「thin films」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a UV light irradiating apparatus which effectively cures thin films on a semiconductor substrate with UV light.例文帳に追加

半導体基板上の薄膜を紫外線により効率的にキュアするための紫外線照射装置及び方法を与える。 - 特許庁

To provide a thin film transistor having high adhesive strength between a barrier film and drain electrode and source electrode films.例文帳に追加

バリア膜とドレイン電極膜およびソース電極膜が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。 - 特許庁

In addition, lead-out electrodes 13 are formed on both ends of the thin film 12 and the permanent resist films 14.例文帳に追加

さらに、機能薄膜部分１２の両端と永久レジスト膜１４の上に外部取り出し用電極１３を形成する。 - 特許庁

To provide a film carrying-out device that carries thin-plate films stored in a stocker out of the stocker, sheet by sheet.例文帳に追加

ストッカーに収容された薄板フィルムを１枚づつストッカー外部に搬出するフィルム搬出装置を提供する。 - 特許庁

A multilayer of thin films of the target materials are formed on the substrate 5 by switching the targets to charge the power.例文帳に追加

電力を投入するターゲットを切り替えることにより、基板５上にターゲット材料の薄膜が多層に成膜される。 - 特許庁

To provide a process for depositing yttrium oxide and lanthanum oxide thin films by an ALE (atomic layer epitaxial growth) process.例文帳に追加

ＡＬＥプロセスによって酸化イットリウム薄膜および酸化ランタン薄膜を堆積させるための方法を提供すること。 - 特許庁

The circumference section 4 is constituted of thin films and includes four circular arc sections 4-1 to 4-4 connected mechanically sequentially.例文帳に追加

周回部４は、薄膜で構成され順次機械的に接続された４つの円弧状部４−１〜４−４を含む。 - 特許庁

As the core member, a ferrite plate, a prescribed composite material, or a laminated body of thin films or plates of soft magnetic metal is used.例文帳に追加

磁芯部材は、フェライト板、所定の複合材、又は軟磁性金属の薄膜又は薄板の積層体が使用される。 - 特許庁

A sample for analyzing such a thin film is destroyed and analyzed in order from an upper layer to a lower layer to obtain a relation between the growing conditions and the quality of the plurality of the thin films.例文帳に追加

そして、このような薄膜分析用サンプルを上層から下層へ順番に破壊分析して、成長条件と複数の薄膜の膜質との関係を得る。 - 特許庁

The first and second SrTiO_3 thin films 4 and 6 are larger in breakdown voltage than the (Na, K, Li)NbO_3 piezoelectric thin film 5, and each of their breakdown voltages is 1 MV/cm or more.例文帳に追加

第１および第２のＳｒＴｉＯ_３薄膜４，６は、（Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）ＮｂＯ_３圧電薄膜５よりも絶縁耐圧が大きく、１ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁耐圧を有する。 - 特許庁

To recover thin films like a metallic thin film formed on a glass substrate without breaking the waste liquid crystal panel, and to obtain high throughput.例文帳に追加

廃液晶パネルを破砕することなく、ガラス基板に形成されている金属薄膜等の薄膜を回収することができ、高いスループットが実現できるようにする。 - 特許庁

In an embodiment, a system and a method for epitaxial thin film formation are provided, including a system and a method for forming binary compound epitaxial thin films.例文帳に追加

実施態様において、二成分化合物のエピタキシャル薄膜を形成するためのシステムと方法を含むエピタキシャル薄膜形成ためのシステムと方法が提供されている。 - 特許庁

In other words, the thin-film capacitor 10 has achieved capacitance increase, without making each of the dielectric films 16A, 16B, and 16C thin, to a thickness where migration occurs.例文帳に追加

つまり、薄膜コンデンサ１０は、各誘電体膜１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃを、マイグレーションが発生する厚さまで薄膜化することなく、静電容量の増大が実現されている。 - 特許庁

Thin films with lead-based perovskite structure such as a PLZT film, a PZT film, a PLT film, a PT film, a PCZT film are suitable as the pyroelectric thin film 22.例文帳に追加

焦電薄膜２２としては、ＰＬＺＴ膜、ＰＺＴ膜、］ＰＬＴ膜、ＰＴ膜、ＰＣＺＴ膜等の鉛系ペロブスカイト構造の焦電薄膜が好適である。 - 特許庁

The integrated thin-film laminated structure is manufactured by depositing thin films in a non-reciprocal process while rotating a cylindrical or polygonal column substrate 53.例文帳に追加

