya que no todos
los medios se comportan de esta manera. Otra consideracin importante es que
los valores de resistividad aparente son en realidad un promedio de las
resistividades reales del medio, por lo que por ejemplo un alto valor de resistividad
aparente, en general, estar subestimando un valor de resistividad real.
Una informacin importante que se puede extraer de un SEV es un cambio de
resistividad del medio que se ver reflejado en un cambio en las medidas de
resistividad aparente, aunque solo la inversin de los datos puede dar una
informacin ms confiable de la profundidad a la que ocurre este cambio.
La inversin de los datos de resistividad aparente es un complejo proceso
matemtico con el cual se obtiene un modelo de la distribucin de resistividad real
en el medio.
La figura A.12 muestra un ejemplo de un Modelo Unidimensional para
interpretar los datos de un SEV, notar la subestimacin de los valores de
resistividad por parte de las medidas y el cambio de resistividad reflejado en los
datos que alcanzan un mximo y luego decaen.

20

Figura A.12: Modelo Unidimensional para medidas tomadas por un SEV.

21

A.7.2

Interpretacin de Pseudosecciones de Resistividad.

Una Pseudoseccin de Resistividad es un conjunto de medidas de Resistividad

Aparente que conforman un arreglo en dos dimensiones, es decir, un perfil de
resistividad. Puede ser construida uniendo distintos SEV equiespaciados unos de
otros con datos a igual profundidad. La figura A.13 muestra un ejemplo de la
construccin de una pseudoseccin con un arreglo Wenner. En este ejemplo se
puede notar el gran nmero de medidas necesarias para la construccin de la
pseudoseccin y por consiguiente el largo tiempo y trabajo empleado, sobre todo
por el tipo de arreglo escogido.

Figura A.13: Construccin de una pseudoseccin utilizando un arreglo de Wenner.

El ohmmapper puede realizar estas medidas mucho ms fcil y rpido,
obteniendo adems pseudosecciones de mayor detalle e incluso medidas sobre
una grilla de puntos, pudiendo realizar as, un modelo tridimensional del medio.
La figura A.14 muestra un ejemplo de una pseudoseccin obtenida con el
Ohmmapper (figura superior), del modelo bidimensional de resistividad obtenido
por la inversin de los datos (figura inferior) y de la pseudoseccin terica que
representa al modelo (figura central). Notar la igualdad de las pseudosecciones y
nuevamente la subestimacin y sobreestimacin de los valores de resistividad de
la pseudoseccin comparada con el modelo.

22

Figura A.14: Ejemplo de una Pseudoseccin medida con el Ohmmapper y Modelo

Bidimensional resultante de la inversin de los datos.
Como se dijo anteriormente, el valor de resistividad aparente en un punto es un
promedio de la resistividad en un entorno a este punto, por lo que una
pseudoseccin difiere mucho de la distribucin real de resistividad en el medio. A
continuacin, en las figuras A.15, A.16, A.17 y A.18, se muestran algunos
ejemplos de modelos tericos con sus respectivas pseudosecciones para dar
cuenta de esta caracterstica.
En estos ejemplos tambin se puede notar que los valores de resistividad
aparente dependen del arreglo de electrodos utilizado.

23

A.7.2.1 Modelo 1: Bloque Centrado en un Semiespacio.

Figura A.15: Modelo de Bloque de 500 m, centrado en un Semiespacio de10m.

24

Figura A.16a: Pseudoseccin de Resistividad Aparente para Modelo 1 en un

arreglo Dipolo-Dipolo y un arreglo Polo-dipolo.

Figura A.16b: Pseudoseccin de Resistividad Aparente para Modelo 1 en un

arreglo Wenner y un arreglo Polo-Polo.

25

A.7.2.2 Modelo 2: Inhomogeneidad Lateral en dos capas.

Figura A.17: Modelo 2 de inhomogeneidad lateral de 1 m, en dos capas con

resistividades de 10 m y 100 m.

Figura A.18: Pseudoseccin de Resistividad Aparente para Modelo 2 en un arreglo

Wenner y un arreglo Schlumberger.

26