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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > zirconium thin filmに関連した英語例文

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zirconium thin filmの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 54



例文

PRECURSOR FOR HEAPING ZIRCONIUM OXIDE THIN FILM AND HAFNIUM OXIDE THIN FILM例文帳に追加

ジルコニウム酸化物薄膜およびハフニウム酸化物薄膜を堆積するための前駆体 - 特許庁

The high dielectric thin film is an amorphous zirconium titanate high dielectric thin film having high dielectric characteristic.例文帳に追加

高誘電体特性を有するアモルファス構造のチタン酸ジルコニウム高誘電体薄膜。 - 特許庁

A base isolation layer 1 is prepared, and a first metallic thin film 2 comprising a titanium thin film or a zirconium thin film and a second metallic thin film 3 comprising a copper thin film are sequentially formed on the base isolation layer 1.例文帳に追加

ベース絶縁層1を用意し、そのベース絶縁層1の上に、チタン薄膜またはジルコニウム薄膜からなる第1金属薄膜2と、銅薄膜からなる第2金属薄膜3とを順次形成する。 - 特許庁

ZIRCONIUM NITRIDE THIN FILM, METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING THE THIN FILM, AND METHOD AND APPARATUS FOR FORMING COPPER WIRING例文帳に追加

窒化ジルコニウム薄膜及びその作製方法と作製装置、並びに銅配線形成方法及び形成装置 - 特許庁

例文

ION-ZIRCONIUM-BORON-SILVER SOFT MAGNETIC MATERIAL AND METHOD FOR DEPOSITION OF THIN FILM例文帳に追加

鉄−ジルコニウム−ホウ素−銀系軟磁性材料及び薄膜の製造方法 - 特許庁


例文

Thereafter, the first metallic thin film 2 is oxidized to form an isolation thin film 6 comprising the insulator of a titanium oxide thin film or zirconium oxide thin film, resulting in obtaining a flexible wiring circuit board.例文帳に追加

その後、第1金属薄膜2を酸化して、酸化チタン薄膜または酸化ジルコニウム薄膜の絶縁体からなる絶縁薄膜6を形成し、フレキシブル配線回路基板を得る。 - 特許庁

The engine parts excellent in wear resistance have a zirconium thin film on the surface of the base parts.例文帳に追加

耐摩耗性に優れるエンジンパーツおよびその製造方法が開示されている。 - 特許庁

ZIRCONIUM TERTIARY BUTOCYTRIS (β-DIKETONATE), METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING ZIRCONIUM- CONTAINING OXIDE THIN FILM USING THE SAME例文帳に追加

ジルコニウムターシャリブトキシトリス(β−ジケトネート)とその製造方法およびそれを用いたジルコニウム含有酸化物薄膜の製法 - 特許庁

ORGANIC ZIRCONIUM COMPOUND, ORGANIC SOLUTION CONTAINING THE SAME AND ZIRCONIUM-CONTAINING THIN FILM PREPARED BY USING THE SAME例文帳に追加

有機ジルコニウム化合物及び該化合物を含む有機溶液並びにそれを用いて作製されたジルコニウム含有薄膜 - 特許庁

例文

BARIUM TITANATE THIN FILM COMPRISING TITANIUM PARTIALLY SUBSTITUTED BY ZIRCONIUM, TIN OR HAFNIUM例文帳に追加

部分的にジルコニウム、スズまたはハフニウムによって置換されたチタニウムを有するチタン酸バリウム薄膜 - 特許庁

例文

RAW ZIRCONIUM MATERIAL FOR CVD AND METHOD FOR PRODUCING LEAD TITANATE ZIRCONATE-BASED THIN FILM例文帳に追加

CVD用ジルコニウム原料及びこれを用いたチタン酸ジルコン酸鉛系薄膜の製造方法 - 特許庁

In the structure, the titanium, tantalum or zirconium thin film and the protective thin film are formed on the surface of the substrate by performing a vapor deposition method or sputtering treatment to the substrate.例文帳に追加