円柱状または多角柱状の基体５３を回転させながらノンレシプロカルな工程で薄膜を累積することにより、一体化した薄膜積層構造体を製造する。 - 特許庁

To provide a thin film forming method which does not prolong the time for gas discharge and can improve productivity even if the number of sheets of the formed thin films increases.例文帳に追加

薄膜形成枚数が増えた場合であっても、排気時間が長くなることがなく、生産性の向上を図ることができる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The light shielding film 120 formed on a TFT substrate 10 is constituted of a three layered structure wherein an interlayer thin film 122a is held between light shielding thin films 121a and 121a of upper and lower layers.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１０に形成する遮光膜１２０を、上層と下層の遮光薄膜１２１ａ，１２１ａで層間薄膜１２２ａを挟んだ三層構造とする。 - 特許庁

Further, thin films 2a, 2b may be formed on both surfaces of the substrate 1, or a thin film 2 may be formed on one surface with an anti-reflection coating 3 formed on the other surface.例文帳に追加

さらに、基板１の表裏両面に薄膜２ａ及び薄膜２ｂを設けてもよく、また、片面に薄膜２を施し残りの面に反射防止膜３を設けてもよい。 - 特許庁

After the functional thin film portion 12 of a resistance device is formed on a base substrate 11, permanent resist films 14 are formed at portions from which both ends of the thin film 12 are removed.例文帳に追加

ベース基板１１に抵抗デバイスの機能薄膜部分１２を形成し、その後、機能薄膜部分１２の両端を除いた部分に永久レジスト膜１４を形成する。 - 特許庁

Since the gate insulating film of the first stage transistor is not made thin, detection capacity will not increase, but since the gate insulating films of the other transistors are thin, amplifier gain is improved.例文帳に追加

第１段トランジスタのゲート絶縁膜は薄くされていないので、検出容量は増大しないが、他のトランジスタのゲート絶縁膜は薄いので、アンプゲインが向上する。 - 特許庁

To stabilize a sputtering rate by preventing abnormal discharge, to suppress the formation of particles caused by abnormal discharge, and to prevent the transition of stable thin films of metal oxide into metal films.例文帳に追加

異常放電を防止してスパッタレートを安定させ、異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、安定した金属酸化物の薄膜からメタル膜への遷移を防止すること。 - 特許庁

An optical part 10 is obtained by laminating a large number of layers of optical thin films 13 on a transparent or semitransparent supporting body 11 with an adhesion layer 12 consisting of silicon interposed between the films 13 and the supporting body 11.例文帳に追加

透明又は半透明の支持体１１に珪素よりなる密着層１２を介して光学薄膜層１３の多数層を積層することを特徴とする光学部品１０。 - 特許庁

When a voltage is applied to the diffraction device 3, a diffraction pattern part 13 consisting of these thin films generates heat and the films being in contact with the pattern part 13 exhibits the light shielding properties to realize a diffraction grating.例文帳に追加

この回折装置３に電圧を印加すると、前記薄膜からなる回折パターン部１３が発熱し、これに接する膜が遮光性を示し、回折格子を実現する。 - 特許庁

The organic films 16 constructing the light emitting unit are separated from each other, and one defective organic film 16 does not exert any influence to the circumferential organic thin films 16.例文帳に追加

発光単位を構成する有機薄膜１６は互いに分離されており、一つの有機薄膜１６に欠陥があったとしても、周囲の有機薄膜１６は影響を受けない。 - 特許庁

To provide an etchant capable of etching a molybdenum-based conductive thin film formed on a substrate or a laminated conductive thin film in which molybdenum-based conductive thin films and aluminum-based conductive thin films are laminated to form side surfaces having favorable forward tapered shape effectively, and an etching method by using the etchant.例文帳に追加

基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, its manufacturing method and a thin film heat treatment method for suppressing fear that thermal damage may be imposed to a conductive film or a substrate when various kinds of thin films such as a semiconductor thin film are instantaneously annealed by using light of high intensity and capable of improving the characteristics of these thin films.例文帳に追加

半導体薄膜等の各種薄膜に高強度の光を用いて瞬間的アニールを施した場合においても、導電膜や基板に熱的ダメージを与える虞がなく、しかも、半導体薄膜等の各種薄膜の特性の向上が可能な半導体装置及びその製造方法並びに薄膜の熱処理方法を提供する。 - 特許庁

