UNIVERSIDAD NACIONAL DE ROSARIO

FACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS, INGENIERA Y AGRIMENSURA

ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA
DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA
CTEDRA DE ELECTRNICA III
RESPUESTA EN FRECUENCIA
DE AMPLIFICADORES
Federico Miyara
AO 1994 - Rev. 2001
RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES
1. INTRODUCCIN
Consideraremos circuitos elctricos lineales con una entrada y una salida, cuyos
parmetros sean concentrados. Estos circuitos se pueden describir matemticamente
mediante una ecuacin diferencial ordinaria
1
como la siguiente:
a
n
y
(n)
+ ... + a
0
y = b
m
x
(m)
+ ... + b
0
x
donde x(t) es la entrada, o excitacin, e y(t) la salida, o respuesta. Aplicaremos ahora la
transformacin de Laplace a ambos miembros. Si suponemos que el circuito est ini-
cialmente relajado, es decir que y(t) tiene condiciones iniciales nulas, entonces aplican-
do la transformacin de Laplace,
Y(s) (a
n
s
n
+ ... + a
0
) = X(s) (b
m
s
m
+ ... + b
0
),
de donde
) s ( H
a s a
b s b
) s ( X
) s ( Y
o
n
n
o
m
m

+ + + +
+ + + +

L
L
. (1)
La funcin H(s) es la funcin de transferencia del circuito, y puede factorizarse como
) p s ( ) p s )( p s ( a
) c s ( ) c s )( c s ( b
) s ( H
n 2 1 n
m 2 1 m



L
L
, (2)
donde c
i
son los ceros y p
i
los polos. Esta funcin permite obtener la respuesta a cual-
quier excitacin bajo la hiptesis ya enunciada de que y(t) tenga condiciones iniciales
nulas. En efecto, dado que
Y(s) = H(s) X(s) , (3)
podemos utilizar la transformacin inversa de Laplace para obtener:
y(t) = L
1
( H(s) X(s) ) . (4)
Nos interesa ahora aplicar este resultado al caso en que x(t) es una funcin senoi-
dal, debido a la gran importancia de este tipo de funciones para la caracterizacin de
diversos sistemas. Si
x(t) = X sen t ,

1
Los resultados son desde luego aplicables a cualquier sistema fsico gobernado por una ecuacin dife-
rencial ordinaria.
entonces
2 2
s
X
) s ( X
+ +

. (5)
Sustituyendo (2) y (5) en (3) y desarrollando en fracciones simples,

+ +
+ +
+ +

+ + + +


j s
C
j s
B
p s
A
p s
A
) s ( Y
n
n
1
1
L ,
donde se ha supuesto que los polos de H(s) son simples
2
y que no coinciden con j. Si
aplicamos ahora la transformacin inversa, en el segundo miembro se obtiene
y(t) = A1 e
p1t
+ + An e
pnt
+ B e
j t
+ C e
j t
.
Si el circuito es estable, los polos de H(s) tienen parte real negativa y las correspon-
dientes exponenciales o modos naturales (que constituyen el rgimen libre) se extin-
guen con el tiempo, de modo que para t grande
y(t) = B e
j t
+ C e
j t
. (6)
Calculemos B y C:
) j ( H
j 2
X
) s ( Y ) j s ( lm B
t j s


+ +

) j ( H
j 2
X
) s ( Y ) j s ( lm C
t j s


Sustituyendo en (6) resulta
y(t) = |H(j)| X sen (t + arg H(j)) . (7)
La ecuacin (7) es de importancia fundamental en la teora de los sistemas din-
micos lineales, ya que establece una conexin entre el proceso bastante abstracto por
medio del cual se define la funcin de transferencia H(s) y la respuesta concreta del
sistema a una excitacin senoidal. En primer lugar muestra que la respuesta, despus de
extinguido el rgimen libre o transitorio, ser tambin senoidal. En segundo lugar indica
en forma precisa de qu manera se modifican la amplitud y la fase con respecto a la
excitacin. En tercer lugar, dado que la amplitud y la fase de la respuesta se pueden me-
dir en el laboratorio, es posible obtener experimentalmente los valores de H(s) sobre el
eje imaginario, lo cual segn se demuestra en la teora de funciones de variable com-
pleja determina H(s) en todo el plano.
La funcin H(j) se denomina respuesta en frecuencia o respuesta frecuencial del
circuito o sistema bajo estudio. H(j) se representa grficamente en un sistema de ejes
con escalas doblemente logartmicas, obtenindose el conocido diagrama de Bode. Las

2
Con algunos cambios menores se puede extender el razonamiento al caso en que H(s) tenga polos
mltiples.
propiedades ms sobresalientes de dicho diagrama son: 1) permite transformar el pro-
ducto de factores de una funcin de transferencia en una suma de grficas de dichos
factores, y 2) las grficas de los factores poseen asntotas rectilneas y pueden aproxi-
marse mediante stas. La primera propiedad es evidente por ser la escala vertical loga-
rtmica. La segunda surge de considerar un factor de la forma 1/(1 s/p). Pongamos
s = j y calculemos el logaritmo del mdulo:
( ( ) )
2
2
) p / ( 1 log
2
1
) p / ( 1
1
log
p / j 1
1
log + +
+ +





' '

>> >>
<< <<


p log p log
p 0
p / j 1
1
log
Ambas expresiones corresponden a lneas rectas en funcin de log , que se intersectan
en el punto (log p, 0). Cuando H(j) es adimensional (como en el caso de una ganancia
de tensin), generalmente se toma la escala vertical en decibeles (dB), donde
H|
dB
= 20 log
10
|H(j)| . (8)
En la fig. 1 se muestra el ejemplo de un sistema con dos polos.
Figura 1. Diagrama de Bode
2. ESTIMACION DE LAS FRECUENCIAS DE CORTE DE UN CIRCUITO
En los amplificadores electrnicos a menudo es necesario conocer algo acerca de
la respuesta en frecuencia, aunque no es imprescindible un conocimiento sumamente
detallado de la misma. En general es suficiente con disponer de los valores de las fre-
cuencias superior e inferior de corte (frecuencias en las cuales la ganancia cae 3 dB por
debajo de su valor en la banda central), ya que stas determinan el rango til del ampli-
ficador. Dado que el clculo exacto de la respuesta en frecuencia puede llegar a ser te-

H|
dB
dioso, nos proponemos obtener un mtodo aproximado para calcular slo los parmetros
de inters.
2.1. TEOREMA DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO
Consideremos un circuito formado por resistencias, fuentes dependientes e inde-
pendientes, y n capacitores C
1
, ..., C
n
que no formen ningn bucle cerrado. En la fig.
2 (a) se muestra esquemticamente tal circuito, en el cual se han explicitado los capaci-
tores. En la fig. 2 (b) se quitaron los capacitores, quedando as un circuito que por sus
elementos constitutivos no depende de la frecuencia. Procuraremos relacionar las fre-
cuencias de corte con las constantes de tiempo determinadas por cada capacitor y la
resistencia vista por l.
Figura 2. Una red RC con n capacitores. En (a) se han separado
los capacitores y en (b) los mismos fueron retirados
Ahora pasivemos las fuentes independientes y escribamos la ecuacin matricial que
vincula las corrientes y las tensiones en el circuito (b):




, ,
_ _










, ,
_ _











, ,
_ _






n
1
nn 1 n
n 1 11
n
1
V
V
g g
g g
I
I
M
L
M M
L
M
donde las g
ij
son conductancias. En forma matricial abreviada,
I = G . V .
Notemos que si se formara un bucle cerrado de capacitores las tensiones V
i
no seran
independientes, ya que estaran vinculadas por la segunda ley de Kirchhoff.
Si dejamos desconectados todos los pares de terminales con excepcin del i-
simo, es decir I
j
= 0 si i = j, se puede determinar por medio de la regla de Cramer la
tensin desarrollada en el i-simo par:
(a)
C
1
C
n
I
1
I
n
.
.
.
+
V
1

+
V
n

Red resistiva
(b)
I
1
I
n
.
.
.
+
V
1

+
V
n

Red resistiva
i
ii
j
n
1 j
ij
j i
i
I
G det
G
I
G det
G ) 1 (
V




+ +
,
donde det G es el determinante de la matriz de conductancias y G
ij
es el menor corres-
pondiente a gij (es decir el determinante de la matriz que queda al suprimir la columna i
y la fila j). De aqu resulta que la resistencia vista por el capacitor Ci con todos los de-
ms pares de terminales en circuito abierto es
G det
G
R
ii
io
. (9)
Si ahora cortocircuitamos los pares de terminales a excepcin del i-simo obtene-
mos en forma directa
I
i
= g
ii
V
i
,
de donde la resistencia vista por Ci con los dems capacitores cortocircuitados es
ii
icc
g
1
R , (10)
Agreguemos ahora la totalidad de los capacitores. La nueva ecuacin matricial se
obtiene fcilmente de la anterior, ya que a iguales tensiones las corrientes se incremen-
tan en la corriente sCiVi que absorbe el capacitor correspondiente. Resulta




