「thin films」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A layer obtained by alternately laminating a plurality of low refractive index thin films and a plurality of high refractive index thin films is used as a dielectric multilayer film, and the film thickness of the multilayer film is set as inclined film thickness, whereby secondary group speed dispersion amount is adjusted according to a spot at which light is cast.例文帳に追加

低屈折率薄膜と高屈折率薄膜とを交互に複数層積層した層を誘電体多層膜とし、この多層膜の膜厚を傾斜膜厚とすることにより、２次の群速度分散量を光の当たる場所によって調整できる構成としてある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL device having excellent luminescent characteristics such as an extended service life and stabilized emission luminance by improving smoothness of an organic thin film constituting a luminescent layer and adhesion between films in stacking the organic thin films together, and by reducing the residual solvent at that time.例文帳に追加

発光層を構成する有機薄膜の平滑性や、有機薄膜を積層する場合における膜どうしの密着性を向上させるとともに残留溶媒を低減し、長寿命化や、発光輝度の安定化などの発光特性に優れた有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

One each of sensor thin films 8 which are made out of conductive material while being almost horizontally extended by a definite width from a cutting blade edge along each cutting blade edge 3 of a throwaway type cutting tool, or of fine filament shaped sensor thin films 8 which are extended to a position parted from each cutting blade edge by a definite distance, is formed up.例文帳に追加

スローアウエイ型切削工具の各切れ刃縁３に沿って、導電性材料よりなり且つ切れ刃縁から一定幅で略水平に延びるセンサ薄膜８あるいは切れ刃縁から一定距離離れた位置に略水平に延びる細線状のセンサ薄膜８を１本形成する。 - 特許庁

In particular, impurity semiconductor films 5g and 5f (6g and 6f) are formed after the plasma processing, so that the impurity semiconductor films 5g and 5f (6g and 6f) are not exposed to plasma and does not change in quality, thereby achieving improvement in ON current corresponding to the semiconductor films 5b and 6b including the crystalline silicon with respect to the thin film transistors 5 and 6.例文帳に追加

特に、プラズマ処理後に不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）を形成するので、不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）がプラズマに晒されて変質することがなく、薄膜トランジスタ５、６において、結晶性シリコンを含む半導体膜５ｂ、６ｂに応じたオン電流の向上が得られる。 - 特許庁

To provide stable coating compositions usable in preparing functional coated films by a coating method, coating compositions capable of forming titania thin films good in adhesion to substrates and other substances, and coated films obtained from the coating compositions.例文帳に追加

塗布法による機能性チタニア薄膜の製造に使用できる安定なコーティング組成物を実現し、且つ基材及び他の物質への密着性が良好なチタニア膜を形成することができるコーティング組成物を提供し、且つ該コーティング組成物により得られる塗膜を提供する。 - 特許庁

Each thin film transistor 11 and 12 is provided with island-like crystalline polysilicon films 4b and 4c which are formed on the glass substrate 1 through a base film 2, and in which a channel region and a source/drain region are respectively formed and gate electrodes 6a and 6b formed on the polysilicon films 4b and 4c through insulating films 5.例文帳に追加

各薄膜トランジスタは、ガラス基板１上に下地膜２を介して形成されチャネル領域とソース／ドレイン領域とが形成される島状の結晶化ポリシリコン膜４ｂ，４ｃと、ポリシリコン膜４ｂ，４ｃ上に絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６ａ，６ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a heat-shielding coating composition which simultaneously satisfies both high reflectivity and low heat conduction, can form coating films acting in thin films, and is suitable for coating the root top, roof, outer walls, and the like of a building structure, and to provide a coated structure having coating films formed from the coating composition.例文帳に追加

高反射率、低熱伝導を同時に満たし、かつ薄膜で機能する塗膜を形成することのでき、建築構造物の屋上や屋根、外壁などへの塗装用に好適な遮熱塗料組成物と、それから形成される塗膜を有する塗装構築物を提供する。 - 特許庁

Such manufacturing means that reflection films with high reflectance, which are damaged at high temperature can be used and that no damage is given to thin films or optical members when a sacrificial layer is removed, can be obtained by depositing an amorphous silicon sacrificial layer between reflection films and then removing the layer with xenon fluoride gas.例文帳に追加