Since the two dielectric material multi-layered films 310 and 311 composed of two kinds of dielectric material thin films having refractive indices greatly different from each other are used, more intense light can be located at a center part and high magnetooptical effect can be obtained and a large Faraday rotational angle can be obtained with a small number of laminated layers of the dielectric material thin films.例文帳に追加

屈折率差が大きい２種類の誘電体薄膜から構成された２組の誘電体多層膜３１０，３１１を用いていることで、中心部に、より強い光の局在化を示し、大きな磁気光学効果を得ることができ、少ない誘電体薄膜の積層数で大きなファラデー回転角を得ている。 - 特許庁

The base metal thin film 4, dielectric thin film 5, and upper electrode 6 are formed to have substantially the same area respectively, and the lower electrode 3 has a shape different from those of other thin films so as to form a connection part with the outside.例文帳に追加

卑金属薄膜４、誘電体薄膜５および上部電極６は略同じ面積に形成されており、下部電極３は外部との接続部分を形成するために他の薄膜と異なる形状となっている。 - 特許庁

Semiconductor thin films having their main different orientations are individually formed on an insulation substrate 3 in such a manner that each film may be appropriately oriented in a channel area 4 of an n-type thin-film transistor and a channel area 5 of a p-type thin film transistor.例文帳に追加

絶縁性基板３上に、主たる配向が異なる半導体薄膜を、Ｎ型薄膜トランジスタのチャネル領域４、Ｐ型薄膜トランジスタのチャネル領域５で最適な配向をとるように作り分ける。 - 特許庁

The layer 20 has a comparatively low compositional ratio of a silicon thin film and a nitrogen thin film if existing, and provides a low specific resistance combined with a high diffusion barrier property which is brought by the amorphous form of the thin films.例文帳に追加

バリア層は、比較的低い組成比のシリコン、及び、もし存在すれば窒素を有し、薄膜の非晶質形態によってもたらされる高い拡散バリア性と組み合わさった、低い比抵抗を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition method by catalyst sputtering for deposit high-quality thin films on a substrate and a thin film deposition system as well as a method for manufacturing semiconductor devices.例文帳に追加

本発明の目的は、基板上に高品質な薄膜を形成するための触媒スパッタリングによる薄膜形成方法及び薄膜形成装置並びに半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Those steps allow the thin metal film to be separated by driving force of strain energy and surface energy generated at the groove area of the thin metal film, and also allow the thin metal films to become spherical nanodots by self-organizing after the separation.例文帳に追加

これにより、金属薄膜の溝の部分に生ずる歪エネルギと表面エネルギが駆動力となり金属薄膜が分離すると共に金属薄膜が分離後に自己組織化により球状のナノドットとなる。 - 特許庁

The medium includes: a multilayer thin film layer 2 which comprises layers of a plurality of thin films having different refractive indices from one another and which is disposed in a product side; and a polarizing film 3 disposed in an observer side than the above multilayer thin film layer.例文帳に追加

製品側に配置され、互いに屈折率の異なる複数の薄膜を積層して構成される多層薄膜層２と、前記多層薄膜層より観察者側に配置された偏光膜３とを備える。 - 特許庁

Thin films, e.g. a resist film and an antireflection film, are removed from the objective region A for removing thin films on the surface of the wafer W by scanning the objective region A with the laser beam of slit shape in the direction of X axis.例文帳に追加

ウエハＷの表面の薄膜除去対象領域Ａをスリット形状のレーザ光でＸ軸方向に往復スキャンすることにより、その薄膜除去対象領域Ａからレジスト膜や反射防止膜などの薄膜が除去される。 - 特許庁

Film thickness at portions 7b and 8b of the Si thin films 7 and 8 between portions 7a and 8a for covering an active layer 2 and the lower surface of the semiconductor laser chip 1 is set thinner than that of the portions 7a and 8a for covering the active layer 2 of the Si thin films 7 and 8.例文帳に追加

Ｓｉ薄膜７，８の活性層２を覆う部分７ａ，８ａの膜厚より、この活性層２を覆う部分７ａ，８ａと半導体レーザチップ１の下面との間のＳｉ薄膜７，８の部分７ｂ，８ｂの膜厚が薄くなっている。 - 特許庁