, ,
_ _










, ,
_ _






+ +
+ +





, ,
_ _






n
1
n nn 1 n
n 1 1 11
n
1
V
V
sC g g
g sC g
I
I
M
L
M M
L
M
O, en notacin matricial,
I = Y . V .
Observemos que la entrada de este circuito es una fuente independiente de seal
interna al bloque de la figura 2 (ya que slo se han separado los capacitores), y la salida
es tambin una variable interna. Sin embargo, los polos de la correspondiente funcin
de transferencia constituyen un subconjunto (propio o no) del conjunto de los ceros del
determinante de Y, aunque dichas variables de entrada y salida no aparezcan en la ecua-
cin matricial. Esto sucede porque todos los almacenadores de energa han sido tenidos
en cuenta fuera de dicho bloque. De modo que para proseguir con el anlisis de la res-
puesta en frecuencia consideraremos el siguiente polinomio de grado n:
det Y = a
n
s
n
+ ... + a
1
s + a
0
. (11)
Podemos calcular algunos coeficientes que nos sern tiles:
G det a
C G a
C g a
C C ... C a
0
n
1 i
i ii i
n
1 i
n
i j
j ii 1 n
n
i j
i n 1 n











De aqu resulta, utilizando (9) y (10):




n
1 i
i icc
n
1 i
i
ii
n
1 n
C R
1
C
g
a
a



n
1 i
i io
n
1 i
ii
0
1
C R
G det
G
a
a
Definiendo las constantes de tiempo en cortocircuito
icc
y en circuito abierto
io
co-
mo

icc
= R
icc
C
i
, (12)

io
= R
io
C
i
, (13)
podemos escribir





n
1 i
icc n
1 n
1
a
a
(14)



n
1 i
io
0
1
a
a
. (15)
Hemos as expresado los cocientes entre los dos primeros y entre los dos ltimos coefi-
cientes en trminos de las constantes de tiempo en cortocircuito y en circuito abierto. A
continuacin expresaremos los mismos cocientes en trminos de los ceros de det Y.
Si s1, ..., sn son los ceros de det Y, es decir
det Y = an (s - s
1
) (s - s
2
) ... (s - s
n
) ,
podemos determinar los primeros y los ltimos coeficientes de (11) como











n
1 i
i n
n
0
n
1 i
n
i j
j n
1 n
1
n
1 i
i n 1 n
s a ) 1 ( a
s a ) 1 ( a
s a a
Entonces




n
1 i
i
n
1 n
s
a
a
(16)



n
1 i
i 0
1
s
1
a
a
. (17)
Comparando la ecuacin (14) con la (16) y la (15) con la (17), se concluye, finalmente,
que




n
1 i
icc
n
1 i
i
1
s (18)



n
1 i
io
n
1 i
i
s
1
. (19)
Estas expresiones constituyen el teorema de las constantes de tiempo (o teorema
de los capacitores), y vinculan los polos del circuito con las constantes de tiempo en
cortocircuito y en circuito abierto. La utilidad de este teorema se pondr de manifiesto
en la prxima seccin.
2.2. APROXIMACIN DE LA FRECUENCIA SUPERIOR DE CORTE
A modo de motivacin, analizaremos primero el caso particular de un circuito sin
ceros tal que uno de sus polos, por ejemplo s
1
, sea mucho menor que los restantes. En la
fig. 3 se muestra el diagrama de Bode de un circuito de este tipo con tres polos, s
1
, s
2
y
s
3
. La frecuencia superior de corte estar determinada prcticamente por dicho polo,
llamado por ese motivo polo dominante:

sup
|s
1
| .
Como |s
1
| << |s
i
| para i > 1 , la sumatoria del primer miembro de (19) puede aproxi-
marse por 1/
sup
, de modo que
Figura 3. Diagrama de Bode de un circuito con tres polos




n
1 i
io
sup
1
, (20)
La ecuacin (20) permite un clculo aproximado de la frecuencia de corte sin ne-
cesidad de efectuar los tediosos clculos que en general se requieren para la determina-
cin exacta de sup. En efecto, mientras que en el clculo exacto primero se debe de-
terminar en su totalidad la funcin de transferencia (que involucra elementos
dependientes de la frecuencia) y luego plantear la ecuacin algebraica de orden 2n
|H(j
sup
)|
2
=
1
/
2
,
con la aproximacin (20) slo hay que calcular n resistencias en circuito abierto, sin
elementos dependientes de la frecuencia.
Si bien (20) fue obtenida bajo el supuesto de que haba un polo dominante, su va-
lidez se extiende tambin al caso de polos relativamente prximos entre s, pues si bien
ya no es cierto que
1
n
1 i
i
s
1
s
1



,
tampoco se cumple que
sup
= |s
1
|, tendiendo a compensarse ambas diferencias. En
efecto, como la parte real de todos los polos es negativa (pues suponemos que el circuito
es estable) se verifica que
1
n
1 i
i
s
1
s
1
> >


Por otra parte
sup
< |s
1
|, dado que los polos cercanos a s
1
reducen el mdulo de la
funcin de transferencia, haciendo que la cada de 3 dB se produzca a menor frecuencia.
Entonces

H(j)|
dB
|s
1
| |s
2
| |s
3
|
1 sup
s
1 1
> >

.
De las desigualdades anteriores es razonable concluir que en general vale la aproxima-
cin
sup
n
1 i
i
1
s
1




y por lo tanto tambin la (20). Conviene acotar el error cometido, y para ello conside-
remos el peor caso, que se da cuando todos los polos coinciden. As, para n polos en
o, se calcula fcilmente que
1 2
n
o sup
,
mientras que la aproximacin (21) da un valor

sup
= o / n .
En la tabla siguiente se muestran los errores para algunos valores de n (los valores
se dan con dos cifras decimales).
n
sup
exacto
sup
aproximado Error
2 0,64 o 0,50 o -22 %
3 0,51 o 0,33 o -35 %
4 0,43 o 0,25 o -43 %
5 0,39 o 0,20 o -48 %
10 0,27 o 0,10 o -63 %
An para un orden tan alto como 5 el error no supera el 50 %, en el peor caso. Sin
embargo, a medida que aumenta la complejidad del circuito, y por consiguiente su or-
den, los polos tienden a separarse ms debido al efecto de acoplamiento relacionado con
la dependencia de cada modo natural de todos los componentes. Resulta entonces que la
aproximacin es, en general, mejor cuanto mayor sea el orden del circuito.
EJEMPLO 1
Consideremos una red de rotacin de fase como la mostrada en la figura 4. Pasivando
V
1
(la nica fuente independiente) se obtienen las siguientes constantes de tiempo en
circuito abierto:
T
1o
= RC,
T
2o
= 2RC,
T
3o
= 3RC,
Figura 4. Red de rotacin de fase del ejemplo 1.
de donde, utilizando (20) resulta inmediatamente
RC
1667 , 0
RC 6
1
sup

El mdulo de la funcin de transferencia en j (cuyo clculo requiere un esfuerzo con-
siderable) es
( ( ) ) ( ( ) )
2
3
2
2 1
2
) RC ( RC ) RC ( 5 1
1
V
V
+ +
.
Por aproximaciones sucesivas se obtiene
sup
= 0,1943 / RC. El valor de la aproxima-
cin segn (20) resulta un 14 % menor. Como se ve, este error es mucho ms bajo que
el de 35 % correspondiente al peor caso que se consigna en la tabla precedente.
NOTA: Es interesante destacar que el valor dado por (20) es siempre menor que el real,
y por lo tanto la respuesta en frecuencia es en realidad ms amplia. En el caso de un
amplificador, esto es beneficioso, ya que el mismo resultar mejor que lo estimado.
2.3. APROXIMACION DE LA FRECUENCIA INFERIOR DE CORTE
Consideremos ahora un circuito que tenga n ceros en el origen e igual nmero de
polos. Esto significa que para bajas frecuencias la ganancia tiende a 0 y para altas fre-
cuencias tiende a una constante no nula
3
. Supongamos adems que tiene un polo mucho
mayor que los otros, digamos, s
n
. En la fig. 5 se muestra el grfico de Bode de un cir-
cuito de este tipo con tres polos y tres ceros.
La frecuencia inferior de corte estar determinada prcticamente por el polo sn:

inf
|s
n
| .
Como |s
n
| >> |s
i
| para i < n , la sumatoria del primer miembro de (18) puede aproxi-
marse por
inf
, de modo que

3
Algunos ejemplos son los filtros RC pasaaltos y los amplificadores con acoplamientos capacitivos.
C
R R R
C
+
V
2

+
V
1

C



n
1 i
icc
inf
T
1
(22)
La ecuacin (22), similar a la (20), permite un estimar la frecuencia inferior de corte sin
necesidad de efectuar clculos tediosos
Figura 5. Diagrama de Bode de un circuito con tres polos y tres
ceros.
Si bien la (22) se obtuvo suponiendo que |s
n
| >> |s
i
|, es vlida tambin cuando los
polos son relativamente prximos entre s. En efecto, como la parte real de todos los
polos es negativa (pues suponemos que el circuito es estable) se verifica que
n
n
1 i
i
s s > >


Por otra parte

inf
> |s
n
|,
dado que los polos cercanos a sn reducen el mdulo de la funcin de transferencia,
haciendo que la cada de 3 dB se produzca a mayor frecuencia. De las desigualdades
anteriores es razonable concluir que en general vale la aproximacin
inf
n
1 i
i
s


, (23)
y por lo tanto tambin la (22).
Para acotar el error cometido nuevamente conside86remos el peor caso, que se da
cuando todos los polos coinciden. As, para n polos en o, se calcula fcilmente que