反射膜間にアモルファス・シリコン犠牲層の成膜を行い、弗化キセノンガスで除去することにより、高温で損傷を生ずる高反射率の反射膜が使用でき、しかも、犠牲層除去時に薄膜、光学部材にダメージを与えることの無い製造手段が得られる。 - 特許庁

The widths Wa and Wb of the wirings of the patterns 2' in the individual semiconductor elements are set according to the state of the thickness ta and tb of the conductor thin film and the semiconductor thin film formed on the surface of the wafer 1, thereby forming the densities to the thin films and the like.例文帳に追加

個々の半導体素子における回路パターン２’の配線の幅Ｗ_a を、シリコンウエーハ１の表面に形成された導体薄膜または半導体薄膜２の厚さｔ_a ，ｔ_b や密度等の状態に応じて、設定し形成する。 - 特許庁

Thin films 12a of respective layers consisting of a diffractive Fresnel lens are collectively formed in batch by forming a releasing layer 11 on a substrate 10, depositing an Al thin film 12A on the releasing layer 11 and patterning the Al thin film 12 by photo-lithography method.例文帳に追加

基板１０の上に離型層１１を形成し、離型層１１の上にＡｌ薄膜１２Ａを着膜し、Ａｌ薄膜１２Ａをフォトリソグラフィー法によってパターニングして回折型フレネルレンズを構成する各層の薄膜１２ａを一括して形成する。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable coating composition capable of suppressing metallic thin film cracking even when forming on a metallic thin film a rigid top coat layer sufficiently protecting the metallic thin film or performing heat resistance test, and to provide composite coating films.例文帳に追加

金属薄膜を十分に保護できる強固なトップコート層を金属薄膜上に形成したり、耐熱試験を行ったりしても、金属薄膜の割れを抑制できる活性エネルギー線硬化型塗料組成物、および複合塗膜を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive thin film deposition method, in the case of continuously depositing thin films on plural substrates by using a vacuum film deposition system, capable of depositing inexpensive thin film having stable characteristics through the plural substrates by a simplified process.例文帳に追加

真空成膜装置を用いて複数枚の基板に連続して薄膜を形成する場合に、複数枚の基板を通して安定した特性を有する薄膜が形成でき、かつ簡略化された工程で安価な薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the thermal conduction layer, the thin film including materials of a thermal conductivity relatively lower rather than the thin film including the materials of the highest temperature conductivity among a plurality of materials is arranged between the thin films including the materials of the high temperature conductivity.例文帳に追加

そして、熱伝導層内において、高熱伝導率の材料からなる薄膜の間には、複数の材料のうち最も高熱伝導率の材料からなる薄膜よりも相対的に低熱伝導率の材料からなる薄膜を配置する。 - 特許庁

As a result, since the special manufacture of the inspecting sample for the first and second thin films 13, 15 is dispensed with and the same sample as a product can be inspected directly, adhesiveness of the first thin film 13 to the second thin film 15 can be known accurately.例文帳に追加

これにより、第１、第２薄膜１３、１５の検査用サンプルを別に製作する必要がなく、製品と同じものを直接検査することができるので、第１薄膜１３と第２薄膜１５との密着性を正確に知ることができる。 - 特許庁

To provide a cleaning gas useful for removing unnecessary deposits accumulated on inner walls, parts or the like in a device for producing thin films, thick films, powders or whiskers by CVD, sputtering, sol-gel or vapor deposition method.例文帳に追加

ＣＶＤ法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスを提供する。 - 特許庁

Higher light transmittance and larger Faraday rotational angle can be secured without increasing the number of laminated layers of the dielectric material multi-layered films 310 and 311 than a conventional technique without providing the third dielectric material thin films.例文帳に追加

第３の誘電体薄膜を設けない従来技術に比して、誘電体多層膜３１０，３１１の積層数を多くすることなく高い光透過率と大きなファラデー回転角を確保することができる。 - 特許庁

