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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > underlying typeに関連した英語例文

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underlying typeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 42



例文

type The type of the underlying access method (and file format). 例文帳に追加

type用いられているアクセスメソッド (とファイルフォーマット) の型。 - JM

Descriptors represent underlying objects supported by the kernel, and are created by system calls specific to the type of object. 例文帳に追加

記述子は、カーネルでサポートされるオブジェクトを表します。 - FreeBSD

An object that holds the value data, and whose type depends on the underlying registry type例文帳に追加

値のデータを保持するためのオブジェクトで、その型は背後のレジストリ型に依存します - Python

As the solder resist 8 of the underlying layer, a photograph-type photosensitive resist 11 or a print-type print resist is used.例文帳に追加

下地層のソルダーレジスト8としては、写真方式の感光性レジスト11や、印刷方式の印刷レジストが用いられる。 - 特許庁

例文

a type of tumor in which surface epithelial cells grow downward into the underlying supportive tissue. 例文帳に追加

上皮細胞表面に発生し、その下の支持組織に向かって下方成長するがんの一種。 - PDQ®がん用語辞書 英語版


例文

A "Type C" fault is recognized and activated when all of a predetermined group of underlying "Type A" or "Type B" fault codes have been activated (42).例文帳に追加

所定のグループの基礎となる“タイプA”または“タイプB”の障害コードの全てが活性化されたとき(42)に、“タイプC”障害を認識し活性化する。 - 特許庁

P-type well areas 205 underlying vertical transfer register sections 80 are formed at deep positions in an N-type semiconductor substrate 60 in the thickness direction of the substrate 60.例文帳に追加

垂直転送レジスタ部80の下層のP−型ウエル領域205を半導体基板60の板厚方向に深い位置まで形成する。 - 特許庁

A first layer 12 is formed on an underlying substrate having a front layer composed of a first conductive type of semiconductor.例文帳に追加

表層部が第1導電型の半導体からなる下地基板の上に第1の層12が形成されている。 - 特許庁

The "Type C" fault is displayed, while the underlying faults may or may not be displayed.例文帳に追加

“タイプC”障害は、その基礎となる障害が表示されていたりあるいは表示されていなかったりする間に表示する。 - 特許庁

例文

The current flowing between the active layer 6 including an pn junction interface and the n-type GaAs substrate 1 is suppressed by making the conductivity type of an underlying heterobarrier layer 5 same as that of a part abutting on the underlying heterobarrier layer 5 of the active layer 6.例文帳に追加

さらに、下ヘテロ障壁層5の導電型を活性層6の下ヘテロ障壁層5に接する部分の導電型と同一にしてpn接合界面を含む活性層6とn型GaAs基板1との間に流れる電流を抑えるようにした。 - 特許庁

例文

9 The vega risk is often specified as interest rate risk, foreign exchange risk, stock risk, commodity risk, etc. according to the type of the relevant underlying asset. 例文帳に追加

9ベガ・リスクは、原資産の内容により、金利リスク、為替リスク、株式リスク、コモディティ・リスク等の分類で特定される場合が多い。 - 金融庁

10 The gamma risk is often specified as interest rate risk, foreign exchange risk, stock risk, commodity risk, etc. according to the type of the relevant underlying asset. 例文帳に追加

10ガンマ・リスクは、原資産の内容により、金利リスク、為替リスク、株式リスク、コモディティ・リスク等の分類で特定される場合が多い。 - 金融庁

9 The vega risk is often specified as interest rate risk, foreign exchange risk, stock risk, commodity risk, etc. according to the type of the relevant underlying asset. 例文帳に追加

9 ベガ・リスクは、原資産の内容により、金利リスク、為替リスク、株式リスク、コモディティ・リスク等の分類で特定される場合が多い。 - 金融庁

10 The gamma risk is often specified as interest rate risk, foreign exchange risk, stock risk, commodity risk, etc. according to the type of the relevant underlying asset. 例文帳に追加

10 ガンマ・リスクは、原資産の内容により、金利リスク、為替リスク、株式リスク、コモディティ・リスク等の分類で特定される場合が多い。 - 金融庁

The "Type C" fault provides a better and more immediate indication of the source of the engine problem than any of the underlying faults.例文帳に追加

この“タイプC”障害は、その基礎障害のいずれかよりもエンジン問題のソースのより良好でかつより即時の指示を提供する。 - 特許庁

Next, an n-type conductive layer 14, a light emitting layer 15, a p-type cladding layer 16, and a p-type conductive layer 17 are constituted from such a nitride semiconductor layer that contains less Al content than that of underlying layer 13.例文帳に追加