H(j)|
dB
|s
1
| |s
2
| |s
3
|
1 2
n
o
inf


,
mientras que la aproximacin (21) da un valor

inf
= n
o
.
En la tabla siguiente se muestran los errores para algunos valores de n (todas las
cifras se dan con dos cifras decimales).
n
inf
exacto
inf
aproximado Error
2 1,55 o 2 o 29 %
3 1,96 o 3 o 53 %
4 2,30 o 4 o 74 %
5 2,59 o 5 o 93 %
10 3,73 o 10 o 168 %
Si bien los valores exacto y aproximado son los recprocos de los correspondien-
tes a las frecuencias superiores de corte, se puede apreciar que los errores relativos son
mayores (por qu?). De todas maneras,:8 conviene insistir en que un circuito real rara
vez tiene sus polos tan prximos, de modo que en la prctica la aproximacin es mucho
mejor. Si repetimos el ejemplo 1 intercambiando los capacitores y las resistencias, el
valor real es
inf
= 5,147/RC, y el aproximado 6/RC, es decir un 17 % ms alto, error
mucho menor que el 53 % correspondiente al peor caso. Destaquemos que en este caso
la aproximacin es por exceso, lo cual implica en el caso de un amplificador que en
realidad ste es mejor que lo estimado.
Esta aproximacin puede generalizarse al caso en que los ceros sean no nulos, con
la condicin de que sean mucho menores que n. Si los ceros estn demasiado prxi-
mos, en general no vale.
2.4. CIRCUITOS CON FRECUENCIAS SUPERIOR E INFERIOR DE
CORTE
Hasta ahora hemos analizado redes que tenan solamente frecuencia superior de
corte (circuitos sin ceros) o frecuencia inferior de corte (circuitos con igual cantidad de
polos y ceros). En los circuitos que tienen ambas frecuencias de corte, es decir con una
respuesta frecuencial como la de la fig. 6 (caracterizados por tener ms polos que ceros),
no resulta posible aplicar directamente las aproximaciones (20) y (22). En efecto, si s
1
es el menor de todos los polos, el mismo razonamiento que conduce a la (20) permite
concluir que




n
1 i
io
1
1
s
slo que ahora
|s
1
| <
inf
<<
sup
,
de modo que 1/
io
no es una buena aproximacin de
sup
. Anlogamente, si s
n
es
el polo ms grande,

inf
<<
sup
< |s
n
| ,
por lo cual (1/
icc
) tampoco sirve como aproximacin de
inf
.
Figura 6. Diagrama de Bode de un circuito con cuatro polos y
dos ceros.
En el caso de
sup
, el motivo de esto est en que no se tuvieron en cuenta los ce-
ros y la ecuacin (20) es vlida slo si no hay ceros. En el caso de
inf
, no se tuvieron
en cuenta los ceros faltantes para que la cantidad de ceros y de polos fuera la misma.
Cuando
inf
<<
sup
es posible subsanar este inconveniente y a la vez simplificar
an ms el problema. Para ello observemos primero que hay dos grupos de polos: los
polos de baja frecuencia, que en combinacin con los ceros dan origen a la frecuencia
inferior de corte, y los polos de alta frecuencia, que definen la frecuencia superior de
corte.
Por lo general los polos de baja frecuencia son creados por los mismos capacitores
que producen los ceros
4
, y es fcil identificarlos porque cumplen funciones de acopla-
miento o desacoplamiento de corriente alterna. Entre stos se encuentran los capacitores
que vinculan las etapas de un amplificador de corriente alterna, y los que cortocircuitan
la resistencia de emisor en la polarizacin de un transistor. Al cortocircuitar estos capa-
citores, se eliminan simultneamente los ceros y los polos de baja frecuencia, quedando
nicamente los de alta frecuencia. Entonces puede aplicarse la aproximacin (20).
Obsrvese que se est utilizando una forma hbrida de (20), ya que en el clculo
de las constantes de tiempo, algunos capacitores se abren pero otros se cortocircuitan, y
adems la suma se extiende slo a los de alta frecuencia. Si C
1
, ..., C
h 1
son los capa-
citores que gobiernan el comportamiento en frecuencias bajas y C
h
, ..., C
n
los corres-
pondientes a frecuencias elevadas, entonces (20) toma la forma

4
Aunque no siempre es as. Ver la NOTA al final del ejemplo que sigue.

H(j)|
dB
|s
1
| |s
2
| |s
4
| |s
3
|
H
o




n
h i
io
sup
'
1
, (24)
donde

io
= Constante de tiempo con C
j
cortocircuitado para
j = 1, ..., h 1 y abierto para j = h, ..., n, j i.
Para determinar la frecuencia inferior de corte se utiliza un procedimiento similar.
En ese caso se abren todos los capacitores de alta frecuencia (es decir, los que no en-
cuadren dentro de los analizados anteriormente) y luego se utiliza la correspondiente
forma hbrida de (22):





1 h
1 i
icc
inf
'
1
, (25)
donde

icc
= Constante de tiempo con C
j
cortocircuitado para
j = 1, ..., h 1, j i, y abierto para j = h, ..., n,
La clave de este tipo de anlisis est en la posibilidad de asociar algunos capacito-
res a la respuesta en alta frecuencia y otros a la respuesta en baja frecuencia.
EJEMPLO 2
La red RC elemental de la fig. 7 ilustra este procedimiento. En este caso hay un
polo de baja y otro de alta frecuencia. Por simple inspeccin se verifica que C
1
est
ubicado como acoplamiento, y por consiguiente controla las bajas frecuencias. Cortocir-
cuitndolo se obtiene el circuito de alta frecuencia sobre el cual se determinar la nica
Figura 7. Red RC pasaaltos y pasabajos del ejemplo 2.
constante de tiempo en circuito abierto, que es la vista por C2 (en este caso al no haber
otros capacitores para abrir, la constante de tiempo en circuito abierto resulta ser en
realidad en cortocircuito!). Se obtiene
2o
' = R
2
C
2
= 10 s. En forma anloga, resulta

1cc
' = R
1
C
1
= 1 ms. De aqu resulta fcilmente
C
1
= 1 F R
2
= 10 k
+
V
2

+
V
1

C
2
= 1 nF R
1
= 1 k
f
sup
= 15,915 kHz (valor exacto: 15,932 kHz)
f
inf
= 159,15 Hz (valor exacto: 158,99 Hz)
El error es de alrededor de un 0,1% en ambos casos, con un esfuerzo de clculo mucho
menor. Nuevamente los errores tienden a reducir la banda de paso respecto al valor real,
por lo cual el comportamiento real es ms extenso que lo estimado.
NOTA: Si los valores de las resistencias y de los capacitores se hubieran intercambiado
(es decir R
1
= 10 k, R
2
= 1 k, C
1
= 1 nF y C
2
= 1 F), C
1
seguira siendo el que
determina la existencia del cero, pues se encuentra en el camino directo de la seal. Pero
en cambio sera C
2
el responsable del primer polo, es decir el que cancela el efecto del
cero. En este caso debera cortocircuitarse C
2
para obtener la frecuencia superior de
corte y abrirse C
1
para determinar la frecuencia inferior de corte.
2.5. INFLUENCIA DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO INDIVIDUALES
A partir de las ecuaciones (18) y (19) no es difcil caer en la tentacin de buscar
una correspondencia entre constantes de tiempo y polos especficos. Esta pretensin es
vana en general, ya que queda claro que dichas ecuaciones expresan igualdades entre
sumas y de ninguna manera entre trminos de esas sumas. Sin embargo, en muchos ca-
sos es posible al menos individualizar qu componentes tienen mayor efecto sobre las
frecuencias de corte, lo cual permitira por ejemplo, variar dichos componentes a fin de
ajustar la respuesta deseada. En el siguiente ejemplo se muestra esta situacin sobre la
determinacin de la respuesta en baja frecuencia de una etapa a transistor.
EJEMPLO 3
Consideremos la etapa amplificadora a transistor que se muestra en la fig. 8 (a). El
transistor tiene h
fe
= 200 y h
ie
= 2,6 k, y los otros parmetros pueden despreciarse.
En la fig. 8 (b) se indica el modelo en pequea seal, en el cual se ha pasivado la
nica fuente independiente (el generador de seal) a fin de calcular las constantes de
tiempo en cortocircuito que se requieren para aplicar (22). La nica resistencia en corto-
circuito que ofrece una mnima dificultad es la vista por C2, ya que en los otros casos la
fuente dependiente no influye. Los valores calculados son

1cc
= (2,3 k) C
1
= 23 ms

2cc
= (13 ) C
2
= 1,3 ms

3cc
= (3 k) C
3
= 30 ms.
Dado que
cc 3 cc 2 cc 1
inf
1 1 1

+ +

+ +

, (26)
Figura 8. Determinacin de la respuesta en frecuencia de una
etapa amplificadora. (a) Diagrama circuital. (b) Modelo en pe-
quea seal.
resulta evidente que
2cc
, por ser mucho menor que las otras, es la que ms incide en el
valor final de la frecuencia de corte; ello se debe al pequeo valor de R
2cc
. Con las cifras
anteriores, la frecuencia inferior de corte resulta ser de 135 Hz, valor demasiado alto
para determinadas aplicaciones (como por ejemplo en audio).
Para ilustrar mejor la potencia de esta forma de anlisis, veamos cmo permite
proponer y evaluar mejoras en la respuesta en las bajas frecuencias de esta etapa. Su-
pongamos que queremos una frecuencia inferior de 20 Hz. Una primera solucin sera
aumentar uno o ms capacitores. La ecuacin (26), reescrita explicitando los capacito-
res,
3 2 1
inf
C k 3
1
C 13
1
C k 3 , 2
1