Then, after forming a second SiO2 film 25 and a second Si3N4 film 26 on the metallic wiring 3 and 5, the base board is etched by leaving these films from the opposite side of these films to form a thin film part.例文帳に追加

続いて、金属配線３、５上に第２のＳｉＯ_2膜２５と第２のＳｉ_3Ｎ_4膜２６を形成した後、基板をこれらの膜とは反対側からこれらの膜を残してエッチングすることで薄膜部を形成する。 - 特許庁

To provide a low-viscosity acrylic resin organosol capable of giving semi-rigid thin films which are suitable as marking films, have high weatherability and scarcely cause bleeding, and generate no toxic gas even if burnt after discarded.例文帳に追加

マーキングフィルムに好適な、耐候性が良く、ブリードの少ない半硬質の薄物フィルム、しかも廃棄品を燃焼しても有害ガスを生じないフィルムを与えることができる低粘度のオルガノゾルを提供すること。 - 特許庁

The optical multilayer films 2, 3 are made by alternately laminating at least two kinds of thin films H, L having different refractive indexes, exhibits high transmission characteristic on visible light region and exhibits low transmission characteristic on near-infrared ray region.例文帳に追加

光学多層膜２，３は、屈折率の異なる２種以上の薄膜Ｈ，Ｌを交互に積層してなり、可視光線領域で高透過特性を示すとともに近赤外線領域で低透過特性を示す。 - 特許庁

Vacuum evaporation films composed of perylene pigment and exhibiting multiplication of photocurrent as organic semiconductor thin films 3 and 5 are formed to have a film thickness of 500 nm, respectively, and a stripe base electrode 4 is interposed between.例文帳に追加

有機半導体薄膜３，５として光電流増倍を示すペリレン顔料からなる真空蒸着膜をそれぞれに膜厚５００ｎｍで形成し、その間にストライプ状ベース電極４を介在させた。 - 特許庁

Buffer layers are formed on an Si substrate, thereby orienting or epitaxially growing metal thin films and ferroelectric thin films through the buffer layers one after another, and the Si substrate and buffer layers are partly removed to form a small ferroelectric thin film element having a superior performance using various etching techniques.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファ層を形成することによって、これらのバッファ層を介して金属薄膜と強誘電体薄膜を順次、配向またはエピタキシャル成長させ、続いて各種エッチング技術を用いてＳｉ基板やバッファ層を部分的に除去することによって小型で優れた性能を有する強誘電体薄膜素子を形成する。 - 特許庁

An insulation film 102 is deposited on the surface of a transmissive insulating substrate 101, amorphous thin silicon films 103a, 103b are deposited on the insulation film and the rear surface of the transmissive insulating substrate, the amorphous thin silicon film on the insulation film is formed insularly and irradiated with laser light 106 to form thin polysilicon films 104a, 104b.例文帳に追加

透光性絶縁基板101の表面上に絶縁膜102を堆積し、前記絶縁膜上と透光性絶縁基板の裏面の両面に非晶質シリコン薄膜103a,103bを堆積し、前記絶縁膜上の非晶質シリコン薄膜を島状に形成し、前記島状に形成された非晶質シリコン薄膜にレーザー光106を照射してポリシリコン薄膜104a,104bを形成する。 - 特許庁

For the magnetic recording medium 10' for data storage, a magnetic recording layer 20' having at least two ferromagnetic thin films 22, 24' antoferromagnetically coupled together through a nonferromagnetic spacer thin film 26 is used.例文帳に追加

データ記憶のための磁気記録媒体１０‘には、非強磁性スペーサ薄膜２６を通して反強磁性的に交換結合した少なくとも二つの強磁性薄膜２２，２４’を持つ磁気記録層２０‘を用いる。 - 特許庁

The large magnetic field resistance thin-film 12 is magnetically separated from the soft magnetic thin films 1, and then the variation of a resistance value between the sensor basic elements 3 appears, as it is, as the voltage variance between the output terminals 14, 16.例文帳に追加