次いで、n型導電層14、発光層15、p型クラッド層16及びp型導電層17を下地層13よりもAlの少ない含有量となるような窒化物半導体層から構成する。 - 特許庁

Therefore, a surge current gets away to a silicon substrate 1 through the P-N junction before the N^--type drain layer 2 underlying a gate electrode 6 is thermally broken.例文帳に追加

このため、ゲート電極6の下のN−型ドレイン層2が熱破壊する前に、サージ電流はこのPN接合を通ってシリコン基板1に逃げる。 - 特許庁

The invention relates to the forming of a PMOS transistor, and in the forming, the layer of silicon or SiGe restrains a p-type dopant from invading into an underlying gate dielectric layer.例文帳に追加

本発明はPMOSトランジスタの形成に関し、この形成において、シリコン又はSiGeの層は、p型ドーパントが、下にあるゲート誘電体層に入り込むことを抑制する。 - 特許庁

The well areas 205 reach the vicinities of P-type well layers 201 and inhibit the horizontal movement of charges in the underlying layers of the register sections 80.例文帳に追加

このP−型ウエル領域205は、P−型ウエル層201の近傍位置まで達しており、垂直転送レジスタ部80の下層の電荷の水平方向の移動を阻止する。 - 特許庁

In some embodiments, a growth substrate on which an n-type region, an active region, and a p-type region grow are removed, to facilitate formation of a photonic crystal in the n-type region of the device and to facilitate forming a reflector on the surface of a p-type region underlying the photonic crystal.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、n型領域と、活性領域と、p型領域とが成長する成長基板は、装置のn型領域に光結晶を形成することを容易にし、光結晶の下にあるp型領域の表面上に反射体を形成することを容易にするために除去される。 - 特許庁

The deep P-type well areas 205 are formed to inhibit the horizontal movement of charges stored in a sensor section 70 through N-areas underlying the register sections 80.例文帳に追加

そして、このような深いP−型ウエル領域205によって、センサ部70の蓄積電荷が垂直転送レジスタ部80の下層のN領域を通って水平方向に移動するのを阻止する。 - 特許庁

The return value is always a string, with a return value whose format depends upon the PHP type of $value: If $value is a string, the method returns a string that is properly quoted and escaped for the underlying RDBMS. 例文帳に追加

返り値は常に文字列で、そのフォーマットは $value のデータ型によって異なります。 $value が文字列の場合は、このメソッドは実際の RDBMSにあわせて適切にクォートやエスケープをした文字列を返します。 - PEAR

The CPP type magnetoresistive effect element has a multilayer ferry spin valve structure including an underlying layer, a fixed ferromagnetic layer, a nonmagnetic metal intermediate layer and a free ferromagnetic layer wherein the free ferromagnetic layer is composed of CoFeAl or CoMnAl of specified composition and the underlying layer consists of an amorphous metal lower layer and a nonmagnetic metal upper layer.例文帳に追加

下地層、固定強磁性層、非磁性金属中間層、自由強磁性層を含む積層フェリスピンバルブ構造を有し、自由強磁性層を特定組成のCoFeAlまたはCoMnAlとしたCPP型の磁気抵抗効果素子であって、下地層がアモルファス金属下層と非磁性金属上層とから成る。 - 特許庁

To provide an underlying paper feeding type feeder capable of suppressing the occurrence of missing in feed, such as an overlapping feed and a lost feed of documents, without regulating the press force of a paper feeding part against a transport roller.例文帳に追加

搬送ローラに対して給紙部の押圧力を調整することなしに、原稿の重ね送りや空送りのミスフィードの発生を抑制することができる下取り給紙方式の給紙装置を提供する。 - 特許庁

To simplify the fabrication process of a constriction type LED by decreasing the number of times of epitaxial growth process, and to prevent overetching of an underlying layer at the time of removing the constriction layer partially by etching.例文帳に追加

狭窄型LEDにおいて、エピタキシャル成長工程の回数を減らして製造プロセスを簡単化するとともに、狭窄層を部分的にエッチング除去する際に、その下層に対するオーバーエッチングを有効に防止する。 - 特許庁

A higher compression rate is set for the underlying image not influenced significantly by the compression rate, and a highest compression rate in an (allowable) range causing no image deterioration is set for other image (image to be formed) (S4) depending on the type of the image by judging the type of image (S3).例文帳に追加