+ +

+ +

, (27)
muestra que an aumentando C
1
C
3
infinitamente, la mejora lograda sera escasa,
de modo que es ms lgico aumentar C
2
. Realizados los clculos resulta un valor de
C
2
= 1540 F. Aumentando tambin C
1
y C
3
, C
2
puede reducirse hasta unos 650 F,
2 k
1 k 27 k
81 k
C
2
= 100 F
1 k
C
3
= 10 F
C
1
= 10 F
V
cc
+
V
2

+
V
1

(a)
(b)
10 F
2 k
1 k 21 k
2,8 k 200 i
b
1 k
10 F
100 F
i
b
pero este valor resulta an inconvenientemente alto. La ecuacin (27) indica que el pro-
blema se origina en el pequeo valor de R
2cc
, que viene dado por
fe
ie
fe
ie
e cc 2
h 1
h
h 1
h
// R R
+ +

+ +
.
Esta resistencia puede aumentarse agregando una resistencia en serie con el capacitor o
bien con el emisor, como se indica en la figura 9. Esta solucin implica la existencia de
cierta realimentacin en alterna que reducir la ganancia considerablemente.
5
El nuevo
valor de R
2cc
ser


, ,
_ _




+ +
+ +

1 e
fe
ie
2 e cc 2
R
h 1
h
// R R .
Puede conservarse la polarizacin original tomando
R
e1
+ R
e2
= 1 k.
Dado que R
e2
>> R
e1
, R
2cc
se puede aproximar por
R
2cc
= 13 + R
e1
.
Adoptando R
e1
= 82 , y sin modificar C
1
ni C
3
, se logra C
2
= 210 F. Si se incremen-
tan C
1
y C
3
a 47 F, el valor original de C
1
(100 F) resultar suficiente para lograr que
f
inf
= 20 Hz.
Figura 9. Intercalacin de una resistencia degenerativa para
aumentar la resistencia vista por el capacitor C
2
.

5
En realidad es precisamente debido a esta reduccin de ganancia que se logra reducir la frecuencia
inferior de corte. En efecto, al realimentar un sistema con un polo y un cero, tanto la ganancia como la
frecuencia inferior de corte disminuyen en igual proporcin: 1 + a. Si hay ms de un polo y un cero,
aunque la proporcin ya no es la misma, siguen reducindose ambas.
C
2
R
e2
R
e1
Notemos que si en lugar de lo que hicimos hubiramos calculado la respuesta fre-
cuencial exacta del circuito, incluyendo todos sus parmetros, muy probablemente ha-
bramos encontrado una expresin sumamente complicada en la cual sera casi imposi-
ble deducir qu parmetros son significativos y cules no.
Lo anterior muestra que el mtodo que estamos comentando no slo es un enfo-
que para simplificar el clculo de la respuesta en frecuencia, sino que adems constitu-
ye una potente herramienta de anlisis que permite identificar las causas principales de
dicha respuesta. De ese modo, es posible una comprensin ms intuitiva de los circuitos,
lo cual resulta sumamente til para resolver con xito las dificultades que se presentan
en el diseo. En este sentido puede compararse al mtodo sistemtico de anlisis de
amplificadores realimentados.
3. MODELOS DEL TRANSISTOR BIPOLAR EN ALTA FRECUENCIA
Estudiaremos algunos modelos del transistor vlidos para su operacin en alta fre-
cuencia. Comenzaremos con el modelo , el cual relacionaremos con el modelo cuadri-
polar de parmetros hbridos h, con el doble propsito de establecer los lmites de apli-
cacin de este ltimo, y de encontrar expresiones que permitan obtener algunos
parmetros del modelo a partir del h, dado que el modelo h tiene amplia difusin en
las hojas de especificaciones de los transistores.
3.1. EL MODELO HIBRIDO DEL TRANSISTOR
En la figura 10 (b) se muestra el modelo hbrido h del transistor conectado en su
configuracin de emisor comn, indicada en la parte (a) de dicha figura.
Figura 10. (a) Transistor bipolar en configuracin emisor co-
mn. (b) Modelo hbrido del transistor (parmetros h).
Este es un modelo cuadripolar en pequea seal cuyos parmetros h
ie
, h
re
, h
fe
y
h
oe
permiten relacionar las variables de entrada y salida a travs del sistema de ecuacio-
nes
v
be
= h
ie
i
b
+ h
re
v
ce
(28)
i
c
= h
fe
i
b
+ h
oe
v
ce
(a)
b
e e
c
e e
(b)
+
v
be

h
fe
i
b
h
re
v
ce
h
ie
h
oe
i
b
i
c
b
+
c
+
v
ce

Los parmetros h tienen la ventaja de que son fciles de medir en forma directa o
indirecta
6
y describen al transistor bastante bien en baja frecuencia. Por esta razn se ha
popularizado su inclusin en las hojas de datos de los transistores. Sin embargo, adole-
cen de algunos defectos que les restan valor para ciertas aplicaciones. En primer lugar,
dependen fuertemente de varias condiciones de funcionamiento tales como el punto de
polarizacin, la temperatura y la frecuencia, y las respectivas leyes de variacin no ad-
miten una representacin matemtica sencilla. Esto se debe a que los parmetros del
modelo de la figura 10 (b) no tienen una relacin demasiado directa con los fenmenos
fsicos dentro del transistor. En segundo lugar, ms all de unas pocas decenas de kHz
los parmetros dejan de ser nmeros reales y su variacin con la frecuencia se hace muy
ostensible, sin que su comportamiento sea fcil de modelizar por medio de elementos
circuitales concentrados.
El modelo hbrido , representado en la figura 11, permite superar las dificultades
del modelo h. En primer lugar, cada componente refleja algn fenmeno fsico dentro
del transistor. En segundo lugar, los valores de los componentes pueden deducirse, en su
Figura 11. Modelo hbrido del transistor
mayora, de las condiciones de operacin, o bien de datos de fabricacin del dispositivo,
a travs de ecuaciones sencillas. En otros casos, pueden obtenerse tambin en forma
simple a partir de valores fcilmente medibles. Por ltimo, los parmetros del modelo
hbrido se mantienen razonablemente constantes con la frecuencia hasta frecuencias
bastante altas, de modo que el modelo es un autntico modelo circuital.
3.1.1. PARAMETROS DEL MODELO
Estudiaremos a continuacin los diferentes parmetros del modelo , relacionn-
dolos cuando sea posible, con los parmetros h. Los tres parmetros ms fundamentales
del modelo son g
m
, r

y C

. El valor de g
m
puede obtenerse a partir de la ecuacin
de Ebers y Moll aproximada para polarizacin directa:

6
La medicin indirecta se hace por determinacin de las pendientes de las curvas estticas. Por ejem-
plo, hfe es la pendiente de la curva Ic vs. Ib en un punto de trabajo especificado.
+
v
be

g
m
v
be
r
r
o
b
e
b
r
x
c
e
C

t e ' b
V / V
s c
e I I , (29)
donde I
s
es la corriente de saturacin, y V
t
la tensin trmica dada por V
t
= kT/q, siendo
k = 1,38 10
23
J/K la constante de Boltzmann, T, la temperatura absoluta y
q = 1,6 10
19
C, la carga del electrn. Derivando (29) respecto a V
b'e
se obtiene
t
c
e ' b
c
m
V
I
V
I
g


(30)
As, g
m
resulta ser un parmetro fsico, completamente independiente de la frecuencia y
del tipo de transistor (y por consiguiente de su geometra y dimensiones). Slo depende
de la temperatura y de la corriente de polarizacin. Obsrvese que esto es vlido porque
g
m
amplifica la tensin desarrollada en la juntura propiamente dicha, es decir V
b'e
, y no
la tensin base-emisor, que incluye una cada de tensin hmica adicional (debida a r
x
).
La resistencia r

, por simple comparacin con el modelo h en baja frecuencia, re-

sulta ser
c
t fe
m
fe
I
V h
g
h
r

(31)
Se observa que r

, a travs de h
fe
, depende fuertemente del tipo de transistor, y hasta
de la unidad particular, de all que no se pueda obtener sin un conocimiento directo de
h
fe
(ya sea a travs de las especificaciones o de su medicin, o estimndola). Obsrvese
especialmente que aunque h
fe
vara con la frecuencia, y hasta se vuelve un nmero com-
plejo, ello no ocurre con r

, ya que la ecuacin (31) slo es vlida en baja frecuencia.