その中、基板に対して、蒸着法やスパッタリング処理により、基板の表面に、チタンやタンタル或いはジルコニウム薄膜と保護薄膜が形成される。 - 特許庁

PRODUCTION OF STYRENE/MALEIC ANHYDRIDE COPOLYMER- ZIRCONIUM HYBRID, STYRENE/MALEIC ANHYDRIDE COPOLYMER- ZIRCONIUM HYBRID AND THIN FILM OR BULK FORM THEREOF例文帳に追加

スチレン/無水マレイン酸共重合体−ジルコニウムハイブリッドの製造方法、スチレン/無水マレイン酸共重合体−ジルコニウムハイブリッド及びその薄膜又はバルク体 - 特許庁

The nozzle of this invention has a sucking surface of a nozzle base material provided with a metal oxide thin film comprising zirconium component and metal component other than zirconium.例文帳に追加

本発明のノズルは、ノズル基材の吸着面に、ジルコニウム成分とジルコニウム以外の金属成分とを含有する金属酸化物薄膜を有する。 - 特許庁

To obtain a raw material including group 4 elements such as titanium, zirconium and hafnium suitable for producing a thin film by a CVD method, and also provide a method for producing the thin film using the material.例文帳に追加

CVD法による薄膜の製造に適した4族元素であるチタニウム、ジルコニウム及びハフニウム原料及びこれを用いた薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The zirconium oxide composite is obtained by dissolving zirconium sulfate in alcohol, dipping a substrate into the solution, and forming a zirconium oxide thin film on the substrate.例文帳に追加

本発明の課題は、硫酸ジルコニウムをアルコールに溶解し、その溶液中に基材を浸漬させ、該基材上にジルコニウム酸化物薄膜を形成させることにより得られるジルコニウム酸化物複合体によって解決される。 - 特許庁

In the thin film transistor, the active layer formed of a non-single crystal germanium film and a gate oxide film formed of a zirconium oxide or a hafnium oxide are formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に、非単結晶ゲルマニウム膜からなる活性層と、酸化ジルコニウム又は酸化ハフニウムからなるゲート酸化膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

In the case a yttrium source material and a zirconium source material are alternatively used as the metallic source materials, a thin film of yttrium stabilized zirconium oxide(YSZ) is deposited on a substrate.例文帳に追加

イットリウム源材料およびジルコニウム源材料を交互に金属源材料として使用すると、イットリウム安定化ジルコニウム酸化物(YSZ)薄膜が基板上に形成される。 - 特許庁

This coating liquid for forming the stain resistant thin film includes zirconium oxide particles having ≤5 nm mean particle diameter, one kind selected from the group consisting of a zirconium salt, an aluminum salt, the zirconium salt and aluminum salt, and a solvent, wherein the zirconium salt and aluminum salt are dissolvable in the solvent.例文帳に追加

本発明の防汚性薄膜形成用塗布液は、平均粒子径が5nm以下の酸化ジルコニウム粒子と、ジルコニウム塩、アルミニウム塩、ジルコニウム塩及びアルミニウム塩、の群から選択される1種と、溶媒とを含有し、このジルコニウム塩及びアルミニウム塩は、上記の溶媒に溶解可能である。 - 特許庁

The ceramic thin film is formed by adding a fluorine scavenger into an aqueous solution containing dissolved fluoro complex compounds of silicon, titanium, zirconium or the like so as to deposit a composite film containing silicon dioxide, titanium dioxide and zirconium oxide.例文帳に追加

セラミック薄膜は、珪素、チタン、ジルコニウム等のフルオロ錯化合物を溶解させた水溶液中に、フッ素捕捉剤を添加することにより、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化ジルコニウムを含有する複合膜を析出したものである。 - 特許庁