その際,圧縮率の影響が少ない下地画像については,より高圧縮率を設定し,その他の画像(形成画像)については,その画像の種類を判別し(S3),その画像の種類に応じて画像劣化が生じない(許容される)範囲で最も高い圧縮率を設定する(S4)。 - 特許庁

To prevent a variation in the threshold voltage of a p-channel MIS transistor by preventing p-type impurities in a p-type silicon layer employed in a gate electrode from being diffused into an underlying semiconductor substrate through a gate insulation film when a high dielectric film is employed as the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜として高誘電体膜を用いた場合に、ゲート電極に用いられるp型シリコン層中のp型不純物がゲート絶縁膜を通過して下地の半導体基体に拡散するのを防止し、pチャネルMISトランジスタのしきい値電圧の変動を防止する。 - 特許庁

(1) The amount is calculated by multiplying the quantity of short positions or long positions of the underlying asset by the amount corresponding to 18 percent of the current market value of such underlying asset and coefficient, by expiration month of each transaction and by each type of Listed Commodity or Listed Commodity Index subject to transactions on the Commodity Market, or Listed Commodity Component Products, etc., subject to Over-the-Counter Commodity Futures Transactions. 例文帳に追加

(1) 一の取引の限月ごと、かつ、商品市場で取引の対象とされる一の上場商品若しくは上場商品指数の種類又は店頭商品先物取引の対象とされる上場商品構成物品等ごとに、原資産の売建玉又は買建玉の数量に当該原資産の時価の十八パーセントに相当する額及び倍率を乗じた額 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To obtain a fire-fighting equipment of a mechanical type sky parking garage where the dead angle of a shedding region is canceled in a vehicle on an underlying pallet, the sharp decrease of the fire extinguishing efficacy is escaped, and the matched fire extinguishing efficacy is acquired over all the pallets of the sky parking garage.例文帳に追加

下方のパレット上の車両に放出域の死角が解消されてその消火効果の激減が免れ,立体駐車場の全パレットにわたって同等の消火効果が得られる機械式立体駐車場の消火設備を得る。 - 特許庁

To provide a one pack type urethan primer composition capable of eliminating indoor environmental pollution accompanying with the use of toluene, xylene, etc., excellent in solubility with a urethan prepolymer, and also excellent in close adhesion with concrete, mortar, plywood and calcium silicate-underlying material, and durability.例文帳に追加

本発明は、トルエン、キシレン等の使用に伴う室内環境汚染をなくし、ウレタンプレポリマーとの溶解性に優れ、コンクリート、モルタル、合板、ケイカル下地への密着性、耐久性に優れた一液ウレタンプライマー組成物を得ることを目的としている。 - 特許庁

Firstly, electrolytic plating of copper is performed by using an underlying metal layer 6 as a deposition current path, thereby forming a re-wiring layer 7 on an upper surface of the metal layer 6 in an opening 12 of a first plating resist film 11 composed of positive type liquid resist of novolac system resin.例文帳に追加

まず、下地金属層6をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、ノボラック系樹脂のポジ型の液状レジストからなる第1のメッキレジスト膜11の開口部12内における下地金属層6の上面に再配線7を形成する。 - 特許庁

To prevent an interconnetion material from intruding into the contact interface of a semiconductor layer and an insulation film by preventing open circuit of a barrier metal underlying the electrode of a bipolar transistor or an MIS type capacitive element.例文帳に追加

バイポーラトランジスタやMIS型容量素子における電極の下層に設けられたバリアメタルの断線を防止し、半導体層と絶縁膜との接触界面への配線材料の侵入を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain the superlattice diffractions of an ordered structure, first locate the fundamental diffractions of the underlying lattice (ignore the atom type). Next locate the diffractions from a modified lattice where one species of atoms is removed. 例文帳に追加

秩序構造から超格子(反射の)回折を得るためには、最初に、基底になっている格子の基本回折の位置を突き止める (原子の種類は無視する)。次に、原子の1つの核種が取り除かれた(部分的に)変えられた格子からの回折の位置を突き止める。 - 科学技術論文動詞集

An activated p-type impurity is doped to a region underlying the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and the activated n-type impurity is doped to a region excluding an area underlying the gate electrode.例文帳に追加

本発明による多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置は、多結晶半導体層は上面に絶縁膜を介してゲート電極が形成されており、このゲート電極の一方の側の多結晶半導体層をドレイン領域、他方の側の多結晶半導体層をソース領域とするもので、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側の領域には活性化されたp型不純物が注入されており、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側以外の領域には活性化されたn型不純物が注入されているというものである。 - 特許庁