La capacidad C

est directamente vinculada a los procesos fsicos que tienen lu-

gar en la base. Tiene dos componentes, cada una de las cuales responde a un mecanis-
mo diferente:
C

= C
b
+ C
je
. (32)
C
b
refleja el fenmeno de difusin de portadores (inyectados desde el emisor) en la ba-
se. Esto demora cierto tiempo que es asimilable al proceso de carga de dicho capacitor.
Viene dado por
t
c f
m f b
V
I t
g t C (33)
donde t
f
es el tiempo de trnsito directo (forward) de los portadores en la base, es decir
el tiempo medio que demora un portador en cruzar la base. En cuanto a C
je
, aparece por
el hecho de que en la juntura base-emisor se genera una zona de carga espacial de dis-
tinto signo a uno y otro lado de la unin. El valor de la carga acumulada vara con la
tensin aplicada. En polarizacin directa, esta capacidad adquiere un valor mximo cer-
ca de la tensin con que se polariza la base. De todas maneras, dicho valor, que puede
estimarse en 1 pF, se puede despreciar en general, y trabajar con la aproximacin
C

= t
f
g
m
. (34)
Dado que t
f
es un parmetro fsico del transistor imposible de medir en forma di-
recta, es interesante disponer de alguna expresin que permita determinar C

a partir de
algn dato experimental de fcil obtencin. Dicho dato es la frecuencia de transicin,
f
T
, definida como aquella frecuencia a la cual el mdulo de la ganancia de corriente con
la salida en cortocircuito se hace 1, es decir
|h
fe
(f
T
)| = 1. (35)
En la prxima seccin veremos que
) C C ( 2
g
f
m
T
+ +


, (36)
de donde, teniendo en cuenta que C

>> C

, resulta
T
m
f 2
g
C



. (37)
Pasemos ahora a los restantes parmetros. La resistencia de salida r
o
es la resis-
tencia incremental del colector con la juntura base-emisor en cortocircuito, es decir:
ce c
o
V / I
1
r

. (38)
En la figura 12 se muestran las curvas de I
c
vs. V
ce
, junto con la extrapolacin de la zona
activa de cada curva hasta llegar a I
c
= 0. Se observa el interesante hecho de que todas
las prolongaciones se intersectan aproximadamente en un mismo valor de tensin V
A
,
donde V
A
es la llamada tensin de Early, cuyo valor suele estar entre 50 y 100 V y es
constante para cada transistor. De aqu puede obtenerse por simple semejanza de trin-
gulos la pendiente de cada curva:
A
c
ce
c
V
I
V
I



de donde resulta
c
A
o
I
V
r . (39)
En conclusin, la resistencia de salida disminuye al aumentar la corriente de colector.
Por ltimo, si despreciamos r

, obtenemos la siguiente relacin entre r
o
y h
oe
,
nuevamente, vlida en baja frecuencia:
oe
o
h
1
r , (40)
que permite calcular r
o
a partir de los datos del modelo h en baja frecuencia.
Figura 12. Tensin de Early V
A
.
La capacidad C

es la capacidad de la zona de carga espacial, que por estar la

juntura de base-colector polarizada inversamente
7
puede calcularse con la siguiente
frmula:
o
' cb
o
V
1
C
C

+ +



(41)
donde
o
es la barrera interna de potencial, o potencial que se genera en la juntura en
ausencia de polarizacin externa (es del orden de 600 mV), y C
o
es el valor que asu-
me C

en ausencia de polarizacin. El valor de C

es en general pequeo, pudiendo

despreciarse frente a C

cuando ambas capacidades van sumadas.

La resistencia r

entre colector y base puede estimarse a travs de la desigualdad

r

> 10 h
fe
r
o
, (42)
aunque su valor puede obtenerse con mayor precisin si se conoce h
re
. La expresin,
que se obtiene aplicando la definicin cuadripolar de h
re
en el modelo , es:
re
0 i
ce
be
h
r
v
v
r
b



. (43)
Finalmente, la resistencia extrnseca de base, r
x
, es la resistencia hmica de la ba-
se. Depende algo de la frecuencia, aunque su valor es en general ms pequeo que r

,
por lo cual puede despreciarse hasta frecuencias relativamente altas, es decir, mientras
la reactancia que ofrece C

no se reduzca hasta hacerse comparable con r

x
. Se puede
determinar por medio de

7
La frmula es vlida hasta una tensin directa de o/2, razn por la cual la capacidad correspon-
diente de la juntura base-emisor no se puede calcular con esta frmula.
V
A
V
ce
V
be2
V
ben
V
be1
I
c
r
x
= h
ie
r

. (44)
Debe tenerse en cuenta que dado que h
ie
y r

son de valor parecido, cualquier error en

alguna de ellas o en ambas implica un error mucho mayor en r
x
, aunque si ello ocurre,
es porque r
x
<< r

, y entonces rx podra despreciarse sin ocasionar errores importantes.

3.1.2. LIMITACIONES DE LOS MODELOS h Y
El modelo hbrido h se especifica por lo general con valores reales, lo cual signifi-
ca que su validez se extender hasta aquellas frecuencias en las cuales la componente
imaginaria no provoque un error importante, lo cual, desde luego, depende de la aplica-
cin. En trminos generales podemos suponer que el modelo es vlido cuando la com-
ponente imaginaria no supera el 10% de la componente real.
A fin de aplicar este criterio, calculemos primero los parmetros h utilizando el
modelo . Resulta
s ) C C ( r // r 1
r g
h
m
fe


+ + + +
(45)
x ie
r
s ) C C ( r // r 1
r // r
h + +
+ + + +



(46)
o
m oe
r
1
s ) C C ( r // r 1
s C r 1
r r
r
g h + +
+ + + +
+ +
+ +





(47)
s ) C C ( r // r 1
s C r 1
r r
r
h
re




+ + + +
+ +
+ +
(48)
Vemos que la frecuencia f

, dada por
) C C ( r 2
1
f
+ +



, (49)
es la frecuencia de corte de la ganancia de corriente en cortocircuito, es decir donde |h
fe
|
cae 3 dB. Se denomina frecuencia de corte , y generalmente puede aproximarse por




r 2
1
f , (50)
Teniendo en cuenta que r
x
<< r

, f

representa tambin la frecuencia a la cual

hie cae 3 dB respecto de su valor en corriente continua.
De acuerdo al criterio enunciado precedentemente, la validez de los parmetros
h
fe
y h
ie
slo se extendera hasta alrededor de f

/10. Sin embargo, en los casos en los

que slo interese el mdulo, el error cometido en esa frecuencia ser del 0,5%, lo cual
puede ser innecesariamente preciso, especialmente considerando los errores por disper-
sin de los valores especificados en las hojas de datos. En f

/2 el error en el mdulo ser

de apenas un 12%, y an llegando hasta f

los resultados sern bastante aceptables para

muchas aplicaciones.
En cuanto a h
re
y h
oe
, ambas expresiones contienen un cero correspondiente a
una frecuencia 1 / 2r

<< f

. Esto implica que hre y hoe comienzan a crecer ya a

frecuencias relativamente bajas, en general del orden de unas pocas decenas de kHz.
Como los valores en corriente continua de estos parmetros son pequeos, podra creer-
se que aun a frecuencias mayores que 1 / 2r

los errores introducidos no son im-

portantes. Sin embargo, para valores muy altos de resistencia de carga el aumento tem-
prano de hoe puede introducir grandes errores inclusive a frecuencias mucho menores
que f

. Esta, situacin suele darse en las etapas en emisor comn con carga activa
(fuente de corriente), tpicas de muchos circuitos integrados.
Resumiendo, el modelo h real puede considerarse vlido con toda seguridad hasta
1 / 2r

. A partir de all, segn las aplicaciones su validez puede llegar a extenderse

hasta f

.
La ecuacin (45) puede utilizarse para calcular la frecuencia de transicin, reem-
plazando s por j y haciendo |h
fe
(j)| = 1. Se obtiene
) C C ( r // r 2
r g
f
m
T
+ +



, (51)
O bien, considerando que r

<< r

,
) C C ( 2
g
f
m
T
+ +


, (52)
ecuacin que ya utilizamos en (36). Es importante observar que realmente el modelo
hbrido no es vlido hasta f
T
, debido a causas que pronto examinaremos. Por ello no
debe sorprender que al medir efectivamente la frecuencia a la cual |h
fe
(j)| = 1 se ob-
tenga un valor distinto del que predice esta ecuacin.
Sin embargo, las ecuaciones (51) y (52) son lo suficientemente tiles como para
llevar a redefinir f
T
de modo que las mismas resulten vlidas. Para ello se considera f
T
como la frecuencia a la cual la extrapolacin de la asntota de h
fe
(y no la propia h
fe
) se
vuelve 1. Esto tiene la ventaja de que permite todava una medicin bastante directa. En
efecto, basta medir |h
fe
| a una frecuencia f
1
varias veces mayor que f

(por ejemplo 10
veces), y entonces dado que sobre la asntota vale
|h
fe
(j2f)|.f = constante
(por ser un polo esencialmente de primer orden), se obtiene
f
T
= |h
fe
(j2f
1
)|.f
1
. (53)
En muchas hojas de datos, efectivamente se suministra |h
fe
| a cierta frecuencia bastante
elevada en lugar de dar f
T
. En la fig. 13 se muestra la grfica de |h
fe
| en funcin de la
frecuencia.
Figura 13. Determinacin indirecta de f
T
.
El modelo hbrido deja de ser vlido en alguna frecuencia intermedia entre f

y
f
T
, debido a dos hechos. El primero es la inevitable existencia de unas capacidades par-
sitas o extrnsecas entre cada par de terminales del transistor que no se tuvieron en
cuenta en el modelo de la figura 11. El segundo hecho es que a muy altas frecuencias la
base no puede modelizarse por medio de elementos de circuito con parmetros concen-
trados, sino que se comporta ms bien como una lnea de transmisin con parmetros
distribuidos. En la figura 14 se muestra un modelo circuital aproximado que podra uti-
lizarse hasta frecuencias ms altas. Una mejor aproximacin podra conseguirse si se
sustituyen r
x
y C
be
por una escalera RC, que aproximen mejor la cualidad de lnea
Figura 14. Modelo hbrido con el agregado de capacidades
extrnsecas para extender su aplicabilidad a frecuencias altas.
f
T
|h
fe
|
f

f
1
f
h
feo
h
fe1
+
v
be

g
m
v
be
r
r
o
b
e
b
r
x
c
e
C

C
bc
C
be
C
ce
de transmisin que presenta la base. Este modelo es demasiado complejo para su utili-
zacin prctica, salvo en los programas de simulacin para computadora.
Si se prescinde de las capacidades extrnsecas, se encuentra que el modelo hbrido
es vlido hasta la denominada frecuencia de corte transversal, f
b
, dada por la fr-
mula
) C C ( r // r 2
1
f
x
b