In the film multilayer structure, a thin layer mainly comprising epitaxial-grown zirconium oxide and the thin layer in which a (001) face is rotated in a 45° face to the thin layer mainly comprising zirconium oxide, and which has an epitaxial-grown simple perovskite structure, are formed, and an intermediate layer is formed between the thin layer having the simple perovskite structure mainly comprising zirconium oxide and the semiconductor substrate.例文帳に追加

エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して(001)面が45°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けられ、かつ、中間層が、酸化ジルコニウムを主成分と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に設けられている膜多層構造体とする。 - 特許庁

The engine part has metallic oxide thin film containing a zirconium component and a metallic component on the surface of a base material part.例文帳に追加

本発明のエンジンパーツは、基材パーツの表面に、ジルコニウム成分とジルコニウム以外の金属成分とを含有する金属酸化物薄膜を有する。 - 特許庁

This bearing has a zirconia film on the surface of a bearing base and this thin film is derived from zirconia film formation precursor composition including zirconium compound, amino polycarboxylic acid, amine, and solvent.例文帳に追加

本発明のベアリングは、ベアリング基材の表面にジルコニア膜を有し、該薄膜は、ジルコニウム化合物、アミノポリカルボン酸、アミンおよび溶媒を含有するジルコニア膜形成プレカーサー組成物由来の膜である。 - 特許庁

In the optical element 1 having this sort of configuration, the high refractive index film made of a titanium oxide-based thin film in a thin film for composing the optical multilayer film 3 is formed by titanium oxide containing at least one type selected from zirconium oxide, yttrium oxide, and hafnium oxide.例文帳に追加

このような構成を有する光学素子1において、光学多層膜3を構成する薄膜のうち、酸化チタン系薄膜からなる高屈折率膜は酸化ジルコニウム、酸化イットリウムおよび酸化ハフニウムから選ばれる少なくとも1種を含有する酸化チタンにより形成されている。 - 特許庁

To provide a composition containing a precursor suitable for producing a thin film with an MOD method, which contains a metallic element selected from between titanium and zirconium and lead, and to provide a method for producing the thin film with the use of the composition.例文帳に追加

チタニウム及びジルコニウムから選ばれる金属元素と鉛とを含有する薄膜をMOD法によって作製するのに適したプレカーサを含有する組成物、及び該組成物を用いた薄膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the subject process, tin whisker generation is inhibited through a pre-treatment step wherein (a) a metal thin film for base coating selected from silver, palladium, platinum, bismuth, indium, nickel, zinc, titanium, zirconium, aluminum, chromium and antimony is formed on the material to be plated, and (b) a tin- or thin alloy-plated film is formed on the metal thin film.例文帳に追加

(a)銀、パラジウム、白金、ビスマス、インジウム、ニッケル、亜鉛、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、クロム、アンチモンよりなる群から選ばれた下地用の金属薄膜のいずれかを被メッキ物上に形成した後、(b)上記下地金属の薄膜上にスズ又はスズ合金のメッキ皮膜を形成する前処理によるスズホイスカーの防止方法である。 - 特許庁

Furthermore, a zinc oxide thin film is formed which includes 10-2,000 ppm zirconium, and has ≥10 Ω cm resistivity and ≥75% transmittance of a wavelength of 500 nm in the case of a film thickness of 100 nm.例文帳に追加

またジルコニウムを10〜2000ppm含有し、抵抗率が10Ω・cm以上であり、膜厚100nmのとき、波長500nmの透過率が75%以上の酸化亜鉛薄膜を製造する。 - 特許庁

The thin film is derived from a zirconia film forming precursor composition containing a zirconium compound, aminopolycarboxylic acid, amines and a solvent.例文帳に追加

本発明のエンジンパーツは、基材パーツの表面に、ジルコニウム膜を有する、エンジンパーツであって、該薄膜が、ジルコニウム化合物、アミノポリカルボン酸、アミンおよび溶媒を含有するジルコニア膜形成プレカーサー組成物由来の膜である。 - 特許庁