In this dielectric barrier discharge type low-pressure discharge lamp, continuous thin films of yttrium oxide as a metal oxide are disposed as thin films 12 and 13 in areas corresponding to arrangement parts of external electrodes 18 and 19 on the inside surface of a glass bulb 15, respectively.例文帳に追加

誘電体バリア放電型の低圧放電ランプにおいて、ガラスバルブ１５内面の、外部電極１８、１９の配設部分に対応する領域に、薄膜１２、１３として、金属酸化物としての酸化イットリウムの連続薄膜を配置する。 - 特許庁

By having semiconductor thin films 304-308 made to abut against the metal layer 102 to form a region 410 including an oxide of a metal element among them, the semiconductor thin films 304-308 is bonded to the metal layer 102.例文帳に追加

この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接触させて、これらの間に金属元素の酸化物を含む領域４１０を形成することによって、半導体薄膜３０４−３０８と金属層１０２とを接合する。 - 特許庁

In a dynamic sensor for detecting an external force from variation of impedance by distortion using magnetic thin films 12a and 12b, the applying direction of the external force shown by the arrow R is set to the longitudinal direction of a nonmagnetic material substrate 11 and magnetic thin films 12a and 12b.例文帳に追加

磁性薄膜１２ａ、１２ｂを用いて歪によるインピーダンスの変化から外力を検知する力学センサにおいて、矢印Ｒで示す外力の印加方向を非磁性体基板１１及び磁性薄膜１２ａ、１２ｂの長手方向とする。 - 特許庁

This optical fiber pigtail to be assembled in an optical package or the like has thin films formed on the side face in the vicinity of the tip surface of an optical fiber by depositing chromium, a chromium - gold alloy and gold in this order and thick films formed, on the gold-deposited thin film, by depositing gold, nickel and gold in this order.例文帳に追加

光パッケージ等に組み込まれる光ファイバピグテイルにおいて、光ファイバ先端面近傍の側面にクロム、クロム−金合金、金の順序で薄膜を形成し、該薄膜上に金、ニッケル、金の順序で厚膜を形成する。 - 特許庁

The inner insulating films 2 and 3 are set smaller in refractive index than the outer insulating films 1 and 4 in order to suppress the photoconductivity thereof and the amount of the unnecessary light guided to the semiconductor thin film SL through the inner insulating films 2 and 3 is suppressed.例文帳に追加

内側絶縁膜２，３は、その導光性を抑えるため外側絶縁膜１，４に比べて屈折率が小さく設定されており、内側絶縁膜２，３を通って半導体薄膜ＳＬに導光される不要な光の量を抑制する。 - 特許庁

The immersion of a plurality of workpieces WK, which are wafers W with which PVDF resin sheet films F supporting thin films R are in close contact, in a solvent bath 3 storing a DMA or DMF solvent L3 dissolves only the sheet films F.例文帳に追加

薄膜Ｒを担持させたＰＶＤＦ樹脂シートフィルムＦをウエハＷに密着させてなるワークＷＫを複数枚、ＤＭＡまたはＤＭＦ溶剤Ｌ３を貯留する溶剤槽３に浸漬することでシートフィルムＦのみを溶解させる。 - 特許庁

To provide a concentrated application liquid having a high concentration which does not deteriorate electrical properties of BLT ferroelectric thin films.例文帳に追加

ＢＬＴ系強誘電体薄膜の電気的特性を劣化させることのない高濃度の濃縮塗布液を提供すること。 - 特許庁

To prevent an off current of a TFT(thin film transistor) from increasing by shielding incident light on the TFT from a gap between upper and lower light shielding films.例文帳に追加

上下の遮光膜の間からＴＦＴに入射してくる光を遮って、ＴＦＴのオフ電流の増加を防ぐ。 - 特許庁

The panel image shows film thicknesses of the thin films with color evenness, and film thickness data are generated by analyzing color evenness.例文帳に追加

前記パネル画像は、前記薄膜の膜厚を色むらで示し、前記膜厚データは、前記色むらを解析することで生成される。 - 特許庁

Carbon steels are disclosed that contain a three-phase microstructure consisting of grains of ferrite (11) fused with grains that contain disclosed lath structures in which laths of martensite (13) alternate with thin films of austenite (14).例文帳に追加

三相のミクロ組織を含む炭素鋼において、マルテンサイト（１３）のラスが、オーステナイト（１４）の膜と交互になっている。 - 特許庁