+ +
. (54)
Normalmente es r
x
<< r

y C

>> C

, de manera que se puede aproximar por

C r 2
1
f
x
b
. (55)
Comparando con la (50), vemos que f
b
>> f

, lo cual muestra claramente la superiori-

dad del modelo sobre el h.
Uno de los mayores inconvenientes del modelo se encuentra en la dificultad pa-
ra medir con gran exactitud algunos de sus parmetros (como r
x
, C

, r

), y esto es una
limitacin prctica que, en efecto, obstaculiza su empleo generalizado para clculo de
circuitos. A pesar de ello, sigue siendo una herramienta terica de inigualable potencial
para evaluar la respuesta de diversos circuitos. As, muchas de las caractersticas de los
circuitos integrados lineales pueden predecirse por medio de este modelo. De hecho, a
diferencia del modelo h (y tambin del y) es un modelo circuital, cuyos elementos son
componentes circuitales estndar, como resistencias, capacitores y fuentes dependientes
reales.
3.1.3. SIMPLIFICACIONES DEL MODELO
Segn el rango de frecuencias, es posible simplificar el modelo a travs de algu-
nas aproximaciones. Para ello notemos que siempre se verifica que
r

<< r

. (56)
Entonces, para frecuencias menores que 1 / 2.r

.C

se pueden despreciar ambos ca-

pacitores, obtenindose un sencillo modelo independiente de la frecuencia. Para una
frecuencia f comprendida en la banda



C r 2
1
f
C r 2
1
puede despreciarse r

, ya que la reactancia de C

predomina en el paralelo. Final-

mente, para f > 1 / 2.r

.C

, se pueden despreciar las dos resistencias r

y r

, ya que
entonces predominan ambos capacitores. Sin embargo, en este rango de frecuencias
caben las limitaciones ya comentadas. Estas aproximaciones son tiles porque permiten
trabajar con circuitos equivalentes ms sencillos.
3.1.4. EJEMPLO DE APLICACION DEL MODELO
En el siguiente ejemplo veremos una aplicacin del modelo utilizando el teore-
ma de las constantes de tiempo.
EJEMPLO 4
Consideremos el circuito de la figura 8, en el cual supondremos que h
feo
= 200,
f
T
= 100 MHz, V
A
= 50 V, C

= 2 pF, r
x
= 50 y que la polarizacin es tal que
I
c
= 2 mA. Buscamos determinar la frecuencia superior de corte cuando el generador
tiene una resistencia R
g
= 1 k. Para ello, aplicando las consideraciones de la seccin
2.4. cortocircuitamos los capacitores de acoplamiento y de desacoplamiento, dado que
estn vinculados con el grupo de polos y ceros de baja frecuencia. Quedan en cambio
los capacitores del modelo . Aplicando las ecuaciones y aproximaciones de la seccin
3.1.1., el circuito equivalente resulta ser el que se muestra en la fig. 15. Observemos que
dado que r

= 50 M, la hemos despreciado.
Figura 15. Modelo en seal del amplificador del ejemplo 4.
Llamemos
R
1
= (R
g
//R
b
+ r
x
) // r

= 725 k
R
2
= R
c
// R
l
// r
o
= 650 ,
donde R
b
= 21 k y R
c
// R
l
= 667 . Podemos aproximar la frecuencia (superior)
de corte f
sup
por
) ( 2
1
2
f
o o
sup
sup

+ +



, (57)
donde

o
= R
o
.C
o
,

o
= R
o
.C
o
.
+
v

(77 nS).v
2,6 k
25 k
e
b
50
61 pF
2 pF
c b
667
+
v
o

1 k
21 k
+
v
1
Abriendo C

, la resistencia vista desde C

es simplemente R
o
= R
1
. Para obtener la
resistencia vista por C

al abrir C

, excitamos con una fuente de corriente de prueba I

Figura 16. Clculo de la resistencia vista por C

.
y calculamos la tensin V, como se muestra en la figura 16. Resulta:
R
o
V/I = R
1
+ (1 + R
1
g
m
) R
2
.
Reemplazando, se tiene
f
sup
= 1,33 MHz .
Resulta un valor bastante pequeo comparado con f
T
, pero si se considera que en f
T
el
transistor deja de tener ganancia de corriente, es lgico esperar que la mxima ganancia
se mantenga slo hasta una frecuencia bastante menor que f
T
.
3.2. EL MODELO y DEL TRANSISTOR
Vimos en la seccin anterior que el modelo es un modelo circuital, lo cual im-
plica que pueden aplicarse con ventaja tcnicas convencionales de anlisis y resolucin
de circuitos. En particular, se puede utilizar el teorema de las constantes de tiempo para
estimar la frecuencia de corte de un amplificador a transistores. Pero precisamente por
ser un modelo circuital con parmetros concentrados, no permite una representacin
demasiado exacta del comportamiento de un dispositivo de naturaleza distribuida como
el transistor, especialmente en la regin de las altas frecuencias.
Si a lo anterior se agrega la dificultad para medir los parmetros del modelo en
forma directa, se concluye que el modelo pierde utilidad en alta frecuencia (por enci-
ma de f
b
). Los modelos cuadripolares, en cambio, por no estar atados a una representa-
cin circuital con elementos estndar, y porque los cuatro parmetros que caracterizan
unvocamente su comportamiento son relativamente fciles de medir con exactitud, no
presentan estos inconvenientes. Tal como se seal para el caso del modelo h, los par-
metros medidos dependen de las condiciones de operacin como el punto de polariza-
cin, la temperatura, y especialmente la frecuencia. A primera vista esto parece consti-
tuir un inconveniente ya que sera necesario especificar los parmetros en numerosas
condiciones para caracterizar el funcionamiento del transistor en forma ms o menos
completa. Sin embargo, en general las aplicaciones de alta frecuencia suelen ser de ban-
da angosta y en frecuencias bastante definidas, razn por la cual bastara especificar los
+
v

g
m
v
R
2
+ V
R
1
parmetros de los transistores en dichas frecuencias (por ejemplo, a la frecuencia inter-
media de TV). De hecho, la mayora de los transistores de alta frecuencia se fabrican
para aplicaciones especficas, y por lo tanto con rangos de frecuencia establecidos, y los
parmetros se dan para esas frecuencias.
De los seis posibles juegos de parmetros cuadripolares, el que resulta ms cmo-
do de medir en alta frecuencia es el juego de parmetros y (admitancia), que da origen
al modelo pseudocircuital
8
de la figura 16.
Figura 16. Modelo y de un transistor bipolar
Los parmetros y
ie
, y
re
, y
fe
e y
oe
permiten vincular las variables de entrada y
salida a travs del sistema de ecuaciones
i
b
= y
ie
v
be
+ y
re
v
ce
(58)
i
c
= y
fe
v
be
+ y
oe
v
ce
.
Lo ms usual en las hojas de datos es encontrar los parmetros expresados a una o
ms frecuencias de inters. A veces los parmetros se suministran en mdulo y fase, y
otras veces se da la parte conductiva y la capacitiva. Si el subndice x representa cual-
quiera de los cuatro parmetros y, entonces se tiene por definicin
y
x
= g
x
+ j C
x
. (59)
En algunos casos, en los que adems del valor a determinada frecuencia o es esencial
la forma en que varan los parmetros alrededor de dicha frecuencia (como en el anlisis
de osciladores o de amplificadores sintonizados), se puede obtener un desarrollo de Ta-
ylor de primer grado (o mayor, si fuere necesario), de la forma
y
x
= g
x
+ g
x
'(
o
) + j C
x
+ j(
o
) C
x
'. (60)
Los valores de g
x
' y de C
x
' se pueden determinar si se conoce y
x
en
o
y en otra fre-
cuencia prxima, por ser simplemente las pendientes de las grficas de la parte real e
imaginaria de y
x
respectivamente.
Aplicando las correspondientes definiciones de los parmetros que surgen de este
sistema, pueden calcularse en forma directa los parmetros y a partir del modelo hbrido

8
Lo consideramos un modelo pseudocircuital porque sus elementos no representan componentes
estndar como resistencias, capacitores, y fuentes controladas independientes de la frecuencia.
e e
+
v
be

y
re
v
ce
y
ie
i
b
i
c
b c
+
v
ce

y
fe
v
be
y
oe
. Dado que trabajaremos en alta frecuencia, despreciaremos la resistencia r en todos
los casos. Se obtiene
s ) C C ( r // r 1
1
r r
r
g y
x x
m fe


+ + + + + +
(61)
s ) C C ( r // r 1
s ) C C ( r 1
r r
1
y
x x
ie



+ + + +
+ + + +
+ +
(62)
s ) C C ( r // r 1
s ) C C ( r 1
g
r
1
y
x
m
o
oe


+ + + +
+ + + +
+ + (63)
s ) C C ( r // r 1
s C r 1
r r
r // r
y
x x
x
re




+ + + +
+ +
(64)
De (61), vemos que la frecuencia de corte de y
fe
resulta ser la frecuencia de corte
transversal dada en (54) como el lmite de validez del modelo . Estas relaciones per-
miten, entre otras cosas, determinar algunos de los parmetros del modelo a partir de
medidas de los parmetros y. As, por ejemplo, a partir de (61) se puede calcular r
x
en
alta frecuencia, teniendo en cuenta que entonces podemos aproximar
s ) C C ( r
1
g y
x
m fe