The antifouling product is obtained by forming an antifouling thin film on the surface of a substrate, wherein the antifouling thin film contains70 mass% of zirconium oxide (ZrO_2) and a halogen element has been impregnated or diffused into the film from the surface thereof.例文帳に追加

本発明の防汚性製品は、基体の表面に防汚性薄膜を形成してなる防汚性製品であり、この防汚性薄膜は、酸化ジルコニウム(ZrO_2)を70質量%以上含有するとともに、その表面から内部にハロゲン元素を浸透または拡散した。 - 特許庁

ZIRCONIUM (IV) CHELATE COMPLEX, METHOD FOR SYNTHESIZING THE SAME, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPLEX AND HIGH-DIELECTRIC THIN FILM PRODUCED BY USING THE COMPLEX OR THE SOLUTION RAW MATERIAL例文帳に追加

ジルコニウム(IV)キレート錯体及びその合成方法並びに該錯体を含む溶液原料、該錯体又は該溶液原料を用いて作製された高誘電体薄膜 - 特許庁

The glass for the electric bulb has a zirconia film on the surface of an electric bulb glass base material, and a thin film is manufactured from a zirconia film forming a precursor composition containing a zirconium compound, amino polycarboxylic acid, amine and a solvent.例文帳に追加

本発明の電球用ガラスは、電球ガラス基材表面に、ジルコニア膜を有する電球用ガラスであり、該薄膜は、ジルコニウム化合物、アミノポリカルボン酸、アミンおよび溶媒を含有するジルコニア膜形成プレカーサー組成物より製造される。 - 特許庁

This glass sheet for the mirror has a zirconia film on the surface of a glass base material and this thin film is manufactured from a zirconia film forming precursor composition containing a zirconium compound, an aminopolycarboxylic acid, an amine and a solvent.例文帳に追加

本発明の鏡用ガラス板は、ガラス基材表面に、ジルコニア膜を有する鏡用ガラス板であり、該薄膜は、ジルコニウム化合物、アミノポリカルボン酸、アミンおよび溶媒を含有するジルコニア膜形成プレカーサー組成物より製造される。 - 特許庁

The thin film is produced from a zirconia film forming precursor composition containing a zirconium compound, an aminopolycarboxylic acid, an amine and a solvent.例文帳に追加

本発明のディスプレイ用ガラスは、ディスプレイガラス基材表面に、ジルコニア膜を有するディスプレイ用ガラスであり、該薄膜は、ジルコニウム化合物、アミノポリカルボン酸、アミンおよび溶媒を含有するジルコニア膜形成プレカーサー組成物より製造される。 - 特許庁

The thin film is produced from a zirconia film deposition precursor composition containing a zirconium compound, an aminopolycarboxylic acid, an amine and a solvent.例文帳に追加

本発明の建材用ガラスは、建材ガラス基材表面に、ジルコニア膜を有する建材用ガラスであり、該薄膜は、ジルコニウム化合物、アミノポリカルボン酸、アミンおよび溶媒を含有するジルコニア膜形成プレカーサー組成物より製造される。 - 特許庁

The thin film is of a zirconia film forming precursor composition containing a zirconium compound, an aminopolycarboxylic acid, an amine and a solvent.例文帳に追加

本発明の金属製家具は、家具用金属基材の表面に、ジルコニア膜を有する、金属製家具であって、該薄膜が、ジルコニウム化合物、アミノポリカルボン酸、アミンおよび溶媒を含有するジルコニア膜形成プレカーサー組成物由来の膜である。 - 特許庁

The thin film is produced from a zirconia film deposition precursor composition containing a zirconium compound, an aminopolycarboxylic acid, an amine and a solvent.例文帳に追加

本発明の自動車用ガラスは、自動車ガラス基材表面に、ジルコニア膜を有する自動車用ガラスであり、該薄膜は、ジルコニウム化合物、アミノポリカルボン酸、アミンおよび溶媒を含有するジルコニア膜形成プレカーサー組成物より製造される。 - 特許庁