To prepare a chipping-resistant transparent coating film which allows utilization of the color, as it is, of an underlying formed by applying an environment-friendly water-dispersion-type transparent coating material with a sufficient thickness, is energy-saving by low-temperature drying and readily dried by humidification and achieves sufficient chipping resistance.例文帳に追加

耐チッピング透明塗膜において、環境にやさしい水分散系の透明な塗料を充分な厚さに塗布して下地の着色をそのまま生かせて、低温乾燥できて省エネルギーにもなり、加湿することで短時間で乾燥でき、充分な耐チッピング性が得られること。 - 特許庁

Plating of a second metal film is performed at the aperture of the umbrella part using the first metal thin film as a plating electrode, resist is removed, the first metal thin film of an underlying layer is removed using the second metal at the umbrella part as a mask, and then the first resist is removed to form a T-type gate.例文帳に追加

第1の金属薄膜をめっき電極とし、傘部の開口部に第2の金属膜のめっきを行い、レジスト除去、傘部の第2の金属をマスクに下層の第1の金属薄膜を除去、第1のレジストを除去する事によりT型ゲートを形成する。 - 特許庁

Amid all these efforts, the disclosure of information on investments in funds and securitized products has dramatically improved, in terms not only of such qualitative information as the risk management policies and processes, but also of such quantitative information as the exposure of securitized products by type of underlying assets and by risk weight category. 例文帳に追加

こうした中、金融機関のファンド投資や証券化商品の取引についても、各金融機関のリスク管理方針等の定性情報のみならず、証券化商品の原資産の種類別、リスク・ウェイト区分別のエクスポージャー等の定量情報の開示が飛躍的に向上している。 - 金融庁

To provide manufacturing method of a gas discharge type display apparatus being able to restrain generation of air bubble in a dielectric layer formed in simple process without much energy required when burning, in forming the dielectric layer, barrier rib underlying layer or a barrier rib.例文帳に追加

グリーンシートを用いて誘電体層や隔壁下地層或は隔壁を形成する上で、工程が簡素で、焼成時に多くのエネルギを要することなく、形成される誘電体層などに気泡が生じるのを抑制することのできるガス放電型表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An underlying factor in this trend in telecommunications was that foreign companies entered Japan’s market as a result of deregulations in Type 1 carriers. As for the trend in finance and insurance, this was brought about by buyouts performed by foreign capital that took over life insurance companies and consumer finance companies.例文帳に追加

こうした背景には、通信分野では第1種電気通信事業の規制緩和に伴う外資企業の日本市場への参入、金融・保険分野では経営破綻した生命保険会社や消費者金融会社の受け皿としての外資による買収等が挙げられる。 - 経済産業省

In a MIS-type GaN-FET, a conductive nitride, in which oxygen is not included on a surface layer 5 being a nitride semiconductor layer, here, an underlying layer 9 made of TaN, is arranged so as to cover the lower face of a gate insulating film 11, made of Ta_2O_5, at least immediately under a gate electrode 12.例文帳に追加

MIS型のGaN−FETにおいて、少なくともゲート電極12直下におけるTa_2O_5からなるゲート絶縁膜11の下面を覆うように、窒化物半導体層である表面層5上に酸素を含有しない導電性窒化物、ここではTaNからなる下地層9を配する。 - 特許庁

Also, from the perspective of utilizing the market discipline to ensure the appropriateness of ratings that are assigned to securitization exposures, the disclosure of detailed information, for example, on the type of underlying assets, subordination ratio, and an overview of the scheme of each securitized product has to be disclosed if the ratings are to be used for calculation of regulatory capital under Basel II. 例文帳に追加

また、証券化エクスポージャーの格付けについては、市場規律を通じてその適正さを担保する観点から、個々の証券化案件の原資産の種類、劣後比率及びスキームの概略等の案件情報を含む詳細な情報開示を、所要自己資本の算出に用いる際の条件としている。 - 金融庁

例文

The MOS power device 600 comprises a substrate 601 having an upper layer 602 having an upper surface 605 and a drain region 603 underlying it, a first conductance type well region 604 on the drain region in the upper layer, and a plurality of gates buried in trenches 607 extending from the upside of the upper layer into the drain region via the well region.例文帳に追加

上部表面605とその下に在るドレイン領域603とを有する上部層602を含む基板601と、ドレイン領域の上に在って上部層内に配置された第1のコンダクタンス型の井戸領域604と、上部層の上部表面から井戸領域を通ってドレイン領域内に延びるトレンチ607に埋め込まれた複数のゲートを含むMOSパワーデバイス600。 - 特許庁




  
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