+ +

Recordando la ecuacin (52), se obtiene
T fe
x
f ) f ( y
f
r (65)
Dado que (61) es vlida slo hasta f
b
, a los fines de esta frmula y
fe
debe medirse a una
frecuencia f < f
b
.
3.2.1. UN EJEMPLO: EL AMPLIFICADOR SINTONIZADO
Los amplificadores sintonizados son circuitos muy tiles cuando es necesario am-
plificar seales comprendidas en un rango muy estrecho de frecuencias, requirindose al
mismo tiempo atenuar toda otra seal fuera de dicha banda. Los amplificadores de fre-
cuencia intermedia de los receptores superheterodinos constituyen un ejemplo de dicha
situacin. Debido a lo elevado de la frecuencia de operacin de estos amplificadores, es
conveniente utilizar el modelo y para los transistores que intervienen en ellos. En la
figura 17 (a) se muestra un amplificador sintonizado de una etapa que utiliza un circuito
tanque RLC en el colector, y en la fig. 17 (b) se muestra el circuito equivalente para alta
frecuencia que utiliza el modelo y del transistor. Si para simplificar suponemos que el
Figura 17. (a) Amplificador sintonizado. (b) Su modelo y.
generador de seal V
1
es ideal, entonces ni R
1
//R
2
, ni y
ie
, ni la fuente dependiente y
re
v
ce
tienen ningn efecto. Entonces, por clculo directo se obtiene
C j L j / 1 y R / 1
y
V
V
oe
fe
1
2
+ + + + + +

.
Si llamamos
o
a la frecuencia angular de resonancia, y si aproximamos y
fe
e y
oe
con
un polinomio de Taylor de primer grado alrededor de
o
(an desconocido), tendre-
mos
( ( ) ) ' C ( C L / 1 C j ( ' g g R / 1
' C j C j ( ' g g
V
V
oe o oe o o oe oe
fe o fe o o fe fe
1
2
) ) + + + + + + ) ) + + + +
) ) ( ( + + + + ) ) + +
.
Debido a que L y C son grandes, C 1/L vara mucho ms rpidamente con
que los otros parmetros, por lo que se puede suponer que la resonancia se verifica
cuando la parte imaginaria del denominador se anula. Reemplazando por dicha fre-
cuencia o se tendr, entonces,
(a)
(b)
L R
1
C
e
R
C
2
C
1
V
cc
+
V
2

+
V
1

R
2
R
e
C
+
V
1

y
re
v
ce
y
ie
+
V
2

y
fe
v
be
y
oe
R
1
//R
2
L C
R

o
C 1/
o
L +
o
C
oe
= 0 ,
de donde
L ) C C (
1
oe
o
+ +
.
A esa frecuencia,
oe
fe
1
2
g R / 1
y
V
V
+ +
.
Vemos cmo el modelo y nos permite llegar rpidamente a la frecuencia de re-
sonancia y a la ganancia en resonancia. Con algo ms de clculos se podra obtener
tambin el ancho de banda y la ganancia de potencia. El mismo clculo realizado sobre
el modelo habra resultado extremadamente complejo, dejando de lado el hecho de
que su exactitud quedara limitada a frecuencias menores que f
b
.
4. EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) EN ALTA
FRECUENCIA
En la figura 18 (a) se muestra un transistor de efecto de campo (field effect tran-
sistor, FET), y en la figura 18 (b) su modelo en pequea seal. En l se pueden apre-
ciar, adems de los elementos usuales para baja frecuencia, es decir el generador de co-
rriente controlado por la tensin entre compuerta (gate) y fuente (source) y la resistencia
de salida, tres capacidades: C
gs
, C
gd
y C
ds
. En los FETs integrados se agrega, adems,
Figura 18. (a) Un FET. (b) Su modelo para altas frecuencias
una capacidad extrnseca entre la compuerta y el substrato. El valor de la transconduc-
tancia gm puede calcularse a partir de las expresin aproximada del comportamiento
en gran seal, es decir
2
p
gs
dss d
V
V
1 I I


, ,
_ _




, (66)
(a) (b)
g
m
v
gs
r
o
G
S
C
gs
C
gd
C
ds
D
S
D
S S
G
donde V
p
es la tensin de estrangulamiento (pinch-off) e I
dss
es la corriente de drenaje
para V
gs
= 0. Esta expresin es vlida cuando I
d
alcanza la zona llamada de saturacin
(que no debe confundirse con la saturacin de un transistor bipolar), es decir la zona de
corriente aproximadamente constante. Para obtener g
m
derivamos respecto a V
gs
, resul-
tando:
p
d dss
p
gs
p
dss
m
V
I I
2
V
V
1
V
I
2 g


, ,
_ _




(67)
Vemos que, a diferencia de lo que sucede con un transistor bipolar, en el caso del FET
la transconductancia aumenta con la raz cuadrada de la corriente (en este caso I
d
, co-
rriente del terminal drenador (drain)).
Para obtener r
o
, tengamos primero en cuenta que la corriente en cortocircuito da-
da por (66) slo es vlida para bajos valores de V
ds
. Al crecer V
ds
, I
d
tambin aumenta, y
lo hace con pendiente 1/r
o
, de suerte tal que prolongando la recta de la zona de satura-
cin hasta cortar el eje horizontal (eje de las V
ds
) se obtiene un punto comn a todas las
corrientes, en forma similar a lo que ocurra con el transistor bipolar (figura 12). Dicho
valor, denominado V
A
, es similar a la tensin de Early para el transistor bipolar, y su
valor tpico es de unos 100 V. Resulta, entonces, que
d
A
o
I
V
r . (68)
Dado que en funcionamiento normal, entre drenaje y compuerta y entre fuente y
compuerta existe una juntura polarizada inversamente, se tiene
3
o
gd
gdo
gd
V
1
C
C

+ +
(69)
3
o
gs
gso
gs
V
1
C
C

+ +
(70)
En lugar de la raz cuadrada de la ecuacin (41) aparece una raz cbica, debido a que
este tipo de juntura es gradual. La capacidad C
ds
es una capacidad entre electrodos, in-
dependiente de la polarizacin.
5. RELACION ENTRE RESPUESTA EN FRECUENCIA Y TRANSITORIA
La relacin entre las respuestas en frecuencia y transitoria de un sistema es muy
importante, especialmente porque del ensayo frecuencial es posible deducir el compor-
tamiento transitorio y viceversa.
5.1. RESPUESTA AL ESCALON DE UN PASABAJOS DE PRIMER
ORDEN
Consideremos un sistema (ya sea electrnico, mecnico, etc.) con un polo de pri-
mer orden, es decir
o
o
/ s 1
a
) s ( H
+ +
(71)
cuyo diagrama de Bode se muestra en la figura 19 (a). Si lo excitamos con un escaln
Figura 19. (a) Diagrama de Bode de la respuesta en frecuencia
de un pasabajos de primer orden. (b) Su respuesta ante un esca-
ln.
de amplitud X
o
:
x(t) = X
o
u(t) , (72)
la transformada de la respuesta ser
s
X
/ s 1
a
) s ( Y
o
o
o
+ +

Desarrollando en fracciones simples
o
o o o o
s
X a
s
X a
) s ( Y
+ +

resulta fcil aplicar la transformacin inversa de Laplace obtenindose

|H(j)|

o
a
o
t
y(t)

Y
o
0,90 Y
o
0,63 Y
o
0,10 Y
o
t
s
= 2,2
(a) (a)
) e 1 ( Y ) t ( y
t
o
o

(73)
donde Y
o
= a
o
X
o
. Llamando constante de tiempo a
= 1/
o
(74)
la (73) se puede escribir como
) e 1 ( Y ) t ( y
/ t
o

(75)
forma muy utilizada porque permite una suerte de normalizacin de la respuesta relativa
a la constante de tiempo.
La evolucin de la respuesta se muestra en la figura 19 (b), en la cual se han indi-
cado algunos de sus valores caractersticos y propiedades. En primer lugar para t
la respuesta tiende al valor Y
o
, es decir la amplitud del escaln por la ganancia en conti-
nua. Otra particularidad es que la prolongacin de la tangente al origen de la respuesta
alcanza el valor final Y
o
en un tiempo igual a dicha constante de tiempo. En dicho tiem-
po la verdadera respuesta en realidad llega a un 63,2% de Y
o
. El tiempo de subida t
s
es
otro parmetro comnmente utilizado para evaluar la respuesta a un escaln. Se lo defi-
ne como el tiempo necesario para que la respuesta pase del 10 % al 90 % de su valor
final. Para un sistema de primer orden, tambin est vinculado con la constante de tiem-
po, ya que vale
t
s
= 2,20 . (76)
5.2. RESPUESTA AL ESCALON DE UN PASAALTOS DE PRIMER
ORDEN
Consideremos ahora un sistema con un polo y un cero en el origen, es decir
o
o
s
s a
) s ( H
+ +
. (77)
En la figura 20 (a) se ha dibujado su diagrama de Bode. Si excitamos este sistema con
un escaln como el de la ecuacin (71) la transformada de la respuesta ser
o
o o
s
X a
) s ( Y
+ +
,
que corresponde a una respuesta
t
o
o
e Y ) t ( y