The thin film contains zirconium oxide or hafnium oxide and crystallized titanium oxide and retains a contact angle to water of 40° or larger on irradiation with light.例文帳に追加

酸化ジルコニウム又は酸化ハフニウム及び結晶化した酸化チタンを含む薄膜であって、光照射に対し、水に対する接触角が40°以上を維持することを特徴とする薄膜である。 - 特許庁

The anode substrate has a thin film including at least one element selected from the group consisting of tantalum, zirconium and niobium, formed on the surface of the electroconductive metal substrate.例文帳に追加

導電性金属基体表面に、タンタル、ジルコニウムおよびニオブよりなる群から選択される少なくとも1つの元素を含む薄膜が形成されていることを特徴とする陽極基体。 - 特許庁

The thin film is derived from a precursor composition for the formation of a zirconia film containing zirconium compounds, amino polycarboxylic acids, amines and solvents.例文帳に追加

本発明の陶磁器製食器は、陶磁器製基材容器表面に、ジルコニア膜を有する陶磁器製容器であり、該薄膜はジルコニウム化合物、アミノポリカルボン酸、アミンおよび溶媒を含有するジルコニア膜形成プレカーサー組成物由来の膜である。 - 特許庁

This thin film has high dielectric constant with respect to silicon dioxide and is a high dielectric constant film formed by containing a) doping metal, b) metal selected from among a group consisting of zirconium(Zr) and hafnium(Hf) and c) oxygen.例文帳に追加

二酸化シリコンに対して、高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜が、a)ドーピング金属と、b)ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなる群から選択される金属と、c)酸素とを含むことにより、高誘電体膜が形成される、薄膜。 - 特許庁

The high dielectric thin film is formed by applying a sol-gel solution which is prepared by hydrolyzing a solution containing zirconium alkoxide and titanium alkoxide to a substrate and firing the resultant substrate preferably at 350 to 700°C.例文帳に追加

上記高誘電体薄膜は、ジルコニウムアルコキシドとチタンアルコキシドを含む溶液を加水分解したゾル−ゲル液を、基板上に塗布し、好ましくは350〜700℃の温度範囲内で焼成することによって形成する。 - 特許庁

To obtain a zirconium complex having a broad temperature range in which the amount of deposited zirconium has no change depending on substrate temperature and which is overlapped to the temperature range having no change in the amount of deposited lead and titanium in preparing a PZT (plumbum zirconate titanate)-based thin film by solution vaporization CVD (chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

溶液気化CVD法によるPZT系薄膜の作製において基板温度に対するジルコニウム堆積量の変化がない温度範囲が広く、かつその温度領域が基板温度に対する鉛、チタン堆積量の変化がない温度範囲と重なる範囲が広いジルコニウム錯体を提供する。 - 特許庁

In the process of preparing raw material solution for a ferroelectric thin film which comprises lead acetate, zirconium acetylacetonate and titanium tetraisopropoxide as raw materials, butoxyethanol as a solvent, and diethanolamine and polyethylene glycol as additives, the amount of diethanolamine in the raw material solution is four times or more of total mol numbers of zirconium and titanium in the raw material solution.例文帳に追加

酢酸鉛、ジルコニウムアセチルアセトナートおよびチタニウムテトライソプロポキシドを原料に含み、ブトキシエタノールを溶媒とし、ジエタノールアミンおよびポリエチレングリコールを添加した強誘電体膜用原料溶液について、原料溶液中のジエタノールアミンの量を、原料溶液中のジルコニウムとチタンのモル数の和の4倍以上とする。 - 特許庁

The high-purity organozirconium compound useful as a precursor for forming a thin film, which has ≤1ppm content of titanium element is obtained by reacting zirconium tetrachloride with an alcohol and performing a distillation.例文帳に追加

四塩化ジルコニウムとアルコールまたはアミンを反応させた後蒸留することにより、チタニウム元素の含有量が1ppm以下である薄膜形成用プレカーサとして有用な高純度有機ジルコニウム化合物を得ることができる。 - 特許庁