巨大磁気抵抗薄膜１２は磁気的には軟磁性薄膜１と分離されており、センサ基本素子間の抵抗値変化はそのまま出力端子１４、１６間の電圧変化として現れる。 - 特許庁

To define respective thin film shapes by a single photolithography step in a step of forming a laminate structure comprising two or more kinds of thin films with different patterns (planar shapes) from each other.例文帳に追加

互いにパターン（平面形状）の異なる２種類以上の薄膜を積層した積層構造を形成する工程にて、１回のフォトリソグラフィ工程で夫々の薄膜形状を画定すること。 - 特許庁

According to constitution of the method, the patterning is performed for every thin film of plural quantities, by which the thin films can be thickened irrespective of a ratio of a width to a depth (an aspect ratio) of a final throughhole pattern.例文帳に追加

本発明の構成によれば、複数の薄膜毎にパターン形成を行うため、最終的な貫通孔パターンの幅と深さの比（アスペクト比）によらず、薄膜の厚膜化を行うことが出来る。 - 特許庁

Preferably, by a low energy sputtering method under a sputter voltage of -50 to -300 V, film deposition is performed in such a manner that the film thickness of the metallic thin film (2) is controlled to 1 to 50 nm, and the film thickness of the ceramic thin films (3 and 4) is controlled to 10 to 500 nm.例文帳に追加

好ましくは、スパッタ電圧−５０〜−３００Ｖの低エネルギースパッタ法により、金属薄膜（２）は膜厚１〜５０ｎｍに、セラミック薄膜（３，４）は膜厚１０〜５００ｎｍに成膜する。 - 特許庁

Since the heat sinks are electrically insulated from the electrodes 3 and 4 by the thin films 5 and 6, it is not required to separately provide electrical insulating thin film having good thermal conductivity to the heat sinks, etc.例文帳に追加

電極３，４とヒートシンクとの間は熱良導性電気絶縁薄膜５，６により電気的に絶縁されているため、ヒートシンク等に個別に熱良導性電気絶縁薄膜を設ける必要はない。 - 特許庁

First, thin films Fs of silicon oxide or the like are formed on the one front surface and the end of a wafer W, and the wafer W is rotated as its front surface where the thin film Fs is formed is kept nearly horizontal in position and facing upward.例文帳に追加

先ず、一方表面および端面に酸化珪素などからなる薄膜Ｆｓが形成されたウエハＷが、薄膜Ｆｓが形成された面を上にしてほぼ水平に保持されて回転される。 - 特許庁

A semiconductor device containing chalcogenide 10 may comprise a first composition layer 12; a second composition layer 16; and an intermediate gradient thin film 14 formed of a mixture of compositions of the thin films 12, 16.例文帳に追加

カルコゲナイド含有半導体デバイス１０は、第１の組成層１２と、第２の組成層１６と、薄膜１２及び１６の組成の混合物で形成された中間勾配薄膜１４とを含んでもよい。 - 特許庁

Silicon thin films (31-35) are formed on an insulating film into an approximately T shape, a thin-film transistor 10 is formed in the horizontal direction, and a diode 20 is formed in the vertical direction.例文帳に追加

絶縁膜の上に略Ｔ字状にシリコン薄膜（３１〜３５）が形成され、このシリコン薄膜の中に、横方向に薄膜トランジスタ１０が形成され、縦方向にダイオード２０が形成されている。 - 特許庁

The normal temperature magnetic ferroelectric superlattice is constituted by layering at least two kinds of ferroelectric oxide thin films on a substrate, wherein the oxide thin film of each layer is composed of an odd number of atomic layers.例文帳に追加

基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 - 特許庁

To form a pattern while applying distortion correction to each thin film, and accurately overlay these patters in a photomask having the pattern for transfer by patterning a plurality of thin films.例文帳に追加

複数の薄膜をそれぞれパターニングして成る転写用パターンを備えたフォトマスクにおいて、各薄膜に対してそれぞれ歪み補正を施しつつパターンを形成し、これらのパターンを正確に重ね合わせる。 - 特許庁

To provide a mask formation method capable of forming other patterning thin films to one patterning thin film with high positioning precision, a forming method of the patterning film , and a manufacturing method of a microdevice.例文帳に追加