, (78)
o bien


/ t
o
e Y ) t ( y , (79)
cuya evolucin se ilustra en la fig. 20 (b), con valores caractersticos correspondientes a
los ya descriptos para el caso anterior. Se observa que las propiedades de ambas res-
puestas son similares.
Figura 20. (a) Diagrama de Bode de la respuesta en frecuencia
de un pasaaltos de primer orden. (b) Su respuesta ante un esca-
ln.
5.3. RESPUESTA AL ESCALON DE UN PASABANDA DE PRIMER
ORDEN
Consideremos ahora un sistema cuya funcin de transferencia es el producto de
las dos funciones analizadas previamente, es decir
) / s 1 ( ) / s 1 (
/ s a
) s ( H
sup inf
inf o
+ + + +

, (80)
donde
inf
es la frecuencia (angular) inferior de corte y
sup
la superior. Supondremos
adems que

inf
<
sup
.
En la figura 21 se ha trazado el diagrama de Bode correspondiente a este tipo de siste-
ma. Nuevamente excitaremos el sistema con un escaln como el de la ecuacin (72). La
transformada de la respuesta ser ahora
) / s 1 ( ) / s 1 (
/ X a
) s ( Y
sup inf
inf o o
+ + + +

,
Y
o
0,90 Y
o
0,63 Y
o
0,10 Y
o
t
y(t)

t
s
= 2,2
(a) (a)

|H(j)|

o
a
o
Figura 21. Diagrama de Bode de un pasabanda de primer orden.
que, desarrollada en fracciones simples, es


, ,
_ _




+ +

+ +


sup inf inf sup
sup o o
s
1
s
1
X a
) s ( Y .
Aplicando la transformacin inversa resulta

, ,
_ _









t
t
inf sup
sup o o
sup
inf
e e
X a
) t ( y . (81)
Analicemos primero el caso en que

sup
>>
inf
(82)
Entonces vale la aproximacin

, ,
_ _






t
t
o o
sup
inf
e e X a ) t ( y . (83)
o bien, en trminos de las constantes de tiempo
inf
y
sup
,

, ,
_ _





sup
inf
/ t
/ t
o o
e e X a ) t ( y . (84)
Debido a (82),
inf
>>
sup
. Estudiaremos el comportamiento de cada exponencial para
tiempos pequeos y grandes. Si t <<
inf
, la primera exponencial es aproximadamente
igual a 1, de modo que (84) puede a su vez aproximarse por
) e 1 ( X a ) t ( y
sup
/ t
o o

(85)
que coincide con (75). De manera que poco despus del escaln, la respuesta se com-
porta tal como lo hara un pasabajos de frecuencia (angular) de corte
sup
, es decir co-

|H(j)|

inf

sup
a
o
mo si el cero y el polo de baja frecuencia no existieran. De un modo intuitivo (aunque
poco riguroso), se puede considerar que el flanco muy rpido del escaln corresponde a
frecuencias muy altas, por lo cual s es grande y entonces en (79)
sup
o
sup inf
inf o o
/ s 1
a
) / s 1 ( ) / s 1 (
/ X a
+ +

+ + + +

,
Si ahora t >>
sup
, la segunda exponencial de (84) se aproxima a 0, por lo que
inf
/ t
o o
e X a ) t ( y

. (86)
que coincide con (79). Esto significa que mucho despus del flanco, la respuesta corres-
ponde a la de un pasaaltos con frecuencia (angular) de corte inf, o lo que es lo mismo,
el sistema se comporta como si el polo de alta frecuencia no existiera. Intuitivamente, el
comportamiento para tiempos mucho mayores que
sup
corresponde a frecuencias mu-
cho menores que
sup
, y entonces s/
sup
puede despreciarse en (80). Luego vale la apro-
ximacin
inf
inf o
sup inf
inf o o
/ s 1
/ s a
) / s 1 ( ) / s 1 (
/ X a
+ +


+ + + +

,
Todo esto indica que la separacin en bandas de frecuencias bajas y altas en forma casi
independiente que tiene lugar en la respuesta en frecuencia cuando
inf
<<
sup
tambin
se manifiesta en la respuesta transitoria. En la figura 22 se representa la respuesta al
escaln tpica. Se observa que antes de que la primera exponencial (con constante de
tiempo
inf
) comience a bajar apreciablemente, ya se extingui la otra (con constante

sup
).
Figura 22. Respuesta temporal ante un escaln de un pasabanda
cuyas frecuencias de corte estn muy alejadas.
Y
o
t
y(t)

sup

inf
Por ltimo, si
inf
no es mucho menor que
sup
, entonces (81) no admite simpli-
ficaciones y por consiguiente ambas exponenciales tienen importancia en todo momen-
to, obtenindose una respuesta como la indicada en la fig. 23, alcanzando un mximo
menor que Y
o
.
Figura 23. Respuesta temporal ante un escaln de un pasabanda
cuyas frecuencias de corte estn relativamente prximas.
BIBLIOGRAFA
[1] Searle, C. - Boothroyd, A. - Angelo E. (Jr) - Gray, P. - Pederson, D., "Propiedades
de Circuito Elementales de los Transistores". Tomo 3 de la serie SEEC, Ed. Re-
vert S.A., Barcelona, 1971.
[2] Thornton, R. - Searle, C. - Pederson, D. - Adler, R. - Angelo E. (Jr), "Circuitos
Multietapa de Transistores". Tomo 5 de la serie SEEC, Ed. Revert S.A., Barcelo-
na, 1971.
[3] Gray, P. - Meyer, R., "Analysis and Design of Analog Integrated Circuits". Ed.
John Wiley & Sons, Inc., Ne York, 1977.
[4] Millman, J. - Halkias, C., "Integrated Electronics". Ed. McGraHill Kogakusha,
Tokyo, 1972 (hay edicin castellana).
[5] Texas Instruments, "Preferred Semiconductors and Components from Texas Ins-
truments". Dallas, 1968.
[6] Motorola, "RF Device Data, Vol I, Vol II". 1988.
[7] FAPESA, "Semiconductors and Integrated circuits, Part 3: High frequency tran-
sistors, Sitching transistors, Accesories". 1971.
Y
o
t
y(t)

sup

inf
INDICE ALFABETICO
Almacenadores de energa, 7
Amplificador sintonizado, 33
Amplificadores realimentados, 19
Ancho de banda, 34
Barrera interna de potencial, 24
Bibliografa, 42
Bode, diagrama de, 4, 9, 36, 38, 39
C

, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 28, 29, 30

Capacitores, teorema de los, 8
C
b
, 22
C
ds
, 34, 36
Ceros, 2, 6, 8, 12, 14, 15, 29
C
gd
, 34
C
gs
, 34
Circuito tanque RLC, 33
C
je
, 22
Constantes de tiempo, 5, 7, 8, 11, 15, 17, 40
Constantes de tiempo en circuito abierto, 16
Constantes de tiempo teorema de las, 8, 29, 30
Ecuacin de Ebers y Moll, 21
Etapa a transistor, 17
f

, 25, 26, 27, 28

f
b
, 28, 31, 33, 34
FET, 34, 35
Frecuencia de corte , 25
Frecuencia de corte transversal, 28, 32
Frecuencia de transicin, 23, 26
Frecuencia inferior de corte, 12, 14, 15, 16, 18
Frecuencia intermedia de TV, 31
Frecuencia superior de corte, 9, 14, 15, 16, 29
f
T
, 23, 26, 27, 29, 30
Funcin de transferencia, 2, 3, 4, 6, 9, 10, 11,
13, 39
Ganancia de Potencia, 34
g
m
, 21, 22, 30, 35
h
fe
, 17, 20, 22, 23, 24, 25, 26, 27
h
ie
, 17, 20, 25, 26
h
oe
, 20, 23, 26
h
re
, 20, 24, 26
Laplace, Transformacin de, 2
Modelo en pequea seal, 17, 34
Modelo hbrido , 21, 26, 27, 28, 32
Modelo hbrido h, 20, 25
Modelo y, 33
Modos naturales, 3
Parmetros , 28
Parmetros cuadripolares, 31
Parmetros h, 20, 21, 25
Pasaaltos de primer orden, 38
Pasabajos de primer orden, 37
Pasabanda de primer orden, 39
Polo dominante, 9
Polos, 2, 3, 4, 6, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 17,
29
Polos de alta frecuencia, 15
Polos de baja frecuencia, 15
Polos mltiples, 3
r

, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 28, 29

Red de rotacin de fase, 11
Rgimen libre, 3
Resistencia de salida, 23, 34
Resistencia extrnseca de base, 24
Resonancia, 34
Respuesta al escaln, 41
Respuesta en alta frecuencia, 16
Respuesta en baja frecuencia, 16, 17
Respuesta en frecuencia, 4, 5, 7, 11, 18, 19, 37,
38, 41
Respuesta transitoria, 41
r
o
, 23, 24, 29, 35
r
x
, 22, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 32
Tensin de Early, 23, 35
Teorema de los capacitores, 8
t
f
, 22
Tiempo de trnsito directo, 22
Tiempo de subida, 37
Transformacin de Laplace, 2
Transformacin inversa de Laplace, 2, 3, 37, 39
V
A
, 23, 24, 29, 35
y
fe
, 31, 32, 33, 34
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, 31, 33
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oe
, 31, 34
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re
, 31, 33
Comenzado 24/04/94
Primera edicin 25/05/94