In this case, the films 3, 4 are capable of being at least one of strontium oxide, magnesium oxide, cerium oxide, zirconium oxide, yttrium stabilized zirconium oxide, and a strontium titanate, the inorganic amorphous layer or the organic solid layer 2 are capable of being silicon oxide, and a piezoelectric or ferroelectric material, for example, is used as the thin film 5.例文帳に追加

ここで前記酸化物薄膜層3、4は酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、イットリウム安定化酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウムのうち少なくとも一つであり得、また上記無機アモルファス層又は有機固体層2は酸化シリコンであり得、また前記ペロブスカイト型酸化物薄膜5には、例えば圧電材料又は強誘電体を用いる。 - 特許庁

The halftone phase shift mask 100 having a transparent region 23 and a semitransparent region 24 comprising a phase shift pattern 21a is obtained by pattering a halftone phase shift mask blank 10 prepared by forming a semitransparent layer 21 comprising a metal silicide compound thin film containing zirconium, metal except for zirconium, and silicon, on a transparent substrate 11 consisting of a quartz glass substrate or the like.例文帳に追加

石英ガラス基板等からなる透明基板11上にジルコニウムと、ジルコニウム以外の金属と、シリコンとを含んだ金属シリサイド化合物薄膜からなる半透明膜層21を形成したハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス10をパターニング処理して、透明領域23と位相シフトパターン21aとからなる半透明領域24とを有するハーフトーン型位相シフトマスク100を得る。 - 特許庁

The combustibility activation member 1 is constituted by forming a thin film layer 3 including titanium oxide on the outside of nonwoven fabric 2, by painting tourmaline powder in this nonwoven fabric and painting zirconium dioxide powder and silicon dioxide powder inside, with the nonwoven fabric 2 as a structure.例文帳に追加

燃焼性活性化部材1は、不織布2を構造体とし、この不織布に対してトルマリン粉末が塗りこまれるとともに、二酸化ジルコニウム粉末と二酸化ケイ素粉末とが塗りこまれ、不織布2の外側に酸化チタンを含む薄膜層3が形成されて構成されている。 - 特許庁

To provide a high-purity hafnium which is obtained by an efficient, stable production method and in which the zirconium content contained in hafnium is reduced, and also to provide a target and a thin film comprising the hafnium, and a production method of the high-purity hafnium.例文帳に追加

ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜を提供する。 - 特許庁

In an electrode substrate 1 provided with a substrate 10 on which a laminated film 5 comprising at least a lower oxide layer 2, a silver based thin film 3 and an upper oxide layer 4 are laminated successively, the lower oxide layer 2 comprises mixed oxide prepared by mixing cerium oxide as a main component and one or more oxides selected from the group of yttrium oxide, zirconium oxide, niobium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide and tungsten oxide.例文帳に追加

基板上に少なくとも、下側酸化物層、銀系薄膜および上側酸化物層を順次積層した積層膜を配設した電極基板において、下側酸化物層を、酸化セリウムを主材とし、これに酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化タンタル、および酸化タングステンのうちから選ばれた1種類以上の酸化物を混合した混合酸化物とすることを特徴とする電極基板。 - 特許庁

例文

A liquid raw material for forming a composite oxide system dielectric thin film by the MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method dissolves an organic metal compound (Pb(DPM)_2 and Zr(DPM)_4, Zr(dmhd)_4) wherein a plurality of ligands (DPM and dmhd) of the same kinds are coordinated with metal atoms (lead and zirconium) into a single solvent of cyclohexane.例文帳に追加

本発明のMOCVD法による複合酸化物系誘電体薄膜形成用溶液原料は、金属原子(鉛やジルコニウム)に同一種類の配位子(DPMやdmhd)を複数個配位させた有機金属化合物(Pb(DPM)_2やZr(DPM)_4、Zr(dmhd)_4)をシクロヘキサンの単一溶媒に溶解させたことを特徴とする。 - 特許庁




  
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