１つのパターン化薄膜に対し、他のパターン化薄膜を、高度の位置決め精度をもって形成できるマスク形成方法、パターン化薄膜形成方法およびマイクロデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming an SRO conductive thin film superior in the stability in storing for a long period of time and a method for formation of such a thin films from the composition.例文帳に追加

長期保存安定性に優れたＳＲＯ導電性薄膜形成用組成物と、このＳＲＯ導電性薄膜形成用組成物を用いたＳＲＯ導電性薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Each of the resin films 4 has an almost linear or almost spot-like thin-walled part 4a and the cross-sectional shape parts (arcuate cross-sectional parts 4b and 4c) continued to the thin-walled part 4a to gradually increase in thickness.例文帳に追加

樹脂被膜４は、略線状または略点状の肉薄部４ａを有し、肉薄部４ａと連なって次第に厚さが増加する断面形状部分（断面円弧状部分４ｂ，４ｃ）を有する。 - 特許庁

The first area 70a and the second area is a laminated layer which includes a thin-film piezo-electric body 73 and a first and second electrode films 75a, 75b located to sandwich the thin-film piezo-electric body 73.例文帳に追加

第１領域７０ａ及び第２領域は、薄膜圧電体７３と、当該薄膜圧電体７３を挟むように配置される第１及び第２の電極膜７５ａ，７５ｂとを含む積層体である。 - 特許庁

Antioxidant films 20 consisting of Si_3N_4 are formed on the under surface and top surface of the thin tantalum nitride film heater 14 of the quartz base glass optical waveguide element having the thin tantalum nitride film heater 14.例文帳に追加

窒化タンタル薄膜ヒータ１４を有する石英系ガラス光導波路素子において、上記窒化タンタル薄膜ヒータ１４の下面および上面にＳｉ_3 Ｎ_4 からなる酸化防止膜２０を形成する。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head which is formed with an SiO2 film, etc., particularly having good adhesion and a method for manufacturing the thin-film magnetic head using nickel(Ni) films for electrode terminals etc.例文帳に追加

電極の端子等にニッケル（Ｎｉ）膜を使用した薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に、付着力の良好なＳｉＯ_2 膜等を形成する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。 - 特許庁

In addition, the thin films 28b, 29b of pure Cu or Cu alloys are connected to the semiconductor layer 33 of the thin film transistor through the nitrogen containing layer or the oxygen/nitrogen containing layers 28a, 29a.例文帳に追加

また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、窒素含有層または酸素窒素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 - 特許庁

The plurality of metallic thin films 3 on the multilayer tube 4 are covered with a thin conductive plating layer 6, after which the multilayer tube 4 is cut at predetermined axial intervals to manufacture an electric connector.例文帳に追加

そして、多層チューブ４の複数の金属薄膜３を薄い導電めっき層６でそれぞれ被覆し、その後、多層チューブ４を軸方向に所定の間隔で切断して電気コネクタを製造する。 - 特許庁

After that, the several dielectric precursor thin films 4-7 are baked for crystallization and a ferroelectric thin film 10 in which the concentration of Ti is almost uniform in the direction of the depth of the silicon substrate 1.例文帳に追加

その後、複数の誘電体前駆体薄膜４，…，７の結晶化の焼成を行って、シリコン基板１の深さ方向においてＴｉの濃度が略均一な強誘電体薄膜１０を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method using an ink jet method in formation of various types of thin films in an electronic device such as an organic EL panel and an organic thin film transistor, and to provide an ink of a composition suitable for it.例文帳に追加

有機ＥＬパネルや有機薄膜トランジスタなどの電子装置における各種薄膜の形成にインクジェット法を用いた製造方法及びこれに好適な組成のインクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component in which a large number of thin dielectric films can be layered with high accuracy through a relatively small number of process steps.例文帳に追加

比較的僅かな工程で、高精度に誘電体の薄膜高積層化を可能とした積層セラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁

After the first and the second optical thin films 12 and 13 are film-deposited, etching is performed for canceling the phase step.例文帳に追加

又、第一の光学薄膜１２及び第二の光学薄膜１３を成膜した後に、位相段差を解消するためにエッチングを行っている。 - 特許庁